JPH1126811A - Semiconductor light emitting device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡略な構成により、基板側から出る光の取り
出し効率を改善することができる半導体発光装置を提供
することを目的とする。
【解決手段】 所定の波長帯の光を放出する発光層と、
前記発光層が放出する光に対して透光性を有する基板
と、を有する半導体発光素子を実装する実装部材の実装
面を凹凸面を有するものとして構成することにより、半
導体発光素子の基板側から放出される光を散乱させて外
部に高い効率で取り出すことができるようになる。
(57) [Problem] To provide a semiconductor light emitting device capable of improving the light extraction efficiency from the substrate side with a simple configuration. A light emitting layer that emits light in a predetermined wavelength band,
A substrate having a light-transmitting property with respect to light emitted from the light-emitting layer, and a mounting surface of a mounting member for mounting the semiconductor light-emitting element having the concave-convex surface is configured so that the semiconductor light-emitting element is mounted on the substrate side. The emitted light can be scattered and extracted to the outside with high efficiency.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置に
関する。より詳しくは、本発明は、透光性を有する基板
の上に積層された構造を有する半導体素子を用いた発光
装置において、基板側から出る光を効率的に取り出すこ
とができる半導体発光装置に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device. More specifically, the present invention relates to a light emitting device using a semiconductor element having a structure stacked on a light transmitting substrate, which can efficiently extract light emitted from the substrate side.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体発光素子をリードフレームなどの
実装部材に実装した半導体発光装置は、コンパクトで高
信頼性、且つ高効率で、しかも材料を選択することによ
って、赤外領域から、青紫領域までの広範な波長領域で
発光させることができるという特徴を有する。このよう
な特徴を生かして、産業分野と民生分野とを問わず、幅
広く利用されている。2. Description of the Related Art A semiconductor light-emitting device in which a semiconductor light-emitting element is mounted on a mounting member such as a lead frame is compact, highly reliable and highly efficient. In a wide range of wavelengths. Taking advantage of such features, it is widely used in both industrial and consumer fields.
【０００３】このような半導体発光装置のうちで、透光
性の基板上に複数の半導体層が積層されている構成を有
する半導体発光素子を光源として用いたものがある。そ
の一例としては、サファイア基板上に積層された窒化ガ
リウム系半導体を用いた発光素子を挙げることができ
る。窒化ガリウム系半導体発光素子を開示する参考文献
としては、例えば、特開平６−３１４８２２号公報を挙
げることができる。[0003] Among such semiconductor light emitting devices, there is a device using a semiconductor light emitting element having a structure in which a plurality of semiconductor layers are stacked on a light-transmitting substrate as a light source. As an example, a light-emitting element using a gallium nitride-based semiconductor stacked on a sapphire substrate can be given. References disclosing gallium nitride based semiconductor light emitting devices include, for example, JP-A-6-314822.
【０００４】図９は、このような窒化ガリウム系半導体
発光素子を用いた発光装置の構成を例示する概略断面図
である。その概略構成について説明すると以下の如くで
ある。すなわち、発光装置９００は、リードフレーム３
の上に発光素子１０が実装された構成を有する。FIG. 9 is a schematic sectional view illustrating the configuration of a light emitting device using such a gallium nitride based semiconductor light emitting element. The schematic configuration will be described as follows. That is, the light emitting device 900 includes the lead frame 3
The light emitting element 10 is mounted on the light emitting element.
【０００５】ここで、まず、発光素子１０について説明
すると、発光素子１０は、サファイア基板１２上に積層
された半導体の多層構造を有する。サファイア基板１２
上には、バッファ層１４、ｎ型コンタクト層１６、ｎ型
クラッド層１８、活性層２０、ｐ型クラッド層２２およ
びｐ型コンタクト層２４がこの順序で形成されている。First, the light emitting element 10 will be described. The light emitting element 10 has a semiconductor multilayer structure laminated on a sapphire substrate 12. Sapphire substrate 12
On the buffer layer 14, an n-type contact layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type contact layer 24 are formed in this order.
【０００６】バッファ層１４の材料は、例えばｎ型のＧ
ａＮとすることができる。ｎ型コンタクト層１６は、ｎ
側電極３４とのオーミック接触を確保するように高いキ
ャリア濃度を有するｎ型の半導体層であり、その材料
は、例えば、ＧａＮとすることができる。ｎ型クラッド
層１８およびｐ型クラッド層２２は、それぞれ活性層２
０に光を閉じこめる役割を有し、活性層よりも低い屈折
率を有することが必要とされる。その材料は、例えば、
活性層２０よりもバッドギャップの大きいＡｌＧａＮと
することができる。活性層２０は、発光素子に電流とし
て注入された電荷が再結合することにより発光を生ずる
半導体層である。その材料としては、例えば、アンドー
プのＩｎＧａＮを用いることができる。ｐ型コンタクト
層２４は、ｐ側電極とのオーミック接触を確保するよう
に高いキャリア濃度を有するｐ型の半導体層であり、そ
の材料は、例えば、ＧａＮとすることができる。The material of the buffer layer 14 is, for example, n-type G
aN. The n-type contact layer 16 has n
An n-type semiconductor layer having a high carrier concentration so as to ensure ohmic contact with the side electrode 34, and may be made of, for example, GaN. The n-type cladding layer 18 and the p-type cladding layer 22
It is necessary to have a role of confining light to zero and to have a lower refractive index than the active layer. The material is, for example,
AlGaN having a larger bad gap than the active layer 20 can be used. The active layer 20 is a semiconductor layer that emits light when electric charges injected into the light emitting element as a current recombine. As the material, for example, undoped InGaN can be used. The p-type contact layer 24 is a p-type semiconductor layer having a high carrier concentration so as to ensure ohmic contact with the p-side electrode, and may be made of, for example, GaN.
【０００７】ｐ型コンタクト層２４の上には、ｐ側電極
層２６が堆積されている。また、ｎ型コンタクト層１６
の上には、ｎ側電極層３４が堆積されている。On the p-type contact layer 24, a p-side electrode layer 26 is deposited. Also, the n-type contact layer 16
On top of this, an n-side electrode layer 34 is deposited.
