JPH11268122A - ラミネータ装置及びラミネート方法 - Google Patents
ラミネータ装置及びラミネート方法Info
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- JPH11268122A JPH11268122A JP7462798A JP7462798A JPH11268122A JP H11268122 A JPH11268122 A JP H11268122A JP 7462798 A JP7462798 A JP 7462798A JP 7462798 A JP7462798 A JP 7462798A JP H11268122 A JPH11268122 A JP H11268122A
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- laminating
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Landscapes
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ドライフィルムをスライダの段差部にラミネー
トする際に気泡の封入を防止すること。 【解決手段】ラミネータ装置10は、ロータリーポンプ
12により真空槽11内を真空化する。真空槽11内に
は複数の棚を有するカセットボックス24が具備され
て、カセットボックス24内に磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッドのスライダ基板が並べられて加熱される。加熱され
た基板はエアシリンダ機構26により移動する搬送テー
ブル27上に載置された後、ラミネートロール13a,
13bに搬送され、搬送テーブル27の爪部27aによ
りラミネートロール13a,13b間に挿入される。こ
のとき、ドライフィルムロール17から供給されるドラ
イフィルム14もラミネートロール13a,13b間に
挿入されて基板15に対し加圧される。以上により、真
空下においてドライフィルム17がラミネートされる。
トする際に気泡の封入を防止すること。 【解決手段】ラミネータ装置10は、ロータリーポンプ
12により真空槽11内を真空化する。真空槽11内に
は複数の棚を有するカセットボックス24が具備され
て、カセットボックス24内に磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッドのスライダ基板が並べられて加熱される。加熱され
た基板はエアシリンダ機構26により移動する搬送テー
ブル27上に載置された後、ラミネートロール13a,
13bに搬送され、搬送テーブル27の爪部27aによ
りラミネートロール13a,13b間に挿入される。こ
のとき、ドライフィルムロール17から供給されるドラ
イフィルム14もラミネートロール13a,13b間に
挿入されて基板15に対し加圧される。以上により、真
空下においてドライフィルム17がラミネートされる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板のドライエッ
チングに使用されるレジストを形成するためのドライフ
ィルムを基板上にラミネートするラミネータ装置及びラ
ミネート方法に関する。
チングに使用されるレジストを形成するためのドライフ
ィルムを基板上にラミネートするラミネータ装置及びラ
ミネート方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ドライフィルムを基板上にラミネートす
るラミネータ装置は、ドライフィルムをラミネートロー
ルと呼ばれるローラー間に基板とともに挟み込み、ドラ
イフィルムをローラーの押圧力で基板に対して加圧して
基板上にラミネートしている。ラミネートされたドライ
フィルムは、基板を所望形状に彫込み加工するドライエ
ッチングにおけるレジストを構成するように所定のパタ
ーンに露光・現像される。
るラミネータ装置は、ドライフィルムをラミネートロー
ルと呼ばれるローラー間に基板とともに挟み込み、ドラ
イフィルムをローラーの押圧力で基板に対して加圧して
基板上にラミネートしている。ラミネートされたドライ
フィルムは、基板を所望形状に彫込み加工するドライエ
ッチングにおけるレジストを構成するように所定のパタ
ーンに露光・現像される。
【0003】ドライエッチングは、図4に示すような彫
込み深さが2段以上に及ぶ浮上型磁気ヘッド40のスラ
イダ41の加工にも使用されている。この場合、一回目
のドライエッチングによって頂面42aに対して第1の
深さを有する面(浅い面)42bを形成した後に、二回
目のドライエッチングを施して第2の深さを有する面
(深い面)42cを形成する。従って、二回目のドライ
エッチング用のレジストを一回目のドライエッチング後
に新たに形成する必要があり、一回目のドライエッチン
グによって段差が生じた基板上にドライフィルムをラミ
ネートする。
込み深さが2段以上に及ぶ浮上型磁気ヘッド40のスラ
イダ41の加工にも使用されている。この場合、一回目
のドライエッチングによって頂面42aに対して第1の
深さを有する面(浅い面)42bを形成した後に、二回
目のドライエッチングを施して第2の深さを有する面
(深い面)42cを形成する。従って、二回目のドライ
エッチング用のレジストを一回目のドライエッチング後
に新たに形成する必要があり、一回目のドライエッチン
グによって段差が生じた基板上にドライフィルムをラミ
ネートする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ラミネータ装置によってドライフィルムを段差部にラミ
ネートすると、図10(A)に示すように段差部におい
て基板100とドライフィルム101間に気体102を
封入してしまうことが多い。気体が入り込んだ部分はド
ライフィルムの密着が不良となって、レジストとしての
マスク機能が不十分となる。このため、ドライエッチン
グ時に予定外の基板部分が削られて、基板を所望の形状
に加工できないという問題があった。同様の問題は、図
10(B)に示すようにスライダロー(ロー)と呼ばれ
るウエハを切断した基板を並べて、ドライフィルムを複
数のローに対して一時にラミネートする場合にも生じ
る。各ロー103a〜103cの高さには不可避の差が
あるため、その差によって生ずる段差部にドライフィル
ムをラミネートすることになるからである。
ラミネータ装置によってドライフィルムを段差部にラミ
ネートすると、図10(A)に示すように段差部におい
て基板100とドライフィルム101間に気体102を
封入してしまうことが多い。気体が入り込んだ部分はド
ライフィルムの密着が不良となって、レジストとしての
マスク機能が不十分となる。このため、ドライエッチン
グ時に予定外の基板部分が削られて、基板を所望の形状
に加工できないという問題があった。同様の問題は、図
10(B)に示すようにスライダロー(ロー)と呼ばれ
るウエハを切断した基板を並べて、ドライフィルムを複
数のローに対して一時にラミネートする場合にも生じ
