JPH11273618A - 放電電極材料及びその製造方法 - Google Patents
放電電極材料及びその製造方法Info
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- JPH11273618A JPH11273618A JP7922098A JP7922098A JPH11273618A JP H11273618 A JPH11273618 A JP H11273618A JP 7922098 A JP7922098 A JP 7922098A JP 7922098 A JP7922098 A JP 7922098A JP H11273618 A JPH11273618 A JP H11273618A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化トリウム添加のタングステン電極より高
性能であり，より過酷な条件下における使用に耐えられ
る放電電極材料及びその製造方法とを提供すること。 【解決手段】 放電電極材料は，重量比でＲｅを０．１
〜１５．０％，希土類酸化物を０．１〜１．０％，残部
として実質的にタングステンを含有する放電電極材料で
あって，前記希土類酸化物は，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，
Ｙ2 Ｏ3 の内の少なくとも１種からなり，アーク点弧性
と耐消耗性に優れている。この放電電極材料を製造する
には，重量比でＲｅを０．１〜１５．０％，希土類酸化
物を０．１〜１．０％，残部として実質的にタングステ
ンを含有する組成となるように，タングステン粉末，Ｒ
ｅ粉末，及び希土類酸化物粉末を混合，プレス成形，仮
焼結，焼結し得られたインゴットを塑性加工を施すこと
を備えている。前記希土類酸化物は，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｃｅ
Ｏ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の少なくとも１種からなる。
性能であり，より過酷な条件下における使用に耐えられ
る放電電極材料及びその製造方法とを提供すること。 【解決手段】 放電電極材料は，重量比でＲｅを０．１
〜１５．０％，希土類酸化物を０．１〜１．０％，残部
として実質的にタングステンを含有する放電電極材料で
あって，前記希土類酸化物は，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，
Ｙ2 Ｏ3 の内の少なくとも１種からなり，アーク点弧性
と耐消耗性に優れている。この放電電極材料を製造する
には，重量比でＲｅを０．１〜１５．０％，希土類酸化
物を０．１〜１．０％，残部として実質的にタングステ
ンを含有する組成となるように，タングステン粉末，Ｒ
ｅ粉末，及び希土類酸化物粉末を混合，プレス成形，仮
焼結，焼結し得られたインゴットを塑性加工を施すこと
を備えている。前記希土類酸化物は，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｃｅ
Ｏ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の少なくとも１種からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，アーク放電用電極
材料や高圧水銀灯，キセノンランプ等の放電灯用の電極
材料及びその製造方法に関する。
材料や高圧水銀灯，キセノンランプ等の放電灯用の電極
材料及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，アーク放電用電極材料や高圧水
銀灯，キセノンランプ等の放電灯用の電極材料は，アー
ク点弧性と耐消耗性に優れていることが要求されてい
る。
銀灯，キセノンランプ等の放電灯用の電極材料は，アー
ク点弧性と耐消耗性に優れていることが要求されてい
る。
【０００３】従来，これらの特性を満たすものとして，
タングステンに酸化トリウムを含有させたトリエーテッ
ドタングステン（以下，ＴｈＯ2 −Ｗと呼ぶ）が広く使
用されている。
タングステンに酸化トリウムを含有させたトリエーテッ
ドタングステン（以下，ＴｈＯ2 −Ｗと呼ぶ）が広く使
用されている。
【０００４】このＴｈＯ2 −Ｗは，アーク点弧性と耐消
耗性に優れており，各種放電灯用電極をはじめとし，Ｔ
