JPH11263774A - ドネペジル誘導体の製造法およびその中間体 - Google Patents

ドネペジル誘導体の製造法およびその中間体

Info

Publication number
JPH11263774A
JPH11263774A JP875999A JP875999A JPH11263774A JP H11263774 A JPH11263774 A JP H11263774A JP 875999 A JP875999 A JP 875999A JP 875999 A JP875999 A JP 875999A JP H11263774 A JPH11263774 A JP H11263774A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
indanone
derivative
methyl
pyridyl
donepezil
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP875999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4022332B2 (ja
Inventor
Yoichi Iimura
洋一 飯村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eisai Co Ltd
Original Assignee
Eisai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eisai Co Ltd filed Critical Eisai Co Ltd
Priority to JP00875999A priority Critical patent/JP4022332B2/ja
Publication of JPH11263774A publication Critical patent/JPH11263774A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4022332B2 publication Critical patent/JP4022332B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Hydrogenated Pyridines (AREA)
  • Pyridine Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 医薬として優れた作用を有するドネペジル誘
導体の、工業的・経済的に優れた新規製造法および中間
体を提供する。 【解決手段】 1-インダノン誘導体と炭酸エステルを反
応させて2-アルコキシカルボニル-1-インダノン誘導体
とし、次いでハロゲン化(4-ピリジル)メチルまたはその
塩と反応させた後脱炭酸して2-(4-ピリジルメチル)-1-
インダノン誘導体とし、次いでハロゲン化ベンジルを反
応させて四級アンモニウム塩とし、さらに還元する。 【化1】 (式中、R1は水素原子または低級アルコキシ基を、nは1
〜4の整数を、R2は低級アルキル基を、Xはハロゲン原子
を意味する。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特開昭64-79,151号公
報(EP-296,560-A1, US-4,895,841)に開示された医薬、
具体的には老年性痴呆症予防・治療薬、特にアルツハイ
マー病予防・治療薬として優れた作用を有するドネペジ
ル誘導体またはその薬理学的に許容される塩、さらに具
体的には同公報の実施例4に記載された塩酸ドネペジル
(Donepezil Hydrochloride、化学名; 1-ベンジル-4-
[(5,6-ジメトキシ-1-インダノン)-2-イル]メチルピペリ
ジン・塩酸塩)の製造前駆体であるドネペジル(1-ベン
ジル-4-[(5,6-ジメトキシ-1-インダノン)-2-イル]メチ
ルピペリジン、遊離体)またはそのハロゲン化水素酸塩
等の新規な工業的製造法、およびその中間体に関する。
【0002】
【従来技術】従来インダノン誘導体は、特開昭64-79,15
1号公報の実施例3,4等に記載されているように、例えば
5,6-ジメトキシ-1-インダノンと1-ベンジル-4-ホルミル
ピペリジンをリチウムジイソプロピルアミド等の強塩基
の存在下に反応させ(実施例3)、次いで還元して(実施例
4)製造されてきた。この方法による実施例3,4を通した
ドネペジルの収率は、50.8%(62%×82%)であった。
【0003】
【化8】
【0004】また特開平8-225,527号公報(EP-711,756-A
1, US-5,606,064)の実施例2,4,6には、5,6-ジメトキシ-
1-インダノンとピリジン-4-アルデヒドを反応させて5,6
-ジメトキシ-2-(ピリジン-4-イル)メチレンインダン-1-
オンとした後(実施例2)、臭化ベンジルと反応させて1-
ベンジル-4-(5,6-ジメトキシインダン-1-オン-2-イリデ
ン)メチルピリジニウムブロミドとし(実施例4)、さらに
酸化プラチナ触媒の存在下に還元してドネペジルを得る
(実施例6)方法が記載されている。この方法における実
施例2,4,6を通したドネペジルの収率は、58.5%(87%×83
%×81%)であった。
【0005】
【化9】
【0006】さらにWO97/22584号公報の製造例1〜3およ
び実施例1〜6には、(ピリジン-4-イル)カルボキシアル
デヒドとマロン酸を反応させて3-(ピリジン-4-イル)-2-
プロペノイン酸とし(Preparation 1)、次いで還元して3
-(ピペリジン-4-イル)-2-プロピオン酸とし(Preparatio
n 2)、次いでクロロ炭酸メチルと反応させて3-[N-(メト
キシカルボニル)ピペリジン-4-イル]プロピオン酸とし
(Preparation 3)、次いで塩化オキサリルと反応させて4
-(2-クロロカルボニルエチル)ピペリジン-1-カルボン酸
メチルとし(Example 1)、次いで塩化アルミニウムの存
在下1,2-ジメトキシベンゼンと反応させて4-[3-(3,4-ジ
メトキシフェニル)-3-オキソプロピル]ピペリジン-1-カ
ルボン酸メチルとし(Example 2)、次いでテトラメチル
ジアミノメタンと反応させて4-[2-(3,4-ジメトキシベン
