JPH1126795A - 集積化薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
集積化薄膜太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPH1126795A JPH1126795A JP9173871A JP17387197A JPH1126795A JP H1126795 A JPH1126795 A JP H1126795A JP 9173871 A JP9173871 A JP 9173871A JP 17387197 A JP17387197 A JP 17387197A JP H1126795 A JPH1126795 A JP H1126795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- solar cell
- film solar
- manufacturing
- integrated thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 第１電極層と第３電極層との接続部でのシリ
ーズ抵抗の増大を防ぎ、効率及び信頼性の高い太陽電池
を得る。 【解決手段】 透光性絶縁基板１上に順次積層された第
１電極層２、半導体光電変換層３、第２電極層４及び第
３電極層５が複数の太陽電池セルを形成するように実質
的に直線状で互いに平行な複数の分割線によって分割さ
れていてかつそれらの複数のセルが電気的に直列接続さ
れた集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、それらの
第１電極層と隣接する太陽電池セルの第３電極層との接
続のための半導体光電変換層と第２電極層との積層体の
接続用開口部７の形成が積層面側からのレーザービーム
の照射７２によって行われることを特徴とする集積化薄
膜太陽電池の製造方法により、第３電極層の接続用開口
部での付着力及び機械的強度を増大させる。また、該開
口部の周囲が結晶化することにより、更なるシリーズ抵
抗の低減も期待できる。
ーズ抵抗の増大を防ぎ、効率及び信頼性の高い太陽電池
を得る。 【解決手段】 透光性絶縁基板１上に順次積層された第
１電極層２、半導体光電変換層３、第２電極層４及び第
３電極層５が複数の太陽電池セルを形成するように実質
的に直線状で互いに平行な複数の分割線によって分割さ
れていてかつそれらの複数のセルが電気的に直列接続さ
れた集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、それらの
第１電極層と隣接する太陽電池セルの第３電極層との接
続のための半導体光電変換層と第２電極層との積層体の
接続用開口部７の形成が積層面側からのレーザービーム
の照射７２によって行われることを特徴とする集積化薄
膜太陽電池の製造方法により、第３電極層の接続用開口
部での付着力及び機械的強度を増大させる。また、該開
口部の周囲が結晶化することにより、更なるシリーズ抵
抗の低減も期待できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜太陽電池に関
し、特に、比較的大きな面積の透光性絶縁基板上に順次
積層された第１電極層、半導体光電変換層、第２電極層
及び第３電極層が複数の光電変換セルを形成するように
複数の分割線によって分割されていてかつそれらの複数
のセルが電気的に直列接続された集積型薄膜太陽電池に
関するものである。
し、特に、比較的大きな面積の透光性絶縁基板上に順次
積層された第１電極層、半導体光電変換層、第２電極層
及び第３電極層が複数の光電変換セルを形成するように
複数の分割線によって分割されていてかつそれらの複数
のセルが電気的に直列接続された集積型薄膜太陽電池に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽光のエネルギーを直接電気エネルギ
ーに変換する太陽電池の実用化は近年本格的に進められ
ており、単結晶シリコンや多結晶シリコン等の結晶系太
陽電池は、屋外の電力用太陽電池として既に実用化され
ている。他方、非結晶シリコンの薄膜太陽電池は、その
製造のための原材料が少なくてすみかつ大面積の集積化
太陽電池が絶縁基板上に直接作製可能なこととから、低
コスト太陽電池として注目されている。しかし、非結晶
系薄膜太陽電池は屋外用としては未だ開発段階にあり、
既に普及している電卓などの民生機器の電源用途におけ
る実績をもとにして、屋外用途に発展させるために研究
開発が進められている。
ーに変換する太陽電池の実用化は近年本格的に進められ
ており、単結晶シリコンや多結晶シリコン等の結晶系太
陽電池は、屋外の電力用太陽電池として既に実用化され
ている。他方、非結晶シリコンの薄膜太陽電池は、その
製造のための原材料が少なくてすみかつ大面積の集積化
太陽電池が絶縁基板上に直接作製可能なこととから、低
コスト太陽電池として注目されている。しかし、非結晶
系薄膜太陽電池は屋外用としては未だ開発段階にあり、
既に普及している電卓などの民生機器の電源用途におけ
る実績をもとにして、屋外用途に発展させるために研究
開発が進められている。
