JPH11271031A - パッケージ基板の検査装置 - Google Patents

パッケージ基板の検査装置

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Publication number
JPH11271031A
JPH11271031A JP7386098A JP7386098A JPH11271031A JP H11271031 A JPH11271031 A JP H11271031A JP 7386098 A JP7386098 A JP 7386098A JP 7386098 A JP7386098 A JP 7386098A JP H11271031 A JPH11271031 A JP H11271031A
Authority
JP
Japan
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chipping
width
wire bond
package substrate
inspection
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7386098A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Haraguchi
昭彦 原口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc filed Critical Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority to JP7386098A priority Critical patent/JPH11271031A/ja
Publication of JPH11271031A publication Critical patent/JPH11271031A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージ基板のワイヤボンドの欠けを効率
的に検査する。 【解決手段】 パッケージ基板上のワイヤボンドの画像
データが取込まれる(S1)。ワイヤボンドの幅が所定
の間隔をおいて複数計測される(S2)。まず測定され
た幅の中に基準幅以下のものがないか検査される(S
4)。次に、想定される欠けの種類である平均的な欠
け、緩やかな欠け、および急峻な欠けのそれぞれについ
て異なる検査処理が行なわれ(S5〜S7)、すべての
検査をパスしたもののみが欠けなしと判定される(S
8)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はパッケージ基板の
検査装置に関し、特にパッケージ基板のワイヤボンドの
欠けを検査する検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、パッケージ基板のワイヤボンドの
外観上の欠陥の検査においては自動検査技術が確立して
おらず、肉眼による検査が主体であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年パ
ッケージ基板の生産量が飛躍的に増加しており、肉眼に
よる外観検査では、生産に追いつかない状態が発生して
いる。したがって、パッケージ基板の自動検査装置の開
発が急務となっている。
【0004】パッケージ基板のワイヤボンドにおける外
観上の欠陥には、欠け、しみ、突起、窪み、および異物
などがある。これらのうち欠け以外は、欠陥のサイズが
比較的大きく、拡大鏡を用いた検査が容易である。しか
しながら、欠けは、サイズが小さいうえ欠けの大きさを
定量的に判断する必要があるため、肉眼による作業能率
が悪い。
【0005】近年、パッケージ基板の自動外観検査装置
が市販され始めているが、これらの装置はいずれも、汎
用性を持たせるために検査方法として基準画像比較法
(パターンマッチング法)またはデザインルールチェッ
ク法を採用するにとどまっている。すなわち、ワイヤボ
ンド固有の欠陥には着目されていない。その結果とし
て、ワイヤボンドの検査精度には限界がある。
【0006】たとえば、基準画像比較法を用いた場合に
は、比較的大きな欠陥は検出できるが、検出感度を上げ
ると検査対象基板のばらつきによる過検出が増加する。
一方、デザインルールチェック法を採用した場合には、
微小な欠陥検出が目的となるため、パターンがない場合
や大きな欠陥などを検出することができない。