【０００８】ｐ型コンタクト層２４の上の一部分には、
電流阻止層３０が形成されている。電流阻止層３０の上
にはＡｕからなるボンディング・パッド３２が堆積さ
れ、その一部分はｐ側電極２６と接触している。ボンデ
ィング・パッド３２には、駆動電流を素子に供給するた
めの図示しないワイアがボンディングされる。[0008] In a portion above the p-type contact layer 24,
A current blocking layer 30 is formed. A bonding pad 32 made of Au is deposited on the current blocking layer 30, and a part thereof is in contact with the p-side electrode 26. A wire (not shown) for supplying a drive current to the device is bonded to the bonding pad 32.
【０００９】電流阻止層３０は、Ａｕ電極３２の下部で
発光が生ずるのを抑制する役割を有する。すなわち、発
光素子１０では、活性層２０で生じた発光を電極層２６
を透過させて上方に取り出すようにされている。しか
し、ボンディング・パッド３２では電極の厚さが厚いた
めに光を透過させることができない。そこで、電流阻止
層３０を設けることにより、ボンディング・パッド３２
の下に駆動電流が注入されないようにして、無駄な発光
を抑制するようにしている。The current blocking layer 30 has a role of suppressing light emission from occurring below the Au electrode 32. That is, in the light emitting element 10, light emitted from the active layer 20 is emitted from the electrode layer 26.
Is transmitted through and is taken out upward. However, the bonding pad 32 cannot transmit light due to the large thickness of the electrode. Therefore, by providing the current blocking layer 30, the bonding pad 32
The drive current is prevented from being injected underneath to suppress useless light emission.
【００１０】また、ｎ側電極層３４の上にもボンディン
グ・パッド３２が積層されている。ボンディング・パッ
ド３２は、Ａｕを厚く堆積することにより形成すること
ができる。さらに、ボンディング・パッド３２以外の表
面部分は、酸化シリコン層４５により覆われている。[0010] A bonding pad 32 is also stacked on the n-side electrode layer 34. The bonding pad 32 can be formed by depositing Au thickly. Further, the surface portion other than the bonding pads 32 is covered with the silicon oxide layer 45.
【００１１】以上説明した発光素子１０は、エポキシ樹
脂や金属半田などの接着部材４によって、基板１２の裏
面を接着面として、リードフレーム３Ａにマウントさ
れ、さらにボンディング・パッド３２、３２にそれぞれ
ワイア５、５がボンディングされて、半導体発光装置と
して完成する。The light emitting element 10 described above is mounted on the lead frame 3A with the back surface of the substrate 12 as the bonding surface by the bonding member 4 such as epoxy resin or metal solder. 5 are bonded to complete a semiconductor light emitting device.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図９に示した
ような従来の発光装置においては、活性層２０からの発
光を電極２６を介して外部に取り出す構造であったため
に、種々の問題があった。以下、この問題について詳述
する。However, the conventional light emitting device as shown in FIG. 9 has a structure in which light emitted from the active layer 20 is extracted to the outside through the electrode 26. there were. Hereinafter, this problem will be described in detail.
【００１３】まず、従来の発光装置では、電極２６の膜
厚が厚いと、光の透過率が低下し、外部量子効率が低下
するという問題があった。一方、電極２６の光透過率を
上げるために、金やニッケルなどの電極材料を十分に薄
く堆積すると、電極２６のシート抵抗が増加してしま
い、電流広がりが劣化して、動作電圧が高くなるという
問題があった。First, in the conventional light emitting device, when the thickness of the electrode 26 is large, there is a problem that light transmittance is reduced and external quantum efficiency is reduced. On the other hand, if an electrode material such as gold or nickel is deposited sufficiently thin to increase the light transmittance of the electrode 26, the sheet resistance of the electrode 26 increases, the current spread is deteriorated, and the operating voltage increases. There was a problem.
【００１４】また、動作電圧と外部量子効率とを両立さ
せるためには、電極２６の膜厚の最適化と精密な制御が
必要とされるが、このような膜厚の制御は容易でなく、
製造工程において歩留まりの低下が生じていた。In order to make the operating voltage compatible with the external quantum efficiency, it is necessary to optimize and precisely control the thickness of the electrode 26, but such control of the thickness is not easy.
The yield has been reduced in the manufacturing process.
【００１５】また、電極２６の材料として、透光性の導
電材料である酸化スズ、あるいは酸化インジウム・スズ
などを用いることも考えられるが、これらの材料は窒化
ガリウム層とのコンタクト抵抗が必ずしも低くくないた
めに、発光素子の動作電圧が高くなりやすいという問題
がある。It is also conceivable to use a light-transmitting conductive material such as tin oxide or indium tin oxide as the material of the electrode 26, but these materials do not necessarily have low contact resistance with the gallium nitride layer. Therefore, there is a problem that the operating voltage of the light emitting element is likely to be high.
【００１６】これらの問題を解決する方法として、特開
平７−８６６４０号公報においては、透明で絶縁性を有
する接着剤を用いて発光素子を接着することにより、基
板面からの光取り出し効率を改善せんとしている。しか
し、この構成においては基板側から出た光は、リードフ
レームにより反射されて再びｐ型オーミック電極に反射
され、外部に効率良く取り出すことができないという問
題があった。As a method for solving these problems, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-86640 discloses a method of improving the light extraction efficiency from the substrate surface by bonding a light emitting element using a transparent and insulating adhesive. I'm trying. However, this configuration has a problem that light emitted from the substrate side is reflected by the lead frame and reflected again by the p-type ohmic electrode, and cannot be efficiently extracted to the outside.
