JPH11267968A - ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 - Google Patents
ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤Info
- Publication number
- JPH11267968A JPH11267968A JP9068098A JP9068098A JPH11267968A JP H11267968 A JPH11267968 A JP H11267968A JP 9068098 A JP9068098 A JP 9068098A JP 9068098 A JP9068098 A JP 9068098A JP H11267968 A JPH11267968 A JP H11267968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- thickness
- work table
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 35
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 130
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚さの振れ幅が小さく、表面平坦なウエハを
製造することが可能な研磨盤方法およびそれを可能なら
しめる研磨盤の提供。 【解決手段】 ウエハの厚さT0 (μm)を測定し、設
定された目標のウエハの厚さTf (μm)迄ウエハを研
磨する方法において、先ず研磨速度S(μm/分)、研
磨時間t1 (分)で(T0 −Tf )>St1 となるよう
に定めてウエハを研磨速度Sでt1 時間研磨し、次いで
研磨されたウエハの厚さT1 (μm)を測定し、再びウ
エハを研磨速度(T0 −T1 )/t1 (μm/分)で、
(T1 −Tf )t1 /(T0 −T1 )の時間研磨して目
標の厚さTf (μm)のウエハを得ることを特徴とす
る、ウエハの研磨方法。
製造することが可能な研磨盤方法およびそれを可能なら
しめる研磨盤の提供。 【解決手段】 ウエハの厚さT0 (μm)を測定し、設
定された目標のウエハの厚さTf (μm)迄ウエハを研
磨する方法において、先ず研磨速度S(μm/分)、研
磨時間t1 (分)で(T0 −Tf )>St1 となるよう
に定めてウエハを研磨速度Sでt1 時間研磨し、次いで
研磨されたウエハの厚さT1 (μm)を測定し、再びウ
エハを研磨速度(T0 −T1 )/t1 (μm/分)で、
(T1 −Tf )t1 /(T0 −T1 )の時間研磨して目
標の厚さTf (μm)のウエハを得ることを特徴とす
る、ウエハの研磨方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアウエハ、デバ
イス付ウエハ、磁気ディスクウエハ等のウエハを研磨す
る方法及びそれに用いる研磨盤に関する。
イス付ウエハ、磁気ディスクウエハ等のウエハを研磨す
る方法及びそれに用いる研磨盤に関する。
【0002】
【従来の技術】ICの高集積化は、64Mbitから2
56Mbitへと移行しつつあり、更に21世紀初頭に
は1Gbitになることが予測されている。この様な高
集積化に対応するためデバイスの多層構造化が進み、デ
バイス表面の凹凸のため、露光時に焦点を合せることが
困難になりつつある。そのため、ウエハの8インチ、1
2インチから16インチへの拡径および薄肉化、ウエハ
の表面平坦度を1μmから、0.5μm、更には0.3
μm、0.2μmにもっていくことが要求されている
(「精密工学会誌」、Vol.62、No.4、199
6年、486−490頁)。このウエハの平坦化の要求
と共に、ウエハ間の厚さの均一性も要求されている。
56Mbitへと移行しつつあり、更に21世紀初頭に
は1Gbitになることが予測されている。この様な高
集積化に対応するためデバイスの多層構造化が進み、デ
バイス表面の凹凸のため、露光時に焦点を合せることが
困難になりつつある。そのため、ウエハの8インチ、1
2インチから16インチへの拡径および薄肉化、ウエハ
の表面平坦度を1μmから、0.5μm、更には0.3
μm、0.2μmにもっていくことが要求されている
(「精密工学会誌」、Vol.62、No.4、199
6年、486−490頁)。このウエハの平坦化の要求
と共に、ウエハ間の厚さの均一性も要求されている。
【0003】従来、半導体ウエハの研磨方法としては、
図6に示すように回転軸20上に設けた作業テーブル2
1の上に研磨布(発泡ポリウレタンパッド、フェルトパ
ッド)22を載置し、この研磨布の上面に、ヘッド23
の吸着板24を介して取りつけた半導体ウエハ25を軸
26を定位置となるまでZ軸方向に下降させてウエハ2
5に当接し、ロータリージョイントにより回転可能に軸
26に取りつけられたヘッド23をモーター(図示して
ない)により軸26を作業テーブルの回転方向と逆方向
または同一方向に回転させて研磨布でウエハを研磨する
方法が行われている(「砥粒加工学会誌」、Vol.4
2、No.1、1998年1月号、18−21頁)。
図6に示すように回転軸20上に設けた作業テーブル2
1の上に研磨布(発泡ポリウレタンパッド、フェルトパ
ッド)22を載置し、この研磨布の上面に、ヘッド23
の吸着板24を介して取りつけた半導体ウエハ25を軸
26を定位置となるまでZ軸方向に下降させてウエハ2
5に当接し、ロータリージョイントにより回転可能に軸
26に取りつけられたヘッド23をモーター(図示して
ない)により軸26を作業テーブルの回転方向と逆方向
または同一方向に回転させて研磨布でウエハを研磨する
方法が行われている(「砥粒加工学会誌」、Vol.4
2、No.1、1998年1月号、18−21頁)。
【0004】この研磨の際、必要によりウエハと研磨布
の間には、水、アルカリ性水溶液、酸性水溶液あるい
は、酸化アルミナ粉、ダイヤモンド粉もしくは酸化硅素
粉を水に分散させたスラリー状研磨剤が供給される(C
hemical Mechanical Polish
ing)。ウエハの研磨は、通常、ウエハの厚さT
0 (通常は300〜640μm前後)を測定し、目的と
するウエハの厚さTf となる研削(研磨も含む)量T0
−Tf(通常10〜20μm)を定め、一定時間t
1 (分)、一定の研削(研磨)速度S(μm/分)でウ
エハの荒削り(一次ポリシング)をする。(St1 =T
0 −Tf となるよう設定される。)。
