JPH1127014A - 可変共振器 - Google Patents
可変共振器Info
- Publication number
- JPH1127014A JPH1127014A JP10115198A JP10115198A JPH1127014A JP H1127014 A JPH1127014 A JP H1127014A JP 10115198 A JP10115198 A JP 10115198A JP 10115198 A JP10115198 A JP 10115198A JP H1127014 A JPH1127014 A JP H1127014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- substrate
- transmission line
- variable
- variable resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性インピーダンスの高インピーダンス化が
容易に実現できる伝送線路を備えた小型の可変共振器を
提供する。 【解決手段】 可変共振器１０は、複数の誘電体層（図
示せず）を積層した基板１１からなり、その基板１１の
一方主面上には入力電圧に応じて容量値が可変する可変
容量ダイオードＣＶ１１、コンデンサＣ１及び抵抗Ｒ
１、Ｒ２が搭載される。また、図示していないが、基板
１１の内部には、共振器Ｌ１１及びコンデンサＣ１２〜
Ｃ１５が設けられる。さらに、基板１１の他方主面及び
側面には、入力電圧を印加するための入力端子１、外部
の他の部品と接続するための第１及び第２のポートＰ
１，Ｐ２、あるいは接地するためのグランド端子となる
外部端子Ｔ１〜Ｔ８が形成される。
容易に実現できる伝送線路を備えた小型の可変共振器を
提供する。 【解決手段】 可変共振器１０は、複数の誘電体層（図
示せず）を積層した基板１１からなり、その基板１１の
一方主面上には入力電圧に応じて容量値が可変する可変
容量ダイオードＣＶ１１、コンデンサＣ１及び抵抗Ｒ
１、Ｒ２が搭載される。また、図示していないが、基板
１１の内部には、共振器Ｌ１１及びコンデンサＣ１２〜
Ｃ１５が設けられる。さらに、基板１１の他方主面及び
側面には、入力電圧を印加するための入力端子１、外部
の他の部品と接続するための第１及び第２のポートＰ
１，Ｐ２、あるいは接地するためのグランド端子となる
外部端子Ｔ１〜Ｔ８が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可変共振器に関
し、特に、各種無線機器に広く用いられている電圧制御
発振器の共振回路部に用いられる可変共振器に関する。
し、特に、各種無線機器に広く用いられている電圧制御
発振器の共振回路部に用いられる可変共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、自動車電話器等の移動体通信
用無線機器や携帯電話機を始めとした各種無線機器に広
く用いられている電圧制御発振器の回路構成を図６に示
す。図６において、５１は入力端子、５２は出力端子、
５３は電源入力端子、Ｃ５１〜Ｃ６０はコンデンサ、Ｒ
５１〜Ｒ５４は抵抗、Ｑ５１，Ｑ５２はトランジスタ、
ＣＶ５１は可変容量ダイオード、Ｌ５１は共振器、Ｌ５
２，Ｌ５３はインダクタをそれぞれ示す。この際、コン
デンサＣ５１〜Ｃ５３、可変容量ダイオードＣＶ５１、
共振器Ｌ５１及びインダクタＬ５２で可変共振器Ｘを構
成し、コンデンサＣ５４〜Ｃ６０、抵抗Ｒ５１〜Ｒ５
４、トランジスタＱ５１，Ｑ５２及びインダクタＬ５３
で能動発振器Ｙを構成する。
用無線機器や携帯電話機を始めとした各種無線機器に広
く用いられている電圧制御発振器の回路構成を図６に示
す。図６において、５１は入力端子、５２は出力端子、
５３は電源入力端子、Ｃ５１〜Ｃ６０はコンデンサ、Ｒ
５１〜Ｒ５４は抵抗、Ｑ５１，Ｑ５２はトランジスタ、
ＣＶ５１は可変容量ダイオード、Ｌ５１は共振器、Ｌ５
２，Ｌ５３はインダクタをそれぞれ示す。この際、コン
デンサＣ５１〜Ｃ５３、可変容量ダイオードＣＶ５１、
共振器Ｌ５１及びインダクタＬ５２で可変共振器Ｘを構
成し、コンデンサＣ５４〜Ｃ６０、抵抗Ｒ５１〜Ｒ５
４、トランジスタＱ５１，Ｑ５２及びインダクタＬ５３
で能動発振器Ｙを構成する。
【０００３】そして、可変共振器Ｘにおいて、入力端子
５１に印加される入力電圧が変化すると、可変容量ダイ
オードＣＶ５１の容量値が変化する。なお、発振周波数
は、共振器Ｌ５１のインダクタンス値と、コンデンサＣ
５２〜Ｃ５３の容量値と、入力端子５１に印加される入
力電圧に応じて可変設定された可変容量ダイオードＣＶ
５１の容量値とによって決まる。
