JPH11274571A

JPH11274571A - 半導体発光装置

Info

Publication number: JPH11274571A
Application number: JP1753599A
Authority: JP
Inventors: Masafumi Kuramoto; 雅史蔵本
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 1998-01-26
Filing date: 1999-01-26
Publication date: 1999-10-08
Anticipated expiration: 2019-01-26
Also published as: JP2000286458A; JP4055322B2; JP3241338B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体発光素子からの発光波長の少なくとも一
部を蛍光物質により変換させて蛍光を発する半導体発光
装置をより長期間かつ高輝度に発光可能とさせることに
ある。【解決手段】基体１０４上にマウント部材１０１によっ
て固定された半導体発光素子１０３と、半導体発光素子
１０３からの発光波長の少なくとも一部を吸収し発光波
長よりも長波長に変換して蛍光を発する蛍光物質とを有
する半導体発光装置に用いられるマウント部材を脂環式
エポキシ樹脂及び酸無水物からなるエポキシ樹脂組成物
としたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バックライト、照
光式操作スイッチの光源、ディスプレイや各種インジケ
ータ等に使用することができる半導体発光装置に係り、
特に長期間の使用に対しても透過率を維持しつつ、高輝
度に発光が可能な半導体発光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＥＤやＬＤ（lazer diode）等の半導
体発光素子は、小型で効率よく鮮やかな色の発光をす
る。また、半導体素子であるため球切れがない。駆動特
性が優れ、振動やON/OFF点灯の繰り返しに強いという特
徴を有する。そのため、各種インジケータや種々の光源
として利用されている。しかしながら、このような半導
体発光素子は単色性のピーク波長を有するが故に白色系
（白、ピンクや電球色など）の発光のみを得る場合にお
いても、２種類以上の半導体発光素子を利用せざるを得
なかった。単色性のピーク波長を発するＬＥＤチップと
蛍光物質を利用して種々の発光色を発光させる半導体発
光装置として、特開平５−１５２６０９号公報や特開平
７−９９３４５号公報などに記載されたものが知られて
いる。

【０００３】これらの半導体発光装置は、発光層のエネ
ルギーバンドギャップが比較的大きいＬＥＤチップをリ
ードフレームの先端に設けられたカップ上などに配置す
る。ＬＥＤチップは、ＬＥＤチップが設けられたメタル
ステムやメタルポストとそれぞれ電気的に接続させる。
そして、ＬＥＤチップを被覆する樹脂モールド中などに
ＬＥＤチップからの光を吸収し、波長変換する蛍光体を
含有させ色変換部材として形成させてある。半導体発光
装置に利用するモールド部材、色変換部材の基材となる
透光性樹脂やマウント部材などには、生産性、扱い易さ
や透光性などから種々の合成樹脂を利用することができ
る。これによって、ＬＥＤチップからの発光波長を蛍光
体によって波長変換した半導体発光装置とすることがで
きる。例えば、ＬＥＤチップからの青色系の光と、その
青色系の光を吸収し補色関係にある黄色系を発光する蛍
光体からの光との混色により白色系が発光可能な発光ダ
イオードを構成することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、蛍光物質を利
用した半導体発光装置は、蛍光物質にもよるが発光層か
らの発光波長が短いものほど効率よく発光する傾向にあ
る。一方、蛍光物質の利用効率を高めるため、発光波長
を短いものに選択すると合成樹脂は劣化しやすくなると
いうトレードオフの関係にある。特に、蛍光物質を用い
た半導体発光装置は半導体発光素子と接する合成樹脂が
極めて劣化しやすい傾向にある。合成樹脂の劣化は発光
輝度低下だけでなく色ズレや色むらを引き起こすという
新たな問題をも生ずる。同様に、より高輝度、高出力な
半導体発光素子が開発されるにつれ半導体発光素子近傍
における透光性樹脂の経時劣化が大きな問題となる。特
に、上述の如き特定の半導体発光装置に用いられる合成
樹脂は、通常問題のないと考えられる発光スペクトル
（３６０ｎｍ以上）や使用時間においても急激に着色劣
化し易い傾向にあることが分かった。そこで、本発明は
上記課題を解決し、より高輝度かつ、長時間の使用環境
下においても発光光率の低下が極めて少なく色ズレなど
のない半導体発光装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は種々の実験の
結果、高輝度かつ長時間の使用環境下における半導体発
光装置の出力低下が、半導体発光素子のごく近傍に配置
された封止樹脂やマウント部材の着色劣化に起因してい
ること、及びこれらの部材を特定のエポキシ樹脂組成物
とすることにより、結果的に急激な劣化を防止し信頼性
の高い半導体発光装置とすることができることを見出し
本発明を成すに至った。

【０００６】蛍光物質を利用した半導体発光装置は、蛍
光物質がない通常の半導体発光装置の場合と比し、封止
樹脂やマウント部材などに照射される光の密度が極端に
異なる。即ち、図２に蛍光物質を利用した半導体発光装
置の模式的断面図を示す。半導体発光素子２０３から放
出される発光波長は、そのまま全て透光性樹脂２２１な
どにより形成された色変換部材などを透過しない。

【０００７】半導体発光素子２０３からの発光波長は半
導体発光素子２０３近傍などに設けられた蛍光物質２２
２を透過するものがあるものの、蛍光物質によって反射
・散乱などされるものもある。これは蛍光物質と透光性
樹脂との屈折率差が異なれば生じ、蛍光物質に無機系蛍
光体を使用すると屈折率差が大きくなりこの傾向が強く
なる。また、蛍光物質２２２によって変換された蛍光が
等方的に放出される。さらに、半導体発光装置の光特性
向上のために半導体発光素子を高反射率の材料が用いら
れた基体などに配置される場合、その基体によって反射
される。また、各構成部材の屈折率差などによっても反
射などされる場合もある。

