JPH11266105A - 信号伝送基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の信号伝送線路間のクロストークの低減
を図る。 【解決手段】 セラミック基板１０の第１主表面１０ａ
上に複数の信号伝送線路１２をストライプ状に設けてい
る。そして、信号伝送線路１２間のセラミック基板１０
部分の中央に、それぞれ信号伝送線路１２から離間させ
て第１主表面１０ａに露出させた接地線路１４を埋め込
んである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、高周波の信号を
伝送する信号伝送線路（分布定数線路）を具えた信号伝
送基板の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の信号伝送基板の構造の一例が、例
えば、文献「特開平２−２７１６９０号公報」に開示さ
れている。この文献には、光伝送モジュールのレーザモ
ジュールの構成が開示されている。このレーザモジュー
ルにおいては、セラミック基板上のサブマウントにレー
ザダイオードがダイスボンドされている。そして、この
レーザダイオードに信号を伝送する信号伝送線路（第１
および第２の電極ピン）が、セラミック基板上に形成さ
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】１つの光伝送モジュー
ル中に複数のレーザダイオードを設ける場合には、各レ
ーザダイオードにそれぞれ信号を伝送する複数の信号伝
送線路を個別に設ける必要がある。

【０００４】しかしながら、複数の信号伝送線路にそれ
ぞれ個別の信号が並列的に伝送されると、信号伝送線路
間に電界が発生する。その結果、この電界によって、信
号伝送線路どうしでクロストークが生じる。特に、複数
の半導体レーザを具えた光伝送モジュールの信号伝送基
板においては、ＧＨｚ帯域の高周波信号の伝送を複数の
信号伝送線路で並列に行うため、信号伝送線路どうしの
クロストークが大きな問題となる。

【０００５】このため、複数の信号伝送線路どうしのク
ロストークの低減を図ることができる信号伝送基板の出
現が望まれていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この出願に係る発明者
は、種々の検討および実験を重ねた結果、隣り合った信
号伝送線路間の誘電体基板部分に接地線路を設ければ、
信号伝送線路を伝送する信号によって発生する電界が、
その信号伝送線路と直近の接地線路との間に主に分布
し、その結果、隣り合った信号伝送線路間での電界の発
生を抑制することにより、信号伝送線路間のクロストー
クの低減を図ることができることに想到した。

【０００７】（第１の信号伝送基板）そこで、この発明
の第１の信号伝送基板によれば、誘電体基板の第１主表
面上に複数の信号伝送線路を具えた信号伝送基板におい
て、信号伝送線路間の誘電体基板部分に、当該信号伝送
線路の延在方向に沿って延在した接地線路を、当該信号
伝送線路から離間させて第１主表面に露出させて埋め込
んでなることを特徴とする。

【０００８】このように、信号伝送線路間の誘電体基板
（以下、単に「基板」とも称する。）に埋め込まれた接
地線路を設けると、隣り合った信号伝送線路間の距離
は、当該信号伝送線路とその直近の接地線路との間の距
離よりも長くなる。このため、信号伝送線路を伝送する
高周波信号によって発生する電界は、信号伝送線路と直
近の接地線路との間で主に分布する。その結果、隣り合
った信号伝送線路間での電界の発生を抑制することがで
きる。このため、信号伝送線路間のクロストークの低減
を図ることができる。

【０００９】特に、この発明の第１の信号伝送基板にお
いては、接地線路を基板中に埋め込んであるので、基板
の第１主表面の上側および基板中にそれぞれ発生する電
界のうち、基板中に発生する電界が、より効果的に信号
伝送線路と接地線路との間に分布する。その結果、隣り
合った信号伝送線路間での電界の発生をより効果的に抑
制することができる。このため、信号伝送線路間のクロ
ストークのより効果的な低減を図ることができる。

【００１０】また、この発明によれば、信号伝送線路間
のクロストークの抑制を図ることができるので、誘電体
基板上に複数の信号伝送線路を、信号伝送線路どうしの
間隔（ピッチ）をより狭くして、配置することが可能と
なる。その結果、複数の信号伝送線路をもって構成され
る回路の集積化を図ることができる。

【００１１】また、この発明の第１の信号伝送基板にお
いて、好ましくは、接地線路の露出部分は、第１主表面
上に突出していると良い。

【００１２】このように、接地線路を第１主表面上にも
突出させれば、第１主表面の上側に発生する電界は、信
号電送線路とその直近の接地線路の突出部との間で主に
分布する。このため、第１主表面の上側において、隣り
合った信号伝送線路間に分布する電界の発生を一層抑制
することができる。その結果、信号伝送線路間のクロス
トークのより効果的な低減を図ることができる。

【００１３】（第２の信号伝送基板）また、この発明の
第２の信号伝送基板によれば、誘電体基板の第１主表面
上に複数の信号伝送線路を具えた信号伝送基板におい
て、信号伝送線路間の第１主表面部分に、断面形状がＶ
字形状のＶ字溝を、当該信号伝送線路の延在方向に沿っ
て延在させて設けてあり、Ｖ字溝の斜面に、接地線路を
具えてなることを特徴とする。

【００１４】このように、信号伝送線路間の誘電体基板
にＶ字溝に接地線路を設けると、隣り合った信号伝送線
路間の距離は、当該信号伝送線路とその直近の接地線路
との間の距離よりも長くなる。このため、信号伝送線路
を伝送する高周波信号によって発生する電界は、信号伝
送線路と直近の接地線路との間で主に分布する。その結
果、隣り合った信号伝送線路間での電界の発生を抑制す
ることができる。このため、信号伝送線路間のクロスト
ークの低減を図ることができる。

【００１５】特に、この発明の第２の信号伝送基板にお
いては、Ｖ字溝に接地線路を設けてあるので、基板中に
発生する電界は、接地線路と信号伝送線路との間に効果
的に分布する。その結果、隣り合った信号伝送線路間で
の電界の発生を効果的に抑制することができる。このた
め、信号伝送線路間のクロストークのより効果的な低減
を図ることができる。

【００１６】その上、この発明の第２の信号伝送線基板
においては、接地線路をＶ字溝の斜面に設けてあるの
で、基板の第１主表面の上側に発生する電界を、斜面の
接地線路と信号伝送線路との間に、より分布させ易くす
るという効果が期待される。

【００１７】また、この発明によれば、信号伝送線路間
のクロストークの抑制を図ることができるので、誘電体
基板上に複数の信号伝送線路を、信号伝送線路どうしの
間隔（ピッチ）をより狭くして、配置することが可能と
なる。その結果、複数の信号伝送線路をもって構成され
る回路の集積化を図ることができる。

【００１８】また、この発明の第２の信号伝送基板にお
いて、好ましくは、信号伝送線路間の第１主表面部分
に、Ｖ字溝を２本具え、この２本のＶ字溝間の第１主表
面部分に、当該Ｖ字溝の延在方向に沿って延在して突出
させた突出部を具え、この突出部の斜面に、接地線路を
具えるのが良い。

【００１９】このように、突出部の斜面に接地線路を設
ければ、第１主表面の上側に発生する電界は、信号電送
線路とその直近の突出部に形成された接地線路との間で
主に分布する。その結果、第１主表面の上側において、
隣り合った信号伝送線路間での電界の発生をより効果的
に抑制することができる。このため、信号伝送線路間の
クロストークのより一層効果的な低減を図ることができ
る。

【００２０】（第３の信号伝送基板）また、この発明の
第３の信号伝送基板によれば、誘電体基板の第１主表面
上に複数の信号伝送線路を具えた信号伝送基板におい
て、信号伝送線路間の第１主表面部分に、当該信号伝送
線路の延在方向に沿って延在して突出した突出部を具
え、突出部の斜面に、接地線路を具えてなることを特徴
とする。

【００２１】このように、信号伝送線路間の誘電体基板
の突出部の斜面に接地線路を設けると、隣り合った信号
伝送線路間の距離は、当該信号伝送線路とその直近の接
地線路との間の距離よりも長くなる。このため、信号伝
送線路を伝送する高周波信号によって発生する電界は、
信号伝送線路と直近の接地線路との間で主に分布する。
その結果、隣り合った信号伝送線路間での電界の発生を
抑制することができる。このため、信号伝送線路間のク
ロストークの低減を図ることができる。

【００２２】特に、この発明の第３の信号伝送基板にお
いては、突出部の斜面に接地線路を設けてあるので、基
板の第１主表面の上側および基板中にそれぞれ発生する
電界のうち、第１主表面の上側に発生する電界が、より
効果的に信号伝送線路と接地線路との間に分布する。そ
の結果、隣り合った信号伝送線路間での電界の発生をよ
り効果的に抑制することができる。このため、信号伝送
線路間の第１主表面の上側に発生する電界のクロストー
クのより効果的な低減を図ることができる。

【００２３】また、この発明によれば、信号伝送線路間
のクロストークの抑制を図ることができるので、誘電体
基板上に複数の信号伝送線路を、信号伝送線路どうしの
間隔（ピッチ）をより狭くして、配置することが可能と
なる。その結果、複数の信号伝送線路をもって構成され
る回路の集積化を図ることができる。