ＩＧ溶接，プラズマ溶接，プラズマ溶射用電極等に使用
されている。
耗性に優れており，各種放電灯用電極をはじめとし，Ｔ
ＩＧ溶接，プラズマ溶接，プラズマ溶射用電極等に使用
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし，近年，機器の
多様化に伴い，アーク点弧性や耐消耗性のより一層の向
上が求められるようになり，従来の酸化トリウム添加の
タングステン電極材では性能的に不十分になってきてい
る。
多様化に伴い，アーク点弧性や耐消耗性のより一層の向
上が求められるようになり，従来の酸化トリウム添加の
タングステン電極材では性能的に不十分になってきてい
る。
【０００６】また，ＴｈＯ2 −Ｗによる電極材料の原料
として用いられるトリウム粉末は，放射性物質であるた
め，次の問題がある。まず，入手が次第に困難になって
きていること，次に，コストが高くつくこと，法律上そ
の保管や取り扱いに厳重な管理が必要であること，さら
に，使用に際し，消耗が激しいため，酸化トリウムが蒸
発し，作業者の健康管理や大気汚染等が大きな問題にな
っていることの４つの点である。
として用いられるトリウム粉末は，放射性物質であるた
め，次の問題がある。まず，入手が次第に困難になって
きていること，次に，コストが高くつくこと，法律上そ
の保管や取り扱いに厳重な管理が必要であること，さら
に，使用に際し，消耗が激しいため，酸化トリウムが蒸
発し，作業者の健康管理や大気汚染等が大きな問題にな
っていることの４つの点である。
【０００７】一方，トリウムを含有しない電極材料とし
て，Ｒｅを含有するタングステン電極材料や希土類元素
を含有するタングステン電極材料が挙げられる。これら
の電極材料は，大気中における，例えば，アーク溶接，
プラズマ溶接，プラズマ溶射等，数百アンペアの電流範
囲での使用では極めて優れた特性を示すことが知られて
いる。しかし，放電灯など高精度を必要とし，過酷な条
件で使用する電極材としては不十分なものとなってい
る。
て，Ｒｅを含有するタングステン電極材料や希土類元素
を含有するタングステン電極材料が挙げられる。これら
の電極材料は，大気中における，例えば，アーク溶接，
プラズマ溶接，プラズマ溶射等，数百アンペアの電流範
囲での使用では極めて優れた特性を示すことが知られて
いる。しかし，放電灯など高精度を必要とし，過酷な条
件で使用する電極材としては不十分なものとなってい
る。
【０００８】そこで，本発明の技術的課題は，酸化トリ
ウム添加のタングステン電極より高性能であり，より過
酷な条件下における使用に耐えられる放電電極材料及び
その製造方法とを提供することにある。
ウム添加のタングステン電極より高性能であり，より過
酷な条件下における使用に耐えられる放電電極材料及び
その製造方法とを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，より過酷
な条件下における使用に耐えられる電極材を提供するた
めに，タングステンにＲｅと希土類元素の含有量を多く
することを試みた。
な条件下における使用に耐えられる電極材を提供するた
めに，タングステンにＲｅと希土類元素の含有量を多く
することを試みた。
【００１０】その結果，より過酷な条件下においてもア
ーク点弧性と耐消耗性に優れていることが確認でき，本
発明を為すに至ったものである。
ーク点弧性と耐消耗性に優れていることが確認でき，本
発明を為すに至ったものである。
【００１１】すなわち，本発明の放電電極材料は，重量
比でＲｅの含有量が０．１〜１５．０％，希土類元素の
酸化物（以下，希土類酸化物と呼ぶ）を含む群から選ば
れた少なくとも１種以上の含有量が総量で０．１〜１．
０％，残部が実質的にタングステンからなることを特徴
としている。
比でＲｅの含有量が０．１〜１５．０％，希土類元素の
酸化物（以下，希土類酸化物と呼ぶ）を含む群から選ば
れた少なくとも１種以上の含有量が総量で０．１〜１．
０％，残部が実質的にタングステンからなることを特徴
としている。
【００１２】また，本発明の放電電極材料の製造方法で
は，重量比でＲｅを０．１〜１５．０％，希土類酸化物
を０．１〜１．０％，残部として実質的にタングステン
を含有するアーク点弧性と耐消耗性に優れた放電電極材
料を製造する方法であって，前記組成となるように，タ
ングステン粉末，Ｒｅ粉末，及び希土類酸化物粉末を混
合，プレス成形，仮焼結，焼結し得られたインゴットを
塑性加工を施すことを備え，前記希土類酸化物は，Ｌａ