【0007】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、パッケージ基板のワイヤボンドの欠けを
効率的に検出することができるパッケージ基板の検査装
置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のある局面に従うと、パッケージ基板の検
査装置は、パッケージ基板のワイヤボンドの幅を所定の
間隔をおいて複数計測する計測部と、計測された複数の
幅からワイヤボンドの欠けを検出する検出部とを備え
る。
【0009】好ましくは、ワイヤボンドの欠けには複数
の種類があり、検出部は複数の種類の欠けのそれぞれに
対応した検出を行なう。
【0010】上記発明に従うと、計測されたワイヤボン
ドの複数の幅からワイヤボンドの欠けが検出されるた
め、効率の良い検査を行なうことができるパッケージ基
板の検査装置を提供することが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態の1つ
におけるパッケージ基板の自動外観検査装置(以下単に
検査装置という)101の全体構成を示す図である。
【0012】図を参照して、検査装置101は、装置全
体の制御を行なうCPUユニット(またはパーソナルコ
ンピュータ)102と、各種ハードウェアを制御するた
めの制御装置(中継BOX)104と、同時に複数ピー
スのパッケージ基板を搭載することができるステージ1
03と、ステージ103上に搭載されたパッケージ基板
からの光を反射させ、CCDカメラ109に導くための
ミラー107,108と、ミラー108をY軸方向に回
転させるミラー駆動装置106と、ミラー107をX軸
方向に回転させるためのミラー駆動装置105と、ミラ
ー107,108を介してパッケージ基板の画像を撮像
するCCDカメラ109と、CCDカメラ109からの
映像を分配する映像分配器110と、映像分配器110
からの映像を処理することによりワイヤボンドの欠けを
検出する画像処理装置111a〜111cとから構成さ
れる。
【0013】ステージ103には、6ピースのパッケー
ジ基板が1列に並んでいる細長の基板が載置され、3ピ
ースずつ同時に検査が行なわれる。本実施の形態におい
ては分解能を上げるため、一度にCCDカメラ109に
取込むことができる画像の範囲を、極めて狭く設定して
いる。すなわち、レンズ倍率は高いものを採用してい
る。このレンズ倍率で1ピースのパッケージ基板の全体
像を一度に撮像するためには16台のCCDカメラが必
要であり、3ピースのパッケージ基板を同時に検査する
ためには、16台×3ピース=48台のCCDカメラが
必要となる。しかしながら、本実施の形態においてはミ
ラー107,108と、ミラー駆動装置105,106
と、映像分配器110とを採用することにより、CCD
カメラ109を1台で済ませている。これにより、CC
Dカメラが増加することによる物理的な制約やコストの
問題を解決している。
【0014】図2は本実施の形態における検査装置10
1が行なう処理の概要を示すフローチャートである。
【0015】図を参照して、ステップS901でパッケ
ージ基板の画像の取込みが行なわれる。ステップS90
2で、パッケージ基板の画像中のワイヤボンドの幅が所
定の間隔をおいて複数計測される。ステップS903
で、計測された複数の幅からワイヤボンドの欠けが検出
される。なお、ワイヤボンドの欠けには複数の種類があ
り、ステップS903における処理では、複数の種類の
欠けのそれぞれに対応した検査が行なわれる。
【0016】また、ステップS901における画像取込
みの際には、安定した検査を行なうため、検出する欠け
の大きさの1/4程度の分解能が必要となる。本実施の
形態におけるCCDカメラ109の分解能は約8μm/
画素であり、後述するサブピクセル処理を適用すること
により、実質的な分解能をさらに向上させている。
【0017】図3はパッケージ基板上のワイヤボンド1
20の平面図である。図を参照して、ワイヤボンド12
0は、一般的には先端部が膨らんだ形状をしている。そ
してワイヤボンド120は、ボンディング部Bとリード
部Lとからなる。ボンディング部Bは、ワイヤがボンデ
ィングされる部分であり、ボンディング部基準幅Wbが
規定されている。リード部Lにおいては、ワイヤボンド
120の幅が徐々に細り、レジスト部Rの下に隠れるま
でには、リード部Lは一定の太さとなる。リード部Lに
おいては、リード部基準幅Wlが規定されている。ボン