【００２４】また、この発明の第３の信号伝送基板にお
いて、好ましくは、信号伝送線路と突出部との間の第１
主表面部分に、断面形状がＶ字形状のＶ字溝を、当該突
出部の延在方向に沿って延在させて設けてあり、このＶ
字溝の斜面に、接地線路を具えるのが良い。

【００２５】このように、信号伝送線路間の誘電体基板
のＶ字溝にも接地線路を設ければ、基板中の電界は、信
号電送線路とその直近のＶ字溝に形成された接地線路と
の間でより効率的に分布する。このため、基板中に発生
する電界によるクロストークのより効果的な低減も図る
ことができる。

【００２６】（第１〜第３の信号伝送基板共通）また、
この発明の第１〜第３の信号伝送基板において、好まし
くは、誘電体基板の、第１主表面と対向する裏面である
第２主表面のうち、信号伝送線路の裏側に相当する部分
に、裏面側溝を具え、この裏面側溝に、接地用の裏面電
極を具えるのが良い。

【００２７】このように、裏面側溝に裏面電極を設けれ
ば、信号伝送線路と裏面電極との間にも電界が分布す
る。その結果、基板中において、隣り合った信号伝送線
路間での電界の発生を抑制することができる。このた
め、信号伝送線路間のクロストークの低減をより一層効
果的に達成することができる。

【００２８】また、この発明の第１〜第３の信号伝送基
板において、好ましくは、誘電体基板の、第１主表面と
対向する裏面である第２主表面のうち、信号伝送線路間
の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具え、この裏面側
溝に、接地用の裏面電極を具えるのが良い。

【００２９】このように、裏面側溝に裏面電極を設けれ
ば、信号伝送線路と裏面電極との間にも電界が分布す
る。その結果、基板中において、隣り合った信号伝送線
路間での電界の発生を抑制することができる。このた
め、信号伝送線路間のクロストークの低減をより一層効
果的に達成することができる。

【００３０】また、裏面側溝を信号伝送線路間の裏側に
相当する部分に形成した場合、裏面側溝に形成される裏
面電極と信号伝送線路との距離を長くとることができ
る。このため、裏面電極の特性インピーダンスに対する
影響は小さい。その結果、特性インピーダンスを考慮せ
ずに裏面電極の配置を容易に設計することもできる。

【００３１】（第４の信号伝送基板）また、この発明の
第４の信号伝送基板によれば、誘電体基板の第１主表面
上に複数の信号伝送線路を具えた信号伝送基板におい
て、誘電体基板の第１主表面の裏面である第２主表面の
うち、信号伝送線路の裏側に相当する部分に、裏面側溝
を具え、裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなるこ
とを特徴とする。

【００３２】このように、裏面側溝に裏面電極を設けれ
ば、信号伝送線路と裏面電極との間にも電界が分布す
る。その結果、基板中において、隣り合った信号伝送線
路間での電界の発生を抑制することができる。このた
め、信号伝送線路間のクロストークのより一層効果的な
低減を図ることができる。

【００３３】また、この発明によれば、信号伝送線路間
のクロストークの抑制を図ることができるので、誘電体
基板上に複数の信号伝送線路を、信号伝送線路どうしの
間隔（ピッチ）をより狭くして、配置することが可能と
なる。その結果、複数の信号伝送線路をもって構成され
る回路の集積化を図ることができる。

【００３４】（第５の信号伝送基板）また、この発明の
第５の信号伝送基板によれば、誘電体基板の第１主表面
上に複数の信号伝送線路を具えた信号伝送基板におい
て、誘電体基板の第１主表面の裏面である第２主表面の
うち、信号伝送線路間の裏側に相当する部分に、裏面側
溝を具え、裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなる
ことを特徴とする。

【００３５】このように、裏面側溝に裏面電極を設けれ
ば、信号伝送線路と裏面電極との間にも電界が分布す
る。その結果、基板中において、隣り合った信号伝送線
路間での電界の発生を抑制することができる。このた
め、信号伝送線路間のクロストークのより一層効果的な
低減を図ることができる。

【００３６】また、この発明によれば、信号伝送線路間
のクロストークの抑制を図ることができるので、誘電体
基板上に複数の信号伝送線路を、信号伝送線路どうしの
間隔（ピッチ）をより狭くして、配置することが可能と
なる。その結果、複数の信号伝送線路をもって構成され
る回路の集積化を図ることができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
信号伝送基板の一例について説明する。尚、参照する図
は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、
形状および配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
従って、この発明は、図示例にのみ限定されるものでは
ない。また、図中、断面を表すハッチング等を一部省略
してある。

【００３８】（第１の実施の形態）第１の実施の形態に
おいては、図１を参照して、この発明の第１の信号伝送
基板の一例について説明する。図１の（Ａ）は、第１の
実施の形態の信号伝送基板の要部の断面斜視図である。
また、図１の（Ｂ）は、図１の（Ａ）に示した信号伝送
基板およびその電界分布の説明に供する断面図である。

【００３９】そして、図１の（Ａ）に示すように、この
実施の形態の信号伝送基板１００は、誘電体基板１０の
第１主表面１０ａ上に、複数の信号伝送線路１２を具え
ている。ここでは、誘電体基板１０としてセラミック基
板１０を用いる。このセラミック基板１０の厚さは、１
ｍｍ程度である。また、誘電体基板１０の材料として
は、例えばテフロン（商品名）などの誘電率の比較的低
い樹脂を用いても良い。また、信号伝送線路１２の幅
は、約０．３ｍｍである。そして、信号伝送線路１２
は、セラミック基板１０上に形成したニッケルの下地
（図示せず）上に金メッキを施して形成してある。

【００４０】また、この実施の形態の信号伝送基板１０
０においては、複数の信号伝送線路１２を、互いに平行
に延在するストライプ状の平面パタンで形成してある。
尚、図１には、３本の信号伝送線路１２を代表して示
す。また、各信号伝送線路１２の信号の伝送方向に沿っ
た方向、即ち、これら信号伝送線路１２の延在方向に垂
直な断面切り口の形状は矩形となっている。

【００４１】そして、この信号伝送基板１００では、信
号伝送線路１２間の第１主表面１０部分に、信号伝送線
路１２から離間させて第１主表面１０ａに露出させた接
地線路１４を埋め込んである。この例では、この接地線
路１４は、ストライプ状の形状となっていて、信号伝送
線路と平行に延在させて設けてあり、かつ、図示はして
いないが、電気的に接地（ＧＮＤ）される。

【００４２】また、この接地線路１４の材料の熱膨張係
数は、セラミック基板１０の熱膨張係数と同程度である
ことが望ましい。この実施の形態では、接地線路１４の
材料として、例えばコバールを用いると良い。また、接
地線路１４の材料として、例えば、銀蝋を用いても良
い。

【００４３】また、接地線路１４は、例えば、セラミッ
ク基板１０の第１主表面１０ａの信号伝送線路１２間の
部分に溝を形成して、この溝に銀蝋または金属棒を埋め
て形成しても良い。また、例えば、スルーホールを互い
に連続するように形成して、連続したスルーホールに銀
蝋その他の導電性の物質を埋め込んで接地線路１４を形
成しても良い。

【００４４】また、この実施の形態では、図１の（Ａ）
および（Ｂ）に示すように、接地線路１４の断面形状を
矩形とする。そして、この接地線路１４の幅は、例えば
０．１ｍｍ程度以上とする。また、接地線路１４の深さ
は、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。また、接地線路
１４と信号伝送線路１２との間の距離は、例えば０．２
ｍｍ程度以上とする。また、接地線路１４は、両側の信
号伝送線路１２から等距離となる位置に設けてある。

【００４５】尚、接地線路１４の具体的な寸法および接
地線路１４と信号伝送線路１２との具体的な離間距離の
設計にあたっては、信号伝送線路１２と当該接地線路１
４との間の特性インピーダンスが、この信号伝送基板１
００の構成する例えば光伝送モジュールを含むシステム
の特性インピーダンス（例えば５０Ω）と一致するよう
に設計する。特性インピーダンスの設計にあたっては、
従来周知の計算機シミュレーション技術を利用すると良
い。

【００４６】次に、図１の（Ｂ）に、第１の実施の形態
の信号伝送基板の断面図を示す。この図１の（Ｂ）で
は、この断面図の中央に設けられた１つの信号伝送線路
１２と、その両側にそれぞれ設けられた接地線路１４と
の間に形成される電界の分布を、両端に矢印を有する曲
線群で模式的に示す。この曲線群で示すように、信号伝
送線路１２を伝送する高周波信号によって発生する電界
は、信号伝送線路１２と直近の接地線路１４との間で主
に分布する。その結果、隣り合った信号伝送線路１２間
での電界の発生を抑制することができる。このため、信
号伝送線路１２間のクロストークの低減を図ることがで
きる。

