JPH11274116A - ガスポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリッシング装置 - Google Patents
ガスポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリッシング装置Info
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- JPH11274116A JPH11274116A JP8936198A JP8936198A JPH11274116A JP H11274116 A JPH11274116 A JP H11274116A JP 8936198 A JP8936198 A JP 8936198A JP 8936198 A JP8936198 A JP 8936198A JP H11274116 A JPH11274116 A JP H11274116A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリッシング対象物のポリッシングしたい部
分のみを精度良くポリッシングできるガスポリッシング
方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリッシング装置
を提供すること。 【解決手段】 ポリッシング対象物に対してガス噴射用
ノズルからポリッシング用ガスを噴射し、該ポリッシン
グ対象物をポリッシングするポリッシング方法であっ
て、ガス噴射ノズルから噴射したポリッシング用ガスを
排気するガス排気ノズルを具備し、該ガス噴射ノズルか
らポリッシング対象物に向けてポリッシング用ガスを噴
射すると同時に反応余剰ポリッシングガスをガス排気ノ
ズルを通して排気する。ガス噴射パイプ１とガス排気パ
イプ２と同軸パイプからなる２重管構造としたポリッシ
ング用ノズル１０を用いる。
分のみを精度良くポリッシングできるガスポリッシング
方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリッシング装置
を提供すること。 【解決手段】 ポリッシング対象物に対してガス噴射用
ノズルからポリッシング用ガスを噴射し、該ポリッシン
グ対象物をポリッシングするポリッシング方法であっ
て、ガス噴射ノズルから噴射したポリッシング用ガスを
排気するガス排気ノズルを具備し、該ガス噴射ノズルか
らポリッシング対象物に向けてポリッシング用ガスを噴
射すると同時に反応余剰ポリッシングガスをガス排気ノ
ズルを通して排気する。ガス噴射パイプ１とガス排気パ
イプ２と同軸パイプからなる２重管構造としたポリッシ
ング用ノズル１０を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はポリッシング対象物
にポリッシングガスを噴射し、該ポリッシング対象物を
ポリッシングするガスポリッシング方法、該ガスポリッ
シング方法に用いるガスポリッシング用ノズル及びポリ
ッシング装置に関するものである。ここで言うガスポリ
ッシングとは、ガスエッチングと同一の概念である。
にポリッシングガスを噴射し、該ポリッシング対象物を
ポリッシングするガスポリッシング方法、該ガスポリッ
シング方法に用いるガスポリッシング用ノズル及びポリ
ッシング装置に関するものである。ここで言うガスポリ
ッシングとは、ガスエッチングと同一の概念である。
【０００２】
【従来の技術】ガスによりＳｉウエハ等のポリッシング
対象物をポリッシングするにはプラズマ等によりポリッ
シングガスを活性化すると同時に、該活性化したガスの
流れを電極、磁力などにより制御するのが一般的であ
る。しかし、反応性のポリッシングガスだけでＳｉウエ
ハやＰｏｌｙ−Ｓｉ膜、ＳｉＯ2膜をポリッシングする
こともある。
対象物をポリッシングするにはプラズマ等によりポリッ
シングガスを活性化すると同時に、該活性化したガスの
流れを電極、磁力などにより制御するのが一般的であ
る。しかし、反応性のポリッシングガスだけでＳｉウエ
ハやＰｏｌｙ−Ｓｉ膜、ＳｉＯ2膜をポリッシングする
こともある。
【０００３】この場合のポリッシング方法としては、図
１０に示すように、サセプター１０２に載置されたポリ
ッシング対象物１０１をポリッシング室１０３に入れ、
該ポリッシング室１０３内を排気口１０４を通して真空
排気して減圧し、該減圧下においてポリッシングガス導
入管（ノズル）１０５の先端からポリッシングガスをポ
リッシング対象物１０１のポリッシングしたい箇所に一
定時間流し（噴射し）て行うのが一般的である。
１０に示すように、サセプター１０２に載置されたポリ
ッシング対象物１０１をポリッシング室１０３に入れ、
該ポリッシング室１０３内を排気口１０４を通して真空
排気して減圧し、該減圧下においてポリッシングガス導
入管（ノズル）１０５の先端からポリッシングガスをポ
リッシング対象物１０１のポリッシングしたい箇所に一
定時間流し（噴射し）て行うのが一般的である。
【０００４】下式（１）にＳｉの代表的なポリッシング
の反応のみの化学式を示す。ポリッシングガス導入管１
０５の先端から噴射したポリッシングガスはポリッシン
グ対象物（ここではＳｉウエハ）１０１に衝突し、ポリ
ッシング対象物との反応物をつくり気化し、ポリッシン
グする。 Ｓｉ＋４Ｆ*→ＳｉＦ4↑＋Ｃ2Ｆ6 （１） この時、ポリッシングに用いられるガスの中で余剰のガ
スは図１０の矢印で示すように、排気口１０４よりポリ
ッシング室１０３の外に排気される。
の反応のみの化学式を示す。ポリッシングガス導入管１
０５の先端から噴射したポリッシングガスはポリッシン
グ対象物（ここではＳｉウエハ）１０１に衝突し、ポリ
ッシング対象物との反応物をつくり気化し、ポリッシン
グする。 Ｓｉ＋４Ｆ*→ＳｉＦ4↑＋Ｃ2Ｆ6 （１） この時、ポリッシングに用いられるガスの中で余剰のガ
スは図１０の矢印で示すように、排気口１０４よりポリ
ッシング室１０３の外に排気される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように余剰のガ
スは排気口１０４からポリッシング室１０３の外に排気
されるが、排気口１０４までの道筋が長いとポリッシン
グ対象物１０１のポリッシングしたい場所以外の場所ま
でもポリッシングし、該ポリッシング対象物１０１を削
り取ってしまい、大変不都合である。特にポリッシング
量が数μｍから数十μｍの厚い場合には大きな支障はな
いかもしれないが、ポリッシング量が数百Å〜数千Åの
薄いポリッシングを行う場合には大きな障害となる。
スは排気口１０４からポリッシング室１０３の外に排気
されるが、排気口１０４までの道筋が長いとポリッシン
グ対象物１０１のポリッシングしたい場所以外の場所ま
でもポリッシングし、該ポリッシング対象物１０１を削
り取ってしまい、大変不都合である。特にポリッシング
量が数μｍから数十μｍの厚い場合には大きな支障はな
いかもしれないが、ポリッシング量が数百Å〜数千Åの
薄いポリッシングを行う場合には大きな障害となる。
【０００６】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、上記問題点を除去しポリッシング対象物のポリッシ
ングしたい部分のみを精度良くポリッシングできるガス
ポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリ
ッシング装置を提供することを目的とする。
で、上記問題点を除去しポリッシング対象物のポリッシ
ングしたい部分のみを精度良くポリッシングできるガス
ポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリ
ッシング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、請求項１に記載の発明は、ポリッシング対象
物に対してガス噴射用ノズルからポリッシングガスを噴
射し、該ポリッシング対象物をポリッシングするポリッ
シング方法であって、ガス噴射ノズルから噴射したポリ
ッシングガスを排気するガス排気ノズルを具備し、該ガ
ス噴射ノズルからポリッシング対象物に向けてポリッシ
ングガスを噴射すると同時に反応余剰ポリッシングガス
をガス排気ノズルを通して排気することを特徴とする。
本発明は、請求項１に記載の発明は、ポリッシング対象
物に対してガス噴射用ノズルからポリッシングガスを噴
射し、該ポリッシング対象物をポリッシングするポリッ
シング方法であって、ガス噴射ノズルから噴射したポリ
ッシングガスを排気するガス排気ノズルを具備し、該ガ
ス噴射ノズルからポリッシング対象物に向けてポリッシ
ングガスを噴射すると同時に反応余剰ポリッシングガス
をガス排気ノズルを通して排気することを特徴とする。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のガスポリッシング方法において、ガス噴射ノズ
ルとガス排気ノズルとを同軸パイプからなる２重管構造
とし、内側又は外側のガス噴射ノズルからポリッシング
ガスを噴射し、外側又は内側の排気ノズルから反応余剰
ポリッシングガスを排気することを特徴とする。
に記載のガスポリッシング方法において、ガス噴射ノズ
ルとガス排気ノズルとを同軸パイプからなる２重管構造
とし、内側又は外側のガス噴射ノズルからポリッシング
ガスを噴射し、外側又は内側の排気ノズルから反応余剰
ポリッシングガスを排気することを特徴とする。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載のガスポリッシング方法において、ガス噴射ノズ
ルとガス排気ノズルとを同軸パイプからなる３重管構造
とし、最内側のノズルからポリッシングガスを噴射する
と共に、中間のノズルから不活性ガス又はポリッシング
ガスを失活させうるガスを噴射し、最外側のノズルから
反応余剰ポリッシングガス及び不活性ガス又はポリッシ
ングガスを失活させうるガスを排気することを特徴とす
る。
に記載のガスポリッシング方法において、ガス噴射ノズ
ルとガス排気ノズルとを同軸パイプからなる３重管構造
とし、最内側のノズルからポリッシングガスを噴射する
と共に、中間のノズルから不活性ガス又はポリッシング
ガスを失活させうるガスを噴射し、最外側のノズルから
反応余剰ポリッシングガス及び不活性ガス又はポリッシ
ングガスを失活させうるガスを排気することを特徴とす
る。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載のガスポリッシング方法において、所定の間隔で
配置された複数本のパイプを具備し、該複数本のパイプ
のうち少なくとも１本のパイプをガス噴射ノズルとし、
他をガス排気ノズルとし、該ガス噴射ノズルからポリッ
シングガスを噴射すると同時に、該ガス排気ノズルで反
応余剰ポリッシングガスを排気することを特徴とする。
に記載のガスポリッシング方法において、所定の間隔で
配置された複数本のパイプを具備し、該複数本のパイプ
のうち少なくとも１本のパイプをガス噴射ノズルとし、
他をガス排気ノズルとし、該ガス噴射ノズルからポリッ
シングガスを噴射すると同時に、該ガス排気ノズルで反
応余剰ポリッシングガスを排気することを特徴とする。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、ポリッシ
ング対象物に対してポリッシングガスを噴射するガスポ
リッシング用ノズルであって、ポリッシングガスを噴射
するガス噴射ノズルと噴射したガスを排気するガス排気
ノズルを具備し、該ガス噴射ノズルとガス排気ノズルと
を同軸の２重管構造としたことを特徴とする。
ング対象物に対してポリッシングガスを噴射するガスポ
リッシング用ノズルであって、ポリッシングガスを噴射
するガス噴射ノズルと噴射したガスを排気するガス排気
ノズルを具備し、該ガス噴射ノズルとガス排気ノズルと
を同軸の２重管構造としたことを特徴とする。
【００１２】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載のガスポリッシング用ノズルにおいて、ガス噴射
ノズルとガス排気ノズルの２重管構造は、内側にガス噴
射ノズル又はガス排気ノズルを配置し、外側にガス排気
ノズル又はガス噴射ノズルを配置したことを特徴とす
る。
に記載のガスポリッシング用ノズルにおいて、ガス噴射
ノズルとガス排気ノズルの２重管構造は、内側にガス噴
射ノズル又はガス排気ノズルを配置し、外側にガス排気
ノズル又はガス噴射ノズルを配置したことを特徴とす
る。
【００１３】また、請求項７に記載の発明は、請求項５
又は６に記載のガスポリッシング用ノズルにおいて、ガ
ス噴射ノズルとガス排気ノズルの２重管構造は、両ノズ
ルの先端が同一面にあるか或いはいずれか一方が他方よ
り所定量突出していることを特徴とする。
又は６に記載のガスポリッシング用ノズルにおいて、ガ
ス噴射ノズルとガス排気ノズルの２重管構造は、両ノズ
ルの先端が同一面にあるか或いはいずれか一方が他方よ
り所定量突出していることを特徴とする。
【００１４】また、請求項８に記載の発明は、ポリッシ
ング対象物に対してポリッシングガスを噴射するガスポ
リッシング用ノズルであって、所定の間隔で配置された
複数本のパイプを具備し、該複数本のパイプのうち少な
くとも１本のパイプをガス噴射ノズルとし、他のパイプ
を反応余剰ポリッシングガスを排気するガス排気ノズル
とすることを特徴とする。
ング対象物に対してポリッシングガスを噴射するガスポ
リッシング用ノズルであって、所定の間隔で配置された
複数本のパイプを具備し、該複数本のパイプのうち少な
くとも１本のパイプをガス噴射ノズルとし、他のパイプ
を反応余剰ポリッシングガスを排気するガス排気ノズル
とすることを特徴とする。
【００１５】また、請求項９に記載の発明は、請求項５
乃至８のいずれか１に記載のガスポリッシング用ノズル
とポリッシング室を具備し、ポリッシング室内に配置し
たポリッシング対象のポリッシング箇所にガス噴射ノズ
ルからポリッシングガスを噴射すると共に反応余剰ポリ
ッシングガスをガス排気ノズルを通して排気するポリッ
シングガス供給排気手段を具備することを特徴とするガ
スポリッシング装置にある。
乃至８のいずれか１に記載のガスポリッシング用ノズル
とポリッシング室を具備し、ポリッシング室内に配置し
たポリッシング対象のポリッシング箇所にガス噴射ノズ
ルからポリッシングガスを噴射すると共に反応余剰ポリ
ッシングガスをガス排気ノズルを通して排気するポリッ
シングガス供給排気手段を具備することを特徴とするガ
スポリッシング装置にある。
【００１６】また、請求項１０に記載の発明は、ポリッ
シング対象物のポリッシング面にポリッシングガスを噴
射してポリッシングを行う請求項９に記載のガスポリッ