【０００３】薄膜太陽電池の製造においては、ＣＶＤ法
やスパッタリング法等を用いた薄膜の堆積とレーザース
クライブ法等を用いたパターニングを繰り返し、所望の
構造となるようにその製造プロセスを構築する。通常は
１枚の基板上に複数の単位素子が直列に接続された集積
化構造が採用され、屋外用途のための電力用太陽電池で
は、その基板サイズは、例えば０．３×０．８（ｍ）を
越える大面積となる。
やスパッタリング法等を用いた薄膜の堆積とレーザース
クライブ法等を用いたパターニングを繰り返し、所望の
構造となるようにその製造プロセスを構築する。通常は
１枚の基板上に複数の単位素子が直列に接続された集積
化構造が採用され、屋外用途のための電力用太陽電池で
は、その基板サイズは、例えば０．３×０．８（ｍ）を
越える大面積となる。
【０００４】図１は、このような集積化薄膜太陽電池の
構造を表す断面図であり、第１電極層２とアモルファス
シリコン等よりなる半導体層３と第２電極層４と第３電
極層５とを順次積層し、パターニングにより、半導体層
３と第２電極層４との積層体に設けられた接続用開口部
７を介して、互いに隣接し合う単位素子が直列に接続さ
れている。第１電極層２としては通常酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）等の透明導電膜が用いられ、第２電極層４として
は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電膜が用いられる。
また第３電極層５としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム
（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）等の金属膜が用いられる。
構造を表す断面図であり、第１電極層２とアモルファス
シリコン等よりなる半導体層３と第２電極層４と第３電
極層５とを順次積層し、パターニングにより、半導体層
３と第２電極層４との積層体に設けられた接続用開口部
７を介して、互いに隣接し合う単位素子が直列に接続さ
れている。第１電極層２としては通常酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）等の透明導電膜が用いられ、第２電極層４として
は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電膜が用いられる。
また第３電極層５としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム
（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）等の金属膜が用いられる。
【０００５】このような従来の集積化薄膜太陽電池は、
およそ次のような方法によって作製される。以下図１及
び図２を参照しつつ説明する。透光性絶縁基板１上に、
ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＩＴＯ等の透明導電膜を第１電極層
２として堆積し、集積化のために、第１電極層の膜面側
から６１或いは透光性絶縁基板面側から６２レーザビー
ムを照射するレーザースクライブ法で第１電極層２を発
電領域に対応して集積方向に直角に直線状に連続した分
離溝６を設け分離する。次にプラズマＣＶＤ法により、
ｐ−ｉ−ｎ接続構造を有する非晶質シリコンの半導体層
３を全面にわたって堆積する。次に、第２電極層４とし
て、ＺｎＯ等の透明導電膜を単層または複層に堆積し、
続いて、透光性絶縁基板面側から７１レーザビームを照
射するレーザースクライブ法によって発電領域に対応し
て集積方向と直角に直線状或いは点線状に半導体層３と
第２電極層４に接続用開口部７を設ける。さらに第３電
極層５として、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属膜を単層また
は複層に堆積し、透光性絶縁基板面側から８１レーザビ
ームを照射するレーザースクライブ法により発電領域に
対応して集積方向と直角に直線状に連続した上部溝８を
設け分離し、集積化された大面積薄膜太陽電池が完成す
る。
およそ次のような方法によって作製される。以下図１及
び図２を参照しつつ説明する。透光性絶縁基板１上に、
ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＩＴＯ等の透明導電膜を第１電極層
２として堆積し、集積化のために、第１電極層の膜面側
から６１或いは透光性絶縁基板面側から６２レーザビー
ムを照射するレーザースクライブ法で第１電極層２を発
電領域に対応して集積方向に直角に直線状に連続した分
離溝６を設け分離する。次にプラズマＣＶＤ法により、
ｐ−ｉ−ｎ接続構造を有する非晶質シリコンの半導体層
３を全面にわたって堆積する。次に、第２電極層４とし
て、ＺｎＯ等の透明導電膜を単層または複層に堆積し、
続いて、透光性絶縁基板面側から７１レーザビームを照
射するレーザースクライブ法によって発電領域に対応し
て集積方向と直角に直線状或いは点線状に半導体層３と
第２電極層４に接続用開口部７を設ける。さらに第３電