５１に印加される入力電圧が変化すると、可変容量ダイ
オードＣＶ５１の容量値が変化する。なお、発振周波数
は、共振器Ｌ５１のインダクタンス値と、コンデンサＣ
５２〜Ｃ５３の容量値と、入力端子５１に印加される入
力電圧に応じて可変設定された可変容量ダイオードＣＶ
５１の容量値とによって決まる。
【０００４】図７に、図６の回路構成を実現する場合に
用いられる共振器の分解斜視図を示す。共振器Ｌ５１
は、１つの伝送線路導体からなる１本の伝送線路５４を
表面に設けた第３の誘電体層５５ｃと、グランド電極５
６を表面に設けた第２及び第４の誘電体層５５ｂ，５５
ｄと、保護用の第１の誘電体層５５ａを積層した基板５
５を備え、基板５５の表面には、伝送線路５４の両端に
電気的に接続される外部端子５７と、グランド電極５６
に電気的に接続される接地端子５８が形成される。な
お、伝送線路５４を表面に設けた第３の誘電体層５５ｃ
は、グランド電極５６を表面に設けた第２及び第４の誘
電体層５５ｂ，５５ｄの間に配置されている。したがっ
て、共振器Ｌ５１は、２つのグランド電極５６の間に、
所定の特性インピーダンスを有する１本の伝送線路５４
を１層で構成している。
用いられる共振器の分解斜視図を示す。共振器Ｌ５１
は、１つの伝送線路導体からなる１本の伝送線路５４を
表面に設けた第３の誘電体層５５ｃと、グランド電極５
６を表面に設けた第２及び第４の誘電体層５５ｂ，５５
ｄと、保護用の第１の誘電体層５５ａを積層した基板５
５を備え、基板５５の表面には、伝送線路５４の両端に
電気的に接続される外部端子５７と、グランド電極５６
に電気的に接続される接地端子５８が形成される。な
お、伝送線路５４を表面に設けた第３の誘電体層５５ｃ
は、グランド電極５６を表面に設けた第２及び第４の誘
電体層５５ｂ，５５ｄの間に配置されている。したがっ
て、共振器Ｌ５１は、２つのグランド電極５６の間に、
所定の特性インピーダンスを有する１本の伝送線路５４
を１層で構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の電圧制御発振器を構成する可変発振器において
は、共振器が２つのグランド電極の間に伝送線路を１層
設けて構成するものであったため、１層当たりの伝送線
路の長さが長くなり、共振器が大型化し、その結果、可
変共振器も大型化するという問題があった。
従来の電圧制御発振器を構成する可変発振器において
は、共振器が２つのグランド電極の間に伝送線路を１層
設けて構成するものであったため、１層当たりの伝送線
路の長さが長くなり、共振器が大型化し、その結果、可
変共振器も大型化するという問題があった。
【０００６】また、共振器をストリップライン構造とす
るために、２つのグランド電極の間に伝送線路を配置す
るが、伝送線路とグランド電極との間に発生する浮遊容
量の影響により、伝送線路の特性インピーダンスが低く
なり、共振器のＱ値が低くなるという問題もあった。
るために、２つのグランド電極の間に伝送線路を配置す
るが、伝送線路とグランド電極との間に発生する浮遊容
量の影響により、伝送線路の特性インピーダンスが低く
なり、共振器のＱ値が低くなるという問題もあった。
【０００７】さらに、共振器を他の各種回路部品ととも
にプリント基板あるいはアルミナ基板からなる回路基板
上に実装していたため、回路基板が大型化し、その結
果、可変共振器も大型化するという問題もあった。
にプリント基板あるいはアルミナ基板からなる回路基板
上に実装していたため、回路基板が大型化し、その結
果、可変共振器も大型化するという問題もあった。
【０００８】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、特性インピーダンスの高イン
ピーダンス化が容易に実現できる伝送線路を備えた小型
の可変共振器を提供することを目的とする。
めになされたものであり、特性インピーダンスの高イン
ピーダンス化が容易に実現できる伝送線路を備えた小型
の可変共振器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の可変共振器は、複数の誘電体層からなる
基板と、該基板に内蔵される共振器と、前記基板に搭載
される可変容量ダイオードと、前記基板に内蔵あるいは
搭載される受動部品と、前記基板の表面に形成される外
部端子とを備え、前記共振器が、複数の伝送線路導体を
前記基板の積層方向に前記誘電体層を介して略対向させ
るとともに、前記複数の伝送線路導体のうち隣り合う２
つの伝送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互
いに同方向になるように電気的に直列接続してなる伝送
線路を有することを特徴とする。