2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の少なくとも１種から
なることを特徴としている。
は，重量比でＲｅを０．１〜１５．０％，希土類酸化物
を０．１〜１．０％，残部として実質的にタングステン
を含有するアーク点弧性と耐消耗性に優れた放電電極材
料を製造する方法であって，前記組成となるように，タ
ングステン粉末，Ｒｅ粉末，及び希土類酸化物粉末を混
合，プレス成形，仮焼結，焼結し得られたインゴットを
塑性加工を施すことを備え，前記希土類酸化物は，Ｌａ
2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の少なくとも１種から
なることを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】まず，本発明の放電電極材料につ
いて，更に詳細に説明する。
いて，更に詳細に説明する。
【００１４】本発明の放電電極材料は，重量比でＲｅの
含有量が０．１〜１５．０ｗｔ％，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ
2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の希土類元素の酸化物（以下，希土類
酸化物と呼ぶ）群から選ばれた少なくとも１種以上の含
有量が総量で０．１〜１．０ｗｔ％，残部がタングステ
ンである合金から実質的になる。
含有量が０．１〜１５．０ｗｔ％，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ
2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の希土類元素の酸化物（以下，希土類
酸化物と呼ぶ）群から選ばれた少なくとも１種以上の含
有量が総量で０．１〜１．０ｗｔ％，残部がタングステ
ンである合金から実質的になる。
【００１５】本発明においては，Ｒｅの含有量は０．１
〜１５．０ｗｔ％の範囲，希土類元素の酸化物の含有量
は０．１〜１．０ｗｔ％の範囲とするのが好ましい。そ
の理由は，Ｒｅや希土類酸化物の含有量が０．１ｗｔ％
より低い場合は，放電性が低下してしまう。また，Ｒｅ
の含有量が１５．０％ｗｔよりも多くなると材料的に極
めて脆くなるので，電極材料の製造時にクラックや断線
が多発して，歩留りの低下をもたらすからである。
〜１５．０ｗｔ％の範囲，希土類元素の酸化物の含有量
は０．１〜１．０ｗｔ％の範囲とするのが好ましい。そ
の理由は，Ｒｅや希土類酸化物の含有量が０．１ｗｔ％
より低い場合は，放電性が低下してしまう。また，Ｒｅ
の含有量が１５．０％ｗｔよりも多くなると材料的に極
めて脆くなるので，電極材料の製造時にクラックや断線
が多発して，歩留りの低下をもたらすからである。
【００１６】また，本発明の電極材料は，次のように製
造されている。
造されている。
【００１７】まず，原料となる金属タングステン粉末に
レニウム粉末と希土類酸化物からなる粉末を均一に分散
するまで乾式にて混合する。金属タングステン粉末の純
度は９９．９９％以上で平均粒径３〜５μｍであり，レ
ニウム粉末の平均粒径は１〜２μｍ，希土類元素の酸化
物の平均粒径は１〜３μｍである。
レニウム粉末と希土類酸化物からなる粉末を均一に分散
するまで乾式にて混合する。金属タングステン粉末の純
度は９９．９９％以上で平均粒径３〜５μｍであり，レ
ニウム粉末の平均粒径は１〜２μｍ，希土類元素の酸化
物の平均粒径は１〜３μｍである。
【００１８】得られた混合粉末は，粉末冶金法により，
プレス成型，仮焼結，焼結を行った後，得られた焼結体
に圧延，鍛造およびスエージング等必要な加工を施して
所望の電極材料とする。
プレス成型，仮焼結，焼結を行った後，得られた焼結体
に圧延，鍛造およびスエージング等必要な加工を施して
所望の電極材料とする。
【００１９】ここで，従来において，Ｒｅの含有量が
３．０ｗｔ％よりも多＜なると加工が困難であったが，
製造上の工夫により，現在では１５．０ｗｔ％のものま
で製造可能となっている。
３．０ｗｔ％よりも多＜なると加工が困難であったが，
製造上の工夫により，現在では１５．０ｗｔ％のものま
で製造可能となっている。
【００２０】このタングステン電極材料は，加工形状等
を変えることにより，プラズマ溶解精錬用電極，タンデ
ィッシュ用プラズマ電極，プラズマ溶接用電極，ＴＩＧ
溶接用電極，および各種照明用放電管の電極等として使
