JPH11271561A - 光ファイバアレイと光導波路チップの接合方法 - Google Patents
光ファイバアレイと光導波路チップの接合方法Info
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- JPH11271561A JPH11271561A JP7904498A JP7904498A JPH11271561A JP H11271561 A JPH11271561 A JP H11271561A JP 7904498 A JP7904498 A JP 7904498A JP 7904498 A JP7904498 A JP 7904498A JP H11271561 A JPH11271561 A JP H11271561A
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接合時の紫外線の照射時間を短縮することがで
き、また、結合損失の劣化や高温高湿下での信頼性試験
における劣化の少ない光導波路チップを得ることができ
る光ファイバアレイと光導波路チップの接合方法を提供
する。 【解決手段】光導波路チップ14と第1のアレイ16の
光軸を合わせ(光軸のずれを0.2μm以下とす
る。)、両者の間隙の幅Lを約8μmに設定する。間隙
に接着用樹脂を充填し、上下2方向より、紫外線照射装
置40a、40bを用いて、紫外線の照射強度が150
mW/cm2 、照射量が9000mJ/cm2 の照射条
件で紫外線を照射する。
き、また、結合損失の劣化や高温高湿下での信頼性試験
における劣化の少ない光導波路チップを得ることができ
る光ファイバアレイと光導波路チップの接合方法を提供
する。 【解決手段】光導波路チップ14と第1のアレイ16の
光軸を合わせ(光軸のずれを0.2μm以下とす
る。)、両者の間隙の幅Lを約8μmに設定する。間隙
に接着用樹脂を充填し、上下2方向より、紫外線照射装
置40a、40bを用いて、紫外線の照射強度が150
mW/cm2 、照射量が9000mJ/cm2 の照射条
件で紫外線を照射する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバが配設
された光ファイバアレイと光導波路チップとを接着用樹
脂を用いて接合する方法に関する。
された光ファイバアレイと光導波路チップとを接着用樹
脂を用いて接合する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光導波路チップと光ファイバとを接続す
るために光ファイバアレイが一般的に用いられている。
この光導波路チップには、GaAs系、InP系の半導
体導波路チップ、Si上に酸化膜を形成したり、ガラス
基板を用いる誘電体(ガラス)導波路チップ、LiNb
O3 やLiTaO3 結晶で構成した強誘電体結晶導波路
チップ等、多数の種類があり、光導波路チップ上にはT
i等の金属が拡散された光導波路が形成される。これら
光導波路チップに対して、例えば、光ファイバジャイロ
等のセンサ・計測関係、高速変調器等の光ファイバ通信
関係、A/D変換器等の光情報処理関係、ダイオードア
レイ等の光源・光変換関係での多岐にわたる用途が検討
されている。
るために光ファイバアレイが一般的に用いられている。
この光導波路チップには、GaAs系、InP系の半導
体導波路チップ、Si上に酸化膜を形成したり、ガラス
基板を用いる誘電体(ガラス)導波路チップ、LiNb
O3 やLiTaO3 結晶で構成した強誘電体結晶導波路
チップ等、多数の種類があり、光導波路チップ上にはT
i等の金属が拡散された光導波路が形成される。これら
光導波路チップに対して、例えば、光ファイバジャイロ
等のセンサ・計測関係、高速変調器等の光ファイバ通信
関係、A/D変換器等の光情報処理関係、ダイオードア
レイ等の光源・光変換関係での多岐にわたる用途が検討
されている。
【0003】例えば、前記のような光ファイバジャイロ
を製造する場合、長尺の光ファイバを円筒の物体に巻き
付けて作成したファイバコイルから導出された光ファイ
バの2本の端部と位相変調器が組み込まれた光導波路チ
ップとを、光軸の偏波面を一定の方向に保持して接続す
るために、偏波面保存光ファイバアレイが用いられてい
る。
を製造する場合、長尺の光ファイバを円筒の物体に巻き
付けて作成したファイバコイルから導出された光ファイ
バの2本の端部と位相変調器が組み込まれた光導波路チ
ップとを、光軸の偏波面を一定の方向に保持して接続す
るために、偏波面保存光ファイバアレイが用いられてい
る。
【0004】前記偏波面保存光ファイバアレイは、例え
ば、2枚の基板からなり、そのうちの1枚には溝部が形
成され、該溝部に光ファイバを偏波面を一定の方向に保
持するように埋設した後2枚の基板を重ね合わせ、該溝
部と光ファイバとの隙間にエポキシ等の紫外線硬化型接
着用樹脂を充填して接着用樹脂層を形成した後、紫外線
を照射して接着用樹脂を硬化し、光ファイバをアレイの
溝部に固定することによって形成される。
ば、2枚の基板からなり、そのうちの1枚には溝部が形
成され、該溝部に光ファイバを偏波面を一定の方向に保
持するように埋設した後2枚の基板を重ね合わせ、該溝
部と光ファイバとの隙間にエポキシ等の紫外線硬化型接
着用樹脂を充填して接着用樹脂層を形成した後、紫外線
を照射して接着用樹脂を硬化し、光ファイバをアレイの
溝部に固定することによって形成される。
【0005】この光ファイバが配設された光ファイバア
レイの基板と光導波路が配設された光導波路チップの基
板とは熱膨張率が異なるため、両者を接合した完成品を
使用する際の温度サイクルによって生じる熱膨張によっ
て光軸がずれるという問題がある。
レイの基板と光導波路が配設された光導波路チップの基
板とは熱膨張率が異なるため、両者を接合した完成品を
使用する際の温度サイクルによって生じる熱膨張によっ
