JPH11272235A - エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路

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JPH11272235A
JPH11272235A JP10078770A JP7877098A JPH11272235A JP H11272235 A JPH11272235 A JP H11272235A JP 10078770 A JP10078770 A JP 10078770A JP 7877098 A JP7877098 A JP 7877098A JP H11272235 A JPH11272235 A JP H11272235A
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thin film
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film transistor
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Keiichi Sano
景一 佐野
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＥＬ素子への電流供給量の制御を容易に行う
ことができ、各表示画素間における発光量の均一性向上
を図るＥＬ表示装置の駆動回路を提供する。 【解決手段】 陽極、陰極及びこの両電極の間に挟まれ
た発光素子層から成るＥＬ素子４０と、ドレイン電極１
２がドレイン信号線Ｄに、ゲート電極１１がゲート信号
線Ｇにそれぞれ接続された第１のＴＦＴ１０と、ソース
電極が第３のＴＦＴ５２に、ドレイン電極が駆動電源５
０に、ゲート電極が第１のＴＦＴ１０のソース電極に接
続された第２のＴＦＴと、を備えており、その第２のＴ
ＦＴ２０とＥＬ素子４０との間に、１０ｋＨｚの外部信
号に応じてスイッチングする第３及び第４のＴＦＴ５
２，５６によって、第３及び第４のＴＦＴの間の充電用
容量５１に充電及び放電を繰り返し、その放電によって
ＥＬ素子４０に電流を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス（ElectroLuminescence：以下、「ＥＬ」と称
する。）素子及び薄膜トランジスタ（Thin Film Transi
stor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えたＥＬ表示
装置の駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＥＬ素子を用いたＥＬ表示装置
が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されて
いる。また、そのＥＬ素子を駆動させるスイッチング素
子としてＴＦＴを備えた表示装置も研究開発されてい
る。
【０００３】図５に、従来の有機ＥＬ表示装置の回路図
を示す。同図に示す如く、従来の有機ＥＬ表示装置の表
示画素１は、第１のＴＦＴ１００、第２のＴＦＴ２０
０、保持容量３００及び有機ＥＬ素子４００からなる。
ゲート信号を供給するゲート信号線Ｇとドレイン信号を
供給するドレイン信号線Ｄとが直交しており、両信号線
Ｇ、Ｄの交差点付近には、有機ＥＬ素子４００及びこの
有機ＥＬ素子４００を駆動するＴＦＴ１００，２００が
設けられている。
【０００４】まず、第１のＴＦＴ１００は、ゲート信号
線Ｇに接続されゲート信号が供給されるゲート電極１１
０と、ドレイン信号線Ｄに接続されドレイン信号が供給
されるドレイン電極１２０と、第２のＴＦＴ２００のゲ
ート電極２１０及び保持容量３００に接続されているソ
ース電極１３０とからなる。次に、第２のＴＦＴ２００
は、第１のＴＦＴ１００のソース電極１３０に接続され
ているゲート電極２１０と、有機ＥＬ素子４００の陽極
４１０に接続されたソース電極２２０と、有機ＥＬ素子
４００に供給され有機ＥＬ素子４００を駆動する駆動電
源５００に接続されたドレイン電極２３０とを備えてい