【００１７】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
である。すなわち、本発明は、簡略な構成により、基板
側から出る光の取り出し効率を改善することができる半
導体発光装置を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of such a point. That is, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that can improve the light extraction efficiency from the substrate side with a simple configuration.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明による
窒化ガリウム系半導体発光装置は、実装面を有する実装
部材と、前記実装部材の前記実装面の上に実装された半
導体発光素子とを備えた半導体発光装置であって、前記
半導体発光素子は、所定の波長帯の光を放出する発光層
と、前記発光層が放出する光に対して透光性を有する基
板と、を有し、前記実装部材の前記実装面は、前記半導
体発光素子の前記基板から放出される光を散乱して外部
に取り出すことかできるように、凹凸面を有するものと
して構成され、従来よりも高い効率で光を取り出すこと
ができる。That is, a gallium nitride based semiconductor light emitting device according to the present invention includes a mounting member having a mounting surface, and a semiconductor light emitting element mounted on the mounting surface of the mounting member. A semiconductor light-emitting device, wherein the semiconductor light-emitting element has a light-emitting layer that emits light in a predetermined wavelength band, and a substrate that has a property of transmitting light emitted by the light-emitting layer; The mounting surface of the member is configured to have an uneven surface so that light emitted from the substrate of the semiconductor light emitting device can be scattered and extracted to the outside, and light is extracted with higher efficiency than before. be able to.
【００１９】また、その実装部材の凸部の頂部の角度
を、４０度以上１４０度以下とすると、光の取り出し効
率を最大値の半分以上とすることができる。When the angle of the top of the convex portion of the mounting member is 40 degrees or more and 140 degrees or less, the light extraction efficiency can be made half or more of the maximum value.
【００２０】また、その凹凸面を、曲面状の断面形状と
すると形成が容易で、半導体素子の損傷も防ぐことがで
きる。If the uneven surface has a curved cross-sectional shape, it can be easily formed, and damage to the semiconductor element can be prevented.
【００２１】さらに、その凹凸面に、複数の針状部材を
設けることにより、半導体素子を安定に支持することが
できる。Further, by providing a plurality of needle-shaped members on the uneven surface, the semiconductor element can be stably supported.
【００２２】一方、実装部材の実装面上に光散乱材を設
けることによっても同様の効果を得ることができる。On the other hand, the same effect can be obtained by providing a light scattering material on the mounting surface of the mounting member.
【００２３】これらの発光素子と実装部材とは、透光性
の材料により接着することにより、光を効率的に取り出
すことができる。The light emitting element and the mounting member are bonded with a light-transmitting material, so that light can be efficiently extracted.
【００２４】また、半導体発光素子として、サファイア
基板上に形成された窒化ガリウム系半導体発光素子をも
ちい、接着剤として、エポキシ樹脂、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＳｎＯ2 、ＬａＦ3 、ＣｅＦ3 、およびＳｉＯ2 の
うちのいずれかを用いることにより、高効率の短波長発
光装置を実現することができる。Further, a gallium nitride based semiconductor light emitting device formed on a sapphire substrate is used as the semiconductor light emitting device, and an epoxy resin, Al 2 O 3 , Mg
By using any one of O, SnO 2 , LaF 3 , CeF 3 , and SiO 2 , a highly efficient short-wavelength light emitting device can be realized.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１は、本発明による第
１の半導体発光装置の概略構成を表す断面図である。本
発明による発光装置１００は、発光素子１０が接着剤１
０５によってリードフレーム１０３に接着された構成を
有する。ここで、発光素子１０としては、例えば図９に
示したものと同様に、サファイア基板１２上にｎ型窒化
物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを積層したものを用
いることができる。なお、図１においては、発光素子の
詳細な層構造は便宜的に省略して示した。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view illustrating a schematic configuration of a first semiconductor light emitting device according to the present invention. In the light emitting device 100 according to the present invention, the light emitting element 10 has the adhesive 1
05, it is bonded to the lead frame 103. Here, as the light emitting element 10, for example, an element in which an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer are stacked on a sapphire substrate 12 can be used as in the case shown in FIG. 9. In FIG. 1, the detailed layer structure of the light emitting element is omitted for convenience.
【００２６】発光素子１０の電極３２、３２は、それぞ
れワイア５、５によってリードフレーム１０３Ａ、１０
３Ｂに接続されている。さらに、リードフレームの先端
部は、図示しない樹脂によりモールドして封止されるよ
うにしても良い。本発明においては、リードフレーム１
０３Ａのカップ底部の実装面に凹凸面１０３Ｗが形成さ
れている。この凹凸面１０３Ｗによって、発光素子１０
の基板側から放出した光は散乱され、外部に効率的に取
り出すことができるようになる。また、このように基板
面から出射される光を効率的に外部に取り出すことがで
きるので、発光素子の上面の電極２６を厚く形成しても
良い。その結果として駆動電圧の低減を実現できる。The electrodes 32, 32 of the light emitting element 10 are connected to the lead frames 103A, 103A by wires 5, 5, respectively.
3B. Further, the leading end of the lead frame may be molded and sealed with a resin (not shown). In the present invention, the lead frame 1
An uneven surface 103W is formed on the mounting surface of the bottom of the cup 03A. The uneven surface 103W allows the light emitting element 10
The light emitted from the substrate side is scattered and can be efficiently extracted to the outside. Further, since the light emitted from the substrate surface can be efficiently extracted to the outside, the electrode 26 on the upper surface of the light emitting element may be formed thick. As a result, a reduction in drive voltage can be realized.
【００２７】ここで、接着剤１０５は発光素子１０を固
定すると同時に、リードフレームの凹凸面１０３Ｗを充
填して平坦にする役割も有する。接着剤１０５は、透光
性を有することが望ましいが、可視光での反射率が高い
粉末を含んでいてもよく、必ずしも絶縁性である必要は
ない。また、発光素子１０の基板１２側から効率良く光
を取り出すためには、基板１２よりも屈折率が小さい材
料であることが望ましい。以上説明したような要求を満
たす接着剤１０５の材料としては、エポキシ樹脂（屈折
率約１．５）、Ａｌ2 Ｏ3 （屈折率約１．６）、ＭｇＯ
（屈折率約１．７５）、ＳｎＯ2 （屈折率約１．９）、
ＬａＦ3 （屈折率約１．５９）、ＣｅＦ3 （屈折率約
１．６３）、ＳｉＯ2 （屈折率約１．４）などを挙げる
ことができる。Here, the adhesive 105 also has a role of fixing the light emitting element 10 and filling the uneven surface 103W of the lead frame to make it flat. The adhesive 105 desirably has a light-transmitting property, but may include a powder having a high reflectance with respect to visible light, and does not necessarily have to have an insulating property. In addition, in order to efficiently extract light from the substrate 12 side of the light emitting element 10, a material having a smaller refractive index than that of the substrate 12 is desirable. The materials of the adhesive 105 satisfying the above-described requirements include epoxy resin (refractive index: about 1.5), Al 2 O 3 (refractive index: about 1.6), and MgO.