【０００８】そのため、半導体発光素子２０３近傍に光
が部分的に密に閉じこめられる。特に、半導体発光素子
２０３近傍の光密度が極めて高くなる。そのため、図２
の斜線部に示す如く、半導体発光素子２０３極近傍の透
光性樹脂やマウント部材などが特に劣化着色などしその
着色部２３０の光吸収等により発光光率が急激に低下す
ると考えられる。同様に、より高出力且つ短波長が発光
可能な半導体発光素子においても半導体発光素子を固定
する透光性樹脂による劣化が顕著になる傾向がある。ま
た、樹脂の酸化等の劣化により、黄変等の着色がなされ
ると光が吸収されるために半導体発光素子からの光と蛍
光物質からの光の混色光を放出させる半導体発光装置に
おいては色ズレが生ずる。同様に、部分的に光が吸収さ
れると色むらが生ずるという問題が生ずる。具体的には
図３に示す如く、電流が集中して流れる領域において透
光性樹脂の部分的な劣化が顕著になる傾向にある。特
に、窒化物半導体を有する半導体発光素子はほかの半導
体発光素子と比べて特異な特徴があるために顕著に現れ
る。

【０００９】本発明は、基体１０４上にマウント部材１
０１によって固定された半導体発光素子１０３と、半導
体発光素子を被覆する透光性樹脂とを有する半導体発光
装置１００である。特に、透光性樹脂は半導体発光素子
からの発光波長の少なくとも一部を吸収し該発光波長よ
りも長波長の蛍光を発する蛍光物質を含有すると共にマ
ウント部材１０１は脂環式エポキシ樹脂及び酸無水物を
有する透光性エポキシ樹脂組成物とすることで上記課題
を解決しうるものである。これにより、半導体発光素子
１０３と基体１０４との密着性を保持しつつ半導体発光
素子からの発光波長、蛍光物質により反射された半導体
発光素子からの発光波長、蛍光物質からの蛍光や外光に
より劣化しにくいマウント部材１０１とさせることがで
きる。特に、半導体発光素子と基体との接着性を満たし
つつ、透光性が高くマウント部材の黄変着色などによる
発光輝度の低下を少なくさせることができる。また、絶
縁性の高いマウント部材とさせることができる。

【００１０】本発明の請求項２に記載の半導体発光装置
は、少なくとも一対のリード電極１０４、１０５と電気
的に接続させた半導体発光素子１０３と、半導体発光素
子１０３を被覆する透光性樹脂１０２とを有する。特
に、透光性樹脂１０２は半導体発光素子からの発光波長
の少なくとも一部を吸収し発光波長よりも長波長の蛍光
を発する蛍光物質を含有すると共に、透光性樹脂が脂環
式エポキシ樹脂及び酸無水物を有する透光性エポキシ樹
脂組成物である。これにより、色ズレや色むらを抑制し
て長時間高輝度に発光可能な半導体発光装置とすること
ができる。

【００１１】本発明の請求項３に記載の半導体発光装置
は、透光性エポキシ樹脂組成物に硬化促進剤として有機
カルボン酸亜鉛及び／又は亜鉛キレート化合物を含む半
導体発光装置である。これにより、より長時間かつ高輝
度に発光可能な半導体発光装置とすることができる。

【００１２】本発明の請求項４に記載の半導体発光装置
は、透光性エポキシ樹脂組成物が芳香族エポキシ樹脂が
５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂組成物である。これ
により、より長時間かつ高輝度に発光可能な半導体発光
装置とすることができる。

【００１３】本発明の請求項５に記載の半導体発光装置
は、半導体発光素子１０３の発光層３０５が少なくとも
Ｇａを含む窒化物半導体であると共に蛍光物質がセリウ
ムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系蛍光体の半導体発光装置である。これにより、色む
らや色ずれなく、白色光が発光可能な半導体発光装置と
することができる。

【００１４】本発明の請求項６に記載の半導体発光装置
は、基体上１０４に配置された半導体発光素子１０３を
透光性樹脂によって固定させた半導体発光装置１００で
ある。特に、半導体発光素子の発光層が３７０ｎｍ以上
５３０ｎｍ以下に主発光ピークを発すると共に透光性樹
脂は芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキ
シ樹脂組成物である。これによって、長時間の使用にお
いても信頼性高く高輝度に発光可能な半導体発光装置と
することができる。

【００１５】本発明の請求項７に記載の半導体発光装置
は、半導体発光素子１０３が少なくともＧａを含む窒化
物半導体である発光層３０５を介してｐ型窒化物半導体
３０６及びｎ型窒化物半導体３０４が構成されたダブル
へテロ構造であって、同一平面側に一対の台座電極を有
し、且つ一方の台座電極が透光性電極を介して半導体上
に設けられ、他方が半導体上に直接設けられる。これに
より、より均一発光を長時間行うことができる半導体発
光装置とすることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】図を使って、本発明の実施の形態
を説明する。図１は、基体となるマウント・リードのカ
ップ内に半導体発光素子として窒化物半導体からなるＬ
ＥＤチップをマウント部材が脂環式エポキシ樹脂と酸無
水物からなるエポキシ樹脂組成物でマウントさせてあ
る。

【００１７】このようなエポキシ樹脂組成物をマウント
部材用に形成させる場合に、エポキシ樹脂組成物とし
て、酸無水物、アルコール・ポリオール類、有機カルボ
ン酸亜鉛、亜鉛キレート化合物及び脂環式エポキシ樹脂
を混合したものを塗布し半導体発光素子を載せた後に硬
化してある。ＬＥＤチップの各電極とマウント・リード
及びインナー・リードを導電性ワイヤーによって電気的
に接続させる。これにより半導体発光素子を発光させる
ことができる。

【００１８】他方、マウント部材と同様のエポキシ樹脂
組成物中に蛍光物質としてイットリウム・アルミニウム
・ガーネット系蛍光体を含有させたものをカップ内に注
入することにより色変換部材を形成させる。これに砲弾
型のモールド部材を形成させ発光ダイオードを形成させ
ることができる。これにより本発明のエポキシ樹脂組成
物を使用し、長時間高輝度に安定した発光を得ることが
できる。なお、半導体発光装置として砲弾型の発光ダイ
オードについて述べてあるがチップタイプＬＥＤなど種
々の形態がとれることは言うまでもない。以下、本発明
の各構成部材について詳述する。

