JPH11264940A - 試料高さ合わせ調整装置 - Google Patents
試料高さ合わせ調整装置Info
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- JPH11264940A JPH11264940A JP10068182A JP6818298A JPH11264940A JP H11264940 A JPH11264940 A JP H11264940A JP 10068182 A JP10068182 A JP 10068182A JP 6818298 A JP6818298 A JP 6818298A JP H11264940 A JPH11264940 A JP H11264940A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焦点合わせを容易に行うことができる試料高
さ合わせ調整装置を提供する。 【解決手段】 試料1の高さ調整方向に対して非平行に
レーザービーム14を照射するレーザービーム照射手段
4と、レーザービーム14の反射光15を入射する長焦
点の光学顕微鏡5と、光学顕微鏡5における反射光の入
射位置に基づいて試料1の高さ方向の位置を求め、この
高さ方向位置に基づいて試料を高さ方向に移動する試料
移動手段6,7とを備える構成とする。この構成によっ
て、光学顕微鏡5での反射光の変移量から試料の高さ変
化量を求め、該高さ変化量に基づいて試料の高さ合わせ
を行うことによって、入射ビーム系の焦点合わせを容易
に行うことができる。
さ合わせ調整装置を提供する。 【解決手段】 試料1の高さ調整方向に対して非平行に
レーザービーム14を照射するレーザービーム照射手段
4と、レーザービーム14の反射光15を入射する長焦
点の光学顕微鏡5と、光学顕微鏡5における反射光の入
射位置に基づいて試料1の高さ方向の位置を求め、この
高さ方向位置に基づいて試料を高さ方向に移動する試料
移動手段6,7とを備える構成とする。この構成によっ
て、光学顕微鏡5での反射光の変移量から試料の高さ変
化量を求め、該高さ変化量に基づいて試料の高さ合わせ
を行うことによって、入射ビーム系の焦点合わせを容易
に行うことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、X線マイクロアナ
ライザ等の分析装置において、試料の高さ方向の位置合
わせを行うための高さ合わせ調整装置に関する。
ライザ等の分析装置において、試料の高さ方向の位置合
わせを行うための高さ合わせ調整装置に関する。
【0002】
【従来の技術】X線マイクロアナライザ(EPMA)等
の試料分析を行う装置は一般に光学顕微鏡を備え、これ
によって試料表面を光学的に観察し、分析位置の設定を
行ったり、設定した分析位置に照射した電子線等の入射
ビームの焦点合わせを行っている。
の試料分析を行う装置は一般に光学顕微鏡を備え、これ
によって試料表面を光学的に観察し、分析位置の設定を
行ったり、設定した分析位置に照射した電子線等の入射
ビームの焦点合わせを行っている。
【0003】通常、分析位置の範囲は試料全体と比較し
て非常に狭い範囲であるため、試料全体から目的とする
分析位置を選定するには広い視野を備える光学顕微鏡が
必要とされる。
て非常に狭い範囲であるため、試料全体から目的とする
分析位置を選定するには広い視野を備える光学顕微鏡が
必要とされる。
【0004】そこで、従来、分析装置が備える光学顕微
鏡は、広い視野を確保するために焦点深度の浅いものが
用いられている。たとえば、X線マイクロアナライザの
ような分光結晶を用いて元素分析を行う装置では、試料
の高さを±2.5μmの精度で合わせる必要があるた
め、X線マイクロアナライザが備える光学顕微鏡の焦点
深度は、5μm程度の浅いものが用いられている。
鏡は、広い視野を確保するために焦点深度の浅いものが
用いられている。たとえば、X線マイクロアナライザの
ような分光結晶を用いて元素分析を行う装置では、試料
の高さを±2.5μmの精度で合わせる必要があるた
め、X線マイクロアナライザが備える光学顕微鏡の焦点
深度は、5μm程度の浅いものが用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光学顕微鏡によって試
料中の分析位置を選定した後、試料に照射した電子線等
の入射ビームの焦点合わせを行う。通常、試料上の焦点
合わせは、あらかじめ入射ビームの焦点位置と焦点光学
顕微鏡の焦点位置を合わせておく。そして、光学顕微鏡
で試料を観察しながら試料を支持するステージをZ軸方
向に調節して光学顕微鏡の焦点合わせを行い、これによ
って、入射ビームの焦点合わせを行っている。
料中の分析位置を選定した後、試料に照射した電子線等
の入射ビームの焦点合わせを行う。通常、試料上の焦点
合わせは、あらかじめ入射ビームの焦点位置と焦点光学
顕微鏡の焦点位置を合わせておく。そして、光学顕微鏡
で試料を観察しながら試料を支持するステージをZ軸方
向に調節して光学顕微鏡の焦点合わせを行い、これによ
