JPH11274304A - ダミー配線を有するメタルヒューズ素子 - Google Patents
ダミー配線を有するメタルヒューズ素子Info
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- JPH11274304A JPH11274304A JP9525298A JP9525298A JPH11274304A JP H11274304 A JPH11274304 A JP H11274304A JP 9525298 A JP9525298 A JP 9525298A JP 9525298 A JP9525298 A JP 9525298A JP H11274304 A JPH11274304 A JP H11274304A
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- metal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の冗長回路のメタルヒューズ素子を切断す
るレーザ光のエネルギー量は、周辺に配置された配線パ
ターンの密度により決定され、配線密度の高い領域に配
置されたメタルヒューズ素子を切断するレーザ光で配線
密度の低い領域のメタルヒューズ素子を切断すると周辺
の絶縁層にクラックが発生する。 【解決手段】本発明は、メタル配線形成の工程時に併せ
て、メタルヒューズ素子１から一定の距離だけ離れて取
り囲むダミー配線２を形成する。この構成によりメタル
ヒューズ素子１がレイアウト上のどこに配置されても、
隣接する配線３若しくはダミー配線２までの距離が一定
になり、メタルヒューズ素子１を切断するレーザ光のエ
ネルギー量の周辺配線依存性をなくなり、単一の条件に
よる一定のエネルギー量のレーザ光で切断可能なダミー
配線を有するメタルヒューズ素子である。
るレーザ光のエネルギー量は、周辺に配置された配線パ
ターンの密度により決定され、配線密度の高い領域に配
置されたメタルヒューズ素子を切断するレーザ光で配線
密度の低い領域のメタルヒューズ素子を切断すると周辺
の絶縁層にクラックが発生する。 【解決手段】本発明は、メタル配線形成の工程時に併せ
て、メタルヒューズ素子１から一定の距離だけ離れて取
り囲むダミー配線２を形成する。この構成によりメタル
ヒューズ素子１がレイアウト上のどこに配置されても、
隣接する配線３若しくはダミー配線２までの距離が一定
になり、メタルヒューズ素子１を切断するレーザ光のエ
ネルギー量の周辺配線依存性をなくなり、単一の条件に
よる一定のエネルギー量のレーザ光で切断可能なダミー
配線を有するメタルヒューズ素子である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリ装置
の冗長回路の選択を行うためのメタルヒューズ素子に係
り、特に切断の際に絶縁膜への損傷を防止するダミー配
線を有するメタルヒューズ素子に関する。
の冗長回路の選択を行うためのメタルヒューズ素子に係
り、特に切断の際に絶縁膜への損傷を防止するダミー配
線を有するメタルヒューズ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置を製造した場合、設計
時や製造時に定めたマージンを越えたり、製造ミスやパ
ーティクルの発生等により半導体装置の一部に不具合が
生じる可能性がある。
時や製造時に定めたマージンを越えたり、製造ミスやパ
ーティクルの発生等により半導体装置の一部に不具合が
生じる可能性がある。
【０００３】このような不具合が半導体装置の一部に生
じると、場合によっては、その装置全体が不良品となる
こともあり、その不具合の箇所を電気的に切り離して良
品として利用できるような手法が用いられている。
じると、場合によっては、その装置全体が不良品となる
こともあり、その不具合の箇所を電気的に切り離して良
品として利用できるような手法が用いられている。
【０００４】この手法として、代表的なものには、回路
網の中で配線部分にレーザ光を照射して電気的に遮断可
能なヒューズ素子を設けておき、そのヒューズ素子を溶
解して不具合のあった素子自体やそれを含む回路をブロ