る。
【０００５】また、有機ＥＬ素子４００は、第２のＴＦ
Ｔ２００のソース電極２２０に接続された陽極４１０
と、画素電極６００に接続された陰極４２０、及びこの
陽極４１０及び陰極４２０の間に挟まれた発光素子層４
３０とから成る。ゲート信号線Ｇからゲート信号が第１
のＴＦＴ１００のゲート電極１１０に供給されると、第
１のＴＦＴ１００がオンになり、ドレイン信号線Ｄから
供給されたドレイン信号が第２のＴＦＴ２００のゲート
電極２１０及び保持容量３００に印加される。それによ
って、第２のＴＦＴ２００がオンになり駆動電源５００
から有機ＥＬ素子４００に第２のＴＦＴ２００のゲート
電圧に応じた電流が流れて有機ＥＬ素子４００の発光素
子層４３０が発光する。
【０００６】有機ＥＬ素子４００は、ＩＴＯ（Indium T
hin Oxide）等の透明電極から成る陽極４１０、ＭＴＤ
ＡＴＡ（4,4'-bis(3-methylphenylphenylamino)bipheny
l）から成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4',4"-tris
(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）からな
る第２ホール輸送層、キナクリドン（Quinacridone）誘
導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−
ベリリウム錯体）から成る発光層、Ｂｅｂｑ2から成る
電子輸送層の各層からなる発光素子層４３０、マグネシ
ウム・インジウム合金から成る陰極４２０がこの順番で
積層形成されている。
【０００７】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＥＬ表示装
置の面内において均一で安定した表示を得るためには各
表示画素のＥＬ素子を同一光量で発光させる必要がある
が、各表示画素に備えられた第２のＴＦＴ２００の特性
にはばらつきがあるため、上述の従来のＥＬ表示装置の
駆動回路ではＥＬ素子に供給する電流量を均一にするこ
とができず、その電流量の不均一が各表示画素毎の表示
むらとして現れるという欠点があった。
【０００９】即ち、ＴＦＴ製造中にマスクパターンずれ
等により各第２のＴＦＴのサイズがばらつき、各第２の
ＴＦＴにおいて同じゲート電圧が印加されてもドレイン
に流れる電流値がばらついてしまい、従ってＥＬ素子に
供給される電流値が各表示画素ごとに異なるのでＥＬ素
子の発光強度もばらつくことになるため、表示むらとし
て現れることになる。
【００１０】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、ＥＬ素子への電流供給量の制御
を容易に行うことができ、各表示画素間における発光量
の均一性向上を図ったＥＬ表示装置の駆動回路を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置の
駆動回路は、陽極及び陰極を備えたエレクトロルミネッ
センス素子と、ソース電極が保持容量に、ドレイン電極
がドレイン信号線に、ゲート電極がゲート信号線にそれ
ぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、ドレイン電
極がエレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に、ゲー
ト電極が第１の薄膜トランジスタのソース電極にそれぞ
れ接続された第２の薄膜トランジスタと、を備えてお
り、第２の薄膜トランジスタのソース電極と、エレクト
ロルミネッセンス素子の陽極との間に、所定周期の外部
信号に応じてスイッチングする第３及び第４の薄膜トラ
ンジスタと、この第３及び第４の薄膜トランジスタの間
に充電用容量とを備えたものである。
【００１２】また、第３の薄膜トランジスタと第４の薄
膜トランジスタは交互にオンオフする。また、本発明の
ＥＬ表示装置の駆動回路は、陽極、及び駆動電源に接続
された陰極を備えたエレクトロルミネッセンス素子と、
ソース電極が保持容量に、ドレイン電極がドレイン信号