る。各ロー103a〜103cの高さには不可避の差が
あるため、その差によって生ずる段差部にドライフィル
ムをラミネートすることになるからである。
【0005】一方、ラミネートするドライフィルムを膜
厚の厚いものとすれば、ドライフィルムが段差部の角部
に回り込むために気体の封入が抑制される。しかし、ド
ライフィルムは後に露光により所定のパターンを有する
レジストに加工しなければならず、しかも、この露光の
解像度はドライフィルムが厚くなるほど悪化する。従っ
て、この場合には気体封入の問題は回避しても、基板に
微細なパターンを形成することができないという問題が
生じていた。従って、本発明の目的は、段差部を有する
基板に対してもドライフィルムを確実にラミネートする
ラミネータ装置及びラミネート方法を提供することにあ
る。
厚の厚いものとすれば、ドライフィルムが段差部の角部
に回り込むために気体の封入が抑制される。しかし、ド
ライフィルムは後に露光により所定のパターンを有する
レジストに加工しなければならず、しかも、この露光の
解像度はドライフィルムが厚くなるほど悪化する。従っ
て、この場合には気体封入の問題は回避しても、基板に
微細なパターンを形成することができないという問題が
生じていた。従って、本発明の目的は、段差部を有する
基板に対してもドライフィルムを確実にラミネートする
ラミネータ装置及びラミネート方法を提供することにあ
る。
【0006】
【発明の概要】本発明は、主としてラミネートを真空中
において行うことにより上記問題を解決する。具体的に
は、本発明の第1の特徴は、ドライフィルムと基板とを
ローラー間に挿入し、ドライフィルムをローラーによっ
て基板に対し加圧して同基板上にラミネートするラミネ
ート手段を備えたドライフィルムのラミネータ装置にお
いて、ラミネート手段を収容する真空槽と真空槽内を真
空化する真空装置とを備えて、真空槽内を真空化装置に
よって真空とした上でラミネート手段を作動してラミネ
ートすることにある。この特徴によれば、真空状態下
(気体密度が小さい状態下)でドライフィルムがラミネ
ートされるので、薄いドライフィルムを用いた場合であ
っても段差部へ気体を密封することがない。
において行うことにより上記問題を解決する。具体的に
は、本発明の第1の特徴は、ドライフィルムと基板とを
ローラー間に挿入し、ドライフィルムをローラーによっ
て基板に対し加圧して同基板上にラミネートするラミネ
ート手段を備えたドライフィルムのラミネータ装置にお
いて、ラミネート手段を収容する真空槽と真空槽内を真
空化する真空装置とを備えて、真空槽内を真空化装置に
よって真空とした上でラミネート手段を作動してラミネ
ートすることにある。この特徴によれば、真空状態下
(気体密度が小さい状態下)でドライフィルムがラミネ
ートされるので、薄いドライフィルムを用いた場合であ
っても段差部へ気体を密封することがない。
【0007】本発明の第2の特徴は、ラミネート手段に
よるラミネートに先だって基板を加熱する予備加熱手段
を備えたことにある。この特徴は、基板がローラー間に
挿入されたときに基板の温度が低いためいにドライフィ
ルムの密着性が悪くなるという従来の問題を解決する。
また、本特徴を有するラミネータ装置は、ドライフィル
ムを均一に軟化しながらラミネートすることが可能とな
るので、ローラーの速度も速くし得るものとなり、結果
として生産効率を向上し得るものとなる。
よるラミネートに先だって基板を加熱する予備加熱手段
を備えたことにある。この特徴は、基板がローラー間に
挿入されたときに基板の温度が低いためいにドライフィ
ルムの密着性が悪くなるという従来の問題を解決する。
また、本特徴を有するラミネータ装置は、ドライフィル
ムを均一に軟化しながらラミネートすることが可能とな
るので、ローラーの速度も速くし得るものとなり、結果
として生産効率を向上し得るものとなる。
【0008】本発明の第3,第4の特徴は、前記基板を
予め複数個収容しうる収容器と、基板をこの収容器から
一枚ずつ取出してローラ間へ自動的かつ次々と挿入する
挿入機構とを備えた点にある。本特徴によれば、基板を
収容器内に複数枚収容して一括して真空状態とすること
が可能となるので、時間を要する真空引きの頻度を低減
して生産効率を向上することが可能となる。
予め複数個収容しうる収容器と、基板をこの収容器から
一枚ずつ取出してローラ間へ自動的かつ次々と挿入する
挿入機構とを備えた点にある。本特徴によれば、基板を
収容器内に複数枚収容して一括して真空状態とすること
が可能となるので、時間を要する真空引きの頻度を低減
して生産効率を向上することが可能となる。
【0009】本発明の第5の特徴は、予備加熱手段が収
容器内に配設されたヒーターであり、同ヒーターはラミ
ネート手段、真空装置、及び挿入機構とは独立して作動
可能に構成されていることにある。これによれば、ラミ
ネート中でなくてもヒーターを加熱して収容器の温度を
上昇しておくことができるため、収容器内に基板をセッ
トする際等に収容器の温度上昇を待つ必要がなくなり、
生産効率を向上することが可能となる。
容器内に配設されたヒーターであり、同ヒーターはラミ
ネート手段、真空装置、及び挿入機構とは独立して作動
可能に構成されていることにある。これによれば、ラミ
ネート中でなくてもヒーターを加熱して収容器の温度を
上昇しておくことができるため、収容器内に基板をセッ
トする際等に収容器の温度上昇を待つ必要がなくなり、
生産効率を向上することが可能となる。
【0010】本発明の第6の特徴は、真空槽内に紫外線
を照射する紫外線源を具備して同紫外線の照射により真
空槽内に生じる静電気を除去することにある。ラミネー
タ装置においては、ラミネート中に発生する静電気が基
板(に含まれる素子)に悪影響を及すことがあるので、
これを除去する必要がある。静電気の除去としては、空
気中の窒素ガスを窒素イオンとして負電荷を有する静電
気を中和(吸収)する手法が一般的である。ところが、
本ラミネータ装置は、窒素ガスが微量の真空中でラミネ
ートする為このような従来の手法を採用できない。そこ
で、本特徴では紫外線源を採用して紫外線によって真空
槽中の微量の窒素ガスを効率よくイオン化し、静電気の
除電を行うこととした。この場合、紫外線によりドライ
フィルムが感光すると所望のレジストマスクパターンが
得られなくなるので、紫外線がドライフィルム上に直接
照射されないように同紫外線の光路を制限する遮蔽手段
を有することが有用である。
を照射する紫外線源を具備して同紫外線の照射により真
空槽内に生じる静電気を除去することにある。ラミネー
タ装置においては、ラミネート中に発生する静電気が基
板(に含まれる素子)に悪影響を及すことがあるので、
これを除去する必要がある。静電気の除去としては、空
気中の窒素ガスを窒素イオンとして負電荷を有する静電
気を中和(吸収)する手法が一般的である。ところが、
本ラミネータ装置は、窒素ガスが微量の真空中でラミネ
ートする為このような従来の手法を採用できない。そこ
で、本特徴では紫外線源を採用して紫外線によって真空
槽中の微量の窒素ガスを効率よくイオン化し、静電気の
除電を行うこととした。この場合、紫外線によりドライ