て光軸がずれるという問題がある。
【0006】その対策として、該光ファイバアレイと光
導波路チップとを接合する際に、両者の接合面に所定の
幅の間隙を設けることが行われている。
導波路チップとを接合する際に、両者の接合面に所定の
幅の間隙を設けることが行われている。
【0007】具体的には、まず、光ファイバアレイと光
導波路チップの研磨された接合面をその側面から顕微鏡
を用いて観察しながら、位置決め治具を用いて一旦両者
を間隙がなくなるように押しつけて接合面の平行度を確
保する(以下、平面出しという)。次いで、前記位置決
め治具を用いて両者を離間して所定の幅の間隙を確保す
る。その後、図12に示すように、光ファイバアレイ2
と光導波路チップ4との接合面2a、4aの間隙に紫外
線硬化型接着用樹脂6を充填し、紫外線照射装置8を用
いて紫外線を照射することにより該接着用樹脂6を硬化
して、光ファイバアレイ2と光導波路チップ4との接合
が完了する。
導波路チップの研磨された接合面をその側面から顕微鏡
を用いて観察しながら、位置決め治具を用いて一旦両者
を間隙がなくなるように押しつけて接合面の平行度を確
保する(以下、平面出しという)。次いで、前記位置決
め治具を用いて両者を離間して所定の幅の間隙を確保す
る。その後、図12に示すように、光ファイバアレイ2
と光導波路チップ4との接合面2a、4aの間隙に紫外
線硬化型接着用樹脂6を充填し、紫外線照射装置8を用
いて紫外線を照射することにより該接着用樹脂6を硬化
して、光ファイバアレイ2と光導波路チップ4との接合
が完了する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光ファイバアレイと光導波路チップとの接合方法に
よっても、種々の原因に起因して光ファイバアレイと光
導波路チップとの接合面において光軸にずれを生じ、そ
の結果、結合損失が増大するという問題は解決されてい
ない。
うな光ファイバアレイと光導波路チップとの接合方法に
よっても、種々の原因に起因して光ファイバアレイと光
導波路チップとの接合面において光軸にずれを生じ、そ
の結果、結合損失が増大するという問題は解決されてい
ない。
【0009】その原因の1つとして、前記間隙に充填し
た接着用樹脂層を紫外線を照射して硬化させる際に、該
接着用樹脂層の収縮量にばらつきを生じ、その結果、光
ファイバアレイと光導波路チップとの接合面の平行度に
狂いが発生して光軸のずれを引き起こすことが知られて
いる。
た接着用樹脂層を紫外線を照射して硬化させる際に、該
接着用樹脂層の収縮量にばらつきを生じ、その結果、光
ファイバアレイと光導波路チップとの接合面の平行度に
狂いが発生して光軸のずれを引き起こすことが知られて
いる。
【0010】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、完成品を使用する際の光ファイバアレイ
と光導波路チップの接合面における光軸の狂いを大幅に
軽減することができ、光伝搬特性に優れる光ファイバア
レイと光導波路チップの接合方法を提供することを目的
とする。
たものであり、完成品を使用する際の光ファイバアレイ
と光導波路チップの接合面における光軸の狂いを大幅に
軽減することができ、光伝搬特性に優れる光ファイバア
レイと光導波路チップの接合方法を提供することを目的
とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ファイバ
アレイと光導波路チップの接合方法は、両者の光軸を合
わせて接合する方法において、前記光ファイバアレイと
光導波路チップとの接合面に所定の幅の間隙を設け、該
間隙に接着用樹脂を充填し、紫外線を照射することによ
って該樹脂を硬化して該光ファイバアレイと光導波路チ
ップとを接合するに際し、少なくとも対向する方向を含
む2以上の方向から紫外線を照射し、前記2以上の方向
から照射する紫外線の照射量の差を600mJ/cm2
以下とすることを特徴とする。ここで、紫外線の照射量
(mJ/cm2 )は、以下の式で表される単位面積当た
りの照射エネルギ(単位mJ/cm2 )をいう。
アレイと光導波路チップの接合方法は、両者の光軸を合
わせて接合する方法において、前記光ファイバアレイと
光導波路チップとの接合面に所定の幅の間隙を設け、該
間隙に接着用樹脂を充填し、紫外線を照射することによ
って該樹脂を硬化して該光ファイバアレイと光導波路チ
ップとを接合するに際し、少なくとも対向する方向を含
む2以上の方向から紫外線を照射し、前記2以上の方向
から照射する紫外線の照射量の差を600mJ/cm2
以下とすることを特徴とする。ここで、紫外線の照射量
(mJ/cm2 )は、以下の式で表される単位面積当た
りの照射エネルギ(単位mJ/cm2 )をいう。
【0012】単位面積当たりの照射エネルギ(単位mJ
/cm2 )=単位面積当たりの照射強度(mW/c
m2 )×照射時間(sec) これにより、間隙に充填された接着用樹脂層の各部にお
いて硬化、収縮が均一に行われることから、光ファイバ
アレイと光導波路チップの接合面における平行度を維
持、確保することができ、結合損失の劣化や高温高湿下
での信頼性試験における劣化の少ない光導波路チップを
得ることができる。また、各方向からの紫外線の照射強
度を大きくして、紫外線の照射時間を短縮することがで
きる。この場合、前記2以上の方向から照射する紫外線
の照射強度の差を10mW/cm2以下とすると一層好
適である。ここで紫外線の照射強度(mW/cm2 )と
は、前記した単位面積当たりの照射強度(mW/c
m2 )をいう。
/cm2 )=単位面積当たりの照射強度(mW/c
m2 )×照射時間(sec) これにより、間隙に充填された接着用樹脂層の各部にお
いて硬化、収縮が均一に行われることから、光ファイバ
アレイと光導波路チップの接合面における平行度を維
持、確保することができ、結合損失の劣化や高温高湿下