ック単位で電気的に切り離し可能なヒューズ切断式の冗
長回路がある。
網の中で配線部分にレーザ光を照射して電気的に遮断可
能なヒューズ素子を設けておき、そのヒューズ素子を溶
解して不具合のあった素子自体やそれを含む回路をブロ
ック単位で電気的に切り離し可能なヒューズ切断式の冗
長回路がある。
【０００５】半導体メモリ装置で一般に用いられている
ヒューズ素子は、ポリシリコン等のゲート電極材料で形
成されている。つまり、このようなポリシリコンヒュー
ズ素子は、製造工程の早い段階でつまり、半導体基板に
近い下層側に形成される。そのため、ポリシリコンヒュ
ーズ素子上方には、幾層も積層され、層間絶縁膜等の厚
い層が形成されている。このため、単にレーザ光を照射
しただけでは、ポシリコンヒューズ素子まで到達せず、
切断できない場合が発生する。
ヒューズ素子は、ポリシリコン等のゲート電極材料で形
成されている。つまり、このようなポリシリコンヒュー
ズ素子は、製造工程の早い段階でつまり、半導体基板に
近い下層側に形成される。そのため、ポリシリコンヒュ
ーズ素子上方には、幾層も積層され、層間絶縁膜等の厚
い層が形成されている。このため、単にレーザ光を照射
しただけでは、ポシリコンヒューズ素子まで到達せず、
切断できない場合が発生する。
【０００６】そこで、フォトリソグラフィ技術とエッチ
ング技術を用いて、ポリシリコンヒューズ素子上方の層
間絶縁膜をある程度の深さまでエッチングして、ヒュー
ズ窓を開口している。つまり、ポリシリコンヒューズ素
子上方の膜厚を薄くして、照射されたレーザ光がポリシ
リコンヒューズ素子を容易に切断されるような構造にし
ていた。
ング技術を用いて、ポリシリコンヒューズ素子上方の層
間絶縁膜をある程度の深さまでエッチングして、ヒュー
ズ窓を開口している。つまり、ポリシリコンヒューズ素
子上方の膜厚を薄くして、照射されたレーザ光がポリシ
リコンヒューズ素子を容易に切断されるような構造にし
ていた。
【０００７】しかし近年、このようなポリシリコンに代
わって、メタルによりヒューズ素子を形成するメタルヒ
ューズ素子が提案されている。このメタルヒューズ素子
は、半導体装置製造工程のおける後半の工程で形成され
るメタル配線層、特に最上層のメタル層をヒューズ素子
として用いている。
わって、メタルによりヒューズ素子を形成するメタルヒ
ューズ素子が提案されている。このメタルヒューズ素子
は、半導体装置製造工程のおける後半の工程で形成され
るメタル配線層、特に最上層のメタル層をヒューズ素子
として用いている。
【０００８】このため、ヒューズ窓を開けずに、レーザ
光を照射して切断することができる。また、パッシベー
ション層によりヒューズ素子を覆った後であっても、パ
ッシベーション層と一緒にメタルヒューズ素子をレーザ
光で切断することができる。
光を照射して切断することができる。また、パッシベー
ション層によりヒューズ素子を覆った後であっても、パ
ッシベーション層と一緒にメタルヒューズ素子をレーザ
光で切断することができる。
【０００９】従って、ポリシリコンのようなゲート材料
をヒューズ素子に用いた場合に必要であったヒューズ窓
の形成が不要となる。
をヒューズ素子に用いた場合に必要であったヒューズ窓
の形成が不要となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前述したメタルヒュー
ズ素子をレーザ光を照射して切断する時、導電率（若し
くは、熱の伝わり方）の違いからメタルヒューズ素子周
りの配線パターンの影響を受ける。つまり、図５に示す
ような配線密度の高い密な領域に配置されたメタルヒュ
ーズ素子１は、図６に示すような配線密度の低い疎な領
域に配置されたメタルヒューズ素子１よりも高いエネル
ギー量で照射しないと切断できない。
ズ素子をレーザ光を照射して切断する時、導電率（若し
くは、熱の伝わり方）の違いからメタルヒューズ素子周
りの配線パターンの影響を受ける。つまり、図５に示す
ような配線密度の高い密な領域に配置されたメタルヒュ
ーズ素子１は、図６に示すような配線密度の低い疎な領
域に配置されたメタルヒューズ素子１よりも高いエネル
ギー量で照射しないと切断できない。
【００１１】一方、配線密度の低い領域のメタルヒュー