シング装置と、該ガスポリッシング装置でポリッシング
した面を更に化学的及び／又は機械的にポリッシングす
る化学機械（ＣＭＰ）ポリッシング装置を具備すること
を特徴とするポリッシング装置にある。
シング対象物のポリッシング面にポリッシングガスを噴
射してポリッシングを行う請求項９に記載のガスポリッ
シング装置と、該ガスポリッシング装置でポリッシング
した面を更に化学的及び／又は機械的にポリッシングす
る化学機械（ＣＭＰ）ポリッシング装置を具備すること
を特徴とするポリッシング装置にある。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明のガスポリッシング
用ノズルの構造例を示す図で、同図（ａ）は底面図、同
図（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図示するように、本ガ
スポリッシング用ノズル１０は反応性のポリッシングガ
ス（例えば、ＣｌＦ3）を噴射するガス噴射パイプ１を
取り巻くように反応余剰のポリッシングガスを排気する
ガス排気パイプ２が設けられている。ガス噴射パイプ１
とガス排気パイプ２は同軸の２重管構造となっており、
該ガス排気パイプ２には排気パイプ３が連通しており、
該排気パイプ３に排気ポンプ（図示せず）が接続され
る。また、ガス噴射パイプ１の先端はガス排気パイプ２
の先端より所定寸法だけ突出している。
に基づいて説明する。図１は本発明のガスポリッシング
用ノズルの構造例を示す図で、同図（ａ）は底面図、同
図（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図示するように、本ガ
スポリッシング用ノズル１０は反応性のポリッシングガ
ス（例えば、ＣｌＦ3）を噴射するガス噴射パイプ１を
取り巻くように反応余剰のポリッシングガスを排気する
ガス排気パイプ２が設けられている。ガス噴射パイプ１
とガス排気パイプ２は同軸の２重管構造となっており、
該ガス排気パイプ２には排気パイプ３が連通しており、
該排気パイプ３に排気ポンプ（図示せず）が接続され
る。また、ガス噴射パイプ１の先端はガス排気パイプ２
の先端より所定寸法だけ突出している。
【００１８】上記構造のガスポリッシング用ノズル１０
において、ガス噴射パイプ１よりポリッシングガスをポ
リッシング対象物に向けて噴射し、該ポリッシング対象
物をポリッシングすると同時に反応余剰のポリッシング
ガスはガス排気パイプ２により瞬時に排気される。
において、ガス噴射パイプ１よりポリッシングガスをポ
リッシング対象物に向けて噴射し、該ポリッシング対象
物をポリッシングすると同時に反応余剰のポリッシング
ガスはガス排気パイプ２により瞬時に排気される。
【００１９】図２は上記２重管構造のガスポリッシング
用ノズルを用いた、ガスエッチング装置の概略構造を示
す図である。ポリッシング室１３内には載置台１２に載
置されたＳｉウエハ等のポリッシング対象物１１が配置
されている。ガスポリッシング用ノズル１０のガス噴射
パイプ１からポリッシング対象物１１のポリッシング箇
所に向けてポリッシングガスを噴射し、ポリッシング箇
所をポリッシングすると同時に反応余剰のポリッシング
ガスをガス排気パイプ２で排気する。
用ノズルを用いた、ガスエッチング装置の概略構造を示
す図である。ポリッシング室１３内には載置台１２に載
置されたＳｉウエハ等のポリッシング対象物１１が配置
されている。ガスポリッシング用ノズル１０のガス噴射
パイプ１からポリッシング対象物１１のポリッシング箇
所に向けてポリッシングガスを噴射し、ポリッシング箇
所をポリッシングすると同時に反応余剰のポリッシング
ガスをガス排気パイプ２で排気する。
【００２０】上記のようにガス噴射パイプ１から噴射
し、ポリッシングに寄与しなかった余剰のポリッシング
ガスを瞬時にガス噴射パイプ１を取り巻くように設けた
ガス排気パイプ２で排気することにより、ポリッシング
に寄与しなかった反応余剰のポリッシングガスにより、
ポリッシング対象物１１の本来ポリッシングしたい場所
（ポリッシング箇所）以外の場所のポリッシングを避け
ることができる。
し、ポリッシングに寄与しなかった余剰のポリッシング
ガスを瞬時にガス噴射パイプ１を取り巻くように設けた
ガス排気パイプ２で排気することにより、ポリッシング
に寄与しなかった反応余剰のポリッシングガスにより、
ポリッシング対象物１１の本来ポリッシングしたい場所
（ポリッシング箇所）以外の場所のポリッシングを避け
ることができる。
【００２１】即ち、ポリッシングに寄与しなかった反応
余剰のポリッシングガスが排気口に達するまでのガス流
路が長ければポリッシング対象物１１の本来ポリッシン
グしたい場所以外の場所がポリッシングされる可能性が
大きいが、上記２重管構造のガスポリッシング用ノズル
１０を用いることにより、反応に寄与しない反応余剰の
ポリッシングガスはガス噴射パイプ１の外周から瞬時に
ガス排気パイプ２で排気されるので、本来ポリッシング
したい場所以外の場所がポリッシングされる可能性が極
めて小さくなる。
余剰のポリッシングガスが排気口に達するまでのガス流
路が長ければポリッシング対象物１１の本来ポリッシン
グしたい場所以外の場所がポリッシングされる可能性が
大きいが、上記２重管構造のガスポリッシング用ノズル
１０を用いることにより、反応に寄与しない反応余剰の
ポリッシングガスはガス噴射パイプ１の外周から瞬時に
ガス排気パイプ２で排気されるので、本来ポリッシング
したい場所以外の場所がポリッシングされる可能性が極
めて小さくなる。
【００２２】上記例ではポリッシングガスを噴射するガ
ス噴射パイプ１を取り巻くようにガス排気パイプ２を設
けた２重管構造のガスポリッシング用ノズル１０を説明
したが、２重管構造の内側にガス排気パイプ２を、外側
にガス噴射パイプ１を配置し、即ちガス排気パイプを取
り巻くようにガス噴射パイプを配置しても、ポリッシン
グに寄与しない反応余剰のポリッシングガスを瞬時に排
気するメカニズムは同じである。
ス噴射パイプ１を取り巻くようにガス排気パイプ２を設
けた２重管構造のガスポリッシング用ノズル１０を説明
したが、２重管構造の内側にガス排気パイプ２を、外側
にガス噴射パイプ１を配置し、即ちガス排気パイプを取
り巻くようにガス噴射パイプを配置しても、ポリッシン
グに寄与しない反応余剰のポリッシングガスを瞬時に排
気するメカニズムは同じである。
【００２３】ポリッシングガスは腐食性の強いものが多
いので、２重管構造のガス噴射用ノズルの材質はＳＵＳ
材、インコネル等のＮｉ系材料、テフロン材料、ＳｉＣ
等のセラミックス材料等耐腐食性材料を用いると良い。
本実施形態例ではＳＵＳ材を用いた。
いので、２重管構造のガス噴射用ノズルの材質はＳＵＳ
材、インコネル等のＮｉ系材料、テフロン材料、ＳｉＣ
等のセラミックス材料等耐腐食性材料を用いると良い。
本実施形態例ではＳＵＳ材を用いた。
【００２４】ポリッシングガスを噴射するガス噴射パイ
プ１とガス排気パイプ２のパイプ径は、用いるポリッシ
ングの量により任意に決める。本実施形態例ではガス噴
射パイプ１のパイプ径を６．３５ｍｍとし、ガス排気パ
イプ２のパイプ内径を１０．４ｍｍとした。
プ１とガス排気パイプ２のパイプ径は、用いるポリッシ
ングの量により任意に決める。本実施形態例ではガス噴
射パイプ１のパイプ径を６．３５ｍｍとし、ガス排気パ
イプ２のパイプ内径を１０．４ｍｍとした。
【００２５】図１に示す２重管構造のガスポリッシング