【００１９】（マウント部材１０１）本発明に用いられ
るマウント部材１０１は、量産性よく半導体発光素子１
０３と基体１０４とを接着させると共に半導体発光素子
１０３などからの発光波長による劣化を抑制するエポキ
シ樹脂組成物が用いられる。このようなエポキシ樹脂組
成物は、脂環式エポキシ樹脂及び酸無水物の他、硬化剤
や助触媒、硬化促進剤を含有させることができる。

【００２０】（エポキシ樹脂）特に本発明のエポキシ樹
脂は、高い透光性、高度の耐光性と絶縁性及び接着性が
要求されるため着色原因となる芳香族成分を５ｗｔ％以
下とすることが好ましく、同時に無機塩素含有量を１ｐ
ｐｍ以下、有機塩素含有量を５ｐｐｍ以下とすることが
できる脂環式エポキシ樹脂がより好ましい。特に蒸留生
成され塩素成分を全く含有しないものがより好ましい。
具体的には、３，４エポキシ−６メチルシクロヘキシル
メチルカルボキレートに代表される脂環式エポキシ樹脂
を単独又は２種以上を混合し使用することができる。ま
た、脂環式エポキシ樹脂を主体にヘキサヒドロフタル酸
ジグリシジルエステル、水素化ビスフェノールＡジグリ
シジルエーテルなどのシクロヘキサン誘導体とエピクロ
ルヒドリンよりなるエポキシ樹脂、ビスフェノールＡジ
グリシジエーテルよりなる液状又は固形のエポキシ樹脂
なども必要に応じ混合使用することもできる。また、芳
香族エポキシ樹脂が全く含有しなくとも良い。

【００２１】信頼性の高い半導体発光装置とするために
は芳香族エポキシ樹脂成分を５ｗｔ％以下とする芳香族
エポキシ樹脂組成物がより好ましい。なお、脂環式エポ
キシ樹脂は芳香族エポキシ樹脂に比べ透光性が落ちるも
のの、本発明の如き蛍光物質を利用したものや特定波長
以下を発光する半導体発光素子を利用した場合において
は、劣化が極めて少ない。そのため、劣化時間を考慮し
たトータルの透光性は脂環式エポキシ樹脂の方が結果的
に優れることとなる。また、このエポキシ樹脂に劣化を
更に抑制するため、ラジカル連鎖開始防止剤、ラジカル
補足剤や過酸化物分解剤などの種々の添加剤を含有させ
ることもできる。

【００２２】（酸無水物）硬化剤として働く酸無水物
は、耐光性を必要とするため非芳香族かつ炭素二重結合
を化学的に有しない多塩基酸カルボン酸無水物の一種又
は二種以上が好ましい。具体的にはヘキサヒドロ無水フ
タル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキ
ルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸
などが挙げられる。特に、酸無水物として硬化反応性と
耐湿性のバランスの良いメチルヘキサヒドロ無水フタル
酸をエポキシ樹脂１００重量部に対し５０から１２０重
量部配合したものが好ましく、８０から１１０重量部配
合したものがより好ましい。

【００２３】（アルコール・ポリオール類）助触媒とし
て働くアルコール・ポリオール類は、硬化物に可とう性
を付与し剥離接着力を向上させるだけでなく後述する硬
化促進剤の相溶化剤としても機能する。アルコール・ポ
リオール類も耐光性を要求されるため非芳香族かつ炭素
二重結合を化学構造的に有しない炭素数２〜１２の直鎖
型、分岐型、脂環型、エーテル基含有型のいずれかから
なるアルコール・ポリオール類が好適に用いられる。具
体的にはプロパノール、イソプロパノール、メチルシク
ロヘキサノール、エチレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどが挙げられる。

【００２４】アルコール・ポリオール類は、硬化促進剤
の相溶化剤でもあるため硬化促進剤の化学構造と配合量
に影響を受けるが、エチレングリコールなどの低分子量
ジオールが１から３０重量部の少量配合で好ましく、５
から１５重量部がより好ましい。

【００２５】（有機カルボン酸亜鉛）硬化促進剤として
働く有機カルボン酸亜鉛は、酸無水物硬化剤の硬化促進
剤として無色透明なエポキシ樹脂硬化物とすることがで
きるが有機カルボン酸成分により耐光性に優劣がある。
有機カルボン酸亜鉛も非芳香族かつ炭素二重結合を有し
ない炭素数６〜１８の直鎖型、分岐型、エーテル基含有
型のいずれかからなる脂肪酸の一種又は二種よりなる脂
肪酸亜鉛が好適に用いられる。具体的にはオクチル酸亜
鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン亜鉛などが挙げられ
る。

【００２６】有機カルボン酸亜鉛は、脂肪酸成分の炭素
数増加と比例しエポキシ樹脂への溶解性が低下する。オ
クチル酸亜鉛は配合量に最も幅を有しており、また液状
であるため分散溶解に時間を要さない。したがって、硬
化性の観点からオクチル酸亜鉛を１から１０重量部配合
することが好ましい。硬化物の透光性を考慮したならば
１から５重量部がより好ましい。

【００２７】（亜鉛キレート化合物）硬化促進剤として
働く亜鉛キレート化合物は、亜鉛とβ−ジケトンとアル
カリにより合成することができる。β−ジケトンは着色
抑制効果があるものの、β−ジケトンの単独添加や多量
添加は逆にエポキシ樹脂の着色原因となる。そのため亜
鉛キレート化合物とすることにより安定化させ優れた耐
光性・耐熱性をエポキシ樹脂に付与することができる。
また、亜鉛キレート化合物はエポキシ樹脂への選択的か
つ穏やかな硬化促進作用を有するため脂環式エポキシ樹
脂のような低分子量モノマーを主体としても低応力接着
が可能となる。β−ジケトン成分として、具体的にはア
セチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ステアロイルベ
ンゾイルメタン、ジベンゾイルメタン、アセト酢酸エチ
ル、デヒドロ酢酸などが挙げられる。

