JPH1126793A

JPH1126793A - 薄膜太陽電池セルパターンの形成法

Info

Publication number: JPH1126793A
Application number: JP9187228A
Authority: JP
Inventors: Daisaku Haoto; 大作羽音
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1997-06-30
Filing date: 1997-06-30
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜太陽電池セルパターン形成を従来の化学
エッチング、レーザーパターニングにかえて、フッ素系
有機材料による薄膜の選択的成長もしくは選択的除去を
利用したセルパターン形成法を提供する。【解決手段】基材上にフッ素系有機材料をパターン状
に塗布した後、真空薄膜をフッ素系有機材料以外の部分
に選択的に成長させて堆積させるか、全面に堆積させた
後、フッ素系有機材料とその上に堆積した薄膜を低分子
フッ素系有機溶媒による洗浄で選択的に除去することに
より薄膜パターン形成を行うことを特徴とする薄膜太陽
電池セルパターンの形成法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜太陽電池の
パターニング工程に関する発明である。太陽電池の普及
促進に伴い、太陽電池の低コスト化の要求が高まってい
る。このため、薄膜太陽電池生産工程の一つであるセル
パターニングの生産コストの低減が重要になっている。
薄膜太陽電池セルのパターニング法として、レーザーパ
ターニング、化学エッチング等の方法があるが、いずれ
も生産コストが高い。これに対し、本発明は薄膜の選択
的除去または選択的成長を利用するため、生産コストの
低減に有利である。

【０００２】

【従来の技術】従来、太陽電池を構成する半導体材料と
しては、シリコン半導体が主流となっている。しかし、
実用化されているシリコン半導体の多くは単結晶である
ため、大面積化が困難である。また、単結晶であるため
高価であり製造コストが高く発電コストが割高となって
しまう等の問題がある。一方、アモルファスシリコンを
使用した薄膜太陽電池は可視域での吸収係数が大きく発
電コスト低減を望める太陽電池として注目されている。
最も実用的な構成としては、例えば基板上に第１の電極
を形成した上に、ｎ層、ｉ層、ｐ層の順またはｐ層、ｉ
層、ｎ層の順に光起電力発生層を形成した後、第２の電
極を設ける構成が取られる。これらの太陽電池の基板と
しては、導電性の金属材料またはガラス、プラスチック
フィルム等の絶縁性の基板を使用することができる。

【０００３】図１は、従来法による薄膜太陽電池セルパ
ターン製造プロセスを示す断面図である。まず、図１
（Ａ）のように、ガラスやプラスチックフィルムのよう
な基材１１を準備する。次いで、基材上に第１の電極を
形成するために蒸着、スパッタリング等により金属電極
層１２となる金属薄膜を形成する（図１（Ｂ））。金属
材料としては導電性のものであればよく、アルミ、銅、
クロム、銀等が用いられる。金属薄膜を電極パターン形
状にパターン形成するために、当該金属薄膜上に感光性
レジスト材料を塗布して、フォトマスク露光、現像処理
を行い（図１（Ｃ））、レジスト膜１３を形成する。次
に、レジスト膜を介して金属薄膜のエッチングを行う
（図１（Ｄ））。エッチングは通常塩化第２鉄等による
化学エッチングが採用されるが、レーザーによるパター
ニングを採用することもできる。レジストを剥離すれ
ば、基材上には金属電極パターンが形成されている（図
１（Ｅ））。通常、このレジスト材料の塗布から、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離の一連の工程を
「パターニング」といっている。

【０００４】次に、金属電極上にアモルファスシリコン
層１４を、ｐ型、ｉ型、ｎ型の順またはｎ型、ｉ型、ｐ
型の順に３層積層して形成し、再び感光性レジスト材料
を塗布してアモルファスシリコン層のパターニングを行
う（図１（Ｆ））。シリコン層の上に上部電極となる透
明導電膜１５を形成した後、再びパターニングを行って
透明電極パターンの形成を行う（図１（Ｇ））。最後に
パッシベーション膜１６を成膜して薄膜太陽電池セルパ
ターンが完成する（図１（Ｈ））。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来法
による薄膜太陽電池の化学的エッチングによる製法では
「パターニング」を繰り返して行う必要があり、太陽電
池の製造コストを高くしていた。これは、レーザーパタ
ーニング等の場合も同様である。そこで、本発明は、基
材上に形成された薄膜を選択的に除去するか選択的に薄
膜を堆積させることにより、薄膜形成後のエッチングを
省略して、プロセスの低コスト化を図るべく研究しなさ
れたものでである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の要旨の第１は、基材上にフッ素系有機材料をパター
ン状に塗布した後、真空薄膜を全面に堆積させ、フッ素
系有機材料とその上に堆積した薄膜を洗浄により取り除
くことにより、薄膜パターン形成することを特徴とする
薄膜太陽電池セルパターンの形成法、にある。かかる形
成方法であるため薄膜太陽電池セルパターンを低コスト
で量産することができる。