用ノズル１０ではガス噴射パイプ１の先端がガス排気パ
イプ２の先端より長く外に突出しているが、ガス噴射パ
イプ１の先端とガス排気パイプ２の先端が同一面（同一
レベル）でも、また、ガス排気パイプ２の先端がガス噴
射パイプ１の先端より長く外に突出していても良い結果
が得られることは実験的に確認した。
用ノズル１０ではガス噴射パイプ１の先端がガス排気パ
イプ２の先端より長く外に突出しているが、ガス噴射パ
イプ１の先端とガス排気パイプ２の先端が同一面（同一
レベル）でも、また、ガス排気パイプ２の先端がガス噴
射パイプ１の先端より長く外に突出していても良い結果
が得られることは実験的に確認した。
【００２６】図３は図１に示す２重管構造のガス噴射用
ノズルを用いてＳｉウエハをポリッシングした例（図２
のガスエッチング装置参照）を、図１１は図１０に示す
シングルパイプ構造のガス噴射ノズルを用いた従来のガ
スポリッシング装置でＳｉウエハをポリッシングした例
を示す図である。なお、ここで使用したポリッシングガ
スはＣｌＦ3ガスである。
ノズルを用いてＳｉウエハをポリッシングした例（図２
のガスエッチング装置参照）を、図１１は図１０に示す
シングルパイプ構造のガス噴射ノズルを用いた従来のガ
スポリッシング装置でＳｉウエハをポリッシングした例
を示す図である。なお、ここで使用したポリッシングガ
スはＣｌＦ3ガスである。
【００２７】図３及び図１１から明らかなように、本発
明の２重管構造のガス噴射用ノズルを用いてポリッシン
グした場合は、ガス噴射用ノズル位置直下のみポリッシ
ングされポリッシングのプロファイルは極めて明瞭であ
る。それに比べて図１０に示すように、ポリッシングガ
ス導入管１０５と排気口１０４を別々に離して設けて、
ポリッシングした場合はノズル直下であっても周辺の裾
を大きく広げたようにポリッシングされており、ポリッ
シングのプロファイルは明瞭でない。
明の２重管構造のガス噴射用ノズルを用いてポリッシン
グした場合は、ガス噴射用ノズル位置直下のみポリッシ
ングされポリッシングのプロファイルは極めて明瞭であ
る。それに比べて図１０に示すように、ポリッシングガ
ス導入管１０５と排気口１０４を別々に離して設けて、
ポリッシングした場合はノズル直下であっても周辺の裾
を大きく広げたようにポリッシングされており、ポリッ
シングのプロファイルは明瞭でない。
【００２８】また、中央部でのポリッシング量、即ち削
除量は図１の２重管構造のガス噴射用ノズルを用いた場
合は、図１０のシングルパイプ構造のガス噴射ノズルを
用いた場合の１／２以下である。
除量は図１の２重管構造のガス噴射用ノズルを用いた場
合は、図１０のシングルパイプ構造のガス噴射ノズルを
用いた場合の１／２以下である。
【００２９】上記のように、２重管構造のガス噴射用ノ
ズルを用いてポリッシング対象物をポリッシングした場
合には、ポリッシング箇所のポリッシングのみを行い、
ポリッシングガスがポリッシングしたくないところまで
流れることがなく、極めて明瞭なプロファイルのポリッ
シングを行うことができる。
ズルを用いてポリッシング対象物をポリッシングした場
合には、ポリッシング箇所のポリッシングのみを行い、
ポリッシングガスがポリッシングしたくないところまで
流れることがなく、極めて明瞭なプロファイルのポリッ
シングを行うことができる。
【００３０】図４及び図５は本発明のガスポリッシング
用ノズルの構造例を示す図で、図４（ａ）は正面図、図
４（ｂ）は底面図、図５（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ断
面図、図５（ｂ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ断面図、図５
（ｃ）は図４（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。本ガスポリ
ッシング用ノズル２０はマニホールド２４に複数本（図
では３本）のノズル２１、２２、２３を取り付けた構造
である。
用ノズルの構造例を示す図で、図４（ａ）は正面図、図
４（ｂ）は底面図、図５（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ断
面図、図５（ｂ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ断面図、図５
（ｃ）は図４（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。本ガスポリ
ッシング用ノズル２０はマニホールド２４に複数本（図
では３本）のノズル２１、２２、２３を取り付けた構造
である。
【００３１】マニホールド２４には一端が各ノズル２
１、２２、２３にそれぞれ連通するガス通路２４−１、
２４−２、２４−３が形成されており、該ガス通路２４
−１、２４−２、２４−３のそれぞれ他端にはパイプ２
５、２６、２７が接続されている。各ノズル２１、２
２、２３の径はそれぞれ異なる（例えば、それぞれ１／
２、１／４、１／８インチ）。また、ノズル２１と２３
の間隔ｄ1、ノズル２３と２２の間隔ｄ2、ノズル２２と
２１との間隔ｄ3は等しく（ｄ1＝ｄ2＝ｄ3）している。
１、２２、２３にそれぞれ連通するガス通路２４−１、
２４−２、２４−３が形成されており、該ガス通路２４
−１、２４−２、２４−３のそれぞれ他端にはパイプ２
５、２６、２７が接続されている。各ノズル２１、２
２、２３の径はそれぞれ異なる（例えば、それぞれ１／
２、１／４、１／８インチ）。また、ノズル２１と２３
の間隔ｄ1、ノズル２３と２２の間隔ｄ2、ノズル２２と
２１との間隔ｄ3は等しく（ｄ1＝ｄ2＝ｄ3）している。
【００３２】上記構造のガスポリッシング用ノズルにお
いて、図４（ａ）に示すように、例えばノズル２２をポ
リッシングガスを噴射するガス噴射用ノズルとし、他の
２本のノズルを反応余剰のガスを排気するガス排気用ノ
ズルとし、ポリッシング対象物２８に対して、ノズル２
２からポリッシングガスを噴射し、他の２本のノズル２
１、２３で反応余剰のポリッシングガスを排気する。
いて、図４（ａ）に示すように、例えばノズル２２をポ
リッシングガスを噴射するガス噴射用ノズルとし、他の
２本のノズルを反応余剰のガスを排気するガス排気用ノ
ズルとし、ポリッシング対象物２８に対して、ノズル２
２からポリッシングガスを噴射し、他の２本のノズル２
１、２３で反応余剰のポリッシングガスを排気する。
【００３３】図６（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図４に示す
構造のガスポリッシング用ノズルにおいて、１本のノズ
ル（例えばノズル２２）から、ポリッシング対象物に対
して、ポリッシングガスを噴射し、反応余剰のポリッシ
ングガスを排気しない場合と、反応余剰のポリッシング
ガスを他の２本のノズル（例えばノズル２１、２３）で
吸引排気した場合のポリッシングプロファイルを示す図
である。
構造のガスポリッシング用ノズルにおいて、１本のノズ
ル（例えばノズル２２）から、ポリッシング対象物に対
して、ポリッシングガスを噴射し、反応余剰のポリッシ
ングガスを排気しない場合と、反応余剰のポリッシング
ガスを他の２本のノズル（例えばノズル２１、２３）で
吸引排気した場合のポリッシングプロファイルを示す図
である。
【００３４】図６（ａ）、（ｂ）から明らかなように、