【００４７】特に、第１の実施の形態の信号伝送基板１
００においては、接地線路１４を基板１０中に埋め込ん
であるので、基板１０の第１主表面１０ａの上側および
基板１０中にそれぞれ発生する電界のうち、基板１０中
に発生する電界が、より効果的に信号伝送線路１２と接
地線路１４との間に分布する。その結果、隣り合った信
号伝送線路１２間での電界の発生をより効果的に抑制す
ることができる。このため、信号伝送線路１２間のクロ
ストークのより効果的な低減を図ることができる。

【００４８】（第２の実施の形態）第２の実施の形態で
は、図２を参照して、この発明の第１の信号伝送基板の
例について説明する。図２は、第２の実施の形態の信号
伝送基板の説明に供する、信号の伝送方向に直交する切
り口での断面図である。尚、第２の実施の形態において
は、図１に示した第１の実施の形態の信号伝送線路基板
１００の構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付
して、その詳細な説明を省略する。

【００４９】第２の実施の形態の信号伝送基板１０２
は、誘電体基板１０の、第１主表面１０ａに対向する裏
面である第２主表面１０ｂ上全面に裏面電極１６を具え
ている。ここでは、裏面電極１６を金メッキで形成して
ある。

【００５０】この信号伝送基板１０２においては、信号
伝送線路１２を伝送する高周波信号によって発生する電
界は、その信号伝送線路１２とその直近の接地線路１４
との間の他に、その信号伝送線路１２と裏面電極１６と
の間にも分布する。このため、この信号伝送基板１０２
においては、基板１０中に発生する電界が、隣り合った
信号伝送線路１２間で分布することをより一層抑制する
ことができる。その結果、第２の実施の形態において
は、信号伝送線路１２間のクロストークを、第１の実施
の形態の場合のクロストークよりも、一層効果的に抑制
することができる。

【００５１】（第３の実施の形態）第３の実施の形態で
は、図３を参照して、この発明の第１の信号伝送基板お
よび第４の信号伝送基板の例について併せて説明する。
図３は、第３の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る、信号の伝送方向に直交する切り口での断面図であ
る。尚、第３の実施の形態においては、図１に示した第
１の実施の形態の信号伝送線路基板１００の構成成分と
同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳細な説
明を省略する。

【００５２】第３の実施の形態の信号伝送基板１０６
は、誘電体基板１０の、第１主表面１０ａに対向する裏
面である第２主表面１０ｂのうち、信号伝送線路１２の
裏側に相当する部分に、裏面側溝１８を具えている。そ
して、この裏面側溝１８に、接地用の裏面電極１６ａを
設けている。この実施の形態では、裏面電極１６ａを、
裏面側溝１８だけではなく、第２主表面１０ｂ側全面に
金メッキにより設けている。

【００５３】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
は、ストライプ形状の溝であって、その断面形状を台形
とする。そして、この裏面側溝１８は、信号伝送線路１
２と平行にこれら信号伝送線路１２の延在方向に延在さ
せて設けてある。また、この裏面側溝１８の側面は、溝
１８の底面での幅が溝１８の間口での幅よりも狭くなる
ように、傾斜している。また、この裏面側溝１８の間口
の幅は、例えば０．４ｍｍ程度以上とする。また、この
裏面側溝１８の第２主表面１０ｂから第１主表面１０ａ
側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。

【００５４】このように、裏面側溝１８に裏面電極１６
ａを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ａとの
間にも電界が分布する。このため、基板１０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１の実施の形態の場合よりも、一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロスト
ークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【００５５】尚、第３の実施の形態では、第２主表面１
０ｂ側全面に裏面電極１６ａを形成したが、この発明で
は、例えば、裏面側溝１８の表面にのみ裏面電極１６ａ
を形成しても良い。また、裏面側溝１８を形成すれば、
基板１０の反りが抑制される効果が期待される。

【００５６】（第４の実施の形態）第４の実施の形態で
は、図４を参照して、この発明の第１の信号伝送基板お
よび第５の信号伝送基板の例について併せて説明する。
図４は、第４の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る、信号の伝送方向に直交する切り口での断面図であ
る。尚、第４の実施の形態においては、図１に示した第
１の実施の形態の信号伝送線路基板１００の構成成分と
同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳細な説
明を省略する。

【００５７】この実施の形態の信号伝送基板１０８は、
誘電体基板１０の、第１主表面１０ａに対向する裏面で
ある第２主表面１０ｂのうち、信号伝送線路１２間の裏
側に相当する部分に、裏面側溝２０を具えている。そし
て、この裏面側溝２０に、接地用の裏面電極１６ｂを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ｂを、裏
面側溝２０だけではなく、第２主表面１０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【００５８】また、この実施の形態では、裏面側溝２０
は、ストライプ形状の溝であって、信号伝送線路１２と
平行にその延在方向に延在させて設けてある。また、こ
の裏面側溝２０は、その断面形状をＶ字形状とする。こ
の裏面側溝２０の間口の幅は、例えば０．２ｍｍ程度以
上とする。また、この裏面側溝２０の第２主表面１０ｂ
から第１主表面１０ａ側に向かう深さは、例えば０．２
ｍｍ程度以上とする。

【００５９】このように、裏面側溝２０に裏面電極１６
ｂを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ｂとの
間にも電界が分布する。このため、基板１０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１の実施の形態の場合よりも、一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロスト
ークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【００６０】また、裏面側溝２０を信号伝送線路１２間
の裏側に相当する部分に形成した場合、裏面側溝２０に
形成される裏面電極１６ｂと信号伝送線路１２との距離
を長くとることができる。このため、特性インピーダン
スに対する裏面電極１６ｂの影響は小さい。その結果、
特性インピーダンスを考慮せずに裏面電極１６ｂの配置
条件を緩和することもできる。

【００６１】尚、第４の実施の形態では、第２主表面１
０ｂ側全面に裏面電極１６ｂを形成したが、この発明で
は、例えば、裏面側溝２０の表面にのみ裏面電極１６ｂ
を形成しても良い。また、裏面側溝２０を形成すれば、
基板１０の反りが抑制される効果が期待される。

【００６２】（第５の実施の形態）第５の実施の形態で
は、図５を参照して、この発明の第１の信号伝送基板の
例について説明する。図５の（Ａ）は、第５の実施の形
態の信号伝送基板の説明に供する断面斜視図である。ま
た、図５の（Ｂ）は、第５の実施の形態の信号伝送基板
およびその電界分布の説明に供する、信号の伝送方向に
直交する切り口での断面図である。尚、第５の実施の形
態においては、図１に示した第１の実施の形態の信号伝
送線路基板１００の構成成分と同一の構成成分には同一
の符号を付して、その詳細な説明を省略する。

【００６３】図５の（Ａ）に示すように、この実施の形
態の信号伝送基板１１０では、接地線路１４の露出部分
が、第１主表面１０ａ上に突出している。この突出させ
た部分１４ａの第１主表面１０ａからの高さは、例えば
０．２ｍｍ以上とすると良い。また、この実施の形態に
おける接地線路１４は、例えば、セラミック基板１０の
第１主表面１０ａの信号伝送線路１２間の部分に溝を形
成して、この溝に金属棒を部分的に例えば直径の半分だ
け埋めて形成しても良い。

【００６４】次に、図５の（Ｂ）に、第５の実施の形態
の信号伝送基板１１０の断面図を示す。この図５の
（Ｂ）では、この断面図の中央に設けられた信号伝送線
路１２と、その両側にそれぞれ設けられた接地線路１４
との間に形成される電界の分布を、両端に矢印を有する
曲線群で模式的に示す。この曲線群で示すように、信号
伝送線路１２を伝送する信号によって発生する電界は、
信号伝送線路１２と直近の接地線路１４との間で主に分
布する。その結果、隣り合った信号伝送線路１２間での
電界の発生を抑制することができる。このため、信号伝
送線路１２間のクロストークの低減を図ることができ
る。

【００６５】特に、この実施の形態の信号伝送基板１１
０では、接地線路１４を第１主表面１０ａ上に突出させ
てあるので、第１主表面１０ａの上側に発生する電界
は、信号電送線路１２とその直近の接地線路１４の突出
部１４ａとの間で主に分布する。このため、第１主表面
１０ａの上側において、隣り合った信号伝送線路１２に
分布する電界の発生を一層抑制することができる。その
結果、信号伝送線路１２のクロストークのより効果的な
低減を図ることができる。

【００６６】（第６の実施の形態）第６の実施の形態で
は、図６を参照して、この発明の第１の信号伝送基板の
例について説明する。図６は、第６の実施の形態の信号
伝送基板の説明に供する、信号の伝送方向に直交する切
り口での断面図である。尚、第６の実施の形態において
は、図５に示した第５の実施の形態の信号伝送線路基板
１１０の構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付
して、その詳細な説明を省略する。

【００６７】第６の実施の形態の信号伝送基板１１２
は、誘電体基板１０の、第１主表面１０ａに対向する裏
面である第２主表面１０ｂ上全面に裏面電極１６を具え
ている。ここでは、裏面電極１６を金メッキで形成して
ある。