るため本発明の可変共振器は、複数の誘電体層からなる
基板と、該基板に内蔵される共振器と、前記基板に搭載
される可変容量ダイオードと、前記基板に内蔵あるいは
搭載される受動部品と、前記基板の表面に形成される外
部端子とを備え、前記共振器が、複数の伝送線路導体を
前記基板の積層方向に前記誘電体層を介して略対向させ
るとともに、前記複数の伝送線路導体のうち隣り合う２
つの伝送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互
いに同方向になるように電気的に直列接続してなる伝送
線路を有することを特徴とする。
【００１０】本発明の可変共振器によれば、可変共振器
を構成している各回路部品を複数の誘電体層を積層した
基板に内蔵あるいは搭載しているため、小型化が可能と
なる。
を構成している各回路部品を複数の誘電体層を積層した
基板に内蔵あるいは搭載しているため、小型化が可能と
なる。
【００１１】また、可変共振器を構成する共振器の伝送
線路が複数層の伝送線路導体で構成され、誘電体層を介
して隣り合う２つの伝送線路導体を伝播する高周波信号
の進行方向が互いに同方向であるため、伝送線路導体の
それぞれの周囲に発生する磁束の周回方向を同方向とす
ることができる。したがって、隣り合う２つの伝送線路
導体の間隔を近接させることにより、共振器の伝送線路
導体間の結合を大きくすることができる。
線路が複数層の伝送線路導体で構成され、誘電体層を介
して隣り合う２つの伝送線路導体を伝播する高周波信号
の進行方向が互いに同方向であるため、伝送線路導体の
それぞれの周囲に発生する磁束の周回方向を同方向とす
ることができる。したがって、隣り合う２つの伝送線路
導体の間隔を近接させることにより、共振器の伝送線路
導体間の結合を大きくすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図1に、本発明に係る可変共振器の一
実施例の回路図を示す。図１において、可変共振器１０
は、入力端子１、第１及び第２のポートＰ１，Ｐ２、コ
ンデンサＣ１１〜Ｃ１５、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２、可変容
量ダイオードＣＶ１１及び共振器Ｌ１１を備える。そし
て、この可変共振器１０は、例えば図６に示す電圧制御
発振器の可変共振器Ｘを構成するものである。
施例を説明する。図1に、本発明に係る可変共振器の一
実施例の回路図を示す。図１において、可変共振器１０
は、入力端子１、第１及び第２のポートＰ１，Ｐ２、コ
ンデンサＣ１１〜Ｃ１５、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２、可変容
量ダイオードＣＶ１１及び共振器Ｌ１１を備える。そし
て、この可変共振器１０は、例えば図６に示す電圧制御
発振器の可変共振器Ｘを構成するものである。
【００１３】図２に、図１の可変共振器１０の斜視図を
示す。可変共振器１０は、複数の誘電体層（図示せず）
を積層した基板１１からなり、その基板１１の一方主面
上には入力電圧に応じて容量値が可変する可変容量ダイ
オードＣＶ１１と、受動素子であるコンデンサＣ１１及
び抵抗Ｒ１１，Ｒ１２が搭載される。
示す。可変共振器１０は、複数の誘電体層（図示せず）
を積層した基板１１からなり、その基板１１の一方主面
上には入力電圧に応じて容量値が可変する可変容量ダイ
オードＣＶ１１と、受動素子であるコンデンサＣ１１及
び抵抗Ｒ１１，Ｒ１２が搭載される。
【００１４】また、図示していないが、基板１１の内部
には、共振器Ｌ１１と、受動素子であるコンデンサＣ１
２〜Ｃ１５が設けられる。さらに、基板１１の表面であ
る他方主面及び側面には、入力電圧を印加するための入
力端子１（図示せず）、外部の他の部品と接続するため
の第１及び第２のポートＰ１，Ｐ２（図示せず）、ある
いは接地するためのグランド端子となる外部端子Ｔ１〜
Ｔ８が形成される。
には、共振器Ｌ１１と、受動素子であるコンデンサＣ１
２〜Ｃ１５が設けられる。さらに、基板１１の表面であ
る他方主面及び側面には、入力電圧を印加するための入
力端子１（図示せず）、外部の他の部品と接続するため
の第１及び第２のポートＰ１，Ｐ２（図示せず）、ある
いは接地するためのグランド端子となる外部端子Ｔ１〜
Ｔ８が形成される。
【００１５】図３（ａ）〜図３（ｆ）、図４（ａ）〜図
４（ｄ）に、図２の可変共振器１０の基板１１を構成す
る各誘電体層の上面図及び下面図を示す。この基板１１
は、可変共振器１０を構成する共振器Ｌ１１及びコンデ
ンサＣ１２〜Ｃ１５を内蔵するものであり、例えば、８
５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能な、酸化バリウ
