JPH11272229A - 発光素子制御装置 - Google Patents
発光素子制御装置Info
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- JPH11272229A JPH11272229A JP10077877A JP7787798A JPH11272229A JP H11272229 A JPH11272229 A JP H11272229A JP 10077877 A JP10077877 A JP 10077877A JP 7787798 A JP7787798 A JP 7787798A JP H11272229 A JPH11272229 A JP H11272229A
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- light
- light emitting
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- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機EL素子のような発光素子を用いたディ
スプレイにおいて、発光素子の輝度ばらつきを抑制し、
かつ発光素子を発光させる場合の時間遅れを少なくす
る。 【解決手段】 表示パネル1の各データ線に高速定電流
回路31が設けられている。この高速定電流回路31に
おいては、シリアルパラレル変換器30からローレベル
の電圧が出力されると、トランジスタ310がオンし、
トランジスタ311に直ちにベース電流を供給して、発
光素子に電流を供給し、発光素子を発光させる。この発
光後に、発光素子に流れる電流を電流検出用抵抗322
により電圧として検出し、その電圧と抵抗313、31
4にて分圧された基準電圧とに基づき、オペアンプ31
2にて、トランジスタ311のベース電流を制御し、発
光素子に流れる電流を定電流制御する。
スプレイにおいて、発光素子の輝度ばらつきを抑制し、
かつ発光素子を発光させる場合の時間遅れを少なくす
る。 【解決手段】 表示パネル1の各データ線に高速定電流
回路31が設けられている。この高速定電流回路31に
おいては、シリアルパラレル変換器30からローレベル
の電圧が出力されると、トランジスタ310がオンし、
トランジスタ311に直ちにベース電流を供給して、発
光素子に電流を供給し、発光素子を発光させる。この発
光後に、発光素子に流れる電流を電流検出用抵抗322
により電圧として検出し、その電圧と抵抗313、31
4にて分圧された基準電圧とに基づき、オペアンプ31
2にて、トランジスタ311のベース電流を制御し、発
光素子に流れる電流を定電流制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機EL素子など
の発光素子を発光制御する発光素子制御装置に関する。
の発光素子を発光制御する発光素子制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、有機EL素子をマトリクス状に配
置して、画像表示を行うようにしたものがある。図2
に、その構成を示す。有機ELパネル1には、n本の走
査線とm本のデータ線がそれぞれ直交するように配置さ
れており、走査線とデータ線が直交する部分に発光素子
(図ではダイオードの記号で示す)が形成されている。
そして、走査ドライバ2は、各走査線に順次走査電圧を
供給し、データドライバ3は、各データ線を選択的に接
地する。そして、走査電圧が供給された走査線と接地さ
れたデータ線が交差する部分の発光素子に電流が流れ、
その発光素子が発光する。
置して、画像表示を行うようにしたものがある。図2
に、その構成を示す。有機ELパネル1には、n本の走
査線とm本のデータ線がそれぞれ直交するように配置さ
れており、走査線とデータ線が直交する部分に発光素子
(図ではダイオードの記号で示す)が形成されている。
そして、走査ドライバ2は、各走査線に順次走査電圧を
供給し、データドライバ3は、各データ線を選択的に接
地する。そして、走査電圧が供給された走査線と接地さ
れたデータ線が交差する部分の発光素子に電流が流れ、
その発光素子が発光する。
【0003】ここで、図に示すように、走査線には発光
素子間にシート抵抗rR が存在し、データ線には発光素
子間にシート抵抗rc が存在している。このため、発光
する発光素子内を流れる電流に差が生じ、発光素子の位
置によって発光輝度にばらつきが生じる。例えば、図2
中の2つの発光素子A、Bにおいて、発光素子の内部抵
抗をR、発光素子に印加する電圧をEとしたとき、発光
素子Aに流れる電流I A はE/(rR +n・rc +R)
となり、発光素子Bに流れる電流IB はE/(m・rR
+n・rc +R)となるため、発光素子A、B間に流れ
る電流に差が生じ、発光輝度が相違する。
素子間にシート抵抗rR が存在し、データ線には発光素
子間にシート抵抗rc が存在している。このため、発光
する発光素子内を流れる電流に差が生じ、発光素子の位
置によって発光輝度にばらつきが生じる。例えば、図2
中の2つの発光素子A、Bにおいて、発光素子の内部抵
抗をR、発光素子に印加する電圧をEとしたとき、発光
素子Aに流れる電流I A はE/(rR +n・rc +R)
となり、発光素子Bに流れる電流IB はE/(m・rR
+n・rc +R)となるため、発光素子A、B間に流れ
る電流に差が生じ、発光輝度が相違する。
【0004】そこで、このような発光輝度のばらつきを
抑えるため、特開平9−115673号公報には、発光
素子に流れる電流を定電流駆動する定電流回路をデータ
ドライバに設けたものが記載されている。この定電流回
路は、発光素子を発光させるための輝度信号電圧と発光