【０００７】上記課題を解決する本発明の要旨の第２
は、基材上にフッ素系有機材料をパターン状に塗布した
後、金属薄膜を全面に堆積させ、フッ素系有機材料とそ
の上に堆積した薄膜を洗浄により取り除くことにより、
金属薄膜による電極パターン形成を行うことを特徴とす
る薄膜太陽電池セルパターンの形成法、にある。かかる
形成方法であるため薄膜太陽電池セルパターンを低コス
トで量産することができる。

【０００８】上記課題を解決する本発明の要旨の第３
は、金属薄膜による第１の電極パターンが形成された基
材上にフッ素系有機材料をパターン状に塗布した後、ア
モルファスシリコン層を選択的に堆積させ、フッ素系有
機材料を洗浄により取り除くことにより、アモルファス
シリコン層のパターン形成を行うことを特徴とする薄膜
太陽電池セルパターンの形成法、にある。かかる形成方
法であるため薄膜太陽電池セルパターンを低コストで量
産することができる。

【０００９】上記課題を解決する本発明の要旨の第４
は、アモルファスシリコンによる起電力層が形成された
基材上にフッ素系有機材料をパターン状に塗布した後、
透明導電膜を全面に堆積させ、フッ素系有機材料とその
上に堆積した透明導電膜を洗浄により取り除くことによ
り、透明導電膜による電極パターン形成を行うことを特
徴とする薄膜太陽電池セルパターンの形成法、にある。
かかる形成方法であるため薄膜太陽電池セルパターンを
低コストで量産することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】低蒸気圧で耐熱性の高いフッ素系
有機溶剤、例えば、フォブリンオイル等を真空中で基材
上に印刷法等により塗布しパターン形成を行うことがで
きる。なお、該パターン形成は大気中で行うことも可能
であるが水分等の悪影響を避けるため真空中で行うのが
好ましい。フォブリンオイルは、オウジモント社（米：
ＡＵＳＩＭＯＮＴ社）が開発したパーフルオロポリエー
テルに属する化学薬品で、化学的に安定で不活性な完全
フッ素化油、すなわち液状のフッ素樹脂ともいうべきも
のである。本来は、潤滑油、シール剤等に使用されてい
る薬品である。図５は、フォブリンオイルの化学構造を
示す。図５（Ａ）は側鎖をもつタイプで、６フッ化プロ
ピレン（ＣＦ₂＝ＣＦ−ＣＦ₃）と酸素により合成され
る。図５（Ｂ）は直鎖タイプを示し、４フッ化エチレン
（ＣＦ₂＝ＣＦ₂）と酸素により合成される。

【００１１】フッ素系有機材料でパターンを形成した
後、ＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法等を用い当該
パターン上に真空薄膜を堆積させる。ここで真空薄膜と
は、上記のような減圧下で形成される金属薄膜やアモル
ファスシリコン層、透明導電膜等の各種の薄膜をいう。
こうすることによりフッ素系有機材料をマスク（言わば
パターン形成材料の下側に設けられるマスク）として、
基材およびフッ素系有機材料上に薄膜が堆積する。その
後、塗布したフッ素系有機材料とこの上に堆積した薄膜
を高フッ化有機溶剤で溶解または払拭することにより選
択的に除去する。あるいは、ＣＶＤ法等の場合、フッ素
系有機材料上には真空薄膜が形成されないのでフッ素系
有機材料以外の部分に選択的な真空薄膜の形成が可能と
なる。これらの方法により、基材上に薄膜パターンを形
成することができ、太陽電池セルパターンを従来の化学
エッチング法を用いずに形成することが可能となる。こ
のようなフッ素系有機材料としては、フォブリンオイル
に限らず基材上で安定な薄膜を形成するたことができる
フッ素系材料、例えば、デュポン社製「ＫＲＹＴＯＸ
１５２５」等の安定なものを使用することもできる。