線に、ゲート電極がゲート信号線にそれぞれ接続された
第１の薄膜トランジスタと、ドレイン電極が前記エレク
トロルミネッセンス素子の駆動電源に、ゲート電極が第
１の薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ接続され
た第２の薄膜トランジスタと、を備えており、第２の薄
膜トランジスタのソース電極とエレクトロルミネッセン
ス素子の陽極との間に、第１のダイオード及び第２のダ
イオードが直列に接続されるとともに、これら第１のダ
イオードと第２のダイオードとの間に充電用容量を備え
るとともに、周期的に異なる電位を供給する駆動電源を
備えている。
【００１３】
【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞本発明のＥ
Ｌ表示装置の駆動回路について以下に説明する。図１
は、本実施の形態の有機ＥＬ素子及びＴＦＴを備えたＥ
Ｌ表示装置の回路図であり、図２（ａ）は第１のＴＦＴ
のゲート電極に供給される信号ＶＧ１、（ｂ）は第２の
ＴＦＴのゲート電極に供給される信号ＶＧ２、（ｃ）は
駆動電源の信号Ｖ０、（ｄ）は第３のＴＦＴのゲート電
極に供給される信号ＶＧ３、（ｅ）は第４のＴＦＴのゲ
ート電極に供給される信号ＶＧ４、（ｆ）は充電用容量
に蓄積される信号ＶＣ、（ｇ）は有機ＥＬ素子の発光の
信号ＶＥＬの信号波形図である。
【００１４】本実施の形態のＥＬ表示装置の駆動回路
は、第１のＴＦＴ１０、第２のＴＦＴ２０、保持容量３
０、有機ＥＬ素子４０、駆動電源５０、第３及び第４の
ＴＦＴ５２，５６及び充電用容量５１とから成ってい
る。図１に示す如く、第１のＴＦＴ１１及び保持容量１
５は前述の従来と同様の回路構成及び駆動方法である。
【００１５】第２のＴＦＴ２０のゲート電極２１は、第
１のＴＦＴ１０のソース電極１３及び保持容量３０の一
方の電極に接続され、そのドレイン電極２３は有機ＥＬ
素子４０の駆動電源５０に接続されている。また、その
ソース電極２４は、第３のＴＦＴ５２のドレイン電極５
４に接続されている。第３及び第４のＴＦＴ５２，５６
のゲート電極５３，５７にはそれぞれ外部から周期的な
信号ＶＧ３，ＶＧ４が供給される。この信号ＶＧ３とＶ
Ｇ４とは互いに位相が反転した信号である。また第３の
ＴＦＴ５２のソース電極５５と第４のＴＦＴ５６のドレ
イン電極５８とは接続されている。この第３及び第４の
ＴＦＴ５２，５６の間には充電用容量５１が接続されて
いる。また、第４のＴＦＴ５６のソース電極５９は有機
ＥＬ素子４０の陽極４１に接続されており、有機ＥＬ素
子４０の陰極４２は表示電極６０に接続されている。
【００１６】このように構成された有機ＥＬ素子及びＴ
ＦＴからなる表示画素１がマトリクス状に配置されるこ
とにより、ＥＬ表示装置の表示パネルが形成されてい
る。次に、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法について図
１及び図２に従って説明する。第１のＴＦＴ１０のゲー
ト電極１１に図２（ａ）のようにゲート信号線Ｇのゲー
ト信号ＶＧ１が供給されて、第１のＴＦＴ１０がオン状
態になる。そうすると、ドレイン信号線Ｄからのドレイ
ン信号が第２のＴＦＴ２０のゲート電極２１及び保持容
量３０に供給され、図２（ｂ）に示すように第２のＴＦ
Ｔ２０にはＶＧ２が印加されてオン状態が１フィールド
期間保持される（このとき保持容量３０の一方の電極電
位ＶＣ１はＶＧ２と同じ電位となる）。
【００１７】そうすると、駆動電源５０（電位Ｖ０）よ
り、ゲート電極２１の電圧ＶＧ２に応じた電圧が第３の
ＴＦＴ５２のドレイン電極５４に供給される。このと
き、第３及び第４のＴＦＴ５２，５６のゲート電極５
３，５７には図２（ｄ）及び（ｅ）に示す信号電圧ＶＧ
３，ＶＧ４が供給される。同図の如く、信号ＶＧ３とＶ
Ｇ４とは互いに位相が反転しており、それによって第３
及び第４のＴＦＴ５２，５６は交互にオン状態になる。
【００１８】即ち、充電用容量５１の電圧ＶＣ２は、図
２（ｆ）のように、信号ＶＧ３がオン信号で信号ＶＧ４
がオフ信号になると充電され、信号ＶＧ３がオフ信号で
