JPH11264809A - ガス識別装置 - Google Patents
ガス識別装置Info
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- JPH11264809A JPH11264809A JP8923398A JP8923398A JPH11264809A JP H11264809 A JPH11264809 A JP H11264809A JP 8923398 A JP8923398 A JP 8923398A JP 8923398 A JP8923398 A JP 8923398A JP H11264809 A JPH11264809 A JP H11264809A
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Abstract
上する。 【解決手段】 バルブ3は、所定時間毎に参照ガスと試
料ガスとを切り替えてフローセル2に導入する。信号処
理部9は、ガスセンサ1が試料ガスに暴露されたときと
参照ガスに暴露されたときとの切替目に生じる抵抗変化
の過渡特性を読み込み、それを解析処理することにより
試料成分を判断する。この過渡特性は、ガスセンサ1の
感応膜への試料成分の吸着の容易性、感応膜内部への浸
透・拡散の容易性等に依存するため、定常的な抵抗変化
量では識別が困難である場合でも、明確に識別が可能に
なる。
Description
たガス識別装置に関する。本発明に係るガスセンサは、
例えばにおい成分を測定するにおい測定装置に利用する
ことができ、食品や香料の品質検査、悪臭公害の定量検
知、焦げ臭検知による火災警報機、食品や香料の品質検
査、更には、人物の追跡、識別、認証や薬物検査等の犯
罪捜査等の、幅広い分野に用いることができる。
る感応膜を形成し、該感応膜に試料成分が吸着したとき
に生じる電極間の抵抗値変化を測定することによりガス
を検出するガスセンサが実用化されている。また、この
ガスセンサを複数用いた「電子鼻」と呼ばれるガス識別
装置が、仏国プライムテック社にて商品化されている。
この種のガスセンサでは、感応膜を高温(350℃以
上)に加熱し、該感応膜表面に付着した試料成分との間
で酸化還元反応を生じさせる。この過程で電子の移動が
起こり、感応膜中の電子密度や空乏層の厚さが変化して
電気抵抗が変化する。
スセンサでは、酸化還元反応を生じる物質のみしか検出
することができず、また、上記温度で熱分解する物質は
検出できない等、対象物質が極めて限定されていた。ま
た、分析時にガスセンサが上記動作温度まで上昇して安
定するのを待たなければならず、特に、繰り返し測定時
に長い測定時間を要していた。更には、感応膜表面の状
態が比較的不安定であるため、経時変化が大きく信頼性
に乏しいという問題もあった。
45号公報には、導電性高分子を感応膜に利用したガス
センサが提案されている。また、感応膜にポリピロール
を主体とした導電性高分子を用い、その抵抗値変化を利
用するにおいセンサが英国アロマスキャン社及びネオト
ロニクス社にて商品化されている。このようなガスセン
サでは、感応膜を常温に維持したまま分析を行なうこと
ができる。
サは特定の単一成分に対してのみ応答するのではなく、
複数の成分に対して応答する。従って、単一のガスセン
サを未知の試料ガスに暴露し、感応膜の抵抗値の変化が
観測されたとしても、それだけで試料成分の種類を判別
することは不可能である。そこで、従来のガス識別装置
では、応答特性の相違する複数のガスセンサを設置し、
各ガスセンサにより取得された検出信号を基に多変量解
析処理等を行なって総合的に試料成分の判別を実行して
いる。このため、識別能力を高めるには数多くのガスセ
ンサを用意しなければならず、形状が大きくなるととも
に、コストも高いものとなる。
たものであり、その目的とするところは、単一又は少数
のガスセンサによって高い識別能力を得ることができる
ガス識別装置を提供することにある。
に成された本発明に係るガス識別装置は、 a)複数の電極間に感応膜を有し、該感応膜に試料成分が
付着したときの電極間の電気的変化を検出するガスセン
サと、 b)試料成分を含む試料ガスと該試料成分を含まない参照
ガスとを切り替えて前記ガスセンサに導入する流路切替
手段と、 c)前記ガスセンサが参照ガスに暴露されている状態から
試料ガスに暴露される状態に切り替わったとき、及び/
又は、試料ガスに暴露されている状態から参照ガスに暴
露される状態に切り替わったときの、該ガスセンサの検
出信号の変動状態に基づいて試料成分を識別する信号処
理手段と、を備えることを特徴としている。
するガスを参照ガスから試料ガスに切り替えると、試料
成分がガスセンサの感応膜に付着し、これによりガスセ
ンサの電気的特性、例えば抵抗やインピーダンスが変化
する。また、ガスセンサに導入されるガスが再び参照ガ
スに切り替えられると、ガスセンサの感応膜から試料成
分が離脱し、ガスセンサの電気的特性は元に戻る。この
ような過渡的な特性の変化は、感応膜への試料成分の吸
着の容易性、感応膜中への試料成分の浸透・拡散の速
度、等に依存しており、これらは試料成分によって異な
る。そこで、信号処理手段は、過渡的な検出信号の変動
をデータとして取得し、それを解析することにより試料
成分を識別する。これにより、ガスセンサが試料ガス中