【００２８】亜鉛キレート化合物は、扱い易さなどから
アセチルアセトンをキレート成分としたビス（アセチル
アセトナト）アクア亜鉛（2）[Ｚｎ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₂（Ｈ
₂Ｏ）]を１から１０重量部配合したものが好ましく、エ
ポキシ樹脂への溶解性を考慮したならば１から５重量部
がより好ましい。このようなマウント部材１０１は、Ｌ
ＥＤチップ１０３と基板１０４とを接着させるためにマ
ウント機器を用いることによって簡単に塗布などするこ
とができる。

【００２９】上記成分を適宜好適に混合したエポキシ樹
脂組成物を得ることにより耐光性、耐熱性及び接着性に
優れた絶縁型マウント部材を得ることができる。なお、
耐光性、耐熱性及び接着性とも各成分の化学構造と配合
量により種々調節することができることは言うまでもな
い。また、エポキシ樹脂組成物にＡｇ、ＡｕやＩＴＯな
どを含有させることで導電性ペーストとして使用しうる
こともできる。

【００３０】（半導体発光素子１０３）半導体発光素子
１０３は、種々の蛍光物質２２２を効率良く励起できる
比較的バンドエネルギーが高い半導体発光素子が挙げら
れる。このような半導体発光素子としては、ＭＯＣＶＤ
法やＨＤＶＰＥ法等により形成された窒化物半導体が好
適に用いられる。窒化物半導体は、Ｉｎ_nＡｌ_mＧａ
_1-n-mＮ（ただし、０≦ｎ、０≦ｍ、ｎ＋ｍ≦１）を発
光層として利用させてある。半導体の構造としては、Ｍ
ＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構
造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げ
られる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長
を種々選択することができる。また、半導体活性層を量
子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多
重量子井戸構造とすることもできる。

【００３１】窒化物半導体を形成させる基板にはサファ
イヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、窒化ガリウム
系単結晶等の材料を用いることができる。結晶性の良い
窒化ガリウム系半導体を量産性よく形成させるためには
サファイヤ基板を用いることが好ましく、サファイヤ基
板との格子不整合を是正するためにバッファー層を形成
することが望ましい。バッファー層は、低温で形成させ
た窒化アルミニウムや窒化ガリウムなどで形成させるこ
とができる。

【００３２】窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する
上述とは別の半導体発光素子例として、バッファー層上
に、ｎ型窒化ガリウムで形成した第１のコンタクト層、
ｎ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第１のク
ラッド層、窒化インジウム・ガリウムで形成した活性
層、ｐ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第２の
クラッド層、ｐ型窒化ガリウムで形成した第２のコンタ
クト層を順に積層させたダブルへテロ構成などが挙げら
れる。

【００３３】なお、窒化物半導体は、不純物をドープし
ない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるな
ど所望のｎ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、
ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を
適宜導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化ガリウム
半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパントであるＺ
ｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。
窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型ドーパントをドー
プしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント導入
後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照射等
により低抵抗化したｐ型とさせることが好ましい。

【００３４】サファイアやスピネルなど絶縁性基板を用
いた半導体発光素子の場合は、絶縁性基板の一部を除去
する、或いは半導体表面側からｐ型及びｎ型用の電極面
をとるためにｐ型半導体及びｎ型半導体の露出面をエッ
チングなどによりそれぞれ形成させる。各半導体層上に
スパッタリング法や真空蒸着法などを用いて所望の形状
の各電極を形成させる。発光面側に設ける電極は、全被
覆せずに発光領域を取り囲むようにパターニングする
か、或いは金属薄膜や金属酸化物などの透明電極を用い
ることができる。このように形成された半導体発光素子
をそのまま利用することもできるし、個々に分割した半
導体発光素子として使用してもよい。

【００３５】個々に分割された半導体発光素子として利
用する場合は、形成された半導体ウエハー等をダイヤモ
ンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシングソ
ーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い
幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によって
半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモンド
針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハ
ーに極めて細いスクライブライン（経線）を例えば碁盤
目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導体ウ
エハーからチップ状にカットする。このようにして半導
体発光素子であるＬＥＤチップなどを形成させることが
できる。本発明の半導体発光装置において半導体発光素
子のスペクトルは、５５０ｎｍ以下の近紫外域から可視
光に主発光ピークを発することで顕著な効果が生じやす
く、樹脂劣化、白色系など蛍光物質との補色関係等を考
慮する場合は、主発光ピークが３７０ｎｍ以上５３０ｎ
ｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以上４９０ｎ
ｍ以下がより好ましい。ＬＥＤチップと蛍光物質との効
率をそれぞれより向上させるためには、４３０ｎｍ以上
４７５ｎｍ以下がさらに好ましい。

【００３６】なお、図３の如くダブルへテロ構造の窒化
物半導体は活性層３０５の層方向に放出される光が極め
て多く、その近辺の樹脂が特に劣化されやすい傾向にあ
る。また、透光性電極を表面に持った窒化物半導体で
は、図４の如く、抵抗率が透光性電極と比較して高い。
そのため、透光性電極３０２の端面と他方の導電型電極
３０１間の窒化物半導体に２点鎖線の如く電流が集中し
て流れやすい傾向にある。電流が集中して流れる近傍は
他の部位に比べて顕著に発光する傾向にある。そのた
め、発光輝度の高い周辺（図３中に示す透光性電極上の
如き斜線部位）が部分的に劣化着色する傾向にある。本
発明においてはこのような窒化物半導体においても樹脂
劣化を抑制して信頼性を高めることができる。

【００３７】（色変換部材１０２）色変換部材１０２と
は、半導体発光素子１０３からの光の少なくとも一部を
変換する蛍光物質２２２が含有されるものである。色変
換部材１０２の基材としては、ＬＥＤチップ１０３から
の光や蛍光物質からの光を効率よく透過させると共に耐
光性の良いものが好ましい。さらに、色変換部材として
働くと共にモールド材などとして兼用させる場合は、外
部環境下における外力や水分等に対して強いものが好ま
しい。また、半導体発光素子を固定できるものが好まし
い。