１本のノズルからポリッシングガスを噴射し、反応余剰
のポリッシングガスを排気しない場合は目的とする部位
以外もポリッシングされるが（図６（ａ））、他の２本
のノズルで反応余剰ポリッシングガスを吸引排気した場
合は目的とする部位のみがポリッシングされ、それ以外
はポリッシングされないことが分かる（図６（ｂ））。
１本のノズルからポリッシングガスを噴射し、反応余剰
のポリッシングガスを排気しない場合は目的とする部位
以外もポリッシングされるが（図６（ａ））、他の２本
のノズルで反応余剰ポリッシングガスを吸引排気した場
合は目的とする部位のみがポリッシングされ、それ以外
はポリッシングされないことが分かる（図６（ｂ））。
【００３５】上記口径の異なるノズルはポリッシング対
象物のポリッシング部位の状態に応じて選択する。例え
ばポリッシングする部位の凸部が大きい場合は、大きい
口径のノズルを選択し、小さい場合は小さい口径のノズ
ルを選択する。また、ノズルの本数は２本以上であれば
よい。また、ポリッシングガスを噴射するノズルも１本
と限定されるものではなく、要はガス噴射ノズルから噴
射されたポリッシングガスのうち反応余剰ポリッシング
ガスを他のノズルで素速く効果的に吸引排気する構成で
あればよい。
象物のポリッシング部位の状態に応じて選択する。例え
ばポリッシングする部位の凸部が大きい場合は、大きい
口径のノズルを選択し、小さい場合は小さい口径のノズ
ルを選択する。また、ノズルの本数は２本以上であれば
よい。また、ポリッシングガスを噴射するノズルも１本
と限定されるものではなく、要はガス噴射ノズルから噴
射されたポリッシングガスのうち反応余剰ポリッシング
ガスを他のノズルで素速く効果的に吸引排気する構成で
あればよい。
【００３６】例えば、中心にあるガス噴射用ノズルを配
置し、このガス噴射用ノズルを取り囲むようにガス排気
用ノズルを配置し、ガス噴射用ノズルで噴射したポリッ
シングガスの反応余剰ポリッシングガスをガス排気用ノ
ズルで吸気排気する構成としてもよい。また、複数本の
ノズルの口径は必ずしも異なる必要はなく、同一口径で
もよい。
置し、このガス噴射用ノズルを取り囲むようにガス排気
用ノズルを配置し、ガス噴射用ノズルで噴射したポリッ
シングガスの反応余剰ポリッシングガスをガス排気用ノ
ズルで吸気排気する構成としてもよい。また、複数本の
ノズルの口径は必ずしも異なる必要はなく、同一口径で
もよい。
【００３７】図７は図１に示す２重管構造のガスポリッ
シング用ノズルを使用するガスポリッシング装置の構成
例を示す図である。図７において、３１はポリッシング
室であり、該ポリッシング室３１内にはＸ−Ｙテーブル
３２が配置され、該Ｘ−Ｙテーブル３２にヒータ３３ａ
を内蔵するポリッシング対象物３４を載置する載置台３
３が配置されている。また、マニホールド３５に取り付
けられた２重管構造のガスポリッシング用ノズル１０が
ポリッシング対象物３４に対向して配置されている。該
ガスポリッシング用ノズル１０の内側のガス噴射パイプ
１（図１参照）はマニホールド３５を介して配管５３に
接続され、外側のガス排気パイプ２（図１参照）は配管
５４に接続されている。
シング用ノズルを使用するガスポリッシング装置の構成
例を示す図である。図７において、３１はポリッシング
室であり、該ポリッシング室３１内にはＸ−Ｙテーブル
３２が配置され、該Ｘ−Ｙテーブル３２にヒータ３３ａ
を内蔵するポリッシング対象物３４を載置する載置台３
３が配置されている。また、マニホールド３５に取り付
けられた２重管構造のガスポリッシング用ノズル１０が
ポリッシング対象物３４に対向して配置されている。該
ガスポリッシング用ノズル１０の内側のガス噴射パイプ
１（図１参照）はマニホールド３５を介して配管５３に
接続され、外側のガス排気パイプ２（図１参照）は配管
５４に接続されている。
【００３８】また、ポリッシング室３１にはポリッシン
グ対象物３４を搬入搬出するためのゲート４０が設けら
れている。また、Ｘ−Ｙテーブル３２はテーブル駆動制
御部３６により、Ｘ−Ｙ方向に移動できるようになって
おり、マニホールド３５はマニホールド駆動制御部３７
により主にＺ（上下）方向に移動できるようになってい
る。ポリッシング室３１にはバルブ４１を介して真空ポ
ンプ３８が接続されると共に、バルブ５０及びフィルタ
５１を介して窒素（Ｎ2）ガス源５２が接続されてい
る。また、３９は除害装置、４５，４７はマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）、４８はポリッシングガス（例え
ばＣｌＦ3ガス）源、４９は希釈ガス（例えば、Ａｒガ
ス）源である。
グ対象物３４を搬入搬出するためのゲート４０が設けら
れている。また、Ｘ−Ｙテーブル３２はテーブル駆動制
御部３６により、Ｘ−Ｙ方向に移動できるようになって
おり、マニホールド３５はマニホールド駆動制御部３７
により主にＺ（上下）方向に移動できるようになってい
る。ポリッシング室３１にはバルブ４１を介して真空ポ
ンプ３８が接続されると共に、バルブ５０及びフィルタ
５１を介して窒素（Ｎ2）ガス源５２が接続されてい
る。また、３９は除害装置、４５，４７はマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）、４８はポリッシングガス（例え
ばＣｌＦ3ガス）源、４９は希釈ガス（例えば、Ａｒガ
ス）源である。
【００３９】上記構成のガスポリッシング装置におい
て、ポリッシング対象物のポリッシングは下記のように
して行う。先ず、ゲート４０を開放してポリッシング対
象物３４を載置台３３上に載置する。次に真空ポンプ３
８を起動すると共にバルブ４１を開放してポリッシング
室３１のガスを排出し、該ポリッシング室３１内を１０
-1〜１０-2Ｔｏｒｒの真空度にする。このとき、ガスポ
リッシング用ノズル１０の外側のガス排気パイプ２と真
空ポンプ３８を接続している。
て、ポリッシング対象物のポリッシングは下記のように
して行う。先ず、ゲート４０を開放してポリッシング対
象物３４を載置台３３上に載置する。次に真空ポンプ３
８を起動すると共にバルブ４１を開放してポリッシング
室３１のガスを排出し、該ポリッシング室３１内を１０
-1〜１０-2Ｔｏｒｒの真空度にする。このとき、ガスポ
リッシング用ノズル１０の外側のガス排気パイプ２と真
空ポンプ３８を接続している。
【００４０】マスフローコントローラ４５を通して供給
されるポリッシングガスとマスフローコントローラ４７
を通して供給される希釈ガスが所定の割合（例えば、Ｃ
ｌＦ3：Ａｒ＝１：２）で混合され、バルブ４３’を開
けるとポリッシング用ノズル１０の内側のガス噴射パイ
プ１からポリッシングガスが噴射される。
されるポリッシングガスとマスフローコントローラ４７
を通して供給される希釈ガスが所定の割合（例えば、Ｃ
ｌＦ3：Ａｒ＝１：２）で混合され、バルブ４３’を開
けるとポリッシング用ノズル１０の内側のガス噴射パイ
プ１からポリッシングガスが噴射される。
【００４１】そして反応余剰のポリッシングガスは外側
のガス排気パイプ２で素速く吸引され、真空ポンプ３８
及び除害装置３９を通って排気される（このときバルブ
６０は開）。これにより、ポリッシング対象物３４のポ
リッシング部位がポリッシングされる。このポリッシン
グに際し、ポリッシング対象物３４は載置台３３のヒー
タ３３ａにより加熱されているので、ポリッシングガス
との反応性が良くなり、効率良くポリッシングが行われ