ゾイル)アリル]ピペリジン-1-カルボン酸メチルとし(Ex
ample 3)、次いで硫酸で処理して4-(5,6-ジメトキシ-1-
オキソインダン-2-イルメチル)ピペリジン-1-カルボン
酸メチルとし(Example 4)、次いで塩基で処理して5,6-
ジメトキシ-2-(ピペリジン-4-イルメチル)インダン-1-
オンとし(Example 5)、さらに臭化ベンジルと反応させ
てドネペジルを得る(Example 6)方法が記載されてい
る。この公報実施例には、Example 1の収率が記載され
ていないが、仮に100%だと仮定しても、全工程を通した
ドネペジルの収率は、19.3%(70%×84%×100%×68%×79%
×61%)であった。
【0007】
【化10】
【0008】
【本発明が解決しようとする問題点】しかしながら、汎
用原料からのドネペジルの全工程収率は、最高でも特開
平8-225,527号公報の方法で58.5%、次いで特開昭64-79,
151号公報の方法により50.8%、最も低くはWO97/22584号
公報の方法で19.3%であり、工業的な製法としてはいず
れも十分とは言えなかった。また特開平8-225,527号公
報の方法はこれらの中では最も高収率であるが、実際に
追試してみると、最後の還元工程の収率再現が困難であ
り、実際には特開昭64-79,151号公報の方法よりはるか
に劣ると思われる(後述の参考例参照)。仮に同公報記載
の収率が正しいとしても、全工程収率は58.5%であり、
先行技術(特開昭64-79,151号公報の全工程収率50.8%)と
比較して、優れた効果は認められなかった。従って、近
年患者数が急増し社会的な関心の高い老年性痴呆症の予
防・治療薬、特にアルツハイマー病予防・治療薬として
優れた作用を有するドネペジル誘導体の、工業的・経済
的に優れた方法はまだないのが現状であった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点の改善を目指して鋭意研究を進めてきた。その結果、
新規な四級アンモニウム塩(I)を経ることにより、驚く
べきことに汎用原料から82.5%もの全工程収率でドネペ
ジル誘導体が得られることを見出し、本発明を完成する
に至った。すなわち本発明は、ドネペジル誘導体の工業
的に優れた新規な製造法およびその中間体を提供するも
のである。
【0010】本発明は、より具体的には、ドネペジル誘
導体製造のための、以下の製造法のいずれかである。 (1) 四級アンモニウム塩(I)を還元する。 (2) 2-(4-ピリジル)メチル-1-インダノン誘導体(III)と
ハロゲン化ベンジルを反応させて四級アンモニウム塩
(I)とし、次いで還元する。 (3) 2-アルコキシカルボニル-1-インダノン誘導体(IV)
とハロゲン化(4-ピリジル)メチル(V)またはその塩を反
応させた後脱炭酸して2-(4-ピリジル)メチル-1-インダ
ノン誘導体(III)とし、次いでハロゲン化ベンジルを反
応させて四級アンモニウム塩(I)とし、さらに還元す
る。 (4) 1-インダノン誘導体(VI)と炭酸エステル(VII)を反
応させて2-アルコキシカルボニル-1-インダノン誘導体
(IV)とし、次いでハロゲン化(4-ピリジル)メチル(V)ま
たはその塩と反応させた後脱炭酸して2-(4-ピリジル)メ
チル-1-インダノン誘導体(III)とし、次いでハロゲン化
ベンジルを反応させて四級アンモニウム塩(I)とし、さ
らに還元する。 これらを化学反応式で表わすと、以下の通りである。
【0011】
【化11】
【0012】(式中、R1、R2、nおよびXは前記と同様の
意味を有する。) ここで本発明にかかる四級アンモニウム塩(I)は下記一
般式で表される。
【0013】
【化12】
【0014】式中、R1は同一または相異なって水素原子
または低級アルコキシ基を、nは1〜4の整数を、Xはハ
ロゲン原子をそれぞれ意味する。なお低級アルコキシ基
とは、炭素数1〜6の直鎖あるいは分枝状の低級アルキ
ル基に酸素原子が結合した基を意味し、具体的には例え
ばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポ
キシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等を挙げることが
できる。これらの中でも、最終化合物であるドネペジル
誘導体の薬効あるいは安全性の観点から、メトキシ基が
より好ましい。またハロゲン原子とは、具体的には臭素
原子、塩素原子、ヨウ素原子またはフッ素原子を意味
し、臭素原子、塩素原子またはヨウ素原子がより好まし
い結果を与える。
【0015】四級アンモニウム塩(I)としてさらに具体
的には、例えば以下の化合物を挙げることができるが、
本発明はこれらに限定されない。 (1) 塩化1-ベンジル-4-(1-インダノン-2-イル)メチルピ
リジニウム (2) 塩化1-ベンジル-4-[(4-メトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピリジニウム (3) 塩化1-ベンジル-4-[(5-メトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピリジニウム (4) 塩化1-ベンジル-4-[(6-メトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピリジニウム (5) 塩化1-ベンジル-4-[(5,6-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (6) 塩化1-ベンジル-4-[(5,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (7) 塩化1-ベンジル-4-[(4,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (8) 塩化1-ベンジル-4-[(4,5-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (9) 塩化1-ベンジル-4-[(6,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (10) 塩化1-ベンジル-4-[(5,6,7-トリメトキシ-1-イン