用することができる。
を変えることにより，プラズマ溶解精錬用電極，タンデ
ィッシュ用プラズマ電極，プラズマ溶接用電極，ＴＩＧ
溶接用電極，および各種照明用放電管の電極等として使
用することができる。
【００２１】以下，本発明の実施の形態について説明す
る。
る。
【００２２】（第１の実施の形態）市販されている純度
９９．９９％以上，平均粒径３．５μｍのタングステン
粉末に平均粒径１〜２μｍのＲｅ粉末を１５ｗｔ％と平
均粒径１〜３μｍの希土類酸化物（Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ
2 ，Ｙ2 Ｏ3 ）を０．１〜２．０ｗｔ％混合し，得られ
たドープドタングステン粉末を２９４ＭＰａで静水圧プ
レスし丸棒状の圧粉体とした後，約１，２５０℃の水素
ガス雰囲気で仮焼結し，さらに約３，０００℃の水素ガ
ス雰囲気で直接通電焼結を行いインゴットとした。
９９．９９％以上，平均粒径３．５μｍのタングステン
粉末に平均粒径１〜２μｍのＲｅ粉末を１５ｗｔ％と平
均粒径１〜３μｍの希土類酸化物（Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ
2 ，Ｙ2 Ｏ3 ）を０．１〜２．０ｗｔ％混合し，得られ
たドープドタングステン粉末を２９４ＭＰａで静水圧プ
レスし丸棒状の圧粉体とした後，約１，２５０℃の水素
ガス雰囲気で仮焼結し，さらに約３，０００℃の水素ガ
ス雰囲気で直接通電焼結を行いインゴットとした。
【００２３】得られたインゴットに圧延，鍛造，および
スエージング等の加工を施して，本発明試料を得た。そ
の時の良品の歩留を図１に示す。
スエージング等の加工を施して，本発明試料を得た。そ
の時の良品の歩留を図１に示す。
【００２４】図１からも分かるように，希土類酸化物の
添加量（図１には，希土類添加量として示す）が１．０
ｗｔ％を超えると極端に歩留が低下する。
添加量（図１には，希土類添加量として示す）が１．０
ｗｔ％を超えると極端に歩留が低下する。
【００２５】比較の為に，希土類酸化物を含まない他
は，上記同様に比較試料１を次のように，作製した。
は，上記同様に比較試料１を次のように，作製した。
【００２６】まず，市販されている純度９９．９９％以
上，平均粒径３．５μｍのタングステン粉末に平均粒径
１〜２μｍのＲｅ粉末を０．１〜２０．０ｗｔ％混合
し，得られたドープドタングステン粉末を２９４ＭＰａ
で静水圧プレスし丸棒状の圧粉体とした後，約１，２５
０℃の水素ガス雰囲気で仮焼結し，さらに約３，０００
℃の水素ガス雰囲気で直接通電焼結を行いインゴットと
した。得られたインゴットに圧延，鍛造，およびスエー
ジング等の加工を施して比較試料１を得た。その時の良
品の歩留を図２に示す。図２からも分かるように，Ｒｅ
添加量が１５ｗｔ％を超えると極端に歩留が低下する。
上，平均粒径３．５μｍのタングステン粉末に平均粒径
１〜２μｍのＲｅ粉末を０．１〜２０．０ｗｔ％混合
し，得られたドープドタングステン粉末を２９４ＭＰａ
で静水圧プレスし丸棒状の圧粉体とした後，約１，２５
０℃の水素ガス雰囲気で仮焼結し，さらに約３，０００
℃の水素ガス雰囲気で直接通電焼結を行いインゴットと
した。得られたインゴットに圧延，鍛造，およびスエー
ジング等の加工を施して比較試料１を得た。その時の良
品の歩留を図２に示す。図２からも分かるように，Ｒｅ
添加量が１５ｗｔ％を超えると極端に歩留が低下する。
【００２７】更に，比較の為に，レニウムを含まない他
は，上記同様に，比較試料２を次のように，作製した。
は，上記同様に，比較試料２を次のように，作製した。
【００２８】まず，市販されている純度９９．９９％以
上，平均粒径３．５μｍのタングステン粉末に平均粒径
１〜３μｍの希土類酸化物（Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｙ
2 Ｏ3 ）を０．１〜２．０ｗｔ％混合し，得られたドー
プドタングステン粉末を２９４ＭＰａで静水圧プレスし
丸棒状の圧粉体とした後，約１，２５０℃の水素ガス雰
囲気で仮焼結し，さらに約３，０００℃の水素ガス雰囲
気で直接通電焼結を行いインゴットとした。得られたイ
ンゴットに圧延，鍛造，およびスエージング等の加工を
施して比較試料２を得た。その時の良品の歩留を図３に
示す。図３からも分かるように希土類酸化物添加量（図
３には，希土類添加量として示す）が１．５ｗｔ％を超
えると極端に歩留が低下する。