ディング部Bにおいてボンディング部基準幅Wbを下回
る幅の部分が存在すると、その部分は絶対的な欠け(絶
対幅エラー)とみなされる。図3においては、符号12
2で示される部分が絶対的な欠けである。
【0018】リード部Lにおいても同様に、リード部基
準幅Wlを下回る幅の部分が絶対的な欠けとみなされ
る。
【0019】なお、1本のワイヤボンド120の形状は
一般的には図3に示されるものであるが、パッケージ基
板の1ピース中には数百本のワイヤボンドが存在する。
その数百本のワイヤボンドの中には、リード部Lにおい
てワイヤボンド120の幅が細くならず、ボンディング
部Bにおけるワイヤボンドの幅とリード部Lにおけるワ
イヤボンドの幅とが等しいものも存在する。
【0020】また、ワイヤボンド120には、上述のと
おり絶対的な欠け(たとえば符号122)があってはな
らないが、相対的な欠け(相対幅エラー)があってもな
らない。図3においては、符号121で示される部分が
相対的な欠けである。これは、欠けの程度が小さいため
に、絶対的な欠けとはならないが、ボンディング部Bの
外周から規定量以上ボンディング部Bの内側に入り込む
欠けである。
【0021】すなわち、パッケージ基板上のすべてのワ
イヤボンド120に対して一般的には以下の(1)〜
(3)のユーザスペックが必要とされる。
【0022】(1) ボンディング部Bの幅は、すべて
の部分でユーザの規定するボンディング部基準幅Wb以
上であること。
【0023】(2) リード部Lの幅は、すべての部分
でユーザの規定するリード部基準幅Wl以上であるこ
と。
【0024】(3) ボンディング部Bおよびリード部
Lのすべての部分が各々の基準幅以上であっても、ある
深さ以上の欠け(相対的な欠け)がないこと。
【0025】図4は、本実施の形態における検査装置1
01が行なう具体的な処理を示すフローチャートであ
る。
【0026】図を参照して、ステップS1でCCDカメ
ラ109およびミラー駆動装置105,106、および
ミラー107,108を用いてパッケージ基板上のワイ
ヤボンド120の画像が画像処理装置111a〜111
cに取込まれる。
【0027】ステップS2において、ワイヤボンド12
0の幅が所定の間隔をおいて複数計測される。ここに、
計測された複数の幅をW1 〜WN とする。
【0028】図5は、図4のステップS2において計測
されたワイヤボンド120の複数の幅W1 〜WN を説明
するための図である。
【0029】それぞれの幅W1 〜WN は、以下のように
測定される。まず、ワイヤボンド120の長手方向に直
交する直線であって、ワイヤボンド120の先端部にあ
る直線が決定される。この直線がワイヤボンド120の
外縁(エッジ)と交差する2点間の距離を幅W1 とす
る。次に、幅W1 を計測するために用いられた直線と平
行な直線であって、幅W1 を計測するための直線から所
定の距離離れた直線を想定する。その想定された直線が
ワイヤボンド120の外縁と交わる2点間の距離を測定
し、幅W2 とする。
【0030】以下同様にして、所定の間隔をあけた平行
線を複数想定し、幅W3 〜WN を測定する。
【0031】ここで、ワイヤボンド120の外縁の位置
を決める際に、CCDカメラ109の解像度よりも高い
解像度で判定を行なうために、サブピクセル処理を行な
っている。
【0032】図6は、サブピクセル処理について説明す
るための図である。図6における横軸は、ボンディング
パッドの幅方向に並ぶ画素A〜Dを示し、縦軸は画素の
それぞれに対応する濃度値を示す。図6の例では、画素
A,B,CおよびDのそれぞれの濃度値をDA,DB,
DCおよびDDとしている。
【0033】外縁を計測する対象物(ここではワイヤボ
ンド)の画像の濃度値は本来滑らかな連続した関数であ
ることが保証されている。これに対し、各画素の位置で
求められた濃度値はその関数(濃度関数)のサンプル点
である。濃度関数の最高周波数成分に対するサンプル点
の間隔は、画像の計測においては一般に十分密であり、
サンプリング定理を満たす。したがって、サンプル点の
情報から元の濃度関数を再現することができる。本実施
の形態においては、ワイヤボンド120の外縁を決定す
るための濃度値としてスライスレベルを設定し、スライ
スレベルを挟む画素(図6においては画素Bおよび画素
C)に対し、それらの濃度値の差に応じて、線形補完を
行ない、外縁の存在する座標を求めている。なお、スラ
イスレベルは試行錯誤によって定まるパラメータであ
る。
【0034】本実施の形態においては、以下の式(1)