の間には、水、アルカリ性水溶液、酸性水溶液あるい
は、酸化アルミナ粉、ダイヤモンド粉もしくは酸化硅素
粉を水に分散させたスラリー状研磨剤が供給される(C
hemical Mechanical Polish
ing)。ウエハの研磨は、通常、ウエハの厚さT
0 (通常は300〜640μm前後)を測定し、目的と
するウエハの厚さTf となる研削(研磨も含む)量T0
−Tf(通常10〜20μm)を定め、一定時間t
1 (分)、一定の研削(研磨)速度S(μm/分)でウ
エハの荒削り(一次ポリシング)をする。(St1 =T
0 −Tf となるよう設定される。)。
【0005】次いで、ウエハの厚さを測定し、ウエハは
仕上げポリシング(二次ポリシング)工程に移され、よ
り密な研磨布で研磨され、鏡面を有するウエハが得られ
厚さを測定し、規格品と規格外品に分けられる。荒削り
中のまたは荒削りされたウエハの厚みは、作業テーブル
21上の研磨布22の高さと、吸着パッド24に吸着さ
れているウエハ25の上面(ウエハの下面は研磨布に当
接している)の作業テーブル21からの高さを測定し、
両者の差を荒削りされたウエハの厚みとしている。
仕上げポリシング(二次ポリシング)工程に移され、よ
り密な研磨布で研磨され、鏡面を有するウエハが得られ
厚さを測定し、規格品と規格外品に分けられる。荒削り
中のまたは荒削りされたウエハの厚みは、作業テーブル
21上の研磨布22の高さと、吸着パッド24に吸着さ
れているウエハ25の上面(ウエハの下面は研磨布に当
接している)の作業テーブル21からの高さを測定し、
両者の差を荒削りされたウエハの厚みとしている。
【0006】しかしながら、研磨布は多数枚のウエハの
荒削り時のヘッドの押圧によりへっこんだ所が生じ、研
磨布の平らなところと段差が生じ、正確なウエハの厚さ
とは言えない。それ故、作業テーブル、チャック機構よ
り取り出したウエハの厚さを測定してみると、例えば3
00μmの厚さのウエハを研磨速度(S)0.8μm/
分で25分(t1 )間荒削りしたときの目標厚さ280
μmのウエハの厚さのバラツキは278〜284μmと
幅広い。
荒削り時のヘッドの押圧によりへっこんだ所が生じ、研
磨布の平らなところと段差が生じ、正確なウエハの厚さ
とは言えない。それ故、作業テーブル、チャック機構よ
り取り出したウエハの厚さを測定してみると、例えば3
00μmの厚さのウエハを研磨速度(S)0.8μm/
分で25分(t1 )間荒削りしたときの目標厚さ280
μmのウエハの厚さのバラツキは278〜284μmと
幅広い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、厚みのバラ
ツキ幅の小さいウエハを与えるウエハの研磨(研削)方
法および該方法に用いる研磨盤の提供を目的とする。
ツキ幅の小さいウエハを与えるウエハの研磨(研削)方
法および該方法に用いる研磨盤の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の1は、ウエハの
厚さT0 (μm)を測定し、設定された目標のウエハの
厚さTf (μm)迄ウエハを研磨する方法において、先
ず研磨速度S(μm/分)、研磨時間t1 (分)で(T
0 −Tf )>St1 となるように定めてウエハを研磨速
度S(μm/分)でt1 時間研磨し、次いで研磨された
ウエハの厚さT 1 (μm)を測定し、再びウエハを研磨
速度(T0 −T1 )/t1 (μm/分)で、(T1 −T
f )t1 /(T0 −T1 )の時間研磨して目標の厚さT
f (μm)のウエハを得ることを特徴とする、ウエハの
研磨方法を提供するものである。
厚さT0 (μm)を測定し、設定された目標のウエハの
厚さTf (μm)迄ウエハを研磨する方法において、先
ず研磨速度S(μm/分)、研磨時間t1 (分)で(T
0 −Tf )>St1 となるように定めてウエハを研磨速
度S(μm/分)でt1 時間研磨し、次いで研磨された
ウエハの厚さT 1 (μm)を測定し、再びウエハを研磨
速度(T0 −T1 )/t1 (μm/分)で、(T1 −T
f )t1 /(T0 −T1 )の時間研磨して目標の厚さT
f (μm)のウエハを得ることを特徴とする、ウエハの
研磨方法を提供するものである。
【0009】本発明の2は、回転軸に軸承された作業テ
ーブル、該作業テーブルの上に載置された研磨布、該作
業テーブルを水平方向に移動可能な駆動機構、前記研磨
布の上方に離間して設けた回転軸に軸承したウエハのチ
ャック機構、前記チャック機構の側面に離間して設けた
ウエハの厚さ測定機器を有するウエハの研磨盤を提供す
るものである。
ーブル、該作業テーブルの上に載置された研磨布、該作
業テーブルを水平方向に移動可能な駆動機構、前記研磨
布の上方に離間して設けた回転軸に軸承したウエハのチ
ャック機構、前記チャック機構の側面に離間して設けた
ウエハの厚さ測定機器を有するウエハの研磨盤を提供す
るものである。
【0010】
【作用】ウエハの荒削り(第1次ポリシング)の最終時
間に近い途中でウエハの厚みを測定し、予想した荒削り
速度Sを実際の荒削り速度に補正し、かつ、必要な研磨
時間に補正することにより、かつ、ウエハの厚みを直接
測定するので、研磨布の目詰り、摩耗によるウエハの肉
厚測定の影響を受けず、初期の荒削りで得られたウエハ
の厚さでも、何百回目の荒削りのウエハの厚さでも略同
等の厚さ幅のバラツキの小さいウエハ群が得られる。
間に近い途中でウエハの厚みを測定し、予想した荒削り
速度Sを実際の荒削り速度に補正し、かつ、必要な研磨
時間に補正することにより、かつ、ウエハの厚みを直接
測定するので、研磨布の目詰り、摩耗によるウエハの肉
厚測定の影響を受けず、初期の荒削りで得られたウエハ
の厚さでも、何百回目の荒削りのウエハの厚さでも略同
等の厚さ幅のバラツキの小さいウエハ群が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を説明
する。図1は本発明の研磨盤1の平面図、図2は厚さ測
定機器の側面図、図3は厚さ測定機器の上面図、図4は
ウエハの厚みを測定している状態を示す部分断面図であ
る。図1、2、3および4において、1は研磨盤、2は
回転軸、2aは中空部、3は研磨布、4は作業テーブ
ル、4aは研磨布取付板、4bはチャンバー、5はウエ
ハ、6はチャック機構、7はヘッド、8は中空回転軸、
9は軸受、10は軸受、11はパイプ、12はエアシリ
ンダー、13は作業テーブルの移動台、14は肉厚測定
機器、14aと14bは端子、14cはエアシリンダ
ー、14dは支持軸、14e及び14fは接合部、14