【００１２】以下、本発明の実施形態を図面を参照して
説明することとする。図２は、本発明による薄膜太陽電
池セルパターンの形成法を説明する断面図である。ま
ず、図２（Ａ）のように、ガラスあるいはプラスチック
等の基材２１上に、フッ素系有機材料２２ａを凸版印
刷、平板印刷、スクリーン印刷等の印刷法によりパター
ン状に塗布する。ここで、凸版印刷にはゴム凸版印刷法
が好適に採用され、平板印刷には金属材料等の型板をパ
ターン状に打ち抜いたものを用いてローラー等によりフ
ッ素系有機材料を塗布する方法で行うことができる。ま
た、スクリーン印刷はメッシュ状のスクリーンを用いる
印刷方法で当業者によく知られている。平板印刷やスク
リーン印刷の場合には、磁性を帯びた板材または強磁性
体からなるスクリーン版を用い印刷台の下から電磁石で
吸着する印刷方法を用いることができ、正確なパターン
印刷をすることができる。フッ素系有機材料は塗布後も
乾燥による皮膜形成はなく液状であるため、塗布膜が流
動しない程度の膜厚でかつ塗布むらが生じない程度の膜
厚、具体的には、１μｍ〜１００μｍ程度の膜厚に形成
する必要がある。従って、塗布後はできるかぎり平面状
態に維持し塗布膜の流動を防止することが好ましい。

【００１３】その後、基材２１上全面に、第１の電極と
なる金属薄層２３を、蒸着法による選択成長、ＣＶＤ法
あるいはスパッタ法により薄膜形成する（図２
（Ｂ））。次に基材を高フッ化有機溶媒中に浸漬して行
う超音波洗浄あるいは有機溶媒の塗布による溶解、払拭
等による手段で、フッ素系有機材料を除去する。この
際、超音波による振動あるいは払拭による圧力等により
生じた薄膜に亀裂部分を生じさせ、これにより有機溶媒
は亀裂部分より薄膜下に進入してフッ素系有機材料を除
去することになる。高フッ化有機溶媒としては、フッ素
系有機溶剤の低分子品を使用することができる。洗浄後
は基板全面に堆積した金属薄層のうち、基材上に直接堆
積している部分のみが、パターン状に残存して電極パタ
ーンを形成する（図２（Ｃ））。なお、フッ素系有機溶
剤としてのフォブリンオイルは、フロン１１３、パーフ
ルオロオクタン、フォブリンオイルの低分子品（オウジ
モント社製「ガルデン」）等の高フッ素化有機溶媒、フ
ッ素化油には溶解するが、それ以外の水、有機溶媒、油
脂類にはほとんど相溶しない。

【００１４】基材を清浄にした後、電極パターン以外の
部分であって、アモルファスシリコン層を形成しない部
分に、再度フッ素系有機材料２２ｂを印刷法によりパタ
ーン状に塗布する。当該基材上、すなわち電極パター
ン、基材が露出した部分に、３層（ｎ型層、ｉ型層、ｐ
型層）のアモルファスシリコン層２４をＣＶＤ法等によ
り順次積層する（図２（Ｄ））。この３層のアモルファ
スシリコン層は、ほぼ同一形状を有すれば良いのでフッ
素系有機溶剤の１回の塗布によりパターン形成すること
ができる。ＣＶＤ法による場合、フッ素系有機溶剤上に
はアモルファスシリコン層が形成されない選択成長がな
される。

【００１５】アモルファスシリコン層の形成は各種の方
法が知られているが、多用される方法はシランガス（Ｓ
ｉＨ₄）を真空炉中に導入し、電界を印加しプラズマ放
電することにより基材上にアモルファスシリコン薄膜を
形成する方法である。このとき、シランガスに不純物を
添加しない場合はｉ型層が、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を不
純物として添加するとｐ型層が、フォスヒン（ＰＨ₃）
を添加するとｎ型層を形成することができる。すなわ
ち、ガスの切替えによって、ｎ・ｉ・ｐ層の接合を形成
できる。このようにｎ・ｉ・ｐ型はガスの切替えだけで
１つの反応層で形成することができるが、各層を分離し
た反応室で行うラインで連続的に形成することもでき
る。この場合には残留不純物が悪影響を及ぼすことが少
ない効果がある。

【００１６】この基材を前記と同様に、高フッ化有機溶
媒中に浸漬して行う超音波洗浄あるいは塗布による溶
解、払拭等による手段で、フッ素系有機材料を除去す
る。これによりフッ素系有機材料以外の部分に堆積した
アモルファスシリコン層が、パターン状に残存してアモ
ルファスシリコン層２４を形成する（図２（Ｅ））。