フィルムが感光すると所望のレジストマスクパターンが
得られなくなるので、紫外線がドライフィルム上に直接
照射されないように同紫外線の光路を制限する遮蔽手段
を有することが有用である。
【0011】本発明の第8の特徴は第1の特徴と同様に
機能して、薄いドライフィルムを用いた場合であっても
段差部へ気体を密封してしまうことのないラミネート方
法を提供する。
機能して、薄いドライフィルムを用いた場合であっても
段差部へ気体を密封してしまうことのないラミネート方
法を提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明に係るラミネータ装置の実
施形態が図1及び図2に模式的に示されている。ラミネ
ータ装置10は、真空状態を保ち得る気密室を形成する
真空槽11を備えている。真空槽11は図示しない扉を
備えるとともに、真空ポンプ(真空装置)として機能す
るロータリーポンプ12と接続されている。
施形態が図1及び図2に模式的に示されている。ラミネ
ータ装置10は、真空状態を保ち得る気密室を形成する
真空槽11を備えている。真空槽11は図示しない扉を
備えるとともに、真空ポンプ(真空装置)として機能す
るロータリーポンプ12と接続されている。
【0013】真空槽11内には、基板にドライフィルム
をラミネートする(ドライフィルムを基板に対して加圧
して貼着する)ために互いに隣接配置され、かつ回転駆
動装置(図示せず)に接続された2つのゴムローラー
(以下、ラミネートロール13a,13bという)が備
えられている。回転駆動装置は、一方のラミネートロー
ル13aを時計方向(矢印A方向)に回転し、他方のラ
ミネートロール13bを反時計方向(矢印B方向)に回
転する。また、ラミネートロール13a,13bは互い
に押圧し、しかも押圧力が可変となるように構成されて
いる。更に、ラミネートロール13a,13bの内部に
はヒーターが備えられていて、ローラー表面温度の制御
が可能となるように構成されている。
をラミネートする(ドライフィルムを基板に対して加圧
して貼着する)ために互いに隣接配置され、かつ回転駆
動装置(図示せず)に接続された2つのゴムローラー
(以下、ラミネートロール13a,13bという)が備
えられている。回転駆動装置は、一方のラミネートロー
ル13aを時計方向(矢印A方向)に回転し、他方のラ
ミネートロール13bを反時計方向(矢印B方向)に回
転する。また、ラミネートロール13a,13bは互い
に押圧し、しかも押圧力が可変となるように構成されて
いる。更に、ラミネートロール13a,13bの内部に
はヒーターが備えられていて、ローラー表面温度の制御
が可能となるように構成されている。
【0014】ドライフィルム14は、100μm程のポ
リエステルフィルムをベースとしてレジストの半硬化物
を20〜40μm程積層したものであって、未使用時に
はその上にカバーフィルム16を積層してドライフィル
ムロール17に巻回収容されている。ドライフィルム1
4は、ラミネートロール13a,13bの上方の所定位
置に配置されたドライフィルムロール17からフィルム
の移動経路を決定する第1ローラー18と第2ローラー
19を経由し、第2ローラー19においてカバーフィル
ム16が剥離された後、ラミネートロール13a,13
bに上方から挿入される。尚、剥離されたカバーフィル
ム16はカバーフィルムロール20に巻回されて回収さ
れる。
リエステルフィルムをベースとしてレジストの半硬化物
を20〜40μm程積層したものであって、未使用時に
はその上にカバーフィルム16を積層してドライフィル
ムロール17に巻回収容されている。ドライフィルム1
4は、ラミネートロール13a,13bの上方の所定位
置に配置されたドライフィルムロール17からフィルム
の移動経路を決定する第1ローラー18と第2ローラー
19を経由し、第2ローラー19においてカバーフィル
ム16が剥離された後、ラミネートロール13a,13
bに上方から挿入される。尚、剥離されたカバーフィル
ム16はカバーフィルムロール20に巻回されて回収さ
れる。
【0015】真空槽11は、保護フィルム21を巻回収
容した保護フィルムロール22をラミネートロール13
a,13bの下方位置に備えている。保護フィルム21
は第3ローラー23を介してラミネートロール13a,
13bに下方から挿入される。
容した保護フィルムロール22をラミネートロール13
a,13bの下方位置に備えている。保護フィルム21
は第3ローラー23を介してラミネートロール13a,
13bに下方から挿入される。
【0016】真空槽11は、基板15を収容する複数の
棚を有する直方体形状のカセットボックス(収容器)2
4を備えている。カセットボックス24は真空槽11の
外部に設置した上下方向駆動装置(エレベータ機構)2
5と接続されていて、棚の一段分を単位として上下方向
に移動可能に構成されている。また、カセットボックス
24の一側面(図中左側面)は開放されていて、収容し
た基板15を取出すことができるようになっている。カ
セットボックス24は肉厚であって、収容する基板15
の全体に対して約二倍の熱容量を有するとともに、その
周壁には加熱用のヒータ(図示せず)を、各棚の間には
温度センサ(図示せず)を備えている。尚、このヒータ
は、他の装置であるラミネートロール13a,13b
(の駆動装置)や、ロータリーポンプ12、エレベータ
機構25、後述のエアシリンダ機構等とは独立に制御さ
れるように構成されている。
棚を有する直方体形状のカセットボックス(収容器)2
4を備えている。カセットボックス24は真空槽11の
外部に設置した上下方向駆動装置(エレベータ機構)2
5と接続されていて、棚の一段分を単位として上下方向
に移動可能に構成されている。また、カセットボックス
24の一側面(図中左側面)は開放されていて、収容し
た基板15を取出すことができるようになっている。カ
セットボックス24は肉厚であって、収容する基板15
の全体に対して約二倍の熱容量を有するとともに、その
周壁には加熱用のヒータ(図示せず)を、各棚の間には
温度センサ(図示せず)を備えている。尚、このヒータ
は、他の装置であるラミネートロール13a,13b
(の駆動装置)や、ロータリーポンプ12、エレベータ
機構25、後述のエアシリンダ機構等とは独立に制御さ
れるように構成されている。
【0017】ロッドを含むエアシリンダ機構26のロッ
ド先端部26aには基板15を搬送するための搬送テー
ブル27が装着されている。搬送テーブル27は、図3
(A)の平面図、同図(B)の正面図に示すように、平
板状であってカセットボックス24側の端部が垂直上方
へ折曲げられた爪部27aを有し、平板上に基板15を
搭載するとともに基板15をラミネートロール13a,
13b間に爪部27aにより押圧し得るように構成され
ている。また、搬送テーブル27はエアシリンダ機構2
6によって、カセットボックス24からラミネートロー
ル13a,13b間を水平方向に往復動する。
ド先端部26aには基板15を搬送するための搬送テー
ブル27が装着されている。搬送テーブル27は、図3