ダノン)-2-イル]メチルピリジニウム (11) 塩化1-ベンジル-4-[(5,6-ジエトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (12) 臭化1-ベンジル-4-(1-インダノン-2-イル)メチル
ピリジニウム (13) 臭化1-ベンジル-4-[(4-メトキシ-1-インダノン)-2
-イル]メチルピリジニウム (14) 臭化1-ベンジル-4-[(5-メトキシ-1-インダノン)-2
-イル]メチルピリジニウム (15) 臭化1-ベンジル-4-[(6-メトキシ-1-インダノン)-2
-イル]メチルピリジニウム (16) 臭化1-ベンジル-4-[(5,6-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (17) 臭化1-ベンジル-4-[(5,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (18) 臭化1-ベンジル-4-[(4,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (19) 臭化1-ベンジル-4-[(4,5-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (20) 臭化1-ベンジル-4-[(6,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム (21) 臭化1-ベンジル-4-[(5,6,7-トリメトキシ-1-イン
ダノン)-2-イル]メチルピリジニウム (22) 臭化1-ベンジル-4-[(5,6-ジエトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピリジニウム 本発明にかかる四級アンモニウム塩(I)は新規化合物で
あり、目的とするドネペジル誘導体(II)を高収率で得る
ためのキー中間体として有用である。
【0016】次に、本発明にかかるドネペジル誘導体ハ
ロゲン化水素酸塩(II)は下記一般式で表される。
【0017】
【化13】
【0018】式中、R1、nおよびXは前記と同様の意味を
有する。ドネペジル誘導体ハロゲン化水素酸塩(II)とし
てさらに具体的には、例えば以下の化合物のハロゲン化
水素酸塩を挙げることができるが、本発明はこれらに限
定されない。 (1) 1-ベンジル-4-(1-インダノン-2-イル)メチルピペリ
ジン (2) 1-ベンジル-4-[(4-メトキシ-1-インダノン)-2-イ
ル]メチルピペリジン (3) 1-ベンジル-4-[(5-メトキシ-1-インダノン)-2-イ
ル]メチルピペリジン (4) 1-ベンジル-4-[(6-メトキシ-1-インダノン)-2-イ
ル]メチルピペリジン (5) 1-ベンジル-4-[(5,6-ジメトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピペリジン (6) 1-ベンジル-4-[(5,7-ジメトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピペリジン (7) 1-ベンジル-4-[(4,7-ジメトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピペリジン (8) 1-ベンジル-4-[(4,5-ジメトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピペリジン (9) 1-ベンジル-4-[(6,7-ジメトキシ-1-インダノン)-2-
イル]メチルピペリジン (10) 1-ベンジル-4-[(5,6,7-トリメトキシ-1-インダノ
ン)-2-イル]メチルピペリジン (11) 1-ベンジル-4-[(5,6-ジエトキシ-1-インダノン)-2
-イル]メチルピペリジン なお必要に応じて、本発明にかかるドネペジル誘導体の
ハロゲン化水素酸塩(II)を、例えば塩基で中和後酸処理
する、あるいは大量の酸で処理するなどの常法により、
任意の薬理学的に許容される塩に変換(塩交換)すること
もできる。その際に塩の種類は限定されないが、好まし
くは塩酸塩を挙げることができる。
【0019】次に、本発明にかかる2-(4-ピリジル)メチ
ル-1-インダノン誘導体(III)は下記一般式で表される。
【0020】
【化14】
【0021】式中、R1およびnは前記と同様の意味を有
する。2-(4-ピリジル)メチル-1-インダノン誘導体(III)
としてさらに具体的には、例えば以下の化合物を挙げる
ことができるが、本発明はこれらに限定されない。 (1) 2-(4-ピリジル)メチル-1-インダノン (2) 2-(4-ピリジル)メチル-4-メトキシ-1-インダノン (3) 2-(4-ピリジル)メチル-5-メトキシ-1-インダノン (4) 2-(4-ピリジル)メチル-6-メトキシ-1-インダノン (5) 2-(4-ピリジル)メチル-5,6-ジメトキシ-1-インダノ
ン (6) 2-(4-ピリジル)メチル-5,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン (7) 2-(4-ピリジル)メチル-4,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン (8) 2-(4-ピリジル)メチル-4,5-ジメトキシ-1-インダノ
ン (9) 2-(4-ピリジル)メチル-6,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン (10) 2-(4-ピリジル)メチル-5,6,7-トリメトキシ-1-イ
ンダノン (11) 2-(4-ピリジル)メチル-5,6-ジエトキシ-1-インダ
ノン これらの化合物は公知化合物であり、例えばJ. Heteroc
yclic Chem.,2(4),366-70(1965).記載の方法に従って製
造することもできるが[全工程収率=48.4%(55%×88%)]、
本発明方法により[全工程収率=82.5%(98%×85%×100%×
99%)]、はるかに高収率で得ることができる。
【0022】次に、本発明にかかる2-アルコキシカルボ
ニル-1-インダノン誘導体(IV)は下記一般式で表され
る。
【0023】
【化15】
【0024】式中、R2は低級アルキル基を意味する。R1
およびnは前記と同様の意味を有する。低級アルキル基