(Refractive index: about 1.75), SnO 2 (refractive index: about 1.9),
LaF 3 (refractive index: about 1.59), CeF 3 (refractive index: about 1.63), SiO 2 (refractive index: about 1.4), and the like can be given.
【００２８】また、同図に示したような凹凸面を設ける
と、発光素子１０をマウントする際に、素子に「クラッ
ク」や「欠け」などの損傷が生ずることもある。しか
し、例示した窒化ガリウム系半導体発光素子の場合に
は、基板として極めて硬質な硬度９を有するサファイア
が用いられるために、図示したような凹凸面にマウント
してもこのような損傷が生ずることがない。一方、窒化
ガリウム系半導体以外の発光素子を用いる場合には、凹
凸面を予め前述したような接着剤により充填して、略平
滑な実装面を形成した後に、発光素子をマウントするこ
とにより、素子の損傷を容易に防ぐことができる。If the uneven surface as shown in FIG. 1 is provided, when the light emitting device 10 is mounted, the device may be damaged such as "crack" or "chip". However, in the case of the exemplified gallium nitride based semiconductor light emitting device, since sapphire having an extremely hard hardness of 9 is used as a substrate, such damage may occur even when the device is mounted on an uneven surface as shown in the figure. Absent. On the other hand, when a light-emitting element other than a gallium nitride-based semiconductor is used, the uneven surface is filled with the above-described adhesive in advance to form a substantially smooth mounting surface, and then the light-emitting element is mounted. Can be easily prevented from being damaged.
【００２９】図２は、本発明による発光装置の光出力を
従来の発光装置を比較して表した特性図である。同図か
ら分かるように、本発明によれば、動作電流２０ｍＡで
比較すると、従来よりも発光出力が２〜３倍改善されて
いる。これは、発光素子１０のサファイア基板側に出射
した光をリードフレームの凹凸面で散乱させて効率的に
取り出すことができるからである。すなわち、本発明に
よれば、発光素子の内部において発光層２０から基板１
２側に向かって放出される光だけでなく、発光層２０か
ら表面側に向かって放出され、ｐ側電極２６などにより
反射されて基板１２方向に向かう光も効率的に取り出す
ことができるために、従来と比較して発光出力の飛躍的
な改善が達成される。FIG. 2 is a characteristic diagram showing the light output of the light emitting device according to the present invention in comparison with a conventional light emitting device. As can be seen from the figure, according to the present invention, when compared with the operation current of 20 mA, the light emission output is improved by two to three times as compared with the conventional case. This is because light emitted to the sapphire substrate side of the light emitting element 10 can be efficiently extracted by being scattered by the uneven surface of the lead frame. That is, according to the present invention, the light emitting layer 20 is separated from the substrate 1 inside the light emitting element.
In addition to the light emitted toward the substrate 2 side, the light emitted from the light emitting layer 20 toward the surface side and reflected by the p-side electrode 26 and the like toward the substrate 12 can be efficiently extracted. A dramatic improvement in the light emission output is achieved as compared with the related art.
【００３０】本発明者は、独自の試作検討を行い、本発
明の有する効果について、さらに定量的な結果を得た。The present inventor conducted an original trial study and obtained more quantitative results on the effects of the present invention.
【００３１】図３は、この試作検討において用いた発光
装置の概略構成を例示する断面図である。すなわち、同
図に示した発光装置２００においては、結果の解析を簡
略化するために、リードフレーム２０３Ａには、発光素
子と同程度の幅を有する凸部２０３Ｅをひとつだけ設け
た。また、発光素子１０としては、図９に示したような
窒化ガリウム系半導体発光素子を用いた。さらに、その
発光素子１０の上面には遮光マスクＭを設け、素子の表
面側から光が出射しないようにした。すなわち、発光素
子の基板面側からの光だけを観測できるようにした。そ
して、図３に示した凸部２０３Ｅの頂部の角度２θが、
種々に異なるリードフレーム２０３を用いて、発光装置
２００を試作した。さらに、それぞれの発光装置の光強
度を測定して、基板面からの光取り出し効率を評価し
た。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the light emitting device used in the examination of the prototype. That is, in the light emitting device 200 shown in the figure, in order to simplify the analysis of the result, the lead frame 203A is provided with only one convex portion 203E having the same width as the light emitting element. Further, as the light emitting element 10, a gallium nitride based semiconductor light emitting element as shown in FIG. 9 was used. Further, a light-shielding mask M was provided on the upper surface of the light emitting element 10 so that light was not emitted from the front surface side of the element. That is, only light from the substrate surface side of the light emitting element can be observed. Then, the angle 2θ of the top of the convex portion 203E shown in FIG.
Light emitting devices 200 were prototyped using various different lead frames 203. Further, the light intensity of each light emitting device was measured to evaluate the light extraction efficiency from the substrate surface.