上，平均粒径３．５μｍのタングステン粉末に平均粒径
１〜３μｍの希土類酸化物（Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｙ
2 Ｏ3 ）を０．１〜２．０ｗｔ％混合し，得られたドー
プドタングステン粉末を２９４ＭＰａで静水圧プレスし
丸棒状の圧粉体とした後，約１，２５０℃の水素ガス雰
囲気で仮焼結し，さらに約３，０００℃の水素ガス雰囲
気で直接通電焼結を行いインゴットとした。得られたイ
ンゴットに圧延，鍛造，およびスエージング等の加工を
施して比較試料２を得た。その時の良品の歩留を図３に
示す。図３からも分かるように希土類酸化物添加量（図
３には，希土類添加量として示す）が１．５ｗｔ％を超
えると極端に歩留が低下する。
【００２９】（第２の実施の形態）上記第１の実施の形
態で得られた棒状の材料本発明試料１を加工し，電極と
した。また，複数の希土類元素を添加し，同様の棒状に
した材料も電極とした。この電極は，外径が３．５ｍｍ
で先端を約４５゜の角度で円錐状に尖らせた。この電極
棒をチャンバー内トーチに陰極として保持し，純タング
ステンを陽極としてアルゴンガス雰囲気中にてアークを
発生させた。
態で得られた棒状の材料本発明試料１を加工し，電極と
した。また，複数の希土類元素を添加し，同様の棒状に
した材料も電極とした。この電極は，外径が３．５ｍｍ
で先端を約４５゜の角度で円錐状に尖らせた。この電極
棒をチャンバー内トーチに陰極として保持し，純タング
ステンを陽極としてアルゴンガス雰囲気中にてアークを
発生させた。
【００３０】電極の長さは２０ｍｍ，アーク長さ５ｍｍ
にてアークスタートさせ，２０分通電，１０分休止を１
サイクルとして，点弧性の良，不良を調べた。その結果
を下記表１に示す。また，比較例としてＴｈＯ2 −Ｗ電
極を用いて同一条件における点弧性も併記した。
にてアークスタートさせ，２０分通電，１０分休止を１
サイクルとして，点弧性の良，不良を調べた。その結果
を下記表１に示す。また，比較例としてＴｈＯ2 −Ｗ電
極を用いて同一条件における点弧性も併記した。
【００３１】
【表１】
【００３２】その結果，各材料は比較例の２．０ｗｔ％
ＴｈＯ2 −Ｗ電極より良好な結果を示した。同様の電極
棒を使用し，耐消耗性を調べた結果を図４〜７に示す。
図４から図７において，曲線７，１１，１５，及び１９
は，同じ比較例であり，曲線８，９，１０，１２，１
３，１４，１６，１７，１８，２０，２１，２２は本発
明例である。図４乃至図７から分るように，特にＲｅ％
の増加に伴い酎消耗性が向上する。また，従来のＴｈＯ
2 −Ｗ電極材に比ベ，特に長時間における耐消耗性が極
めて優れていた。
ＴｈＯ2 −Ｗ電極より良好な結果を示した。同様の電極
棒を使用し，耐消耗性を調べた結果を図４〜７に示す。
図４から図７において，曲線７，１１，１５，及び１９
は，同じ比較例であり，曲線８，９，１０，１２，１
３，１４，１６，１７，１８，２０，２１，２２は本発
明例である。図４乃至図７から分るように，特にＲｅ％
の増加に伴い酎消耗性が向上する。また，従来のＴｈＯ
2 −Ｗ電極材に比ベ，特に長時間における耐消耗性が極
めて優れていた。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によるドー
プドタングステン電極材料では，Ｒｅの含有量を重量比
で最大１５％とすることで，ＴｈＯ2 −Ｗ電極材料と比
較し，アーク点弧性において，点弧不良回数は１／３以
下となり，耐消耗性では，その消耗量は通電時間５時間
において１／３以下にすることができ，過酷な放電条件
において，ＴｈＯ2 −Ｗ電極材料以上に良好な点弧性と
耐消耗性を備えた放電電極材料及びその製造方法とを提
供することができる。
プドタングステン電極材料では，Ｒｅの含有量を重量比
で最大１５％とすることで，ＴｈＯ2 −Ｗ電極材料と比
較し，アーク点弧性において，点弧不良回数は１／３以
下となり，耐消耗性では，その消耗量は通電時間５時間
において１／３以下にすることができ，過酷な放電条件
において，ＴｈＯ2 −Ｗ電極材料以上に良好な点弧性と
耐消耗性を備えた放電電極材料及びその製造方法とを提
供することができる。
【００３４】また，本発明の放電電極材料においては，
ＴｈＯ2 −Ｗ電極材料の代替となる材料であり，重量比
でＲｅの含有量が０．１〜１５．０％，希土類元素およ
び，それらの酸化物を含む群から選ばれた少なくとも１
種の含有量が総量で０．１〜１．０％，残部がタングス