とは、炭素数1〜6の直鎖あるいは分枝状のアルキル基
を意味し、具体的には例えばメチル基、エチル基、n-プ
ロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等を挙げることがで
き、メチル基、エチル基またはプロピル基が好ましい。
2-アルコキシカルボニル-1-インダノン誘導体(IV)とし
てさらに具体的には、例えば以下の化合物を挙げること
ができるが、本発明はこれらに限定されない。 (1) 2-メトキシカルボニル-1-インダノン (2) 2-メトキシカルボニル-4-メトキシ-1-インダノン (3) 2-メトキシカルボニル-5-メトキシ-1-インダノン (4) 2-メトキシカルボニル-6-メトキシ-1-インダノン (5) 2-メトキシカルボニル-5,6-ジメトキシ-1-インダノ
ン (6) 2-メトキシカルボニル-5,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン (7) 2-メトキシカルボニル-4,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン (8) 2-メトキシカルボニル-4,5-ジメトキシ-1-インダノ
ン (9) 2-メトキシカルボニル-6,7-ジメトキシ-1-インダノ
ン (10) 2-メトキシカルボニル-5,6,7-トリメトキシ-1-イ
ンダノン (11) 2-メトキシカルボニル-5,6-ジエトキシ-1-インダ
ノン (12) 2-エトキシカルボニル-1-インダノン (13) 2-エトキシカルボニル-4-メトキシ-1-インダノン (14) 2-エトキシカルボニル-5-メトキシ-1-インダノン (15) 2-エトキシカルボニル-6-メトキシ-1-インダノン (16) 2-エトキシカルボニル-5,6-ジメトキシ-1-インダ
ノン (17) 2-エトキシカルボニル-5,7-ジメトキシ-1-インダ
ノン (18) 2-エトキシカルボニル-4,7-ジメトキシ-1-インダ
ノン (19) 2-エトキシカルボニル-4,5-ジメトキシ-1-インダ
ノン (20) 2-エトキシカルボニル-6,7-ジメトキシ-1-インダ
ノン (21) 2-エトキシカルボニル-5,6,7-トリメトキシ-1-イ
ンダノン (22) 2-エトキシカルボニル-5,6-ジエトキシ-1-インダ
ノン これらの化合物も公知化合物であり、例えばEP-534,859
号公報の実施例9-A1に記載された方法(収率=98%)によ
り、ほぼ定量的に得ることができる。
【0025】次に、本発明にかかるハロゲン化(4-ピリ
ジル)メチル(V)は下記一般式で表される。(式中、Xは
ハロゲン原子を意味する。)
【0026】
【化16】
【0027】ハロゲン化(4-ピリジル)メチル(V)とし
て、より具体的には、例えば以下の化合物を挙げること
ができ、これらは塩であってもよい。 (1) 塩化(4-ピリジル)メチル (2) 臭化(4-ピリジル)メチル (3) ヨウ化(4-ピリジル)メチル これらの化合物は公知化合物であり、試薬・工業原料等
として一般的に入手可能である。
【0028】次に、本発明にかかる1-インダノン誘導体
(VI)は下記一般式で表される。(式中、R1およびnは前
記と同様の意味を有する。)
【0029】
【化17】
【0030】1-インダノン誘導体(VI)として、より具体
的には、例えば以下の化合物を挙げることができる。 (1) 1-インダノン (2) 4-メトキシ-1-インダノン (3) 5-メトキシ-1-インダノン (4) 6-メトキシ-1-インダノン (5) 5,6-ジメトキシ-1-インダノン (6) 5,7-ジメトキシ-1-インダノン (7) 4,7-ジメトキシ-1-インダノン (8) 4,5-ジメトキシ-1-インダノン (9) 6,7-ジメトキシ-1-インダノン (10) 5,6,7-トリメトキシ-1-インダノン (11) 5,6-ジエトキシ-1-インダノン これらの化合物も公知化合物であり、試薬・工業原料等
として一般的に入手可能である。
【0031】最後に、本発明にかかる炭酸エステル(VI
I)は一般式(R2O)2COで表される。(式中、R2は前記と同
様の意味を有する。) 炭酸エステル(VII)として、より具体的には、例えば以
下の化合物を挙げることができる。 (1) 炭酸ジメチル (2) 炭酸ジエチル (3) 炭酸ジプロピル (4) 炭酸メチルエチル これらの化合物も公知化合物であり、試薬・工業原料等
として一般的に入手可能である。
【0032】続いて本発明にかかる製造法について詳述
する(前記化学反応式[化11]参照)。(1) 工程1 本工程は、1-インダノン誘導体(VI)と炭酸エステル(VI
I)を反応させて2-アルコキシカルボニル-1-インダノン
誘導体(IV)を得る工程であり、例えばEP-534,859号公報
の実施例9-A1に記載された方法、Chem.Pharm.Bull.42
(3),541-550(1994).に記載された方法、Tetrahedron,3
0,507-512,1974.に記載された方法等に従って合成でき
る。中でもEP-534,859号公報の実施例9-A1に記載された
方法が最も高収率であり、ほぼ定量的に製造することが
できる。
【0033】(2) 工程2 本工程は、2-アルコキシカルボニル-1-インダノン誘導
体(IV)とハロゲン化(4-ピリジル)メチル(V)またはその
塩を反応させて、2-アルコキシカルボニル-2-(4-ピリジ
ル)メチル-1-インダノン誘導体(VIII)を得る工程であ
る。本工程は、塩基の存在下に常法に従って行うことが
できる。例えば非水系では、塩基は限定されないが、具
体的には、例えば水素化ナトリウム、ナトリウム、ナト
リウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド(LDA)、
リチウムヘキサメチルジシラザン(LHMDS)、ナトリウム
メトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム・t-ブト
キシド等を用いて実施することができる。この際に利用
する溶媒も限定されないが、具体的には、例えばDMF、T
HF、DMSO、ジオキサン、HMPA、HMPT等を挙げることがで
き、混合物であってもよい。
【0034】また本工程は、含水系において、相間移動
触媒と塩基の存在下に実施することもできる。ここで相