での信頼性試験における劣化の少ない光導波路チップを
得ることができる。また、各方向からの紫外線の照射強
度を大きくして、紫外線の照射時間を短縮することがで
きる。この場合、前記2以上の方向から照射する紫外線
の照射強度の差を10mW/cm2以下とすると一層好
適である。ここで紫外線の照射強度(mW/cm2 )と
は、前記した単位面積当たりの照射強度(mW/c
m2 )をいう。
【0013】また、本発明に係る光ファイバアレイと光
導波路チップの接合方法において、前記光ファイバアレ
イと光導波路チップとの接合面における光軸のずれを
0.2μm以下に設定するとともに前記間隙の幅を6〜
10μmの範囲内に設定した後、該間隙に前記接着用樹
脂を充填することにより、前記した本発明の効果を一層
発揮することができる。
導波路チップの接合方法において、前記光ファイバアレ
イと光導波路チップとの接合面における光軸のずれを
0.2μm以下に設定するとともに前記間隙の幅を6〜
10μmの範囲内に設定した後、該間隙に前記接着用樹
脂を充填することにより、前記した本発明の効果を一層
発揮することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光ファイバア
レイと光導波路チップの接合方法として、例えば、光導
波路チップと光ファイバとを偏波面を一定の方向に保持
して接続するための偏波面保存光ファイバアレイに適用
した実施の形態例を、図1〜図9を参照しながら以下説
明する。
レイと光導波路チップの接合方法として、例えば、光導
波路チップと光ファイバとを偏波面を一定の方向に保持
して接続するための偏波面保存光ファイバアレイに適用
した実施の形態例を、図1〜図9を参照しながら以下説
明する。
【0015】本実施の形態における光ファイバアレイ
は、図1に示すように、光ファイバ10、12と光導波
路チップ14とが接合方向を規制するように固着される
第1および第2のアレイ16、18から構成される。
は、図1に示すように、光ファイバ10、12と光導波
路チップ14とが接合方向を規制するように固着される
第1および第2のアレイ16、18から構成される。
【0016】ここで、光導波路チップ14は、例えば、
LiNbO3 基板20に所定形状の光導波路(例えば、
Y字光導波路)22が形成されるとともに、金属電極2
4と偏光子26とが配設されている。
LiNbO3 基板20に所定形状の光導波路(例えば、
Y字光導波路)22が形成されるとともに、金属電極2
4と偏光子26とが配設されている。
【0017】図2に示すように、光ファイバ10の2つ
の端部(例えば、光ファイバジャイロのファイバコイル
に接続される始端部10aと終端部10b)は、光導波
路チップ14との接合方向を規制する第1のアレイ16
に固着され、また、図3に示すように、光ファイバ12
の1つの端部(例えば、光源に接続される光ファイバ1
2の端部12a)は、光導波路チップ14との接合方向
を規制する第2のアレイ18に固着され、これら第1及
び第2のアレイ16、18を通じて上記各光ファイバ1
0、12のそれぞれの端部10a、10b及び12aが
光導波路チップ14と光学的に結合されるようになって
いる。
の端部(例えば、光ファイバジャイロのファイバコイル
に接続される始端部10aと終端部10b)は、光導波
路チップ14との接合方向を規制する第1のアレイ16
に固着され、また、図3に示すように、光ファイバ12
の1つの端部(例えば、光源に接続される光ファイバ1
2の端部12a)は、光導波路チップ14との接合方向
を規制する第2のアレイ18に固着され、これら第1及
び第2のアレイ16、18を通じて上記各光ファイバ1
0、12のそれぞれの端部10a、10b及び12aが
光導波路チップ14と光学的に結合されるようになって
いる。
【0018】具体的には、第1のアレイ16は、図2に
示すように、一主面に一方の端面へ向けて延びる2本の
V字状の溝30a、30bと他方の端面に向けて延びる
幅広の座繰り部(接着用の逃げ溝)32が連続して形成
された基板16Aと、該基板16Aの各溝30a、30
b、32を塞ぐための蓋基板16Bとで構成されてい
る。上記2本のV字状の溝30a、30bは、その間隔
が図1に示す光導波路22における2本の分岐路の光軸
に合致する間隔と同じとされている。
示すように、一主面に一方の端面へ向けて延びる2本の
V字状の溝30a、30bと他方の端面に向けて延びる
幅広の座繰り部(接着用の逃げ溝)32が連続して形成
された基板16Aと、該基板16Aの各溝30a、30
b、32を塞ぐための蓋基板16Bとで構成されてい
る。上記2本のV字状の溝30a、30bは、その間隔
が図1に示す光導波路22における2本の分岐路の光軸
に合致する間隔と同じとされている。
【0019】そして、第1のアレイ16を組み立てる場
合は、まず、図2に示すように、上記基板16AのV字
状の溝30a、30bに光ファイバ10の2本の端部1
0a及び10bを這わせた後、光ファイバ10の偏波保
存面を光導波路22を伝搬する光の偏波面の方向に合わ
せる。その後、上方から蓋基板16Bを被せて室温硬化
型接着用樹脂をV字状の溝30a、30bと光ファイバ
10との隙間に充填し、室温で放置してして両者を接着
・固定し、上記第1のアレイ16の端面中、光ファイバ
10の自由端側端面16aを研磨することによって光フ
ァイバ10への第1のアレイ16の固着作業が終了する
こととなる。
合は、まず、図2に示すように、上記基板16AのV字
状の溝30a、30bに光ファイバ10の2本の端部1
0a及び10bを這わせた後、光ファイバ10の偏波保
存面を光導波路22を伝搬する光の偏波面の方向に合わ
せる。その後、上方から蓋基板16Bを被せて室温硬化
型接着用樹脂をV字状の溝30a、30bと光ファイバ
10との隙間に充填し、室温で放置してして両者を接着