る。
のガス排気パイプ２で素速く吸引され、真空ポンプ３８
及び除害装置３９を通って排気される（このときバルブ
６０は開）。これにより、ポリッシング対象物３４のポ
リッシング部位がポリッシングされる。このポリッシン
グに際し、ポリッシング対象物３４は載置台３３のヒー
タ３３ａにより加熱されているので、ポリッシングガス
との反応性が良くなり、効率良くポリッシングが行われ
る。
【００４２】ガスポリッシング用ノズル１０の先端とポ
リッシング対象物３４の間隔制御はマニホールド駆動制
御部３７により行われ、ポリッシング対象物３４のポリ
ッシング部位の設定（ポリッシング部位をポリッシング
用ノズルの直下に設定）はテーブル駆動制御部３６によ
って行われる。ポリッシング対象物３４の全ポリッシン
グ面のポリッシングが終了したら、ポリッシングガスの
供給を停止すると同時に真空ポンプ３８にて、ポリッシ
ングガスを十分排気した後、バルブ４１、バルブ６０を
閉じる。続いてバルブ５０を開放し、窒素ガス源５２か
らＮ2ガスをポリッシング室３１に供給し、ポリッシン
グ室３１内を大気圧にし、ゲート４０を開放してガスポ
リッシングの終了したポリッシング対象物３４を搬出す
る。
リッシング対象物３４の間隔制御はマニホールド駆動制
御部３７により行われ、ポリッシング対象物３４のポリ
ッシング部位の設定（ポリッシング部位をポリッシング
用ノズルの直下に設定）はテーブル駆動制御部３６によ
って行われる。ポリッシング対象物３４の全ポリッシン
グ面のポリッシングが終了したら、ポリッシングガスの
供給を停止すると同時に真空ポンプ３８にて、ポリッシ
ングガスを十分排気した後、バルブ４１、バルブ６０を
閉じる。続いてバルブ５０を開放し、窒素ガス源５２か
らＮ2ガスをポリッシング室３１に供給し、ポリッシン
グ室３１内を大気圧にし、ゲート４０を開放してガスポ
リッシングの終了したポリッシング対象物３４を搬出す
る。
【００４３】上記ポリッシングの終了したポリッシング
対象物３４は図示しないＣＭＰ（化学機械ポリッシン
グ）装置に搬送され、該ＣＭＰ装置でガスポリッシング
した面を化学的及び／又は機械的にポリッシングする。
これにより、ガスポリッシングにより平坦化されたポリ
ッシング面が更に精度良く平坦化される。
対象物３４は図示しないＣＭＰ（化学機械ポリッシン
グ）装置に搬送され、該ＣＭＰ装置でガスポリッシング
した面を化学的及び／又は機械的にポリッシングする。
これにより、ガスポリッシングにより平坦化されたポリ
ッシング面が更に精度良く平坦化される。
【００４４】図８は図４に示す構造のガスポリッシング
用ノズルを使用するガスポリッシング装置の構成例を示
す図である。図８において、図７と同一符号を付した部
分は同一又は相当部分を示す。３本のノズル２１、２
２、２３を具備するガスポリッシング用ノズル２０がポ
リッシング対象物３４に対向して配置されている。該ガ
スポリッシング用ノズル２０のノズル２１はマニホール
ド２４を介して配管５４に接続され、ノズル２２はマニ
ホールド２４を介して配管５３に接続され、更にノズル
２３はマニホールド２４を介して配管５７に接続されて
いる。
用ノズルを使用するガスポリッシング装置の構成例を示
す図である。図８において、図７と同一符号を付した部
分は同一又は相当部分を示す。３本のノズル２１、２
２、２３を具備するガスポリッシング用ノズル２０がポ
リッシング対象物３４に対向して配置されている。該ガ
スポリッシング用ノズル２０のノズル２１はマニホール
ド２４を介して配管５４に接続され、ノズル２２はマニ
ホールド２４を介して配管５３に接続され、更にノズル
２３はマニホールド２４を介して配管５７に接続されて
いる。
【００４５】上記構成のガスポリッシング装置におい
て、ポリッシング対象物のポリッシングは下記のように
して行う。先ず、ゲート４０を開放してポリッシング対
象物３４を載置台３３上に載置する。次に真空ポンプ３
８を起動すると共にバルブ４１を開放してポリッシング
室３１のガスを排出し、該ポリッシング室３１内を１０
-1〜１０-2Ｔｏｒｒの真空度にする。この時、３方弁４
２、４３、５５はノズル２１、２２、２３をそれぞれ真
空ポンプ３８に接続している。
て、ポリッシング対象物のポリッシングは下記のように
して行う。先ず、ゲート４０を開放してポリッシング対
象物３４を載置台３３上に載置する。次に真空ポンプ３
８を起動すると共にバルブ４１を開放してポリッシング
室３１のガスを排出し、該ポリッシング室３１内を１０
-1〜１０-2Ｔｏｒｒの真空度にする。この時、３方弁４
２、４３、５５はノズル２１、２２、２３をそれぞれ真
空ポンプ３８に接続している。
【００４６】次に、３方弁４３を切り替え、ガス噴射ノ
ズルとなるノズル２２をマスフローコントローラ４５、
４７を介してポリッシングガス源４８、希釈ガス源４９
に接続する。これにより、マスフローコントローラ４５
を通して供給されるポリッシングガスとマスフローコン
トローラ４７を通して供給される希釈ガス源が所定の割
合（例えば、ＣｌＦ3：Ａｒ＝１：２）で混合され、ノ
ズル２２から噴射される。そして反応余剰のポリッシン
グガスはノズル２１、２３で素速く吸引され、真空ポン
プ３８及び除害装置３９を通って排気される。
ズルとなるノズル２２をマスフローコントローラ４５、
４７を介してポリッシングガス源４８、希釈ガス源４９
に接続する。これにより、マスフローコントローラ４５
を通して供給されるポリッシングガスとマスフローコン
トローラ４７を通して供給される希釈ガス源が所定の割
合（例えば、ＣｌＦ3：Ａｒ＝１：２）で混合され、ノ
ズル２２から噴射される。そして反応余剰のポリッシン
グガスはノズル２１、２３で素速く吸引され、真空ポン
プ３８及び除害装置３９を通って排気される。
【００４７】ガスポリッシング用ノズル２０のノズル２
２の先端とポリッシング対象物３４の間隔制御はマニホ
ールド駆動制御部３７により行われ、ポリッシング対象
物３４のポリッシング部位の設定はテーブル駆動制御部
３６によって行われ、ポリッシング対象物３４の全ポリ
ッシング面のポリッシングが終了したら、３方弁４３を
真空ポンプ３８側に切り替え、ポリッシングガスの供給
を停止すると同時に真空ポンプ３８によってポリッシン
グ室３１のポリッシングガスを十分排気した後、バルブ
４１を閉じる。続いてバルブ５０を開放し、窒素ガス源
５２からＮ2ガスをポリッシング室３１に供給し、ポリ
ッシング室３１内を大気圧にし、ゲート４０を開放し
て、ポリッシング対象物３４を搬出する。
２の先端とポリッシング対象物３４の間隔制御はマニホ
ールド駆動制御部３７により行われ、ポリッシング対象
物３４のポリッシング部位の設定はテーブル駆動制御部
３６によって行われ、ポリッシング対象物３４の全ポリ
ッシング面のポリッシングが終了したら、３方弁４３を
真空ポンプ３８側に切り替え、ポリッシングガスの供給
を停止すると同時に真空ポンプ３８によってポリッシン
グ室３１のポリッシングガスを十分排気した後、バルブ
４１を閉じる。続いてバルブ５０を開放し、窒素ガス源
５２からＮ2ガスをポリッシング室３１に供給し、ポリ
ッシング室３１内を大気圧にし、ゲート４０を開放し
て、ポリッシング対象物３４を搬出する。
【００４８】上記ガスポリッシングの終了したポリッシ
ング対象物３４は、上記と同様、図示しないＣＭＰ装置
に搬送し、該ＣＭＰ装置でガスポリッシングした面を化
学的及び／又は機械的にポリッシングする。これによ