極層５として、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属膜を単層また
は複層に堆積し、透光性絶縁基板面側から８１レーザビ
ームを照射するレーザースクライブ法により発電領域に
対応して集積方向と直角に直線状に連続した上部溝８を
設け分離し、集積化された大面積薄膜太陽電池が完成す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図２で示す
上述した従来の方式で作製した集積化薄膜太陽電池及び
製造方法では、性能が悪くなるという問題があった。こ
の性能の低下の原因について本発明者らが詳細に検討し
た結果、透光性絶縁基板側からレーザービームを照射し
た場合には、その溶断形状が、膜表面側で狭く、第１電
極層側で広い台形の形状に成る結果、第３電極層を成膜
した際に、接続用開口部に充分な堆積がなされずまた充
分な付着力で堆積がなされず、また、その後の工程で該
接続用開口部周囲の第２電極層及び半導体層の剥離に伴
う第３電極層の断裂によりコンタクト抵抗が増大するこ
とが性能低下の原因であることを見出した。このように
従来の製造方法では、高性能かつ信頼性の高い集積化薄
膜太陽電池を製造することが困難であった。
上述した従来の方式で作製した集積化薄膜太陽電池及び
製造方法では、性能が悪くなるという問題があった。こ
の性能の低下の原因について本発明者らが詳細に検討し
た結果、透光性絶縁基板側からレーザービームを照射し
た場合には、その溶断形状が、膜表面側で狭く、第１電
極層側で広い台形の形状に成る結果、第３電極層を成膜
した際に、接続用開口部に充分な堆積がなされずまた充
分な付着力で堆積がなされず、また、その後の工程で該
接続用開口部周囲の第２電極層及び半導体層の剥離に伴
う第３電極層の断裂によりコンタクト抵抗が増大するこ
とが性能低下の原因であることを見出した。このように
従来の製造方法では、高性能かつ信頼性の高い集積化薄
膜太陽電池を製造することが困難であった。
【０００７】このような先行技術の課題に鑑み、本発明
は、例えば０．３ｍ×０．３ｍ以上の大きな面積を有し
ていても高性能かつ高い信頼性を有する集積化薄膜太陽
電池を提供することを目的としている。
は、例えば０．３ｍ×０．３ｍ以上の大きな面積を有し
ていても高性能かつ高い信頼性を有する集積化薄膜太陽
電池を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、性能及び信頼
性の高い０．３ｍ×０．３ｍ以上の大きなサイズの集積
化薄膜太陽電池を製造するための方法を提供することを
目的としている。このような本発明は、透光性絶縁基板
上に順次積層された第１電極層、半導体光電変換層、第
２電極層及び第３電極層が複数の太陽電池セルを形成す
るように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線に
よって分割されていてかつそれらの複数のセルが電気的
に直列接続された集積型薄膜太陽電池の製造方法であっ
て、それらの第１電極層と隣接する太陽電池セルの第３
電極層との接続のための半導体光電変換層と第２電極層
との積層体の接続用開口部の形成が積層面側からのレー
ザービームの照射によって行われることを特徴とする集
積化薄膜太陽電池の製造方法とすることで実現できる。
性の高い０．３ｍ×０．３ｍ以上の大きなサイズの集積
化薄膜太陽電池を製造するための方法を提供することを
目的としている。このような本発明は、透光性絶縁基板
上に順次積層された第１電極層、半導体光電変換層、第
２電極層及び第３電極層が複数の太陽電池セルを形成す
るように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線に
よって分割されていてかつそれらの複数のセルが電気的
に直列接続された集積型薄膜太陽電池の製造方法であっ
て、それらの第１電極層と隣接する太陽電池セルの第３
電極層との接続のための半導体光電変換層と第２電極層
との積層体の接続用開口部の形成が積層面側からのレー
ザービームの照射によって行われることを特徴とする集
積化薄膜太陽電池の製造方法とすることで実現できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を具体的実施
例に基づいて説明する。図３は、本発明の集積化薄膜太
陽電池の製造を表している。図例は、透光性絶縁基板上
に順次積層された第１電極層、半導体光電変換層、第２
電極層及び第３電極層が複数の太陽電池セルを形成する
ように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線によ
って分割されていてかつそれらの複数のセルが電気的に
直列接続された集積型薄膜太陽電池の製造方法であっ
て、それらの第１電極層と隣接する太陽電池セルの第３
電極層との接続のための半導体光電変換層と第２電極層
との積層体の接続用開口部の形成が積層面側からのレー
ザービームの照射によって行われることを特徴とする集
積化薄膜太陽電池の製造方法である。
例に基づいて説明する。図３は、本発明の集積化薄膜太
陽電池の製造を表している。図例は、透光性絶縁基板上
