JPH11274371A

JPH11274371A - 積層材料及びそれを用いるチップキャリア

Info

Publication number: JPH11274371A
Application number: JP7159198A
Authority: JP
Inventors: Hidekatsu Sekine; 秀克関根; Sotaro Toki; 荘太郎土岐; Taketo Tsukamoto; 健人塚本; Kiyotomo Nakamura; 清智中村; Hideo Honma; 英夫本間
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1998-03-20
Filing date: 1998-03-20
Publication date: 1999-10-08
Anticipated expiration: 2018-03-20
Also published as: JP3945002B2

Abstract

(57)【要約】【課題】下層導体層、その上の絶縁層及びその上に形
成された上層導体層を含む積層材料、並びにそれからな
るチップキャリアの当該絶縁層をＢＣＢ樹脂から形成し
た場合に、過マンガン酸塩処理により、下層導体層を露
出させることなく絶縁層の表面を容易に粗面化できるよ
うにする。【解決手段】下層導体１上に絶縁層２及びその上に上
層導体層３が積層された構造を有する積層材料におい
て、絶縁層２を、下層導体層１側からベンゾシクロブテ
ン樹脂からなる第１の樹脂層２ａと、その上に形成され
た、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散さ
れている第２の樹脂層２ｂとから構成する。そして上層
導体層３に接する第２の樹脂層２ｂの表面を、過マンガ
ン酸塩処理により粗面化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層材料に関し、
特に半導体装置を搭載し、その半導体装置を外部回路に
接続するため等に用いるチップキャリアに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、黒化処理済み銅基板上に設けられ
たエポキシ樹脂からなる絶縁層上に、無電解銅メッキ層
が形成され、更にその上に電解銅メッキ層が形成されて
いる構造を有する積層材料がチップキャリアとして広く
用いられている。ここで、チップキャリアとは、ＬＳＩ
などの半導体装置を搭載して外部回路に接続するために
用いられるプリント配線板、リードフレーム、ＢＧＡ
（ボール・グリッド・アレイ）等の総称である。

【０００３】このようなチップキャリアは、エポキシ樹
脂と無電解銅メッキ層との間の密着性が良好であるとい
う利点を有するが、エポキシ樹脂は誘電率が高く、高周
波特性が不十分であるという欠点を有している。

【０００４】そこで、絶縁層のエポキシ樹脂に代えて、
低い誘電率、低い吸水性、高耐熱性等の特性を有するベ
ンゾシクロブテン樹脂（ＢＣＢ樹脂）を使用することが
試みられている。この場合、ＢＣＢ樹脂からなる絶縁層
とその上に形成される導体層との間の密着性が十分では
ないために、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層
の表面を予め粗面化処理することが試みられている。

【０００５】ところで、このような粗面化処理として
は、過マンガン酸塩処理、次亜塩素酸塩処理、及びクロ
ム酸塩処理が知られている。これらの中で、次亜塩素酸
塩処理の場合には有毒な塩素ガスの発生を避けることが
できないという問題がある。また、クロム酸塩処理の場
合には既に形成されている銅などの導体層が侵されてし
まうという問題だけでなく、有害なクロムイオンを含有
する排水の処理の負担が大きいという問題がある。従っ
て、それらの問題を持たない過マンガン酸塩処理で粗面
化することが望まれている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢＣＢ
樹脂はエポキシ樹脂よりも耐薬品性に優れているため
に、過マンガン酸塩処理では十分に粗面化することがで
きず、絶縁層と無電解メッキ法及び電解メッキ法により
形成された導体層との間の密着性が不十分であるという
問題がある。

【０００７】このように、ＢＣＢ樹脂からなる絶縁層を
有するチップキャリアの当該絶縁層の表面を、過マンガ
ン酸塩処理により粗面化できるようにすることが、強く
望まれているのが現状である。

【０００８】なお、そのような粗面化処理の際に、絶縁
層の粗面化が過度に進行して下層の導体層が露出した場
合には電解メッキ時にショートが生じることが予想され
る。従って、過マンガン酸塩処理によるＢＣＢ樹脂層の
粗面化を有効に行うための研究開発においては、絶縁層
の下層の導体層を露出させることなく、有効に粗面化で
きることが求められている。