素子に流れる電流に応じた電圧をオペアンプにて比較
し、発光素子に流れる電流を制御するFETのゲート電
圧を制御するように構成されている。
抑えるため、特開平9−115673号公報には、発光
素子に流れる電流を定電流駆動する定電流回路をデータ
ドライバに設けたものが記載されている。この定電流回
路は、発光素子を発光させるための輝度信号電圧と発光
素子に流れる電流に応じた電圧をオペアンプにて比較
し、発光素子に流れる電流を制御するFETのゲート電
圧を制御するように構成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載されたものでは、発光素子を発光させるための
輝度信号電圧が出力された後、オペアンプからFETの
ゲートにゲート電圧が出力されるまでの時間遅れが大き
く、その時間遅れはオペアンプによっては数μ秒〜数十
μ秒となる。この時間遅れは、精密に輝度を管理する必
要のある有機ELディスプレイにおいては、問題とな
る。
報に記載されたものでは、発光素子を発光させるための
輝度信号電圧が出力された後、オペアンプからFETの
ゲートにゲート電圧が出力されるまでの時間遅れが大き
く、その時間遅れはオペアンプによっては数μ秒〜数十
μ秒となる。この時間遅れは、精密に輝度を管理する必
要のある有機ELディスプレイにおいては、問題とな
る。
【0006】本発明は上記問題に鑑みたもので、発光素
子の輝度ばらつきを抑制し、かつ発光素子を発光させる
場合の時間遅れを少なくすることを目的とする。
子の輝度ばらつきを抑制し、かつ発光素子を発光させる
場合の時間遅れを少なくすることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1、2に記載の発明によれば、出力手段から
発光選択信号が出力されると、その発光選択信号によっ
て直ちに発光素子に発光用の電流が供給され、発光素子
が発光する。従って、発光素子を発光させる場合の時間
遅れを少なくすることができる。
め、請求項1、2に記載の発明によれば、出力手段から
発光選択信号が出力されると、その発光選択信号によっ
て直ちに発光素子に発光用の電流が供給され、発光素子
が発光する。従って、発光素子を発光させる場合の時間
遅れを少なくすることができる。
【0008】また、この発光後に、発光素子に流れる電
流を検出し、その発光電圧と基準電圧とに基づいて、発
光素子に流れる電流を定電流制御するようにしているか
ら、発光素子の輝度ばらつきを抑制することができる。
この場合、定電流制御を行う演算手段としては、請求項
2に記載の発明のように演算増幅器を有して構成するこ
とができ、その際、請求項3に記載の発明のように、演
算増幅器の出力端子からゲイン調整用の抵抗を介して、
発光選択信号が電流検出手段側に流れるのを阻止する阻
止手段を設けるようにすれば、精度よく定電流制御を行
うことができる。
流を検出し、その発光電圧と基準電圧とに基づいて、発
光素子に流れる電流を定電流制御するようにしているか
ら、発光素子の輝度ばらつきを抑制することができる。
この場合、定電流制御を行う演算手段としては、請求項
2に記載の発明のように演算増幅器を有して構成するこ
とができ、その際、請求項3に記載の発明のように、演
算増幅器の出力端子からゲイン調整用の抵抗を介して、
発光選択信号が電流検出手段側に流れるのを阻止する阻
止手段を設けるようにすれば、精度よく定電流制御を行
うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図1に、データドライバ3の構成を
示す。データドライバ3は、シリアルパラレル変換器3
0と、データ線のそれぞれに接続された高速定電流回路
31を有している。
について説明する。図1に、データドライバ3の構成を
示す。データドライバ3は、シリアルパラレル変換器3
0と、データ線のそれぞれに接続された高速定電流回路
31を有している。
【0010】シリアルパラレル変換器30は、発光素子
を発光させる列にローレベルの信号を出力し、発光素子
を発光させない列にハイレベルの信号を出力する。高速
定電流回路31は、トランジスタ310、311、オペ
アンプ312、抵抗313〜322、ダイオード32
3、コンデンサ324、325から構成されている。そ
して、シリアルパラレル変換器30からローレベルの信
号が出力されると、トランジスタ310がオンし、この
トランジスタ310のコレクタ端子から発光素子を発光
させるための発光選択信号が出力され、抵抗320、3
21を介してトランジスタ311のベース端子に電流が
直接供給される。このベース電流によって、トランジス
タ311は、データ線に接続された発光素子に電流Im
を供給する。
を発光させる列にローレベルの信号を出力し、発光素子
を発光させない列にハイレベルの信号を出力する。高速
定電流回路31は、トランジスタ310、311、オペ
アンプ312、抵抗313〜322、ダイオード32
3、コンデンサ324、325から構成されている。そ
して、シリアルパラレル変換器30からローレベルの信
号が出力されると、トランジスタ310がオンし、この
トランジスタ310のコレクタ端子から発光素子を発光
させるための発光選択信号が出力され、抵抗320、3
21を介してトランジスタ311のベース端子に電流が
直接供給される。このベース電流によって、トランジス
タ311は、データ線に接続された発光素子に電流Im
を供給する。
【0011】そして、電流Imによって電流検出用抵抗
322から検出電圧(発光電圧)Vmが出力される。ま
た、トランジスタ310のコレクタ端子と接地間に設け
られた抵抗313、314により分圧された基準電圧V
pが出力されている。また、オペアンプ312、抵抗3
16〜318、ダイオード323、コンデンサ324は
演算手段を構成している。この演算手段は、電流検出用