を用いることにより、ボンディングパッドの外縁の座標
Pを求めることとしている。なお、式(1)において
は、図6における画素Bの濃度値DBと画素Cの濃度値
DCとの間にスライスレベルがあることとしている。ま
た、式(1)においては、画素BおよびCの座標をそれ
ぞれ、BおよびCとして表わしている。
【0035】 P=B+{1(画素)×(スライスレベル−DB)/(DC−DB)} …(1) このような、サブピクセル処理により、CCDカメラ1
09の解像度の10倍程度の解像度を用いてワイヤボン
ド120の外縁の位置を検出することができる。
【0036】再び、図4に戻って、幅W1 〜WN の計測
が行なわれた後に、ステップS3においてボンディング
部Bとリード部Lとの境界の検出が行なわれる。これ
は、ボンディング部Bとリード部Lとでは、基準幅W
b,Wlが異なるため、絶対的な欠けの検出のために
は、ボンディング部Bとリード部Lとの境界を知る必要
があるからである。また、ワイヤボンド120によって
ボンディング部Bおよびリード部Lにおける幅が異なる
ため、測定された幅W1 〜WN のどの部分からがリード
部Lであるかを単純に決められないからである。本実施
の形態においては、このステップS3の処理により、自
動的にボンディング部Bとリード部Lとの境界を検出す
るようにしている。
【0037】なお、このボンディング部Bとリード部L
との境界の検出のサブルーチンについては後述する。
【0038】ステップS4において、得られたボンディ
ング部Bとリード部Lの境界の情報と、測定された幅W
1 〜WN と、ボンディング部基準幅Wbと、リード部基
準幅Wlとから絶対的な欠けがないか検査される。すな
わち測定された幅のうちボンディング部Bの幅のそれぞ
れがボンディング部基準幅Wbと比較され、ボンディン
グ部基準幅Wbを下回るものが1つでもあれば、絶対的
な欠けがあるものとされる。同様に、測定された幅のう
ちリード部Lに含まれるものがリード部基準幅Wlと比
較され、1つでもリード部基準幅Wlを下回るものがあ
れば、絶対的な欠けがありと判定される。
【0039】上述のように1ピースのパッケージ基板に
おいては数百本のワイヤボンドがあるが、すべてのワイ
ヤボンドについて絶対的な欠けが検出され、絶対的な欠
けが1つのワイヤボンドからでも見つかれば、絶対的な
欠けがあるものと判定される(ステップS4でNG)。
絶対的な欠けがあると判定された場合には、ステップS
9でそのパッケージ基板を不良と判定し、CPUユニッ
ト102の対応する表示部に×印を表示するとともに、
オペレータが選別ミスをしないようにブザーを鳴らして
注意を喚起する。
【0040】なお、図5に示されるように、幅W1 〜W
N の始めのデータと終わりのデータとは信頼性が低いた
め、W1 〜W5 およびWN-4 〜WN のデータは絶対的な
欠けの検査対象から外すことにしている。
【0041】ステップS4で絶対的な欠けがないと判定
された場合には(S4でOK)、ステップS5〜S7に
おいて相対的な欠けが存在するか否かの判定が行なわれ
る。相対的な欠けには、平均的な欠けと、緩やかな欠け
と、急峻な欠けとの3種類が存在する。本実施の形態に
おいては、それら複数の種類の欠けのそれぞれに対応し
た検査が行なわれる。すなわち、ステップS5では平均
的な欠けの検査が行なわれ、ステップS6では緩やかな
欠けの検査が行なわれ、ステップS7では急峻な欠けの
検査が行なわれる。それぞれの検査において、欠けあり
(NG)と判定された場合には、ステップS9に進む。
一方、すべてのステップで欠けがないと判定された場合
(OK)には、ステップS8でCPUユニット102に
青ランプを点灯させ、検査が正常であった旨の音声を出
力する。
【0042】なお、相対的な欠けの判定方法の詳細につ
いては後述する。また、本実施の形態では、図4の各ス
テップでパッケージ基板に含まれるすべてのワイヤボン
ドを検査することとしたが、各ステップで1本ずつ検査
を行ない、すべてのワイヤボンドの検査が行なわれるま
で図4のフローを繰返すようにしてもよい。
【0043】図7は、図4におけるボンディング部Bと
リード部Lとの境界の検出処理(S3)での具体的な処
理を示すフローチャートである。
【0044】図を参照して、ステップS101におい
て、図5の1〜Nで示される測定された幅に付された番
号のうち、ボンディング部Bとリード部Lとの境界が存
在すると思われる幅の番号であって、最もワイヤボンド
120の先端寄りにある幅の番号iをnに代入する。こ