【０００９】本発明は、上述した従来の技術の課題を解
決しようとするものであり、下層導体層、その上の絶縁
層及びその上に形成された上層導体層を含む積層材料、
並びにそれからなるチップキャリアの当該絶縁層をＢＣ
Ｂ樹脂から形成した場合に、絶縁層と上層導体層との密
着性を向上させるために、過マンガン酸塩処理により、
下層導体層を露出させることなく絶縁層の表面を容易に
粗面化できるようにすることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＳｉＯ₂
フィラを分散させたＢＣＢ樹脂層の表面が過マンガン酸
塩処理により容易に粗面化できることを見出した。ま
た、それと同時に、ＳｉＯ₂フィラが比較的大きな塊に
凝集した部分では、下層の導体層に至るまでＢＣＢ樹脂
層が浸食されてしまう場合があることも見出した。これ
らの知見に基づき本発明者らは、更に、ＳｉＯ₂フィラ
を分散させたＢＣＢ樹脂層と下層導体層との間に、Ｓｉ
Ｏ₂フィラを含まないＢＣＢ樹脂層を形成し、そのＢＣ
Ｂ樹脂層で過マンガン酸塩処理による過度の浸食を防止
できることを見出した。そしてこれらの知見に基づき本
発明が完成されるに至った。

【００１１】即ち、本発明は、下層導体層上に絶縁層及
び更にその上に上層導体層が積層された構造を有する積
層材料において、絶縁層が、下層導体層側よりＢＣＢ樹
脂からなる第１の樹脂層と、その上に形成された、Ｓｉ
Ｏ₂フィラがＢＣＢ樹脂に分散されている第２の樹脂層
とから構成されており、且つ上層導体層に接する第２の
樹脂層の表面が過マンガン酸塩処理により粗面化されて
いることを特徴とする積層材料を提供する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、チップキャリアに特に適し
た本発明の積層材料を詳細に説明する。

【００１３】図１は、本発明の積層材料の概略断面図で
ある。この積層包装材料は、下層導体層１、その上に絶
縁層２、更に上層導体層３が形成された構造を有する。
ここで、絶縁層２は、下層導体層１側から、ＢＣＢ樹脂
からなる第１の樹脂層２ａとＳｉＯ₂フィラＦがＢＣＢ
樹脂Ｒに分散されている第２の樹脂層２ｂとから構成さ
れており、その第２の樹脂層２ｂの上層導電層３側の表
面は、過マンガン酸塩処理により粗面化されている。

【００１４】ここで、ＢＣＢ樹脂は、チップキャリアの
絶縁層材料として好ましい特性、即ち、低誘電率、低吸
湿性、高耐熱性、高平坦化性、高接着性、高耐薬品性等
を有する。従って、絶縁層材料としてＢＣＢ樹脂を使用
することによりチップキャリアの信頼性を向上させるこ
とが可能となる。

【００１５】ところで、ＢＣＢ樹脂自体は、耐薬品性が
高いために過マンガン酸塩処置により粗面化することが
非常に困難な樹脂である。そこで、本発明においては、
過マンガン酸塩処理により粗面化できるようにするため
に、ＢＣＢ樹脂中に無機フィラの中では比較的低誘電率
のＳｉＯ₂フィラを分散させることにより第２の樹脂層
２ｂを構成している。

【００１６】ＢＣＢ樹脂にＳｉＯ₂フィラを分散させる
ことにより過マンガン酸塩処理で粗面化できる理由は明
確ではないが、以下のように考えられる。

【００１７】即ち、ＳｉＯ₂フィラを分散する際に、Ｂ
ＣＢ樹脂がＳｉＯ₂フィラに吸着され固定され、その結
果、固定されたＢＣＢ樹脂の熱運動が抑制される。従っ
て、熱硬化工程においてＳｉＯ₂フィラ近傍のＢＣＢ樹
脂の熱硬化が十分に進行せず、そのためＳｉＯ₂フィラ
近傍のＢＣＢ樹脂が過マンガン酸塩処理で浸食可能とな
り、粗面化が達成されるものと考えられる。