って、入射ビームの焦点合わせを行っている。
【0006】しかしながら、従来の高さ合わせに用いる
光学顕微鏡は、焦点深度が浅いために焦点位置を合わせ
ることはできる高さ方向の範囲がわずかであり、焦点合
わせが難しいという問題点がある。
光学顕微鏡は、焦点深度が浅いために焦点位置を合わせ
ることはできる高さ方向の範囲がわずかであり、焦点合
わせが難しいという問題点がある。
【0007】そこで、本発明は、焦点合わせを容易に行
うことができる試料高さ合わせ調整装置を提供すること
を目的とする。
うことができる試料高さ合わせ調整装置を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の試料高さ合わせ
調整装置は、試料の高さ調整方向に対して非平行にレー
ザービームを照射するレーザービーム照射手段と、レー
ザービームの反射光を入射する長焦点の光学顕微鏡と、
光学顕微鏡における反射光の入射位置に基づいて試料の
高さ方向の位置を求め、この高さ方向位置に基づいて試
料を高さ方向に移動する試料移動手段とを備える構成で
ある。
調整装置は、試料の高さ調整方向に対して非平行にレー
ザービームを照射するレーザービーム照射手段と、レー
ザービームの反射光を入射する長焦点の光学顕微鏡と、
光学顕微鏡における反射光の入射位置に基づいて試料の
高さ方向の位置を求め、この高さ方向位置に基づいて試
料を高さ方向に移動する試料移動手段とを備える構成で
ある。
【0009】レーザービーム照射手段は試料表面にレー
ザービームを照射する手段であり、その照射角度は試料
の高さ調整方向と平行とならない角度とする。これによ
って、試料上におけるレーザービームの入射点は試料の
高さに応じて異なる位置となる。さらに、光学顕微鏡に
おいても、反射光が入射する入射位置も試料の高さに応
じて異なる位置となる。
ザービームを照射する手段であり、その照射角度は試料
の高さ調整方向と平行とならない角度とする。これによ
って、試料上におけるレーザービームの入射点は試料の
高さに応じて異なる位置となる。さらに、光学顕微鏡に
おいても、反射光が入射する入射位置も試料の高さに応
じて異なる位置となる。
【0010】長焦点の光学顕微鏡は、試料で反射した反
射光を入射し、その入射位置を検出することができる光
学手段であり、長焦点とすることによって焦点深度を深
くし、高さ方向についてその位置合わせ範囲を大きくす
ることができる。
射光を入射し、その入射位置を検出することができる光
学手段であり、長焦点とすることによって焦点深度を深
くし、高さ方向についてその位置合わせ範囲を大きくす
ることができる。
【0011】試料移動手段は、光学顕微鏡で検出した試
料の高さ方向の位置に基づいて、試料を高さ方向に移動
調整する手段である。分析装置の入射ビームの焦点位置
と光学顕微鏡の焦点位置をあらかじめ合わせておき、こ
の試料移動手段によって試料の観察位置を調整して光学
顕微鏡の焦点位置に合わせることによって、分析装置の
入射ビームの焦点を合わせることができる。
料の高さ方向の位置に基づいて、試料を高さ方向に移動
調整する手段である。分析装置の入射ビームの焦点位置
と光学顕微鏡の焦点位置をあらかじめ合わせておき、こ
の試料移動手段によって試料の観察位置を調整して光学
顕微鏡の焦点位置に合わせることによって、分析装置の
入射ビームの焦点を合わせることができる。
【0012】図1は、本発明の試料高さ合わせ調整装置
による高さ合わせを説明するための概略図である。あら
かじめ分析装置の入射ビームの焦点位置と光学顕微鏡の
焦点位置を合わせておく。図1では、上記焦点位置を基
準位置Aで示し、本発明の試料高さ合わせ調整装置は、
試料表面を該基準位置Aに高さ合わせするものである。
レーザービームを、試料(図示しない)に対して試料の
高さ調整方向(図1中のd)と照射角度(θ/2)で照
射すると、試料上での照射位置は試料の高さ方向の位置
に応じて移動する。たとえば、試料が基準位置Aにある
場合には入射点aであり、試料が基準位置Aから位置
B,Cに移動すると、入射点b,cの位置も試料の高さ
方向及び該方向と直交する方向に移動する。
による高さ合わせを説明するための概略図である。あら
かじめ分析装置の入射ビームの焦点位置と光学顕微鏡の
焦点位置を合わせておく。図1では、上記焦点位置を基
準位置Aで示し、本発明の試料高さ合わせ調整装置は、
試料表面を該基準位置Aに高さ合わせするものである。
レーザービームを、試料(図示しない)に対して試料の
高さ調整方向(図1中のd)と照射角度(θ/2)で照
射すると、試料上での照射位置は試料の高さ方向の位置
に応じて移動する。たとえば、試料が基準位置Aにある
場合には入射点aであり、試料が基準位置Aから位置
B,Cに移動すると、入射点b,cの位置も試料の高さ
方向及び該方向と直交する方向に移動する。
【0013】基準位置A、及び位置B,Cで反射した反
射光は光学観察系10で観察される。光学観察系10に
おいて、反射光の入射位置も試料の高さ方向の位置に応
じて移動し、試料が基準位置Aから位置B,Cに移動す