【００１７】続いて、第２の電極パターンを透明導電膜
により形成するために、フッ素系有機材料２２ｃを電極
パターンを形成しない部分に印刷法により再度パターン
状に塗布する。このフッ素系有機材料の塗布される部分
が第２の電極パターン間の絶縁部を形成することにな
る。アモルファスシリコン層および基材の露出部分、フ
ッ素系有機材料の塗布された部分上の全面に透明導電膜
を成膜した後（図２（Ｆ））、高フッ化有機溶媒中に浸
漬する超音波洗浄あるいは塗布による溶解、払拭等によ
る手段で、フッ素系有機溶剤を除去する。こうすること
により基材上には透明導電膜からなる第２の電極パター
ンが形成される（図２（Ｇ））。透明導電膜に用いる材
料としては、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₂−Ｓｎ
Ｏ₂（ＩＴＯ）、ＴｉＯ₂があり、これらをスパッタリ
ングや電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、イオンプレーテ
ィング等で形成することができる。

【００１８】最後に、パッシベーション膜をＣＶＤによ
る真空成膜法等により形成することにより、薄膜太陽電
池セルパターンが完成する（図２（Ｈ））。パッシベー
ション膜材料としては、Ｓｉ₃Ｎ₄，ＳｉＯ₂等が好適
に用いられるが、耐候性に優れ透明なフッ素樹脂塗料や
フッ化物重合体等の高分子樹脂の塗布膜であっても良
い。

【００１９】薄膜太陽電池の基材１１としては、ガラス
の他、各種の材質を使用することができる。例えば、ポ
リイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、エポキシ、ポリアクリレート、ポリアリレート等の
樹脂フィルムであってもよい。また、導電性のものを使
用して第１の電極を兼ねることもできる。この場合に
は、ステンレススチール、アルミニウム、銅、チタン、
亜鉛めっき鋼板、カーボンシート等を使用することがで
きる。

【００２０】なお、上記のプロセスでは、全てフッ素系
有機溶剤を塗布するパターン形成法により行っている
が、他のパターン形成方法を併用することも可能であ
る。例えば、第１の電極パターンとアモルファスシリコ
ン層のパターン形成をフッ素系有機溶剤を使用する本発
明のパターン形成法で行い、第２の電極パターンの形成
は、マスクを使用するスパッタリング法または蒸着法で
行う場合等である。特に、蒸着法の場合は、ＣＶＤ法に
較べて成膜圧力が低いので併用が容易である。

【００２１】図３は、本発明の形成法による薄膜太陽電
池セルパターンを示す断面図である。本発明の形成法に
よる薄膜太陽電池は、従来の化学的エッチングによるパ
ターン形成法によるものと構造または性能において何等
変わることはない。図示のものは２単位のセルパターン
が直列接合し、透明導電膜側から太陽光（矢印）を受け
るｐ・ｉ・ｎ型のものであるが、セルパターンを連続的
に接合することにより大電圧を得ることができる。ま
た、単位のセルパターンを並列に接続することにより大
電流のものとすることもできる。また、アモルファスシ
リコン層の形成順序を変えて、ｎ・ｉ・ｐ型の太陽電池
とすることもできる。このような太陽電池により得られ
る電流は直流であるが、インバーターにより変換して家
庭用交流電源とすることができる。

【００２２】図４は、アモルファスシリコン層を示す図
である。この部分が光起電力層となる部分で、基板側か
らｎ型アモルファスシリコン層、ｉ型アモルファスシリ
コン、ｐ型アモルファスシリコン層が積層されている。
太陽光は透明導電膜を透過して光子が吸収され、一対の
電子と正孔ができるが、シリコン基板内部に存在する電
界によって電子はｎ型へ、正孔はｐ型へ移動するため、
ｎ型からｐ型へ向かう電流が生じる。この電流を外部へ
とり出して利用する。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図２を参照
して説明する。＜第１の電極パターンの形成＞清浄な透明ガラス基板
（コーニング社「♯１７３７」）厚さ：１．１ｍｍ、サ
イズ１０ｃｍ□、を準備し、平均分子量７２５０のフォ
ブリンオイル（アウジモント社製「ｆｏｂｌｉｎｙｒ１
８００」）２２ａを第１の電極の非形成領域にパターン
状にゴム凸版印刷法により塗布した（図２（Ａ））。な
お、「ｆｏｂｌｉｎｙｒ１８００」の２０°Ｃにおける
動粘度は、１８５０ｃｔｓであり、印刷後の塗布膜厚は
１０μｍであった。

