JPH11265864A - ウェハ搬送方法及び搬送装置 - Google Patents
ウェハ搬送方法及び搬送装置Info
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- JPH11265864A JPH11265864A JP6679598A JP6679598A JPH11265864A JP H11265864 A JPH11265864 A JP H11265864A JP 6679598 A JP6679598 A JP 6679598A JP 6679598 A JP6679598 A JP 6679598A JP H11265864 A JPH11265864 A JP H11265864A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 46
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨後のウェハ表面で、研磨液が生乾きし研
磨に用いられた粒子が固着することによるパーティクル
の発生が抑制される、ウェハ搬送装置を提供する。 【解決手段】 研磨後の半導体ウェハ３を水平に保持す
るためのアーム２と、半導体ウェハ３の上面と下面とへ
洗浄液４を供給するためのノズル５Ａ，５Ｂと、洗浄液
４を上面と下面とへ供給させながら半導体ウェハ３を水
平に洗浄工程まで搬送するためのウェハ搬送機構１とを
備える。これにより、研磨後の半導体ウェハ３の上面と
下面とが洗浄液４により常に一様に濡らされて研磨液が
生乾きすることが抑制され、研磨に用いられた粒子が半
導体ウェハ３の表面へ固着することが抑制されるので、
パーティクルの発生が抑制される。
磨に用いられた粒子が固着することによるパーティクル
の発生が抑制される、ウェハ搬送装置を提供する。 【解決手段】 研磨後の半導体ウェハ３を水平に保持す
るためのアーム２と、半導体ウェハ３の上面と下面とへ
洗浄液４を供給するためのノズル５Ａ，５Ｂと、洗浄液
４を上面と下面とへ供給させながら半導体ウェハ３を水
平に洗浄工程まで搬送するためのウェハ搬送機構１とを
備える。これにより、研磨後の半導体ウェハ３の上面と
下面とが洗浄液４により常に一様に濡らされて研磨液が
生乾きすることが抑制され、研磨に用いられた粒子が半
導体ウェハ３の表面へ固着することが抑制されるので、
パーティクルの発生が抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ搬送方法及
び搬送装置に関するものである。
び搬送装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェハ搬送方法及び搬送装置によ
れば、研磨した後のウェハ、例えば半導体ウェハを、次
工程である洗浄工程へと直ちに搬送することにより、乾
燥した研磨液中の研磨粒子が半導体ウェハの表面へ残留
することを防止していた。
れば、研磨した後のウェハ、例えば半導体ウェハを、次
工程である洗浄工程へと直ちに搬送することにより、乾
燥した研磨液中の研磨粒子が半導体ウェハの表面へ残留
することを防止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の搬送方法によれば、研磨後に洗浄工程へ投入される
までの期間、つまり数秒間から十数秒間は、表面へ研磨
液が付着したままの半導体ウェハが放置されることにな
るので、研磨液が生乾きして半導体ウェハの表面へ研磨
粒子が残留するという問題があった。つまり、研磨液が
乾燥するとその中に含まれていた研磨粒子が半導体ウェ
ハの表面に固着する。そして、洗浄工程においても、い
ったん固着した研磨粒子をすべて洗い落とすことは非常
に困難なので、研磨粒子からなるパーティクルが洗浄後
も半導体ウェハの表面へ残る。したがって、洗浄工程よ
り後の工程において、パーティクルに起因する不良が発
生するという問題があった。
来の搬送方法によれば、研磨後に洗浄工程へ投入される
までの期間、つまり数秒間から十数秒間は、表面へ研磨
液が付着したままの半導体ウェハが放置されることにな
るので、研磨液が生乾きして半導体ウェハの表面へ研磨
粒子が残留するという問題があった。つまり、研磨液が