に暴露された定常状態では、同じように抵抗値が変化し
て識別が困難又は不可能であるような試料成分であって
も、識別することが可能になる。
を図を参照して説明する。図1は、本実施例のガス識別
装置の構成図、図2は図1中のガスセンサ1の構成を示
す平面図である。
整機能を有するフローセル2中に配置されており、フロ
ーセル2の入口側流路には三ポートバルブ3が、出口側
流路にはポンプ4が接続されている。バルブ3は、参照
ガス取入口6より吸引される参照ガスと、試料ガス取入
口7より吸引される試料成分を含む試料ガスとを択一的
に切り替える。また、参照ガス取入口6とバルブ3との
間の参照ガス流路上には、不所望の成分を除去するため
の活性炭等から成るフィルタ5が設けられている。制御
部8は、フローセル2の温度調整、バルブ3の切替、及
び、ポンプ吸引による流速、を制御している。一方、信
号処理部9はガスセンサ1の検出信号を受け取り、後述
のようなガス識別のための信号処理を実行する。
基板10上に互いに対向する2個の櫛形状の電極11が
形成されており、該電極11に被覆して感応膜12が形
成されている。感応膜12としては、例えばポリピロー
ル、ポリチオフェン等の導電性高分子から成る膜を用い
ることができる。導電性高分子膜では、膜中に導入する
ドーパントの量を制御することにより、導電率が調整さ
れる。このようなガスセンサ1が試料ガスに暴露される
と、試料成分が感応膜12に吸着され、該成分分子の直
接的又は間接的な関与により導電性高分子の導電率が変
化する。これにより、電極11間の抵抗値が変化する。
を行なう際には、制御部8はフローセル2を所定温度
(例えば40℃)に温度調整し、所定の流速を設定して
ポンプ4を駆動するとともに、バルブ3を所定時間(t
秒)経過毎に切り替える。而して、フローセル2にはt
秒毎に試料ガスと参照ガスとが交互に流れ込む。信号処
理部9は、ガスセンサ1の電極11間の抵抗値を所定の
サンプリング時間間隔で読み込み、内蔵するA/D変換
器でデジタル値に変換してメモリ等に格納する。そし
て、所定のデータが収集された時点で後述のような信号
処理を開始する。
れている状態から試料ガスに暴露される状態に切り替わ
ったとき、またその逆に試料ガスに暴露されている状態
から参照ガスに暴露される状態に切り替わったとき、電
極11間の抵抗値にいわゆる過渡特性が生じる。すなわ
ち、例えば参照ガスに暴露されている状態から試料ガス
に暴露される状態に切り替わるとき、まず試料成分が感
応膜12表面に吸着され、その後に感応膜12中に拡
散、浸透してゆく。導電性高分子が膨潤し易い性質を有
するものである場合には、この過程で膨潤も生じる。従
って、たとえ最終的には導電率の変化を生じさせるよう
な試料成分であっても、感応膜12表面への吸着の容易
性、感応膜12内部への浸透・拡散の容易性、膨潤の速
度等によって過渡特性は相違する。
タノール、ベンゼン及び酢酸ブチルの単成分をそれぞれ
含む試料ガスを測定した結果に基づいて、以下に具体的
に説明する。ここでは、ポンプ4の流速を300mL/
分、バルブ3の切替時間tを3秒としている。なお、こ
れらの数値はこれに限定されるものではなく、ガスセン
サ1の種類や対象とする試料成分の種類等に応じて適宜
の値を選ぶとよい。但し、切替時間tは、試料ガスと参
照ガスとの切替時に生じるガスセンサ1の抵抗値の過渡
応答が収束する時間よりも長く設定しておくことが好ま
しい。
定した結果を図3に示す。図3(a)、(b)、(c)
及び(d)は、それぞれトルエン、酢酸ブチル、ベンゼ
ン及びブタノールに対応する測定波形である。
ように解析処理を行なう。まず、得られた波形中から、
ガスセンサ1が試料ガスに暴露されて抵抗値が上昇し始
める時点から次の同時点までの6秒間(1周期分)の波
形を切り出す。例えば、図3(c)に示したベンゼンの
場合、1周期分の波形は図4に示すようになる。この波
形の中で、抵抗値の上昇度合が急峻である領域I、抵抗
値の上昇度合が緩慢である領域II、抵抗値の下降が急峻
である領域III、及び、抵抗値が低い状態に維持されて
いる領域IVを、図4中に示すようにそれぞれ設定する。
ここで、領域I及び領域IIはガスセンサ1が試料ガスに
暴露されている期間、領域III及び領域IVはガスセンサ
1が参照ガスに暴露されている期間である。
ている期間において、図4中で抵抗値の上昇曲線の漸近
線の抵抗値をRmaxとし、各時間tに対する抵抗値R
(t)との差分r(t)を(1)式で定義する。 r(t)=Rmax−R(t) …(1) このr(t)を r(t)=a1・exp(−A1・t)+a2・exp(−A2・t) …(2) で近似すると、上記(2)式の第一項は領域Iの性質を、
第二項は領域IIの性質を示すことになる。
れている期間において、抵抗値の下降曲線の漸近線の抵
抗値をRminとし、各時間tに対する抵抗値R(t)と
の差分r(t)を(3)式で定義する。 r(t)=R(t)−Rmin …(3) また、近似式は、 r(t)=b1・exp(−B1・t)+b2・exp(−B2・t) …(4) となり、上記(4)式の第一項は領域IIIの性質を、第二項
は領域IVの性質を示すことになる。
対数として示したグラフである。図5において、領域I
〜IVの曲線の接線より、上記(2)式及び(4)式の定数A