gは接触子である。
する。図1は本発明の研磨盤1の平面図、図2は厚さ測
定機器の側面図、図3は厚さ測定機器の上面図、図4は
ウエハの厚みを測定している状態を示す部分断面図であ
る。図1、2、3および4において、1は研磨盤、2は
回転軸、2aは中空部、3は研磨布、4は作業テーブ
ル、4aは研磨布取付板、4bはチャンバー、5はウエ
ハ、6はチャック機構、7はヘッド、8は中空回転軸、
9は軸受、10は軸受、11はパイプ、12はエアシリ
ンダー、13は作業テーブルの移動台、14は肉厚測定
機器、14aと14bは端子、14cはエアシリンダ
ー、14dは支持軸、14e及び14fは接合部、14
gは接触子である。
【0012】かかる研磨盤を用いてウエハ5を研磨する
には、ウエハをローディング側ハンドリングアーム17
aに取りつけた吸着パッドで吸着して仮受台上に移動
し、ウエハ5をチャック機構に吸着させる。
には、ウエハをローディング側ハンドリングアーム17
aに取りつけた吸着パッドで吸着して仮受台上に移動
し、ウエハ5をチャック機構に吸着させる。
【0013】ついでパイプ11を経由して図示していな
い真空ポンプで減圧(350〜700mmHg)して中
空回転軸8の中空部8aを減圧にし、これに続くヘッド
のチャンバー7aを減圧し、チャック機構6をウエハ5
上に下降させてチャック機構6の吸着パッドにウエハを
吸着させ、ウエハを作業テーブル4上に移動させ、ウエ
ハ5の厚みT0 を肉厚測定機器14で測定後、チャック
機構6を下降させてウエハ5を作業テーブル4上の回転
している研磨布3上に当接させ、エアシリンダー12に
よりウエハに定圧をかける。研磨布3は研磨布取付板4
aに接着剤で貼着されている。作業テーブル4の回転と
中空回転軸8の回転によりウエハの下面は研磨される。
その研磨(荒研削)の際、研磨されるウエハの厚みT0
(μm)と設定された目標のウエハの厚みTf (μm)
と研磨速度S(μm/分)がCPUのRAMに入力さ
れ、スピンドル回転軸8、作業テーブル4の回転軸2の
回転数が設定される。
い真空ポンプで減圧(350〜700mmHg)して中
空回転軸8の中空部8aを減圧にし、これに続くヘッド
のチャンバー7aを減圧し、チャック機構6をウエハ5
上に下降させてチャック機構6の吸着パッドにウエハを
吸着させ、ウエハを作業テーブル4上に移動させ、ウエ
ハ5の厚みT0 を肉厚測定機器14で測定後、チャック
機構6を下降させてウエハ5を作業テーブル4上の回転
している研磨布3上に当接させ、エアシリンダー12に
よりウエハに定圧をかける。研磨布3は研磨布取付板4
aに接着剤で貼着されている。作業テーブル4の回転と
中空回転軸8の回転によりウエハの下面は研磨される。
その研磨(荒研削)の際、研磨されるウエハの厚みT0
(μm)と設定された目標のウエハの厚みTf (μm)
と研磨速度S(μm/分)がCPUのRAMに入力さ
れ、スピンドル回転軸8、作業テーブル4の回転軸2の
回転数が設定される。
【0014】ここで研磨される時間t(分)は、ウエハ
5の研削量(肉厚)T0 −Tf (μm)を研削速度S
(μm/分)で割った値であり、従来は、そのS速度で
t分間研磨していた(設定はSt=T0 −Tf として行
われる)。しかし、この方法では、ウエハの厚みの振れ
幅が±4μmと大きいので、実際には、作業者が研磨途
中で何度も研磨を中止してウエハの厚みを測定し、研磨
速度を算出し、試行錯誤を繰り返し、ウエハの厚みの振
れ幅を±1μmに抑えているのが実情である。従って、
ポリシング時間にウエハの肉厚の測定、研磨の中断と数
回かかることから研磨加工時間が長く要すると共に、作
業者によって、ウエハの厚さの振れ幅が異なる欠点があ
った。
5の研削量(肉厚)T0 −Tf (μm)を研削速度S
(μm/分)で割った値であり、従来は、そのS速度で
t分間研磨していた(設定はSt=T0 −Tf として行
われる)。しかし、この方法では、ウエハの厚みの振れ
幅が±4μmと大きいので、実際には、作業者が研磨途
中で何度も研磨を中止してウエハの厚みを測定し、研磨
速度を算出し、試行錯誤を繰り返し、ウエハの厚みの振
れ幅を±1μmに抑えているのが実情である。従って、
ポリシング時間にウエハの肉厚の測定、研磨の中断と数
回かかることから研磨加工時間が長く要すると共に、作
業者によって、ウエハの厚さの振れ幅が異なる欠点があ
った。
【0015】本発明では、この研磨速度Sでの荒削り時
間をt(分)の80〜99.9%の割合の時間t
1 (分)と、このt1 分間での研磨では目標の肉厚Tf
に達しない研削不十分の量(T1 −Tf )μmを、計測
された実際の研磨速度(T0 −T1)/t1 で行なう研
磨する時間t2 (分)に分けてウエハの荒削り(第1次
ポリシング)を行なう。t1 分後のウエハの厚みをT1
(μm)とすると、未研削分量(μm)は
間をt(分)の80〜99.9%の割合の時間t
1 (分)と、このt1 分間での研磨では目標の肉厚Tf
に達しない研削不十分の量(T1 −Tf )μmを、計測
された実際の研磨速度(T0 −T1)/t1 で行なう研
磨する時間t2 (分)に分けてウエハの荒削り(第1次
ポリシング)を行なう。t1 分後のウエハの厚みをT1
(μm)とすると、未研削分量(μm)は
【0016】
【数1】(T1 −Tf ) … (1)
【0017】実際の研磨速度(μm/分)は、
【0018】
【数2】(T0 −T1 )/t1 … (2)
【0019】研削量(μm)
【数3】St1 =T0 −T1 … (3)
【0020】となる。よって、未研削分量(T1 −
Tf )μmを、(2)式で示される実際の研磨速度で削
り切る時間t2 (分)は、
Tf )μmを、(2)式で示される実際の研磨速度で削
り切る時間t2 (分)は、
【0021】
【数4】 t2 =(T1 −Tf )t1 /(T0 −T1 ) … (4)
【0022】と算出される。従って、一回目のt1 分間
荒削りした後のウエハの肉厚T1 (μm)を測定後CP
UよりROMに伝え、2回目の荒削りの条件を、(2)
式で示される実際の研磨速度(μm/分)で、研磨時間
t2 (分)を、(4)式で示される値とするようCPU
のRAMから指示する。(2)式で示される研磨速度で
t2 分間研磨後、チャック機構6を上昇させるか、作業
テーブル4を水平方向に移動して研磨布3よりウエハ5
を離すことによりウエハ5の荒削り(1次ポリシング)
を終了する。ついでウエハの肉厚T2 を測定する。
荒削りした後のウエハの肉厚T1 (μm)を測定後CP
UよりROMに伝え、2回目の荒削りの条件を、(2)