(A)の平面図、同図(B)の正面図に示すように、平
板状であってカセットボックス24側の端部が垂直上方
へ折曲げられた爪部27aを有し、平板上に基板15を
搭載するとともに基板15をラミネートロール13a,
13b間に爪部27aにより押圧し得るように構成され
ている。また、搬送テーブル27はエアシリンダ機構2
6によって、カセットボックス24からラミネートロー
ル13a,13b間を水平方向に往復動する。
【0018】図2に示すように、真空槽11の側壁には
真空槽11内部に波長が365nmの紫外線を照射する
紫外線ランプ30(出力0.02mW)が備えられてい
る。また、紫外線ランプ30が取付けられた側壁とラミ
ネートロール13a,13bとの間には、遮蔽板31が
配置される。遮蔽板31には、紫外線の光路がドライフ
ィルム14上とならないような位置に紫外線透過孔32
が設けられている。
真空槽11内部に波長が365nmの紫外線を照射する
紫外線ランプ30(出力0.02mW)が備えられてい
る。また、紫外線ランプ30が取付けられた側壁とラミ
ネートロール13a,13bとの間には、遮蔽板31が
配置される。遮蔽板31には、紫外線の光路がドライフ
ィルム14上とならないような位置に紫外線透過孔32
が設けられている。
【0019】次に、製作すべき浮上型磁気抵抗効果薄膜
磁気ヘッドについて図4を参酌しながら説明する。図4
において、磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド40のスライダ
41はレール面(Air Bearing Surfa
ce)42上に略U字形状の頂面42aを有するととも
に、ドライエッチングにより頂面42aから所定深さに
彫込み加工した浅い面42bと、更に深く彫込み加工し
た深い面42cとを有する。また、頂面42aのU字形
状先端部には磁気記録情報を再生及び記録する磁気抵抗
効果素子(MR素子、GMR素子等)等を含む素子43
が埋込まれている。頂面42aのU字の形状や、浅い面
42b、深い面42cの形状及び彫込み深さは、スライ
ダ41がこれと相対移動する磁気記録媒体から僅かに浮
上する圧力(正圧、負圧)を発生するように決定され
る。
磁気ヘッドについて図4を参酌しながら説明する。図4
において、磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド40のスライダ
41はレール面(Air Bearing Surfa
ce)42上に略U字形状の頂面42aを有するととも
に、ドライエッチングにより頂面42aから所定深さに
彫込み加工した浅い面42bと、更に深く彫込み加工し
た深い面42cとを有する。また、頂面42aのU字形
状先端部には磁気記録情報を再生及び記録する磁気抵抗
効果素子(MR素子、GMR素子等)等を含む素子43
が埋込まれている。頂面42aのU字の形状や、浅い面
42b、深い面42cの形状及び彫込み深さは、スライ
ダ41がこれと相対移動する磁気記録媒体から僅かに浮
上する圧力(正圧、負圧)を発生するように決定され
る。
【0020】次に、スライダ41の加工工程について、
図5から図7を参酌しながら説明する。尚、本発明に係
るラミネータ装置は、この加工工程の途中において使用
される。先ず、図5(A)に示すように、スライダを形
成するための材料(例えば、アルミナとチタンカーバイ
トからなるセラミックス)からなるスライダ基板の上面
に薄膜技術により多数の磁気抵抗効果素子を二次元に配
列形成したウエハ50を作る。次いで、図5(B)に示
すように、そのウエハ50を複数の磁気抵抗効果素子の
一列分ごとにスライスカットして、複数の磁気抵抗効果
素子が一次元配置されたスライダーロー(ロー)51に
分離する。続いて、カットしたスライダロー51のカッ
ト面を研磨した後にレール面となる側を上に向けて、図
5(C)に示すように基板15上に並べる。
図5から図7を参酌しながら説明する。尚、本発明に係
るラミネータ装置は、この加工工程の途中において使用
される。先ず、図5(A)に示すように、スライダを形
成するための材料(例えば、アルミナとチタンカーバイ
トからなるセラミックス)からなるスライダ基板の上面
に薄膜技術により多数の磁気抵抗効果素子を二次元に配
列形成したウエハ50を作る。次いで、図5(B)に示
すように、そのウエハ50を複数の磁気抵抗効果素子の
一列分ごとにスライスカットして、複数の磁気抵抗効果
素子が一次元配置されたスライダーロー(ロー)51に
分離する。続いて、カットしたスライダロー51のカッ
ト面を研磨した後にレール面となる側を上に向けて、図
5(C)に示すように基板15上に並べる。
【0021】ここで、図5(D)に示すように、本発明
に係るラミネータ装置10を用いてドライフィルム14
をラミネートする。詳細については後述する。続いて、
図6に示すように、スライダロー51を並べた基板15
を露光装置(図示せず)のステージ上に置き、レールパ
ターンが並んだフォトマスク60を用いて露光して、現
像する。尚、この時点で使用されるレールパターンは図
7(A)にその一つ分を示すように略U字形状のパター
ンP1であって、スライダ41の頂面42aの形状(図
4参照)と一致するパターンである。
に係るラミネータ装置10を用いてドライフィルム14
をラミネートする。詳細については後述する。続いて、
図6に示すように、スライダロー51を並べた基板15
を露光装置(図示せず)のステージ上に置き、レールパ
ターンが並んだフォトマスク60を用いて露光して、現
像する。尚、この時点で使用されるレールパターンは図
7(A)にその一つ分を示すように略U字形状のパター
ンP1であって、スライダ41の頂面42aの形状(図
4参照)と一致するパターンである。
【0022】次に、ドライエッチング加工(プラズマ化
したアルゴンなどのイオンビームを照射)を行い、スラ
イダ41のレール面42を浅い面42bと同じ深さまで
彫込み加工し、図5(E)に示す一回目のドライエッチ
ング加工が施されたスライダーロー51が基板15上に
並んだ状態を得る。
したアルゴンなどのイオンビームを照射)を行い、スラ
イダ41のレール面42を浅い面42bと同じ深さまで
彫込み加工し、図5(E)に示す一回目のドライエッチ
ング加工が施されたスライダーロー51が基板15上に
並んだ状態を得る。
【0023】次いで、図5(F)に示すように、再びラ
ミネータ装置10を用いてドライフィルム14をラミネ
ートした後、今回は図7(B)に示すパターンP2を有
するフォトマスク60を用いて露光・現像する。パター
ンP2は、図4に示すスライダ41の頂面42a及び浅
い面42bの形状とを重ね合わせたパターンである。最
後に、図5(G)に示すように、再びドライエッチング
加工を施して、深い面42cの深さまで彫込み加工す
る。こうして作製したローから個々のスライダを切出し
て、一つずつの浮動型磁気ヘッド(磁気抵抗効果薄膜磁
気ヘッドのスライダ)を製造する。
ミネータ装置10を用いてドライフィルム14をラミネ
ートした後、今回は図7(B)に示すパターンP2を有
するフォトマスク60を用いて露光・現像する。パター
ンP2は、図4に示すスライダ41の頂面42a及び浅
