JPH1126787A

JPH1126787A - 薄膜太陽電池

Info

Publication number: JPH1126787A
Application number: JP9182214A
Authority: JP
Inventors: Hideo Yamagishi; 英雄山岸; Kazuo Sato; 一夫佐藤
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd; Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd; AGC Inc
Priority date: 1997-07-08
Filing date: 1997-07-08
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】裏面電極層を構成するＡｇ層の硫化を抑制す
ることにより、長期間にわたる屋外使用にも高い信頼性
を維持できる太陽電池を、その光電変換特性を劣化させ
ることなく提供せんとするものである。【解決手段】透明基体（１）上に、透明電極層
（２）、シリコンを主成分とする半導体層（３）、裏面
電極層（４）が順に形成されてなる薄膜太陽電池におい
て、裏面電極層（４）が、Ａｇを主成分としＰｄを含有
する層を有し、Ａｇを主成分としＰｄを含有する層中の
透明基体に近い部分のＰｄ含有量が、Ａｇを主成分とし
Ｐｄを含有する層中の透明基体と遠い部分のＰｄ含有量
よりも低いことを特徴とする薄膜太陽電池。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はアモルファスシリコ
ン半導体層、多結晶シリコン半導体層、微結晶シリコン
半導体層等のシリコンを主成分とする半導体層を有する
集積型の薄膜太陽電池において、長期間の屋外使用に際
しても信頼性が低下しないように工夫した薄膜太陽電池
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ガラス基板上にプラズマプロセスでアモ
ルファスシリコン半導体層、多結晶シリコン半導体層、
微結晶シリコン半導体層等のシリコンを主成分とする薄
膜半導体層を形成する薄膜太陽電池では、裏面電極とし
て金属酸化物層とＡｇ層を積層したものが一般的に用い
られている。これは通常のＡｇ電極と比べると屈折率の
関係で高い反射率が得られるため、「光の閉じ込め効
果」によって太陽電池の発電効率を高めることができる
ことと、Ａｇと半導体層の合金化等を抑止して、半導体
層との付着強度を高めることができ、太陽電池の信頼性
を向上できるためである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところでこのような半
導体層とＡｇ層との間に金属酸化物を設けることによっ
て信頼性を高めた太陽電池であっても屋外で長期間使用
すると太陽電池としての特性が劣化し、信頼性が低下す
るという問題がある。これは外部環境に直接晒される側
である裏面電極層の表面側が空気中の水分を取り込んで
腐食することに主な原因がある。このため裏面電極層の
露出側、即ち透明基体が積層される側とは反対側の面を
樹脂で封止することが行われているが、このような樹脂
層で封止した太陽電池であっても長期間にわたって屋外
使用を続けると太陽電池としての特性が徐々に劣化する
ことに本発明者等は見いだした。これは、如何に裏面電
極層を樹脂封止しても樹脂層を透過する空気が存在する
ため、この透過した空気中のＳＯ_XがＡｇを硫化させて
Ａｇ層を脆化させる現象が生じ、この結果、付着強度が
低下した封止樹脂層と裏面電極層との間に水分が侵入す
ることが原因であることを見出した。Ａｇ層の脆化の原
因は硫化だけとは限らないが、主たる原因は硫化現象に
あると推測される。そして、Ａｇ層と封止樹脂層間に侵
入した水分を放置すると電蝕反応による裏面電極層の腐
食が進行し、ついには電極自体が消滅して太陽電池の機
能そのものを失わせる危険すらある。ここでは裏面電極
層の露出側を封止樹脂層で封止した場合を例にしてＡｇ
層の硫化の問題を述べたが、Ａｇ層の硫化原因は空気と
の接触にあるから、裏面電極層を樹脂封止していない場
合には、Ａｇ層の硫化はより深刻である。