式で示される実際の研磨速度(μm/分)で、研磨時間
t2 (分)を、(4)式で示される値とするようCPU
のRAMから指示する。(2)式で示される研磨速度で
t2 分間研磨後、チャック機構6を上昇させるか、作業
テーブル4を水平方向に移動して研磨布3よりウエハ5
を離すことによりウエハ5の荒削り(1次ポリシング)
を終了する。ついでウエハの肉厚T2 を測定する。
【0023】ウエハ5は次いで別の密な研磨布上に当接
され、仕上げポリシングが研磨量0.01〜0.5μ
m、好ましくは0.1〜0.3μmで行われる。ウエハ
5の肉厚T1 ,T2 の測定は、図1に示される研磨盤1
において、S速度でt1 分間のウエハ5の荒削り後、作
業テーブル4を右方向にレール上を移動させ、肉厚測定
機器14を移動台13で右方向に移動させ、肉厚測定機
器14のエアシリンダー14cを作動して受け部14f
をロッド14hで押すことにより支持軸14dを斜めに
押し上げることにより端子14aの接触子14gをウエ
ハ5の下面に、端子14bの接触子14g′をヘッド7
または吸着パッド6′の下面に当接し、両者の高さの差
をウエハの厚みT1 とし、これをCPUのROMに伝え
る(図5参照)。
され、仕上げポリシングが研磨量0.01〜0.5μ
m、好ましくは0.1〜0.3μmで行われる。ウエハ
5の肉厚T1 ,T2 の測定は、図1に示される研磨盤1
において、S速度でt1 分間のウエハ5の荒削り後、作
業テーブル4を右方向にレール上を移動させ、肉厚測定
機器14を移動台13で右方向に移動させ、肉厚測定機
器14のエアシリンダー14cを作動して受け部14f
をロッド14hで押すことにより支持軸14dを斜めに
押し上げることにより端子14aの接触子14gをウエ
ハ5の下面に、端子14bの接触子14g′をヘッド7
または吸着パッド6′の下面に当接し、両者の高さの差
をウエハの厚みT1 とし、これをCPUのROMに伝え
る(図5参照)。
【0024】次いで、肉厚測定機器14を移動台13に
より左方向に移動してウエハ、チャック機構より離すと
共に作業テーブル4も左方向に移動し、再びウエハと研
磨布を当接させ、両者の回転により研磨を、(2)式で
表される研磨速度で(4)式で示されるt2 分間行い、
t2 分後、作業テーブル4を右方向に移動して荒削り
(一次ポリシング)を終了する。次いでウエハ5の厚み
T2 を同様にして測定する。荒削りされたウエハ5は、
仕上げポリシング工程に移送され、より密な研磨布をも
って0.01〜0.5μm程度の研削が行われる。
より左方向に移動してウエハ、チャック機構より離すと
共に作業テーブル4も左方向に移動し、再びウエハと研
磨布を当接させ、両者の回転により研磨を、(2)式で
表される研磨速度で(4)式で示されるt2 分間行い、
t2 分後、作業テーブル4を右方向に移動して荒削り
(一次ポリシング)を終了する。次いでウエハ5の厚み
T2 を同様にして測定する。荒削りされたウエハ5は、
仕上げポリシング工程に移送され、より密な研磨布をも
って0.01〜0.5μm程度の研削が行われる。
【0025】次いで、仕上げポリシングされたウエハの
厚みT3 が測定され、チャック機構よりウエハは別の仮
受台に移され、更にアームでカセット内に収納される。
チャック機構は、新たに肉厚T0 ′(μm)の測定され
たウエハを吸着すると、先の(2)式で計算した研磨速
度をS′(μm/分)としてRAMに入力し直し、研削
量(T0 ′−Tf )および研磨時間tを(T0 ′−
Tf )/S′と算出して、1回目の荒削り時間t
1 (分)をtの80〜99.9%(通常は先の荒削りと
同じ割合)に設定してRAMに入力し、t1 分ウエハの
荒削りが行われる。
厚みT3 が測定され、チャック機構よりウエハは別の仮
受台に移され、更にアームでカセット内に収納される。
チャック機構は、新たに肉厚T0 ′(μm)の測定され
たウエハを吸着すると、先の(2)式で計算した研磨速
度をS′(μm/分)としてRAMに入力し直し、研削
量(T0 ′−Tf )および研磨時間tを(T0 ′−
Tf )/S′と算出して、1回目の荒削り時間t
1 (分)をtの80〜99.9%(通常は先の荒削りと
同じ割合)に設定してRAMに入力し、t1 分ウエハの
荒削りが行われる。
【0026】以下、前記したようにウエハの厚みT1 ′
が測定され、2回目の研磨速度、研磨時間t2 =
(T1 ′−Tf )t1 /(T0 ′−T1 ′)が設定さ
れ、(2)式で計算された研磨速度でt2 分間2回目の
研削が行われる。以下、新しいウエハが供給されても同
じ方法でウエハの荒削りポリシング、仕上げポリシング
を行なう。
が測定され、2回目の研磨速度、研磨時間t2 =
(T1 ′−Tf )t1 /(T0 ′−T1 ′)が設定さ
れ、(2)式で計算された研磨速度でt2 分間2回目の
研削が行われる。以下、新しいウエハが供給されても同
じ方法でウエハの荒削りポリシング、仕上げポリシング
を行なう。
【0027】このウエハの研磨方法において、研磨布の
上面に、従来のCMP(Chemical Machi
nary Polishing)方法と同じく、水、苛
性ソーダ水溶液、トリメチルテトラミン水溶液、塩酸水
溶液、酸化硅素粉やダイヤモンド結晶粉、ガラス粉を水
に分散したスラリー状研磨剤を供給して研磨を行っても
よい。又、ウエハの冷却上、そのようにするのが好まし
い。
上面に、従来のCMP(Chemical Machi
nary Polishing)方法と同じく、水、苛
性ソーダ水溶液、トリメチルテトラミン水溶液、塩酸水
溶液、酸化硅素粉やダイヤモンド結晶粉、ガラス粉を水
に分散したスラリー状研磨剤を供給して研磨を行っても
よい。又、ウエハの冷却上、そのようにするのが好まし
い。
【0028】回転軸8はモーターにより10〜500r
pm、好ましくは50〜200rpmの回転数で回転さ
せる。作業テーブル4の回転軸2はモーターにより10
〜500rpm、好ましくは50〜200rpmの回転
数で回転させる。作業テーブルの回転軸2と回転軸8の
回転方向は、正逆いずれの方向でもよいが、逆方向回転
の方がより平坦なウエハが得られるので好ましい。
pm、好ましくは50〜200rpmの回転数で回転さ
せる。作業テーブル4の回転軸2はモーターにより10
〜500rpm、好ましくは50〜200rpmの回転
数で回転させる。作業テーブルの回転軸2と回転軸8の
回転方向は、正逆いずれの方向でもよいが、逆方向回転
の方がより平坦なウエハが得られるので好ましい。
【0029】ウエハ5にかかる研磨布3の圧力は、5〜
1,000g/cm2 、好ましくは20〜800g/c