間移動触媒の種類は限定されないが、一般には4級アン
モニウム塩、4級ホスホニウム塩あるいはスルホニウム
塩である。4級アンモニウム塩として具体的には、例え
ばヨウ化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチ
ルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム、
ヨウ化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラペンチ
ルアンモニウム、ヨウ化テトラへキシルアンモニウム、
ヨウ化テトラヘプチルアンモニウム、ヨウ化テトラオク
チルアンモニウム、ヨウ化テトラヘキサデシルアンモニ
ウム、ヨウ化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化ベ
ンジルトリメチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチ
ルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウ
ム、ヨウ化1-メチルピリジニウム、ヨウ化1-ヘキサデシ
ルピリジニウム、ヨウ化1,4-ジチルピリジニウム、塩化
テトラメチル-2-ブチルアンモニウム、塩化トリメチル
シクロプロピルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモ
ニウム、臭化テトラオクチルアンモニウム、臭化t-ブチ
ルエチルジメチルアンモニウム、臭化テトラデシルトリ
メチルアンモニウム、臭化ヘキサデシルトリメチルアン
モニウム、臭化オクタデシルトリメチルアンモニウム等
を挙げることができる。また4級ホスホニウム塩として
具体的には、例えばヨウ化トリブチルメチルホスホニウ
ム、ヨウ化トリエチルメチルホスホニウム、ヨウ化メチ
ルトリフェノキシホスホニウム、ヨウ化ブチルトリフェ
ニルホスホニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭
化ベンジルトリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシ
ルトリメチルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホス
ホニウム、塩化テトラフェニルホスホニウム等を挙げる
ことができる。さらにスルホニウム塩として具体的に
は、例えばヨウ化ジブチルメチルスルホニウム、ヨウ化
トリメチルスルホニウム、ヨウ化トリエチルスルホニウ
ム等を挙げることができる。これらの相間移動触媒は、
試薬・工業原料等として、一般的に入手できる。
【0035】また含水系における塩基の種類も限定され
ない。具体的には、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化バリウム等を挙げることができる。
【0036】この際利用する溶媒の種類も限定されない
が、具体的には、例えば水、水-トルエン、水-ベンゼ
ン、水-キシレン、水-塩化炭化水素(塩化メチレン、ク
ロロホルム、四塩化炭素等)を挙げることができ、混合
物であってもよい。
【0037】(3) 工程3 本工程は、2-アルコキシカルボニル-2-(4-ピリジル)メ
チル-1-インダノン誘導体(VIII)を脱炭酸して2-(4-ピリ
ジル)メチル-1-インダノン誘導体(III)を得る工程であ
る。本工程は塩基の存在下に行う脱炭酸反応であり、常
法に従って行うことができる。ここで利用する塩基の種
類も限定されないが、通常は、水酸化カリウム、水酸化
ナトリウム、水酸化バリウム等を挙げることができる。
また溶媒の種類も限定されず、エタノール、メタノー
ル、プロパノール等の低級アルコール類、THF、DMF、DM
SO、ジオキサン等を挙げることができ、混合物であって
もよい。なお本工程の別法としては、Tetrahedron Let
t., 957,1973.に記載された方法に従って、例えば塩化
ナトリウムの存在下に水-DMSO中で脱炭酸することもで
きる。
【0038】(4) 工程4 本工程は、2-(4-ピリジル)メチル-1-インダノン誘導体
(III)とハロゲン化ベンジルを反応させて四級アンモニ
ウム塩(I)を製造する工程である。本工程は、四級アン
モニウム塩を製造する常法に従って行うことができる
が、ハロゲン化ベンジルとして具体的には、例えば臭化
ベンジル、塩化ベンジル等を用い、溶媒として具体的に
は、例えばアセトニトリル、THF、DMF、DMSO、ジオキサ
ン、1,2-ジメトキシエタン、エーテル、低級アルコー
ル、アセトン、MEK(2-ブタノン)、MIBK(メチルイソブチ
ルケトン)、N-メチルピロリドン等を挙げることがで
き、混合物であってもよい。
【0039】(5) 工程5 本工程は、四級アンモニウム塩(I)を還元して、目的と
するドネペジル誘導体ハロゲン化水素酸塩(II)を製造す
る工程である。還元方法も限定されないが、通常は触媒
の存在下に接触還元する。具体的には、触媒として例え
ば酸化白金等の白金化合物、パラジウム/炭素等のパラ
ジウム化合物、ラネーニッケル等のニッケル化合物、酸
化ルテニウム等のルテニウム化合物等を挙げることがで
きる。また溶媒として例えば水、エタノール、メタノー
ル等の低級アルコール、THF、DMF、DMSO、ジオキサン、
N-メチルピロリドン、塩化炭化水素(塩化メチレン、ク
ロロホルム、四塩化炭素等)、アセトン、MEK、MIBK、ア
セトニトリル、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等を挙げることができ、混合物であってもよい。本
工程における反応条件も限定されないが、通常は、常温
・常圧で数時間以内に反応が完結する。また、得られた
ドネペジル誘導体ハロゲン化水素酸塩(II)は、常法に従
って、遊離体や各種薬理学的に許容される塩に導くこと
もできる。
【0040】続いて本発明をさらに具体的に説明するた
め、以下に実施例を掲げるが、本発明がこれらに限定さ
れないことは言うまでもない。
【実施例】実施例1 5,6-ジメトキシ-2-(4-ピリジル)
メチル-1-インダノンの合成
【0041】
【化18】
【0042】EP-534,859号公報の実施例9-A1に従って得
た5,6-ジメトキシ-2-エトキシカルボニル-1-インダノン