ると、反射光の入射位置もa’,b’,c’に移動す
る。
射光は光学観察系10で観察される。光学観察系10に
おいて、反射光の入射位置も試料の高さ方向の位置に応
じて移動し、試料が基準位置Aから位置B,Cに移動す
ると、反射光の入射位置もa’,b’,c’に移動す
る。
【0014】試料の高さ方向の位置と光学観察系10で
の反射光の入射位置は、一対一の関係にあり、光学顕微
鏡5での反射光の入射位置から試料の高さ方向の位置を
求めることができる。以下、この対応関係を図1,図2
を用いて説明する。なお、図2は光学顕微鏡側のモニタ
ーの一構成例である。
の反射光の入射位置は、一対一の関係にあり、光学顕微
鏡5での反射光の入射位置から試料の高さ方向の位置を
求めることができる。以下、この対応関係を図1,図2
を用いて説明する。なお、図2は光学顕微鏡側のモニタ
ーの一構成例である。
【0015】ここで、レーザービームと光学観察系10
のなす角をθとし、試料の高さ方向に対して、レーザー
ビームと光学観察系10のなす角はそれぞれ(θ/2)
とする。
のなす角をθとし、試料の高さ方向に対して、レーザー
ビームと光学観察系10のなす角はそれぞれ(θ/2)
とする。
【0016】試料の高さが基準位置Aから位置Bに移動
すると、照射点はaからbに移動する。光学観察系10
のモニター11上において、照射点a,bはそれぞれ
a’,b’の位置に観察される。なお、試料の高さが基
準位置Aから位置Cに移動する場合には照射点はaから
cに移動し、光学観察系10のモニター11上におい
て、c’の位置に観察される。
すると、照射点はaからbに移動する。光学観察系10
のモニター11上において、照射点a,bはそれぞれ
a’,b’の位置に観察される。なお、試料の高さが基
準位置Aから位置Cに移動する場合には照射点はaから
cに移動し、光学観察系10のモニター11上におい
て、c’の位置に観察される。
【0017】ここで、モニター11の倍率をM倍とし、
モニター11上での変移量をLとすると、基準位置Aか
らの高さ方向の変化量Zは、以下の式で表される。
モニター11上での変移量をLとすると、基準位置Aか
らの高さ方向の変化量Zは、以下の式で表される。
【0018】 Z=L/M・cos(θ/2)/sinθ …(1) したがって、上記関係式(1)によれば、試料の高さ方
向の変化量Zは、角度θ,及び倍率Mをパラメータとし
て光学観察系における変移量Lを用いて求めることがで
きる。
向の変化量Zは、角度θ,及び倍率Mをパラメータとし
て光学観察系における変移量Lを用いて求めることがで
きる。
【0019】たとえば、θ=40°,M=600の場合
に、変移量Lが2mmである場合には、高さ方向の変化
量Zは4.8μmとなる。
に、変移量Lが2mmである場合には、高さ方向の変化
量Zは4.8μmとなる。
【0020】なお、モニター11の画面を200mmと
し、このモニター画面の全領域で焦点を合わせる場合に
は、光学顕微鏡の焦点深度は、 200mm/600・sin20°=100μm …(2) となり、長焦点の光学顕微鏡を用いることによって、光
学顕微鏡の焦点位置を調整することなく同一の焦点位置
のままで、光学顕微鏡での変移量から試料の高さ方向の
変化量を求めることができる。
し、このモニター画面の全領域で焦点を合わせる場合に
は、光学顕微鏡の焦点深度は、 200mm/600・sin20°=100μm …(2) となり、長焦点の光学顕微鏡を用いることによって、光
学顕微鏡の焦点位置を調整することなく同一の焦点位置
のままで、光学顕微鏡での変移量から試料の高さ方向の
変化量を求めることができる。
【0021】この求めた試料の高さ方向の変化量を用い
れば、試料移動手段によって試料の照射高さ方向の変化
量を減少させる方向に試料を移動させて、試料の高さ合
わせ調整を行うことができる。
れば、試料移動手段によって試料の照射高さ方向の変化
量を減少させる方向に試料を移動させて、試料の高さ合
わせ調整を行うことができる。
【0022】したがって、本発明の構成によれば、長焦
点の光学顕微鏡を焦点合わせを容易に行うことができる
また、本発明の試料高さ合わせ調整装置の実施の態様
は、前記式(1)で示したような、光学顕微鏡側での反
射光の変位量と試料の高さ方向の変化量との関係をあら
かじめ定めておき、光学顕微鏡側で反射光の変位量を求
めることによって、試料高さ合わせ調整を自動で行うこ
とができる。
点の光学顕微鏡を焦点合わせを容易に行うことができる
また、本発明の試料高さ合わせ調整装置の実施の態様
は、前記式(1)で示したような、光学顕微鏡側での反
射光の変位量と試料の高さ方向の変化量との関係をあら
かじめ定めておき、光学顕微鏡側で反射光の変位量を求
めることによって、試料高さ合わせ調整を自動で行うこ
とができる。
【0023】なお、本発明の試料高さ合わせ調整装置は
X線マイクロアナライザ(EPMA)に限らずその他の
分析装置に適用することができ、また、さらに、分析装
置以外の装置において試料の高さ方向の調整を行う機構
に適用することができる。