・固定し、上記第1のアレイ16の端面中、光ファイバ
10の自由端側端面16aを研磨することによって光フ
ァイバ10への第1のアレイ16の固着作業が終了する
こととなる。
【0020】第2のアレイ18は、図3に示すように、
一主面に一方の端面へ向けて延びる1本のV字状の溝3
4と他方の端面に向かって延びる幅広の座繰り部(接着
用の逃げ溝)36が連続して形成された基板18Aと、
該基板18Aの各溝34、36を塞ぐための蓋基板18
Bとで構成されている。
一主面に一方の端面へ向けて延びる1本のV字状の溝3
4と他方の端面に向かって延びる幅広の座繰り部(接着
用の逃げ溝)36が連続して形成された基板18Aと、
該基板18Aの各溝34、36を塞ぐための蓋基板18
Bとで構成されている。
【0021】そして、この第2のアレイ18を組み立て
る場合は、まず、上記基板18AのV字状の溝34に光
ファイバ12の1本の端部12aを這わせた後、光ファ
イバ12の偏波保存面を光導波路22を伝搬する光の偏
波面の方向に合わせる。その後、その上方から蓋基板1
8Bを被せて接着用樹脂にて接着し、第2のアレイ18
の端面中、光ファイバ12の自由端側端面18aを研磨
することによって光ファイバ12への第2のアレイ18
の固着作業が終了する。
る場合は、まず、上記基板18AのV字状の溝34に光
ファイバ12の1本の端部12aを這わせた後、光ファ
イバ12の偏波保存面を光導波路22を伝搬する光の偏
波面の方向に合わせる。その後、その上方から蓋基板1
8Bを被せて接着用樹脂にて接着し、第2のアレイ18
の端面中、光ファイバ12の自由端側端面18aを研磨
することによって光ファイバ12への第2のアレイ18
の固着作業が終了する。
【0022】一方、光導波路チップ14は、以下のよう
にして作製する。まず、例えば3inchウェーハ(例
えば、LiNbO3 基板)の一主面(機能面)に、例え
ば真空蒸着等によって所定形状の光導波路22を形成す
ると同時に、該光導波路22上に偏光子26及び金属電
極24を形成して1枚のウェーハ上に多数の光ICパタ
ーンを形成する(図示せず)。次いで、数個の光ICパ
ターンを1組として、ウェーハから組単位に光ICパタ
ーンを例えばダイヤモンドカッターを有するダイシング
装置を用いて切り出した後、各組の端面、特に上記第1
及び第2のアレイ16、18が接合される面を研磨処理
する。その後各組から各々光ICパターンを同じくダイ
シング装置を用いて切断して多数の光導波路チップに分
離した後、個々に分離された1つの光導波路チップ14
が得られる(図1参照)。
にして作製する。まず、例えば3inchウェーハ(例
えば、LiNbO3 基板)の一主面(機能面)に、例え
ば真空蒸着等によって所定形状の光導波路22を形成す
ると同時に、該光導波路22上に偏光子26及び金属電
極24を形成して1枚のウェーハ上に多数の光ICパタ
ーンを形成する(図示せず)。次いで、数個の光ICパ
ターンを1組として、ウェーハから組単位に光ICパタ
ーンを例えばダイヤモンドカッターを有するダイシング
装置を用いて切り出した後、各組の端面、特に上記第1
及び第2のアレイ16、18が接合される面を研磨処理
する。その後各組から各々光ICパターンを同じくダイ
シング装置を用いて切断して多数の光導波路チップに分
離した後、個々に分離された1つの光導波路チップ14
が得られる(図1参照)。
【0023】そして、1つの光導波路チップ14に対し
て、すでに光ファイバ10、12が固着された第1及び
第2のアレイ16、18がそれぞれ接合される。光導波
路チップ14の両端面のうち、偏光子26近傍の端面に
第2のアレイ18が、金属電極24近傍の端面に第1の
アレイ16が光軸を合わせてそれぞれ接合される。この
とき、光出力が最も強くなるように光軸調整がとられな
がら接着用樹脂による接着が行われる。
て、すでに光ファイバ10、12が固着された第1及び
第2のアレイ16、18がそれぞれ接合される。光導波
路チップ14の両端面のうち、偏光子26近傍の端面に
第2のアレイ18が、金属電極24近傍の端面に第1の
アレイ16が光軸を合わせてそれぞれ接合される。この
とき、光出力が最も強くなるように光軸調整がとられな
がら接着用樹脂による接着が行われる。
【0024】具体的には、まず、光導波路22を通じて
伝搬される光源からの光を光検出器(図示せず)にて計
測しながら第1のアレイ16に固着された光ファイバ1
0の偏波保存面が光導波路22の偏波方向と一致するよ
うに、図1中、XYZの直交3軸方向と光ファイバ10
の2芯(始端部10aと終端部10b)の回転方向につ
いての光軸調整を行う。これと並行して、光導波路22
の他の端面側に光検出器を配置し(図示せず)、該光導
波路22の2本の分岐路を通じて出力される光源からの
光を上記光検出器にて計測しながら第2のアレイ18に
固着された光ファイバ12の偏波保存面が光導波路22
の偏波方向と一致するように、図1中、XYZの直交3
軸方向についての光軸調整を行う。それぞれの光軸調整
が終了した段階でこれら第1のアレイ16と光導波路チ
ップ14および第2のアレイ18と光導波路チップ14
の接着用樹脂による接合が、同時に行われる。
伝搬される光源からの光を光検出器(図示せず)にて計
測しながら第1のアレイ16に固着された光ファイバ1
0の偏波保存面が光導波路22の偏波方向と一致するよ
うに、図1中、XYZの直交3軸方向と光ファイバ10
の2芯(始端部10aと終端部10b)の回転方向につ
いての光軸調整を行う。これと並行して、光導波路22
の他の端面側に光検出器を配置し(図示せず)、該光導
波路22の2本の分岐路を通じて出力される光源からの
光を上記光検出器にて計測しながら第2のアレイ18に
固着された光ファイバ12の偏波保存面が光導波路22
の偏波方向と一致するように、図1中、XYZの直交3
軸方向についての光軸調整を行う。それぞれの光軸調整