m2 である。回転軸の回転数は、ウエハの研磨の状態に
より段階的に階段上り状に変更してもよい。例えば、
0.5〜1μmの平坦度のときは圧を50〜200g/
cm2、回転軸2の回転数を20〜200rpm、回転
軸8の回転数を30〜200rpm、0.3〜0.4μ
mの平坦度のときは圧300〜800g/cm2 、回転
軸2の回転数30〜200rpm、回転軸8の回転数5
0〜200rpm、0.05〜0.2μmの平坦度のと
きは、圧500〜1,000g/cm2 、回転軸2の回
転数50〜200rpm、回転軸8の回転数50〜20
0rpmとする。
1,000g/cm2 、好ましくは20〜800g/c
m2 である。回転軸の回転数は、ウエハの研磨の状態に
より段階的に階段上り状に変更してもよい。例えば、
0.5〜1μmの平坦度のときは圧を50〜200g/
cm2、回転軸2の回転数を20〜200rpm、回転
軸8の回転数を30〜200rpm、0.3〜0.4μ
mの平坦度のときは圧300〜800g/cm2 、回転
軸2の回転数30〜200rpm、回転軸8の回転数5
0〜200rpm、0.05〜0.2μmの平坦度のと
きは、圧500〜1,000g/cm2 、回転軸2の回
転数50〜200rpm、回転軸8の回転数50〜20
0rpmとする。
【0030】吸着パッド6′、研磨布上載台4aの材料
としては、アルミナ板、ステンレス板等の金属板、ポリ
塩化ビニル樹脂板やアルミニウム板等が使用される。こ
の吸着パッドは曲げ強度が20,000kg/cm2 以
上、好ましくは40,000kg/cm2 以上と剛性の
高いものを素材とする。
としては、アルミナ板、ステンレス板等の金属板、ポリ
塩化ビニル樹脂板やアルミニウム板等が使用される。こ
の吸着パッドは曲げ強度が20,000kg/cm2 以
上、好ましくは40,000kg/cm2 以上と剛性の
高いものを素材とする。
【0031】研磨布5は、発泡ポリウレタンシート、フ
ェルト等が利用される。仕上げポリシング(二次ポリシ
ング)用の研磨布は荒削りポリシング(1次ポリシン
グ)用の研磨布より、より滑らかで平滑なものが使用さ
れる。図5は、複数のウエハを同時に荒削りポリシン
グ、仕上げポリシングできる別の態様を示す研磨盤1の
上面図である。
ェルト等が利用される。仕上げポリシング(二次ポリシ
ング)用の研磨布は荒削りポリシング(1次ポリシン
グ)用の研磨布より、より滑らかで平滑なものが使用さ
れる。図5は、複数のウエハを同時に荒削りポリシン
グ、仕上げポリシングできる別の態様を示す研磨盤1の
上面図である。
【0032】図中、4は荒削りポリシング用作業テーブ
ル、4′は仕上げポリシング用作業テーブル、4b,
4′bは研磨布表面修正装置、5はウエハ、6は5個の
吸着パッドを備えるチャック機構、14は肉厚測定機
器、15は複数のチャック機構、6,6を取り付けてい
るインデックステーブルで軸15aを右方向に間欠的に
回動可能となっている。16はチャック機構6をインデ
ックステーブル15aに回転可能に取り付けている取付
部材、17はウエハローディング用ロボット、17aは
アームである。18,18はウエハ収納カセット、19
は回動可能なウエハの仮受台である。
ル、4′は仕上げポリシング用作業テーブル、4b,
4′bは研磨布表面修正装置、5はウエハ、6は5個の
吸着パッドを備えるチャック機構、14は肉厚測定機
器、15は複数のチャック機構、6,6を取り付けてい
るインデックステーブルで軸15aを右方向に間欠的に
回動可能となっている。16はチャック機構6をインデ
ックステーブル15aに回転可能に取り付けている取付
部材、17はウエハローディング用ロボット、17aは
アームである。18,18はウエハ収納カセット、19
は回動可能なウエハの仮受台である。
【0033】仮受台19にローディング用ロボットによ
りウエハを載置し、インデックステーブル15を右方向
に120度回動させ、チャック機構6を仮受台19上に
位置させる。ついでチャック機構6をエアシリンダー1
2により下降させ(又は仮受台を上昇させ)、回転軸8
内を減圧し、ウエハをチャック機構6の吸着パッド6′
に吸着させる。ついで、チャック機構を上昇(又は仮受
台を下降)させた後、インデックステーブル15を12
0度右方向に回動し、作業テーブル4上に移動させる。
肉厚測定機器14によりウエハの厚みT0 を測定する。
りウエハを載置し、インデックステーブル15を右方向
に120度回動させ、チャック機構6を仮受台19上に
位置させる。ついでチャック機構6をエアシリンダー1
2により下降させ(又は仮受台を上昇させ)、回転軸8
内を減圧し、ウエハをチャック機構6の吸着パッド6′
に吸着させる。ついで、チャック機構を上昇(又は仮受
台を下降)させた後、インデックステーブル15を12
0度右方向に回動し、作業テーブル4上に移動させる。
肉厚測定機器14によりウエハの厚みT0 を測定する。
【0034】チャック機構6を回転軸8を回転させなが
ら下降させ作業テーブル4に載置されている研磨布に当
接させ、エアシリンダー12により一定圧をウエハにか
ける。それぞれの回転軸2,8の回転により荒削りポリ
シングが行われる。t1 分の荒削りポリシングが終った
ら作業テーブル4を左方向に移動し、インデックステー
ブル15上に備えられた肉厚測定機器14の端子14
a,14b上の接触子14g,14gにウエハの下面と
チャック機構のヘッドの下面を当接させてウエハの厚み
(T1 )を測定する。
ら下降させ作業テーブル4に載置されている研磨布に当
接させ、エアシリンダー12により一定圧をウエハにか
ける。それぞれの回転軸2,8の回転により荒削りポリ
シングが行われる。t1 分の荒削りポリシングが終った
ら作業テーブル4を左方向に移動し、インデックステー
ブル15上に備えられた肉厚測定機器14の端子14
a,14b上の接触子14g,14gにウエハの下面と
チャック機構のヘッドの下面を当接させてウエハの厚み
(T1 )を測定する。
【0035】厚みT1 を測定したら作業テーブル4を移
送装置4bにより右方向に移動し、ウエハの荒削りポリ
シングを再開し、(2)式で示される研磨速度(T0 −
T1)/t1 で設定されたt2 の時間、研磨する。t2
分後、再び作業テーブルを左方向に移動し、ウエハの厚
みT2 を測定する。ついで、作業テーブルを右方向に戻
した後、インデックステーブル15を120度右方向に
回動させ、荒削りポリシングされたウエハをより密な研
磨布を載置する作業テーブル4′上にチャック機構6ご
と移動させる。
送装置4bにより右方向に移動し、ウエハの荒削りポリ