【０００４】このような現象に対する理解から、長期間
の屋外使用時における太陽電池の信頼性を万全のものと
するには、裏面電極層における半導体層と接触する側に
金属酸化物層を介在させたり、その反対面に封止樹脂層
を設けるだけでは不十分であり、Ａｇ層の硫化を抑制す
るための対策が不可欠であるとの結論にいたった。本発
明は、このような認識にもとずきなされたもので、Ａｇ
層の硫化を抑制することでＡｇ層の脆化に起因する太陽
電池の特性劣化を防止せんとするものであり、加えて、
前述した金属酸化物層の介装や樹脂封止等の他の劣化防
止策を併用することにより、屋外使用した場合にも、長
期間にわたって高い信頼性を維持できる太陽電池を提供
せんとするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは上
記課題は、Ａｇ層にＰｄ（パラジウム）を含有させ、且
つこのＡｇを主成分としＰｄを含有する層中における透
明基体に近い部分のＰｄ含有量を、Ａｇを主成分としＰ
ｄを含有する層中の透明基体と遠い部分のＰｄ含有量よ
りも低く設定することで解決できることを見いだした。

【０００６】Ａｇを主成分としＰｄを含有する層中の透
明基体に近い部分の膜厚は、３００ｎｍ以下となし、Ａ
ｇを主成分としＰｄを含有する層中の透明基体と遠い部
分の膜厚は、１００ｎｍ以下となすことが好ましい。

【０００７】Ａｇを主成分としＰｄを含有する層中の透
明基体に近い部分のＰｄ含有量は、ＡｇとＰｄとの総和
に対して０．５ｗｔ％以下となし、Ａｇを主成分としＰ
ｄを含有する層中の透明基体と遠い部分のＰｄ含有量
は、ＡｇとＰｄとの総和に対して１〜ｌ０ｗｔ％に設定
することが望まれる。ここで金属酸化物と接する部分の
Ｐｄ含有量を０．５ｗｔ％以下に抑えるという意味は、
Ｐｄ含有量が０ｗｔ％の場合、即ち、Ｐｄを含まない場
合も当然対象としている。Ｐｄ含有量を０．５ｗｔ％以
下に抑えるのは、前述したように裏面電極層による反射
効果を低下させないことと、Ｐｄの金属酸化物への拡散
を防止するためであり、更には高価なＰｄの使用量を減
らす意味もある。

【０００８】Ａｇを主成分としＰｄを含有する層は複数
の金属層から構成してもよい、透明基体に最も近い金属
層のＰｄ含有量は、ＡｇとＰｄとの総和に対して０．５
ｗｔ％以下に設定し、他方透明基体と最も遠い金属層の
Ｐｄ含有量は、ＡｇとＰｄとの総和に対して１〜ｌ０ｗ
ｔ％となすことが好ましい。

【０００９】裏面電極層は、Ａｇを主成分としＰｄを含
有する層と金属酸化物層とを有し、且つこの金属酸化物
層が、Ａｇを主成分としＰｄを含有する層とシリコンを
主成分とする半導体層との間に形成した構成とすること
ができる。

【００１０】裏面電極層の透明基体と反対側の面は、露
出させてもよいが、封止樹脂層を形成して裏面電極層と
空気との直接接触を遮断することが好ましい。

【００１１】このような構成の薄膜太陽電池は、Ａｇ層
に含まれるＰｄがＡｇ層の硫化を抑制し、Ａｇ層の脆化
を防止する。また透明基体に近い部分のＰｄ含有量を、
Ａｇを主成分としＰｄを含有する層中の透明基体と遠い
部分のＰｄ含有量よりも低く設定しているため、Ｐｄの
存在が裏面電極層による光の反射効果を低下させること
はない。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に本発明の詳細を図示した実施
例に基づき説明する。図１は本発明の薄膜太陽電池（以
下、単に太陽電池と称す）の一実施例であり、積層構造
を模式的に示している。本発明の太陽電池は、ガラス基
板１の上に透明電極層２、薄膜半導体層３、裏面電極層
４を順次形成し、その露出側を封止樹脂層５で覆い、更
にその外側をフッ素系樹脂（テドラーフィルム）のカバ
ーフィルム６で覆った構成であり、ガラス基板１の側か
ら光Ｌを入射させる構造である。本実施例ではガラス基
板１として厚さ４ｍｍの青板ガラスを用い、透明電極層
２としてＳｎＯ₂を用いているが、青板ガラスの代わり
に白板ガラスを用いたり、ＳｎＯ２の代わりにＩＴＯを
用いてもよい。薄膜半導体層３は、シリコンを主成分と
する半導体層であり、具体的にはアモルファスシリコン
半導体層、多結晶シリコン半導体層、微結晶シリコン半
導体層等を用いる。ここではｐ型ａ・ＳｉＣ：Ｈ半導体
層、ｉ型ａ・Ｓｉ：Ｈ半導体層、ｎ型微結晶Ｓｉ半導体
層を積層した構成としている。前記シリコン半導体層に
は、必要に応じて水素等を添加することができる。シリ
コンを主成分とする半導体層の膜厚は、３００〜５００
ｎｍが好ましい。