信号ＶＧ４がオン信号になると放電される。このように
信号ＶＧ３，ＶＧ４によって充放電（１発光サイクル）
が繰り返される。従って、第３のＴＦＴ５２がオン状態
になったときは第４のＴＦＴ５６がオフ状態であるか
ら、第２のＴＦＴ２０を介して第３のＴＦＴ５２のドレ
イン電極５４に供給された駆動電源５０の電圧は充電用
容量５１に蓄積される。
【００１９】また、第３のＴＦＴ５２がオフ状態になっ
たときは第４のＴＦＴ５６はオン状態であるから、充電
用容量５１に蓄積された電荷が放電される。こうして、
第３のＴＦＴ５２がオン状態のときに充電用容量５１に
充電された電荷が、第３のＴＦＴ５２がオフ状態で第４
のＴＦＴ５６がオン状態になったときに第４のＴＦＴ５
６のドレイン電極５８及びソース電極５９を介して有機
ＥＬ素子４０の陽極４１に供給される。そうすることに
より、図２（ｇ）のＶＥＬのように、電圧ＶＣ２に応じ
て１発光サイクル毎に有機ＥＬ素子４０が発光する。
【００２０】ここで、各表示画素における第２のＴＦＴ
の特性がそれぞればらついていても、有機ＥＬ素子には
安定して電流が供給されることについて説明する。ま
ず、あるゲート電圧を印加したときのドレインに流れる
電流値がそれぞれＩｄａ、Ｉｄｂ（Ｉｄａ＞Ｉｄｂ）で
ある、即ち電流特性のばらついた第２のＴＦＴａ，ｂが
あったと仮定する。
【００２１】従来のようなＥＬ表示装置の駆動回路を用
いた場合、電流値が異なるＴＦＴａ，ｂであると、一方
の電流値の高いＴＦＴａ（Ｉｄａ）は多くの電流を有機
ＥＬ素子に供給することができるのでそのＴＦＴａに接
続された有機ＥＬ素子の発光強度は強いが、他方の電流
値の低いＴＦＴｂ（Ｉｄｂ）はＴＦＴａのように多くの
電流を有機ＥＬ素子に供給することはできないため、そ
のＴＦＴｂに接続された有機ＥＬ素子の発光強度はＴＦ
Ｔａに接続された有機ＥＬ素子よりも発光強度が弱くな
る。従って、ＴＦＴａ及びＴＦＴｂに接続されたそれぞ
れの有機ＥＬ素子の明るさにばらつきが生じることにな
る。
【００２２】ところが、本発明のＥＬ表示装置の駆動回
路によれば、図１中の第２のＴＦＴ２０及び第３のＴＦ
Ｔ３０がオンになった場合、充電用容量５１には第２の
ＴＦＴ２０のゲートに印加された電圧ＶＧ２まで充電さ
れ（ＶＧ２＝ＶＣ２）、その充電された電圧に応じた電
流値が有機ＥＬ素子に供給されることになるので、上述
した各第２のＴＦＴａ，ｂのように電流特性が異なるＴ
ＦＴであったとしても、有機ＥＬ素子には同じ電流値が
供給されることになる。言い換えると、ＴＦＴの電流特
性に差があっても充電されるまでの時間は異なるものの
充電されて到達する充電尿容量の電圧は同じである。
【００２３】従って、有機ＥＬ素子に供給される電流は
充電用容量に充電された電圧に応じた電流であることか
ら、第２のＴＦＴの特性がばらついていたとしても有機
ＥＬ素子には同じ値の電流が流れることになる。即ち、
各第２のＴＦＴの特性がばらついていても、その特性に
は関係なく各表示画素の有機ＥＬ素子に同じ電流値を供
給することができるため、各有機ＥＬ素子の発光量が等
しくなり均一な明るさの表示を得ることができる。
【００２４】なお、第３及び第４のＴＦＴに外部より供
給する信号によるオンオフの繰り返し、即ち１フィール
ド期間の有機ＥＬ素子の１発光サイクルは第２のＴＦＴ
から充電用容量に印加されるまでの時間に応じて、例え
ば１０ｋＨｚのように決定すればよい。 ＜第２の実施形態＞以下に、本発明のＥＬ表示装置の駆
動回路の第２の実施形態を示す。
【００２５】図３は本発明の第２の実施形態の回路図で
あり、図４は、各信号の信号波形図である。図４（ａ）
は第１のＴＦＴのゲート電極に供給される信号ＶＧ１、
（ｂ）は第２のＴＦＴのゲート電極に供給される信号Ｖ
Ｇ２、（ｃ）は駆動電源の信号Ｖ０、（ｄ）は第１のダ
イオードに供給される信号ＶＤ１、（ｅ）は第２のダイ
オードに供給される信号ＶＤ２、（ｆ）は充電用容量に
蓄積される信号ＶＣ２、（ｇ）は有機ＥＬ素子の発光の
信号ＶＥＬの信号波形図である。
【００２６】図３に示す如く、第１のＴＦＴ２１及び保
持容量２３については第１の実施形態の回路構成及び駆
動と同じである。第２のＴＦＴ２０のゲート電極２１は