乾燥するとその中に含まれていた研磨粒子が半導体ウェ
ハの表面に固着する。そして、洗浄工程においても、い
ったん固着した研磨粒子をすべて洗い落とすことは非常
に困難なので、研磨粒子からなるパーティクルが洗浄後
も半導体ウェハの表面へ残る。したがって、洗浄工程よ
り後の工程において、パーティクルに起因する不良が発
生するという問題があった。
【０００４】本発明は、上記従来の課題を解決するため
に、洗浄後のウェハを搬送する際に研磨に用いられた粒
子の残留を抑制することによりパーティクルの発生を防
止する、ウェハ搬送方法及び搬送装置を提供することを
目的とする。
に、洗浄後のウェハを搬送する際に研磨に用いられた粒
子の残留を抑制することによりパーティクルの発生を防
止する、ウェハ搬送方法及び搬送装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のウェハ搬送方法は、請求項１に記載されて
いるように、研磨後のウェハを次工程まで搬送するウェ
ハの搬送方法を、研磨後のウェハを保持し、ウェハの上
面又は下面のうち少なくとも研磨された面へ洗浄液を供
給しながらウェハを次の処理を行う場所まで搬送するこ
ととしたものである。
に、本発明のウェハ搬送方法は、請求項１に記載されて
いるように、研磨後のウェハを次工程まで搬送するウェ
ハの搬送方法を、研磨後のウェハを保持し、ウェハの上
面又は下面のうち少なくとも研磨された面へ洗浄液を供
給しながらウェハを次の処理を行う場所まで搬送するこ
ととしたものである。
【０００６】これにより、洗浄液が供給されている面に
おいて、研磨に用いられた粒子がウェハの表面へ残留す
ることを抑制するので、ウェハの表面へ固着した粒子に
よるパーティクルの発生を防止できる。
おいて、研磨に用いられた粒子がウェハの表面へ残留す
ることを抑制するので、ウェハの表面へ固着した粒子に
よるパーティクルの発生を防止できる。
【０００７】請求項２に記載されているように、請求項
１のウェハ搬送方法において、ウェハの上面又は下面の
うち少なくとも研磨された面に対し平面的にみて放射状
に洗浄液を供給することができる。
１のウェハ搬送方法において、ウェハの上面又は下面の
うち少なくとも研磨された面に対し平面的にみて放射状
に洗浄液を供給することができる。
【０００８】これにより、ウェハの表面へ洗浄液をまん
べんなく行き渡らせることができるので、研磨に用いら
れた粒子の残留をいっそう抑制して、ウェハの表面へ固
着した粒子によるパーティクルの発生をより効果的に防
止できる。
べんなく行き渡らせることができるので、研磨に用いら
れた粒子の残留をいっそう抑制して、ウェハの表面へ固
着した粒子によるパーティクルの発生をより効果的に防
止できる。
【０００９】請求項３に記載されているように、請求項
１のウェハ搬送方法において、研磨後のウェハを水平に
保持し、該ウェハを水平に保持したまま搬送することが
好ましい。
１のウェハ搬送方法において、研磨後のウェハを水平に
保持し、該ウェハを水平に保持したまま搬送することが
好ましい。
【００１０】これにより、水平に保持されたウェハにお
いて、上面では表面張力により洗浄液を一様に分布さ
せ、かつ下面では供給された洗浄液を一様に拡げた後に
落下させることができるので、研磨に用いられた粒子の
残留をいっそう抑制して、ウェハの表面へ固着した粒子
によるパーティクルの発生をより効果的に防止できる。
いて、上面では表面張力により洗浄液を一様に分布さ
せ、かつ下面では供給された洗浄液を一様に拡げた後に
落下させることができるので、研磨に用いられた粒子の
残留をいっそう抑制して、ウェハの表面へ固着した粒子
によるパーティクルの発生をより効果的に防止できる。
【００１１】本発明のウェハ搬送装置は、請求項４に記
載されているように、研磨後のウェハを水平に保持する
ために設けられた保持手段と、保持されたウェハの上面
又は下面のうち少なくとも研磨された面へ洗浄液を供給
するために設けられた供給手段と、洗浄液が供給されて
いるウェハを水平に保持したまま搬送するために設けら
れた搬送手段とを備えている。
載されているように、研磨後のウェハを水平に保持する
ために設けられた保持手段と、保持されたウェハの上面