【００６８】また、図６の断面図に、この断面図の中央
に設けられた信号伝送線路１２の周囲の電界分布を、両
端に矢印を有する曲線群で模式的に示す。この曲線群で
示すように、この信号伝送基板１１２においては、信号
伝送線路１２を伝送する電気信号によって発生する電界
は、その信号伝送線路１２とその直近の接地線路１４と
の間の他に、その信号伝送線路１２と裏面電極１６との
間にも分布する。このため、この信号伝送基板１１２に
おいては、基板１０中に発生する電界が、隣り合った信
号伝送線路１２間で分布することをより一層抑制するこ
とができる。その結果、第６の実施の形態においては、
信号伝送線路１２間のクロストークを、第５の実施の形
態の場合のクロストークよりも、一層効果的に抑制する
ことができる。

【００６９】（第７の実施の形態）第７の実施の形態で
は、図７を参照して、この発明の第１の信号伝送基板お
よび第４の信号伝送基板の例について併せて説明する。
図７は、第７の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る、信号の伝送方向に直交する切り口での断面図であ
る。尚、第７の実施の形態においては、図５に示した第
５の実施の形態の信号伝送線路基板１１０の構成成分と
同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳細な説
明を省略する。

【００７０】第７の実施の形態の信号伝送基板１１４
は、誘電体基板１０の、第１主表面１０ａに対向する裏
面である第２主表面１０ｂのうち、信号伝送線路の裏側
に相当する部分に、裏面側溝１８を具えている。そし
て、この裏面側溝１８に、接地用の裏面電極１６ａを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ａを、裏
面側溝１８だけではなく、第２主表面１０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【００７１】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
は、信号伝送線路１２の延在方向に延在したストライプ
形状を有していて、その断面形状を台形とする。即ち、
この裏面側溝１８の側面は、溝１８の底面での幅が、溝
１８の間口での幅よりも狭くなるように、傾斜してい
る。また、この裏面側溝１８の間口の幅は、例えば０．
４ｍｍ程度以上とする。また、この裏面側溝１８の第２
主表面１０ｂから第１主表面１０ａ側に向かう深さは、
例えば０．２ｍｍ程度以上とする。

【００７２】このように、裏面側溝１８に裏面電極１６
ａを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ａとの
間にも電界が分布する。このため、基板１０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１の実施の形態の場合よりも一層抑制すること
ができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロストー
クのより一層効果的な低減を図ることができる。

【００７３】尚、第７の実施の形態では、第２主表面１
０ｂ側全面に裏面電極１６ａを形成したが、この発明で
は、例えば、裏面側溝１８の表面にのみ裏面電極１６ａ
を形成しても良い。

【００７４】（第８の実施の形態）第８の実施の形態で
は、図８を参照して、この発明の第１の信号伝送基板お
よび第５の信号伝送基板の例について併せて説明する。
図８は、第８の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る、信号の伝送方向に直交する切り口での断面図であ
る。尚、第８の実施の形態においては、図５に示した第
５の実施の形態の信号伝送線路基板１１０の構成成分と
同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳細な説
明を省略する。

【００７５】この実施の形態の信号伝送基板１１６は、
誘電体基板１０の、第１主表面１０ａに対向する裏面で
ある第２主表面１０ｂのうち、信号伝送線路１２間の裏
側に相当する部分に、裏面側溝２０を具えている。そし
て、この裏面側溝２０に、接地用の裏面電極１６ｂを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６を、裏面
側溝２０だけではなく、第２主表面１０ｂ側全面に金メ
ッキにより設けている。

【００７６】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状をＶ字形状とする。この裏面側溝２０の間口
の幅は、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。また、この
裏面側溝２０の第２主表面１０ｂから第１主表面１０ａ
側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。

【００７７】このように、裏面側溝２０に裏面電極１６
ｂを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ｂとの
間にも電界が分布する。このため、基板１０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第５の実施の形態の場合よりも、一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロスト
ークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【００７８】また、裏面側溝２０を信号伝送線路１２間
の裏側に相当する部分に形成した場合、裏面側溝２０に
形成される裏面電極１６ｂと信号伝送線路１２との距離
を長くとることができる。このため、特性インピーダン
スに対する裏面電極１６ｂの影響は小さい。その結果、
特性インピーダンスを考慮せずに裏面電極１６ｂの配置
条件を緩和することもできる。

【００７９】尚、第８の実施の形態では、第２主表面１
０ｂ側全面に裏面電極１６ｂを形成したが、この発明で
は、例えば、裏面側溝２０の表面にのみ裏面電極１６ｂ
を形成しても良い。

【００８０】（第９の実施の形態）第９の実施の形態で
は、図９を参照して、この発明の第２の信号伝送基板の
例について説明する。図９の（Ａ）は、第９の実施の形
態の信号伝送基板の説明に供する断面斜視図である。ま
た、図９の（Ｂ）は、第９の実施の形態の信号伝送基板
およびその電界分布の説明に供する、信号の伝送方向に
直交する切り口での断面図である。尚、第９の実施の形
態においては、図１に示した第１の実施の形態の信号伝
送線路基板１００の構成成分と同一の構成成分には同一
の符号を付して、その詳細な説明を省略する。

【００８１】第９の実施の形態の信号伝送基板１１８
は、誘電体基板３０の第１主表面３０ａ上に複数の信号
伝送線路１２を具えている。ここでは、誘電体基板３０
として、樹脂基板３０を用いる。この樹脂基板３０の厚
さは、１ｍｍ程度である。また、この樹脂基板の誘電率
は、３程度である。また、誘電体基板３０としては、例
えば、セラミック基板を用いても良い。また、信号伝送
線路１２は、樹脂基板３０上に形成したニッケルの下地
（図示せず）上に金メッキを施して形成してある。

【００８２】そして、この信号伝送基板１１８は、信号
伝送線路１２間の第１主表面３０ａ部分に、断面形状が
Ｖ字形状のＶ字溝２２を具えている。そして、このＶ字
溝２２の斜面２２ａに、信号伝送線路の延在方向に平行
に延在させて、接地線路３４を設けている。このＶ字溝
２２の間口の幅は、０．２ｍｍ程度以上である。また、
このＶ字溝２２の深さは、０．２ｍｍ程度以上である。
また、この接地線路３４も、他の実施の形態の場合と同
様に、電気的に接地（ＧＮＤ）されている。

【００８３】尚、接地線路３４の具体的な寸法および接
地線路３４と信号伝送線路１２との具体的な離間距離の
設計にあたっては、信号伝送線路１２と当該接地線路３
４との間の特性インピーダンスが、この信号伝送基板１
１８の構成する例えば光伝送モジュールを含むシステム
の特性インピーダンス（例えば５０Ω）と一致するよう
に設計する。特性インピーダンスの設計にあたっては、
従来周知の計算機シミュレーション技術を利用すると良
い。

【００８４】また、この接地線路３４の形成にあたって
は、例えば、先ず、このＶ字溝２２に開口部を有するフ
ォトレジストのマスクパタン（図示せず）を形成する。
次に、このマスクパタンの開口部に露出したＶ字溝２２
の斜面２２ａに、無電解メッキにより銅メッキを施す。
次に、この銅メッキを下地として、ニッケルメッキおよ
び金メッキの順に電解メッキを施す。次に、マスクパタ
ンを除去して、接地線路３４を得る。尚、この接地線路
３４を形成する際に、マスクパタンおよびメッキ工程を
共用して、信号伝送線路１２を形成しても良い。

【００８５】また、Ｖ字溝２２の形状は、樹脂基板３０
をインジェクション形成する際に、形成型にＶ字溝形成
用の凸部を設けておくことにより、容易に形成すること
ができる。

【００８６】尚、インジェクション形成によるＶ字溝の
形成にあたっては、溝の断面形状がＶ字形状であるの
で、断面形状が矩形状の溝を形成する場合よりも、形成
型の型抜きがしやすい。このため、Ｖ字溝を形成する場
合は、矩形状の溝を形成する場合よりも、溝の幅を狭く
して、インジェクション形成することが可能である。例
えば、矩形状の溝を形成する際には、形成型の強度を維
持するために、溝の幅が０．４ｍｍ程度以上であること
が必要である。これに対して、Ｖ字溝を形成する際に
は、溝の幅を０．２ｍｍ程度まで狭くすることが可能で
ある。

【００８７】このように、信号伝送線路１２間の第１主
表面３０ａ部分にＶ字溝２２に接地線路３４を設ける
と、信号伝送線路１２を伝送する高周波信号によって発
生する電界は、信号伝送線路１２と直近の接地線路３４
との間で主に分布する。その結果、隣り合った信号伝送
線路１２間での電界の発生を抑制することができる。こ
のため、信号伝送線路１２間のクロストークの低減を図
ることができる。

【００８８】特に、第９の実施の形態の信号伝送基板１
１８においては、Ｖ字溝２２に接地線路３４を設けてあ
るので、基板３０中に発生する電界は、接地線路３４と
信号伝送線路１２との間に効果的に分布する。その結
果、隣り合った信号伝送線路１２間での電界の発生を効
果的に抑制することができる。このため、信号伝送線路
１２間のクロストークのより効果的な低減を図ることが
できる。