第１のＴＦＴ１０のソース電極１３及び保持容量３０の
一方の電極に接続され、そのドレイン電極２３は有機Ｅ
Ｌ素子４０の駆動電源５０に接続されている。また、そ
のソース電極２４は、第１のダイオード７０のアノード
７１に接続されている。
【００２７】第１のダイオード７０のカソード７２と、
第２のダイオード８０のアノード８１とは直列に接続さ
れている。この第１及び第２のダイオード７０，８０の
間には、充電用容量５１の一方の電極が接続されてい
る。充電用容量５１の他方の電極は接地されている。第
２のダイオード８０のカソード８２は有機ＥＬ素子４０
の陽極４１に接続されている。
【００２８】また、有機ＥＬ素子４０の陰極４２は駆動
電源５０に接続されている。このように構成された表示
画素１がマトリクス状に配置されることにより、有機Ｅ
Ｌ表示装置が形成される。ここで、駆動電源５０が供給
する電圧について図３及び図４に従って説明する。
【００２９】第１のＴＦＴ１０のゲート電極１１に図４
（ａ）のようにゲート信号線Ｇのゲート信号ＶＧ１が供
給されて、第１のＴＦＴ１０がオン状態になる。そうす
ると、ドレイン信号線Ｄからのドレイン信号が第２のＴ
ＦＴ２０のゲート電極２１及び保持容量３０に供給さ
れ、図４（ｂ）に示すように第２のＴＦＴ２０にはＶＧ
２が印加されてオン状態が１フィールド期間保持される
（このとき保持容量３０の一方の電極電位ＶＣ１はＶＧ
２と同じ電位となる）。
【００３０】駆動電源５０は、図４（ｃ）に示すように
所定の周期、例えば１０ｋＨｚの周波数で、有機ＥＬ素
子４０を発光させるための充電時電圧Ｖ１０と放電時電
圧Ｖ２０とを交互に供給している。このとき、充電時電
圧Ｖ１０は充電用容量５１に充電されている電圧よりも
高い電圧であり、放電時電圧Ｖ２０は充電用容量５１に
充電されている電圧よりも低い電圧である。
【００３１】即ち、駆動電源５０の電圧が充電時電圧Ｖ
１０の場合には、第１のダイオード７０の向きに電流が
流れて（図４（ｄ））充電用容量５１が充電され（図４
（ｆ））、駆動電源５０の電圧が放電時電圧Ｖ２０の場
合には、第２のダイオード８０の向きに電流が流れて
（図４（ｅ））充電用容量５１から放電されて（図４
（ｆ））有機ＥＬ素子４０にその電流が供給されて発光
する（図４（ｇ））。
【００３２】このとき、第１のダイオード７０の向きに
流れているときには他方のダイオード８０の向きには電
流は流れず、第２のダイオード８０の向きに電流が流れ
ているときには他方のダイオード７０には電流は流れな
い。従って、駆動電源５０の充電時電圧Ｖ１０と放電時
電圧Ｖ２０とが所定周期で交互に供給されることによ
り、充電用容量５１はその周期で充電と放電を繰り返す
ことになる。
【００３３】このように駆動電源５０の電圧が有機ＥＬ
素子４０に供給されて発光するまでの駆動方法につい
て、点線の枠で囲んだ領域の等価回路に注目して説明す
る。第２のＴＦＴ２０がオン状態になり（図４
（ｂ））、駆動電源５０より充電時電圧Ｖ１０が供給さ
れている期間、第１のダイオード７０を経由して充電用
容量５１に第２のＴＦＴ２０のゲート電圧ＶＧ２（図４
（ｂ））に応じた電圧が充電される。そして、その後駆
動電源５０が放電時電圧Ｖ２０に切り換わると充電用容
量５１に充電された電荷が第２のダイオード８０を経由
して有機ＥＬ素子４０に供給されて発光する。
【００３４】この動作が、保持容量３０にドレイン信号
を書き込んでいる期間、即ち１フィールドの間に上述の
如く例えば１０ｋＨｚの周波数で繰り返し行われる。こ
のように、保持容量にドレイン信号が１回書き込まれる
期間中に、充電時電圧Ｖ１０及び放電時電圧Ｖ２０が一
定周期で繰り返して駆動電源５０から供給されることに
よって充電用容量５１に電荷の充電及び放電が繰り返し
行われることになる。
【００３５】従って、第１の実施の形態で説明したよう
に、有機ＥＬ素子に供給される電流値は、充電用容量に
充電された電圧、即ち第２のＴＦＴのゲート電極の電圧
ＶＧ２に応じた電流値であるため、各表示画素の第２Ｔ
ＦＴの特性がばらついていたとしても、安定した電流を
有機ＥＬ素子に供給することができるので、各表示画素