又は下面のうち少なくとも研磨された面へ洗浄液を供給
するために設けられた供給手段と、洗浄液が供給されて
いるウェハを水平に保持したまま搬送するために設けら
れた搬送手段とを備えている。
【００１２】これにより、ウェハにおいて洗浄液が供給
されている面では研磨に用いられた粒子の残留が抑制さ
れるので、ウェハの表面へ固着した粒子によるパーティ
クルの発生が防止される。
されている面では研磨に用いられた粒子の残留が抑制さ
れるので、ウェハの表面へ固着した粒子によるパーティ
クルの発生が防止される。
【００１３】請求項５に記載されているように、請求項
４のウェハ搬送装置において、供給手段は、保持された
ウェハの上面又は下面のうち少なくとも研磨された面に
対し平面的にみて放射状に洗浄液を供給することが好ま
しい。
４のウェハ搬送装置において、供給手段は、保持された
ウェハの上面又は下面のうち少なくとも研磨された面に
対し平面的にみて放射状に洗浄液を供給することが好ま
しい。
【００１４】これにより、ウェハの表面が洗浄液により
まんべんなく濡れているので、研磨に用いられた粒子の
残留がいっそう抑制され、ウェハの表面へ固着した粒子
によるパーティクルの発生がより効果的に防止される。
まんべんなく濡れているので、研磨に用いられた粒子の
残留がいっそう抑制され、ウェハの表面へ固着した粒子
によるパーティクルの発生がより効果的に防止される。
【００１５】請求項６に記載されているように、請求項
４のウェハ搬送装置において、ウェハは化学機械的研磨
されていることも可能である。
４のウェハ搬送装置において、ウェハは化学機械的研磨
されていることも可能である。
【００１６】これにより、研磨に用いられた粒子がウェ
ハの表面へ残留することが抑制されるので、化学機械的
研磨された後のウェハにおいて表面へ固着した粒子によ
るパーティクルの発生が防止される。
ハの表面へ残留することが抑制されるので、化学機械的
研磨された後のウェハにおいて表面へ固着した粒子によ
るパーティクルの発生が防止される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を用いて説明する。
て、図面を用いて説明する。
【００１８】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るウェハ搬送装置の構成を示す斜視図で
ある。図１において、１はウェハ搬送機構、２はアー
ム、３は例えばシリコンからなる半導体ウェハ、４は例
えば純水からなる洗浄液、５Ａ及び５Ｂはノズル、６Ａ
及び６Ｂは洗浄液配管である。そして、アーム２により
水平に保持された半導体ウェハ３がウェハ搬送機構１に
より水平方向に搬送されている期間、それぞれ洗浄液４
が、洗浄液配管６Ａからノズル５Ａを介して半導体ウェ
ハ３の上面へと供給され、洗浄液配管６Ｂからノズル５
Ｂを介して半導体ウェハ３の下面へと供給される。
の実施形態に係るウェハ搬送装置の構成を示す斜視図で
ある。図１において、１はウェハ搬送機構、２はアー
ム、３は例えばシリコンからなる半導体ウェハ、４は例
えば純水からなる洗浄液、５Ａ及び５Ｂはノズル、６Ａ
及び６Ｂは洗浄液配管である。そして、アーム２により
水平に保持された半導体ウェハ３がウェハ搬送機構１に
より水平方向に搬送されている期間、それぞれ洗浄液４
が、洗浄液配管６Ａからノズル５Ａを介して半導体ウェ
ハ３の上面へと供給され、洗浄液配管６Ｂからノズル５
Ｂを介して半導体ウェハ３の下面へと供給される。
【００１９】ここで、本実施形態に係るウェハ搬送装置
の特徴は、半導体ウェハ３が、アーム２によって水平に
保持され、かつ、上面及び下面がそれぞれノズル５Ａ及
び５Ｂから吐出される洗浄液４に濡らされながら、ウェ
ハ搬送機構１によって次工程、つまり洗浄工程へと水平
方向に搬送される点である。これにより、研磨後の半導
体ウェハ３の上面と下面とは、洗浄工程へ投入されるま
での期間、洗浄液４により一様に、かつ常に濡れてい
る。このことにより、半導体ウェハ３の表面へ付着した
研磨液が生乾きすることが抑制される。したがって、半
導体ウェハ３の表面において、研磨に用いられた粒子が
残留しないのでパーティクルの発生が抑制される。
の特徴は、半導体ウェハ３が、アーム２によって水平に