X線マイクロアナライザ(EPMA)に限らずその他の
分析装置に適用することができ、また、さらに、分析装
置以外の装置において試料の高さ方向の調整を行う機構
に適用することができる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照しながら詳細に説明する。図3は、本発明の試料高
さ合わせ調整装置の概略構成を説明するためのブロック
図である。なお、図3に示す構成例は、X線マイクロア
ナライザ(EPMA)の適用した例を示している。図3
において、電子線源2,及び分光結晶等を含む特性X線
や2次電子を検出する検出手段3はX線マイクロアナラ
イザ(EPMA)を構成し、検出手段3は試料1から放
出された特性X線や2次電子を検出することによって、
試料に含まれる元素分析を行う。
参照しながら詳細に説明する。図3は、本発明の試料高
さ合わせ調整装置の概略構成を説明するためのブロック
図である。なお、図3に示す構成例は、X線マイクロア
ナライザ(EPMA)の適用した例を示している。図3
において、電子線源2,及び分光結晶等を含む特性X線
や2次電子を検出する検出手段3はX線マイクロアナラ
イザ(EPMA)を構成し、検出手段3は試料1から放
出された特性X線や2次電子を検出することによって、
試料に含まれる元素分析を行う。
【0025】本発明の試料高さ合わせ調整装置は、試料
1に対してレーザービーム14を照射するレーザービー
ム源4と、試料1上で反射した反射光15を光学的に検
出する長焦点の光学顕微鏡5と、試料移動手段(6,
7)を備える。試料移動手段(6,7)は、光学顕微鏡
5で求めた変移量に基づいて試料の高さ方向の移動量を
求めて移動制御を行う制御装置6と、試料を高さ方向に
移動させる移動ステージ7を含む。なお、移動ステージ
7は、試料1を支持するとともに、少なくとも試料を高
さ方向に移動する機能を備えるステージであり、通常使
用するX,Y,Zステージを用いることができる。
1に対してレーザービーム14を照射するレーザービー
ム源4と、試料1上で反射した反射光15を光学的に検
出する長焦点の光学顕微鏡5と、試料移動手段(6,
7)を備える。試料移動手段(6,7)は、光学顕微鏡
5で求めた変移量に基づいて試料の高さ方向の移動量を
求めて移動制御を行う制御装置6と、試料を高さ方向に
移動させる移動ステージ7を含む。なお、移動ステージ
7は、試料1を支持するとともに、少なくとも試料を高
さ方向に移動する機能を備えるステージであり、通常使
用するX,Y,Zステージを用いることができる。
【0026】上記構成において、電子源2と検出手段3
等を含む分析装置の入射ビーム(ここでは電子線)の焦
点位置と光学顕微鏡5の焦点位置をあらかじめ合わせて
おき、また、レーザービームと光学観察系10のなす角
をθ及び光学顕微鏡の倍率Mをパラメータとして、前記
式(1)によって、試料の高さ方向の変化量Zと光学顕
微鏡のモニター上での変移量Lの関係をあらかじめ求め
ておく。なお、前記式(1)の関係は制御装置6内にデ
ータとして格納しておくことができる。
等を含む分析装置の入射ビーム(ここでは電子線)の焦
点位置と光学顕微鏡5の焦点位置をあらかじめ合わせて
おき、また、レーザービームと光学観察系10のなす角
をθ及び光学顕微鏡の倍率Mをパラメータとして、前記
式(1)によって、試料の高さ方向の変化量Zと光学顕
微鏡のモニター上での変移量Lの関係をあらかじめ求め
ておく。なお、前記式(1)の関係は制御装置6内にデ
ータとして格納しておくことができる。
【0027】本発明によって試料高さ合わせ調整を行う
場合には、移動ステージ7上に試料1を配置し、該試料
1上にレーザービーム源4からレーザービーム14を照
射する。光学顕微鏡5は、試料1上で反射した反射光1
5を受光し、基準位置からのずれを変移量Lとして検出
する。
場合には、移動ステージ7上に試料1を配置し、該試料
1上にレーザービーム源4からレーザービーム14を照
射する。光学顕微鏡5は、試料1上で反射した反射光1
5を受光し、基準位置からのずれを変移量Lとして検出
する。
【0028】制御装置6は前記式(1)に変移量Lを代
入して演算を行い、試料の高さ方向の変化量Zを求め
る。さらに、制御装置6は求めた変化量Zに基づいて移
動ステージ7の移動制御を行い、レーザービーム14の
照射点が基準位置と試料1を移動させる。この試料の移
動によって、光学顕微鏡の焦点合わせと同時に分析装置
の焦点合わせを行うことができる。
入して演算を行い、試料の高さ方向の変化量Zを求め
る。さらに、制御装置6は求めた変化量Zに基づいて移
動ステージ7の移動制御を行い、レーザービーム14の
照射点が基準位置と試料1を移動させる。この試料の移
動によって、光学顕微鏡の焦点合わせと同時に分析装置
の焦点合わせを行うことができる。
【0029】図3の構成によれば、入射ビーム系と光学
観察系とを分離し配置することができ、各装置の干渉を
避けることができる。
観察系とを分離し配置することができ、各装置の干渉を
避けることができる。