り、ガスポリッシングにより平坦化されたポリッシング
面が更に精度良く平坦化される。
ング対象物３４は、上記と同様、図示しないＣＭＰ装置
に搬送し、該ＣＭＰ装置でガスポリッシングした面を化
学的及び／又は機械的にポリッシングする。これによ
り、ガスポリッシングにより平坦化されたポリッシング
面が更に精度良く平坦化される。
【００４９】なお、図１及び図２に示す例では、ガスポ
リッシング用ノズル１０は反応性のポリッシングガスを
噴射するガス噴射パイプ１を取り巻くように反応余剰の
ポリッシングガスを排気するガス排気パイプ２が設けら
れた同軸の２重管構造としたが、ガスポリッシング用ノ
ズル１０はこの構造に限定されるものではなく、図９に
示すように、同軸の３重管構造とし、最内側のパイプを
反応性のポリッシングガス（例えば、ＣｌＦ3）を噴射
するガス噴射パイプ４、中間のパイプを不活性ガス（例
えば、Ａｒ，Ｎ2，Ｈｅ）又はポリッシングガスを失活
させうるガス（例えば、ＣｌＦ3に対してはＯ2）を噴射
するガス噴射パイプ５、最外側のパイプを反応余剰のポ
リッシングガス及び不活性ガス又はポリッシングガスを
失活させうるガスを排気するガス排気パイプ６としても
よい。
リッシング用ノズル１０は反応性のポリッシングガスを
噴射するガス噴射パイプ１を取り巻くように反応余剰の
ポリッシングガスを排気するガス排気パイプ２が設けら
れた同軸の２重管構造としたが、ガスポリッシング用ノ
ズル１０はこの構造に限定されるものではなく、図９に
示すように、同軸の３重管構造とし、最内側のパイプを
反応性のポリッシングガス（例えば、ＣｌＦ3）を噴射
するガス噴射パイプ４、中間のパイプを不活性ガス（例
えば、Ａｒ，Ｎ2，Ｈｅ）又はポリッシングガスを失活
させうるガス（例えば、ＣｌＦ3に対してはＯ2）を噴射
するガス噴射パイプ５、最外側のパイプを反応余剰のポ
リッシングガス及び不活性ガス又はポリッシングガスを
失活させうるガスを排気するガス排気パイプ６としても
よい。
【００５０】上記のように３重管構造とすることによ
り、ガス噴射パイプ４からポリッシング対象物１１に向
けて噴射された反応性のポリッシングガスは、ガス噴射
パイプ５から噴射された不活性ガスに囲まれた範囲に噴
射されると共に、反応余剰ガスは該不活性ガスに吹き飛
ばされるように、瞬時にガス排気パイプ６に吸引される
ので、明瞭なプロファイルのポリッシングを行うことが
できる。なお、図示は省略するが、ここでもポリッシン
グ対象物１１は図２に示すように、ポリッシング室内に
配置された配置台に載置されている。
り、ガス噴射パイプ４からポリッシング対象物１１に向
けて噴射された反応性のポリッシングガスは、ガス噴射
パイプ５から噴射された不活性ガスに囲まれた範囲に噴
射されると共に、反応余剰ガスは該不活性ガスに吹き飛
ばされるように、瞬時にガス排気パイプ６に吸引される
ので、明瞭なプロファイルのポリッシングを行うことが
できる。なお、図示は省略するが、ここでもポリッシン
グ対象物１１は図２に示すように、ポリッシング室内に
配置された配置台に載置されている。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ス噴射ノズルから噴射したポリッシングガスを排気する
ガス排気ノズルを具備し、該ガス噴射ノズルからポリッ
シング対象物に向けてポリッシングガスを噴射すると同
時に反応余剰ポリッシングガスを該ガス排気ノズルを通
して排気する構成を採用するので、ポリッシング対象物
のポリッシングしたい部分を精度良くポリッシングでき
るガスポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル、
ガスポリッシング装置及びポリッシング装置を提供でき
る。
ス噴射ノズルから噴射したポリッシングガスを排気する
ガス排気ノズルを具備し、該ガス噴射ノズルからポリッ
シング対象物に向けてポリッシングガスを噴射すると同
時に反応余剰ポリッシングガスを該ガス排気ノズルを通
して排気する構成を採用するので、ポリッシング対象物
のポリッシングしたい部分を精度良くポリッシングでき
るガスポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル、
ガスポリッシング装置及びポリッシング装置を提供でき
る。
【図１】本発明のガスポリッシング用ノズルの構造例を
示す図で、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ断
面図である。
示す図で、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ断
面図である。
【図２】本発明のガスポリッシング用ノズルを用いたガ
スポリッシング装置の概略構造を示す図である。
スポリッシング装置の概略構造を示す図である。
【図３】本発明のガスポリッシング用ノズルを用いてポ
リッシング対象物をポリッシングした例を示す図であ
る。
リッシング対象物をポリッシングした例を示す図であ
る。
【図４】本発明のガスポリッシング用ノズルの構造例を
示す図で、図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は底面図で
ある。
示す図で、図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は底面図で
ある。
【図５】図５（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ断面図、図５
（ｂ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ断面図、図５（ｃ）は図４
（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。
（ｂ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ断面図、図５（ｃ）は図４
（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）はポリッシングプロファイ
ルの例を示す図である。
ルの例を示す図である。
【図７】本発明に係るガスポリッシング用ノズルを使用
したガスポリッシング装置の構成例を示す図である。
したガスポリッシング装置の構成例を示す図である。
【図８】本発明に係るガスポリッシング用ノズルを使用
したガスポリッシング装置の構成例を示す図である。
したガスポリッシング装置の構成例を示す図である。
【図９】本発明のガスポリッシング用ノズルを用いたガ
スポリッシング装置の概略構造を示す図である。
スポリッシング装置の概略構造を示す図である。
【図１０】従来のガスポリッシング装置の概略構成を示
す図である。
す図である。
【図１１】従来のガスポリッシング用ノズルを用いてポ
リッシング対象物をポリッシングした例を示す図であ
る。
リッシング対象物をポリッシングした例を示す図であ
る。
１ ガス噴射パイプ ２ ガス排気パイプ ３ 排気パイプ ４ ガス噴射パイプ ５ ガス噴射パイプ ６ ガス排気パイプ １０ ガスポリッシング用ノズル １１ ポリッシング対象物 １２ 載置台 １３ ポリッシング室 ２０ ガスポリッシング用ノズル ２１〜２３ ノズル ２４ マニホールド ２５〜２７ パイプ ２８ ポリッシング対象物 ３１ ポリッシング室 ３２ Ｘ−Ｙテーブル ３３ 載置台 ３４ ポリッシング対象物 ３５ マニホールド ３６ テーブル駆動制御部 ３７ マニホールド駆動制御部 ３８ 真空ポンプ ３９ 除害装置 ４０ ゲート ４１ バルブ ４２，４３ ３方弁 ４４〜４７ マスフローコントローラ ４８ ポリッシングガス源 ４９ 希釈ガス源 ５０ バルブ ５１ フィルタ ５２ 窒素ガス源 ５５ ３方弁 ５６ マスフローコントローラ