【００２４】フォブリンオイル塗布膜形成後の上記基材
２１を平面に維持した状態で、蒸着槽中に導入し、Ｃｒ
を蒸着源として加熱蒸着法により成膜した（図２
（Ｂ））。なお、蒸着条件は以下のとおりである。（蒸着条件）蒸着材料：Ｃｒ（純度：９９．９９％）成膜圧力：５×１０^-6Ｔｏｒｒ膜厚：３００ｎｍ成膜温度：３５０°Ｃ

【００２５】蒸着後の基材２１を、フォブリン除去剤
（アウジモント社製「ガルデン」）中に浸漬し、超音波
洗浄機で洗浄（出力１００Ｗ、３９ＫＨｚ、３分間）す
ることにより、基材上に塗布されたフォブリンオイル２
２ａとその上に蒸着されＣｒからなる金属電極層２３は
溶解除去され、基材ガラス上に直接蒸着されたＣｒ層の
みが残存し、第１の電極パターンが形成された（図２
（Ｃ））。

【００２６】＜アモルファスシリコン層の形成＞フォブ
リンオイル（アウジモント社製「ｆｏｂｌｉｎｙｒ１８
００」）を第１の電極形成の場合と同一の条件で、アモ
ルファスシリコン層の非形成領域にゴム凸版印刷法によ
り塗布した。塗布は前記と同一条件の印刷法によった。

【００２７】つづいて、基材を真空反応炉中に導入し
て、ＣＶＤ法によりアモルファスシリコン層を形成した
（図２（Ｄ））。この工程は最初に、ｎ型のアモルフ
ァスシリコン層〔ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）層〕を形成した
後、ノンドープのｉ型のアモルファスシリコン層〔ａ
−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）層〕を形成し、最後に、ｐ型のアモ
ルファスシリコン層〔ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｐ）層〕を形成す
ることにより行った。各成膜条件は次のとおりである。（ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ層））成膜圧力：５００ｍＴｏｒｒＲＦ投入電力：５０Ｗ導入ガス：ＳｉＨ₄／フォスフィン／Ｈ₂（４０／
４０／８０ｓｃｃｍ）基板温度：３００°Ｃ膜厚：５０ｎｍ成膜時間：５分（ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ層））成膜圧力：５００ｍＴｏｒｒＲＦ投入電力：５０Ｗ導入ガス：ＳｉＨ₄／Ｈ₂（４０／８０ｓｃｃｍ）基板温度：３００°Ｃ膜厚：３００ｎｍ成膜時間：３５分（ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｐ層））成膜圧力：５００ｍＴｏｒｒＲＦ投入電力：５０Ｗ導入ガス：ＳｉＨ₄／ジボラン／Ｈ₂（４０／２０
／４０ｓｃｃｍ）基板温度：２５０°Ｃ膜厚：３０ｎｍ成膜時間：３分

【００２８】成膜後の基材２１を、フォブリン除去剤
（アウジモント社製「ガルデン」）中に浸漬し、超音波
洗浄機で洗浄（出力１００Ｗ、３９ＫＨｚ、３分間）す
ることにより、基材上に塗布されたフォブリンオイル２
２ｂは溶解除去され、基材ガラス上とＣｒ層上に選択的
に成長し成膜されたアモルファスシリコン層のみが残存
し、太陽電池の起電力層となるアモルファスシリコン層
が形成された（図２（Ｅ））。

【００２９】＜透明電極パターンの形成＞フォブリンオ
イル（アウジモント社製「ｆｏｂｌｉｎｙｒ１８０
０」）を第１の電極形成の場合と同一の条件で、透明電
極パターン非形成領域に塗布した。塗布は前記と同一条
件のゴム凸版印刷法によった。なお、本実施例の場合、
フォブリンオイルは単一セルの分離帯部分に絶縁帯を設
けるために塗布されることになる。

【００３０】アモルファスシリコン層２４、フォブリン
オイル塗布部２２ｃおよび基材の露出した部分にＩＴＯ
による透明導電膜層２５を反応性スパッタリング法によ
り、次の条件で成膜した（図２（Ｆ））。（成膜条件）ターゲット：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂焼結ターゲット
（ＳｎＯ₂：１０ｗｔ％）成膜圧力：５ｍＴｏｒｒ膜厚：４０ｎｍＤＣパワー：２．５ｋＷＡｒ／Ｏ₂分圧：１００／４ｓｃｃｍ成膜温度：２００°Ｃ