テンである合金から実質的になる電極材料であり，添加
材はＴｈＯ2 のように放射性物質ではないので，製造上
および使用上安全で管理も容易である放電電極材料を提
供することができる。
ＴｈＯ2 −Ｗ電極材料の代替となる材料であり，重量比
でＲｅの含有量が０．１〜１５．０％，希土類元素およ
び，それらの酸化物を含む群から選ばれた少なくとも１
種の含有量が総量で０．１〜１．０％，残部がタングス
テンである合金から実質的になる電極材料であり，添加
材はＴｈＯ2 のように放射性物質ではないので，製造上
および使用上安全で管理も容易である放電電極材料を提
供することができる。
【００３５】また，本発明では，添加材として入手も容
易なものを用い，放射性物質を使用せず，通常の粉末冶
金法で製造可能であるので，製造上および使用上安全で
管理も容易である放電電極材料の製造方法を提供するこ
とができる。
易なものを用い，放射性物質を使用せず，通常の粉末冶
金法で製造可能であるので，製造上および使用上安全で
管理も容易である放電電極材料の製造方法を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるＲｅ１５．０
％を含有するタングステン放電電極材料への希土類酸化
物の添加量と素材の歩留りとの関係を示す図である。
％を含有するタングステン放電電極材料への希土類酸化
物の添加量と素材の歩留りとの関係を示す図である。
【図２】比較の為のタングステン材料へのＲｅ添加量と
素材の歩留りとの関係を示す図である。
素材の歩留りとの関係を示す図である。
【図３】比較の為のタングステン材料への希土類酸化物
添加量と素材の歩留りとの関係を示す図である。
添加量と素材の歩留りとの関係を示す図である。
【図４】各種の放電電極材料の電極耐摩耗性を示す図で
ある。
ある。
【図５】各種の放電電極材料の電極耐摩耗性を示す図で
ある。
ある。
【図６】各種の放電電極材料の電極耐摩耗性を示す図で
ある。
ある。
【図７】各種の放電電極材料の電極耐摩耗性を示す図で
ある。
ある。
Claims (5)
- 【請求項１】 重量比でＲｅを０．１〜１５．０％，希
土類酸化物を０．１〜１．０％，残部として実質的にタ
ングステンを含有する放電電極材料であって，前記希土
類酸化物は，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の少
なくとも１種からなり，アーク点弧性と耐消耗性に優れ
ていることを特徴とする放電電極材料。 - 【請求項２】 請求項１記載の放電電極材料において，
前記希土類酸化物は，Ｌａ2 Ｏ3 からなることを特徴と
する放電電極材料。 - 【請求項３】 請求項１記載の放電電極材料において，
前記希土類酸化物は，ＣｅＯ2 からなることを特徴とす
る放電電極材料。 - 【請求項４】 請求項１記載の放電電極材料において，
前記希土類酸化物は，Ｙ2 Ｏ3 からなることを特徴とす
る放電電極材料。 - 【請求項５】 重量比でＲｅを０．１〜１５．０％，希
土類酸化物を０．１〜１．０％，残部として実質的にタ
ングステンを含有するアーク点弧性と耐消耗性に優れた
放電電極材料を製造する方法であって，前記組成となる
ように，タングステン粉末，Ｒｅ粉末，及び希土類酸化
物粉末を混合，プレス成形，仮焼結，焼結し得られたイ
ンゴットを塑性加工を施すことを備え，前記希土類酸化
物は，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の内の少なくと
も１種からなることを特徴とする放電電極材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7922098A JPH11273618A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 放電電極材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7922098A JPH11273618A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 放電電極材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273618A true JPH11273618A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13683845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7922098A