【００１８】従って、十分に粗面化された第２の樹脂層
２ｂと上層導体層３との間の密着性は良好なものとな
る。しかも、第２の樹脂層２ｂが過度に過マンガン酸塩
処理により粗面化された場合でも、ＳｉＯ₂フィラを含
有しない第１の樹脂層２ａが過マンガン酸塩による浸食
のストッパとなり得る。よって、絶縁層２上に電解メッ
キにより上層導体層３を形成する際に、上層導体層３と
下層導体層１との間でショートが生じない。

【００１９】第２の樹脂層２ｂにおけるＳｉＯ₂フィラ
の含有率は、ＳｉＯ₂フィラが少なすぎると十分に粗面
化することができず、多すぎると絶縁層の誘電率が上昇
して、高周波特性が低下するので、ＢＣＢ樹脂１００重
量部に対して好ましくは１〜１５重量部である。

【００２０】また、ＳｉＯ₂フィラの粒径は、大きすぎ
ると第２の樹脂層２ｂの表面の凹凸が大きすぎてパター
ニングできなくなるので、５μｍ以下が好ましい。

【００２１】第２の樹脂層２ｂには、上述のＢＣＢ樹脂
ＲとＳｉＯ₂フィラＦとの他に、ＢＣＢ樹脂に相溶する
樹脂を必要に応じて配合することができる。

【００２２】第２の樹脂層２ｂの厚みは、薄すぎると第
１の樹脂層２ａの露出面積が大きくなりすぎて上層導体
層３の密着性が低下し、厚すぎると粗さが深さ方向に大
きくなりすぎて上層導体層３のパターンの微細化が困難
となるので、好ましくは３〜１０μｍである。

【００２３】また、第１の樹脂層２ａにも、本発明の効
果を損なわない限り、ＢＣＢ樹脂以外の樹脂を配合する
こともできる。

【００２４】第１の樹脂層２ａの厚みは、薄すぎると絶
縁効果が小さくなり、厚すぎるとビアの微細化が困難と
なるので、好ましくは５〜２０μｍである。

【００２５】本発明において、第２の樹脂層２ｂの表面
を粗面化する過マンガン酸塩処理としては、従来のチッ
プキャリアにおいて、エポキシ樹脂からなる絶縁層の粗
面化処理の際に利用されている過マンガン酸塩処理を使
用することができる。例えば、過マンガン酸カリウム１
０〜２００ｇ／ｌと５規定未満のアルカリ（水酸化ナト
リウムなど）とを含有する処理水溶液を、好ましくは４
０〜９０℃に加熱し、その処理液に第２の樹脂層２ｂの
表面を浸漬法あるいは噴霧法等により接触させる処理を
挙げることができる。

【００２６】本発明の積層材料の上層導体層３として
は、従来のチップキャリアのチップ搭載側の導体層と同
じ構成とすることができ、好ましくは無電解銅メッキ層
を挙げることができる。ここで、無電解銅メッキ層の形
成の際に使用するメッキ浴等のメッキ条件に特に制限は
なく、従来のチップキャリアの無電解銅メッキ層の場合
と同様とすることができる。

【００２７】また、本発明の積層材料においては、上層
導体層３の導通信頼性等を向上させるために、無電解銅
メッキ層上に更に電解銅メッキ層を常法により形成する
ことが好ましい。この場合の電解メッキ条件は、従来の
チップキャリアの電解銅メッキ層の場合と同様とするこ
とができる。

【００２８】本発明の積層材料の下層導体層１として
は、従来のチップキャリアのチップ非搭載側の導体層と
同じ構成とすることができ、黒色化銅板やアルミニウム
板、ポリイミドシート上の銅箔等が挙げられる。

【００２９】以上説明したように、図１の態様の積層材
料においては、下層導体層１側からＢＣＢ樹脂からなる
第１の樹脂層２ａとＢＣＢ樹脂ＲにＳｉＯ₂フィラＦが
分散した第２の樹脂層２ｂとから絶縁層２が構成されて
いるが、図２に示すように、絶縁層２が、第１の樹脂層
２ａと下層導体層１との間に更にＢＣＢ樹脂ＲにＳｉＯ
₂フィラＦが分散した第３の樹脂層２ｃを有するように
してもよい。このような構造とすることにより、絶縁層
２にカールやねじれ等が生じ難くなり、結果的に積層材
料の良好な形状安定性を確保できる。