【００３８】このような基材２２１の具体的材料として
は、エラストマー状或いはゲル状シリコーン樹脂、アモ
ルファスフッ素樹脂、透光性ポリイミド樹脂や脂環式エ
ポキシ樹脂及び酸無水物からなるエポキシ樹脂組成物な
どの耐光性に優れた透光性樹脂や硝子などが好適に用い
られる。なお、モールド樹脂とマウント部材とは同じも
のでも良いし他のものを用いても良い。しかしながら、
発光ダイオードの一般的なモールド樹脂であるビスフェ
ノールＡジグリシジルエーテルを主体としたエポキシ樹
脂や他のエポキシ樹脂等との密着性を考慮したならばエ
ポキシ系樹脂がより好ましい。

【００３９】また、半導体発光素子に密着する場合など
半導体発光素子から強い放射光が照射される場合は芳香
族成分を５ｗｔ％以下（芳香族エポキシ樹脂を全く含有
しない場合も含む。）とする脂環式エポキシ樹脂組成物
が好ましく、同時に無機塩素含有量を１ｐｐｍ以下、有
機塩素含有量を５ｐｐｍ以下とすることができる脂環式
エポキシ樹脂組成物がより好ましい。色変換部材に用い
られる透光性樹脂としては、脂環式エポキシ樹脂及び酸
無水物からなるエポキシ樹脂組成物がより好ましい。具
体的には、マウント樹脂と同様に３，４エポキシ−６メ
チルシクロヘキシルメチルカルボキレートに代表される
脂環式エポキシ樹脂を単独又は２種以上を混合し使用す
ることができる。このようなエポキシ樹脂組成物は本発
明のマウント部材と同様のものを用いて形成させること
ができし、種々の配合量を変えた脂環式エポキシ樹脂及
び酸無水物からなるエポキシ樹脂組成物とすることもで
きる。

【００４０】色変換部材は、ＬＥＤチップ１０３に直接
接触させて被覆させることもできるし、透光性樹脂など
を間に介して設けることもできる。この場合、耐光性の
高い透光性樹脂を利用することが好ましいことは言うま
でもない。また、蛍光物質２２２と共に着色顔料、着色
染料や拡散剤を含有させても良い。着色顔料や着色染料
を用いることによって色味を調節させることもできる。
拡散剤を含有させることによってより指向角を増すこと
もできる。具体的な拡散剤としては、無機系であるチタ
ン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪
素等や有機系であるグアナミン樹脂などが好適に用いら
れる。また、上述の種々の添加剤を含有させることがで
きる。

【００４１】（蛍光物質２２２）蛍光物質２２２は、半
導体発光素子から放出された発光波長である可視光や紫
外光を吸収し、他の長波長に変換するためのものであ
る。したがって、半導体発光素子１０３に用いられる半
導体発光層から発光される発光波長や半導体発光装置か
ら放出される所望の光に応じて種々ものが用いられる。
特に、半導体発光素子１０３が発光した光と、半導体発
光素子１０３からの光によって励起され蛍光を発する蛍
光物質２２２からの光が補色関係にあるとき白色系の光
を発光させることができる。

【００４２】このような蛍光物質２２２として、セリウ
ムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系蛍光体、ペリレン系誘導体、銅、アルミニウムで付
活された硫化亜鉛カドミウムやマンガンで付活された酸
化マグネシウム・チタンなど種々のものが挙げられる。
これらの蛍光物質は、１種類で用いてもよいし、２種類
以上混合して用いてもよい。

【００４３】特に、セリウムで付活されたイットリウム
・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、ガーネット構
造であるため、熱、光及び水に強く、励起スペクトルの
ピークが４５０ｎｍ付近にさせることができる。なお、
本発明においてセリウムで付活されたイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット系蛍光体とは、最も広義に解釈
するものとしてＹ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅのイットリウム
（Ｙ）の代わりにＬｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｓｍから選
択される少なくとも一種と置き換えることができるもの
である。また、アルミニウム（Ａｌ）の代わりにＧａ、
Ｉｎ、Ｂ、Ｔｌから選択される少なくとも一種と置き換
えることができるものである。

【００４４】このようなセリウムで付活されたイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、発光ピー
クも５３０ｎｍ付近などにあり、７００ｎｍまで裾を引
くブロードな発光スペクトルを持たせることができる。
しかも、組成のアルミニウムの一部をＧａで置換するこ
とで発光波長が容易に短波長側にシフトし、また組成の
イットリウムの一部をＧｄで置換することで、発光波長
が容易に長波長側へシフトさせることができる。このよ
うに組成を変化させることで連続的に種々の発光波長と
することができるため本発明の蛍光物質として特に好ま
しい。

【００４５】同様に、所望に応じて発光波長を長波長や
短波長側に調節させるため、イットリウムの一部をＬ
ｕ、Ｓｃ、Ｌａに置換させることもできるし、アルミニ
ウムの一部をＩｎ、Ｂ、Ｔｌに置換させることもでき
る。さらに、セリウムに加えて、ＴｂやＣｒを微量含有
させ吸収波長を調整させることもできる。

【００４６】セリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット系蛍光体を用いた場合は、半導体
発光素子１０３と接する或いは近接して配置された放射
照度として（Ｅｅ）＝３Ｗ・ｃｍ^-2以上１０Ｗ・ｃｍ^-2
以下の高照射強度においても高効率に十分な耐光性を有
する半導体発光装置を構成することができる。

【００４７】（基体１０４）本発明に用いられる基体１
０４とは、半導体発光素子１０３を配置させるものであ
り、半導体発光素子からの発光波長を反射して有効利用
できるものだが好ましい。したがって、マウント部材に
よって接着させるために十分な大きさがあればよく、所
望に応じて種々の形状や材料を用いることができる。具
体的には、発光ダイオードに用いられるリード端子やチ
ップタイプＬＥＤのパッケージなどが好適に用いられ
る。

【００４８】基体１０４上には、半導体発光素子１０３
を１つ配置してもよいし、２以上配置することもでき
る。また、発光波長を調節させるなどために複数の発光
波長を有するＬＥＤチップなどを配置させることもでき
る。ＳｉＣ上に形成された窒化物半導体を利用したＬＥ
Ｄチップなどを配置させる場合、接着性と共に十分な電
気伝導性が求められる。また、半導体発光素子１０３の
電極を導電性ワイヤーを利用して基板１０４となるリー
ド電極などと接続させる場合は、導電性ワイヤーなどと
の接続性が良いことが好ましい。