が終了した段階でこれら第1のアレイ16と光導波路チ
ップ14および第2のアレイ18と光導波路チップ14
の接着用樹脂による接合が、同時に行われる。
【0025】光軸調整および接着作業は、4〜8倍の光
学倍率をもつCCDカメラが接続された位置決め治具を
用いて行われる。
学倍率をもつCCDカメラが接続された位置決め治具を
用いて行われる。
【0026】まず、位置決め治具を用いて光導波路チッ
プ14の2本の分岐路を有する側の端面と第1のアレイ
16の端面中、光ファイバ10の自由端側端面16a
(図2参照)の平行出しを約±0.1degの範囲内で
行い、間隙を生じないように密着させる。これによっ
て、接合面の平面出しが行われる。次いで、前記CCD
カメラを用いて接合面の間隙を観察しながら位置決め治
具を用いて第1のアレイ16と光導波路チップ14とを
離間して所定の幅の間隙を確保する。この段階で前記し
た光導波路チップ14と第1のアレイ16との光軸調整
を行う。これと並行して、同様の方法により、第2のア
レイ18と光導波路チップ14の接合面の平面出し、間
隙調整、光軸調整を行う。その後、光導波路チップ14
とアレイ16および第2のアレイ18と光導波路チップ
14のそれぞれの接合面の間隙に紫外線硬化型接着用樹
脂を充填し、引き続き、XY軸を微調整する。間隙が所
定の幅に保持されていることを確認した後、紫外線を照
射して接着用樹脂を硬化して接合作業が完了する。
プ14の2本の分岐路を有する側の端面と第1のアレイ
16の端面中、光ファイバ10の自由端側端面16a
(図2参照)の平行出しを約±0.1degの範囲内で
行い、間隙を生じないように密着させる。これによっ
て、接合面の平面出しが行われる。次いで、前記CCD
カメラを用いて接合面の間隙を観察しながら位置決め治
具を用いて第1のアレイ16と光導波路チップ14とを
離間して所定の幅の間隙を確保する。この段階で前記し
た光導波路チップ14と第1のアレイ16との光軸調整
を行う。これと並行して、同様の方法により、第2のア
レイ18と光導波路チップ14の接合面の平面出し、間
隙調整、光軸調整を行う。その後、光導波路チップ14
とアレイ16および第2のアレイ18と光導波路チップ
14のそれぞれの接合面の間隙に紫外線硬化型接着用樹
脂を充填し、引き続き、XY軸を微調整する。間隙が所
定の幅に保持されていることを確認した後、紫外線を照
射して接着用樹脂を硬化して接合作業が完了する。
【0027】上記した作業のうち接着用樹脂による接合
工程を、第1のアレイ16と光導波路チップ14との接
合工程を例にとって、さらに詳細に説明する。
工程を、第1のアレイ16と光導波路チップ14との接
合工程を例にとって、さらに詳細に説明する。
【0028】図4に示すように、第1のアレイ16の2
枚の基板16A、16Bのうち、基板16Aには、V字
状の溝30bが形成され、当該溝30bに光ファイバ1
0が配設されており、光ファイバ10の下端部とV字状
の溝30bの下端部とは離間し、その間に室温硬化型接
着用樹脂層31が介在している。該基板16Aの端面1
6aの高さ(図4中、上下方向)は約3mmであり、配
設される光ファイバ10の直径はコア部で約80μmで
ありこれを被覆するクラッド部を含めると約200μm
である。
枚の基板16A、16Bのうち、基板16Aには、V字
状の溝30bが形成され、当該溝30bに光ファイバ1
0が配設されており、光ファイバ10の下端部とV字状
の溝30bの下端部とは離間し、その間に室温硬化型接
着用樹脂層31が介在している。該基板16Aの端面1
6aの高さ(図4中、上下方向)は約3mmであり、配
設される光ファイバ10の直径はコア部で約80μmで
ありこれを被覆するクラッド部を含めると約200μm
である。
【0029】一方、光導波路チップ14は、光導波路2
2を伝搬する光の偏波面の方向の端面14aの高さ(図
4中、上下方向)が約1mmであり、Tiの拡散により
光導波路チップ14表層に形成される光導波路22の高
さ(図4中、上下方向)は数μmである。なお、光導波
路チップ14の幅(図4中、紙面垂直方向)は約2mm
であり、光導波路22の幅(図4中、紙面垂直方向)は
数μmである。光導波路チップ14と第1のアレイ16
とは光導波路22の断面中心線と光ファイバ10の断面
中心線が同軸、すなわち、光軸のずれが0.2μm以下
となるように、図4中、上下方向および紙面垂直方向に
位置決めされている。本実施の形態では、仮に真の間隙
の幅Wのばらつきが±2μm程度生じたとしても光軸の
ずれは±0.1度程度の許容範囲内に収まることから結
合損失の増加の問題を生じることがなく、また、温度特
性の劣化や光導波路チップ14および第1のアレイ16
の作製上の寸法のばらつきを考慮すると、真の間隙の幅
Wを約8μmに設定することが望ましい。
2を伝搬する光の偏波面の方向の端面14aの高さ(図
4中、上下方向)が約1mmであり、Tiの拡散により
光導波路チップ14表層に形成される光導波路22の高
さ(図4中、上下方向)は数μmである。なお、光導波
路チップ14の幅(図4中、紙面垂直方向)は約2mm
であり、光導波路22の幅(図4中、紙面垂直方向)は
数μmである。光導波路チップ14と第1のアレイ16
とは光導波路22の断面中心線と光ファイバ10の断面
中心線が同軸、すなわち、光軸のずれが0.2μm以下
となるように、図4中、上下方向および紙面垂直方向に
位置決めされている。本実施の形態では、仮に真の間隙
の幅Wのばらつきが±2μm程度生じたとしても光軸の
ずれは±0.1度程度の許容範囲内に収まることから結
合損失の増加の問題を生じることがなく、また、温度特
性の劣化や光導波路チップ14および第1のアレイ16
の作製上の寸法のばらつきを考慮すると、真の間隙の幅
Wを約8μmに設定することが望ましい。
【0030】前記間隙に、紫外線硬化型接着用樹脂層3
8として製品使用時の耐湿性の確保と熱膨張の抑制に配