ム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする低温焼成
セラミックからなる第１〜第１０の誘電体層ａ〜ｊを上
から順次積層することによって形成される。
４（ｄ）に、図２の可変共振器１０の基板１１を構成す
る各誘電体層の上面図及び下面図を示す。この基板１１
は、可変共振器１０を構成する共振器Ｌ１１及びコンデ
ンサＣ１２〜Ｃ１５を内蔵するものであり、例えば、８
５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能な、酸化バリウ
ム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする低温焼成
セラミックからなる第１〜第１０の誘電体層ａ〜ｊを上
から順次積層することによって形成される。
【００１６】第１の誘電体層ａの上面には、可変容量ダ
イオードＣＶ１１、コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１１，
Ｒ１２を実装するためのランドＬａ１〜Ｌａ５がそれぞ
れ形成される。また、第２〜第５の誘電体層ｂ〜ｅの上
面には、コンデンサ電極ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３
１，ＣＣ４１，ＣＣ５１がそれぞれ形成される。
イオードＣＶ１１、コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１１，
Ｒ１２を実装するためのランドＬａ１〜Ｌａ５がそれぞ
れ形成される。また、第２〜第５の誘電体層ｂ〜ｅの上
面には、コンデンサ電極ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３
１，ＣＣ４１，ＣＣ５１がそれぞれ形成される。
【００１７】さらに、第７及び第８の誘電体層ｇ，ｈの
上面には、発振器Ｌ１１の伝送線路となる伝送線路導体
ＬＬ１１，ＬＬ１２が形成される。また、第６及び第１
０の誘電体層ｆ，ｊの上面には、グランド電極Ｇ１１，
Ｇ１２がそれぞれ形成される。さらに、第１０の誘電体
層ｊの下面（図４（ｅ）中でｊｕの符号を付す）には、
入力端子１、第１及び第２ポートＰ１，Ｐ２、あるいは
グランド端子となる外部端子Ｔ１〜Ｔ８がそれぞれ形成
される。
上面には、発振器Ｌ１１の伝送線路となる伝送線路導体
ＬＬ１１，ＬＬ１２が形成される。また、第６及び第１
０の誘電体層ｆ，ｊの上面には、グランド電極Ｇ１１，
Ｇ１２がそれぞれ形成される。さらに、第１０の誘電体
層ｊの下面（図４（ｅ）中でｊｕの符号を付す）には、
入力端子１、第１及び第２ポートＰ１，Ｐ２、あるいは
グランド端子となる外部端子Ｔ１〜Ｔ８がそれぞれ形成
される。
【００１８】そして、第１〜第９の誘電体層ａ〜ｉには
ビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｉと信号ライン電極（図示
せず）とを必要な箇所に形成し、このビアホール電極Ｖ
Ｈａ〜ＶＨｉと信号ライン電極とを介してコンデンサ電
極ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３１，ＣＣ４１，ＣＣ５
１、伝送線路導体ＬＬ１１，ＬＬ１２、グランド電極Ｇ
１１，Ｇ１２、外部端子Ｔ１〜Ｔ８のそれぞれを適宜接
続する。
ビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｉと信号ライン電極（図示
せず）とを必要な箇所に形成し、このビアホール電極Ｖ
Ｈａ〜ＶＨｉと信号ライン電極とを介してコンデンサ電
極ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３１，ＣＣ４１，ＣＣ５
１、伝送線路導体ＬＬ１１，ＬＬ１２、グランド電極Ｇ
１１，Ｇ１２、外部端子Ｔ１〜Ｔ８のそれぞれを適宜接
続する。
【００１９】なお、可変共振器１０のコンデンサＣ１２
〜Ｃ１５は、それぞれコンデンサ電極ＣＣ２１とコンデ
ンサ電極ＣＣ２２、コンデンサ電極ＣＣ３１，ＣＣ４
１，ＣＣ５１とグランド電極Ｇ１１とで構成される。
〜Ｃ１５は、それぞれコンデンサ電極ＣＣ２１とコンデ
ンサ電極ＣＣ２２、コンデンサ電極ＣＣ３１，ＣＣ４
１，ＣＣ５１とグランド電極Ｇ１１とで構成される。
【００２０】また、共振器Ｌ１１は、伝送線路導体ＬＬ
１１，ＬＬ１２からなる伝送線路とその上下に配置され
たグランド電極Ｇ１１，Ｇ１２とで構成される。
１１，ＬＬ１２からなる伝送線路とその上下に配置され
たグランド電極Ｇ１１，Ｇ１２とで構成される。