ズ素子を配線密度が高いときの高いエネルギー量で切断
すると、図６に示すようなメタルヒューズ素子１の周辺
の絶縁層にクラックＣが入ってしまう。
ズ素子を配線密度が高いときの高いエネルギー量で切断
すると、図６に示すようなメタルヒューズ素子１の周辺
の絶縁層にクラックＣが入ってしまう。
【００１２】一般に、メモリセルに付加されている冗長
回路（メタルヒューズ素子を備える）は、ワードライン
側とビットライン側の両側に形成しているため、レイア
ウト上チップ全体にわたって散在しており、特定の領域
に集中させて形成することはできない。
回路（メタルヒューズ素子を備える）は、ワードライン
側とビットライン側の両側に形成しているため、レイア
ウト上チップ全体にわたって散在しており、特定の領域
に集中させて形成することはできない。
【００１３】通常、チップ上でメモリセル中央側やメモ
リセル周辺に設けた冗長回路は、その周辺の配線が密な
状態となっている。一方、メモリセル端側に設けた冗長
回路は、チップの最外周まで何ら素子が形成されていな
いため、配線は疎となっている。
リセル周辺に設けた冗長回路は、その周辺の配線が密な
状態となっている。一方、メモリセル端側に設けた冗長
回路は、チップの最外周まで何ら素子が形成されていな
いため、配線は疎となっている。
【００１４】従って、従来のレイアウトにおいては、ヒ
ューズ素子周りの配線の密度が場所によって異なってお
り、その配線の密度によってレーザ光のエネルギー量を
その都度切換るのは処理操作が煩雑になる上、それぞれ
配線密度が異なる配線パターンの場合には、それぞれに
エネルギー量を条件出しする必要もある。
ューズ素子周りの配線の密度が場所によって異なってお
り、その配線の密度によってレーザ光のエネルギー量を
その都度切換るのは処理操作が煩雑になる上、それぞれ
配線密度が異なる配線パターンの場合には、それぞれに
エネルギー量を条件出しする必要もある。
【００１５】そこで本発明は、周辺に形成されている配
線パターンの密度に影響されず、ヒューズ素子が予め定
めた一定のエネルギー量で周囲に損傷を与えずに、メタ
ルヒューズの切断を可能にするダミー配線を有するメタ
ルヒューズ素子を提供することを目的とする。
線パターンの密度に影響されず、ヒューズ素子が予め定
めた一定のエネルギー量で周囲に損傷を与えずに、メタ
ルヒューズの切断を可能にするダミー配線を有するメタ
ルヒューズ素子を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体基板上に形成され、レーザ光の照射
により切断される金属からなるメタルヒューズ素子にお
いて、前記メタルヒューズ素子から予め定めた一定距離
離れ、該メタルヒューズ素子の周囲を取り囲むような枠
形状に形成され、若しくは該メタルヒューズ素子と平行
して形成され、前記レーザ光の照射によるエネルギーの
周辺配線依存性を緩和作用するダミー配線を有するメタ
ルヒューズ素子を提供する。
するために、半導体基板上に形成され、レーザ光の照射
により切断される金属からなるメタルヒューズ素子にお
いて、前記メタルヒューズ素子から予め定めた一定距離
離れ、該メタルヒューズ素子の周囲を取り囲むような枠
形状に形成され、若しくは該メタルヒューズ素子と平行
して形成され、前記レーザ光の照射によるエネルギーの
周辺配線依存性を緩和作用するダミー配線を有するメタ
ルヒューズ素子を提供する。
【００１７】以上のような構成のダミー配線を有するメ
タルヒューズ素子は、メタルヒューズ素子から一定距離
離れた位置に枠形状若しくは平行なダミー配線を形成し
ているため、単一の条件による１レベルのエネルギー量
のレーザ光の照射により、配線パターンの密な領域若し
くは疎な領域のいずれに配置されても、単一の条件にお
ける一定のエネルギー量のレーザ光の照射によりメタル
ヒューズ素子の切断が実行される。
タルヒューズ素子は、メタルヒューズ素子から一定距離
離れた位置に枠形状若しくは平行なダミー配線を形成し
ているため、単一の条件による１レベルのエネルギー量
のレーザ光の照射により、配線パターンの密な領域若し
くは疎な領域のいずれに配置されても、単一の条件にお
ける一定のエネルギー量のレーザ光の照射によりメタル