抵抗322によって検出された検出電圧Vmが、トラン
ジスタ310のコレクタ端子から出力される発光選択信
号に基づいて作成された基準電圧Vpに対応した値にな
るように、オペアンプ312の出力端子から制御電圧を
出力し、トランジスタ311のベース電流を制御する。
すなわち、オペアンプ312は、検出電圧Vm、基準電
圧Vpと、抵抗316〜318で決定されるゲインに応
じた電圧を出力端子から出力し、トランジスタ311の
ベース電流を制御する。この場合、トランジスタ311
のベース電流は、トランジスタ310のコレクタ端子か
らの供給電流を増減補正したものとなる。
322から検出電圧(発光電圧)Vmが出力される。ま
た、トランジスタ310のコレクタ端子と接地間に設け
られた抵抗313、314により分圧された基準電圧V
pが出力されている。また、オペアンプ312、抵抗3
16〜318、ダイオード323、コンデンサ324は
演算手段を構成している。この演算手段は、電流検出用
抵抗322によって検出された検出電圧Vmが、トラン
ジスタ310のコレクタ端子から出力される発光選択信
号に基づいて作成された基準電圧Vpに対応した値にな
るように、オペアンプ312の出力端子から制御電圧を
出力し、トランジスタ311のベース電流を制御する。
すなわち、オペアンプ312は、検出電圧Vm、基準電
圧Vpと、抵抗316〜318で決定されるゲインに応
じた電圧を出力端子から出力し、トランジスタ311の
ベース電流を制御する。この場合、トランジスタ311
のベース電流は、トランジスタ310のコレクタ端子か
らの供給電流を増減補正したものとなる。
【0012】このようにトランジスタ311のベース電
流を制御することによって、発光素子に流れる電流Im
を定電流制御することができる。また、抵抗317に直
列接続されたダイオード323は、トランジスタ310
のコレクタ端子からの供給電流が、抵抗317、318
を介し電流検出用抵抗322に流れ込んで、高速定電流
回路31の精度が低下するのを防止するために設けられ
ている。
流を制御することによって、発光素子に流れる電流Im
を定電流制御することができる。また、抵抗317に直
列接続されたダイオード323は、トランジスタ310
のコレクタ端子からの供給電流が、抵抗317、318
を介し電流検出用抵抗322に流れ込んで、高速定電流
回路31の精度が低下するのを防止するために設けられ
ている。
【0013】なお、トランジスタ310は、高速かつ低
Vceの電力供給スイッチングトランジスタであり、コン
デンサ325はトランジスタ311のスイッチングスピ
ードを向上させるスピードアップコンデンサである。ま
た、324は位相補償用コンデンサである。上記した実
施形態によれば、シリアルパラレル変換器30からロー
レベルの輝度信号電圧が出力されると、トランジスタ3
10がオンする。そして、トランジスタ310のコレク
タ端子からの出力が、抵抗320、321を介してトラ
ンジスタ311のベース端子に直接入力され、発光素子
に電流Imが供給される。従って、輝度信号電圧が出力
されてからトランジスタ311のベース端子に電流が供
給されるまでの時間遅れを非常に少なくすることがで
き、有機ELディスプレイにおける輝度管理を精密に行
うことができる。
Vceの電力供給スイッチングトランジスタであり、コン
デンサ325はトランジスタ311のスイッチングスピ
ードを向上させるスピードアップコンデンサである。ま
た、324は位相補償用コンデンサである。上記した実
施形態によれば、シリアルパラレル変換器30からロー
レベルの輝度信号電圧が出力されると、トランジスタ3
10がオンする。そして、トランジスタ310のコレク
タ端子からの出力が、抵抗320、321を介してトラ
ンジスタ311のベース端子に直接入力され、発光素子
に電流Imが供給される。従って、輝度信号電圧が出力
されてからトランジスタ311のベース端子に電流が供
給されるまでの時間遅れを非常に少なくすることがで
き、有機ELディスプレイにおける輝度管理を精密に行
うことができる。
【0014】また、オペアンプ312を用いた負帰還制
御によって、発光素子に流れる電流Imを一定にするこ
とができ、発光輝度のばらつきを抑制することができ
る。なお、上記した実施形態においては、発光素子とし
て有機EL素子に適用するものを示したが、発光ダイオ
ードなど他の発光素子にも同様に適用することができ
る。
御によって、発光素子に流れる電流Imを一定にするこ
とができ、発光輝度のばらつきを抑制することができ
る。なお、上記した実施形態においては、発光素子とし
て有機EL素子に適用するものを示したが、発光ダイオ
ードなど他の発光素子にも同様に適用することができ
る。
【図1】本発明の一実施形態にかかる高速定電流回路の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図2】有機EL表示装置の構成を示す図である。
1…有機ELパネル、2…走査ドライバ、3…データド
ライバ、30…シリアルパラレル変換器、31…高速定
電流回路。
ライバ、30…シリアルパラレル変換器、31…高速定
電流回路。
Claims (3)
- 【請求項1】 発光素子を定電流駆動する定電流駆動手
段(31)を備えた発光素子制御装置において、 前記定電流駆動手段が、 前記発光素子を発光させるための発光選択信号を出力す
る出力手段(310)と、 前記出力された発光選択信号が制御信号として直接入力
され、入力された制御信号に応じて前記発光素子に流れ
る電流を制御する電流制御手段(311)と、 前記発光素子に流れる電流を発光電圧として検出する電
流検出手段(322)と、 前記検出された発光電圧と基準電圧とに基づいて、前記
電流供給手段に入力される制御信号を補正する演算手段