【００４９】このような基体として具体的には、リード
電極やパッケージなどとして、鉄、銅、鉄入り銅、錫入
り銅、銅金銀などをメッキしたアルミニウムや鉄、さら
にはセラミックや種々の合成樹脂などの材料を用いて種
々の形状に形成させることができる。

【００５０】（導電性ワイヤー１０７）電気的接続部材
である導電性ワイヤー１０７としては、半導体発光素子
１０３の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝
導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度と
しては０．０１ｃａｌ／ｃｍ²／ｃｍ／℃以上が好まし
く、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ²／ｃｍ／℃以
上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤー
１０７の直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５
μｍ以下である。このような導電性ワイヤー１０７とし
て具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及
びそれらの合金を用いた導電性ワイヤー１０３が挙げら
れる。このような導電性ワイヤー１０７は、各ＬＥＤチ
ップ１０３の電極と、インナー・リード及びマウント・
リードなどと、をワイヤーボンディング機器によって容
易に接続させることができる。

【００５１】（モールド部材１０６）モールド部材１０
６とは半導体発光素子１０３などを外部環境から保護さ
れるために設けられるものである。そのため、色変換部
材をモールド部材としてそのまま利用することもできる
し、色変換部材とは別に透光性樹脂を形成しモールド部
材とすることもできる。このようなモールド部材は凸レ
ンズ状や凹レンズ形状など所望に応じて種々の形態を利
用することができる。半導体発光素子と接しないモール
ド部材は種々の透光性樹脂を利用することができるもの
の、半導体発光素子と接するモールド部材と同じく本発
明のマウント樹脂、色変換部材の基材と同様に脂環式エ
ポキシ樹脂組成物を利用することが好ましい。

【００５２】より具体的には、モールド樹脂を構成する
透光性樹脂は芳香族成分を５ｗｔ％以下（芳香族エポキ
シ樹脂を全く含有しない場合も含む。）とする脂環式エ
ポキシ樹脂組成物が好ましく、同時に無機塩素含有量を
１ｐｐｍ以下、有機塩素含有量を５ｐｐｍ以下とするこ
とができる脂環式エポキシ樹脂組成物がより好ましい。
モールド部材に用いられる透光性樹脂としては、脂環式
エポキシ樹脂及び酸無水物からなるエポキシ樹脂組成物
がより好ましい。

【００５３】具体的には、マウント樹脂等と同様に３，
４エポキシ−６メチルシクロヘキシルメチルカルボキレ
ートに代表される脂環式エポキシ樹脂を単独又は２種以
上を混合し使用することができる。このようなエポキシ
樹脂組成物は本発明のマウント部材等と同様のものを用
いて形成させることができし、種々の配合量を変えた脂
環式エポキシ樹脂及び酸無水物からなるエポキシ樹脂組
成物とすることもできる。また、各種拡散材や着色剤に
加えて上述の種々の添加剤を含有させることもできる。
次に、本発明における半導体発光装置について具体的に
説明する。

【００５４】

【実施例】（実施例１）半導体発光素子の発光層に発光
ピークが４５０ｎｍのＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ半導体を用い
た。半導体発光素子は、洗浄させたサファイヤ基板上に
ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチ
ルインジウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキ
ャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物半導体を
成膜させることにより形成させた。ドーパントガスとし
てＳｉＨ₄とＣｐ₂Ｍｇを切り替えることによってｎ型半
導体やｐ型半導体を形成させる。半導体発光素子の構造
としてはｎ型窒化ガリウム半導体であるコンタクト層
と、ｐ型窒化ガリウム半導体であるクラッド層、ｐ型窒
化ガリウム半導体であるコンタクト層を形成させた。ｎ
型コンタクト層とｐ型クラッド層との間に厚さ約３ｎｍ
であり、単一量子井戸構造とされるＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎの
活性層を形成した。（なお、サファイヤ基板上には低温
で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせてあ
る。また、ｐ型半導体は、成膜後４００℃以上でアニー
ルさせてある。）エッチングによりサファイア基板上の
ｐｎ各コンタクト層表面を露出させた後、スパッタリン
グ法により各台座電極をそれぞれ形成させた。なお、ｐ
型窒化物半導体上の全面には金属薄膜を透光性電極とし
て形成させた後に、透光性電極の一部に台座電極を形成
させてある。こうして出来上がった半導体ウエハーをス
クライブラインを引いた後、外力により分割させ半導体
発光素子であるＬＥＤチップを形成させた。

【００５５】マウント部材は３，４エポキシシクロメチ
ルカルボキレートとして３，４エポキシシクロメチル−
３’，４’エポキシシクロヘキシルカルボキシレート１
００重量部、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸９０重量
部、エチレングリコール１０重量部、オクチル酸亜鉛４
重量部、ビス（アセチルアセトナト）アクア亜鉛（2）
２．５重量部を混合し均一で無色透明なエポキシ樹脂組
成物を用いて構成してある。

【００５６】この透光性エポキシ樹脂組成物を銀メッキ
した銅製リードフレームの先端カップ内にシリンジディ
スペンサーにより、塗着しＬＥＤチップをマウントし
た。これを１７０℃で７５分加熱しエポキシ樹脂組成物
を硬化させＬＥＤチップを固定した。次に、ＬＥＤチッ
プの各台座電極と、カップが設けられたマウントリード
やインナーリードとそれぞれ金線でワイヤーボンディン
グし電気的導通を取った。

【００５７】一方、蛍光物質は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土
類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈
させた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化ア
ルミニウムと混合して混合原料を得る。これにフラック
スとしてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空
気中１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得
た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾
燥、最後に篩を通して形成させた。