【００１３】封止樹脂層５の材料としては、ＥＶＡ、Ｐ
ＶＢ、ＰＩＢ、シリコーンからなる群から選ばれる１種
以上の樹脂等が挙げられる。封止樹脂層の膜厚は、１０
０〜１０００μｍが好ましい。

【００１４】本発明の太陽電池はこのような構成におい
て、裏面電極層４の構成を特別なものとしたことが特徴
である。図例の裏面電極層４は薄膜半導体層３と接する
側にＺｎＯよりなる金属酸化物層４ａを配し、これにＡ
ｇ層４ｂを隣接させている。ここで金属酸化物層４ａを
設けるのは薄膜半導体層３を透過して裏面電極層４に入
射する光の反射効率を高めることと、Ａｇの薄膜半導体
層３への拡散を防止するためである。金属酸化物層４ａ
の材料としては、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａ
Ｉ、ＺｒおよびＳｉからなる群から選ばれる１種以上の
金属酸化物等が挙げられる。金属酸化物層４ａの材料
は、ＺｎＯが好ましい。Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等が添加
されたＺｎＯも好ましく用いられる。この場合の添加割
台は、Ｚｎに対して１〜１０原子％が好ましい。金属酸
化物層の膜厚は、５〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５
０ｎｍがより好ましい。

【００１５】本発明ではＡｇ層４ｂにＰｄを含有させて
いる。Ｐｄを含有させることでＡｇの硫化が抑制され、
空気と接触してもＡｇが脆化しにくくなり、また、封止
樹脂層５とＡｇ層４ｂとの付着強度が低下することもな
くなる。このような効果を有効なものとするにはＡｇ層
４ｂに含有させるＰｄの量は封止樹脂層５と接する部分
でＡｇとＰｄとの総和に対して１〜ｌ０ｗｔ％に設定す
る必要がある。１ｗｔ％未満ではＡｇ層４ｂの硫化を抑
制する効果が充分でない。また、Ｐｄを１０ｗｔ％を超
えて含有させてもコストが割高となるだけで硫化抑制効
果はそれほど向上しない。一方、封止樹脂層と接する部
分から遠ざかるにしたがってＰｄを含ませる必要性は少
なくなる。透明基体に最も近い金属層のＰｄ含有量は、
ＡｇとＰｄとの総和に対して０．５ｗｔ％以下でよく、
より好ましくはこの金属層にはＰｄを含有させないこと
である。これら部分へのＰｄ含有量が多いとコスト高と
なるだけでなく、裏面電極での反射率の低下を招き、太
陽電池の短絡電流が低下するため好ましくない。

【００１６】Ａｇ層４ｂにおいて、Ｐｄ含有量が０．５
ｗｔ％以下の部分と、１〜１０ｗｔ％である部分の設け
方は、Ａｇ層全体を単層となし、この単層内部で封止樹
脂層５側から金属酸化物層３側に向かって漸次的にＰｄ
含有量を減少させるようにしてもよいが、本実施例では
金属酸化物層３側にＰｄ含有量を０．５ｗｔ％以下に設
定した第１Ａｇ層（４ｂ−１）を、封止樹脂層５側にＰ
ｄ含有量を１〜１０ｗｔ％に設定した第２Ａｇ層（４ｂ
−２）を設け、両層を積層した構造を採用している。第
１Ａｇ層（４ｂ−１）を第２Ａｇ層（４ｂ−２）を形成
する製膜装置と同じ装置で形成する場合、微量ではある
が第２Ａｇ層（４ｂ−２）形成用材料が不可避に混入す
るため第１Ａｇ層（４ｂ−１）をＰｄを全く含まない層
とすることは、生産設備上困難であるが、理論的には第
１Ａｇ層（４ｂ−１）はＰｄを全く含まない層であるこ
とが好ましい。第１Ａｇ層（４ｂ−１）の膜厚ｔ１は３
００ｎｍ以下、特に１００〜２００ｎｍに設定すること
が好ましく、一方、第２Ａｇ層（４ｂ−２）の膜厚ｔ２
は１００ｎｍ以下、特に２〜５０ｎｍ、より好ましくは
２〜１０ｎｍ以下に設定することが望まれる。大面積の
太陽電池を作製する場合、その裏面電極の膜厚を２ｎｍ
以下に制御することは工程上困難であることを考える
と、膜厚の下限は２ｎｍである。