れは、境界があると予想される幅の番号を予めラフに設
定するものである。
【0045】次に、ステップS102において、式
(2)により幅の変化量ΔWを測定する。
【0046】 ΔW=Wn −Wn-1 …(2) ステップS103において、ΔW<0であるかが判定さ
れる。YESであれば、ステップS104で、変数mの
値を1インクリメントする。なお、変数mの初期値は0
である。そして、ΔWの合計であるΣ(ΔW)を求め
る。
【0047】ステップS105において、m≧Aであ
り、かつΣ(ΔW)≦Bであるか否かが判定される。こ
こに、AおよびBは、検査対象のパッケージ基板の種類
や光学系の分解能から決定するパラメータである。
【0048】ステップS105でYESであれば、W
n-m+1 がボンディング部Bとリード部Lとの境界の幅と
される。
【0049】なお、ステップS103でNOであれば、
ステップS107で変数mの値を0とすると同時に、Σ
(ΔW)の値を0にする。次に、ステップS108でn
=Nであるかが判定され、YESであればステップS1
10で、対象となっているワイヤボンドにはリード部L
とボンディング部Bとの境界がないものとされる。
【0050】ステップS108でNOであれば、ステッ
プS109で変数nを1インクリメントし、ステップS
102からの処理を繰返し行なう。
【0051】また、ステップS105でNOであれば、
ステップS108からの処理を行なう。
【0052】以上のような処理により、ボンディング部
Bとリード部Lとの境界を明確に識別することができ、
リード部Lにおけるワイヤボンドの幅を誤ってボンディ
ング部基準幅Wbと比較することがなくなり、パッケー
ジ基板の不良品の過検出を防止することができる。
【0053】図8は、図4の平均的な欠け検査(S5)
で行なわれる処理を示すフローチャートである。
【0054】図を参照して、ステップS201で欠けの
検査を開始する幅の番号nに“6”を代入する。これ
は、図5に示されるようにワイヤボンド120の先端部
においては幅が極端に細くなっているため、先頭の5つ
のデータは検査対象から外すためである。
【0055】同様に、ワイヤボンド120の最もレジス
ト部R側にある測定幅から5つの測定幅も検査対象から
外される。
【0056】ステップS202において、最初と最後の
5つずつを除いた測定幅の平均Waveを算出する。
【0057】ステップS203で、上述の式(2)によ
り幅の変化率ΔWが算出される。ステップS204で、
(Wn /Wave)×100がCより小さいかが判定さ
れる。YESであれば、ステップS205でΔWの値が
変数Dより小さいかが判定される。YESであれば、ス
テップS206で平均的な欠けがありとされる。
【0058】一方、ステップS204またはS205の
いずれかでNOであれば、ステップS207でnの値を
1インクリメントする。ステップS208でnの値がN
−4となったかが判定され、YESであればメインルー
チンに戻る。NOであれば、ステップS203からの処
理を繰返し行なう。
【0059】ステップS208での判定は、上述したよ
うにワイヤボンド120のレジスト部Rから5つ目まで
の測定幅を除外するためである。
【0060】図8の処理により、測定された幅Wnが平
均幅WaveのC%未満であり、かつ幅の変化率ΔWが
D未満であれば、平均的な欠けが存在すると判定され
る。なお、変数CおよびDは、検査対象のパッケージ基
板の種類や光学系の分解能などが決定されるパラメータ
である。
【0061】図9は、図4における穏やかな欠け検査
(S6)で行なわれる処理を示すフローチャートであ
る。
【0062】これは、上述の平均的な欠けの検出方法の
みでは見落としてしまう、緩やかな形状を持つ欠けを検
出するものである。
【0063】図を参照して、ステップS301で図8の
例と同様に変数nの値に“6”が代入される。
【0064】ステップS302で上述の式(2)により
ΔWが算出される。ステップS303で、ΔWの値が0
より小さいかが判定され、YESであれば、ステップS
304でΔWの絶対値の合計であるΣ|ΔW|が算出さ
れる。
【0065】ステップS305でΣ|ΔW|がEより大
きいかが判定され、YESであればステップS306で
穏やかな欠けがあるものと判定される。
【0066】なお、ステップS303でNOであれば、
ステップS307で|ΔW|の総和が0にリセットされ
る。次に、ステップS308で変数nの値が1インクリ
メントされ、ステップS309で変数nの値がN−4と