い面42bの形状とを重ね合わせたパターンである。最
後に、図5(G)に示すように、再びドライエッチング
加工を施して、深い面42cの深さまで彫込み加工す
る。こうして作製したローから個々のスライダを切出し
て、一つずつの浮動型磁気ヘッド(磁気抵抗効果薄膜磁
気ヘッドのスライダ)を製造する。
【0024】ここで、上記したラミネータ装置10を用
いるラミネート工程について、図1から図3及び図5を
参酌して説明する。先ず、図5(C),(E)の状態で
あるロー51を並べた基板15を図1に示すカセットボ
ックス24内の複数の棚にそれぞれ載置する。次に、カ
セットボックス24の周壁に設けられたヒーターによ
り、カセットボックス24全体の温度を上昇しながら載
置した基板15を加熱(予備加熱)する。このとき、カ
セットボックス24は温度センサを用いた温度制御によ
り、所定の温度に制御される。基板15の温度が上昇し
た時点で真空槽11の扉を閉じ、ロータリーポンプ12
を作動して真空槽11内を真空化する。
いるラミネート工程について、図1から図3及び図5を
参酌して説明する。先ず、図5(C),(E)の状態で
あるロー51を並べた基板15を図1に示すカセットボ
ックス24内の複数の棚にそれぞれ載置する。次に、カ
セットボックス24の周壁に設けられたヒーターによ
り、カセットボックス24全体の温度を上昇しながら載
置した基板15を加熱(予備加熱)する。このとき、カ
セットボックス24は温度センサを用いた温度制御によ
り、所定の温度に制御される。基板15の温度が上昇し
た時点で真空槽11の扉を閉じ、ロータリーポンプ12
を作動して真空槽11内を真空化する。
【0025】次いで、カセットボックス24の最下段の
棚24bが搬送テーブル27と略同一の高さとなるよう
にエレベータ機構25を作動し、図示しない装置が最下
段の棚24b内の基板15を搬送テーブル27方向(図
示左方向)へ押して、基板15を搬送テーブル27上に
移動する。続いて、エアシリンダ機構26を作動して搬
送テーブル27をラミネートロール13a,13b方向
に移動し、回転するラミネートロール13a,13bの
間に基板15を押込む。このとき、搬送テーブル27の
爪部27aが基板15をラミネートロール13a,13
b間に強く押込む。
棚24bが搬送テーブル27と略同一の高さとなるよう
にエレベータ機構25を作動し、図示しない装置が最下
段の棚24b内の基板15を搬送テーブル27方向(図
示左方向)へ押して、基板15を搬送テーブル27上に
移動する。続いて、エアシリンダ機構26を作動して搬
送テーブル27をラミネートロール13a,13b方向
に移動し、回転するラミネートロール13a,13bの
間に基板15を押込む。このとき、搬送テーブル27の
爪部27aが基板15をラミネートロール13a,13
b間に強く押込む。
【0026】ラミネートロール13a,13bには、上
方からカバーフィルム16が剥離されたドライフィルム
14、下方から保護フィルム21が供給されているの
で、基板15がラミネートロール13a,13bに押込
まれる際に、これらのフィルムも同時に押込まれて、基
板15を両面から挟み込む。従って、ラミネートロール
13a,13bの回転とともに、3者が互いに加圧され
ながら移動し、ドライフィルム14が基板15上にラミ
ネートされて、ラミネートロール13a,13bの出口
側から取出される。尚、ラミネートに際しては、ラミネ
ートロール13a,13bの回転速度、表面温度、及び
圧力が制御される。また、ラミネート中は紫外線ランプ
30を点灯し僅かに残存する窒素ガスをイオン化し、真
空槽11内部に発生する静電気を除去する。
方からカバーフィルム16が剥離されたドライフィルム
14、下方から保護フィルム21が供給されているの
で、基板15がラミネートロール13a,13bに押込
まれる際に、これらのフィルムも同時に押込まれて、基
板15を両面から挟み込む。従って、ラミネートロール
13a,13bの回転とともに、3者が互いに加圧され
ながら移動し、ドライフィルム14が基板15上にラミ
ネートされて、ラミネートロール13a,13bの出口
側から取出される。尚、ラミネートに際しては、ラミネ
ートロール13a,13bの回転速度、表面温度、及び
圧力が制御される。また、ラミネート中は紫外線ランプ
30を点灯し僅かに残存する窒素ガスをイオン化し、真
空槽11内部に発生する静電気を除去する。
【0027】以上によりドライフィルム14がスライダ
ロー51上(基板15上)にラミネートされると、搬送
テーブル27がエアシリンダ機構26によりカセットボ
ックス24近傍まで移動される。同時にエレベータ機構
25がカセットボックス24を棚の一段分だけ下降さ
せ、再び搬送テーブル27上に基板15が載置されてラ
ミネートが繰返される。以降は、カセットボックス24
の最上段24a内の基板15が取出されてラミネートさ
れるまで、この動作が繰返し行われる。
ロー51上(基板15上)にラミネートされると、搬送
テーブル27がエアシリンダ機構26によりカセットボ
ックス24近傍まで移動される。同時にエレベータ機構
25がカセットボックス24を棚の一段分だけ下降さ
せ、再び搬送テーブル27上に基板15が載置されてラ
ミネートが繰返される。以降は、カセットボックス24
の最上段24a内の基板15が取出されてラミネートさ
れるまで、この動作が繰返し行われる。
【0028】本ラミネータ装置10は以下のような利点
を有している。即ち、 (1)本ラミネータ装置10は、基板15をカセットボ
ックス24内において予め所定の温度に加熱(予備加
熱)した後にラミネートロール13a,13bに挿入す
る。従って、基板15がラミネートロール13a,13
bに挿入される際に基板15の温度が十分高くなってお
り、基板挿入初期においてドライフィルムの温度が一時
的に低下することがない。このため、基板15の挿入側
での密着性の悪化を防止でき、ドライフィルムの密着の
均一性を向上する。また、ドライフィルムをラミネート
ロール13a,13b間において安定した温度に保ち得
るので、ラミネートロール13a,13bの回転速度を
高く維持することができて生産効率も向上する。
を有している。即ち、 (1)本ラミネータ装置10は、基板15をカセットボ
ックス24内において予め所定の温度に加熱(予備加
熱)した後にラミネートロール13a,13bに挿入す
る。従って、基板15がラミネートロール13a,13
bに挿入される際に基板15の温度が十分高くなってお
り、基板挿入初期においてドライフィルムの温度が一時
的に低下することがない。このため、基板15の挿入側
での密着性の悪化を防止でき、ドライフィルムの密着の
均一性を向上する。また、ドライフィルムをラミネート
ロール13a,13b間において安定した温度に保ち得
るので、ラミネートロール13a,13bの回転速度を
高く維持することができて生産効率も向上する。
【0029】尚、予備加熱温度に対する基板面内に残存
してしまう気泡量のばらつき程度を図8に示した。この
ときの条件としては、真空度を50torr、ラミネー
トロール13a,13bの温度を105℃、速度を0.