【００８９】その上、この信号伝送線基板１１８におい
ては、接地線路３４をＶ字溝２２の斜面２２ａに設けて
あるので、基板３０の第１主表面３０ａの上側に発生す
る電界を、斜面２２ａの接地線路３４と信号伝送線路１
２との間により分布させ易くする効果が期待される。

【００９０】（第１０の実施の形態）第１０の実施の形
態では、この発明の第２の信号伝送基板および第４の信
号伝送基板の例について併せて説明する。図１０は、第
１０の実施の形態の信号伝送基板の説明に供する、信号
の伝送方向に直交する切り口での断面図である。尚、第
１０の実施の形態においては、図９に示した第９の実施
の形態の信号伝送線路基板１１８の構成成分と同一の構
成成分には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略
する。

【００９１】第１０の実施の形態の信号伝送基板１２０
は、樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面
である第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２の裏
側に相当する部分に、裏面側溝１８を具えている。そし
て、この裏面側溝１８に、接地用の裏面電極１６ａを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ａを、裏
面側溝１８だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【００９２】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状を台形とする。即ち、この裏面側溝１８の側
面は、溝１８の底面での幅が溝１８の間口での幅よりも
狭くなるように、傾斜している。また、この裏面側溝１
８の間口の幅は、例えば０．４ｍｍ程度以上とする。ま
た、この裏面側溝１８の第２主表面３０ｂから第１主表
面３０ａ側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上
とする。

【００９３】このように、裏面側溝１８に裏面電極１６
ａを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ａとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第９の実施の形態の場合よりも、一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロスト
ークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【００９４】尚、第１０の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ａを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝１８の表面にのみ裏面電極１６
ａを形成しても良い。

【００９５】（第１１の実施の形態）また、第１１の実
施の形態では、この発明の第２の信号伝送基板および第
５の信号伝送基板の例について併せて説明する。図１１
は、第１１の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る、信号の伝送方向に直交する切り口での断面図であ
る。尚、第１１の実施の形態においては、図９に示した
第９の実施の形態の信号伝送線路基板１１８の構成成分
と同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳細な
説明を省略する。

【００９６】この実施の形態の信号伝送基板１２２は、
樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面であ
る第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２間の裏側
に相当する部分に、裏面側溝２０を具えている。そし
て、この裏面側溝２０に、接地用の裏面電極１６ｂを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ｂを、裏
面側溝２０だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【００９７】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状をＶ字形状とする。この裏面側溝２０の間口
の幅は、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。また、この
裏面側溝２０の第２主表面３０ｂから第１主表面３０ａ
側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。

【００９８】このように、裏面側溝２０に裏面電極１６
ｂを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ｂとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第９の実施の形態の場合よりも、一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロスト
ークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【００９９】また、裏面側溝２０を信号伝送線路１２間
の裏側に相当する部分に形成した場合、裏面側溝２０に
形成される裏面電極１６ｂと信号伝送線路１２との距離
を長くとることができる。このため、特性インピーダン
スに対する裏面電極１６ｂの影響は小さい。その結果、
特性インピーダンスを考慮せずに裏面電極１６ｂの配置
条件を緩和することもできる。

【０１００】尚、第１１の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ｂを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝２０の表面にのみ裏面電極１６
ｂを形成しても良い。

【０１０１】（第１２の実施の形態）また、第１２の実
施の形態では、この発明の第３の信号伝送基板の例につ
いて説明する。図１２は、第１２の実施の形態の信号伝
送基板の説明に供する、信号の伝送方向に直交する切り
口での断面図である。尚、第１２の実施の形態において
は、図１に示した第１の実施の形態の信号伝送線路基板
１００の構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付
して、その詳細な説明を省略する。

【０１０２】第１２の実施の形態の信号伝送基板１２４
は、誘電体基板３０の第１主表面３０ａ上に、複数の信
号伝送線路１２を具えている。ここでは、誘電体基板３
０として、上記の第９の実施の形態と同様に、樹脂基板
３０を用いる。

【０１０３】そして、この信号伝送基板１２４は、信号
伝送線路１２間の第１主表面３０ａ部分に、当該信号伝
送線路１２の延在方向と平行に延在して突出した突出部
２４を具えている。そして、この信号伝送基板１２４
は、この突出部２４の斜面２６に、接地線路３６を設け
てある。この突出部２４の、畝を横断する切り口での断
面形状は、台形状となっている。そして、突出部２４の
底面の幅は、０．４ｍｍ程度以上である。また、突出部
２４の上面の幅は、０．２ｍｍ程度以上である。

【０１０４】尚、接地線路３６の具体的な寸法および接
地線路３４と信号伝送線路１２との具体的な離間距離の
設計にあたっては、信号伝送線路１２と当該接地線路３
６との間の特性インピーダンスが、光伝送モジュールを
含むシステムの特性インピーダンス（例えば５０Ω）と
一致するように設計する。特性インピーダンスの設計に
あたっては、従来周知の計算機シミュレーション技術を
利用すると良い。

【０１０５】また、この接地線路３６の形成にあたって
は、例えば、先ず、この突出部２４に開口部を有するフ
ォトレジストのマスクパタン（図示せず）を形成する。
次に、このマスクパタンの開口部に露出した突出部２４
の斜面２６を含む表面に、無電解メッキにより銅メッキ
を施す。次に、この銅メッキを下地として、ニッケルメ
ッキおよび金メッキの順に電解メッキを施す。次に、マ
スクパタンを除去して、接地線路３６を得る。尚、この
接地線路３６を形成する際に、マスクパタンおよびメッ
キ工程を共用して、信号伝送線路１２を形成すると良
い。また、この接地線路３６も、他の実施の形態の場合
と同様に、電気的に接地（ＧＮＤ）されている。

【０１０６】また、突出部２４の形状は、樹脂基板３０
をインジェクション形成する際に、形成型に突出部形成
用の凹部を設けておくことにより、容易に形成すること
ができる。

【０１０７】このように、信号伝送線路１２間の第１主
表面３０ａの突出部２４の斜面２６に接地線路３６を設
けると、信号伝送線路１２を伝送する高周波信号によっ
て発生する電界は、信号伝送線路１２と直近の接地線路
３６との間で主に分布する。その結果、隣り合った信号
伝送線路１２間での電界の発生を抑制することができ
る。このため、信号伝送線路１２間のクロストークの低
減を図ることができる。

【０１０８】特に、この実施の形態の信号伝送基板１２
４においては、突出部２４の斜面２６に接地線路３６を
設けてあるので、基板３０の第１主表面３０ａの上側お
よび基板３０中にそれぞれ発生する電界のうち、第１主
表面３０ａの上側に発生する電界が、より効果的に信号
伝送線路１２と接地線路３６との間に分布する。その結
果、隣り合った信号伝送線路１２間での電界の発生をよ
り効果的に抑制することができる。このため、信号伝送
線路１２間の第１主表面３０の上側に発生する電界のク
ロストークのより効果的な低減を図ることができる。

【０１０９】尚、この実施の形態においては、接地線路
３６を断面が台形状の突出部の斜面２６および突出部の
上面に設けたが、接地線路３６を斜面２６にのみ設けて
も良い。

【０１１０】また、この実施の形態においては、突出部
の断面形状を台形状としたが、突出部の断面形状は、下
記の変形例に示す形状をはじめとして、任意好適な形状
とすることができる。

【０１１１】（変形例）ここで、図１３を参照して、上
記の第１２の実施の形態の変形例について説明する。図
１３の（Ａ）および（Ｂ）は、第１２の実施の形態の変
形例の信号伝送基板の説明に供する、信号の伝送方向に
直交する切り口での断面図である。

【０１１２】尚、この変形例においては、図１２に示し
た第１２の実施の形態の信号伝送線路基板１２４の構成
成分と同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳
細な説明を省略する。

【０１１３】図１３の（Ａ）に示す変形例の信号伝送基
板１２６においては、突出部２４ａの断面形状を三角形
とする。そして、この三角形の斜面２６ａに、接地線路
３６を設けている。

【０１１４】また、図１３の（Ｂ）に示す変形例の信号
伝送基板１２８においては、突出部２４ｂの断面形状を
半円形とする。そして、この半円形の外周の曲面状の斜
面２６ｂに、接地線路３６を設けている。

【０１１５】（第１３の実施の形態）第１３の実施の形
態では、図１４を参照して、この発明の第３の信号伝送
基板および第４の信号伝送基板の例について併せて説明
する。図１４は、第１３の実施の形態の信号伝送基板の
説明に供する、信号の伝送方向に直交する切り口での断
面図である。尚、第１３の実施の形態においては、図１
２示した第１２実施の形態の信号伝送線路基板１２４の
構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付して、そ
の詳細な説明を省略する。

【０１１６】第１３の実施の形態の信号伝送基板１３０
は、樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面
である第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２の裏
側に相当する部分に、裏面側溝１８を具えている。そし
て、この裏面側溝１８に、接地用の裏面電極１６ａを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ａを、裏
面側溝１８だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【０１１７】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状を台形とする。即ち、この裏面側溝１８の側
面は、溝１８の底面での幅が溝１８の間口での幅よりも
狭くなるように、傾斜している。また、この裏面側溝１
８の間口の幅は、例えば０．４ｍｍ程度以上とする。ま
た、この裏面側溝１８の第２主表面３０ｂから第１主表
面３０ａ側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上
とする。

【０１１８】このように、裏面側溝１８に裏面電極１６
ａを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ａとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１２の実施の形態の場合よりも、一層抑制する
ことができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロス
トークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【０１１９】尚、第１３の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ａを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝１８の表面にのみ裏面電極１６
ａを形成しても良い。

【０１２０】（第１４の実施の形態）第１４の実施の形
態では、図１５を参照して、この発明の第３の信号伝送
基板および第５の信号伝送基板の例について併せて説明
する。図１５は、第１４の実施の形態の信号伝送基板の
説明に供する、信号の伝送方向に直交する切り口での断
面図である。尚、第１４の実施の形態においては、図１
２に示した第１２実施の形態の信号伝送線路基板１２４
の構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付して、
その詳細な説明を省略する。

【０１２１】この実施の形態の信号伝送基板１３２は、
樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面であ
る第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２間の裏側
に相当する部分に、裏面側溝２０を具えている。そし
て、この裏面側溝２０に、接地用の裏面電極１６ｂを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ｂを、裏
面側溝２０だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【０１２２】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状をＶ字形状とする。この裏面側溝２０の間口
の幅は、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。また、この
裏面側溝２０の第２主表面３０ｂから第１主表面３０ａ
側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。

【０１２３】このように、裏面側溝２０に裏面電極１６
ｂを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ｂとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１２の実施の形態の場合よりも、一層抑制する
ことができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロス
トークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【０１２４】また、裏面側溝２０を信号伝送線路１２間
の裏側に相当する部分に形成した場合、裏面側溝２０に
形成される裏面電極１６ｂと信号伝送線路１２との距離
を長くとることができる。このため、特性インピーダン
スに対する裏面電極１６ｂの影響は小さい。その結果、
特性インピーダンスを考慮せずに裏面電極１６ｂの配置
条件を緩和することもできる。

【０１２５】尚、第１４の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ｂを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝２０の表面にのみ裏面電極１６
ｂを形成しても良い。

【０１２６】（第１５の実施の形態）第１５の実施の形
態では、図１６を参照して、この発明の第２の信号伝送
基板および第３の信号伝送基板の例について併せて説明
する。図１６は、第１５の実施の形態の信号伝送基板の
説明に供する、信号の伝送方向に直交する切り口での断
面図である。尚、第１５の実施の形態においては、図１
に示した第１の実施の形態の信号伝送線路基板１００の
構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付して、そ
の詳細な説明を省略する。

【０１２７】第１５の実施の形態の信号伝送基板１３４
は、樹脂基板３０の第１主表面３０ａ上に複数の信号伝
送線路１２を具えている。この樹脂基板３０の厚さは、
１ｍｍ程度である。また、この樹脂基板の誘電率は、３
程度である。また、信号伝送線路１２は、樹脂基板３０
上に形成したニッケルの下地（図示せず）上に金メッキ
を施して形成してある。

【０１２８】そして、この信号伝送基板１３４は、信号
伝送線路１２間の第１主表面３０ａ部分に、断面形状が
Ｖ字形状のＶ字溝２２を２本互いに平行に具えている。
そして、この信号伝送基板１３４は、この２本のＶ字溝
２２間の第１主表面３０ａ部分に、Ｖ字溝２２の延在方
向に平行に延在して突出した突出部２４を具えている。

【０１２９】言い換えれば、信号伝送基板１３４は、信
号伝送線路１２間の第１主表面３０ａ部分に、信号伝送
線路１２の延在方向に平行に延在して突出した突出部２
４を具え、この突出部２４と信号伝送線路１２との間の
第１主表面３０ａ部分に、この突出部２４の延在方向に
平行に延在したＶ字溝２２を具え、このＶ字溝２２の斜
面２６に接地線路３８を具えている。

【０１３０】この実施の形態においては、突出部の畝を
横断する切り口での断面形状を台形状とする。また、こ
こでは、Ｖ字溝２２の斜面２６の片側と突出部の斜面２
６とが連続している。そして、このＶ字溝の斜面２６お
よび突出部２４の斜面２６に、接地線路３８を設けてあ
る。また、この実施の形態では、突出部２４の上面にも
接地線路３８を設けてある。また、この接地線路３８
も、他の実施の形態の場合と同様に、電気的に接地（Ｇ
ＮＤ）されている。

【０１３１】このＶ字溝２２の間口の幅は、約０．２ｍ
ｍである。また、信号伝送線路１２が形成された面を基
準とした、このＶ字溝２２の深さは、約０．２ｍｍであ
る。また、信号伝送線路１２が形成された面を基準とし
た、この突出部２４の高さは、約０．２ｍｍである。ま
た、隣り合った信号伝送線路１２間の２つのＶ字溝２２
の互いに遠い側の縁どうしの間の距離は、約１．１ｍｍ
である。また、Ｖ字溝２２と信号伝送線路１２との離間
距離は、約０．２ｍｍである。

【０１３２】尚、接地線路３８の具体的な寸法および接
地線路３８と信号伝送線路１２との具体的な離間距離の
設計にあたっては、信号伝送線路１２と当該接地線路３
８との間の特性インピーダンスが、光伝送モジュールを
含むシステムの特性インピーダンス（例えば５０Ω）と
一致するように設計する。特性インピーダンスの設計に
あたっては、従来周知の計算機シミュレーション技術を
利用すると良い。

【０１３３】また、この接地線路３８の形成にあたって
は、例えば、先ず、このＶ字溝２２および突出部２４上
に開口部を有するフォトレジストのマスクパタン（図示
せず）を形成する。次に、このマスクパタンの開口部に
露出したＶ字溝２２および突出部２４の斜面２６および
上面に、無電解メッキにより銅メッキを施す。次に、こ
の銅メッキを下地として、ニッケルメッキおよび金メッ
キの順に電解メッキを施す。次に、マスクパタンを除去
して、接地線路３８を得る。尚、この接地線路３８を形
成する際に、マスクパタンおよびメッキ工程を共用し
て、信号伝送線路１２を形成すると良い。

【０１３４】また、Ｖ字溝２２の形状は、樹脂基板３０
をインジェクション形成する際に、形成型にＶ字溝形成
用の凸部および突出部形成の凹部を設けておくことによ
り、容易に形成することができる。

【０１３５】このように、信号伝送線路１２間の第１主
表面３０ａ部分に、２本のＶ字溝２２およびそのＶ字溝
２２に挟まれた突出部２４を設けて、そのＶ字溝２２お
よび突出部２４の斜面２６に接地線路３８を設ければ、
信号伝送線路１２を伝送する高周波信号によって発生す
る電界は、その信号伝送線路１２と接地線路３８との間
で主に分布する。その結果、隣り合った信号伝送線路間
での電界の発生を抑制することができる。このため、信
号伝送線路間のクロストークの低減を図ることができ
る。

【０１３６】特に、この実施の形態においては、第１主
表面の上側に発生する電界は、信号伝送線路１２と突出
部２４の斜面２６に形成された接地線路３８部分との間
で主に分布する。また、基板３０中に発生する電界は、
信号伝送線路１２とＶ字溝２２の斜面２６に形成された
接地線路３８部分との間で主に分布する。このため、こ
の実施の形態の信号伝送基板１３４によれば、隣り合っ
た信号伝送線路間での電界の分布を、上述の第９および
第１２の実施の形態での信号伝送基板１１８および１２
４の場合よりも、効果的に抑制することができる。この
ため、この信号伝送基板１３４では、信号伝送線路１２
間のクロストークのより一層の低減を図ることができ
る。

【０１３７】（第１６の実施の形態）第１６の実施の形
態では、図１７を参照して、この発明の第２、第３およ
び第４の信号伝送基板の例について併せて説明する。図
１７は、第１６の実施の形態の信号伝送基板の説明に供
する、信号の伝送方向に直交する切り口での断面図であ
る。尚、第１６の実施の形態においては、図１６に示し
た第１５の実施の形態の信号伝送線路基板１３４の構成
成分と同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳
細な説明を省略する。

【０１３８】第１６の実施の形態の信号伝送基板１３６
は、樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面
である第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２の裏
側に相当する部分に、裏面側溝１８を具えている。そし
て、この裏面側溝１８に、接地用の裏面電極１６ａを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ａを、裏
面側溝１８だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【０１３９】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状を台形とする。即ち、この裏面側溝１８の側
面は、溝１８の底面での幅が溝１８の間口での幅よりも
狭くなるように、傾斜している。また、この裏面側溝１
８の間口の幅は、例えば０．４ｍｍ程度以上とする。ま
た、この裏面側溝１８の第２主表面３０ｂから第１主表
面３０ａ側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上
とする。

【０１４０】このように、裏面側溝１８に裏面電極１６
ａを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ａとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１５の実施の形態の場合よりも、一層抑制する
ことができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロス
トークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【０１４１】尚、第１６の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ａを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝１８の表面にのみ裏面電極１６
ａを形成しても良い。

【０１４２】（第１７の実施の形態）第１７の実施の形
態では、図１８を参照して、この発明の第２、第３およ
び第５の信号伝送基板の例について併せて説明する。図
１８は、第１７の実施の形態の信号伝送基板の説明に供
する、信号の伝送方向に直交する切り口での断面図であ
る。尚、第１７の実施の形態においては、図１６に示し
た第１５の実施の形態の信号伝送線路基板１３４の構成
成分と同一の構成成分には同一の符号を付して、その詳
細な説明を省略する。

【０１４３】第１７の実施の形態の信号伝送基板１３８
は、樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面
である第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２間の
裏側に相当する部分に、裏面側溝２０を具えている。そ
して、この裏面側溝２０に、接地用の裏面電極１６ｂを
設けている。この実施の形態では、裏面電極１６ｂを、
裏面側溝２０だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に
金メッキにより設けている。

【０１４４】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状をＶ字形状とする。この裏面側溝２０の間口
の幅は、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。また、この
裏面側溝２０の第２主表面３０ｂから第１主表面３０ａ
側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。

【０１４５】このように、裏面側溝２０に裏面電極１６
ｂを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ｂとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１５の実施の形態の場合よりも、一層抑制する
ことができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロス
トークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【０１４６】また、裏面側溝２０を信号伝送線路１２間
の裏側に相当する部分に形成した場合、裏面側溝２０に
形成される裏面電極１６ｂと信号伝送線路１２との距離
を長くとることができる。このため、特性インピーダン
スに対する裏面電極１６ｂの影響は小さい。その結果、
特性インピーダンスを考慮せずに裏面電極１６ｂの配置
条件を緩和することもできる。

【０１４７】尚、第１７の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ｂを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝２０の表面にのみ裏面電極１６
ｂを形成しても良い。

【０１４８】（第１８の実施の形態）第１８の実施の形
態では、図１９を参照して、この発明の第４の信号伝送
基板の例について説明する。図１９は、第１８の実施の
形態の信号伝送基板の説明に供する、信号の伝送方向に
直交する切り口での断面図である。尚、第１８の実施の
形態においては、図１に示した第１の実施の形態の信号
伝送線路基板１００の構成成分と同一の構成成分には同
一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。

【０１４９】第１８の実施の形態の信号伝送基板１４０
は、樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面
である第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２の裏
側に相当する部分に、裏面側溝１８を具えている。そし
て、この裏面側溝１８に、接地用の裏面電極１６ａを設
けている。この実施の形態では、裏面電極１６ａを、裏
面側溝１８だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に金
メッキにより設けている。

【０１５０】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状を台形とする。即ち、この裏面側溝１８の側
面は、溝１８の底面での幅が溝１８の間口での幅よりも
狭くなるように、傾斜している。また、この裏面側溝１
８の間口の幅は、例えば０．４ｍｍ程度以上とする。ま
た、この裏面側溝１８の第２主表面３０ｂから第１主表
面３０ａ側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上
とする。

【０１５１】このように、裏面側溝１８に裏面電極１６
ａを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ａとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１の実施の形態の場合よりも、一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロスト
ークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【０１５２】尚、第１８の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ａを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝１８の表面にのみ裏面電極１６
ａを形成しても良い。

【０１５３】（第１９の実施の形態）第１９の実施の形
態では、図２０を参照して、この発明の第５の信号伝送
基板の例について説明する。図２０は、第１９の実施の
形態の信号伝送基板の説明に供する、信号の伝送方向に
直交する切り口での断面図である。尚、第１９の実施の
形態においては、図１に示した第１の実施の形態の信号
伝送線路基板１００の構成成分と同一の構成成分には同
一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。

【０１５４】第１９の実施の形態の信号伝送基板１４２
は、樹脂基板３０の、第１主表面３０ａに対向する裏面
である第２主表面３０ｂのうち、信号伝送線路１２間の
裏側に相当する部分に、裏面側溝２０を具えている。そ
して、この裏面側溝２０に、接地用の裏面電極１６ｂを
設けている。この実施の形態では、裏面電極１６ｂを、
裏面側溝２０だけではなく、第２主表面３０ｂ側全面に
金メッキにより設けている。

【０１５５】また、この実施の形態では、裏面側溝１８
の断面形状をＶ字形状とする。この裏面側溝２０の間口
の幅は、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。また、この
裏面側溝２０の第２主表面３０ｂから第１主表面３０ａ
側に向かう深さは、例えば０．２ｍｍ程度以上とする。

【０１５６】このように、裏面側溝２０に裏面電極１６
ｂを設ければ、信号伝送線路１２と裏面電極１６ｂとの
間にも電界が分布する。このため、基板３０中におい
て、隣り合った信号伝送線路１２間に分布する電界の発
生を、第１の実施の形態の場合よりも、一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路１２間のクロスト
ークのより一層効果的な低減を図ることができる。

【０１５７】また、裏面側溝２０を信号伝送線路１２間
の裏側に相当する部分に形成した場合、裏面側溝２０に
形成される裏面電極１６ｂと信号伝送線路１２との距離
を長くとることができる。このため、特性インピーダン
スに対する裏面電極１６ｂの影響は小さい。その結果、
特性インピーダンスを考慮せずに裏面電極１６ｂの配置
条件を緩和することもできる。

【０１５８】尚、第１９の実施の形態では、第２主表面
３０ｂ側全面に裏面電極１６ｂを形成したが、この発明
では、例えば、裏面側溝２０の表面にのみ裏面電極１６
ｂを形成しても良い。

【０１５９】上述した実施の形態では、これらの発明を
特定の材料を用い、特定の条件で構成した例についての
み説明したが、これらの発明は多くの変更および変形を
行うことができる。例えば、上述した実施の形態では、
直線状の複数の信号伝送線路を平行に並べてある場合に
ついて説明したが、この発明では、信号伝送線路の形状
は、これに限定されるものではない。例えば、信号伝送
線路どうしの間隔が不均一であっても良い。また、信号
伝送線路は直線でなくとも良い。

【０１６０】また、上述した実施の形態では、接地線
路、Ｖ字溝及び突出部をそれぞれ信号伝送線路の延在方
向と平行に延在させたが、この発明では、これらは、信
号伝送線路の延在方向に沿っていれば良く、必ずしも平
行である必要はない。

【０１６１】また、上述した実施の形態では、Ｖ字溝の
斜面全体に接地線路を形成したが、この発明では、例え
ば、Ｖ字溝の片側の斜面のみ、或いは、斜面の一部分に
のみ信号伝送線路の延在方向に沿って延在させた接地線
路を設けても良い。

【０１６２】

【発明の効果】この発明の第１の信号伝送基板によれ
ば、信号伝送線路間の誘電体基板に埋め込まれた接地線
路を設けてあるので、信号伝送線路を伝送する信号によ
って発生する電界は、信号伝送線路と直近の接地線路と
の間で主に分布する。その結果、隣り合った信号伝送線
路間での電界の発生を抑制することができる。このた
め、信号伝送線路間のクロストークの低減を図ることが
できる。

【０１６３】特に、この発明の第１の信号伝送基板にお
いては、接地線路を基板中に埋め込んであるので、基板
の第１主表面の上側および基板中にそれぞれ発生する電
界のうち、基板中に発生する電界が、より効果的に信号
伝送線路と接地線路との間に分布する。その結果、隣り
合った信号伝送線路間での電界の発生をより効果的に抑
制することができる。このため、信号伝送線路間のクロ
ストークのより効果的な低減を図ることができる。

【０１６４】また、この発明の第１の信号伝送基板にお
いて、接地線路を第１主表面上にも突出させれば、第１
主表面の上側に発生する電界は、信号電送線路とその直
近の突出部に形成された接地線路との間で主に分布す
る。このため、第１主表面の上側において、隣り合った
信号伝送線路間に分布する電界の発生を一層抑制するこ
とができる。その結果、信号伝送線路間のクロストーク
のより効果的な低減を図ることができる。

【０１６５】また、この発明の第２の信号伝送基板によ
れば、信号伝送線路間の誘電体基板にＶ字溝に接地線路
を設けてあるので、信号伝送線路を伝送する信号によっ
て発生する電界は、信号伝送線路と直近の接地線路との
間で主に分布する。その結果、隣り合った信号伝送線路
間での電界の発生を抑制することができる。このため、
信号伝送線路間のクロストークの低減を図ることができ
る。

【０１６６】特に、この発明の第２の信号伝送基板にお
いては、Ｖ字溝に接地線路を設けてあるので、基板中に
発生する電界は、接地線路と信号伝送線路との間に効果
的に分布する。その結果、隣り合った信号伝送線路間で
の電界の発生を効果的に抑制することができる。このた
め、信号伝送線路間のクロストークのより効果的な低減
を図ることができる。

【０１６７】その上、この発明の第２の信号伝送線基板
においては、接地線路をＶ字溝の斜面に設けてあるの
で、基板の第１主表面の上側に発生する電界を、斜面の
接地線路と信号伝送線路との間により分布させ易くする
効果が期待される。

【０１６８】また、この発明の第２の信号伝送基板にお
いて、信号伝送線路間に、Ｖ字溝を２本具え、この２本
のＶ字溝間の突出部の斜面に、接地線路を設ければ、第
１主表面の上側に発生する電界は、信号電送線路とその
直近の突出部に形成された接地線路との間で主に分布す
る。その結果、第１主表面の上側において、隣り合った
信号伝送線路間での電界の発生をより効果的に抑制する
ことができる。このため、信号伝送線路間のクロストー
クのより一層効果的な低減を図ることができる。

【０１６９】また、この発明の第３の信号伝送基板によ
れば、信号伝送線路間の誘電体基板の突出部の斜面に接
地線路を設けてあるので、信号伝送線路を伝送する信号
によって発生する電界は、信号伝送線路と直近の接地線
路との間で主に分布する。その結果、隣り合った信号伝
送線路間での電界の発生を抑制することができる。この
ため、信号伝送線路間のクロストークの低減を図ること
ができる。

【０１７０】特に、この発明の第３の信号伝送基板にお
いては、突出部の斜面に接地線路を設けてあるので、基
板の第１主表面の上側および基板中にそれぞれ発生する
電界のうち、第１主表面の上側に発生する電界が、より
効果的に信号伝送線路と接地線路との間に分布する。そ
の結果、隣り合った信号伝送線路間での電界の発生をよ
り効果的に抑制することができる。このため、信号伝送
線路間の第１主表面の上側に発生する電界のクロストー
クのより効果的な低減を図ることができる。

【０１７１】また、この発明の第３の信号伝送基板にお
いて、信号伝送線路と突出部との間の誘電体基板部分の
Ｖ字溝の斜面に接地線路を設ければ、基板中の電界は、
信号電送線路とその直近のＶ字溝に形成された接地線路
との間でより効率的に分布する。このため、基板中に発
生する電界によるクロストークのより効果的な低減も図
ることができる。

【０１７２】また、この発明の第４の信号伝送基板によ
れば、信号伝送線路の裏側の裏面側溝に裏面電極を設け
てあるので、信号伝送線路と裏面電極との間にも電界が
分布する。その結果、基板中において、隣り合った信号
伝送線路間での電界の発生を抑制することができる。こ
のため、信号伝送線路間のクロストークのより一層効果
的な低減を図ることができる。

【０１７３】また、この発明の第５の信号伝送基板によ
れば、信号伝送線路間の裏側の裏面側溝に裏面電極を設
けてあるので、信号伝送線路と裏面電極との間にも電界
が分布する。その結果、基板中において、隣り合った信
号伝送線路間での電界の発生を抑制することができる。
このため、信号伝送線路間のクロストークのより一層効
果的な低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は、第１の実施の形態の信号伝送基板の
説明に供する断面斜視図であり、（Ｂ）は、第１の実施
の形態の信号伝送基板の電界分布の説明に供する断面図
である。

【図２】第２の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る断面図である。

【図３】第３の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る断面図である。

【図４】第４の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る断面図である。

【図５】（Ａ）は、第５の実施の形態の信号伝送基板の
説明に供する断面斜視図であり、（Ｂ）は、第５の実施
の形態の信号伝送基板の電界分布の説明に供する断面図
である。

【図６】第６の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る断面図である。

【図７】第７の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る断面図である。

【図８】第８の実施の形態の信号伝送基板の説明に供す
る断面図である。

【図９】（Ａ）は、第９の実施の形態の信号伝送基板の
説明に供する断面斜視図であり、（Ｂ）は、第９の実施
の形態の信号伝送基板の電界分布の説明に供する断面図
である。

【図１０】第１０の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【図１１】第１１の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【図１２】（Ａ）は、第１２の実施の形態の信号伝送基
板の説明に供する断面斜視図であり、（Ｂ）は、第１２
の実施の形態の信号伝送基板の電界分布の説明に供する
断面図である。

【図１３】（Ａ）および（Ｂ）は、第１２の実施の形態
の変形例の説明に供する断面図である。

【図１４】第１３の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【図１５】第１４の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【図１６】（Ａ）は、第１５の実施の形態の信号伝送基
板の説明に供する断面斜視図であり、（Ｂ）は、第１５
の実施の形態の信号伝送基板の電界分布の説明に供する
断面図である。

【図１７】第１６の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【図１８】第１７の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【図１９】第１８の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【図２０】第１９の実施の形態の信号伝送基板の説明に
供する断面図である。

【符号の説明】

１０：誘電体基板（セラミック基板） １０ａ：第１主表面 １０ｂ：第２主表面 １２：信号伝送線路 １４：接地線路 １４ａ：突出部 １６、１６ａ、１６ｂ：裏面電極 １８、２０：裏面側溝 ２２：Ｖ字溝 ２２ａ：斜面 ２４、２４ａ、２４ｂ：突出部 ２６、２６ａ、２６ｂ：斜面 ３０：誘電体基板（樹脂基板） ３０ａ：第１主表面 ３０ｂ：第２主表面 ３４、３６、３８：接地線路 １００，１０２，１０６，１０８，１１０，１１２，１
１４，１１６，１１８，１２０，１２２，１２４，１２
６，１２８，１３０，１３２，１３４，１３６，１３
８，１４０，１４２：信号伝送基板

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板の第１主表面上に複数の信号
   伝送線路を具えた信号伝送基板において、 前記信号伝送線路間の誘電体基板部分に、当該信号伝送
   路の延在方向に沿って延在した接地線路を、当該信号伝
   送線路から離間させて前記第１主表面に露出させて埋め
   込んでなることを特徴とする信号伝送基板。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の信号伝送基板におい
   て、 前記接地線路の露出部分は、前記第１主表面上に突出し
   てなることを特徴とする信号伝送基板。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の信号伝送基板におい
   て、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
   号伝送線路の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
   特徴とする信号伝送基板。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の信号伝送基板におい
   て、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
   号伝送線路間の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具
   え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
   特徴とする信号伝送基板。
5. 【請求項５】 誘電体基板の第１主表面上に複数の信号
   伝送線路を具えた信号伝送基板において、 前記信号伝送線路間の第１主表面部分に、断面形状がＶ
   字形状のＶ字溝を、当該信号伝送線路の延在方向に沿っ
   て延在させて設けてあり、 前記Ｖ字溝の斜面に、接地線路を具えてなることを特徴
   とする信号伝送基板。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の信号伝送基板におい
   て、 前記信号伝送線路間の第１主表面部分に、前記Ｖ字溝を
   ２本具え、 ２本の前記Ｖ字溝間の第１主表面部分に、当該Ｖ字溝の
   延在方向に沿って延在して突出した突出部を具え、 前記突出部の斜面に、接地線路を具えてなることを特徴
   とする信号伝送基板。
7. 【請求項７】 請求項５に記載の信号伝送基板におい
   て、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
   号伝送線路の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
   特徴とする信号伝送基板。
8. 【請求項８】 請求項５に記載の信号伝送基板におい
   て、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
   号伝送線路間の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具
   え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
   特徴とする信号伝送基板。
9. 【請求項９】 誘電体基板の第１主表面上に複数の信号
   伝送線路を具えた信号伝送基板において、 前記信号伝送線路間の第１主表面部分に、当該信号伝送
   線路の延在方向に沿って延在して突出した突出部を具
   え、 前記突出部の斜面に、接地線路を具えてなることを特徴
   とする信号伝送基板。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の信号伝送基板におい
    て、 前記信号伝送線路と前記突出部との間の第１主表面部分
    に、断面形状がＶ字形状のＶ字溝を、当該突出部の延在
    方向に沿って延在させて設けてあり、 前記Ｖ字溝の斜面に、接地線路を具えてなることを特徴
    とする信号伝送基板。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載の信号伝送基板におい
    て、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
    号伝送線路の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
    特徴とする信号伝送基板。
12. 【請求項１２】 請求項９に記載の信号伝送基板におい
    て、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
    号伝送線路間の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具
    え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
    特徴とする信号伝送基板。
13. 【請求項１３】 誘電体基板の第１主表面上に複数の信
    号伝送線路を具えた信号伝送基板において、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
    号伝送線路の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
    特徴とする信号伝送基板。
14. 【請求項１４】 誘電体基板の第１主表面上に複数の信
    号伝送線路を具えた信号伝送基板において、 前記誘電体基板の裏面である第２主表面のうち、前記信
    号伝送線路間の裏側に相当する部分に、裏面側溝を具
    え、 前記裏面側溝に、接地用の裏面電極を具えてなることを
    特徴とする信号伝送基板。