なったが判定される。ステップS309でYESであれ
ば、メインルーチンに戻る。一方、ステップS309で
NOであれば、ステップS302からの処理を繰返し行
なう。
【0067】以上の処理により、幅の変化量ΔWの符号
が−で連続する箇所があれば、その変化量を累積加算
し、その結果が変数Eを越えた部分が穏やかな欠けとみ
なされる。なお、本実施の形態においては変化量ΔWの
符号が−である場合にのみ緩やかな欠けを検査すること
としたが、同様に+の場合においても検査すると、より
確実に欠けを検出することができる。なお、変数Eは検
査対象のパッケージ基板の種類や光学系の分解能などか
ら決定されるパラメータである。
【0068】図10は図4における急峻な欠け検査(S
7)で行なわれる処理を示すフローチャートである。
【0069】この処理は図8および図9の2つの方法で
は見落としてしまう急峻な欠けを検出するための処理で
ある。図を参照して、ステップS401で変数nに
“6”が代入される。ステップS402で、式(2)に
より幅の変化量ΔWが算出される。
【0070】ステップS403で、|ΔW|の値がFを
超えたかが判定され、YESであればステップS404
で急峻な欠けありと判定される。
【0071】一方、ステップS403でNOであれば、
ステップS405で変数nの値は1インクリメントさ
れ、ステップS406で変数nの値がN−4となったか
が判定される。ステップS406でYESであれば、メ
インルーチンに戻る。一方、ステップS406でNOで
あれば、ステップS402からの処理を繰返し行なう。
【0072】以上の処理により、幅の変化量ΔWの絶対
値が、変数F以上の場合に急峻な欠けが存在するとみな
される。ここで、変数Fは、検査対象基板の種類、光学
系の分解能などから決定されるパラメータである。
【0073】次に、本実施の形態における検査装置によ
って実際にパッケージ基板上のワイヤボンドを計測した
結果について記載する。
【0074】図11および図12を参照してL1〜L7
の7つのワイヤボンドが検査対象となっている。この7
つのワイヤボンドはすべて欠けが存在するものである。
【0075】図11および図12における最も左の部分
に書かれた番号(NO)は、計測された幅の番号を示
す。また、Wnの項目は、幅の番号に対応する実際の幅
(単位はμm)を示す。ΔWは、上述の式(2)により
求められる変化量である。比率は、図7のステップS2
04で算出される(Wn /Wave)×100の値であ
る。また、図11および図12の最も下の部分に、測定
された幅の平均(平均幅)を示している。平均幅とは、
図7のWaveに相当する。
【0076】図11および図12のWnの項目におい
て、ハッチングがかけられている部分は、検査の対象か
ら除外されている部分を示す。すなわち上述したとお
り、測定された幅のうち先頭と末尾のそれぞれ5つのデ
ータは検査の対象から除外されている。
【0077】ΔWの欄においてハッチングがかけられて
いる部分は、検査装置により欠けが検出された部分を示
す。
【0078】これらのワイヤボンドL1〜L7について
の検査結果を幅の番号を横軸にとり、縦軸に幅の実測値
をとりグラフにまとめた結果を図13〜図15に示す。
【0079】図13においてはワイヤボンドL1〜L3
のデータが、図14においてはワイヤボンドL4〜L6
のデータが、図15においてはワイヤボンドL7のデー
タが示されている。なお、グラフを見やすくするため、
図13においてワイヤボンドL2における測定幅は−3
0μmとされており、ワイヤボンドL1の測定幅は−6
0μmとされている。同様に、図14においてワイヤボ
ンドL4の測定幅は−60μmとされており、ワイヤボ
ンドL5の測定幅は−30μmとされている。
【0080】また、図13〜図15においてワイヤボン
ドL1〜L7のそれぞれにおいて肉眼で観察された欠け
の位置を矢印で示している。
【0081】図11および図12に示される検査装置に
よる欠けの位置と肉眼観察による欠けの位置とはほぼ一
致しており、本実施の形態における検査装置によって正
確にワイヤボンドの欠けを検出できることがわかった。
また、解像度の問題から幅の測定結果にはばらつきが生
じているが、安定して欠けを検出できている。
【0082】なお、この測定例において用いられたパラ
メータは、A=3,B=10,C=90,D=5,E=
10,F=10である(図7〜10参照)。また、CC
Dカメラ109の分解能は約8μm/画素であり、サブ
ピクセル処理を用いているため、実質的な分解能は0.