に順次積層された第１電極層、半導体光電変換層、第２
電極層及び第３電極層が複数の太陽電池セルを形成する
ように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線によ
って分割されていてかつそれらの複数のセルが電気的に
直列接続された集積型薄膜太陽電池の製造方法であっ
て、それらの第１電極層と隣接する太陽電池セルの第３
電極層との接続のための半導体光電変換層と第２電極層
との積層体の接続用開口部の形成が積層面側からのレー
ザービームの照射によって行われることを特徴とする集
積化薄膜太陽電池の製造方法である。
【００１０】以下、本図及び図１を参照しながら、製造
方法とともに詳細を説明する。ガラス基板１上に、酸化
錫からなる透明導電膜を第１電極層２として堆積し、集
積化のため膜面側から６１レーザビームを照射するレー
ザースクライブ法で第１電極層２を複数の発電領域に対
応して集積方向と直角に溶断し幅２０μｍの分離溝６を
形成した。大面積の集積化薄膜太陽電池の場合、例えば
基板の一方向に沿って、短冊状の発電領域が形成され
る。ここで大面積の集積化薄膜太陽電池の場合には、一
例として９１０×４５５×４（ｍｍ）のヘイズ基板が用
いられる。
方法とともに詳細を説明する。ガラス基板１上に、酸化
錫からなる透明導電膜を第１電極層２として堆積し、集
積化のため膜面側から６１レーザビームを照射するレー
ザースクライブ法で第１電極層２を複数の発電領域に対
応して集積方向と直角に溶断し幅２０μｍの分離溝６を
形成した。大面積の集積化薄膜太陽電池の場合、例えば
基板の一方向に沿って、短冊状の発電領域が形成され
る。ここで大面積の集積化薄膜太陽電池の場合には、一
例として９１０×４５５×４（ｍｍ）のヘイズ基板が用
いられる。
【００１１】この複数の発電領域に対応して形成された
第１電極層２にわたって、半導体層３としてプラズマＣ
ＶＤ法によってｐ−ｉ−ｎ構造の水素化アモルファスシ
リコン層を堆積した。ここで示した半導体層３の堆積条
件はあくまで一例であり、例えば第１電極層２側からｎ
−ｉ−ｐ構造でもよく、タンデム構造としてもよい。半
導体層の主たる材料としても、水素化アモルファスシリ
コンだけでなく、アモルファス、多結晶、または微結
晶、およびこれらの組み合わせでもよく、シリコン以外
にもシリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲル
マニウム、III−Ｖ族化合物、II−ＶI族化合物、Ｉ−II
I−ＶI族化合物等があり、さらにはこれらを組み合わせ
たものでもよい。
第１電極層２にわたって、半導体層３としてプラズマＣ
ＶＤ法によってｐ−ｉ−ｎ構造の水素化アモルファスシ
リコン層を堆積した。ここで示した半導体層３の堆積条
件はあくまで一例であり、例えば第１電極層２側からｎ
−ｉ−ｐ構造でもよく、タンデム構造としてもよい。半
導体層の主たる材料としても、水素化アモルファスシリ
コンだけでなく、アモルファス、多結晶、または微結
晶、およびこれらの組み合わせでもよく、シリコン以外
にもシリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲル
マニウム、III−Ｖ族化合物、II−ＶI族化合物、Ｉ−II
I−ＶI族化合物等があり、さらにはこれらを組み合わせ
たものでもよい。
【００１２】そして、半導体層３上にスパッタリング法
により第２電極層４としてＺｎＯを堆積した。ここで第
２電極層４の材料としては、ＺｎＯの他にもＳｎＯ2や
ＩＴＯ等の透明導電材料、或いは、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ等
の金属材料でもよく、さらにはこれらの積層体でもよ
い。続いて、膜面側から７２レーザビームを照射するレ
ーザースクライブ法によって半導体層３及び第２電極層
４を溶断し既に形成されている第１電極層２の分離溝６
に隣接した幅１００μｍで直線状に接続用開口部７を形
成した。
により第２電極層４としてＺｎＯを堆積した。ここで第
２電極層４の材料としては、ＺｎＯの他にもＳｎＯ2や
ＩＴＯ等の透明導電材料、或いは、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ等
の金属材料でもよく、さらにはこれらの積層体でもよ
い。続いて、膜面側から７２レーザビームを照射するレ
ーザースクライブ法によって半導体層３及び第２電極層
４を溶断し既に形成されている第１電極層２の分離溝６
に隣接した幅１００μｍで直線状に接続用開口部７を形
成した。
【００１３】そして、第２電極層４上にスパッタリング
法により第３電極層５としてＡｇを堆積した。ここで第
３電極層５の材料としては、Ａｇの他にもＡｌ、Ｃｒ等
の金属材料、或いはＺｎＯ、ＳｎＯ2やＩＴＯ等の透明
導電材料でもよく、さらにはこれらの積層体でもよい。
続いて、接続用開口部７の近傍で、接続用開口部７に対
して第１電極層２の分離溝６とは反対側の第３電極層５
と第２電極層４と半導体層３とを、ガラス基板側から８
１レーザビームを照射するレーザースクライブ法によっ
て除去し、幅１００μｍの上部分離溝８を形成し、第３