【００３１】成膜後の基材を、フォブリン除去剤（アウ
ジモント社製「ガルデン」）中に浸漬し、超音波洗浄機
で洗浄（出力１００Ｗ、３９ＫＨｚ、３分間）すること
により、基材上に塗布されたフォブリンオイル２２ｃと
その上に成膜された透明導電膜層は溶解除去され、基材
ガラス上とアモルファスシリコン層上に形成された透明
導電膜層のみが残存して上部電極が形成された（図２
（Ｇ））。なお、透明導電膜２５と第１の電極２３と
は、図２（Ｇ）中「＝」で示される部分で接続されるの
で、単一セルが直列接合した連続的セルに形成されるこ
とになる。

【００３２】＜パッシベーション膜の形成＞最後にパッ
シベーション膜２６を、ＣＶＤによる真空成膜法により
ＳｉＯ₂膜を形成して薄膜太陽電池を完成した（図２
（Ｈ））。なお、成膜条件は次のとおりである。（パッシベーション膜成膜条件）成膜圧力：３０ｍＴｏｒｒＲＦ投入電力：５０Ｗ導入ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）基板温度：１５０°Ｃ膜厚：１０００Å 成膜時間：３分

【００３３】上記で作製された薄膜太陽電池にＡＭ−１
（赤道上での太陽輻射スペクトルを再現した標準光源）
を照射したところ、初期における太陽電池変換効率は７
％であった。

【００３４】

【発明の効果】以上のとおり、本発明の薄膜太陽電池セ
ルパターンの形成法によれば、化学エッチングやレーザ
ーパターニングのプロセスを必要としない薄膜の選択的
成長または選択的除去の技術により形成できるのでセル
パターンの形成が容易になり、設備投資、生産コスト、
歩留りが改善され、太陽電池のコストの低減に貢献でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来法による薄膜太陽電池セルパターン製造
プロセスを示す断面図である。

【図２】本発明による薄膜太陽電池セルパターンの形
成法を説明する断面図である。

【図３】本発明の形成法による薄膜太陽電池セルパタ
ーンを示す断面図である。

【図４】アモルファスシリコン層を示す図である。

【図５】フォブリンオイルの化学構造を示す図であ
る。

【符号の説明】

１１，２１基材１２，２３金属電極層１３レジスト膜１４，２４アモルファスシリコン層１５，２５透明導電膜１６，２６パッシベーション膜２２ａ，２２ｂ，２２ｃフッ素系有機材料

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材上にフッ素系有機材料をパターン状
に塗布した後、真空薄膜を全面に堆積させ、フッ素系有
機材料とその上に堆積した薄膜を洗浄により取り除くこ
とにより、薄膜パターン形成することを特徴とする薄膜
太陽電池セルパターンの形成法。
【請求項２】基材上にフッ素系有機材料をパターン状
に塗布した後、金属薄膜を全面に堆積させ、フッ素系有
機材料とその上に堆積した薄膜を洗浄により取り除くこ
とにより、金属薄膜による電極パターン形成を行うこと
を特徴とする薄膜太陽電池セルパターンの形成法。
【請求項３】金属薄膜による第１の電極パターンが形
成された基材上にフッ素系有機材料をパターン状に塗布
した後、アモルファスシリコン層を選択的に堆積させ、
フッ素系有機材料を洗浄により取り除くことにより、ア
モルファスシリコン層のパターン形成を行うことを特徴
とする薄膜太陽電池セルパターンの形成法。
【請求項４】アモルファスシリコンによる起電力層が
形成された基材上にフッ素系有機材料をパターン状に塗
布した後、透明導電膜を全面に堆積させ、フッ素系有機
材料とその上に堆積した透明導電膜を洗浄により取り除
くことにより、透明導電膜による電極パターン形成を行
うことを特徴とする薄膜太陽電池セルパターンの形成
法。
【請求項５】フッ素系有機材料が、側鎖型または直鎖
型のパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする
請求項１から請求項４記載の薄膜太陽電池セルパターン
の形成法。
【請求項６】洗浄を低分子の高フッ化有機溶媒により
行うことを特徴とする請求項１から請求項５記載の薄膜
太陽電池セルパターンの形成法。