ヒューズ素子の切断が実行される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。
施形態について詳細に説明する。
【００１９】本発明のダミー配線を有するメタルヒュー
ズ素子の概略について説明する。
ズ素子の概略について説明する。
【００２０】前述したようにメタルヒューズ素子を切断
するレーザ光のエネルギー量は、隣接する配線パターン
の密度、即ち周辺に配置された配線パターンまでの距離
により異なっている。このような周辺配線依存性を無く
すためには、メタルヒューズ素子に最も近い配線の距離
に基づく一定の距離間隔で、メタルヒューズ素子の周囲
に枠状のダミー配線を付加する。これによりメタルヒュ
ーズ素子がレイアウト上のどこに配置されても、隣接す
る配線若しくはダミー配線までの距離が一定になる。
するレーザ光のエネルギー量は、隣接する配線パターン
の密度、即ち周辺に配置された配線パターンまでの距離
により異なっている。このような周辺配線依存性を無く
すためには、メタルヒューズ素子に最も近い配線の距離
に基づく一定の距離間隔で、メタルヒューズ素子の周囲
に枠状のダミー配線を付加する。これによりメタルヒュ
ーズ素子がレイアウト上のどこに配置されても、隣接す
る配線若しくはダミー配線までの距離が一定になる。
【００２１】図１には、本発明による第１の実施形態に
係るダミー配線を有するメタルヒューズ素子の概略的な
構成を示し説明する。
係るダミー配線を有するメタルヒューズ素子の概略的な
構成を示し説明する。
【００２２】図１（ａ），（ｂ）に示すように、このメ
タルヒューズ素子１は、メタル配線形成の工程時にあわ
せて、ヒューズ自体から一定の距離Ｌだけ離れた位置に
取り囲む枠形状のダミー配線２を形成する。
タルヒューズ素子１は、メタル配線形成の工程時にあわ
せて、ヒューズ自体から一定の距離Ｌだけ離れた位置に
取り囲む枠形状のダミー配線２を形成する。
【００２３】このダミー配線２の線幅や距離Ｌは、その
回路パターンの全体のレイアウトにより適宜、決定され
るものであり、他の素子へ電気的特性及びクラックなど
の構造的特性等に影響を与えずに、メタルヒューズ素子
１が切断されるエネルギー量に基づくものでよく、経験
的に若しくは条件出しにより決定すればよい。
回路パターンの全体のレイアウトにより適宜、決定され
るものであり、他の素子へ電気的特性及びクラックなど
の構造的特性等に影響を与えずに、メタルヒューズ素子
１が切断されるエネルギー量に基づくものでよく、経験
的に若しくは条件出しにより決定すればよい。
【００２４】また本実施形態では、ダミー配線を四角形
の枠形状に形成したが、楕円状の枠形状でもよいし、環
状であってもよい。
の枠形状に形成したが、楕円状の枠形状でもよいし、環
状であってもよい。
【００２５】このダミー配線を設けることにより、図１
（ｃ）に示すように配線パターンが密な領域Ａであって
も、疎な領域Ｂであっても、配置されたメタルヒューズ
素子１の周囲の配線（ダミー配線２）が画一的であるた
め、どこに配置されたメタルヒューズ素子１でも、単一
の条件による一定のエネルギー量のレーザ光を照射して
切断することができる。
（ｃ）に示すように配線パターンが密な領域Ａであって
も、疎な領域Ｂであっても、配置されたメタルヒューズ
素子１の周囲の配線（ダミー配線２）が画一的であるた
め、どこに配置されたメタルヒューズ素子１でも、単一
の条件による一定のエネルギー量のレーザ光を照射して
切断することができる。
【００２６】しかし実際には、図２に示すように、回路
パターン上でメタルヒューズ素子１周辺の配線が密な領
域では、ダミー配線２を付加するスペースが無い場合も
ある。このような場合には、メタルヒューズ素子１に最
も近い距離Ｌ１の配線３がダミー配線２と同様の役割を
果たす。
パターン上でメタルヒューズ素子１周辺の配線が密な領
域では、ダミー配線２を付加するスペースが無い場合も
ある。このような場合には、メタルヒューズ素子１に最
も近い距離Ｌ１の配線３がダミー配線２と同様の役割を
果たす。
【００２７】つまり、配線が密な領域に配置するメタル
ヒューズ素子１にはダミー配線を設けず、これより配線