【００３２】図４は、この評価結果を表すグラフ図であ
る。すなわち、同図は、リードフレームの凸部の頂部の
角度θに対して、光の取り出し効率を任意単位で示した
ものである。同図から分かるように、リードフレームの
凸部の角度θが４５度の場合に、基板面からの光取り出
し効率が最も高くなる。これは、図３に矢印Ａで例示し
たように、基板面から出射した光が凹凸面で反射されて
観測方向に取り出すことができるからである。この評価
から、光取り出し効率として、最大値の半分以上の効率
を得るためには、角度θを２０度から７０度の範囲とす
ることが望ましいことが分かった。FIG. 4 is a graph showing the evaluation results. That is, the drawing shows the light extraction efficiency in arbitrary units with respect to the angle θ of the top of the protrusion of the lead frame. As can be seen from the figure, when the angle θ of the protrusion of the lead frame is 45 degrees, the light extraction efficiency from the substrate surface is the highest. This is because, as exemplified by the arrow A in FIG. 3, light emitted from the substrate surface is reflected by the uneven surface and can be extracted in the observation direction. From this evaluation, it was found that the angle θ was desirably in the range of 20 to 70 degrees in order to obtain an efficiency of half or more of the maximum value as the light extraction efficiency.
【００３３】このように、本発明によれば、極めて高い
効率で基板側に出射される光を外部に取り出すことがで
きるようになる。As described above, according to the present invention, light emitted to the substrate side can be extracted to the outside with extremely high efficiency.
【００３４】図５は、本発明による半導体発光装置の変
形例を表す概略図である。すなわち、同図（ａ）は、そ
の概略断面図であり、同図（ｂ）は、リードフレームの
実装面３０３Ｗの概略平面図である。同図に示した発光
装置３００は、発光素子１０が接着剤１０５によってリ
ードフレーム３０３に接着された構成を有する。前述し
た発光装置と同一の部材については、同一の符合を付し
て説明を省略する。FIG. 5 is a schematic diagram showing a modification of the semiconductor light emitting device according to the present invention. That is, FIG. 7A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 7B is a schematic plan view of the mounting surface 303W of the lead frame. The light emitting device 300 shown in the figure has a configuration in which the light emitting element 10 is adhered to a lead frame 303 with an adhesive 105. The same members as those of the above-described light emitting device are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００３５】発光装置３００においては、リードフレー
ム３０３Ａのカップ底部に凹凸面３０３Ｗが設けられる
と共に、複数の針状部材３０３Ｎが設けられている。針
状部材３０３Ｎは、発光素子１０を支持する役割を有す
る。また、発光素子１０の基板側から出射した光を過度
に遮ることがないように、その材質は透光性を有するこ
とが望ましく、若しくは、凹凸面３０３Ｗによって反射
される光の光路に対する断面積が小さくなるような断面
形状を有することが望ましい。In the light emitting device 300, an uneven surface 303W is provided at the bottom of the cup of the lead frame 303A, and a plurality of needle-like members 303N are provided. The needle-like member 303N has a role of supporting the light emitting element 10. It is preferable that the material of the light-emitting element 10 has a light-transmitting property so that the light emitted from the substrate side of the light-emitting element 10 is not excessively blocked. It is desirable to have a cross-sectional shape that becomes smaller.
【００３６】このような針状部材３０３Ｎを設けること
によって、発光素子１０を安定した向きでリードフレー
ムの凹凸面３０３Ｗの上に実装することができるように
なる。また、接着剤１０５として前述したような材料を
用いて、凹凸面３０３Ｗを充填して平滑面を形成すれ
ば、さらに安定して発光素子１０を実装することができ
る。By providing such a needle-like member 303N, the light emitting element 10 can be mounted on the uneven surface 303W of the lead frame in a stable direction. Further, when the uneven surface 303W is filled with the above-described material as the adhesive 105 to form a smooth surface, the light emitting element 10 can be mounted more stably.
【００３７】また、発光素子１０の基板に対して、電気
的な接続を確保する必要が生ずるような場合には、針状
部材３０３Ｎを導電性の材料により構成して、基板に接
触させることにより電気的接触を大幅に改善することが
できる。When it is necessary to secure electrical connection to the substrate of the light emitting element 10, the needle-like member 303N is made of a conductive material, and is brought into contact with the substrate. Electrical contact can be greatly improved.
【００３８】図６は、本発明による半導体発光装置の別
の変形例を表す概略断面図である。すなわち、同図に示
した発光装置４００においては、リードフレーム４０３
Ａのカップ底部の凹凸面４０３Ｗは、曲面状あるいは波
形の断面形状を有するものとして構成されている。FIG. 6 is a schematic sectional view showing another modification of the semiconductor light emitting device according to the present invention. That is, in the light emitting device 400 shown in FIG.
The concave and convex surface 403W on the bottom of the cup A is configured to have a curved or corrugated cross-sectional shape.
【００３９】このような曲面状の凹凸面４０３Ｗも、発
光素子１０から放出される光を広い角度に散乱するの
で、基板側から放出される光の取り出し効率を改善する
ことができる。また、このように曲面状の凹凸面４０３
Ｗを設けることによって、発光素子のマウントの際の応
力集中を避けることができ、発光素子の損傷を防ぐこと
ができる。また、平面で構成された鋭い凹凸面よりも、
曲面状の凹凸面の法が形成しやすいという利点も有す
る。なお、本変形例においても、前述した他の発光装置
と同一の部材については、図６に同一の符合を付して説
明を省略する。Since the curved surface 403W also scatters the light emitted from the light emitting element 10 at a wide angle, the efficiency of extracting the light emitted from the substrate side can be improved. In addition, the curved uneven surface 403
By providing W, stress concentration at the time of mounting the light emitting element can be avoided, and damage to the light emitting element can be prevented. Also, rather than a sharp uneven surface composed of flat surfaces,
There is also an advantage that the method of the curved uneven surface is easily formed. Also in this modification, the same members as those of the other light emitting devices described above are denoted by the same reference numerals in FIG. 6 and the description is omitted.
【００４０】図７は、本発明による半導体発光装置のさ
らに別の変形例を表す概略断面図である。すなわち、同
図に示した発光装置５００においては、リードフレーム
５０３Ａのカップ底面上に、透光性を有する球状あるい
は多角形状の光散乱部材５０８が敷かれている。そし
て、発光素子１０は、この光散乱部材５０８の上に接着
剤１０５によってマウントされている。FIG. 7 is a schematic sectional view showing still another modification of the semiconductor light emitting device according to the present invention. That is, in the light emitting device 500 shown in the figure, a spherical or polygonal light scattering member 508 having translucency is laid on the bottom surface of the cup of the lead frame 503A. The light emitting element 10 is mounted on the light scattering member 508 with the adhesive 105.