(312、315〜318、323、324)とを有し
て構成されていることを特徴とする発光素子制御装置。 - 【請求項2】 発光素子を定電流駆動する定電流駆動手
段(31)を備えた発光素子制御装置において、 前記定電流駆動手段が、 前記発光素子を発光させるための発光選択信号を出力端
子に出力する出力手段(310)と、 この出力手段の出力端子と電気接続された制御端子を有
し、前記発光選択信号が制御信号として前記制御端子に
直接入力され、入力された制御信号に応じて前記発光素
子に流れる電流を制御するトランジスタ手段(311)
と、 前記発光素子に流れる電流を発光電圧として検出する電
流検出手段(322)と、 入力端子が前記電流検出手段に電気接続され、出力端子
が前記トランジスタ手段の制御端子に電気接続された演
算増幅器(312)を有し、前記検出された発光電圧と
基準電圧とに基づいて、前記トランジスタ手段の制御端
子に入力される制御信号を補正する演算手段(312、
315〜318、323、324)とを有して構成され
ていることを特徴とする発光素子制御装置。 - 【請求項3】 前記演算増幅器には、その出力端子から
ゲイン調整用の抵抗(317、318)を介して、前記
発光選択信号が前記電流検出手段側に流れるのを阻止す
る阻止手段(323)が設けられていることを特徴とす
る請求項2に記載の発光素子制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077877A JPH11272229A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 発光素子制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077877A JPH11272229A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 発光素子制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11272229A true JPH11272229A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13646303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10077877A Pending JPH11272229A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 発光素子制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11272229A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474275B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2005-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 소자 구동장치 |
| KR100672625B1 (ko) * | 2000-12-23 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법 |
| US7450094B2 (en) | 2005-09-27 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
| CN100463038C (zh) * | 2005-09-27 | 2009-02-18 | 乐金显示有限公司 | 发光器件及其驱动方法 |
| US7598935B2 (en) | 2005-05-17 | 2009-10-06 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device with cross-talk preventing circuit and method of driving the same |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP10077877A patent/JPH11272229A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100672625B1 (ko) * | 2000-12-23 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법 |
| KR100474275B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2005-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 소자 구동장치 |
| US7598935B2 (en) | 2005-05-17 | 2009-10-06 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device with cross-talk preventing circuit and method of driving the same |
| US7450094B2 (en) | 2005-09-27 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
| CN100463038C (zh) * | 2005-09-27 | 2009-02-18 | 乐金显示有限公司 | 发光器件及其驱动方法 |
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