シングを再開し、(2)式で示される研磨速度(T0 −
T1)/t1 で設定されたt2 の時間、研磨する。t2
分後、再び作業テーブルを左方向に移動し、ウエハの厚
みT2 を測定する。ついで、作業テーブルを右方向に戻
した後、インデックステーブル15を120度右方向に
回動させ、荒削りポリシングされたウエハをより密な研
磨布を載置する作業テーブル4′上にチャック機構6ご
と移動させる。
【0036】ついでチャック機構を下降させ、研磨布に
当接させ、一定圧力をエアシリンダー12でウエハにか
けながら回転軸2,8の回転を利用し、仕上げポリシン
グを行なう。仕上げポリシング終了後、移送装置4′b
を作動して右方向に作業テーブル4′を移動し、肉厚測
定機器14によりポリシングされたウエハの肉厚T3を
測定したら、作業テーブル4′を左方向に移動する。チ
ャック機構6を上昇したらインデックステーブル15を
右方向に120度回動し、ついでロボットアーム17
a,17bで仕上げポリシングされたウエハ5,5,・
・・を把持し、収納カセット18,18に研磨されたウ
エハ5,5を収納する。
当接させ、一定圧力をエアシリンダー12でウエハにか
けながら回転軸2,8の回転を利用し、仕上げポリシン
グを行なう。仕上げポリシング終了後、移送装置4′b
を作動して右方向に作業テーブル4′を移動し、肉厚測
定機器14によりポリシングされたウエハの肉厚T3を
測定したら、作業テーブル4′を左方向に移動する。チ
ャック機構6を上昇したらインデックステーブル15を
右方向に120度回動し、ついでロボットアーム17
a,17bで仕上げポリシングされたウエハ5,5,・
・・を把持し、収納カセット18,18に研磨されたウ
エハ5,5を収納する。
【0037】
【実施例】実施例1 図1に示す研磨盤1を用い、中空回転軸8を700mm
Hgに減圧し、仮受台上の5インチ径のシリコンウエハ
を吸着し、ウエハの肉厚T0 を測定した(300μ
m)。
Hgに減圧し、仮受台上の5インチ径のシリコンウエハ
を吸着し、ウエハの肉厚T0 を測定した(300μ
m)。
【0038】目的とするウエハの最終肉厚(Tf )は2
84μmであるので研削量(T0 −Tf )は16μmと
計算される。研磨速度Sを0.8μm/分とすると理論
的な研磨時間t(T0 −Tf )/Sは20分と算出され
る。よって、RAMには、最初の研磨時間をtの0.9
0倍(9割)の9分と設定し、1回目の研削終了時のウ
エハの厚みをT1 μmとし、2回目の研磨速度を(T0
−T1 )/t1 μm/分、研磨時間t2 を(4)式の
(T1 −Tf )t1 /(T0 −T1 )に設定する。
84μmであるので研削量(T0 −Tf )は16μmと
計算される。研磨速度Sを0.8μm/分とすると理論
的な研磨時間t(T0 −Tf )/Sは20分と算出され
る。よって、RAMには、最初の研磨時間をtの0.9
0倍(9割)の9分と設定し、1回目の研削終了時のウ
エハの厚みをT1 μmとし、2回目の研磨速度を(T0
−T1 )/t1 μm/分、研磨時間t2 を(4)式の
(T1 −Tf )t1 /(T0 −T1 )に設定する。
【0039】ウエハ5を吸着した上部チャック機構6を
作業テーブル4上の研磨布3の上に移動し、下降してウ
エハを研磨布に押し当て、回転軸2を右方向に回転数6
0rpm、回転軸8を左方向に回転数80rpm、ウエ
ハへの研磨布の圧力500g/cm2 、加工速度(S)
0.8μm/分で研磨布の上面に水を時々加えながら1
8分間研磨し、ついで作業テーブル4を右方向に移動
後、肉厚測定機器14によりウエハ5の厚みT1 (28
6μm)を測定し、これをROMに伝え、(2)式、
(4)式に従って、残りの第2回目の研磨速度(14/
18)μm/分、研磨時間t2 (2×18/14)分を
ROMで算出し、肉厚測定機器14を左方向に後退させ
ると共に作業テーブル4を左方向に移動し、ウエハを研
磨布に当接させてt2 分間研磨を行った。
作業テーブル4上の研磨布3の上に移動し、下降してウ
エハを研磨布に押し当て、回転軸2を右方向に回転数6
0rpm、回転軸8を左方向に回転数80rpm、ウエ
ハへの研磨布の圧力500g/cm2 、加工速度(S)
0.8μm/分で研磨布の上面に水を時々加えながら1
8分間研磨し、ついで作業テーブル4を右方向に移動
後、肉厚測定機器14によりウエハ5の厚みT1 (28
6μm)を測定し、これをROMに伝え、(2)式、
(4)式に従って、残りの第2回目の研磨速度(14/
18)μm/分、研磨時間t2 (2×18/14)分を
ROMで算出し、肉厚測定機器14を左方向に後退させ
ると共に作業テーブル4を左方向に移動し、ウエハを研
磨布に当接させてt2 分間研磨を行った。
【0040】ついで作業テーブルと肉厚測定機器を右方
向に移動し、ウエハの肉厚T2 を測定したところ、28
4.1μmであった。ついでチャック機構6をより密な
研磨布を載置している作業テーブル上に移し、下降させ
てウエハと上面に水が供給されている研磨布を当接し、
仕上げポリシングを行った。仕上げポリシング終了後、
ウエハの厚みT3 を測定したところ、284.05μm
であった。
向に移動し、ウエハの肉厚T2 を測定したところ、28
4.1μmであった。ついでチャック機構6をより密な
研磨布を載置している作業テーブル上に移し、下降させ
てウエハと上面に水が供給されている研磨布を当接し、
仕上げポリシングを行った。仕上げポリシング終了後、
ウエハの厚みT3 を測定したところ、284.05μm
であった。
【0041】ウエハを仮受台上に移し、中空回転軸8の
減圧を大気に戻すことにより、ウエハは仮受台に収めら
れる。研磨されたウエハの触針式粗さ計測定の粗さ(R
max )は一次ポリシング30nm、仕上げポリシング2
nmであった。
減圧を大気に戻すことにより、ウエハは仮受台に収めら
れる。研磨されたウエハの触針式粗さ計測定の粗さ(R
max )は一次ポリシング30nm、仕上げポリシング2
nmであった。
【0042】次いで、2段階目の新しいウエハ(厚みT
0 ′)をチャック機構で吸着し、先の(2)式で計算さ
れた加工速度(T0 −Tf )/(t1 +t2 )を荒削り
ポリシング時の第1回目の加工速度(S′)とし、
(1)式より計算される理論的な加工時間tを計算した
後、その0.9tの値を1回目の研磨時間として設定
し、以下前工程と同じく荒削りポリシングを行った。ウ
エハ100枚の荒削りポリシングされた厚み(T2 )の
分布は、284.0±0.1μmであった。
0 ′)をチャック機構で吸着し、先の(2)式で計算さ