電極層５を複数の発電領域に対応して集積方向と直角に
分割する。これによって、ガラス基板１上に第１電極層
２と第３電極層５とによって挟まれる領域からなる単位
素子が複数個直列に接続形成されたことになる。
法により第３電極層５としてＡｇを堆積した。ここで第
３電極層５の材料としては、Ａｇの他にもＡｌ、Ｃｒ等
の金属材料、或いはＺｎＯ、ＳｎＯ2やＩＴＯ等の透明
導電材料でもよく、さらにはこれらの積層体でもよい。
続いて、接続用開口部７の近傍で、接続用開口部７に対
して第１電極層２の分離溝６とは反対側の第３電極層５
と第２電極層４と半導体層３とを、ガラス基板側から８
１レーザビームを照射するレーザースクライブ法によっ
て除去し、幅１００μｍの上部分離溝８を形成し、第３
電極層５を複数の発電領域に対応して集積方向と直角に
分割する。これによって、ガラス基板１上に第１電極層
２と第３電極層５とによって挟まれる領域からなる単位
素子が複数個直列に接続形成されたことになる。
【００１４】最後に、必要に応じてエポキシ樹脂等の適
当なパッシベーション層を塗布形成しておく。本発明の
製造方法では接続用開口部の形成が膜側からのレーザー
ビーム照射によるレーザスクライブ法によって行われて
いるので、その溶断形状が、第１電極層側で狭く、膜面
側で広い台形の形状に成る結果、第３電極層を成膜した
際に、アスペクト比の問題が無く接続用開口部に充分な
堆積がなされ充分な付着力で堆積がなされ、また、その
後の工程で該接続用開口部周囲の第２電極層及び半導体
層の剥離に伴う第３電極層の断裂も発生しないのでコン
タクト抵抗が小さくなり、高性能かつ信頼性の高い集積
化薄膜太陽電池を製造することができる。また、該開口
部の周囲の半導体層が結晶化することにより、更なるシ
リーズ抵抗の低減も期待できる。
当なパッシベーション層を塗布形成しておく。本発明の
製造方法では接続用開口部の形成が膜側からのレーザー
ビーム照射によるレーザスクライブ法によって行われて
いるので、その溶断形状が、第１電極層側で狭く、膜面
側で広い台形の形状に成る結果、第３電極層を成膜した
際に、アスペクト比の問題が無く接続用開口部に充分な
堆積がなされ充分な付着力で堆積がなされ、また、その
後の工程で該接続用開口部周囲の第２電極層及び半導体
層の剥離に伴う第３電極層の断裂も発生しないのでコン
タクト抵抗が小さくなり、高性能かつ信頼性の高い集積
化薄膜太陽電池を製造することができる。また、該開口
部の周囲の半導体層が結晶化することにより、更なるシ
リーズ抵抗の低減も期待できる。
【００１５】以上のような本発明の製造方法による集積
化薄膜太陽電池と、従来の製造方法による従来品とでそ
のＡＭ１．５の疑似太陽光下での初期真性光電変換効率
を比較した。その結果、従来品の効率が９％であったの
に対して、発明品では１０％となり、大幅な改善効果が
確認された。集積化薄膜太陽電池の断面構造従来の集積
化薄膜太陽電池製造方法での断面構造本発明の集積化薄
膜太陽電池製造方法での断面構造
化薄膜太陽電池と、従来の製造方法による従来品とでそ
のＡＭ１．５の疑似太陽光下での初期真性光電変換効率
を比較した。その結果、従来品の効率が９％であったの
に対して、発明品では１０％となり、大幅な改善効果が
確認された。集積化薄膜太陽電池の断面構造従来の集積
化薄膜太陽電池製造方法での断面構造本発明の集積化薄
膜太陽電池製造方法での断面構造
【図１】 集積化薄膜太陽電池の断面構造
【図２】 従来の集積化薄膜太陽電池製造方法での断面
構造
構造
【図３】 本発明の集積化薄膜太陽電池製造方法での断
面構造
面構造
１：基板 ２：第１電極層 ３：半導体層 ４：第２電極層 ５：第３電極層 ６：分離溝 ７：接続用開口部 ８：上部分離溝 ６１：６を設ける際の膜面側からのレーザビーム照射方
向 ６２：６を設ける際の透光性絶縁基板側からのレーザビ
ーム照射方向 ７１：従来法での７を設ける際の透光性絶縁基板側から
のレーザビーム照射方向 ７２：本発明での７を設ける際の膜面側からのレーザビ
ーム照射方向 ８１：８を設ける際の透光性絶縁基板側からのレーザビ
ーム照射方向
向 ６２：６を設ける際の透光性絶縁基板側からのレーザビ
ーム照射方向 ７１：従来法での７を設ける際の透光性絶縁基板側から
のレーザビーム照射方向 ７２：本発明での７を設ける際の膜面側からのレーザビ
ーム照射方向 ８１：８を設ける際の透光性絶縁基板側からのレーザビ
ーム照射方向
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性絶縁基板上に順次積層された第１
電極層、半導体光電変換層、第２電極層及び第３電極層
が複数の太陽電池セルを形成するように実質的に直線状
で互いに平行な複数の分割線によって分割されていてか
つそれらの複数のセルが電気的に直列接続された集積型
薄膜太陽電池の製造方法であって、それらの第１電極層
と隣接する太陽電池セルの第３電極層との接続のための
半導体光電変換層と第２電極層との積層体の接続用開口
部の形成が積層面側からのレーザービームの照射によっ