2.00g(7.57mmol)をDMF(ジメチルホルムアミド) 40mlに
溶解し、氷冷下、60%-水素化ナトリウム 0.73g(18.3mmo
l)を加え、室温にて30分間撹拌した。その後再び氷冷
し、塩化4-ピリジルメチル(塩化4-ピコリル) 1.49g(18.
3mmol)を加え、このまま30分間撹拌した。その後室温に
て、さらに一晩撹拌した。氷冷下、水 200mlを加え、酢
酸エチル 200mlにて抽出し、有機層を飽和食塩水 200ml
×2にて洗浄した。乾燥(MgSO4)後、減圧濃縮して褐色オ
イル 3.40gを得た。このオイルをエタノール 50mlに溶
解し、水 10mlと85.5%-水酸化カリウム 1.99g(30.3mmo
l)を加えて30分間加熱還流した。反応液を室温まで放冷
した後減圧濃縮し、水 50mlを加えた。析出した結晶を
濾別・乾燥して淡褐色結晶の標題化合物 1.82gを得た。
(収率:2工程で85%)
【0043】融点: 192-193℃[文献値: 190-191℃
(J. Heterocyclic Chem.,2(4),366-70,1965.)].1 H-NMR(400MHz,CDCl3) δ(ppm) 2.66-2.74(2H,m)、2.96-
3.04(1H,m)、3.12(1H,dd,J=7.6Hz,J=16.8Hz)、3.35(1H,d
d,J=4.4Hz,J=14Hz)、3.92(3H,s)、3.95(3H,s)、6.82(1H,
s)、7.18(2H,d,J=6Hz)、7.20(1H,s)、8.51(2H,d,J=6Hz). ESI-MS: m/z=284 (M+H)+.
【0044】実施例2 臭化1-ベンジル-4-[(5,6-ジメ
トキシ-1-インダノン)-2-イル]メチルピリジニウムの合
【0045】
【化19】
【0046】5,6-ジメトキシ-2-(4-ピリジル)メチル-1-
インダノン 1.00g(3.53mmol)中にアセトニトリル 30ml
を加え、加熱還流して溶解した後、臭化ベンジル 0.50m
l(4.21mmol)を加えた。さらに2.5時間加熱還流した後、
室温まで放冷し、減圧濃縮した。残渣にn-ヘキサン 50m
lを加えた。析出した結晶を濾別し、乾燥して淡黄色結
晶の標題化合物 1.60gを得た。(収率:定量的)
【0047】融点: 173-177℃.1 H-NMR(400MHz,DMSO-d6) δ(ppm) 2.70(1H,dd,J=3.6Hz,
J=16.4Hz)、3.01(1H,dd,J=9.2Hz,J=14Hz)、3.12(1H,dd,J=
7.6Hz,J=16.4Hz)、3.16-3.24(1H,m)、3.30-3.98(1H,m)、3.
77(3H,s)、3.83(3H,s)、5.81(2H,s)、7.06(1H,s)、7.07(1H,
s)、7.38-7.48(3H,m)、7.50-7.56(2H,m)、8.13(2H,d,J=6.4
Hz)、9.14(2H,d,J=6.4Hz). ESI-MS: m/z=374 (M-Br)+.
【0048】実施例3 1-ベンジル-4-[(5,6-ジメトキ
シ-1-インダノン)-2-イル]メチルピペリジン・塩酸塩
(塩酸ドネペジル)の合成
【0049】
【化20】
【0050】臭化1-ベンジル-4-[(5,6-ジメトキシ-1-イ
ンダノン)-2-イル]メチルピリジニウム 1.00g(2.20mmo
l)をメタノール 15mlに溶解し、酸化白金(IV) 0.1gを加
え、室温常圧にて3時間水素添加した。触媒を濾別後、
濾液を減圧濃縮して得られた残渣に飽和炭酸ナトリウム
水溶液 30mlを加え、酢酸エチル 50ml×3にて抽出し
た。乾燥(MgSO4)後、減圧濃縮してドネペジルの遊離体
0.83gを得た。(収率:99% )
【0051】1H-NMR(400MHz,CDCl3) δ(ppm) 1.27-1.42
(3H,m)、1.42-1.55(1H,m)、1.63-1.77(2H,m)、1.87-2.03(3
H,m)、2.66-2.74(2H,m)、2.86-2.94(2H,m)、3.23(1H,dd,J=
8Hz,J=17.6Hz)、3.50(2H,s)、3.90(3H,s)、3.96(3H,s)、6.8
5(1H,s)、7.17(1H,s)、7.22-7.33(5H,m).
【0052】これを常法により塩酸塩とし、エタノール
/イソプロピルエーテルから再結晶して、白色結晶の標
題化合物 0.83gを得た。(収率:2工程で91%)
【0053】融点: 211-212℃(分解) [文献値: 211-2
12℃(分解),(特開昭64-79151号公報の実施例4)].1 H-NMR(400MHz,CDCl3) δ(ppm) 1.48-1.58(1H,m)、1.76-
1.90(2H,m)、1.90-2.02(1H,m)、2.02-2.20(3H,m)、2.60-2.
76(4H,m)、3.29(1H,dd,J=7.6Hz,J=17.2Hz)、3.41-3.54(2
H,m)、3.90(3H,s)、3.96(3H,s)、4.12-4.22(2H,m)、6.85(1
H,s)、7.12(1H,s)、7.42-7.48(3H,m)、7.64(2H,br-s)、12.2
5-12.45(1H,m). ESI-MS: m/z=380 (M+H)+.
【0054】参考例1 ドネペジル(遊離体)の合成:
(特開平8-225,527号公報実施例6の追試結果) 特開平8-225,527号公報実施例4に従って得た5,6-ジメト
キシ-2-(4-ピリジル)メチレンインダン-1-オン 10.0g(2
2.1mmol)中に、メタノール 50mlと酸化白金(IV) 1gを加
え、室温常圧にて24時間水素添加した。触媒を濾別後、
濾液を減圧濃縮して得た残渣に、5%-炭酸ナトリウム水
溶液 200mlを加え、塩化メチレン 150ml×1、100ml×2
にて抽出した。乾燥(MgSO4)後、減圧濃縮して黒色オイ
ル 9.1gを得た。この黒色オイルは、TLC(メタノール/
塩化メチレン系)上にて多数の副生成物スポットが認め
られた。これを(NH)シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(n-ヘキサン/酢酸エチル系)にて精製し、白色結晶
の標題化合物 3.2gを得た。(収率:38%、[文献値:81
%, (特開平8-225,527号公報実施例6)])