1、A2、B1、B2、a1、a2、b1、b2を求めることが
できる。図5の例について、これらの定数を求めると次
のようになる。 A1=0.694 log(a1)=18 A2=0.096 log(a2)=15 B1=4.233 log(b1)=48 B2=0.166 log(b2)=14
ても同様の解析処理を行ない、定数A1、A2、B1、B2
を求めて規格化した結果を図6に示す。図6は、各試料
ガスにおいてB1を1としたときの定数A1、A2、B1、
B2の規格値を示している。図6に明らかなように、芳
香族化合物(トルエン、ベンゼン)、アルコール類(ブ
タノール)、エステル類(酢酸ブチル)は明確に特性が
相違している。一方、同じ芳香族化合物に属するトルエ
ンとベンゼンとは非常に類似した特性を示している。こ
のように、上記解析処理により取得した定数A1、A2、
B1、B2により、試料ガスの成分を識別できることがわ
かる。なお、定数a1、a2、b1、b2は試料ガスの成分
濃度に依存しているが、ここではそのことは詳しく述べ
ない。
知の成分に対する定数A1、A2、B1、B2の規格値を例
えばメモリに格納しておく。そして、未知の試料ガスの
測定の際には、上記と同様の解析処理により算出した定
数A1、A2、B1、B2の規格値をメモリ内の数値と比較
して、最も近いパターンの成分を探す。これにより、試
料ガスに含まれる成分の種類を識別することができる。
識別することは困難であるが、他の種類のガスセンサ、
例えばメチル基(CH3)を識別可能な特性を有するガ
スセンサを追加してフローセル2内に設け、該ガスセン
サの検出信号を試料成分の識別に利用すれば、ベンゼン
とトルエンとを識別することができる。
み合わせて用いることにより、識別可能な成分の種類を
一層増し、識別の正確性も向上する。
識別装置では、ガスセンサを試料ガスと参照ガスとに交
互に暴露することにより、変動するガスセンサの検出信
号を得て、その過渡特性に基づいて試料成分を推定して
いる。このため、試料ガス中に連続的に暴露された状態
であるときには同じように抵抗変化を生じる複数の試料
成分であっても、異なる過渡特性を検出してそれぞれの
試料成分を識別することができる。これにより、従来は
異なる特性のガスセンサを多数組み合わせる必要があっ
たものが、単一又は少数のガスセンサでもって高い識別
性をもたせることが可能となる。その結果、装置の小型
化やコストの削減が達成できる。
図。
ベンゼン及びブタノールの単成分を含んだ試料ガスに対
するガスセンサの応答特性の波形図。
分を切り出して示した波形図。
1、B2の規格値を示すグラフ。
Claims (1)
- 【請求項1】 a)複数の電極間に感応膜を有し、該感応
膜に試料成分が付着したときの電極間の電気的変化を検
出するガスセンサと、 b)試料成分を含む試料ガスと該試料成分を含まない参照
ガスとを切り替えて前記ガスセンサに導入する流路切替
手段と、 c)前記ガスセンサが参照ガスに暴露されている状態から
試料ガスに暴露される状態に切り替わったとき、及び/
又は、試料ガスに暴露されている状態から参照ガスに暴
露される状態に切り替わったときの、該ガスセンサの検
出信号の変動状態に基づいて試料成分を識別する信号処
理手段と、 を備えることを特徴とするガス識別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08923398A JP3815041B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | ガス識別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08923398A JP3815041B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | ガス識別装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11264809A true JPH11264809A (ja) | 1999-09-28 |
| JP3815041B2 JP3815041B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=13965039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08923398A Expired - Fee Related JP3815041B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | ガス識別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060405 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060516 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060529 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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