て行われることを特徴とする集積化薄膜太陽電池の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173871A JPH1126795A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173871A JPH1126795A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126795A true JPH1126795A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15968686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9173871A Pending JPH1126795A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126795A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990030106A (ko) * | 1997-09-26 | 1999-04-26 | 다카노 야스아키 | 집적형 광기전력 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2009057951A3 (en) * | 2007-11-02 | 2009-07-16 | Jusung Eng Co Ltd | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same |
| CN101630704A (zh) * | 2008-07-18 | 2010-01-20 | 三星电子株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| WO2010030546A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | United Solar Ovonic Llc | Monolithic photovoltaic module |
| EP2157622A3 (en) * | 2008-08-21 | 2012-11-21 | Applied Materials, Inc. | Solar cell substrates and methods of manufacture |
| KR101241467B1 (ko) | 2011-10-13 | 2013-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| US8754325B2 (en) | 2007-11-02 | 2014-06-17 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same |
| CN113894432A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-01-07 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 一种激光划刻方法和一种太阳能电池 |
| CN119525748A (zh) * | 2024-12-16 | 2025-02-28 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 激光划线装置及其使用方法 |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP9173871A patent/JPH1126795A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990030106A (ko) * | 1997-09-26 | 1999-04-26 | 다카노 야스아키 | 집적형 광기전력 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2009057951A3 (en) * | 2007-11-02 | 2009-07-16 | Jusung Eng Co Ltd | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same |
| US8754325B2 (en) | 2007-11-02 | 2014-06-17 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same |
| CN101630704A (zh) * | 2008-07-18 | 2010-01-20 | 三星电子株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| EP2157622A3 (en) * | 2008-08-21 | 2012-11-21 | Applied Materials, Inc. | Solar cell substrates and methods of manufacture |
| WO2010030546A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | United Solar Ovonic Llc | Monolithic photovoltaic module |