10m/分、圧力を3.0kg/cm2としている。図
8によれば、予備加熱温度(基板温度)が70度以下に
なると急激に気泡量がばらつくこと、即ち気泡が多く混
入する場合が多いことが判る。
してしまう気泡量のばらつき程度を図8に示した。この
ときの条件としては、真空度を50torr、ラミネー
トロール13a,13bの温度を105℃、速度を0.
10m/分、圧力を3.0kg/cm2としている。図
8によれば、予備加熱温度(基板温度)が70度以下に
なると急激に気泡量がばらつくこと、即ち気泡が多く混
入する場合が多いことが判る。
【0030】(2)本ラミネータ装置10は真空中でラ
ミネートを行う。従って、基板15上に並べたロー51
の高さが異なることによる段差部、又は一回目のドライ
エッチング加工により生じたロー51上の素子の段差部
においてドライフィルムと基板間に気体(分子)を封じ
込める(気泡を混入する)ことがなくなり、ドライフィ
ルムの基板15への密着性を向上することができる。実
験によれば、従来のラミネータ装置で厚さ25μmのド
ライフィルムを使用した場合、段差が10μmを越える
と気泡の混入が発生したが、本ラミネータ装置10にお
いては25μmの段差部に対しても気泡の混入がなかっ
た。10μm〜25μmの段差を有するローの本数は全
ローの本数に対して2〜3%あるので、本ラミネータ装
置10により歩留りを2〜3%向上することが可能とな
った。
ミネートを行う。従って、基板15上に並べたロー51
の高さが異なることによる段差部、又は一回目のドライ
エッチング加工により生じたロー51上の素子の段差部
においてドライフィルムと基板間に気体(分子)を封じ
込める(気泡を混入する)ことがなくなり、ドライフィ
ルムの基板15への密着性を向上することができる。実
験によれば、従来のラミネータ装置で厚さ25μmのド
ライフィルムを使用した場合、段差が10μmを越える
と気泡の混入が発生したが、本ラミネータ装置10にお
いては25μmの段差部に対しても気泡の混入がなかっ
た。10μm〜25μmの段差を有するローの本数は全
ローの本数に対して2〜3%あるので、本ラミネータ装
置10により歩留りを2〜3%向上することが可能とな
った。
【0031】(3)従来のラミネータ装置においては、
大きな段差(例えば25μm)を埋めるためには膜厚の
大きいドライフィルム(例えば50μm)を使用せざる
を得ない。膜厚が大きければ段差部にドライフィルムが
回り込むため、気泡の混入が発生しにくいためである。
しかし、例えば、50μmの膜厚のドライフィルムでは
50μm以下のスペースカットができない。即ち、ドラ
イフィルムの膜厚が大きいと露光・現像工程において微
細加工ができず、所望形状のレジスト(つまりはスライ
ダ)が形成できないという問題が生じていた。これに対
し、本ラミネータ装置10においては、25μmの厚さ
のドライフィルムでも気泡の混入を防止できるので、フ
ィルム加工精度(露光解像度)が上昇し、所望形状のス
ライダが製作できるようになった。
大きな段差(例えば25μm)を埋めるためには膜厚の
大きいドライフィルム(例えば50μm)を使用せざる
を得ない。膜厚が大きければ段差部にドライフィルムが
回り込むため、気泡の混入が発生しにくいためである。
しかし、例えば、50μmの膜厚のドライフィルムでは
50μm以下のスペースカットができない。即ち、ドラ
イフィルムの膜厚が大きいと露光・現像工程において微
細加工ができず、所望形状のレジスト(つまりはスライ
ダ)が形成できないという問題が生じていた。これに対
し、本ラミネータ装置10においては、25μmの厚さ
のドライフィルムでも気泡の混入を防止できるので、フ
ィルム加工精度(露光解像度)が上昇し、所望形状のス
ライダが製作できるようになった。
【0032】(4)従来のラミネータ装置においては、
第1回目のラミネートには薄いドライフィルムを使用
し、第2回目のラミネートでは第1回目の加工により生
じた段差部のために厚いドライフィルムを使用する必要
があった。即ち、段差部の有無や大きさに応じてドライ
フィルムを使い分けていた。しかし、ドライフィルムの
膜厚が異なると露光や現像の条件が異なるので、その調
整作業が複雑になっていた。これに対し、本ラミネータ
装置10においては、第1回目と第2回目のラミネート
において共通の(薄い)ドライフィルムが使用可能とな
るので、露光条件の変更やドライフィルムの入替え等の
作業が省略できるようになった。
第1回目のラミネートには薄いドライフィルムを使用
し、第2回目のラミネートでは第1回目の加工により生
じた段差部のために厚いドライフィルムを使用する必要
があった。即ち、段差部の有無や大きさに応じてドライ
フィルムを使い分けていた。しかし、ドライフィルムの
膜厚が異なると露光や現像の条件が異なるので、その調
整作業が複雑になっていた。これに対し、本ラミネータ
装置10においては、第1回目と第2回目のラミネート
において共通の(薄い)ドライフィルムが使用可能とな
るので、露光条件の変更やドライフィルムの入替え等の
作業が省略できるようになった。
【0033】(5)従来のラミネータ装置においては、
磁気抵抗効果素子(MR素子など)に悪影響を及す静電
気(カバーフィルムをドライフィルムから剥離する際な
どに生ずる)を除去する為に、窒素ガスを供給してイオ
ン化する「除電ブラシ」を用いていた。しかし、本ラミ
ネータ装置10は真空内でラミネートを行うため除電ブ
ラシではイオン化する窒素ガスが少量すぎて効果的に静
電気を除去できない。そこで、本ラミネータ装置10は
微量の窒素ガスをイオン化し得る紫外線ランプ30(紫
外線イオナイザー)を採用して効果的な静電気除去を達
成した。しかも、紫外線ランプ30の紫外線をドライフ
ィルムに直接照射しないように紫外線透過孔32を有す
る遮蔽板31を設けたので、ドライフィルムが紫外線に
感光してしまうという不具合も防止できた。
磁気抵抗効果素子(MR素子など)に悪影響を及す静電
気(カバーフィルムをドライフィルムから剥離する際な
どに生ずる)を除去する為に、窒素ガスを供給してイオ
ン化する「除電ブラシ」を用いていた。しかし、本ラミ
ネータ装置10は真空内でラミネートを行うため除電ブ
ラシではイオン化する窒素ガスが少量すぎて効果的に静
電気を除去できない。そこで、本ラミネータ装置10は
微量の窒素ガスをイオン化し得る紫外線ランプ30(紫
外線イオナイザー)を採用して効果的な静電気除去を達
成した。しかも、紫外線ランプ30の紫外線をドライフ
ィルムに直接照射しないように紫外線透過孔32を有す
る遮蔽板31を設けたので、ドライフィルムが紫外線に
感光してしまうという不具合も防止できた。
【0034】(6)図9は予備加熱温度が70℃、ラミ
ネートロール13a,13bの温度を120℃、速度を
0.10m/分、圧力を3.0kg/cm2として、2