れた加工速度(T0 −Tf )/(t1 +t2 )を荒削り
ポリシング時の第1回目の加工速度(S′)とし、
(1)式より計算される理論的な加工時間tを計算した
後、その0.9tの値を1回目の研磨時間として設定
し、以下前工程と同じく荒削りポリシングを行った。ウ
エハ100枚の荒削りポリシングされた厚み(T2 )の
分布は、284.0±0.1μmであった。
【0043】比較例1 実施例1において、荒削りポリシング時の加工時間を2
度に分けずに、(T0−Tf )/Sの加工時間(20分
間)の1回で荒削りするように設定してウエハの研磨を
行う他は同様にしてポリシングされたウエハを得た。1
00枚の荒削りポリシングされたウエハの肉厚の分布
は、284.0±1μmであった。
度に分けずに、(T0−Tf )/Sの加工時間(20分
間)の1回で荒削りするように設定してウエハの研磨を
行う他は同様にしてポリシングされたウエハを得た。1
00枚の荒削りポリシングされたウエハの肉厚の分布
は、284.0±1μmであった。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、ポリシングされたウエ
ハ群の厚みは安定しており、その振れ幅が小さく、か
つ、より平坦性に優れたポリシングされたウエハを得る
ことができる。また、作業者が何度もウエハの肉厚を測
定し、研磨速度、研磨時間を設定することはないので研
磨時間を短縮できる。
ハ群の厚みは安定しており、その振れ幅が小さく、か
つ、より平坦性に優れたポリシングされたウエハを得る
ことができる。また、作業者が何度もウエハの肉厚を測
定し、研磨速度、研磨時間を設定することはないので研
磨時間を短縮できる。
【図1】本発明の平面研磨盤の一部を切り欠いた平面図
である。
である。
【図2】肉厚測定機器の側面図である。
【図3】肉厚測定機器の上面図である。
【図4】ウエハの厚みを測定している状態を示す部分断
面図である。
面図である。
【図5】本発明の別の形態を示す研磨盤の上面図であ
る。
る。
【図6】従来の平面研磨盤の一部を切り欠いた平面図で
ある。
ある。
1 研磨盤 2 回転軸 3 研磨布 4 作業テーブル 5 ウエハ 6 チャック機構 6′ 吸着パッド 7 ヘッド 8 中空回転軸 12 エアーシリンダー 14 肉厚測定機器
Claims (5)
- 【請求項1】 ウエハの厚さT0 (μm)を測定し、設
定された目標のウエハの厚さTf (μm)迄ウエハを研
磨する方法において、先ず研磨速度S(μm/分)、研
磨時間t1 (分)で(T0 −Tf )>St1 となるよう
に定めてウエハを研磨速度S(μm/分)でt1 時間研
磨し、次いで研磨されたウエハの厚さT1 (μm)を測
定し、再びウエハを研磨速度(T0 −T1 )/t1 で、
(T1−Tf )t1 /(T0 −T1 )の時間研磨して目
標の厚さTf (μm)のウエハを得ることを特徴とす
る、ウエハの研磨方法。 - 【請求項2】 St1 /(T0 −Tf )の値が0.8以
上で0.99以下であることを特徴とする請求項1に記
載のウエハの研磨方法。 - 【請求項3】 回転軸に軸承された作業テーブル、該作
業テーブルの上に載置された研磨布、該作業テーブルを
水平方向に移動可能な駆動機構、前記研磨布の上方に離
間して設けた回転軸に軸承したウエハのチャック機構、
前記チャック機構の側面に離間して設けたウエハの厚さ
測定機器を有するウエハの研磨盤。 - 【請求項4】 ウエハのチャック機構は、回転可能な中
空回転軸に軸承された剛体の吸着パッドをヘッド内に収
容したものである、請求項3に記載のウエハの研磨盤。 - 【請求項5】 ウエハの厚さ測定機器は、2端子式厚さ
測定装置で、一端子は、チャック機構のウエハを吸着し
ている吸着パッド下面、又は吸着パッドを収納している
ヘッドの下面に当接し、他方の端子は吸着パッドに吸着
されているウエハの下面に当接して両者の高さの差によ
りウエハの厚さを算出するものである、請求項4に記載
のウエハの研磨盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9068098A JPH11267968A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9068098A JPH11267968A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11267968A true JPH11267968A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=14005262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9068098A Pending JPH11267968A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11267968A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045834A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Nec Corp | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
| JP2004063848A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Lapmaster Sft Corp | 半導体ウエハの研磨装置 |
| JP2004063849A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Lapmaster Sft Corp | 半導体ウエハの研磨方法 |
| JP2006024694A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板研磨方法および基板研磨装置 |
| KR20150066685A (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 방법 및 장치 |
| JP2018027592A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社ディスコ | 研削装置及び加工装置 |
| JP2018122368A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 株式会社東京精密 | 研削装置 |