| CN102210027A (zh) * | 2008-09-09 | 2011-10-05 | 联合太阳能奥佛有限公司 | 单片光伏模块 |
| KR101241467B1 (ko) | 2011-10-13 | 2013-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| CN113894432A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-01-07 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 一种激光划刻方法和一种太阳能电池 |
| CN119525748A (zh) * | 2024-12-16 | 2025-02-28 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 激光划线装置及其使用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI431792B (zh) | An integrated multi-junction photoelectric conversion device, and a method of manufacturing the same | |
| US6870088B2 (en) | Solar battery cell and manufacturing method thereof | |
| JP3653800B2 (ja) | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPWO2004064167A1 (ja) | 透光性薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2006332453A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池 | |
| JP2986875B2 (ja) | 集積化太陽電池 | |
| CN110176506A (zh) | 薄膜光伏电池串联结构及薄膜光伏电池串联的制备工艺 | |
| CN112133830A (zh) | 一种2-t钙钛矿叠层太阳能电池模块及其制备方法 | |
| WO2010030546A1 (en) | Monolithic photovoltaic module | |
| JP3755048B2 (ja) | 集積化薄膜タンデム太陽電池とその製造方法 | |
| JP3815875B2 (ja) | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| CN103392237A (zh) | 光生伏打装置以及用于划刻光生伏打装置的方法 | |
| JPH1126795A (ja) | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 | |
| WO2008026581A1 (fr) | Module de pile solaire | |
| CN102473711B (zh) | 具有改进的太阳能电池互连性的薄膜太阳能模块及其制造方法 | |
| JP2002151720A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2002203976A (ja) | 薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| KR101295547B1 (ko) | 박막 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 | |
| US20110030769A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| JPH05251723A (ja) | 集積型太陽電池モジュール | |
| JP2012256881A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP4261169B2 (ja) | 透光性薄膜太陽電池及び透光性薄膜太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP2010010606A (ja) | 光学変換素子セル、集積化光学変換装置、光学変換素子セルの製造方法及び集積化光学変換装置の製造方法 | |
| JPH0779004A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH11298020A (ja) | 薄膜太陽電池モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050418 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050615 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050719 |