【００５８】また、透光性樹脂の３，４エポキシシクロ
メチルカルボキレートとして３，４エポキシシクロメチ
ル−３’，４’エポキシシクロヘキシルカルボキシレー
ト１００重量部、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸９０
重量部、エチレングリコール１０重量部、オクチル酸亜
鉛４重量部、ビス（アセチルアセトナト）アクア亜鉛
（2）２．５重量部を混合し均一な無色透明なエポキシ
樹脂組成物を用いて構成してある。

【００５９】形成された（Ｙ_0.8Ｇｄ_0.2）₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：
Ｃｅ蛍光物質７５重量部、エポキシ樹脂組成物１００重
量部をよく混合してスラリーとさせた。このスラリーを
ＬＥＤチップが配置されたマウント・リード上のカップ
内に０．２μｌ注入させた。注入後、蛍光物質が含有さ
れた樹脂を１５０℃１２０分で硬化させた。こうしてＬ
ＥＤチップ上に厚さ１２０μの蛍光物質が含有された色
変換部材を形成しＬＥＤチップを固定させた。その後、
さらにＬＥＤチップや蛍光物質を外部応力、水分及び塵
芥などから保護する目的でモールド部材としてビスフェ
ノールＡジグリシジルエーテルを主体としたエポキシ樹
脂及び酸無水物、硬化促進剤として第四級アンモニウム
塩を含む透光性エポキシ樹脂を形成させた。モールド部
材は、砲弾型の型枠の中に色変換部材が形成されたリー
ドフレームを挿入し透光性エポキシ樹脂を混入後、１５
０℃５時間にて硬化させた。

【００６０】こうして白色系が発光可能な発光ダイオー
ドを構成することができる。寿命試験として、温度２５
℃２０ｍＡ通電、温度２５℃６０ｍＡ通電の各試験にお
いても長時間にわたって、発光出力が維持できることを
確認した。また、色ズレや色むらなく発光することがで
きる。

【００６１】（実施例２）半導体発光素子の発光層に青
色が発光可能なＩｎ_0.25Ｇａ_0.75Ｎ半導体を有する窒化
物半導体素子を用いた。より具体的にはＬＥＤチップ
は、洗浄させたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチル
ガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）ガ
ス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に
流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物半導体を成膜させることに
より形成させることができる。ドーパントガスとしてＳ
ｉＨ₄とＣｐ₂Ｍｇを切り替えることによってｎ型窒化物
半導体やｐ型窒化物半導体となる層を形成させる。

【００６２】半導体発光素子であるＬＥＤチップの素子
構造としてはサファイア基板上に、アンドープの窒化物
半導体であるｎ型ＧａＮ層、Ｓｉドープのｎ型電極が形
成されｎ型コンタクト層となるＧａＮ層、アンドープの
窒化物半導体であるｎ型ＧａＮ層、次に発光層を構成す
るバリア層となるＧａＮ層、井戸層を構成するＩｎＧａ
Ｎ層、バリア層となるＧａＮ層を１セットとしＧａＮ層
に挟まれたＩｎＧａＮ層を５層積層させた多重量子井戸
構造としてある。発光層上にはＭｇがドープされたｐ型
クラッド層としてＡｌＧａＮ層、Ｍｇがドープされたｐ
型コンタクト層であるＧａＮ層を順次積層させた構成と
してある。（なお、サファイヤ基板上には低温でＧａＮ
層を形成させバッファ層とさせてある。また、ｐ型半導
体は、成膜後４００℃以上でアニールさせてある。）エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同
一面側で、ｐｎ各コンタクト層表面を露出させる。各コ
ンタクト層上に、スパッタリング法を用いて正負各台座
電極をそれぞれ形成させた。なお、ｐ型窒化物半導体上
の全面には金属薄膜を透光性電極として形成させた後
に、透光性電極の一部に台座電極を形成させてある。出
来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた
後、外力により分割させ半導体発光素子であるＬＥＤチ
ップを形成させた。このＬＥＤチップは４７５ｎｍに単
色性ピーク波長を有するものであった。

【００６３】表面に銀でメッキされた鉄入り銅から構成
されるマウントリードのカップ底面上に、マウント樹脂
としてエポキシ樹脂組成物を利用してＬＥＤチップをダ
イボンドする。具体的には、先端カップ内にシリンジデ
ィスペンサーにより、脂環式エポキシ樹脂組成物を塗着
しＬＥＤチップをマウントした。これを１７０℃で７５
分加熱しエポキシ樹脂組成物を硬化させＬＥＤチップを
固定した。

【００６４】なお、マウント樹脂は非芳香族エポキシ樹
脂である３，４エポキシシクロメチル−３′，４′エポ
キシシクロヘキシルカルボキシレート１００重量部、メ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸９０重量部、エチレング
リコール１０重量部、オクチル酸亜鉛４重量部、ビス
（アセチルアセトナト）アクア亜鉛（2）２．５重量部
を混合し均一な無色透明なエポキシ樹脂組成物を用いて
構成してある。

【００６５】次に、ＬＥＤチップの正負各台座電極と、
マウントリード及びインナーリードとを金線によりワイ
ヤーボンディングさせ電気的導通を取った。

【００６６】続いて、主剤となる脂環式エポキシ樹脂か
らなる３，４エポキシシクロメチル−３′，４′エポキ
シシクロヘキシルカルボキシレート１００重量部、硬化
剤となるメチルヘキサヒドロフタル酸無水物１２５重量
部、助触媒として働くエチレングリコール５重量部及び
ベンジルトリフェニルホスホニウム臭素塩０．２重量部
の割合で混合し、無色透明なエポキシ樹脂組成物を形成
させた。なお、この透光性エポキシ樹脂組成物中には上
述と同様に蛍光物質を含有させてある。

【００６７】こうして混合されたエポキシ樹脂組成物を
砲弾型の型枠であるキャスティングケース内に注入させ
る。上述のＬＥＤチップがカップ内に配置されたマウン
トリード及びインナーリードの一部をキャスティングケ
ース内に挿入し１２０℃２時間の一次硬化を行った。一
次硬化後、キャスティングケースから発光ダイオードを
抜き出し、窒素雰囲気下において１８０℃５時間で二次
硬化を行った。こうして発光輝度低下を抑制することが
できる半導体発光装置とすることができる。