【００２１】以上のような構成で、図１の可変共振器１
０を構成する共振器Ｌ１１及びコンデンサＣ１２〜Ｃ１
５を内蔵する基板１１が形成される。そして、この基板
１１の一方主面上に、図１の可変共振器１０を構成する
可変容量ダイオードＣＶ１１、コンデンサＣ１１及び抵
抗Ｒ１１，Ｒ１２を搭載することにより可変共振器１０
が形成される。
０を構成する共振器Ｌ１１及びコンデンサＣ１２〜Ｃ１
５を内蔵する基板１１が形成される。そして、この基板
１１の一方主面上に、図１の可変共振器１０を構成する
可変容量ダイオードＣＶ１１、コンデンサＣ１１及び抵
抗Ｒ１１，Ｒ１２を搭載することにより可変共振器１０
が形成される。
【００２２】この際、共振器Ｌ１１は、伝送線路導体Ｌ
Ｌ１１，ＬＬ１２からなる伝送線路が基板１１を構成す
る第６の誘電体層ｆと第８の誘電体層ｈとで挟まれるも
ので、結果的に、絶縁支持体によって封止されるもので
ある。
Ｌ１１，ＬＬ１２からなる伝送線路が基板１１を構成す
る第６の誘電体層ｆと第８の誘電体層ｈとで挟まれるも
ので、結果的に、絶縁支持体によって封止されるもので
ある。
【００２３】なお、コンデンサＣ１１は、コンデンサＣ
１２〜Ｃ１５と同様に基板の内部に形成することもでき
る。また、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２は、基板の主面上あるい
は内部に印刷抵抗として形成することもできる。
１２〜Ｃ１５と同様に基板の内部に形成することもでき
る。また、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２は、基板の主面上あるい
は内部に印刷抵抗として形成することもできる。
【００２４】以上述べたように、本発明の可変共振器で
は、可変共振器を構成している各回路部品、例えば共振
器、可変容量ダイオード、コンデンサ及び抵抗を複数の
誘電体層を積層した基板に内蔵あるいは搭載しているた
め、小型化が可能となる。その結果、この可変共振器を
搭載する無線機器の小型化が可能となる。
は、可変共振器を構成している各回路部品、例えば共振
器、可変容量ダイオード、コンデンサ及び抵抗を複数の
誘電体層を積層した基板に内蔵あるいは搭載しているた
め、小型化が可能となる。その結果、この可変共振器を
搭載する無線機器の小型化が可能となる。
【００２５】また、可変共振器を構成する共振器の伝送
線路が複数層の伝送線路導体で構成され、誘電体層を介
して隣り合う２つの伝送線路導体を伝播する高周波信号
の進行方向が互いに同方向であるため、伝送線路導体の
それぞれの周囲に発生する磁束の周回方向を同方向とす
ることができる。したがって、隣り合う２つの伝送線路
導体の間隔を近接させることにより、共振器の伝送線路
導体間の結合を大きくすることができる。
線路が複数層の伝送線路導体で構成され、誘電体層を介
して隣り合う２つの伝送線路導体を伝播する高周波信号
の進行方向が互いに同方向であるため、伝送線路導体の
それぞれの周囲に発生する磁束の周回方向を同方向とす
ることができる。したがって、隣り合う２つの伝送線路
導体の間隔を近接させることにより、共振器の伝送線路
導体間の結合を大きくすることができる。
【００２６】この結果、隣り合う２つの伝送線路導体の
間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導体
間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピー
ダンスを容易に得ることができる。したがって、共振器
をストリップライン構造とするために、２つのグランド
電極の間に伝送線路を配置しても、伝送線路とグランド
電極との間に発生する浮遊容量の影響による伝送線路の
特性インピーダンスの低下を補償して、伝送線路の特性
インピーダンスの高インピーダンス化を実現できる。こ
れにともない、共振器のＱ値を高くすることができる。
間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導体
間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピー
ダンスを容易に得ることができる。したがって、共振器
をストリップライン構造とするために、２つのグランド
電極の間に伝送線路を配置しても、伝送線路とグランド
電極との間に発生する浮遊容量の影響による伝送線路の
特性インピーダンスの低下を補償して、伝送線路の特性
インピーダンスの高インピーダンス化を実現できる。こ
れにともない、共振器のＱ値を高くすることができる。
【００２７】さらに、共振器が、複数の誘電体層を積層
した基板に内蔵されることにより、構造上、絶縁支持体