5μmの段差部を含む基板に対し、膜厚が25μmのド
ライフィルムをラミネートした場合における、真空度
(Torr)に対するフィルム中の気泡数を示す。同図
は、高真空になるに従い気泡数が減少することを示し、
本装置による効果が確認される。但し、同図は、50T
orr程度以下の高真空となるとドライフィルム16の
表面が乾燥してしまうために気泡数が増大することも示
している。従って、本ラミネータ装置10の真空度は所
定の値(この条件では50〜110Torrの気泡を混
入しない真空度)とすることが望ましく、本実施形態に
おいては100Torrとした。
ネートロール13a,13bの温度を120℃、速度を
0.10m/分、圧力を3.0kg/cm2として、2
5μmの段差部を含む基板に対し、膜厚が25μmのド
ライフィルムをラミネートした場合における、真空度
(Torr)に対するフィルム中の気泡数を示す。同図
は、高真空になるに従い気泡数が減少することを示し、
本装置による効果が確認される。但し、同図は、50T
orr程度以下の高真空となるとドライフィルム16の
表面が乾燥してしまうために気泡数が増大することも示
している。従って、本ラミネータ装置10の真空度は所
定の値(この条件では50〜110Torrの気泡を混
入しない真空度)とすることが望ましく、本実施形態に
おいては100Torrとした。
【0035】(7)本ラミネータ装置10は、カセット
ボックス24とエレベータ機構25の採用により、複数
の基板15が収容されて連続的に処理(ラミネート)で
きる。このため、時間を要するロータリーポンプ12等
による真空化(真空引き)を基板15の載置毎に行う必
要がなく、真空化をバッチ単位で一括して行うため、生
産効率を高くすることができた。
ボックス24とエレベータ機構25の採用により、複数
の基板15が収容されて連続的に処理(ラミネート)で
きる。このため、時間を要するロータリーポンプ12等
による真空化(真空引き)を基板15の載置毎に行う必
要がなく、真空化をバッチ単位で一括して行うため、生
産効率を高くすることができた。
【0036】(8)本ラミネータ装置10のカセットボ
ックス24は、肉厚に形成されていて収容する基板15
の全体に対して約二倍の熱容量を有するので、基板の出
し入れに対して安定した温度制御が可能である(誤差1
℃以内の温度制御が2分という短時間で達成できる)。
従って、温度調節に要する時間だけラミネートを中断す
る必要がなくなり、生産効率を高くすることができた。
ックス24は、肉厚に形成されていて収容する基板15
の全体に対して約二倍の熱容量を有するので、基板の出
し入れに対して安定した温度制御が可能である(誤差1
℃以内の温度制御が2分という短時間で達成できる)。
従って、温度調節に要する時間だけラミネートを中断す
る必要がなくなり、生産効率を高くすることができた。
【0037】(9)本ラミネータ装置10のカセットボ
ックス24は、基板15の搬送系(エアシリンダ機構2
6等)、ラミネート系(ラミネートロール13a,13
bの速度、温度等の制御)、或はロータリーポンプ12
とは独立して温度制御できるように構成した。このた
め、ラミネートを行っていない間に予めカセットボック
ス24を昇温しておくことができる。従って、基板15
をカセットボックス24にセットしてからラミネートを
開始するまでの時間を短縮し得るので、生産効率を高く
することができた。
ックス24は、基板15の搬送系(エアシリンダ機構2
6等)、ラミネート系(ラミネートロール13a,13
bの速度、温度等の制御)、或はロータリーポンプ12
とは独立して温度制御できるように構成した。このた
め、ラミネートを行っていない間に予めカセットボック
ス24を昇温しておくことができる。従って、基板15
をカセットボックス24にセットしてからラミネートを
開始するまでの時間を短縮し得るので、生産効率を高く
することができた。
【図1】 本発明に係るラミネータ装置の実施形態の概
略(断面)図である。
略(断面)図である。
【図2】 図1に示したラミネータ装置のラミネートロ
ール、紫外線ランプ及び遮蔽板の概略を示す図である。
ール、紫外線ランプ及び遮蔽板の概略を示す図である。
【図3】 図1に示したラミネータ装置の搬送テーブル
の平面図(図3(A))及び正面図(図3(B))であ
る。
の平面図(図3(A))及び正面図(図3(B))であ
る。
【図4】 本発明のラミネータ装置が製造の対象とする
磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド(スライダ)の最終形状を
示した図(斜視図)である。
磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド(スライダ)の最終形状を
示した図(斜視図)である。
【図5】 図4に示したスライダの加工工程を示す図で
ある。
ある。
【図6】 図4に示したスライダの加工工程における露
光工程を示す図である。
光工程を示す図である。
【図7】 図6に示した露光工程で用いるマスクパター
ンを示す図である。
ンを示す図である。
【図8】 図1に示したラミネータ装置によりラミネー
トされたドライフィルム中の気泡量の予備加熱温度に対
するばらつきを示した図である。
トされたドライフィルム中の気泡量の予備加熱温度に対
するばらつきを示した図である。
【図9】 図1に示したラミネータ装置によりラミネー
トされたドライフィルム中の気泡数を真空度に対して示
した図である。
トされたドライフィルム中の気泡数を真空度に対して示
した図である。
【図10】 従来のラミネータ装置により段差部にドラ
イフィルムをラミネートした状態を示す図である。
イフィルムをラミネートした状態を示す図である。
10…ラミネータ装置、11…真空槽、12…ロータリ
ーポンプ(真空装置)、13a,13b…ラミネートロ
ール、14…ドライフィルム、15…基板、16…カバ
ーフィルム、17…ドライフィルムロール、21…保護
フィルム、22…保護フィルムロール、24…カセット
ボックス、25…エレベータ機構、26…エアシリンダ
機構、27…搬送テーブル、27a…爪部
ーポンプ(真空装置)、13a,13b…ラミネートロ
ール、14…ドライフィルム、15…基板、16…カバ
ーフィルム、17…ドライフィルムロール、21…保護
フィルム、22…保護フィルムロール、24…カセット
ボックス、25…エレベータ機構、26…エアシリンダ
機構、27…搬送テーブル、27a…爪部
Claims (8)
- 【請求項1】ドライフィルムと基板とをローラー間に挿
入し、ドライフィルムを前記ローラーによって基板に対
し加圧して同基板上にラミネートするラミネート手段を
備えたドライフィルムのラミネータ装置において、前記
ラミネート手段を収容する真空槽と同真空槽内を真空化