が疎な領域に配置するメタルヒューズ素子１には最も近
い距離Ｌ１の位置にダミー配線を設ければよい。
ヒューズ素子１にはダミー配線を設けず、これより配線
が疎な領域に配置するメタルヒューズ素子１には最も近
い距離Ｌ１の位置にダミー配線を設ければよい。
【００２８】勿論、本実施形態のダミー配線は、ヒュー
ズの切断に使用するレーザ光のエネルギーの周辺配線依
存性による損傷を防ぐことが目的であるため、ヒューズ
素子の配置場所により形成の有無を決めており、もし、
全ての配線が等間隔に配置されたレイアウトであれば、
１つのレベルのエネルギー強度であるため、ダミー配線
の形成は、不要である。つまり実施する際には、配線パ
ターンのレイアウトの疎密により、本実施形態のダミー
配線の形成の有無を決定する。
ズの切断に使用するレーザ光のエネルギーの周辺配線依
存性による損傷を防ぐことが目的であるため、ヒューズ
素子の配置場所により形成の有無を決めており、もし、
全ての配線が等間隔に配置されたレイアウトであれば、
１つのレベルのエネルギー強度であるため、ダミー配線
の形成は、不要である。つまり実施する際には、配線パ
ターンのレイアウトの疎密により、本実施形態のダミー
配線の形成の有無を決定する。
【００２９】次に第２の実施形態に係るダミー配線を有
するメタルヒューズ素子について説明する。
するメタルヒューズ素子について説明する。
【００３０】図３には、本実施形態のメタルヒューズ素
子の構成例を示す。
子の構成例を示す。
【００３１】前述した第１の実施形態では、メタルヒュ
ーズ素子１の周囲を取り囲むようにダミー配線２を形成
したが、ヒューズ部分と平行して、同等以上の長さのダ
ミー配線４ａ，４ｂを形成しても同等の効果が得られ
る。
ーズ素子１の周囲を取り囲むようにダミー配線２を形成
したが、ヒューズ部分と平行して、同等以上の長さのダ
ミー配線４ａ，４ｂを形成しても同等の効果が得られ
る。
【００３２】次に第３の実施形態に係るダミー配線を有
するメタルヒューズ素子について説明する。
するメタルヒューズ素子について説明する。
【００３３】前述した第１、第２の実施形態では、ヒュ
ーズ素子１と同層上にダミー配線２を形成していたが、
レイアウト上、同層にダミー配線を形成できない場合に
は、ダミー配線はメタルヒューズ素子１本体から距離Ｌ
で離れていればよいため、図４に示すようにダミー配線
５ａ，５ｂは、上層方向であっても下層方向であっても
形成でき、同等の効果が得られる。
ーズ素子１と同層上にダミー配線２を形成していたが、
レイアウト上、同層にダミー配線を形成できない場合に
は、ダミー配線はメタルヒューズ素子１本体から距離Ｌ
で離れていればよいため、図４に示すようにダミー配線
５ａ，５ｂは、上層方向であっても下層方向であっても
形成でき、同等の効果が得られる。
【００３４】また、均一してエネルギーの分散が可能で
有れば、各実施形態のように対向させた一対のダミー配
線でなくともよい。勿論、メタルヒューズ素子に対し
て、一方側に回路の配線パターンが形成され、他方側に
は回路パターンがなかった場合には、その片方側だけに
ダミー配線を適宜形成してもよい。
有れば、各実施形態のように対向させた一対のダミー配
線でなくともよい。勿論、メタルヒューズ素子に対し
て、一方側に回路の配線パターンが形成され、他方側に
は回路パターンがなかった場合には、その片方側だけに
ダミー配線を適宜形成してもよい。
【００３５】さらに前述した第１の実施形態では、ダミ
ー配線をメタルヒューズ素子が形成される層と同層に形
成しているが、前述した距離Ｌが維持されるならば、本
実施形態に様に、枠形状のダミー配線を上層若しくは下
層に形成してもよい。
ー配線をメタルヒューズ素子が形成される層と同層に形
成しているが、前述した距離Ｌが維持されるならば、本
実施形態に様に、枠形状のダミー配線を上層若しくは下
層に形成してもよい。
【００３６】このような構造により、メタルヒューズ素
子と同層に形成する場合よりも、ダミー配線の間隔を狭
めることができ、集積化に効果を得る。
子と同層に形成する場合よりも、ダミー配線の間隔を狭
めることができ、集積化に効果を得る。
【００３７】以上説明したような実施形態によれば、配
線パターンの密な領域や疎な領域のいずれに配置された