【００４１】発光装置５００においては、発光素子の基
板１２から出た光は光散乱部材５０８により、反射ある
いは屈折を繰り返して、リードフレームのカップ側面５
０３Ｃに反射されて外部に有効に取り出すことができ
る。この光散乱部材５０８が発光素子の基板１２と近い
屈折率を有する場合には、さらに取り出し効率の改善が
期待される。この理由は、基板の裏面を散乱面としたの
と同様の効果が得られるからである。例えば、発光素子
１０が窒化ガリウム系半導体発光素子の場合には、光散
乱部材５０８は、基板材料であるサファイアの屈折率に
近い材料からなることが望ましい。また、このような光
散乱部材５０８をカップ底面に一面に敷いた場合は、マ
ウント時に発光素子１０に対する応力は緩和され、損傷
を防ぐことができるという効果も得られる。さらに、こ
のような光散乱材をもいちれば、リードフレーム自体を
凹凸状に加工する必要がなくなり、製造がさらに容易と
なるという効果も得られる。In the light emitting device 500, the light emitted from the substrate 12 of the light emitting element is repeatedly reflected or refracted by the light scattering member 508, so that the cup side surface 5 of the lead frame is formed.
The light is reflected by 03C and can be effectively extracted to the outside. When the light scattering member 508 has a refractive index close to that of the substrate 12 of the light emitting element, it is expected that the extraction efficiency is further improved. This is because the same effect as when the back surface of the substrate is a scattering surface can be obtained. For example, when the light emitting device 10 is a gallium nitride based semiconductor light emitting device, it is desirable that the light scattering member 508 be made of a material having a refractive index close to that of sapphire as a substrate material. In addition, when such a light scattering member 508 is laid all over the bottom surface of the cup, the stress on the light emitting element 10 during mounting is reduced, and an effect that damage can be prevented can be obtained. Furthermore, the use of such a light scattering material eliminates the necessity of processing the lead frame itself into an uneven shape, thereby providing an effect that the manufacturing is further facilitated.
【００４２】また、光散乱部材５０８は、透明であるこ
とが望ましいが、可視光に対して一定の反射率を有して
いてもよい。さらに、必ずしも絶縁性である必要はな
い。また、光散乱部材５０８の形状も、図示した球状の
ものに限定されず、楕円、円柱、多角柱、不定形粒状な
どあらゆる形状から適宜選択することができる。一方、
リードフレーム５０３の形状は、図示したものに限定さ
れるわけではなく、カップ底面が凹凸状とされていても
良い。The light scattering member 508 is desirably transparent, but may have a constant reflectance with respect to visible light. Further, it is not always necessary to be insulating. In addition, the shape of the light scattering member 508 is not limited to the spherical shape shown in the figure, and can be appropriately selected from any shape such as an ellipse, a cylinder, a polygonal pillar, and an irregular granular shape. on the other hand,
The shape of the lead frame 503 is not limited to the illustrated one, and the bottom surface of the cup may be uneven.
【００４３】なお、本変形例においても、前述した他の
発光装置と同一の部材については、図６に同一の符合を
付して説明を省略する。In this modification, the same members as those of the other light emitting devices described above are denoted by the same reference numerals in FIG. 6 and the description is omitted.
【００４４】図８は、本発明による半導体発光装置のさ
らに別の変形例を表す概略断面図である。すなわち、同
図に示した発光装置６００においては、リードフレーム
６０３に、発光素子５０が実装されている。この発光素
子５０は、前述した発光装置において例示した窒化ガリ
ウム系半導体発光素子１０とは異なる発光素子を例示す
るものであり、例えば、ｎ型ＧａＰ基板５２上に形成さ
れた、ＩｎＧａＰ活性層６０を挟むｎ−ＧａＰ層５８と
ｐ−ＧａＰ層６２とからなるものとすることができる。
このような発光素子５０も、活性層６０から発光は、Ｇ
ａＰ基板５２を透過して出射されるために、本発明を同
様に適用して、上述した他の発光装置と同様の効果を得
ることができる。FIG. 8 is a schematic sectional view showing still another modification of the semiconductor light emitting device according to the present invention. That is, in the light emitting device 600 shown in the figure, the light emitting element 50 is mounted on the lead frame 603. The light emitting element 50 is an example of a light emitting element different from the gallium nitride based semiconductor light emitting element 10 exemplified in the above light emitting device. For example, the InGaP active layer 60 formed on an n-type GaP substrate 52 may be used. It may be composed of an n-GaP layer 58 and a p-GaP layer 62 sandwiched therebetween.
In such a light emitting element 50 as well, light emission from the active layer 60 is G
Since the light is emitted through the aP substrate 52, the present invention can be applied in the same manner, and the same effect as the other light emitting devices described above can be obtained.
【００４５】なお、本発明において用いられる発光素子
は、その基板として上述したサファイアやＧａＰに限定
されず、ＳｉＣ，ＧａＮ，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＣｏＯ，Ｎ
ｉＯ，ＭｇＡｌ２０４，ＮｄＧａＯ３，ＺｎＯ，ＬｉＡ
ｌＯ２，ＬｉＧａＯ２，ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３な
どの材料からなる基板を用いたものでも良く、活性層か
らの発光を透過する構成であれば良い。The light-emitting device used in the present invention is not limited to the above-mentioned substrates such as sapphire and GaP, but includes SiC, GaN, MgO, MnO, CoO, N
iO, MgAl 2 0 4, NdGaO 3, ZnO, LiA
A substrate using a substrate made of a material such as lO 2 , LiGaO 2 , LiNbO 3 , or LiTaO 3 may be used, as long as the structure allows light emission from the active layer to pass therethrough.