【0030】図4は、光学顕微鏡側のモニターの他の構
成例である。この構成は、モニター画面を少なくとも反
射光の移動方向に沿って複数のセルに分割する。なお、
図4(a)は試料高さを表し、図4(b)はモニターの
セルを表している。図4(b)に示す分割セルa0,b
1〜b6,c1〜c6は、それぞれ図4(a)に示す分
試料高さの各範囲a0,b1〜b6,c1〜c6に対応
するよう、そのセル幅を設定している。
成例である。この構成は、モニター画面を少なくとも反
射光の移動方向に沿って複数のセルに分割する。なお、
図4(a)は試料高さを表し、図4(b)はモニターの
セルを表している。図4(b)に示す分割セルa0,b
1〜b6,c1〜c6は、それぞれ図4(a)に示す分
試料高さの各範囲a0,b1〜b6,c1〜c6に対応
するよう、そのセル幅を設定している。
【0031】したがって、たとえば、試料高さが基準位
置の範囲a内にある場合には、反射光はモニターのセル
a0で検出される。また、試料高さが図の上方向に移動
してb1の範囲内にある場合には、反射光はモニターの
セルb1で検出され、また、逆に、試料高さが図の下方
向に移動してc1の範囲内にある場合には、反射光はモ
ニターのセルc1で検出される。
置の範囲a内にある場合には、反射光はモニターのセル
a0で検出される。また、試料高さが図の上方向に移動
してb1の範囲内にある場合には、反射光はモニターの
セルb1で検出され、また、逆に、試料高さが図の下方
向に移動してc1の範囲内にある場合には、反射光はモ
ニターのセルc1で検出される。
【0032】したがって、この構成によれば、モニター
を構成するセルのうちで、反射光が入射しているセルを
検出することによって、試料の高さ及び基準位置への移
動量を知ることができる。
を構成するセルのうちで、反射光が入射しているセルを
検出することによって、試料の高さ及び基準位置への移
動量を知ることができる。
【0033】図5は、本発明の試料高さ合わせ調整装置
の他の構成例を説明するためのブロック図である。な
お、図5に示す構成例は、X線マイクロアナライザ(E
PMA)の適用した例を示している。なお、X線マイク
ロアナライザ(EPMA)の構成は前記図3と同様であ
るため、ここでの説明は省略する。
の他の構成例を説明するためのブロック図である。な
お、図5に示す構成例は、X線マイクロアナライザ(E
PMA)の適用した例を示している。なお、X線マイク
ロアナライザ(EPMA)の構成は前記図3と同様であ
るため、ここでの説明は省略する。
【0034】図5に示す構成例は、電子線源等を含む入
射ビーム系と光学観察系(4’,5’,8)とを同軸上
に配置するものである。光学観察系は、レーザービーム
源4’と光学顕微鏡5’を電子線12に対して同方向に
配置し、鏡面等の光学系8を介して試料1に対するレー
ザービーム14の照射及び反射光15の入射を行う。
射ビーム系と光学観察系(4’,5’,8)とを同軸上
に配置するものである。光学観察系は、レーザービーム
源4’と光学顕微鏡5’を電子線12に対して同方向に
配置し、鏡面等の光学系8を介して試料1に対するレー
ザービーム14の照射及び反射光15の入射を行う。
【0035】反射光15を光学顕微鏡5’で検出した以
後は、前記図3と同様にして、試料高さ合わせ調整を行
うことができる。なお、ここでの説明は重複するため省
略する。
後は、前記図3と同様にして、試料高さ合わせ調整を行
うことができる。なお、ここでの説明は重複するため省
略する。
【0036】図5の構成によれば、入射ビーム系の照射
位置と光学観察系のレーザービームの照射位置の横方向
のずれを少なくすることができる。
位置と光学観察系のレーザービームの照射位置の横方向
のずれを少なくすることができる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の試料高さ
合わせ調整装置によれば、焦点合わせを容易に行うこと
ができる。
合わせ調整装置によれば、焦点合わせを容易に行うこと
ができる。
【図1】本発明の試料高さ合わせ調整装置による高さ合
わせを説明するための概略図である。
わせを説明するための概略図である。
【図2】光学顕微鏡側のモニターの一構成例である。
【図3】本発明の試料高さ合わせ調整装置の概略構成を
説明するためのブロック図である。
説明するためのブロック図である。
【図4】光学顕微鏡側のモニターの他の構成例である。
【図5】本発明の試料高さ合わせ調整装置の他の構成を
説明するためのブロック図である。
説明するためのブロック図である。
1…試料、2…電子線源、3…検出手段、4,4’…レ
ーザービーム源、5,5’…光学顕微鏡、6…制御装
置、7…移動ステージ、8…光学系、10…光学観察
系、11…モニター、12…電子線、13…特性X線、
14…レーザービーム、15…反射光。
ーザービーム源、5,5’…光学顕微鏡、6…制御装
置、7…移動ステージ、8…光学系、10…光学観察
系、11…モニター、12…電子線、13…特性X線、
14…レーザービーム、15…反射光。
Claims (1)