する真空装置とを備えて、前記真空槽内を前記真空装置
によって真空とした上で前記ラミネート手段を作動して
前記ドライフィルムを前記基板上にラミネートすること
を特徴とするラミネータ装置。 - 【請求項2】請求項1に記載のラミネータ装置におい
て、前記ラミネート手段によるラミネートに先だって前
記基板を加熱する予備加熱手段を備えたことを特徴とす
るラミネータ装置。 - 【請求項3】前記基板を予め複数個収容しうる収容器
と、 前記基板を前記収容器から一枚ずつ取出して前記ローラ
間へ自動的かつ次々と挿入する挿入機構とを備えてなる
請求項1に記載のラミネータ装置。 - 【請求項4】前記基板を予め複数個収容しうる収容器
と、 前記基板を前記収容器から一枚ずつ取出して前記ローラ
間へ自動的かつ次々と挿入する挿入機構とを備えてなる
請求項2に記載のラミネータ装置。 - 【請求項5】請求項4に記載のラミネータ装置におい
て、 前記予備加熱手段が前記収容器内に配設されたヒーター
であり、同ヒーターは前記ラミネート手段、前記真空装
置、及び前記挿入機構とは独立して作動可能に構成され
ていることを特徴とするラミネータ装置。 - 【請求項6】前記真空槽内に紫外線を照射する紫外線源
を具備して同紫外線の照射により前記真空槽内に生じる
静電気を除去することを特徴とする請求項1から請求項
5のいずれか一項に記載のラミネータ装置。 - 【請求項7】前記紫外線が前記ドライフィルム上に直接
照射されないように同紫外線の光路を制限する遮蔽手段
を有することを特徴とする請求項6に記載のラミネータ
装置。 - 【請求項8】レジストを構成するためのドライフィルム
をローラー間に基板とともに挿入して基板上にラミネー
トするドライフィルムのラミネート方法において、ラミ
ネート前に前記基板を予め加熱するとともに真空中にお
いて同加熱された基板と前記ドライフィルムを前記ロー
ラー間に挿入して同ドライフィルムをラミネートするこ
とを特徴とするラミネート方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7462798A JPH11268122A (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | ラミネータ装置及びラミネート方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7462798A JPH11268122A (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | ラミネータ装置及びラミネート方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11268122A true JPH11268122A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=13552633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7462798A Pending JPH11268122A (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | ラミネータ装置及びラミネート方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11268122A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020081634A (ko) * | 2001-04-20 | 2002-10-30 | 박용래 | 프로파일 공급장치 |
| JP2012057131A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Fujifilm Corp | 機能性フィルムの製造方法 |
| WO2013024725A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | 旭硝子株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JP2016155355A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 株式会社日立プラントメカニクス | フィルムの真空ラミネート装置 |
| CN114446150A (zh) * | 2020-11-05 | 2022-05-06 | 杰宜斯科技有限公司 | 显示器部的返工方法及通过返工方法制造的显示器部 |
-
1998
- 1998-03-23 JP JP7462798A patent/JPH11268122A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020081634A (ko) * | 2001-04-20 | 2002-10-30 | 박용래 | 프로파일 공급장치 |
| JP2012057131A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Fujifilm Corp | 機能性フィルムの製造方法 |
| WO2013024725A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | 旭硝子株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JPWO2013024725A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2015-03-05 | 旭硝子株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JP2016155355A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 株式会社日立プラントメカニクス | フィルムの真空ラミネート装置 |
| CN105922706A (zh) * | 2015-02-26 | 2016-09-07 | 日立成套设备机械股份有限公司 | 膜的真空层压装置 |
| TWI676206B (zh) * | 2015-02-26 | 2019-11-01 | 日商日立成套設備機械股份有限公司 | 薄膜之真空層疊裝置 |
| CN114446150A (zh) * | 2020-11-05 | 2022-05-06 | 杰宜斯科技有限公司 | 显示器部的返工方法及通过返工方法制造的显示器部 |
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