Claims (10)
- 【請求項１】 ポリッシング対象物に対してガス噴射用
ノズルからポリッシングガスを噴射し、該ポリッシング
対象物をポリッシングするポリッシング方法であって、 前記ガス噴射ノズルから噴射したポリッシングガスを排
気するガス排気ノズルを具備し、該ガス噴射ノズルから
前記ポリッシング対象物に向けてポリッシングガスを噴
射すると同時に反応余剰ポリッシングガスを該ガス排気
ノズルを通して排気することを特徴とするガスポリッシ
ング方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のガスポリッシング方法
において、 前記ガス噴射ノズルとガス排気ノズルとを同軸パイプか
らなる２重管構造とし、内側又は外側のガス噴射ノズル
からポリッシングガスを噴射し、外側又は内側の排気ノ
ズルから反応余剰ポリッシングガスを排気することを特
徴とするガスポリッシング方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のガスポリッシング方法
において、 前記ガス噴射ノズルとガス排気ノズルとを同軸パイプか
らなる３重管構造とし、最内側のノズルからポリッシン
グガスを噴射すると共に、中間のノズルから不活性ガス
又はポリッシングガスを失活させうるガスを噴射し、最
外側のノズルから反応余剰ポリッシングガス及び不活性
ガス又はポリッシングガスを失活させうるガスを排気す
ることを特徴とするガスポリッシング方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のガスポリッシング方法
において、 所定の間隔で配置された複数本のパイプを具備し、該複
数本のパイプのうち少なくとも１本のパイプをガス噴射
ノズルとし、他をガス排気ノズルとし、該ガス噴射ノズ
ルからポリッシングガスを噴射すると同時に、該ガス排
気ノズルで反応余剰ポリッシングガスを排気することを
特徴とするガスポリッシング方法。 - 【請求項５】 ポリッシング対象物に対してポリッシン
グガスを噴射するガスポリッシング用ノズルであって、 前記ポリッシングガスを噴射するガス噴射ノズルと噴射
したガスを排気するガス排気ノズルを具備し、該ガス噴
射ノズルとガス排気ノズルとを同軸の２重管構造とした
ことを特徴とするガスポリッシング用ノズル。 - 【請求項６】 請求項５に記載のガスポリッシング用ノ
ズルにおいて、 前記ガス噴射ノズルとガス排気ノズルの２重管構造は、
内側にガス噴射ノズル又はガス排気ノズルを配置し、外
側にガス排気ノズル又はガス噴射ノズルを配置したこと
を特徴とするガスポリッシング用ノズル。 - 【請求項７】 請求項５又は６に記載のガスポリッシン
グ用ノズルにおいて、 前記ガス噴射ノズルとガス排気ノズルの２重管構造は、
両ノズルの先端が同一面にあるか或いはいずれか一方が
他方より所定量突出していることを特徴とするガスポリ
ッシング用ノズル。 - 【請求項８】 ポリッシング対象物に対してポリッシン
グガスを噴射するガスポリッシング用ノズルであって、 所定の間隔で配置された複数本のパイプを具備し、該複
数本のパイプのうち少なくとも１本のパイプをガス噴射
ノズルとし、他のパイプを反応余剰ポリッシングガスを
排気するガス排気ノズルとすることを特徴とするガスポ
リッシング用ノズル。 - 【請求項９】 請求項５乃至８のいずれか１に記載のガ
スポリッシング用ノズルとポリッシング室を具備し、 前記ポリッシング室内に配置したポリッシング対象のポ
リッシング箇所に前記ガス噴射ノズルからポリッシング
ガスを噴射すると共に反応余剰ポリッシングガスを前記
ガス排気ノズルを通して排気するポリッシングガス供給
排気手段を具備することを特徴とするガスポリッシング
装置。 - 【請求項１０】 ポリッシング対象物のポリッシング面
にポリッシングガスを噴射してポリッシングを行う請求
項９に記載のガスポリッシング装置と、該ガスポリッシ
ング装置でポリッシングした面を更に化学的及び／又は
機械的にポリッシングする化学機械（ＣＭＰ）ポリッシ
ング装置を具備することを特徴とするポリッシング装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8936198A JPH11274116A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ガスポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリッシング装置 |
| US09/272,170 US6447632B1 (en) | 1998-03-18 | 1999-03-18 | Apparatus and nozzle device for gaseous polishing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8936198A JPH11274116A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ガスポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274116A true JPH11274116A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13968579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8936198A Pending JPH11274116A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ガスポリッシング方法、ガスポリッシング用ノズル及びポリッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274116A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101244903B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2013-03-18 | 램 리서치 아게 | 유체 배출 장치 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP8936198A patent/JPH11274116A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101244903B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2013-03-18 | 램 리서치 아게 | 유체 배출 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
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