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式で表される四級アンモニウム
    塩(I) 【化1】 (式中、R1は同一または相異なって水素原子または低級
    アルコキシ基を、nは1〜4の整数を、Xはハロゲン原子
    をそれぞれ意味する。)を還元することを特徴とする下
    記一般式で表されるドネペジル誘導体ハロゲン化水素酸
    塩(II)の製造法。 【化2】 (式中、R1、nおよびXは前記と同様の意味を有する。)
  2. 【請求項2】 下記一般式で表される2-(4-ピリジル)メ
    チル-1-インダノン誘導体(III) 【化3】 (式中、R1およびnは前記と同様の意味を有する。)と
    ハロゲン化ベンジルを反応させて四級アンモニウム塩
    (I)とし、次いで還元することを特徴とするドネペジル
    誘導体ハロゲン化水素酸塩(II)の製造法。
  3. 【請求項3】 下記一般式で表される2-アルコキシカル
    ボニル-1-インダノン誘導体(IV) 【化4】 (式中、R2は低級アルキル基を意味する。R1およびnは
    前記と同様の意味を有する。)と下記一般式で表される
    ハロゲン化(4-ピリジル)メチル(V) 【化5】 (式中、Xはハロゲン原子を意味する。)またはその塩
    を反応させた後脱炭酸して2-(4-ピリジル)メチル-1-イ
    ンダノン誘導体(III)とし、次いでハロゲン化ベンジル
    を反応させて四級アンモニウム塩(I)とし、さらに還元
    することを特徴とするドネペジル誘導体ハロゲン化水素
    酸塩(II)の製造法。
  4. 【請求項4】 下記一般式で表される1-インダノン誘導
    体(VI) 【化6】 (式中、R1およびnは前記と同様の意味を有する。)を
    一般式(R2O)2COで表される炭酸エステル(VII)(式中、R
    2は前記と同様の意味を有する。)と反応させて2-アル
    コキシカルボニル-1-インダノン誘導体(IV)とし、次い
    でハロゲン化(4-ピリジル)メチル(V)またはその塩と反
    応させた後脱炭酸して2-(4-ピリジル)メチル-1-インダ
    ノン誘導体(III)とし、次いでハロゲン化ベンジルを反
    応させて四級アンモニウム塩(I)とし、さらに還元する
    ことを特徴とするドネペジル誘導体ハロゲン化水素酸塩
    (II)の製造法。
  5. 【請求項5】 還元が、酸化白金、パラジウム/炭素、
    ラネーニッケルまたは酸化ルテニウム存在下の接触還元
    である、請求項1ないし4記載のドネペジル誘導体ハロ
    ゲン化水素酸塩(II)の製造法。
  6. 【請求項6】 四級アンモニウム塩(I)におけるハロゲ
    ン原子が、臭素原子、塩素原子またはヨウ素原子であ
    る、請求項1ないし5記載のドネペジル誘導体ハロゲン
    化水素酸塩(II)の製造法。
  7. 【請求項7】 ハロゲン化(4-ピリジル)メチル(V)が、
    塩化(4-ピリジル)メチル、臭化(4-ピリジル)メチルまた
    はヨウ化(4-ピリジル)メチルである、請求項1ないし6
    記載のドネペジル誘導体ハロゲン化水素酸塩(II)の製造
    法。
  8. 【請求項8】 炭酸エステル(VI)が、炭酸ジメチル、炭
    酸ジエチル、炭酸ジプロピルまたは炭酸メチルエチルで
    ある請求項1ないし7記載のドネペジル誘導体ハロゲン
    化水素酸塩(II)の製造法。
  9. 【請求項9】 ドネペジル誘導体ハロゲン化水素酸塩(I
    I)が、ドネペジル塩酸塩、臭化水素酸塩またはヨウ化水
    素酸塩である、請求項1ないし8記載の製造法。
  10. 【請求項10】 下記一般式で表される四級アンモニウ
    ム塩(I)。 【化7】 (式中、R1、nおよびXは前記と同様の意味を有する。)
JP00875999A 1998-01-16 1999-01-18 ドネペジル誘導体の製造法およびその中間体 Expired - Lifetime JP4022332B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00875999A JP4022332B2 (ja) 1998-01-16 1999-01-18 ドネペジル誘導体の製造法およびその中間体