| KR20190009682A (ko) * | 2017-07-19 | 2019-01-29 | 인세미텍 주식회사 | 그라인딩 장치 제어방법 |
| CN116494117A (zh) * | 2023-03-21 | 2023-07-28 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种晶圆研磨方法及装置 |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP9068098A patent/JPH11267968A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045834A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Nec Corp | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
| JP2004063848A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Lapmaster Sft Corp | 半導体ウエハの研磨装置 |
| JP2004063849A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Lapmaster Sft Corp | 半導体ウエハの研磨方法 |
| JP2006024694A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板研磨方法および基板研磨装置 |
| KR20150066685A (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 방법 및 장치 |
| JP2018027592A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社ディスコ | 研削装置及び加工装置 |
| JP2018122368A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 株式会社東京精密 | 研削装置 |
| US10507561B2 (en) | 2017-01-30 | 2019-12-17 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd | Grinding apparatus |
| KR20190009682A (ko) * | 2017-07-19 | 2019-01-29 | 인세미텍 주식회사 | 그라인딩 장치 제어방법 |
| CN116494117A (zh) * | 2023-03-21 | 2023-07-28 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种晶圆研磨方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4838614B2 (ja) | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 | |
| KR101700964B1 (ko) | 반도체 기판의 평탄화 가공 장치 및 평탄화 가공 방법 | |
| KR100818683B1 (ko) | 경면 면취 웨이퍼, 경면 면취용 연마 클로스 및 경면 면취연마장치 및 방법 | |
| JP2000141215A (ja) | 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法 | |
| US5620357A (en) | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing | |
| JP2009038267A (ja) | 基板の裏面研削装置および裏面研削方法 | |
| JP2018167331A (ja) | ツルーイング方法及び面取り装置 | |
| JP2009285738A (ja) | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 | |
| JP4259048B2 (ja) | コンディショナの寿命判定方法及びこれを用いたコンディショナの判定方法、研磨装置、並びに半導体デバイス製造方法 | |
| JPH11267968A (ja) | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 | |
| JP2011165994A (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置 | |
| JP4487353B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JP2011124249A (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法 | |
| JP5037974B2 (ja) | 研磨加工ステージにおける半導体基板の監視機器および監視方法 | |
| JPH10166259A (ja) | サファイア基板研削研磨方法および装置 | |
| JP2001009716A (ja) | ウエハの厚み測定方法 | |
| WO1999000831A1 (fr) | Procede servant a fabriquer des composants a semi-conducteur | |
| US6221773B1 (en) | Method for working semiconductor wafer | |
| JP2001138230A (ja) | 基板の表裏面の研削方法およびそれに用いる研削装置 | |
| JP2001308049A (ja) | 基板加工における加工手段の移動速度の補正方法 | |
| JP3007678B2 (ja) | ポリッシング装置とそのポリッシング方法 | |
| JPH0738381B2 (ja) | ウエーハ研磨装置 | |
| JP2005052906A (ja) | 研磨装置、研磨方法、研磨時間算出方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP4754870B2 (ja) | 研磨装置 | |
| JP4850666B2 (ja) | ウエーハの加工装置 |