によって封止されたモノリシックな構造となるため、外
部に対する電気絶縁性が確保できる。
した基板に内蔵されることにより、構造上、絶縁支持体
によって封止されたモノリシックな構造となるため、外
部に対する電気絶縁性が確保できる。
【００２８】なお、図５に示すように、入力端子２１、
第１及び第２のポートＰ２１，Ｐ２２、コンデンサＣ２
１〜Ｃ２５、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２、可変容量ダイオード
ＣＶ２１及び共振器Ｌ２１を備える可変共振器２０と、
入力端子２１、第３及び第４のポートＰ２３，Ｐ２４、
コンデンサＣ２１，Ｃ２６〜Ｃ２９、抵抗Ｒ２３，Ｒ２
４、可変容量ダイオードＣＶ２２及び共振器Ｌ２２を備
える可変共振器３０とを、入力端子２１、コンデンサＣ
２１及び抵抗Ｒ２１を共通として、１つの基板に形成し
てもよい。この場合には、一方の可変共振器２０を送信
側の電圧制御発振器に接続し、他方の可変共振器３０を
受信側の電圧制御発振器に接続すれば、これらを搭載す
る無線機器がさらに小型化できる。
第１及び第２のポートＰ２１，Ｐ２２、コンデンサＣ２
１〜Ｃ２５、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２、可変容量ダイオード
ＣＶ２１及び共振器Ｌ２１を備える可変共振器２０と、
入力端子２１、第３及び第４のポートＰ２３，Ｐ２４、
コンデンサＣ２１，Ｃ２６〜Ｃ２９、抵抗Ｒ２３，Ｒ２
４、可変容量ダイオードＣＶ２２及び共振器Ｌ２２を備
える可変共振器３０とを、入力端子２１、コンデンサＣ
２１及び抵抗Ｒ２１を共通として、１つの基板に形成し
てもよい。この場合には、一方の可変共振器２０を送信
側の電圧制御発振器に接続し、他方の可変共振器３０を
受信側の電圧制御発振器に接続すれば、これらを搭載す
る無線機器がさらに小型化できる。
【００２９】また、上記の実施例において、可変共振器
の共振器を構成する伝送線路が２つの伝送線路導体から
なる場合について説明したが、積層体の積層方向に誘電
体層を介して略対向させるとともに、隣り合う２つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向となるように電気的に直列接続した複数の伝送線路
導体で形成したものであれば、伝送線路が３つ以上の伝
送線路導体からなる場合でも同様の効果が得られる。
の共振器を構成する伝送線路が２つの伝送線路導体から
なる場合について説明したが、積層体の積層方向に誘電
体層を介して略対向させるとともに、隣り合う２つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向となるように電気的に直列接続した複数の伝送線路
導体で形成したものであれば、伝送線路が３つ以上の伝
送線路導体からなる場合でも同様の効果が得られる。
【００３０】また、伝送線路導体が略螺旋形状をなす場
合について説明したが、占有面積や所望の特性インピー
ダンスの仕様によって螺旋形状の他に、ミアンダ形状の
もの、あるいはそれらを組み合わせたもの等であっても
よい。
合について説明したが、占有面積や所望の特性インピー
ダンスの仕様によって螺旋形状の他に、ミアンダ形状の
もの、あるいはそれらを組み合わせたもの等であっても
よい。
【００３１】
【発明の効果】本発明の可変共振器によれば、可変共振
器を構成している各回路部品を複数の誘電体層を積層し
た基板に内蔵あるいは搭載しているため、小型化が可能
となる。その結果、この可変共振器を搭載する無線機器
の小型化が可能となる。
器を構成している各回路部品を複数の誘電体層を積層し
た基板に内蔵あるいは搭載しているため、小型化が可能
となる。その結果、この可変共振器を搭載する無線機器
の小型化が可能となる。
【００３２】また、可変共振器を構成する共振器の伝送
線路が複数層の伝送線路導体で構成され、誘電体層を介
して隣り合う２つの伝送線路導体を伝播する高周波信号
の進行方向が互いに同方向であるため、伝送線路導体の
それぞれの周囲に発生する磁束の周回方向を同方向とす
ることができる。したがって、隣り合う２つの伝送線路
導体の間隔を近接させることにより、共振器の伝送線路
導体間の結合を大きくすることができる。
線路が複数層の伝送線路導体で構成され、誘電体層を介
して隣り合う２つの伝送線路導体を伝播する高周波信号
の進行方向が互いに同方向であるため、伝送線路導体の
それぞれの周囲に発生する磁束の周回方向を同方向とす
ることができる。したがって、隣り合う２つの伝送線路
導体の間隔を近接させることにより、共振器の伝送線路
導体間の結合を大きくすることができる。
【００３３】この結果、隣り合う２つの伝送線路導体の