【００１７】裏面電極層における金属層全体を同一の製
膜装置で形成する場合、不純物混入を避ける観点から、
金属層全体を同一金属を主材料にして形成することが生
産上有利であるが、不純物の混入量を実質上問題のない
程度に制御できるならば、第２Ａｇ層（４ｂ−２）の代
わりにＡｇ以外の金属による安定な層、例えばＴｉやＣ
ｒ等よりなる層を用いることも考えられる。

【００１８】

【実施例】本発明の効果を確かめるために、本発明内容
に従ってＡｇ層にＰｄを含有させた本発明実施例として
の太陽電池と、本発明内容から外れた条件でＡｇ層にＰ
ｄを含有させた太陽電池、更にはＰｄを含有させないＡ
ｇ層を用いた太陽電池のそれぞれについて、硫化の程度
を評価した。具体的には太陽電池からの封止樹脂層の引
き剥がし試験を行い、裏面電極と封止樹脂層相互の付着
性を評価することで硫化の程度をはかった。試験に用い
た太陽電池の作製手順とその試験手順は次の通りであ
る。（実施例１）面積１２．７ｃｍ×１２．７ｃｍのソーラ
ーライムガラス上に熱ＣＶＤ法で酸化錫膜８００ｎｍを
形成したものを、集積のためレーザースクライバ−でパ
ターニングした後、その上にａ−Ｓｉ層をプラズマＣＶ
Ｄ法で形成した。パターニング方法は、Ｘ−Ｙテーブル
上にセットして、ＱスイッチＹＡＧレーザーを用いて分
離加工した。レーザーの運転条件は、第２高調波５３２
ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００ｍｗ、
パルス幅１０ｎｓｅｃである。分離幅は５０μｍ、スト
リング幅は１０ｍｍである。分離加工された上記基坂上
に分離形成型装置のプラズマＣＶＤ室を用いて２００℃
でｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ半導体層、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導
体層、ｎ型微結晶Ｓｉ半導体層を順次堆積してＰＩＮ接
合を形成した。ｐ型半導体層、ｉ型半導体層、ｎ型半導
体層の各層を形成する際のガスとしてはそれぞれ１０ｓ
ｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍの流量のＳｉＨ₄
ガスをベースにして、ｐ型半導体層とｎ型半導体層を形
成する際にはこのＳｉＨ₄ガスに１０００ｐｐｍ水素希
釈のＢ ₂Ｈ₆とＰＨ₃を２００ｓｃｃｍの流量で混入さ
せ、更にｐ型半導体層形成時にはこれらガスに加えて３
０ｓｃｃｍのＣＨ₃も混入させることにより炭素合金化
を行った。投入パワーは各層それぞれ５００Ｗ、５０
Ｗ、３０Ｗで、反応圧力はそれぞれ１ｔｏｒｒ、０．５
ｔｏｒｒ、１ｔｏｒｒであった。形成した層の膜厚はそ
れぞれ１５ｎｍ、３２０ｎｍ、３０ｎｍと推定される。