保持され、かつ、上面及び下面がそれぞれノズル５Ａ及
び５Ｂから吐出される洗浄液４に濡らされながら、ウェ
ハ搬送機構１によって次工程、つまり洗浄工程へと水平
方向に搬送される点である。これにより、研磨後の半導
体ウェハ３の上面と下面とは、洗浄工程へ投入されるま
での期間、洗浄液４により一様に、かつ常に濡れてい
る。このことにより、半導体ウェハ３の表面へ付着した
研磨液が生乾きすることが抑制される。したがって、半
導体ウェハ３の表面において、研磨に用いられた粒子が
残留しないのでパーティクルの発生が抑制される。
【００２０】図１に示されたウェハ搬送装置を用いて行
う、ウェハ搬送方法について説明する。
う、ウェハ搬送方法について説明する。
【００２１】まず、アーム２を用いて、例えば上面が化
学的機械研磨（以下、ＣＭＰと略す）により研磨された
後の半導体ウェハ３を水平に保持する。この場合のＣＭ
Ｐにおいて、スラリー状のアルカリ系研磨液、例えば、
調整剤としての水酸化カリウム中に粒度３０ｎｍのコロ
イダルシリカを含ませている、キャボット社製のＳＣ−
１を用いた。そして、半導体ウェハ３として、８インチ
径のシリコンウェハを用いた。
学的機械研磨（以下、ＣＭＰと略す）により研磨された
後の半導体ウェハ３を水平に保持する。この場合のＣＭ
Ｐにおいて、スラリー状のアルカリ系研磨液、例えば、
調整剤としての水酸化カリウム中に粒度３０ｎｍのコロ
イダルシリカを含ませている、キャボット社製のＳＣ−
１を用いた。そして、半導体ウェハ３として、８インチ
径のシリコンウェハを用いた。
【００２２】次に、それぞれノズル５Ａ及び５Ｂから、
例えば純水からなる洗浄液４を吐出して半導体ウェハ３
の上面及び下面を濡らしながら、ウェハ搬送機構１を用
いて半導体ウェハ３を洗浄工程へと水平方向に搬送す
る。本実施形態においては、ノズル５Ａ，５Ｂとして内
径４ｍｍの合成樹脂製のパイプを用いて、３００ｃｃ／
ｍｉｎ．の流量で純水を吐出した。
例えば純水からなる洗浄液４を吐出して半導体ウェハ３
の上面及び下面を濡らしながら、ウェハ搬送機構１を用
いて半導体ウェハ３を洗浄工程へと水平方向に搬送す
る。本実施形態においては、ノズル５Ａ，５Ｂとして内
径４ｍｍの合成樹脂製のパイプを用いて、３００ｃｃ／
ｍｉｎ．の流量で純水を吐出した。
【００２３】以上説明したように、本実施形態に係るウ
ェハ搬送方法によれば、研磨後に洗浄工程へ投入するま
での保持及び搬送期間において、半導体ウェハ３の上面
と下面とを洗浄液４により一様に、かつ常に濡らしてい
るので、上面と下面とにおいて研磨液が生乾きしない。
このことにより、研磨後の保持及び搬送期間において半
導体ウェハ３の表面へ研磨に用いられた粒子を残留させ
ないので、パーティクルの発生を防止できる。
ェハ搬送方法によれば、研磨後に洗浄工程へ投入するま
での保持及び搬送期間において、半導体ウェハ３の上面
と下面とを洗浄液４により一様に、かつ常に濡らしてい
るので、上面と下面とにおいて研磨液が生乾きしない。
このことにより、研磨後の保持及び搬送期間において半
導体ウェハ３の表面へ研磨に用いられた粒子を残留させ
ないので、パーティクルの発生を防止できる。
【００２４】なお、本実施形態において説明したノズル
５Ａ，５Ｂに代えて、半導体ウェハ３の上面又は下面に
対して放射状に洗浄液４を供給するノズルを用いること
もできる。これにより、半導体ウェハ３の表面に洗浄液
４をまんべんなく行き渡らせることができるので、パー
ティクルの発生がいっそう抑制される。
５Ａ，５Ｂに代えて、半導体ウェハ３の上面又は下面に
対して放射状に洗浄液４を供給するノズルを用いること
もできる。これにより、半導体ウェハ３の表面に洗浄液
４をまんべんなく行き渡らせることができるので、パー
ティクルの発生がいっそう抑制される。
【００２５】また、半導体ウェハ３のそれぞれの面に対
してノズルを１個ずつ配置したが、これに限らず各面に
対して複数個ずつ配置する構成にすることもできる。
してノズルを１個ずつ配置したが、これに限らず各面に
対して複数個ずつ配置する構成にすることもできる。
【００２６】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係るウェハ搬送装置の構成を示す斜視図で