間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導体
間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピー
ダンスを容易に得ることができる。したがって、共振器
をストリップライン構造とするために、２つのグランド
電極の間に伝送線路を配置しても、伝送線路とグランド
電極との間に発生する浮遊容量の影響による伝送線路の
特性インピーダンスの低下を補償して、伝送線路の特性
インピーダンスの高インピーダンス化を実現できる。こ
れにともない、共振器のＱ値を高くすることができる。
間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導体
間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピー
ダンスを容易に得ることができる。したがって、共振器
をストリップライン構造とするために、２つのグランド
電極の間に伝送線路を配置しても、伝送線路とグランド
電極との間に発生する浮遊容量の影響による伝送線路の
特性インピーダンスの低下を補償して、伝送線路の特性
インピーダンスの高インピーダンス化を実現できる。こ
れにともない、共振器のＱ値を高くすることができる。
【００３４】さらに、可変共振器を構成する共振器が、
複数の誘電体層を積層した基板に内蔵されることによ
り、構造上、絶縁支持体によって封止されたモノリシッ
クな構造となるため、外部に対する電気絶縁性が確保で
きる。
複数の誘電体層を積層した基板に内蔵されることによ
り、構造上、絶縁支持体によって封止されたモノリシッ
クな構造となるため、外部に対する電気絶縁性が確保で
きる。
【図１】本発明に係る可変共振器の一実施例の回路図で
ある。
ある。
【図２】図１の可変共振器の斜視図である。
【図３】図２の可変共振器の基板を構成する（ａ）第1
の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図である。
の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図である。
【図４】図２の可変共振器の基板を構成する（ａ）第７
の誘電体層〜（ｄ）第１０の誘電体層の上面図及び
（ｅ）第１０の誘電体層の下面図である。
の誘電体層〜（ｄ）第１０の誘電体層の上面図及び
（ｅ）第１０の誘電体層の下面図である。
【図５】本発明に係る可変共振器の他の実施例の回路図
である。
である。
【図６】従来の可変共振器を用いた電圧制御発振器の回
路図である。
路図である。
【図７】図６の電圧制御発振器を構成する共振器の一例
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
１０、２０，３０ 可変発振器 １１ 基板 Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ２２ 共振器 ＬＬ１１，ＬＬ１２ 伝送線路導体 ＣＶ１１，ＣＶ２１，ＣＶ２２ 可変容量ダイオー
ド Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２９ コンデンサ（受
動素子） Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１〜Ｒ２３ 抵抗（受動素
子） Ｔ１〜Ｔ８ 外部端子
ド Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２９ コンデンサ（受
動素子） Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１〜Ｒ２３ 抵抗（受動素
子） Ｔ１〜Ｔ８ 外部端子
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の誘電体層からなる基板と、該基板
に内蔵される共振器と、前記基板に搭載される可変容量
ダイオードと、前記基板に内蔵あるいは搭載される受動
部品と、前記基板の表面に形成される外部端子とを備
え、 前記共振器が、複数の伝送線路導体を前記基板の積層方
向に前記誘電体層を介して略対向させるとともに、前記
複数の伝送線路導体のうち隣り合う２つの伝送線路導体
を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同方向になる
ように電気的に直列接続してなる伝送線路を有すること
を特徴とする可変共振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10115198A JPH1127014A (ja) | 1997-05-07 | 1998-04-13 | 可変共振器 |