【００６８】（実施例３）ＬＥＤチップとして井戸層を
構成するＩｎの含有量を変化させて主発光スペクトルピ
ークを約３９５ｎｍから約４９５ｎｍまで、ほぼ１０ｎ
ｍづつ変化させた半導体発光装置を１１種類を実施例２
と同様にして形成させる。他方、モールド樹脂、マウン
ト部材及び色変換部材の基材として主剤となる脂環式エ
ポキシ樹脂からなる３，４エポキシシクロメチル−
３′，４′エポキシシクロヘキシルカルボキシレート９
０重量部、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル１０
重量部、硬化剤となるメチルヘキサヒドロフタル酸無水
物１２５重量部、助触媒として働くエチレングリコール
５重量部及びベンジルトリフェニルホスホニウム臭素塩
０．２重量部の割合で混合させた無色透明なエポキシ樹
脂組成物を用いた以外は実施例１と同様にして半導体発
光装置を形成させる。

【００６９】こうして形成された発光ダイオードは短波
長ほど劣化しやすかったものの実施例１とほぼ同様の特
性を示す。蛍光物質を含有させない以外は同様にして形
成させた各半導体発光装置もその透光性電極上など部分
的に透光性樹脂が劣化することなく優れた特性を有する
ことができる。

【００７０】（比較例１）マウント樹脂、色変換部材の
基材及びモールド部材をビスフエノールＡジグリシジル
エーテル１００重量部、メチルヘキサヒドロフタル酸無
水物９０重量部、エチレングリコール５重量部、ベンジ
ルトリフェニルホスホニウム臭素塩０．２重量部を含有
させた透光性エポキシ樹脂組成物とした以外は実施例１
と同様にして発光ダイオードを形成させる。なお、硬化
条件は注型法により１２０℃、２時間の一時硬化後脱型
し、窒素雰囲気中にて１３０℃で３時間二次硬化を行っ
た。また、形成された透光性樹脂はフェノール誘導体エ
ポキシ樹脂が約５１ｗｔ％であった。こうして形成され
た発光ダイオードは１００時間もたたないうちに輝度が
低下し、色ズレ、色むらが生じていた。

【００７１】

【発明の効果】本発明の半導体発光装置とすることによ
り、長時間高輝度時の使用下においても発光効率の低下
が極めて少ない半導体発光装置とすることができる。ま
た、透光性、接着性を高いレベルで維持させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の半導体発光装置の一例を示
す発光ダイオードの模式的断面図である。

【図２】図２は、半導体発光装置内における光閉じこ
め作用を説明するための模式的拡大断面図である。

【図３】図３は、半導体発光素子の発光層周辺及び半
導体発光素子上周辺においてモールド部材が部分的に変
色していることを示す模式的部分斜視図である。

【図４】図４は、半導体発光素子において部分的に電
流が集中する状態を示した模式的断面図である。

【符号の説明】

１０１・・・マウント部材１０２・・・色変換部材１０３、２０３・・・半導体発光素子１０４・・・基体でありリード電極となるマウント・リ
ード１０５・・・リード電極となるインナー・リード１０６・・・モールド部材１０７・・・導電性ワイヤー２１１・・・基体に配置されたマウント部材２２１・・・色変換部材の透光性樹脂２２２・・・蛍光物質２３０・・・樹脂劣化した着色部３００・・・樹脂劣化した着色部３０１・・・ｎ型窒化物半導体上に設けられた台座電極３０２・・・ｐ型窒化物半導体上に設けられた透光性電
極３０３・・・透光性電極上に設けられた台座電極３０４・・・ｎ型窒化物半導体３０５・・・発光層３０６・・・ｐ型窒化物半導体３０７・・・サファイア基板３０８・・・バッファ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体(１０４)上にマウント部材(１０１)に
よって固定された半導体発光素子(１０３)と、該半導体
発光素子を被覆する透光性樹脂とを有する半導体発光装
置(１００)であって、前記透光性樹脂は半導体発光素子からの発光波長の少な
くとも一部を吸収し該発光波長よりも長波長の蛍光を発
する蛍光物質を含有すると共に前記マウント部材（１０
１）は脂環式エポキシ樹脂及び酸無水物を有する透光性
エポキシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体発光
装置。
【請求項２】少なくとも一対のリード電極（１０４）
（１０５）と電気的に接続させた半導体発光素子（１０
３）と、該半導体発光素子（１０３）を被覆する透光性
樹脂（１０２）とを有する半導体発光装置であって、前記透光性樹脂（１０２）は半導体発光素子からの発光
波長の少なくとも一部を吸収し該発光波長よりも長波長
の蛍光を発する蛍光物質を含有すると共に、透光性樹脂
が脂環式エポキシ樹脂及び酸無水物を有する透光性エポ
キシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体発光装
置。
【請求項３】前記透光性エポキシ樹脂組成物に硬化促進
剤として有機カルボン酸亜鉛及び／又は亜鉛キレート化
合物を含む請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】前記透光性エポキシ樹脂組成物は芳香族エ
ポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂組成物
である請求項１又は請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】前記半導体発光素子（１０３）の発光層
（３０５）が少なくともＧａを含む窒化物半導体である
と共に前記蛍光物質がセリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体である請求項１
又は請求項２に記載された半導体発光装置。
【請求項６】基体上（１０４）に配置された半導体発光
素子（１０３）を透光性樹脂（１０１）（１０２）によ
って固定させた半導体発光装置（１００）であって、前記半導体発光素子の発光層（３０５）が３７０ｎｍ以
上５３０ｎｍ以下に主発光ピークを発すると共に透光性
樹脂は芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポ
キシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体発光装
置。
【請求項７】前記半導体発光素子（１０３）は少なくと
もＧａを含む窒化物半導体である発光層（３０５）を介
してｐ型窒化物半導体（３０６）及びｎ型窒化物半導体
（３０４）が構成されたダブルへテロ構造であって、同
一平面側に一対の台座電極を有し、且つ一方の台座電極
が透光性電極を介して半導体上に設けられ、他方が半導
体上に直接設けられたことを特徴とする請求項６に記載
の半導体発光装置。