【００１９】これらの製膜後、Ｘ−Ｘテーブル上にセッ
トして、ＱスイッチＹＡＧレーザーを用いて半導体層と
ＺｎＯ層とを同時にＳｎＯ₂層のパターニング位置から
１００μｍずらして同じようにパターニングを行った。
レーザーの運転条件は、第２高調波５３２ｎｍを用い、
パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００ｍｗ、パルス幅１０
ｎｓｅｃであった。焦点位置をずらすことで分離幅を１
００μｍにした。その後、マグネトロンスパッタにより
直流放電でＺｎＯターゲットを用いた８０ｎｍの膜厚で
金属電極層を形成した。アルゴンガス圧力は２ｍｔｏｒ
ｒ、放電パワー２００Ｗ、製膜温度２００℃であった。
次に、その上層にマグネトロンスパッタ装置を用いた直
流放電により、Ａｇターゲットを用いて室温環境下で、
２００ｎｍの膜厚の金属電極層を形成した。アルゴンガ
ス圧力は２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００Ｗであった。
さらに、その上層を前述のマグネトロンスパッタ装置の
同じ真空室内に設けられた別のＰｄ−Ａｇターゲットを
用いて直流放電により、前述のＡｇの製膜に用いたのと
同じ条件下で、２０ｎｍの膜厚を有するＰｄ含有量１．
５ｗｔ％のＡｇ層を形成した。最後に、マグネトロンス
パッタ装置から基板を取り出して、Ｘ−Ｙテーブル上に
セットして、ＱスイッチＹＡＧレーザーを用いてＡｇ層
を取り除くことにより半導体層加工部から１００μｍ離
れた位置を分離加工した。レーザーの運転条件は、半導
体層の加工条件と全く同じであった。分離幅は７０μ
ｍ、ストリング幅も１００ｍｍである。

【００２０】次に、電極取り出しのための配線を行った
後、ＥＶＡシートとフッ素系フィルムを重ねたうえ、真
空ラミネータを用いて太陽電池を封止してフレーム付け
を行って太陽電池を完成させた。

【００２１】完成した太陽電池を、１００ｍＷ／ｃｍ²
のＡＭ１．５ソーラーシミュレーター下で特性を測定し
た。結果を表１に示す。完成直後の太陽電池に対し、そ
の封止面側からカッターナイフで切り込みを入れ、２．
５ｃｍ×２．５ｃｍの範囲を１つが５ｍｍ角の正方形と
なるように封止樹脂層を碁盤状に分割した後、これら隣
接する分割面を一括して覆うように幅５０ｍｍのガムテ
ープを貼りつけ、ゆっくりと引き剥がす試験を行った。
結果は各分割片は一枚も剥がれず、封止樹脂層からガム
テープが外れた。これにより完成直後の太陽電池の裏面
電極と封止樹脂層とは十分な付着性を有し硫化現象がな
いことを確認した。次いで、前記完成した太陽電池を屋
外で１年間暴露した後、前記試験と同様、封止樹脂層を
分割したうえ、引き剥がし試験を行った。結果は、完成
直後の太陽電池に対する結果と同様、剥がれるものはな
く、本発明の太陽電池が１年間の暴露試験後も硫化が進
行せず裏面電極と封止樹脂層とが十分な付着性を維持し
ていることが確認された。

【００２２】（比較例１）２２０ｎｍすべてのＡｇ層を
Ｐｄ含有量１．５ｗｔ％のＡｇで形成した以外は実施例
１と全く同じ方法で太陽電池を作製し、測定と試験を行
った。測定結果を表１に示す。１年間暴露後の引き剥が
し試験の結果は実施例１と同様に剥がれるものはなかっ
た。（比較例２）２２０ｎｍすべてのＡｇ層をＰｄ含有量が
０．１ｗｔ％のＡｇで形成した以外は実施例１と全く同
じ方法で太陽電池を作製し、測定と試験を行った。測定
結果を表１に示す。１年間暴露後の引き剥がし試験の結
果は、２５個の正方形のうち２１個で剥離が生じた。

【００２３】

【表１】

【００２４】これらの試験結果をみると、本発明の薄膜
太陽電池である実施例１の太陽電池は１年間の屋外暴露
にも、硫化が進行せず裏面電極層と封止樹脂層との付着
性も低下せず、高い信頼性を有していることがわかり、
しかもこのような硫化抑制効果を得るための工夫は光電
変換特性に悪影響を与えていないことがわかる。これに
対して、２２０ｎｍのＡｇ層のすべてにＰｄを１．５ｗ
ｔ％含有させた比較例１の太陽電池は、実施例１と同等
の優れた硫化抑制効果を有し、付着性も維持できるもの
の、光電変換特性がやや劣ることがわかる。また２２０
ｎｍのＡｇ層のすべてにＰｄを０．１ｗｔ％以下含有さ
せた比較例２の太陽電池では、光電変換特性の劣化はな
いが、Ｐｄ含有量が少ないため硫化抑制効果が発揮され
ず付着性維持の効果も発揮できないことが確認された。