| EP98108190A EP0877437A1 (en) | 1997-05-07 | 1998-05-05 | Strip-line resonator and variable resonator |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-117252 | 1997-05-07 | ||
| JP11725297 | 1997-05-07 | ||
| JP10115198A JPH1127014A (ja) | 1997-05-07 | 1998-04-13 | 可変共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1127014A true JPH1127014A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=26442069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10115198A Pending JPH1127014A (ja) | 1997-05-07 | 1998-04-13 | 可変共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1127014A (ja) |
-
1998
- 1998-04-13 JP JP10115198A patent/JPH1127014A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2001010047A1 (fr) | Isolateur a amplificateur de puissance integre | |
| JP3230353B2 (ja) | アンテナ共用器 | |
| US6850127B2 (en) | Laminated electronic component | |
| US6748207B1 (en) | Power distributing and synthesizing device and mobile communication equipment using same | |
| JP3223848B2 (ja) | 高周波部品 | |
| JPH11112264A (ja) | フィルタ | |
| US6903628B2 (en) | Lowpass filter formed in multi-layer ceramic | |
| JP3412593B2 (ja) | 非可逆回路素子および高周波回路装置 | |
| JP2001068958A (ja) | ローパスフィルタおよび回路基板 | |
| JP2001267141A (ja) | ローパスフィルタ | |
| JP3979402B2 (ja) | ２ポート型アイソレータ、その特性調整方法および通信装置 | |
| JPS63311801A (ja) | 誘電体フィルタ装置 | |
| JP2000114818A (ja) | 集中定数型非可逆回路素子 | |
| JP3176859B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH1127014A (ja) | 可変共振器 | |
| JP2002271109A (ja) | 積層デュプレクサ素子 | |
| JPH11145754A (ja) | 積層型ｌｃフィルタ | |
| EP0877437A1 (en) | Strip-line resonator and variable resonator | |
| JP4195568B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP2000223906A (ja) | ハイパスフィルタおよびそれを具備する回路基板 | |
| JP3650433B2 (ja) | アンテナスイッチ | |
| JPH10276117A (ja) | 複合スイッチ回路部品 | |
| JPH0661709A (ja) | ハイブリッドカプラ | |
| JP2003273686A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP2002353834A (ja) | 積層型電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040630 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041221 |