【００４６】また、本変形例におけるリードフレーム６
０３のカップ底部の凹凸面６０３Ｗの形状は、図示した
ような曲面状に限定されるものではなく、その他の前述
したいずれかの発光装置と同様のものであれば良い。な
お、本変形例においても、前述した他の発光装置と同一
の部材については、図８に同一の符合を付して説明を省
略した。The lead frame 6 according to the present modification example
The shape of the concave-convex surface 603W at the bottom of the cup 03 is not limited to the curved shape shown in the drawing, and may be the same as any of the other light emitting devices described above. Also in this modification, the same members as those of the other light emitting devices described above are denoted by the same reference numerals in FIG. 8 and description thereof is omitted.
【００４７】以上の説明では、実装部材としてリードフ
レームを用いた場合について例示したが本発明はこれに
限定されるものではない。この他にも、例えば、ステ
ム、実装基板、チップ・キャリアなど、種々の実装部材
に対して、本発明は同様に適用することが可能である。In the above description, the case where the lead frame is used as the mounting member has been exemplified, but the present invention is not limited to this. In addition, the present invention can be similarly applied to various mounting members such as a stem, a mounting substrate, and a chip carrier.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に説明する効果を奏する。The present invention is embodied in the form described above, and has the following effects.
【００４９】まず、本発明によれば、半導体発光素子の
基板面から出射される光をリードフレームの凹凸面で散
乱することにより、外部に効率的に取り出すことができ
る。その結果として、従来よりも発光出力を顕著に向上
することができる。First, according to the present invention, light emitted from the substrate surface of the semiconductor light emitting element is scattered by the uneven surface of the lead frame, so that it can be efficiently extracted to the outside. As a result, the light emission output can be significantly improved as compared with the related art.
【００５０】また、本発明によれば、このように基板面
から出射される光を効率的に外部に取り出すことができ
るので、発光素子の上面の電極を厚く形成しても良い。
その結果として駆動電圧の低減を実現できる。Further, according to the present invention, since the light emitted from the substrate surface can be efficiently extracted to the outside, the electrode on the upper surface of the light emitting element may be formed thick.
As a result, a reduction in drive voltage can be realized.
【００５１】以上説明したように、本発明によれば、簡
易な構成で極めて高い光取り出し効率を有する半導体発
光装置を提供することができるようになり、産業上のメ
リットは多大である。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor light emitting device having an extremely high light extraction efficiency with a simple configuration, and the industrial advantage is great.
【図１】本発明による第１の半導体発光装置の概略構成
を表す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a first semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図２】本発明による発光装置の光出力を従来の発光装
置を比較して表した特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing a light output of a light emitting device according to the present invention in comparison with a conventional light emitting device.
【図３】本発明者の試作検討において用いた発光装置の
概略構成を例示する断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting device used in a study of a prototype manufactured by the inventor.
【図４】本発明者の試作検討の評価結果を表すグラフ図
である。FIG. 4 is a graph showing the evaluation results of the inventor's trial production study.
【図５】本発明による半導体発光装置の変形例を表す概
略図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a modification of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図６】本発明による半導体発光装置の別の変形例を表
す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view showing another modification of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図７】本発明による半導体発光装置のさらに別の変形
例を表す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view showing still another modified example of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図８】本発明による半導体発光装置のさらに別の変形
例を表す概略断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view showing still another modified example of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図９】窒化ガリウム系半導体発光素子を用いた発光装
置の構成を例示する概略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view illustrating the configuration of a light emitting device using a gallium nitride based semiconductor light emitting element.
３Ａ、Ｂ リードフレーム ４ 接着剤 ５ ワイア １０、５０ 半導体発光素子 １２、５２ 透光性基板 １４ バッファ層 １６ コンタクト層 １８、５８ クラッド層 ２０、６０ 発光層 ２２、６２ クラッド層 ２４ コンタクト層 ２６、３４、２６、３４ 電極 ３０ 電流阻止層 ４５ 保護膜 １００、２００、３００、４００、５００、６００、９
００ 半導体発光装置 １０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３ リ
ードフレーム １０５ 接着剤 ５０８ 光散乱材3A, B Lead frame 4 Adhesive 5 Wire 10, 50 Semiconductor light emitting element 12, 52 Translucent substrate 14 Buffer layer 16 Contact layer 18, 58 Cladding layer 20, 60 Light emitting layer 22, 62 Cladding layer 24 Contact layer 26, 34 , 26, 34 Electrode 30 Current blocking layer 45 Protective film 100, 200, 300, 400, 500, 600, 9
00 Semiconductor light emitting device 103, 203, 303, 403, 503, 603 Lead frame 105 Adhesive 508 Light scattering material
Claims (7)
の前記実装面の上に実装された半導体発光素子とを備え
た半導体発光装置であって、 前記半導体発光素子は、所定の波長帯の光を放出する発
光層と、前記発光層が放出する光に対して透光性を有す
る基板と、を有し、 前記実装部材の前記実装面は、前記半導体発光素子の前
記基板から放出される光を散乱して外部に取り出すこと
かできるように、凹凸面を有するものとして構成されて
いることを特徴とする半導体発光装置。1. A semiconductor light emitting device comprising: a mounting member having a mounting surface; and a semiconductor light emitting element mounted on the mounting surface of the mounting member, wherein the semiconductor light emitting element has a predetermined wavelength band. A light-emitting layer that emits light, and a substrate that transmits light emitted by the light-emitting layer. The mounting surface of the mounting member is emitted from the substrate of the semiconductor light-emitting element. A semiconductor light emitting device having an uneven surface so as to scatter light out of the semiconductor light emitting device.
斜面により構成され、その凸部の頂部の角度は、４０度
以上１４０度以下であることを特徴とする請求項１記載
の半導体発光装置。2. The mounting member according to claim 1, wherein the concave-convex surface of the mounting member is formed by a substantially flat inclined surface, and the angle of the top of the convex portion is not less than 40 degrees and not more than 140 degrees. Semiconductor light emitting device.