ある。図２において、１はウェハ搬送機構、２はアー
ム、３は例えばシリコンからなる半導体ウェハ、４は例
えば純水からなる洗浄液、５Ｃ及び５Ｄはノズル、６Ｃ
及び６Ｄは洗浄液配管である。
の実施形態に係るウェハ搬送装置の構成を示す斜視図で
ある。図２において、１はウェハ搬送機構、２はアー
ム、３は例えばシリコンからなる半導体ウェハ、４は例
えば純水からなる洗浄液、５Ｃ及び５Ｄはノズル、６Ｃ
及び６Ｄは洗浄液配管である。
【００２７】本実施形態において洗浄液配管６Ｃ及び６
Ｄは、ウェハ搬送機構１により搬送される半導体ウェハ
３のほぼ中心が通過して行く経路に沿って、各々が有す
るノズル５Ｃ及び５Ｄが半導体ウェハ３の上面及び下面
にそれぞれ対向するように配置されている。そして、ア
ーム２により水平に保持された半導体ウェハ３がウェハ
搬送機構１により水平方向に搬送されている期間、それ
ぞれ洗浄液４が、洗浄液配管６Ｃに設けられた複数個の
ノズル５Ｃから半導体ウェハ３の上面へと供給され、洗
浄液配管６Ｄに設けられた複数個のノズル５Ｄから半導
体ウェハ３の下面へと供給される。
Ｄは、ウェハ搬送機構１により搬送される半導体ウェハ
３のほぼ中心が通過して行く経路に沿って、各々が有す
るノズル５Ｃ及び５Ｄが半導体ウェハ３の上面及び下面
にそれぞれ対向するように配置されている。そして、ア
ーム２により水平に保持された半導体ウェハ３がウェハ
搬送機構１により水平方向に搬送されている期間、それ
ぞれ洗浄液４が、洗浄液配管６Ｃに設けられた複数個の
ノズル５Ｃから半導体ウェハ３の上面へと供給され、洗
浄液配管６Ｄに設けられた複数個のノズル５Ｄから半導
体ウェハ３の下面へと供給される。
【００２８】ここで、本実施形態に係るウェハ搬送装置
の特徴は、半導体ウェハ３が、アーム２によって水平に
保持され、かつそれぞれ複数個のノズル５Ｃ及び５Ｄか
ら供給される洗浄液４によって上面及び下面が濡らされ
ながら、ウェハ搬送機構１によって次工程、つまり洗浄
工程へと水平方向に搬送される点である。これにより、
研磨後の半導体ウェハ３の上面と下面とは、洗浄工程へ
投入されるまでの期間、洗浄液４により一様に、かつ常
に濡らされている。このことにより、半導体ウェハ３の
表面へ付着した研磨液が生乾きすることが抑制される。
したがって、半導体ウェハ３の表面において、研磨に用
いられた粒子が残留しないのでパーティクルの発生が抑
制される。
の特徴は、半導体ウェハ３が、アーム２によって水平に
保持され、かつそれぞれ複数個のノズル５Ｃ及び５Ｄか
ら供給される洗浄液４によって上面及び下面が濡らされ
ながら、ウェハ搬送機構１によって次工程、つまり洗浄
工程へと水平方向に搬送される点である。これにより、
研磨後の半導体ウェハ３の上面と下面とは、洗浄工程へ
投入されるまでの期間、洗浄液４により一様に、かつ常
に濡らされている。このことにより、半導体ウェハ３の
表面へ付着した研磨液が生乾きすることが抑制される。
したがって、半導体ウェハ３の表面において、研磨に用
いられた粒子が残留しないのでパーティクルの発生が抑
制される。
【００２９】図２に示されたウェハ搬送装置を用いて行
う、ウェハ搬送方法について説明する。
う、ウェハ搬送方法について説明する。
【００３０】まず、アーム２を用いて、例えば上面が化
学的機械研磨（以下、ＣＭＰと略す）により研磨された
後の半導体ウェハ３を水平に保持する。第１の実施形態
の場合と同様に、研磨液としてキャボット社製のＳＣ−
１を、半導体ウェハ３として８インチ径のシリコンウェ
ハをそれぞれ用いた。
学的機械研磨（以下、ＣＭＰと略す）により研磨された
後の半導体ウェハ３を水平に保持する。第１の実施形態
の場合と同様に、研磨液としてキャボット社製のＳＣ−
１を、半導体ウェハ３として８インチ径のシリコンウェ
ハをそれぞれ用いた。
【００３１】次に、それぞれ洗浄液配管６Ｃ及び６Ｄに
設けられたノズル５Ｃ及び５Ｄから、例えば純水からな
る洗浄液４を吐出して半導体ウェハ３の上面及び下面を
濡らしながら、ウェハ搬送機構１を用いて半導体ウェハ
３を洗浄工程へと水平方向に搬送する。本実施形態にお
いては、ノズル５Ｃ，５Ｄとして内径４ｍｍの開口を用
いて、３００ｃｃ／ｍｉｎ．の流量で純水を吐出した。
設けられたノズル５Ｃ及び５Ｄから、例えば純水からな