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-6908 1998-01-16
JP690898 1998-01-16
JP00875999A JP4022332B2 (ja) 1998-01-16 1999-01-18 ドネペジル誘導体の製造法およびその中間体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11263774A true JPH11263774A (ja) 1999-09-28
JP4022332B2 JP4022332B2 (ja) 2007-12-19

Family

ID=26341130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00875999A Expired - Lifetime JP4022332B2 (ja) 1998-01-16 1999-01-18 ドネペジル誘導体の製造法およびその中間体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4022332B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001078728A1 (fr) * 2000-04-13 2001-10-25 Eisai Co., Ltd. Inhibiteurs d'acetylcholinesterases contenant des sels de 1-benzyl-pyridinium
JP2004131465A (ja) * 2002-07-30 2004-04-30 Chemagis Ltd ドネペジルの製造方法
WO2009044547A1 (ja) 2007-10-03 2009-04-09 Kowa Company, Ltd. 神経細胞死抑制剤

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001078728A1 (fr) * 2000-04-13 2001-10-25 Eisai Co., Ltd. Inhibiteurs d'acetylcholinesterases contenant des sels de 1-benzyl-pyridinium
US6706741B2 (en) 2000-04-13 2004-03-16 Eisai Co., Ltd. Acetylcholinesterase inhibitors containing 1-benzyl-pyridinium salts
JP2004131465A (ja) * 2002-07-30 2004-04-30 Chemagis Ltd ドネペジルの製造方法
WO2009044547A1 (ja) 2007-10-03 2009-04-09 Kowa Company, Ltd. 神経細胞死抑制剤

Also Published As

Publication number Publication date
JP4022332B2 (ja) 2007-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1047674B1 (en) Process for production of donepezil derivatives
JP4662695B2 (ja) ドネペジルの製造方法
HU226529B1 (en) Process for preparing substituted piperidines
EP0986389B1 (en) Novel process
WO2007108011A2 (en) Process for the preparation of highly pure donepezil
AU764388B2 (en) New substituted pyridine or piperidine compounds, a process for their preparation and pharmaceutical compositions containing them
JP4585116B2 (ja) (−)シス−3−ヒドロキシ−1−メチル−4−(2,4,6−トリメトキシフェニル)ピペリジンの製造方法
JP4022332B2 (ja) ドネペジル誘導体の製造法およびその中間体
JP2005507374A (ja) 新規な型の4−[4−[4−(ヒドロキシジフェニルメチル)−1−ピペリジニル]−1−ヒドロキシブチル]−α,α−ジメチルベンゼン酢酸及びその塩酸塩
EP1608371A1 (en) Process for the preparation of donepezil and derivatives thereof
JPS6356223B2 (ja)
JP4031366B2 (ja) アムロジピンの製造方法
JP3219946B2 (ja) 新規製造中間体及びピリジン誘導体の製造方法
KR100879120B1 (ko) 도네페질 및 그 중간체의 제조방법
KR100516372B1 (ko) 개선된 암로디핀 제조 방법
KR20050021172A (ko) 개선된 암로디핀 베실레이트 염 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Effective date: 20060711

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070330

A977 Report on retrieval

Effective date: 20070403

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070529

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070529

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20070803

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Effective date: 20070822

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070914

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071001

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 4

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005

Year of fee payment: 5