面形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体
発光装置。3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein said uneven surface of said mounting member has a curved cross-sectional shape.
体発光素子を安定に支持するために、その凸部の頂部と
ほぼ同一の高さまで達する複数の針状部材がほぽ垂直に
設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１つに記載の半導体発光装置。4. A plurality of needle-like members reaching almost the same height as the tops of the projections are provided substantially vertically on the uneven surface of the mounting member in order to stably support the semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein:
の前記実装面の上に実装された、半導体発光素子と、を
備えた半導体発光装置であって、 前記半導体発光素子は、所定の波長帯の光を放出する発
光層と、前記発光層が放出する光に対して透光性を有す
る基板と、を備え、 前記実装部材の前記実装面と前記半導体発光素子との間
には、前記半導体発光素子の前記基板から放出される光
を散乱して外部に取り出すことができるように、複数の
光散乱部材が設けられていることを特徴とする半導体発
光装置。5. A semiconductor light emitting device comprising: a mounting member having a mounting surface; and a semiconductor light emitting element mounted on the mounting surface of the mounting member, wherein the semiconductor light emitting element has a predetermined shape. A light-emitting layer that emits light in a wavelength band, and a substrate that has a property of transmitting light emitted by the light-emitting layer, between the mounting surface of the mounting member and the semiconductor light-emitting element, A semiconductor light emitting device comprising a plurality of light scattering members so that light emitted from the substrate of the semiconductor light emitting element can be scattered and extracted to the outside.
は、前記基板から放出される光に対して透光性を有する
材料により接着されていることを特徴とする請求項１〜
５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。6. The semiconductor device according to claim 1, wherein the mounting member and the semiconductor light emitting element are bonded with a material having a property of transmitting light emitted from the substrate.
6. The semiconductor light emitting device according to any one of 5.
に形成された窒化ガリウム系半導体発光素子であり、 前記接着剤は、エポキシ樹脂、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｓ
ｎＯ2 、ＬａＦ3 、ＣｅＦ3 、およびＳｉＯ2 からなる
群から選択された材料からなることを特徴とする請求項
６記載の半導体発光装置。7. The semiconductor light emitting device is a gallium nitride based semiconductor light emitting device formed on a sapphire substrate, and the adhesive is epoxy resin, Al 2 O 3 , MgO, S
nO 2, LaF 3, CeF 3 , and the semiconductor light emitting device according to claim 6, characterized in that it consists of a material selected from the group consisting of SiO 2.
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|---|---|
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Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1225643A1 (en) * | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | High efficiency unilateral light emitting device and method for fabricating such device |
| WO2003073520A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Rohm Co.,Ltd. | Light emitting diode lamp |
| JP2005259888A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Citizen Electronics Co Ltd | Optical semiconductor package |
| JP2007109908A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Nichia Chem Ind Ltd | Support for mounting light-emitting elements |
| JP2007288067A (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Hitachi Cable Ltd | Light emitting diode |
| WO2008143183A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Asahi Glass Co., Ltd. | Glass coated light emitting element, illuminator and projector |
| JP2009010360A (en) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Lighting device |
| JP2009289918A (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Alps Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting device |
| US8035125B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-10-11 | Showa Denko K.K. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| WO2012023954A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Invenlux Corporation | Light-emitting devices with substrate coated with optically denser material |
| CN103081137A (en) * | 2010-09-02 | 2013-05-01 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Light-emitting diode chip |
| JP2013120824A (en) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Citizen Holdings Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2013175750A (en) * | 2006-09-29 | 2013-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip and method for manufacturing the same |
| JP2013197505A (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
| US8643049B2 (en) | 2011-10-27 | 2014-02-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode |
| JP2014120514A (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Sharp Corp | Semiconductor light-emitting device |
| US9178121B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-11-03 | Cree, Inc. | Reflective mounting substrates for light emitting diodes |
| US9287466B2 (en) | 2007-07-25 | 2016-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of manufacturing the same |
| US20170186926A1 (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package having enhanced light extraction efficiency |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP17681597A patent/JP3505353B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1225643A1 (en) * | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | High efficiency unilateral light emitting device and method for fabricating such device |
| WO2003073520A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Rohm Co.,Ltd. | Light emitting diode lamp |
| US7128444B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode lamp |
| JP2005259888A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Citizen Electronics Co Ltd | Optical semiconductor package |
| JP2007109908A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Nichia Chem Ind Ltd | Support for mounting light-emitting elements |
| US8035125B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-10-11 | Showa Denko K.K. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2007288067A (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Hitachi Cable Ltd | Light emitting diode |
| JP2013175750A (en) * | 2006-09-29 | 2013-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip and method for manufacturing the same |
| US9178121B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-11-03 | Cree, Inc. | Reflective mounting substrates for light emitting diodes |
| WO2008143183A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Asahi Glass Co., Ltd. | Glass coated light emitting element, illuminator and projector |
| JP2010263242A (en) * | 2007-05-31 | 2010-11-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Lighting device |
| JP2009010360A (en) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Lighting device |
| US9287466B2 (en) | 2007-07-25 | 2016-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of manufacturing the same |
| JP2009289918A (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Alps Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting device |
| JP2012044132A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Invenlux Corp | Light-emitting apparatus with coating substrate composed of material having high optical density |
| US8723201B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-05-13 | Invenlux Corporation | Light-emitting devices with substrate coated with optically denser material |
| CN102376839A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-14 | 亚威朗(美国) | Light-emitting devices with substrate coated with optically denser material |
| WO2012023954A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Invenlux Corporation | Light-emitting devices with substrate coated with optically denser material |
| CN103081137A (en) * | 2010-09-02 | 2013-05-01 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Light-emitting diode chip |
| US9601663B2 (en) | 2010-09-02 | 2017-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip |
| US8643049B2 (en) | 2011-10-27 | 2014-02-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode |
| JP2013120824A (en) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Citizen Holdings Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2013197505A (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2014120514A (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Sharp Corp | Semiconductor light-emitting device |
| US20170186926A1 (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package having enhanced light extraction efficiency |
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