Pending JPH11273618A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 放電電極材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11273618A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004081962A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 傍熱型陰極及びこれを備えた陰極線管 |
| CN100447929C (zh) * | 2005-01-20 | 2008-12-31 | 北京工业大学 | 稀土氧化物次级发射材料及其制备方法 |
| EP2105946A3 (en) * | 2008-03-26 | 2012-02-08 | Harison Toshiba Lighting Corporation | High-pressure discharge lamp |
| CN105328178A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-02-17 | 北矿新材科技有限公司 | 一种中频烧结钍钨坯条的制备方法 |
| CN105328364A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-02-17 | 北京矿冶研究总院 | 一种钨电极材料的制备方法 |
| CN111850331A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-10-30 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料及制备方法 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP7922098A patent/JPH11273618A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004081962A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 傍熱型陰極及びこれを備えた陰極線管 |
| US7382086B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Indirectly heated cathode and cathode ray tube having same |
| CN100447929C (zh) * | 2005-01-20 | 2008-12-31 | 北京工业大学 | 稀土氧化物次级发射材料及其制备方法 |
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| CN105328178A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-02-17 | 北矿新材科技有限公司 | 一种中频烧结钍钨坯条的制备方法 |
| CN105328178B (zh) * | 2015-09-25 | 2017-10-31 | 北矿新材科技有限公司 | 一种中频烧结钍钨坯条的制备方法 |
| CN105328364A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-02-17 | 北京矿冶研究总院 | 一种钨电极材料的制备方法 |
| CN111850331A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-10-30 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料及制备方法 |
| CN111850331B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-01-07 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料及制备方法 |
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