る洗浄液４を吐出して半導体ウェハ３の上面及び下面を
濡らしながら、ウェハ搬送機構１を用いて半導体ウェハ
３を洗浄工程へと水平方向に搬送する。本実施形態にお
いては、ノズル５Ｃ，５Ｄとして内径４ｍｍの開口を用
いて、３００ｃｃ／ｍｉｎ．の流量で純水を吐出した。
【００３２】以上説明したように、本実施形態に係るウ
ェハ搬送方法によれば、研磨後に洗浄工程へ投入するま
での保持及び搬送期間において、半導体ウェハ３の上面
と下面とを一様に、かつ常に洗浄液４により濡らしてい
るので、上面と下面とにおいて研磨液が生乾きしない。
このことにより、研磨後の保持及び搬送期間において半
導体ウェハ３の表面へ研磨に用いられた粒子を残留させ
ないので、パーティクルの発生を防止できる。
ェハ搬送方法によれば、研磨後に洗浄工程へ投入するま
での保持及び搬送期間において、半導体ウェハ３の上面
と下面とを一様に、かつ常に洗浄液４により濡らしてい
るので、上面と下面とにおいて研磨液が生乾きしない。
このことにより、研磨後の保持及び搬送期間において半
導体ウェハ３の表面へ研磨に用いられた粒子を残留させ
ないので、パーティクルの発生を防止できる。
【００３３】なお、以上説明した各実施形態において
は、半導体ウェハ３の上面と下面との双方へ洗浄液４を
供給するようにノズル５Ａ〜５Ｄを設けたが、これに代
えて研磨された面、例えば上面のみへ洗浄液４を供給す
るようにノズルを設けてもよい。
は、半導体ウェハ３の上面と下面との双方へ洗浄液４を
供給するようにノズル５Ａ〜５Ｄを設けたが、これに代
えて研磨された面、例えば上面のみへ洗浄液４を供給す
るようにノズルを設けてもよい。
【００３４】また、ＣＭＰを用いた研磨工程の後に適用
する場合を説明したが、これに限らず、粒子を用いた研
磨工程の後であれば本実施形態を適用することができ
る。
する場合を説明したが、これに限らず、粒子を用いた研
磨工程の後であれば本実施形態を適用することができ
る。
【００３５】また、半導体ウェハについて説明したが、
これに限らず、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）技術において用いられる絶縁性基板に対
しても、本発明を適用できることはいうまでもない。
これに限らず、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）技術において用いられる絶縁性基板に対
しても、本発明を適用できることはいうまでもない。
【００３６】
【発明の効果】本発明に係るウェハ搬送方法によれば、
研磨後のウェハの表面へ研磨に用いられた粒子が残留す
ることを抑制するので、パーティクルの発生を防止でき
る。
研磨後のウェハの表面へ研磨に用いられた粒子が残留す
ることを抑制するので、パーティクルの発生を防止でき
る。
【００３７】本発明に係るウェハ搬送装置によれば、研
磨後のウェハの表面へ研磨に用いられた粒子が残留する
ことが抑制されるので、パーティクルの発生が防止され
る。
磨後のウェハの表面へ研磨に用いられた粒子が残留する
ことが抑制されるので、パーティクルの発生が防止され
る。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るウェハ搬送装置
の構成を示す斜視図である。
の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るウェハ搬送装置
の構成を示す斜視図である。
の構成を示す斜視図である。
１ ウェハ搬送機構（搬送手段） ２ アーム（保持手段） ３ 半導体ウェハ（ウェハ） ４ 洗浄液 ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ ノズル（供給手段） ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ 洗浄液配管
Claims (6)
- 【請求項１】 研磨後のウェハを次工程まで搬送するウ
ェハの搬送方法であって、 研磨後のウェハを保持し、前記ウェハの上面又は下面の
うち少なくとも研磨された面へ洗浄液を供給しながら前
記ウェハを次の処理を行う場所まで搬送することを特徴