慮したピグテイル用樹脂(ダイキン工業社製 商品名
「UV−3000」)を充填する。次いで、図4中、上
下方向の2箇所より、高圧水銀ランプ(300〜400
nm)を光源とする紫外線照射装置40a、40bを用
いて紫外線を照射する。このときの紫外線照射条件は、
各紫外線照射装置40a、40bとも、紫外線の照射強
度を150mW/cm2 に設定して60秒間照射する。
このとき、照射量は9000mJ/cm2 である。な
お、3以上の方向から紫外線を照射するときは、第1の
アレイ16と光導波路チップ14の接合面を中心におい
て、それぞれ均等に分割した角度(例えば、3方向から
のときは、120度の角度)から行うことが好ましい。
8として製品使用時の耐湿性の確保と熱膨張の抑制に配
慮したピグテイル用樹脂(ダイキン工業社製 商品名
「UV−3000」)を充填する。次いで、図4中、上
下方向の2箇所より、高圧水銀ランプ(300〜400
nm)を光源とする紫外線照射装置40a、40bを用
いて紫外線を照射する。このときの紫外線照射条件は、
各紫外線照射装置40a、40bとも、紫外線の照射強
度を150mW/cm2 に設定して60秒間照射する。
このとき、照射量は9000mJ/cm2 である。な
お、3以上の方向から紫外線を照射するときは、第1の
アレイ16と光導波路チップ14の接合面を中心におい
て、それぞれ均等に分割した角度(例えば、3方向から
のときは、120度の角度)から行うことが好ましい。
【0031】上記紫外線照射条件は、以下の検討結果に
基づいて設定したものである。
基づいて設定したものである。
【0032】まず、図5、図6に1方向および対向する
2方向からそれぞれ紫外線を照射したときの結合損失の
劣化のばらつきを示す。図5は、従来の方法として、1
方向から照射出力50mWで180秒間照射した29個
のサンプルについて、結合損失の劣化レベルごとの出現
頻度(個数)を示したものである。一方、図6は、本実
施の形態に係る方法として、対向する2方向からそれぞ
れ照射出力150mWで60秒間照射した約400個の
サンプルについて、図5の場合と同様に、結合損失の劣
化レベルごとの出現頻度(個数)を示したものである。
2方向からそれぞれ紫外線を照射したときの結合損失の
劣化のばらつきを示す。図5は、従来の方法として、1
方向から照射出力50mWで180秒間照射した29個
のサンプルについて、結合損失の劣化レベルごとの出現
頻度(個数)を示したものである。一方、図6は、本実
施の形態に係る方法として、対向する2方向からそれぞ
れ照射出力150mWで60秒間照射した約400個の
サンプルについて、図5の場合と同様に、結合損失の劣
化レベルごとの出現頻度(個数)を示したものである。
【0033】結合損失の劣化は、1方向から紫外線を照
射した場合の中央値が0.6dBであるのに対して、対
向する2方向から紫外線を照射した場合の中央値が0d
Bであり、対向する2方向から紫外線を照射することに
より結合損失の劣化が大幅に改善されることがわかっ
た。
射した場合の中央値が0.6dBであるのに対して、対
向する2方向から紫外線を照射した場合の中央値が0d
Bであり、対向する2方向から紫外線を照射することに
より結合損失の劣化が大幅に改善されることがわかっ
た。
【0034】図7に、対向する2方向からの紫外線の照
射量を変えて照射したときの2方向からの紫外線の照射
量の差と結合損失の劣化との関係を示す。具体的には、
照射時間をそれぞれ60秒に固定し、照射出力を一方は
50mWに固定し他方は0mWから漸次増加する方法で
行った。結合損失の劣化は、紫外線の照射量の差が0m
J/cm2 のときの結合損失の劣化0.08dBを頂点
としてほぼ2次曲線的に増加する傾向を示した。実用上
許容できる結合損失の劣化の上限は約0.1dBであ
り、したがって、異なる方向からの紫外線の照射量の差
を600mJ/cm2 以下とすることが望ましいことが
わかった。また、紫外線の照射強度の差が10mW/c
m2 超えると結合損失の劣化が0.1dBを超えること
から、紫外線の照射強度の差は10mW/cm2 以下と
することが望ましいこともわかった(図8参照)。
射量を変えて照射したときの2方向からの紫外線の照射
量の差と結合損失の劣化との関係を示す。具体的には、
照射時間をそれぞれ60秒に固定し、照射出力を一方は
50mWに固定し他方は0mWから漸次増加する方法で
行った。結合損失の劣化は、紫外線の照射量の差が0m
J/cm2 のときの結合損失の劣化0.08dBを頂点
としてほぼ2次曲線的に増加する傾向を示した。実用上
許容できる結合損失の劣化の上限は約0.1dBであ
り、したがって、異なる方向からの紫外線の照射量の差
を600mJ/cm2 以下とすることが望ましいことが
わかった。また、紫外線の照射強度の差が10mW/c
m2 超えると結合損失の劣化が0.1dBを超えること
から、紫外線の照射強度の差は10mW/cm2 以下と
することが望ましいこともわかった(図8参照)。
【0035】図9に、対向する2方向からの紫外線の照
射量を変えて照射したときの結合損失の劣化と温度特性
試験中の損失の増減最大値との関係を示し、図10に、
該結合損失の劣化と温度特性試験中の分岐比の変動との
関係を示す。このデータには紫外線の照射量の差が60
0mJ/cm2 を超えるものも含んでおり、図9および
図10中、結合損失の劣化が0dBおよびその近傍、
0.15dBのものは紫外線の照射量の差が600mJ
/cm2 以下の条件で照射したものであり、結合損失の
劣化が0.55dB、1.22dBのものは紫外線の照
射量の差が600mJ/cm2 を超える条件で照射した
ものである。ここで、温度特性試験は、図11に示すよ
うに、85℃と−40℃との間の一定の温度変化パター
ンを8時間サイクルで3サイクル繰り返し、試験中もリ
アルタイムで導波路の損失の増減と導波路の分岐比の変