において均一な発光量のＥＬ表示を得ることができる。
【００３６】なお、充電時電圧と放電時電圧との供給サ
イクル、即ち有機ＥＬ素子の１発光サイクルは第２のＴ
ＦＴから充電用容量に印加されるまでの時間に応じて、
例えば１０ｋＨｚのように決定すればよい。また、本実
施の形態においては、第１の実施の形態の如く、第３及
び第４のＴＦＴのオン／オフを切り換えるための信号を
外部から供給する信号配線を省略することができるとと
もに、さらにその省略により開口率を向上させることが
できる。
【００３７】
【発明の効果】本発明のＥＬ表示装置の駆動回路によれ
ば、第２のＴＦＴの特性ばらつきの影響を受けることな
くＥＬ素子に電流を供給でき、ＥＬ表示パネル内の各表
示画素の発光量の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す信号波形図で
ある。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す回路図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す信号波形図で
ある。
【図５】従来のＥＬ表示装置の回路図である。
【符号の説明】
１０ 第１のＴＦＴ ２０ 第２のＴＦＴ ３０ 保持容量 ５０ 電源 ５１ 充電用容量 ５３ 第３のＴＦＴ ５６ 第４のＴＦＴ ７０ 第１のダイオード ８０ 第２のダイオード

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陽極及び陰極を備えたエレクトロルミネ
    ッセンス素子と、ソース電極が保持容量に、ドレイン電
    極がドレイン信号線に、ゲート電極がゲート信号線にそ
    れぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、ドレイン
    電極が前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源
    に、ゲート電極が前記第１の薄膜トランジスタのソース
    電極にそれぞれ接続された第２の薄膜トランジスタと、
    を備えており、該第２の薄膜トランジスタのソース電極
    と、前記エレクトロルミネッセンス素子の陽極との間
    に、所定周期の外部信号に応じてスイッチングする第３
    及び第４の薄膜トランジスタと、該第３及び第４の薄膜
    トランジスタの間に充電用容量とを備えたことを特徴と
    するエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路。
  2. 【請求項２】 前記第３の薄膜トランジスタと前記第４
    の薄膜トランジスタは交互にオンオフすることを特徴と
    する請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装
    置の駆動回路。
  3. 【請求項３】 陽極、及び駆動電源に接続された陰極を
    備えたエレクトロルミネッセンス素子と、ソース電極が
    保持容量に、ドレイン電極がドレイン信号線に、ゲート
    電極がゲート信号線にそれぞれ接続された第１の薄膜ト
    ランジスタと、ドレイン電極が前記エレクトロルミネッ
    センス素子の前記駆動電源に、ゲート電極が前記第１の
    薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ接続された第
    ２の薄膜トランジスタと、を備えており、前記第２の薄
    膜トランジスタのソース電極と前記エレクトロルミネッ
    センス素子の陽極との間に第１のダイオード及び第２の
    ダイオードが直列に接続されるとともに、該第１のダイ
    オードと第２のダイオードとの間に充電用容量を備えて
    おり、かつ前記駆動電源は周期的に異なる電位を供給す
    る駆動電源であることを特徴とするエレクトロルミネッ
    センス表示装置の駆動回路。
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