とするウェハ搬送方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェハ搬送方法におい
て、 前記ウェハの上面又は下面のうち少なくとも研磨された
面に対し平面的にみて放射状に前記洗浄液を供給するこ
とを特徴とするウェハ搬送方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のウェハ搬送方法におい
て、 前記研磨後のウェハを水平に保持し、該ウェハを水平に
保持したまま搬送することを特徴とするウェハ搬送方
法。 - 【請求項４】 研磨後のウェハを水平に保持するために
設けられた保持手段と、 前記保持されたウェハの上面又は下面のうち少なくとも
研磨された面へ洗浄液を供給するために設けられた供給
手段と、 前記洗浄液が供給されているウェハを水平に保持したま
ま搬送するために設けられた搬送手段とを備えたことを
特徴とするウェハ搬送装置。 - 【請求項５】 請求項４記載のウェハ搬送装置におい
て、 前記供給手段は、前記保持されたウェハの上面又は下面
のうち少なくとも研磨された面に対し平面的にみて放射
状に前記洗浄液を供給することを特徴とするウェハ搬送
装置。 - 【請求項６】 請求項４記載のウェハ搬送装置におい
て、 前記ウェハは化学機械的研磨されていることを特徴とす
るウェハ搬送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6679598A JPH11265864A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | ウェハ搬送方法及び搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6679598A JPH11265864A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | ウェハ搬送方法及び搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265864A true JPH11265864A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13326170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6679598A Pending JPH11265864A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | ウェハ搬送方法及び搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11265864A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308048A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研削されたウエハの洗浄・搬送方法 |
| JP2014004658A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| JP2018117014A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 搬出機構 |
-
1998
- 1998-03-17 JP JP6679598A patent/JPH11265864A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308048A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研削されたウエハの洗浄・搬送方法 |
| JP2014004658A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| JP2018117014A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 搬出機構 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |