JPH11267477A - 水素透過膜及びその作製方法 - Google Patents
水素透過膜及びその作製方法Info
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- JPH11267477A JPH11267477A JP9687498A JP9687498A JPH11267477A JP H11267477 A JPH11267477 A JP H11267477A JP 9687498 A JP9687498 A JP 9687498A JP 9687498 A JP9687498 A JP 9687498A JP H11267477 A JPH11267477 A JP H11267477A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多孔質支持体の表面細孔に影響されることな
く、多孔質支持体に対してピンホールのない緻密な水素
透過性金属膜を形成してなる水素透過膜を得る。 【解決手段】多孔質支持体の表面に水素透過性金属膜を
有する水素透過膜であって、該水素透過性金属膜が該多
孔質支持体の表面に対してイオンプレーティング法によ
り形成されてなることを特徴とする水素透過膜及びその
作製方法。
く、多孔質支持体に対してピンホールのない緻密な水素
透過性金属膜を形成してなる水素透過膜を得る。 【解決手段】多孔質支持体の表面に水素透過性金属膜を
有する水素透過膜であって、該水素透過性金属膜が該多
孔質支持体の表面に対してイオンプレーティング法によ
り形成されてなることを特徴とする水素透過膜及びその
作製方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水素透過膜及びそ
の作製方法に関し、より具体的には多孔質の支持体に水
素透過性金属膜を形成してなる水素透過膜及びその作製
方法に関する。
の作製方法に関し、より具体的には多孔質の支持体に水
素透過性金属膜を形成してなる水素透過膜及びその作製
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】水素ガスは不飽和結合への水素添加用、
酸水素炎用その他各種用途に供される基礎原料であり、
燃料電池用の燃料としても利用される。水素ガスの工業
的製造方法としては水の電解法、石炭やコークスのガス
化法、液体燃料のガス化法、ガス体燃料の変成法、コー
クス炉ガスの液化分離法、メタノールやアンモニアの分
解法など各種の方法が知られている。
酸水素炎用その他各種用途に供される基礎原料であり、
燃料電池用の燃料としても利用される。水素ガスの工業
的製造方法としては水の電解法、石炭やコークスのガス
化法、液体燃料のガス化法、ガス体燃料の変成法、コー
クス炉ガスの液化分離法、メタノールやアンモニアの分
解法など各種の方法が知られている。
【０００３】一例として上記ガス体燃料の変成法は通常
水蒸気改質により行われるが、得られる改質ガスには主
成分である水素のほか、副生成分としてＣＯ、ＣＯ2、
また余剰Ｈ2Ｏ が含まれている。このような改質ガスを
例えば燃料電池にそのまま使用したのでは電池性能を阻
害してしまう。燃料電池のうちＰＡＦＣで用いる水素ガ
ス中のＣＯは１％、ＰＥＦＣでは１００ｐｐｍが限度で
あり、これらを越えると電池性能が著しく劣化する。
水蒸気改質により行われるが、得られる改質ガスには主
成分である水素のほか、副生成分としてＣＯ、ＣＯ2、
また余剰Ｈ2Ｏ が含まれている。このような改質ガスを
例えば燃料電池にそのまま使用したのでは電池性能を阻
害してしまう。燃料電池のうちＰＡＦＣで用いる水素ガ
ス中のＣＯは１％、ＰＥＦＣでは１００ｐｐｍが限度で
あり、これらを越えると電池性能が著しく劣化する。
【０００４】このため、それら副生成分は燃料電池へ導
入する前に除去する必要がある。また不飽和結合への水
素添加用あるいは酸水素炎用の水素は通常ボンベに詰め
たものが使用されており、純度は５Ｎ以上が要求されて
いる。そのような高純度の水素得るための水素の精製法
としては各種あり得るが、その例としてはＰＳＡ法、高
分子膜法、Ｐｄ膜法等の水素透過膜法などが考えられ
る。
入する前に除去する必要がある。また不飽和結合への水
素添加用あるいは酸水素炎用の水素は通常ボンベに詰め
たものが使用されており、純度は５Ｎ以上が要求されて
いる。そのような高純度の水素得るための水素の精製法
としては各種あり得るが、その例としてはＰＳＡ法、高
分子膜法、Ｐｄ膜法等の水素透過膜法などが考えられ
る。
【０００５】これらのうち水素透過膜法では、Ｐｄ膜等
の水素透過膜が水素のみを選択的に透過させる特性を利
用するものである。このための水素透過膜の製造方法と
して幾つかの提案がなされている。特開昭６３ー２９４
９２５号では、多数の小孔を有する耐熱性多孔体の表面
にＰｄ薄膜、その上に銅薄膜を共に化学メッキ法により
形成し、次いで熱処理して製造している。特開平１ー１
６４４１９号ではＰｄ薄膜上に銀薄膜を形成する点以外
は上記特開昭６３ー２９４９２５号の場合と同様であ
る。これら化学メッキ法はメッキ溶液を用いる１種のウ
ェットプロセスである。
の水素透過膜が水素のみを選択的に透過させる特性を利
用するものである。このための水素透過膜の製造方法と
して幾つかの提案がなされている。特開昭６３ー２９４
９２５号では、多数の小孔を有する耐熱性多孔体の表面
にＰｄ薄膜、その上に銅薄膜を共に化学メッキ法により
形成し、次いで熱処理して製造している。特開平１ー１
６４４１９号ではＰｄ薄膜上に銀薄膜を形成する点以外
は上記特開昭６３ー２９４９２５号の場合と同様であ
る。これら化学メッキ法はメッキ溶液を用いる１種のウ
ェットプロセスである。
【０００６】一方、真空蒸着法などのドライプロセスに
よる成膜法が考えられる。ところがこれまで、ドライプ
ロセスにより多孔体にピンホールのない膜を作製する方
法は現実にはないのが現状である。真空蒸着法などのド
ライプロセスは緻密な薄膜を作製できるプロセスの１つ
であり、無公害の成膜法として適用できる。しかし本発
明者等の実験によれば、気相中の膜材料は基板に対して
一方向から付着して成長するため、多孔体の穴（細孔）
の部分には成膜できず、このためピンホールのない膜を
作製することは不可能であった。
よる成膜法が考えられる。ところがこれまで、ドライプ
ロセスにより多孔体にピンホールのない膜を作製する方
法は現実にはないのが現状である。真空蒸着法などのド
ライプロセスは緻密な薄膜を作製できるプロセスの１つ
であり、無公害の成膜法として適用できる。しかし本発
明者等の実験によれば、気相中の膜材料は基板に対して
一方向から付着して成長するため、多孔体の穴（細孔）
の部分には成膜できず、このためピンホールのない膜を
作製することは不可能であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、各種の
ドライプロセスについてさらに追求したところ、多孔質
の支持体の表面に対して特にイオンプレーティング法を
適用することにより、該表面に対して直接に水素透過性
金属膜をピンホールなく作製できることを見い出した。
すなわち、本発明はイオンプレーティング法を用いるこ
とにより、水素透過性の金属を多孔質支持体の表面にピ
ンホールなく成膜する方法及びこれにより得られる水素
透過膜を提供することを目的とする。
ドライプロセスについてさらに追求したところ、多孔質
の支持体の表面に対して特にイオンプレーティング法を
適用することにより、該表面に対して直接に水素透過性
金属膜をピンホールなく作製できることを見い出した。
すなわち、本発明はイオンプレーティング法を用いるこ
とにより、水素透過性の金属を多孔質支持体の表面にピ
ンホールなく成膜する方法及びこれにより得られる水素
透過膜を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は（１）多孔質支
持体の表面に水素透過性金属膜を有する水素透過膜であ
って、該水素透過性金属膜が該多孔質支持体の表面に対
してイオンプレーティング法により形成されてなること
を特徴とする水素透過膜を提供し、また本発明は（２）
多孔質支持体の表面に２種以上の水素透過性金属膜が層
状に積層されてなる水素透過膜であって、該各水素透過
性金属膜が該多孔質支持体の表面に対してイオンプレー
ティング法により順次積層して形成されてなることを特
徴とする水素透過膜を提供する。
持体の表面に水素透過性金属膜を有する水素透過膜であ
って、該水素透過性金属膜が該多孔質支持体の表面に対
してイオンプレーティング法により形成されてなること
を特徴とする水素透過膜を提供し、また本発明は（２）
多孔質支持体の表面に２種以上の水素透過性金属膜が層
状に積層されてなる水素透過膜であって、該各水素透過
性金属膜が該多孔質支持体の表面に対してイオンプレー
ティング法により順次積層して形成されてなることを特
徴とする水素透過膜を提供する。
【０００９】本発明は（３）多孔質支持体の表面に対し
て水素透過性金属をイオンプレーティング法により成膜
することを特徴とする水素透過膜の作製方法を提供し、
また本発明は（４）多孔質支持体の表面に対して２種以
上の水素透過性金属をイオンプレーティング法により順
次層状に積層成膜することを特徴とする水素透過膜の作
製方法を提供する。
て水素透過性金属をイオンプレーティング法により成膜
することを特徴とする水素透過膜の作製方法を提供し、
また本発明は（４）多孔質支持体の表面に対して２種以
上の水素透過性金属をイオンプレーティング法により順
次層状に積層成膜することを特徴とする水素透過膜の作
製方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係る水素透過性金属膜は
多孔質の支持体上にイオンプレーティング法により形成
される。イオンプレーティング法には各種あり、本発明
においては何れも有効に適用できるが、特に好ましくは
アークイオンプレーティング法（アーク放電型イオンプ
レーティング法）が用いられる。
多孔質の支持体上にイオンプレーティング法により形成
される。イオンプレーティング法には各種あり、本発明
においては何れも有効に適用できるが、特に好ましくは
アークイオンプレーティング法（アーク放電型イオンプ
レーティング法）が用いられる。
【００１１】多孔質支持体としてはステンレス鋼製又は
セラミックス製の多孔質支持体が用いられる。ステンレ
ス鋼製の多孔質支持体の例としては、エッチングで孔を
あけたステンレス鋼製多孔質体やステンレス鋼粉を成形
し焼結した多孔質体が挙げられる。セラミックスにはア
ルミナ等の酸化物系、窒化珪素等の窒化物系、炭化珪素
等の炭化物系など各種あるが、これらは適宜選定して用
いられる。また水素透過膜は板状、或いは円筒状等各種
形状で構成されるが、本発明の水素透過膜は多孔質支持
体のそれら形状を設定することで適宜な形状とすること
ができる。
セラミックス製の多孔質支持体が用いられる。ステンレ
ス鋼製の多孔質支持体の例としては、エッチングで孔を
あけたステンレス鋼製多孔質体やステンレス鋼粉を成形
し焼結した多孔質体が挙げられる。セラミックスにはア
ルミナ等の酸化物系、窒化珪素等の窒化物系、炭化珪素
等の炭化物系など各種あるが、これらは適宜選定して用
いられる。また水素透過膜は板状、或いは円筒状等各種
形状で構成されるが、本発明の水素透過膜は多孔質支持
体のそれら形状を設定することで適宜な形状とすること
ができる。
【００１２】本発明においてはそれら形状の多孔質支持
体の表面に１種又は２種以上の水素透過性金属膜が形成
される。成膜用金属としては水素透過性金属又はその合
金が用いられ、その例としてはＰｄ、Ｎｂ、Ｔａ又は
Ｖ、それら金属の合金が挙げられる。合金の場合はそれ
ら金属相互の合金又はそれら金属とＡｇ、Ｃｕ等の他の
金属との合金が用いられる。
体の表面に１種又は２種以上の水素透過性金属膜が形成
される。成膜用金属としては水素透過性金属又はその合
金が用いられ、その例としてはＰｄ、Ｎｂ、Ｔａ又は
Ｖ、それら金属の合金が挙げられる。合金の場合はそれ
ら金属相互の合金又はそれら金属とＡｇ、Ｃｕ等の他の
金属との合金が用いられる。
【００１３】２種以上の水素透過性金属膜を積層形成す
る場合には、まず第１の金属膜を形成し、その上に第２
の金属膜、第３の金属膜（第１の膜と同じ金属膜でもよ
い）・・・というようにして層状に積層することにより
形成される。これにより各金属膜の特性を合わせもつ水
素透過膜が得られ、また各膜の特性を相互に補うことが
できる。この点、成膜用金属として合金を用いる場合も
同様である。
る場合には、まず第１の金属膜を形成し、その上に第２
の金属膜、第３の金属膜（第１の膜と同じ金属膜でもよ
い）・・・というようにして層状に積層することにより
形成される。これにより各金属膜の特性を合わせもつ水
素透過膜が得られ、また各膜の特性を相互に補うことが
できる。この点、成膜用金属として合金を用いる場合も
同様である。
【００１４】例えばＮｂ膜は優れた水素透過性を有する
が、Ｎｂ膜は成膜後空気等に触れると表面に酸化物層が
発生し水素透過膜としての性能が低下する。このためＮ
ｂ膜上に例えばＰｄ膜を形成することによりＮｂ膜表面
に酸化物層が形成しない水素透過膜を得ることができ
る。本発明における水素透過膜の膜厚は水素透過性金属
膜として必要な厚さ、すなわち水素以外の成分が透過せ
ず、水素のみを選択的に透過させ得る厚さであれば特に
限定はないが、好ましくは０．１〜２０μｍ程度の厚さ
に形成される。
が、Ｎｂ膜は成膜後空気等に触れると表面に酸化物層が
発生し水素透過膜としての性能が低下する。このためＮ
ｂ膜上に例えばＰｄ膜を形成することによりＮｂ膜表面
に酸化物層が形成しない水素透過膜を得ることができ
る。本発明における水素透過膜の膜厚は水素透過性金属
膜として必要な厚さ、すなわち水素以外の成分が透過せ
ず、水素のみを選択的に透過させ得る厚さであれば特に
限定はないが、好ましくは０．１〜２０μｍ程度の厚さ
に形成される。
【００１５】図１は本発明において適用されるイオンプ
レーティング法のうちアークイオンプレーティング法を
実施する装置態様の一例を示す図である。１は装置容
器、２は不活性ガス導入管、３は真空引用導管、４は基
板ホルダーであり、その上に多孔質基板５が配置され
る。６はＲＦバイアス電源、７は直流アーク電源、８は
アーク電極、９はターゲット（膜形成用金属）である。
基板５とターゲット８との間の距離は装置の規模、成膜
条件等の如何により適宜設定されるが、例えば２８ｃｍ
程度とされる。
レーティング法のうちアークイオンプレーティング法を
実施する装置態様の一例を示す図である。１は装置容
器、２は不活性ガス導入管、３は真空引用導管、４は基
板ホルダーであり、その上に多孔質基板５が配置され
る。６はＲＦバイアス電源、７は直流アーク電源、８は
アーク電極、９はターゲット（膜形成用金属）である。
基板５とターゲット８との間の距離は装置の規模、成膜
条件等の如何により適宜設定されるが、例えば２８ｃｍ
程度とされる。
【００１６】本装置の操作時においてはＲＦバイアス電
源６により基板５に負（マイナス）の電圧がかけられ
る。導入管２から容器１内に不活性ガス、例えばＡｒを
導入してガス圧を１０-2Ｔｏｒｒ程度に保ち、直流電源
７から直流電圧を印加すると、グロー放電により基板５
とターゲット９との間に安定なプラズマが発生する。同
時にアーク電極８とターゲット９との間にアーク火花が
発生してターゲット金属が蒸発する。これがプラズマ中
を通過する際にイオン化され、正イオンとなって基板に
激突し基板５の表面に成膜される。
源６により基板５に負（マイナス）の電圧がかけられ
る。導入管２から容器１内に不活性ガス、例えばＡｒを
導入してガス圧を１０-2Ｔｏｒｒ程度に保ち、直流電源
７から直流電圧を印加すると、グロー放電により基板５
とターゲット９との間に安定なプラズマが発生する。同
時にアーク電極８とターゲット９との間にアーク火花が
発生してターゲット金属が蒸発する。これがプラズマ中
を通過する際にイオン化され、正イオンとなって基板に
激突し基板５の表面に成膜される。
【００１７】２種以上の金属膜を積層する場合にはター
ゲット９を替えることにより行われる。また合金膜を形
成する場合にはターゲット９として合金が配置される。
成膜の条件としては成膜用金属の種類に応じて設定され
るが、例えば背圧としては好ましくは１．０×１０-5Ｔ
ｏｒｒ程度、不活性ガス圧としては好ましくは０．３〜
４．０×１０-2Ｔｏｒｒの範囲で実施される。さらにア
ーク電流値は金属の種類に応じて設定され、Ｐｄの場合
は４５Ａ程度（１００Ｖ）、Ｎｂの場合は８０Ａ（１０
０Ｖ）というようにして実施することができる。
ゲット９を替えることにより行われる。また合金膜を形
成する場合にはターゲット９として合金が配置される。
成膜の条件としては成膜用金属の種類に応じて設定され
るが、例えば背圧としては好ましくは１．０×１０-5Ｔ
ｏｒｒ程度、不活性ガス圧としては好ましくは０．３〜
４．０×１０-2Ｔｏｒｒの範囲で実施される。さらにア
ーク電流値は金属の種類に応じて設定され、Ｐｄの場合
は４５Ａ程度（１００Ｖ）、Ｎｂの場合は８０Ａ（１０
０Ｖ）というようにして実施することができる。
【００１８】本発明においては、以上のような装置、条
件により多孔質の支持体に直接、ピンホールのない水素
透過膜が作製される。また無電解メッキ法と比較して、
より薄くしかも緻密な膜が得られる。上記例はアーク放
電型イオンプレーティング法用の装置であるが、本発明
の使用装置としてはイオンプレーティング法用として適
用し得る構造であれば使用される。また、水素含有ガス
は水素透過膜に通すことにより精製されるが、本発明の
水素透過膜は多孔質支持体の表面にピンホールなく緻密
に形成されているため、高純度の水素が得られる。さら
に本発明で適用するイオンプレーティング法はドライプ
ロセスであるため公害上の問題がないので、この点でも
有利である。
件により多孔質の支持体に直接、ピンホールのない水素
透過膜が作製される。また無電解メッキ法と比較して、
より薄くしかも緻密な膜が得られる。上記例はアーク放
電型イオンプレーティング法用の装置であるが、本発明
の使用装置としてはイオンプレーティング法用として適
用し得る構造であれば使用される。また、水素含有ガス
は水素透過膜に通すことにより精製されるが、本発明の
水素透過膜は多孔質支持体の表面にピンホールなく緻密
に形成されているため、高純度の水素が得られる。さら
に本発明で適用するイオンプレーティング法はドライプ
ロセスであるため公害上の問題がないので、この点でも
有利である。
【００１９】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明をさらに詳しく
説明するが、本発明がこれら実施例に限定されないこと
は勿論である。
説明するが、本発明がこれら実施例に限定されないこと
は勿論である。
【００２０】《実施例１》本実施例における使用装置と
しては図１に示すような装置を使用した。ターゲット９
としてＮｂ金属をセットし、基板５とターゲット９間の
距離は２８ｃｍとした。基板５として平均粒径１ミクロ
ンのアルミナ粉を成形し焼結して得られたアルミナ焼結
体を用いた。成膜操作は、まず導管３から真空引きして
容器内背圧を１．０×１０-5Ｔｏｒｒとした後、導入管
２からＡｒを導入してガス圧を０．３×１０-2Ｔｏｒｒ
に保った。ガス圧安定後、ＲＦバイアス電源６によりバ
イアス電圧を−１００Ｖとし、直流電源７から直流電圧
１００Ｖを印加して、アーク電流値を８０Ａとし、こう
して４０分間作動させた。
しては図１に示すような装置を使用した。ターゲット９
としてＮｂ金属をセットし、基板５とターゲット９間の
距離は２８ｃｍとした。基板５として平均粒径１ミクロ
ンのアルミナ粉を成形し焼結して得られたアルミナ焼結
体を用いた。成膜操作は、まず導管３から真空引きして
容器内背圧を１．０×１０-5Ｔｏｒｒとした後、導入管
２からＡｒを導入してガス圧を０．３×１０-2Ｔｏｒｒ
に保った。ガス圧安定後、ＲＦバイアス電源６によりバ
イアス電圧を−１００Ｖとし、直流電源７から直流電圧
１００Ｖを印加して、アーク電流値を８０Ａとし、こう
して４０分間作動させた。
【００２１】図２及び図３は上記操作で得られた膜の断
面を拡大した（走査型電子顕微鏡）写真である。倍率
は、図２は１０，０００倍、図３は２０，０００倍であ
り、下部の層がアルミナ焼結体、その上面が形成された
Ｎｂの膜である。図２〜図３のとおり、アルミナ焼結体
の面にＮｂの厚さ約１．８μｍの緻密な膜が形成されて
いることが分かる。またＮｂ膜はアルミナ焼結体表面の
細孔をも塞ぎ、その面上にも均一に成膜されている。な
お、形成膜厚は所望膜厚に応じて、例えば作動時間等の
条件を設定することにより行うことができる。
面を拡大した（走査型電子顕微鏡）写真である。倍率
は、図２は１０，０００倍、図３は２０，０００倍であ
り、下部の層がアルミナ焼結体、その上面が形成された
Ｎｂの膜である。図２〜図３のとおり、アルミナ焼結体
の面にＮｂの厚さ約１．８μｍの緻密な膜が形成されて
いることが分かる。またＮｂ膜はアルミナ焼結体表面の
細孔をも塞ぎ、その面上にも均一に成膜されている。な
お、形成膜厚は所望膜厚に応じて、例えば作動時間等の
条件を設定することにより行うことができる。
【００２２】《実施例２》実施例１におけるＮｂ金属に
代えて成膜金属としてＰｄ金属を用い、アーク電流値を
４５Ａとした以外は実施例１と同様にして、アルミナ焼
結体の表面にＰｄ膜を形成させた。その結果、厚さ約
１．０μｍの緻密な膜が得られた。この場合にもＰｄ膜
がアルミナ焼結体表面の細孔も塞ぎ、その面上に均一に
成膜された。以上のようにしてＴａ、Ｖについても実施
したが、同様の結果が得られた。
代えて成膜金属としてＰｄ金属を用い、アーク電流値を
４５Ａとした以外は実施例１と同様にして、アルミナ焼
結体の表面にＰｄ膜を形成させた。その結果、厚さ約
１．０μｍの緻密な膜が得られた。この場合にもＰｄ膜
がアルミナ焼結体表面の細孔も塞ぎ、その面上に均一に
成膜された。以上のようにしてＴａ、Ｖについても実施
したが、同様の結果が得られた。
【００２３】《実施例３》実施例１と同様にしてＰｄ膜
を０．５μｍ厚に成膜し、その上に実施例１と同様にし
てＮｂ膜を約１．０μｍ厚に成膜し、その上に実施例２
と同様にしてＰｄ膜を約０．５μｍ厚に作製した。作製
膜厚の制御は操作時間を調整することにより実施した。
これによりＮｂ膜表面に酸化物層が形成せず、しかもＰ
ｄ膜の利点を有する水素透過膜が得られた。
を０．５μｍ厚に成膜し、その上に実施例１と同様にし
てＮｂ膜を約１．０μｍ厚に成膜し、その上に実施例２
と同様にしてＰｄ膜を約０．５μｍ厚に作製した。作製
膜厚の制御は操作時間を調整することにより実施した。
これによりＮｂ膜表面に酸化物層が形成せず、しかもＰ
ｄ膜の利点を有する水素透過膜が得られた。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、多孔質の支持体の表面
に対して特にイオンプレーティング法を適用することに
より緻密で優れた水素透過膜が得られる。本発明によれ
ば、真空蒸着による場合のように多孔質支持体の表面細
孔に影響されることなく、該表面に対して直接にピンホ
ールのない緻密な水素透過性金属膜を作製することがで
きる。また本発明によれば、多孔質支持体の表面に２種
以上の水素透過性金属膜を層状に積層することにより、
各金属膜の特性を合わせもち、また各膜の特性を相互に
補うことができる。
に対して特にイオンプレーティング法を適用することに
より緻密で優れた水素透過膜が得られる。本発明によれ
ば、真空蒸着による場合のように多孔質支持体の表面細
孔に影響されることなく、該表面に対して直接にピンホ
ールのない緻密な水素透過性金属膜を作製することがで
きる。また本発明によれば、多孔質支持体の表面に２種
以上の水素透過性金属膜を層状に積層することにより、
各金属膜の特性を合わせもち、また各膜の特性を相互に
補うことができる。
【図１】本発明において適用し得るイオンプレーティン
グ法のうちアークイオンプレーティング法を実施する装
置態様の一例を示す図。
グ法のうちアークイオンプレーティング法を実施する装
置態様の一例を示す図。
【図２】実施例１で得られた膜の断面を拡大した写真
（１０，０００倍）。
（１０，０００倍）。
【図３】実施例１で得られた膜の断面を拡大した写真
（２０，０００倍）。
（２０，０００倍）。
１ 装置容器 ２ 不活性ガス導入管 ３ 真空引用導管 ４ 基板ホルダー ５ 多孔質基板 ６ ＲＦバイアス電源 ７ 直流アーク電源 ８ アーク電極 ９ ターゲット（膜形成用金属）
Claims (10)
- 【請求項１】多孔質支持体の表面に水素透過性金属膜を
有する水素透過膜であって、該水素透過性金属膜が該多
孔質支持体の表面に対してイオンプレーティング法によ
り形成されてなることを特徴とする水素透過膜。 - 【請求項２】多孔質支持体の表面に２種以上の水素透過
性金属膜が層状に積層されてなる水素透過膜であって、
該各水素透過性金属膜が該多孔質支持体の表面に対して
イオンプレーティング法により順次積層して形成されて
なることを特徴とする水素透過膜。 - 【請求項３】上記イオンプレーティング法がアークイオ
ンプレーティング法である請求項１又は２記載の水素透
過膜。 - 【請求項４】上記多孔質支持体がステンレス鋼製又はセ
ラミックス製の多孔質支持体である請求項１又は２記載
の水素透過膜。 - 【請求項５】上記水素透過性金属膜の金属がＰｄ、Ｎ
ｂ、Ｔａ及びＶから選ばれた金属又はそれらの合金であ
る請求項１又は２記載の水素透過膜。 - 【請求項６】多孔質支持体の表面に対して水素透過性金
属をイオンプレーティング法により成膜することを特徴
とする水素透過膜の作製方法。 - 【請求項７】多孔質支持体の表面に対して２種以上の水
素透過性金属をイオンプレーティング法により順次層状
に積層成膜することを特徴とする水素透過膜の作製方
法。 - 【請求項８】上記イオンプレーティング法がアークイオ
ンプレーティング法である請求項６又は７記載の水素透
過膜の作製方法。 - 【請求項９】上記多孔質支持体がステンレス鋼製又はセ
ラミックス製の多孔質支持体である請求項６又は７記載
の水素透過膜の作製方法。 - 【請求項１０】上記水素透過性金属膜の金属がＰｄ、Ｎ
ｂ、Ｔａ及びＶから選ばれた金属又はそれらの合金であ
る請求項６又は７記載の水素透過膜の作製方法。
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
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