動をみたものである。本実施の形態に係る光導波路チッ
プは、導波路の損失の増減の最大値が0.7dB以下、
導波路の分岐比の変動が3%以下となって、良好である
ことがわかった。
射量を変えて照射したときの結合損失の劣化と温度特性
試験中の損失の増減最大値との関係を示し、図10に、
該結合損失の劣化と温度特性試験中の分岐比の変動との
関係を示す。このデータには紫外線の照射量の差が60
0mJ/cm2 を超えるものも含んでおり、図9および
図10中、結合損失の劣化が0dBおよびその近傍、
0.15dBのものは紫外線の照射量の差が600mJ
/cm2 以下の条件で照射したものであり、結合損失の
劣化が0.55dB、1.22dBのものは紫外線の照
射量の差が600mJ/cm2 を超える条件で照射した
ものである。ここで、温度特性試験は、図11に示すよ
うに、85℃と−40℃との間の一定の温度変化パター
ンを8時間サイクルで3サイクル繰り返し、試験中もリ
アルタイムで導波路の損失の増減と導波路の分岐比の変
動をみたものである。本実施の形態に係る光導波路チッ
プは、導波路の損失の増減の最大値が0.7dB以下、
導波路の分岐比の変動が3%以下となって、良好である
ことがわかった。
【0036】これにより、本実施の形態に係る方法によ
り接合された光導波路チップ14および光ファイバアレ
イ16、18が完成する。
り接合された光導波路チップ14および光ファイバアレ
イ16、18が完成する。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光フ
ァイバアレイと光導波路チップの接合方法では、両者の
光軸を合わせて接合する方法において、前記光ファイバ
アレイと光導波路チップとの接合面に所定の幅の間隙を
設け、該間隙に接着用樹脂を充填し、紫外線を照射する
ことによって該樹脂を硬化して該光ファイバアレイと光
導波路チップとを接合するに際し、少なくとも対向する
方向を含む2以上の方向から紫外線を照射し、前記2以
上の方向から照射する紫外線の照射量の差を600mJ
/cm2 以下とする。
ァイバアレイと光導波路チップの接合方法では、両者の
光軸を合わせて接合する方法において、前記光ファイバ
アレイと光導波路チップとの接合面に所定の幅の間隙を
設け、該間隙に接着用樹脂を充填し、紫外線を照射する
ことによって該樹脂を硬化して該光ファイバアレイと光
導波路チップとを接合するに際し、少なくとも対向する
方向を含む2以上の方向から紫外線を照射し、前記2以
上の方向から照射する紫外線の照射量の差を600mJ
/cm2 以下とする。
【0038】このことから、光ファイバアレイと光導波
路チップの接合面における平行度を維持、確保すること
ができ、結合損失の劣化や温度特性試験における劣化の
少ない光導波路チップを得ることができるという効果が
得られる。また、2以上の各方向からの紫外線の照射強
度を大きくして、紫外線の照射時間を短縮することがで
きる。この場合、2以上の各方向から照射する紫外線の
照射強度の差を10mW/cm2 以下とすることによ
り、本発明の効果を一層発揮することができる。
路チップの接合面における平行度を維持、確保すること
ができ、結合損失の劣化や温度特性試験における劣化の
少ない光導波路チップを得ることができるという効果が
得られる。また、2以上の各方向からの紫外線の照射強
度を大きくして、紫外線の照射時間を短縮することがで
きる。この場合、2以上の各方向から照射する紫外線の
照射強度の差を10mW/cm2 以下とすることによ
り、本発明の効果を一層発揮することができる。
【0039】また、前記光ファイバアレイと光導波路チ
ップとの接合面における光軸のずれを0.2μm以下に
設定するとともに前記間隙の幅を6〜10μmの範囲内
に設定した後、該間隙に前記接着用樹脂を充填すること
により、前記した本発明の効果を一層発揮することがで
きる。
ップとの接合面における光軸のずれを0.2μm以下に
設定するとともに前記間隙の幅を6〜10μmの範囲内
に設定した後、該間隙に前記接着用樹脂を充填すること
により、前記した本発明の効果を一層発揮することがで
きる。
【図1】本実施の形態に係る光ファイバアレイにより接
続された光ファイバと光導波路チップの斜視図である。
続された光ファイバと光導波路チップの斜視図である。
【図2】前記光ファイバアレイに端部が分岐した光ファ
イバが固着された状態を示す分解斜視説明図である。
イバが固着された状態を示す分解斜視説明図である。
【図3】前記光ファイバアレイに端部が1本である光フ
ァイバが固着された状態を示す分解斜視説明図である。
ァイバが固着された状態を示す分解斜視説明図である。
【図4】本実施の形態に係る光ファイバアレイと光導波
路チップとの接合部の部分拡大断面図である。
路チップとの接合部の部分拡大断面図である。
【図5】1方向から紫外線を照射する従来の接合方法を
用いて接合した光ファイバアレイと光導波路チップの結
合損失の劣化のばらつきの出現頻度を示す図である。
用いて接合した光ファイバアレイと光導波路チップの結
合損失の劣化のばらつきの出現頻度を示す図である。
【図6】対向する2方向から所定の条件で紫外線を照射
する本実施の形態に係る接合方法を用いて接合した光フ
ァイバアレイと光導波路チップの結合損失の劣化のばら
つきの出現頻度を示す図である。
する本実施の形態に係る接合方法を用いて接合した光フ
ァイバアレイと光導波路チップの結合損失の劣化のばら
つきの出現頻度を示す図である。
【図7】対向する2方向からの紫外線の照射量を変えて
照射したときの照射量の差と結合損失の劣化との関係を
示す図である。
照射したときの照射量の差と結合損失の劣化との関係を
示す図である。
【図8】対向する2方向からの紫外線の照射量を変えて
照射したときの照射強度の差と結合損失の劣化との関係
を示す図である。
照射したときの照射強度の差と結合損失の劣化との関係
を示す図である。
【図9】対向する2方向からの紫外線の照射量を変えて
照射したときの結合損失の劣化と高温環境下の劣化試験
評価における導波路の損失の増減最大値との関係を示す
図である。
照射したときの結合損失の劣化と高温環境下の劣化試験
評価における導波路の損失の増減最大値との関係を示す
図である。
【図10】対向する2方向からの紫外線の照射量を変え
て照射したときの結合損失の劣化と高温環境下の劣化試
験評価における導波路の分岐比の変動との関係を示す図
である。
て照射したときの結合損失の劣化と高温環境下の劣化試
験評価における導波路の分岐比の変動との関係を示す図
である。
【図11】温度特性試験における1サイクルの温度変化
パターンを示す図である。
パターンを示す図である。
【図12】接合面に対して1方向から紫外線を照射する
従来の接合方法を説明するための図である。
従来の接合方法を説明するための図である。
10、12…光ファイバ 14…光導波路チッ
プ 14a、16a…端面 16、18…アレイ 20…LiNbO3 基板 22…光導波路 24…金属電極 26…偏光子 30a、30b、34…溝 32、36…座繰り
部 38…接着用樹脂層 40a、40b…紫
外線照射装置 L…間隙の幅
プ 14a、16a…端面 16、18…アレイ 20…LiNbO3 基板 22…光導波路 24…金属電極 26…偏光子 30a、30b、34…溝 32、36…座繰り
部 38…接着用樹脂層 40a、40b…紫
外線照射装置 L…間隙の幅
Claims (3)
- 【請求項1】光ファイバアレイと光導波路チップとを光
軸を合わせて接合する方法において、 前記光ファイバアレイと光導波路チップとの接合面に所
定の幅の間隙を設け、該間隙に接着用樹脂を充填し、紫
外線を照射することによって該接着用樹脂を硬化して該
光ファイバアレイと光導波路チップとを接合するに際
し、 少なくとも対向する方向を含む2以上の方向から紫外線
を照射し、 前記2以上の方向から照射する紫外線の照射量の差を6
00mJ/cm2 以下とすることを特徴とする光ファイ
バアレイと光導波路チップの接合方法。 - 【請求項2】請求項1記載の光ファイバアレイと光導波
路チップの接合方法において、 前記2以上の方向から照射する紫外線の照射強度の差を
10mW/cm2 以下とすることを特徴とする光ファイ
バアレイと光導波路チップの接合方法。 - 【請求項3】請求項1または2記載の光ファイバアレイ
と光導波路チップの接合方法において、 前記光ファイバアレイと光導波路チップとの接合面にお
ける光軸のずれを0.2μm以下に設定するとともに前
記間隙の幅を6〜10μmの範囲内に設定した後、該間
隙に前記接着用樹脂を充填することを特徴とする光ファ
イバアレイと光導波路チップの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7904498A JPH11271561A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 光ファイバアレイと光導波路チップの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7904498A JPH11271561A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 光ファイバアレイと光導波路チップの接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11271561A true JPH11271561A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13678918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7904498A Pending JPH11271561A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 光ファイバアレイと光導波路チップの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11271561A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010286734A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路接合体 |
| US20220385373A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Fujitsu Limited | Wavelength converter, optical communication apparatus, and optical waveguide substrate |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP7904498A patent/JPH11271561A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010286734A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路接合体 |
| US20220385373A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Fujitsu Limited | Wavelength converter, optical communication apparatus, and optical waveguide substrate |
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