8μm程度である。また、測定された幅の平均的な間隔
は、約17μmである。また、平均的なワイヤボンドの
長さは600μmであり、ワイヤボンド1本当りの測定
幅の平均的な数は600μm/17μm=35本となっ
ている。
【0083】上述のように本実施の形態においては、欠
けの形状を複数の種類に分けてそれぞれに合った検査方
法を実施することにより、正確な欠けの検出を行なうこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の1つにおけるパッケージ
基板の自動外観検査装置の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】図1の検査装置が行なう処理の概要を示すフロ
ーチャートである。
【図3】パッケージ基板上のワイヤボンドの平面図であ
る。
【図4】図1の検査装置が行なう処理を示すメインフロ
ーチャートである。
【図5】ワイヤボンドの幅の計測方法を説明するための
図である。
【図6】サブピクセル処理を説明するための図である。
【図7】図4のボンディング部とリード部との境界検出
処理(S3)のフローチャートである。
【図8】図4の平均的な欠け検査(S5)での処理を示
すフローチャートである。
【図9】図4の穏やかな欠け検査(S6)での処理を示
すフローチャートである。
【図10】図4の急峻な欠け検査(S7)での処理を示
すフローチャートである。
【図11】ワイヤボンドの幅の実測値と検出された欠け
の位置とを示す第1の図である。
【図12】ワイヤボンドの幅の実測値と検出された欠け
の位置とを示す第2の図である。
【図13】ワイヤボンドの幅の変化を示す第1の図であ
る。
【図14】ワイヤボンドの幅の変化を示す第2の図であ
る。
【図15】ワイヤボンドの幅の変化を示す第3の図であ
る。
【符号の説明】
101 パッケージ基板の自動外観検査装置 102 CPUユニット 103 ステージ 109 CCDカメラ 111a〜111c 画像処理装置 120 ワイヤボンド 121 相対的な欠け 122 絶対的な欠け B ボンディング部 L リード部 Wb ボンディング部基準幅 Wl リード部基準幅

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パッケージ基板の検査装置であって、 前記パッケージ基板のワイヤボンドの幅を所定の間隔を
    おいて複数計測する計測手段と、 前記計測された複数の幅から、前記ワイヤボンドの欠け
    を検出する検出手段とを備えた、パッケージ基板の検査
    装置。
  2. 【請求項2】 前記ワイヤボンドの欠けには複数の種類
    があり、 前記検出手段は、前記複数の種類の欠けのそれぞれに対
    応した検出を行なう、請求項1に記載のパッケージ基板
    の検査装置。
JP7386098A 1998-03-23 1998-03-23 パッケージ基板の検査装置 Withdrawn JPH11271031A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020088269A (ko) * 2001-05-21 2002-11-27 삼성전자 주식회사 리젝트 유니트를 스킵하는 볼 그리드 어레이 패키지용와이어 본딩 방법

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