【００２５】

【発明の効果】本発明の薄膜太陽電池は、Ａｇ層に含ま
れるＰｄがＡｇ層の硫化を抑制し、Ａｇ層の脆化が防止
される。そしてＡｇ層内において硫化現象が発生しやす
い部分である透明基体から遠い部分のＰｄ含有量を多く
し、硫化現象がほとんど発生しない透明基体に近い部分
ではＰｄ含有量を少なくしていることから、裏面電極層
による光の反射効果を低下させることなくＡｇ層の硫化
を効果的に抑制でき、光電変換特性を低下させることな
く屋外での長期使用時における太陽電池の信頼性を向上
させることができる。

【００２６】また裏面電極層が、Ａｇを主成分としＰｄ
を含有する層と金属酸化物層とを有し、且つこの金属酸
化物層が、Ａｇを主成分としＰｄを含有する層とシリコ
ンを主成分とする半導体層との間に形成された構成とし
た場合、金属酸化物層の介在によって半導体層との付着
強度が向上するとともにマイグレーションを防止できる
効果が加わる。しかもこの薄膜太陽電池はＰｄを必要最
小量しか使用しないから、製造コスト上昇も最低限に抑
えることができる。

【００２７】また、裏面電極層の透明基体とは反対側の
面に封止樹脂層を形成した場合、Ａｇ層が空気と直接接
触することを防止できるので、Ａｇ層の硫化はより抑制
される。そして封止樹脂界面での硫化が抑制されている
ことから、Ａｇ層と封止樹脂層との付着強度も高く、太
陽電池の信頼性は一層優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜太陽電池の積層構造の一実施例
を示す説明図

【符号の説明】

Ｌ光１ガラス基板２透明電極層３薄膜半導体層４裏面電極層３ａｐ型ａ・ＳｉＣ：Ｈ半導体層３ｂｉ型ａ・Ｓｉ：Ｈ半導体層３ｃｎ型微結晶Ｓｉ半導体層４ａ金属酸化物層４ｂＡｇ層４ｂ−１第１Ａｇ層４ｂ−２第２Ａｇ層５封止樹脂層６カバーフィルム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基体上に、透明電極層、シリコンを
主成分とする半導体層、裏面電極層が順に形成されてな
る薄膜太陽電池において、裏面電極層が、Ａｇを主成分
としＰｄを含有する層を有し、Ａｇを主成分としＰｄを
含有する層中の透明基体に近い部分のＰｄ含有量が、Ａ
ｇを主成分としＰｄを含有する層中の透明基体と遠い部
分のＰｄ含有量よりも低いことを特徴とする薄膜太陽電
池。
【請求項２】Ａｇを主成分としＰｄを含有する層中の
透明基体に近い部分の膜厚が３００ｎｍ以下であり、Ａ
ｇを主成分としＰｄを含有する層中の透明基体から遠い
部分の膜厚が、１００ｎｍ以下である請求項１記載の薄
膜太陽電池。
【請求項３】Ａｇを主成分としＰｄを含有する層中の
透明基体に近い部分のＰｄ含有量が、ＡｇとＰｄとの総
和に対して０．５ｗｔ％以下であり、Ａｇを主成分とし
Ｐｄを含有する層中の透明基体から遠い部分のＰｄ含有
量が、ＡｇとＰｄとの総和に対して１〜ｌ０ｗｔ％であ
る請求項１記載の薄膜太陽電池。
【請求項４】Ａｇを主成分としＰｄを含有する層が複
数の金属層から構成され、透明基体に最も近い金属層の
Ｐｄ含有量が、ＡｇとＰｄとの総和に対して０．５ｗｔ
％以下であり、透明基体から最も遠い金属層のＰｄ含有
量が、ＡｇとＰｄとの総和に対して１〜ｌ０ｗｔ％であ
る請求項１記載の薄膜太陽電池。
【請求項５】裏面電極層が、Ａｇを主成分としＰｄを
含有する層と金属酸化物層とを有し、且つこの金属酸化
物層が、Ａｇを主成分としＰｄを含有する層とシリコン
を主成分とする半導体層との間に形成された請求項１記
載の薄膜太陽電池。
【請求項６】裏面電極層の透明基体とは反対側の面に
封止樹脂層が形成された請求項１記載の薄膜太陽電池。