- 【請求項1】 試料の高さ調整方向に対して非平行にレ
ーザービームを照射するレーザービーム照射手段と、前
記レーザービームの反射光を入射する長焦点の光学顕微
鏡と、前記光学顕微鏡における反射光の入射位置に基づ
いて試料の高さ方向の位置を求め、該高さ方向位置に基
づいて試料を高さ方向に移動する試料移動手段とを備え
る、試料高さ合わせ調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10068182A JPH11264940A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 試料高さ合わせ調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10068182A JPH11264940A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 試料高さ合わせ調整装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11264940A true JPH11264940A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13366394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10068182A Withdrawn JPH11264940A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 試料高さ合わせ調整装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11264940A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
| US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
| US7319335B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
| US7330021B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-02-12 | Applied Materials, Inc. | Integrated substrate transfer module |
| US7535238B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
| US7569818B2 (en) | 2006-03-14 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce cross talk in a multi column e-beam test system |
| US7602199B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Mini-prober for TFT-LCD testing |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP10068182A patent/JPH11264940A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7319335B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
| US7330021B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-02-12 | Applied Materials, Inc. | Integrated substrate transfer module |
| US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
| US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
| US7535238B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
| US7569818B2 (en) | 2006-03-14 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce cross talk in a multi column e-beam test system |
| US7602199B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Mini-prober for TFT-LCD testing |
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