としても、ヒューズ素子から一定間隔にダミー配線を画
一的に形成しているため、単一の条件によるエネルギー
量のレーザ光の照射により、いずれのメタルヒューズ素
子の切断も行うことができ、その条件出しにおいても多
くとも１度で済み、従来のような複数回の条件出しと、
照射するレーザ光のエネルギー量の切り換えが不必要と
なる。
線パターンの密な領域や疎な領域のいずれに配置された
としても、ヒューズ素子から一定間隔にダミー配線を画
一的に形成しているため、単一の条件によるエネルギー
量のレーザ光の照射により、いずれのメタルヒューズ素
子の切断も行うことができ、その条件出しにおいても多
くとも１度で済み、従来のような複数回の条件出しと、
照射するレーザ光のエネルギー量の切り換えが不必要と
なる。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、周
辺に形成されている配線パターンの密度に影響されず、
ヒューズ素子が予め定めた一定のエネルギー量で周囲に
損傷を与えずに、メタルヒューズの切断が可能なダミー
配線を有するメタルヒューズ素子を提供することができ
る。
辺に形成されている配線パターンの密度に影響されず、
ヒューズ素子が予め定めた一定のエネルギー量で周囲に
損傷を与えずに、メタルヒューズの切断が可能なダミー
配線を有するメタルヒューズ素子を提供することができ
る。
【図１】第１の実施形態に係るダミー配線を有するメタ
ルヒューズ素子の概略的な構成例を示す図である。
ルヒューズ素子の概略的な構成例を示す図である。
【図２】図２に示すように、第１の実施形態において、
ヒューズ素子が高密度配線パターン内にある場合の例を
示す図である。
ヒューズ素子が高密度配線パターン内にある場合の例を
示す図である。
【図３】第２の実施形態に係るダミー配線を有するメタ
ルヒューズ素子の概略的な構成例を示す図である。
ルヒューズ素子の概略的な構成例を示す図である。
【図４】第３の実施形態に係るダミー配線を有するメタ
ルヒューズ素子の概略的な構成例を示す図である。
ルヒューズ素子の概略的な構成例を示す図である。
【図５】従来の配線密度が密な領域に配置されたメタル
ヒューズ素子の構成例を示す図である。
ヒューズ素子の構成例を示す図である。
【図６】従来の配線密度が疎な領域に配置されたメタル
ヒューズ素子の構成例と損傷した状態を示す図である。
ヒューズ素子の構成例と損傷した状態を示す図である。
１…メタルヒューズ素子 ２，４ａ，４ｂ…ダミー配線 ３…配線
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、レーザ光の照
射により切断される金属からなるメタルヒューズ素子に
おいて、 前記メタルヒューズ素子から予め定めた一定距離離れ、
該メタルヒューズ素子の周囲を取り囲むような枠形状に
形成され、前記レーザ光の照射によるエネルギーの周辺
配線依存性を緩和作用するダミー配線を具備することを
特徴とするダミー配線を有するメタルヒューズ素子。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成され、レーザ光の照
射により切断される金属からなるメタルヒューズ素子に
おいて、 前記メタルヒューズ素子から予め定めた一定距離離れ、
該メタルヒューズ素子と平行して、少なくとも該メタル
ヒューズ素子と同等の長さ以上に形成され、前記レーザ
光の照射によるエネルギーの周辺配線依存性を緩和作用
するダミー配線を具備することを特徴とするダミー配線
を有するメタルヒューズ素子。 - 【請求項３】 前記ダミー配線は、前記メタルヒューズ
素子が形成される層及び上層若しくは下層に形成される
ことを特徴とする請求項１及び請求項２に記載のダミー
配線を有するメタルヒューズ素子。 - 【請求項４】 前記予め定めた一定距離及び前記ダミー
配線の配線幅は、前記半導体装置に形成される素子及び
配線のレイアウトに基づき決定され、少なくとも前記メ
タルヒューズ素子を切断し、且つレーザ光が照射された
前記メタルヒューズに接する周囲の絶縁膜に電気的特性
及び構造的特性に変化を与えないレーザ光のエネルギー
量で規定されることを特徴とする請求項１乃至請求項３