【００３０】第３の樹脂層２ｃにおけるＳｉＯ₂フィラ
Ｆの含有率、使用するＳｉＯ₂フィラＦの粒径、また、
第３の樹脂２ｃの厚み等は、第２の樹脂層２ｂと同様と
することができる。

【００３１】なお、図１及び図２においては、第２の樹
脂層２ｂの一部の領域が第１の樹脂層２ａにまで浸食さ
れている例を示したが、これは第２の樹脂層２ｂが仮に
第１の樹脂層２ａにまで浸食されたとしても下層導体層
１が露出しないことを示す例であり、従って、粗面化が
第２の樹脂層２ｂの表面だけに止まっている場合も本発
明の範囲である。

【００３２】以上説明した図１に示す態様の積層材料
は、例えば、次のようにして作製することができる。

【００３３】即ち、下層導体層１となる銅シートなどの
金属基板上に、ＢＣＢ樹脂をメシチレン等の有機溶媒に
溶解し、その溶液をスクリーンコート法やロールコート
法等により塗布し、乾燥して加熱（例えば１００℃程
度）して硬化させることにより第１の樹脂層２ａを形成
する。

【００３４】次に、ＢＣＢ樹脂とＳｉＯ₂フィラとを、
メシチレン等の有機溶剤中で三本ロールミルやビーズミ
ル等の分散装置を用いて分散し、その分散物をスクリー
ンコート法やロールコート法等により第１の樹脂層２ａ
上に成膜して乾燥させ加熱して第２の樹脂層２ｂを形成
し、これにより絶縁層２が形成される。この絶縁層２に
対しては、必要に応じて露光、現像、バフ研磨の各処理
を施してもよい。

【００３５】次に、絶縁層２の表面に対して過マンガン
酸塩処理を施し、表面の粗面化を行う。

【００３６】その後に絶縁層２の粗面化処理面上に、常
法により無電解金属メッキ法、更に必要に応じて電解金
属メッキ法により上層導体層３を形成する。これによ
り、図１の積層材料を作製することができる。

【００３７】また、図２の積層材料は、第１の樹脂層２
ａを設ける前に、金属基板上に第２の樹脂層２ｂを形成
するために使用する分散液と同様の分散液を使用して第
３の樹脂層２ｃを形成しておき、その後は図１の積層材
料と同様な操作を繰り返すことにより作製することがで
きる。

【００３８】その後に絶縁層２の粗面化処理面上に、常
法により無電解金属メッキ法、更に必要に応じて電解金
属メッキ法により上層導体層３を形成する。これによ
り、図２の積層材料を作製することができる。

【００３９】なお、図１及び図２の積層材料を作製する
に際し、図３（ａ）又は図３（ｂ）に示すように、絶縁
層２の表面に対して過マンガン酸塩処理を施して表面が
粗面化されていない状態の積層材料、並びに図４（ａ）
及び図４（ｂ）に示すように、絶縁層２の表面に対して
過マンガン酸塩処理を施して表面が粗面化された状態の
積層材料が使用される。これらの積層材料は、図１又は
図２の積層材料の前駆材料として市場取引性があり有用
なものである。従って、これらの積層材料も本発明の一
部と見なすことができる。

【００４０】即ち、図３（ａ）の積層材料は、導体層１
上に絶縁層２が形成された構造を有しており、その絶縁
層２が、導体層１側からＢＣＢ樹脂からなる第１の樹脂
層２ａと、その上に形成された、ＳｉＯ₂フィラＦがＢ
ＣＢ樹脂Ｒに分散されている第２の樹脂層２ｂとから構
成されている。この場合、図３（ｂ）に示すように、第
１の樹脂層２ａの導体層１側の表面上に、更に、ＳｉＯ
₂フィラＦがＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第３の樹脂
層２ｃが形成されていてもよい。

【００４１】また、図４（ａ）の積層材料は、導体層１
上に絶縁層２が形成された構造を有しており、その絶縁
層２が、導体層１側から、ＢＣＢ樹脂からなる第１の樹
脂層２ａと、その上に形成された、ＳｉＯ₂フィラＦが
ＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第２の樹脂層２ｂとから
構成されており、且つ導体層１と反対側の第２の樹脂層
２ｂの表面が過マンガン酸塩処理により粗面化されてい
る構造を有する。この場合、図４（ｂ）に示すように、
第１の樹脂層２ａの導体層１側の表面上に、更に、Ｓｉ
Ｏ₂フィラＦがＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第３の樹
脂層２ｃが形成されていてもよい。

【００４２】以上説明した本発明の積層材料は、低誘電
率、低吸湿性、高耐熱性、高平坦化性、高接着性、高耐
薬品性等を有するＢＣＢ樹脂を絶縁層の材料として使用
し、しかもその表面が過マンガン酸塩処理により容易に
粗面化することができる。従って、その上に形成される
導体層との密着性が向上する。よって、本発明の積層材
料は、半導体装置を搭載するための信頼性の高いチップ
キャリアとなる。また、一度、半導体装置を搭載すれ
ば、信頼性の高いチップモジュールとなる。

【００４３】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。

【００４４】実施例１ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部とメシチ
レン２０重量部とを混合し、その混合物を黒化処理済み
の銅基板の表面上にロールコート法により２０μｍ厚で
成膜し、１００℃のオーブン中で約３０分間キュアリン
グし、ＢＣＢ樹脂層を形成した。

【００４５】次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１
００重量部と平均粒径１００オングストロームのシリカ
粉末（ＡＥＲＯＳＩＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジ
ル社製）４重量部とを三本ロール法により分散させ、更
にメシチレン７０重量部を加えて分散させた。得られた
分散液をロールコート法により、ＢＣＢ樹脂層上に５μ
ｍ厚で成膜し、窒素雰囲気下のオーブン中でキュアリン
グ（７５℃−２０分，１００℃−１５分、１５０℃−１
５分、２００℃−３０分）し、第２の樹脂層を形成し
た。これにより銅基板上に、ＢＣＢ樹脂層とシリカ粉末
含有ＢＣＢ樹脂層とからなる二重構造の絶縁層を形成し
た。

【００４６】得られた絶縁層を４２０ｎｍの光（１００
〜２００ｍＪ／ｃｍ²）でパターニング露光し、アルカ
リ水溶液系現像液（炭酸ナトリウム：水酸化ナトリウム
＝７３：２７の１％水溶液）で現像し、水洗した後に、
１００℃で３０分間ポストベークした。

【００４７】得られた絶縁層の表面を、バフロール（Ｈ
Ｄ５Ｓ−ＳＦ、３Ｍ社製）を備えたバフ研磨装置（石井
表記社製）で研磨した（バフロール回転数１５００ｒｐ
ｍ、オシレーション５Ｈｚ（間隔５ｍｍ）、送り速度２
ｍ／分、２回通し、流水冷却、研磨量５〜６μｍ）。

【００４８】この研磨した絶縁層を、過マンガン酸カリ
ウム３％と水酸化ナトリウム２％とを含有する過マンガ
ン酸塩処理液に６５℃で１０分間接触させることにより
粗面化した。

【００４９】この粗面化した絶縁層の表面に対し、奥野
製薬製のＯＰＣプロセスに従って、キャラクタライジン
グし、アクセラレーティングし、硫酸銅浴（ＣｕＳＯ₄
・５Ｈ₂Ｏ０．０３Ｍ；ＥＤＴＡ・４Ｈ０．２４
Ｍ；２，２′−Ｂｉｐｙｒｉｄｉｎｅ１０ｐｐｍ；
ＰＥＧ−１０００１００ｐｐｍ；ｐ−ＨＣＨＯ
０．２０Ｍ；ｐＨ＝１２．５；温度６０℃；大
気雰囲気下）で無電解銅メッキを行い、更に硫酸銅浴で
電解銅メッキすることによりチップキャリアを得た。こ
の電解メッキの際、下層導体層である黒化処理済み銅基
板と電解メッキ層との間にショートは生じなかった。

【００５０】得られたチップキャリアを一昼夜放置した
後に、その絶縁層と無電解銅メッキ層との間の密着性を
調べるために、ＪＩＳＣ５０１２に従って、テープ剥
離試験を行った。その結果、剥離強度は６００ｇ／ｃｍ
²であった。

【００５１】実施例２ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒
径１００オングストロームのシリカ粉末（ＡＥＲＯＳＩ
ＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジル社製）４重量部と
を三本ロール法により分散させ、更にメシチレン３０重
量部を加えて分散させた。得られた分散液をロールコー
ト法により、黒化処理済み銅基板上に１５μｍ厚で成膜
し、１００℃のオーブン中で約３０分間キュアリングし
てシリカ粉末含有ＢＣＢ層を形成した。

【００５２】次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１
００重量部とメシチレン５０重量部とを混合し、その混
合物をシリカ粉末含有ＢＣＢ層の表面上にロールコート
法により５μｍ厚で成膜し、１００℃のオーブン中で約
３０分間キュアリングし、シリカ粉末を含有しないＢＣ
Ｂ樹脂層を形成した。

【００５３】次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１
００重量部と平均粒径１００オングストロームのシリカ
粉末（ＡＥＲＯＳＩＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジ
ル社製）４重量部とを三本ロール法により分散させ、更
にメシチレン７０重量部を加えて分散させた。得られた
分散液をロールコート法により、シリカ粉末を含有しな
いＢＣＢ樹脂層上に５μｍ厚で成膜し、窒素雰囲気下の
オーブン中でキュアリング（７５℃−２０分，１００℃
−１５分、１５０℃−１５分、２００℃−３０分）し、
第２の樹脂層を形成した。これにより下層導電層上に、
ＢＣＢ樹脂からなる樹脂層とＢＣＢ樹脂にシリカ粉末が
分散した絶縁層とからなる三重構造の絶縁層を形成し
た。

【００５４】得られた絶縁層を、実施例１と同様の条件
でパターニング露光し、アルカリ水溶液系現像液で現像
し、水洗した後に、１００℃で３０分間ポストベークし
た。

【００５５】得られた絶縁層の表面を、実施例１と同様
の条件でバフ研磨した。

【００５６】この研磨した絶縁層を、過マンガン酸カリ
ウム３％と水酸化ナトリウム２％とを含有する過マンガ
ン酸塩処理液に６５℃で１０分間接触させることにより
粗面化した。

【００５７】この粗面化した絶縁層の表面に対し、実施
例１と同様に奥野製薬製のＯＰＣプロセスに従って、キ
ャラクタライジングし、アクセラレーティングし、硫酸
銅浴で無電解銅メッキを行い、更に硫酸銅浴で電解銅メ
ッキすることによりチップキャリアを得た。この電解メ
ッキの際、下層導体層である黒化処理済み銅基板と電解
メッキ層との間にショートは生じなかった。しかも、得
られたチップキャリアは、実施例１のチップキャリアに
比べてカールやそりのなく、形状安定性に優れていた。

【００５８】得られたチップキャリアを一昼夜放置した
後に、その絶縁層と無電解銅メッキ層との間の密着性を
調べるために、ＪＩＳＣ５０１２に従って、テープ剥
離試験を行った。その結果、剥離強度は６００ｇ／ｃｍ
²であった。

【００５９】比較例１過マンガン酸塩処理液による粗面化を行わない以外は、
実施例１と同様にして比較のためのチップキャリアを得
た。得られたチップキャリアについて、実施例１と同様
にテープ剥離試験を行った。その結果、試験中に剥離し
てしまい、測定できなかった。

【００６０】比較例２ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒
径１００オングストロームのシリカ粉末（ＡＥＲＯＳＩ
ＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジル社製）４重量部と
を三本ロール法により分散させ、更にメシチレン７０重
量部を加えて分散させた。得られた分散液をロールコー
ト法により、黒化処理済み銅基板上に２０μｍ厚で成膜
し、窒素雰囲気下のオーブン中でキュアリング（７５℃
−３０分，１００℃−１５分、１５０℃−１５分、２０
０℃−３０分）した。これにより、シリカ粉末入りのＢ
ＣＢ樹脂層からなる単層構造の絶縁層を形成した。

【００６１】得られた絶縁層を、実施例１と同様の条件
でパターニング露光し、アルカリ水溶液系現像液で現像
し、水洗した後に、１００℃で３０分間ポストベークし
た。

【００６２】得られた絶縁層の表面を、実施例１と同様
の条件でバフ研磨した。

【００６３】この研磨した絶縁層を、過マンガン酸カリ
ウム３％と水酸化ナトリウム２％とを含有する過マンガ
ン酸塩処理液に６５℃で１０分間接触させることにより
粗面化した。

【００６４】この粗面化した絶縁層の表面に対し、実施
例１と同様に奥野製薬製のＯＰＣプロセスに従って、キ
ャラクタライジングし、アクセラレーティングし、硫酸
銅浴で無電解銅メッキを行い、更に硫酸銅浴で電解銅メ
ッキしようとしたところ、銅基板と電解銅メッキ層との
間でショートが生じた。

【００６５】

【発明の効果】本発明によれば、下層導体層、その上の
絶縁層及びその上に形成された上層導体層を含む積層材
料、並びにそれからなるチップキャリアの当該絶縁層を
ＢＣＢ樹脂から形成した場合に、過マンガン酸塩処理に
より、下層導体層を露出させることなく絶縁層の表面を
容易に粗面化できるようにすることができる。従って、
絶縁層と上層導体層との密着性を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層材料の概略断面図である。

【図２】本発明の積層材料の概略断面図である。

【図３】本発明の別の態様の積層材料の概略断面図（同
図（ａ）及び（ｂ））である。

【図４】本発明の別の態様の積層材料の概略断面図（同
図（ａ）及び（ｂ））である。

【符号の説明】

１下層導体層（導体層）２絶縁層２ａ第１の樹脂層２ｂ第２の樹脂層２ｃ第３の樹脂層３上層導体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者塚本健人東京都台東区台東１丁目５番１号凸版印刷株式会社内 (72)発明者中村清智東京都台東区台東１丁目５番１号凸版印刷株式会社内 (72)発明者本間英夫神奈川県横浜市金沢区六浦町4834 関東学院大学工学総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下層導体層上に絶縁層及び更にその上に
上層導体層が積層された構造を有する積層材料におい
て、絶縁層が、下層導体層側からベンゾシクロブテン樹
脂からなる第１の樹脂層と、その上に形成された、Ｓｉ
Ｏ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている
第２の樹脂層とから構成されており、且つ上層導体層に
接する第２の樹脂層の表面が過マンガン酸塩処理により
粗面化されていることを特徴とする積層材料。
【請求項２】第２の樹脂層におけるＳｉＯ₂フィラの
含有割合が、ベンゾシクロブテン樹脂１００重量部に対
して１〜１５重量部である請求項１記載の積層材料。
【請求項３】ＳｉＯ₂フィラの粒径が５μｍ以下であ
る請求項１又は２記載の積層材料。
【請求項４】絶縁層が、第１の樹脂層と下層導体層と
の間に、更に、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹
脂に分散されている第３の樹脂層を有する請求項１記載
の積層材料。
【請求項５】上層導体層が、無電解銅メッキ層である
請求項１〜４のいずれかに記載の積層材料。
【請求項６】無電解銅メッキ層上に、更に電解銅メッ
キ層が形成されている請求項５に記載の積層材料。
【請求項７】導体層上に絶縁層が積層された構造を有
する積層材料において、絶縁層が、導体層側からベンゾ
シクロブテン樹脂からなる第１の樹脂層と、その上に形
成された、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂に
分散されている第２の樹脂層とから構成されていること
を特徴とする積層材料。
【請求項８】絶縁層が、第１の樹脂層と導体層との間
に、更に、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂に
分散されている第３の樹脂層を有する請求項７記載の積
層材料。
【請求項９】導体層上に絶縁層が積層された構造を有
する積層材料において、絶縁層が、導体層側からベンゾ
シクロブテン樹脂からなる第１の樹脂層と、その上に形
成された、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂に
分散されている第２の樹脂層とから構成されており、且
つ導体層と反対側の第２の樹脂層の表面が過マンガン酸
塩処理により粗面化されていることを特徴とする積層材
料。
【請求項１０】絶縁層が、第１の樹脂層と導体層との
間に、更に、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂
に分散されている第３の樹脂層を有する請求項９記載の
積層材料。
【請求項１１】請求項１〜６のいずれかの積層材料か
らなるチップキャリア。
【請求項１２】請求項１１記載のチップキャリアに半
導体装置が搭載されているチップモジュール。