に記載のダミー配線を有するメタルヒューズ素子。 - 【請求項５】 前記メタルヒューズ素子は、前記半導体
基板上に形成されたメモリセルに付加された冗長回路に
備えられることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記
載のダミー配線を有するメタルヒューズ素子。 - 【請求項６】 前記半導体基板上の配線が密な領域に配
置されたメタルヒューズ素子には、前記ダミー配線を設
けず、前記配線が密な領域よりも疎な領域に形成された
メタルヒューズ素子には、前記配線が密な領域において
メタルヒューズ素子に最も近い前記配線までの距離でダ
ミー配線を形成することを特徴とする請求項１乃至請求
項３に記載のダミー配線を有するメタルヒューズ素子。 - 【請求項７】 前記ダミー配線は、前記半導体基板上に
形成される配線若しくはメタルヒューズ素子と同等の金
属により形成されることを特徴とする請求項１乃至請求
項３に記載のダミー配線を有するメタルヒューズ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9525298A JPH11274304A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | ダミー配線を有するメタルヒューズ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9525298A JPH11274304A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | ダミー配線を有するメタルヒューズ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274304A true JPH11274304A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14132576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9525298A Pending JPH11274304A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | ダミー配線を有するメタルヒューズ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1401018A3 (en) * | 2002-09-19 | 2004-09-08 | Infineon Technologies North America Corp. | Unpassivated laser fuse with blast barrier to reduce splattering |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP9525298A patent/JPH11274304A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1401018A3 (en) * | 2002-09-19 | 2004-09-08 | Infineon Technologies North America Corp. | Unpassivated laser fuse with blast barrier to reduce splattering |
| US6872648B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-03-29 | Infineon Technologies Ag | Reduced splattering of unpassivated laser fuses |
| EP1547144A4 (en) * | 2002-09-19 | 2009-01-07 | Ibm | NON-PASSIVE FUSES WITH LASER FUSION CAUSING REDUCED SPLASHES |
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