JPH11274736A - 多層配線板及びその製造法 - Google Patents
多層配線板及びその製造法Info
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- JPH11274736A JPH11274736A JP10071110A JP7111098A JPH11274736A JP H11274736 A JPH11274736 A JP H11274736A JP 10071110 A JP10071110 A JP 10071110A JP 7111098 A JP7111098 A JP 7111098A JP H11274736 A JPH11274736 A JP H11274736A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】接続信頼性やはんだ耐熱性の高い多層配線板、
特に半導体チップ用パッケージに用いる多層配線板と、
そのような多層配線板を効率よく製造する方法を提供す
る。 【解決手段】複数の絶縁層と、絶縁層に支持された回路
導体からなる複数の回路導体層と、絶縁層と回路導体層
または絶縁層とを接着する絶縁接着層と、回路導体と電
気的に接続された導体をその内壁に有するスルーホール
と、半導体チップを納めるためのキャビティとを有する
多層配線板において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリ
アミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージ
での貯蔵弾性率が３０℃で、１０００ＭＰａ〜５０００
ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３０
０℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が
１８０℃以上である多層配線板とその製造方法。
特に半導体チップ用パッケージに用いる多層配線板と、
そのような多層配線板を効率よく製造する方法を提供す
る。 【解決手段】複数の絶縁層と、絶縁層に支持された回路
導体からなる複数の回路導体層と、絶縁層と回路導体層
または絶縁層とを接着する絶縁接着層と、回路導体と電
気的に接続された導体をその内壁に有するスルーホール
と、半導体チップを納めるためのキャビティとを有する
多層配線板において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリ
アミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージ
での貯蔵弾性率が３０℃で、１０００ＭＰａ〜５０００
ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３０
０℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が
１８０℃以上である多層配線板とその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板、特に
半導体チップ用パッケージに用いる多層配線板とその製
造法に関するものである。
半導体チップ用パッケージに用いる多層配線板とその製
造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多層配線板は、通常、絶縁接着層と、電
源層と、グランド層と、その表面に形成された回路導体
と、内部に形成された内層回路と、各層の回路の電気的
接続を行うスルーホールあるいはバイアホールと、表面
の回路の絶縁化を行うソルダーレジストから成るもので
ある。
源層と、グランド層と、その表面に形成された回路導体
と、内部に形成された内層回路と、各層の回路の電気的
接続を行うスルーホールあるいはバイアホールと、表面
の回路の絶縁化を行うソルダーレジストから成るもので
ある。
【０００３】このような多層配線板の製造法の多くは、
例えば、内層回路や電源層及びグランド層を有する内層
回路板を、銅張積層板の銅箔の不要な箇所をエッチング
除去して作製し、その上に、プリプレグと銅箔を重ね
て、加熱・加圧して積層一体化した後、接続に必要な箇
所に穴をあけて、無電解めっき等でその内壁を金属化
し、表面の銅箔の不要な箇所をエッチング除去して、ソ
ルダーレジストを塗布・乾燥して作製する方法が一般的
に知られている。
例えば、内層回路や電源層及びグランド層を有する内層
回路板を、銅張積層板の銅箔の不要な箇所をエッチング
除去して作製し、その上に、プリプレグと銅箔を重ね
て、加熱・加圧して積層一体化した後、接続に必要な箇
所に穴をあけて、無電解めっき等でその内壁を金属化
し、表面の銅箔の不要な箇所をエッチング除去して、ソ
ルダーレジストを塗布・乾燥して作製する方法が一般的
に知られている。
【０００４】また、各層の内層回路板を別々に作製して
おき、ガイドピンを用いて位置合わせし、一括して積層
一体化した後、スルーホールの形成、表面の回路の形
成、ソルダーレジストの形成を行う方法も一般的に知ら
れている。
おき、ガイドピンを用いて位置合わせし、一括して積層
一体化した後、スルーホールの形成、表面の回路の形
成、ソルダーレジストの形成を行う方法も一般的に知ら
れている。
【０００５】半導体チップ用パッケージに関するものと
しては、パッケージの外側の一部に半導体チップと接続
された端子部を内部から延長して形成するリードレスチ
ップキャリアとすることが、特開昭５９−１５８５７９
号公報に記載されている。また、パッケージを搭載す
る、他の配線板のスルーホールに接続するための端子ピ
ンを複数有するピングリットアレイとその製造法が、特
公昭５８−１１１００号公報に開示されている。さら
に、ピングリッドアレイのピンに代えて、ランド部には
んだボールを融着し、はんだ付けによって電気的接続を
行うボールグリッドアレイとすることが、特公昭５８−
１１１００号公報に開示されている。また、端子部を先
に形成し、テープ状絶縁フィルムで絶縁化したテープ自
動化キャリアとすることも、特公昭５８−２６８２８号
公報に開示されている。
しては、パッケージの外側の一部に半導体チップと接続
された端子部を内部から延長して形成するリードレスチ
ップキャリアとすることが、特開昭５９−１５８５７９
号公報に記載されている。また、パッケージを搭載す
る、他の配線板のスルーホールに接続するための端子ピ
ンを複数有するピングリットアレイとその製造法が、特
公昭５８−１１１００号公報に開示されている。さら
に、ピングリッドアレイのピンに代えて、ランド部には
んだボールを融着し、はんだ付けによって電気的接続を
行うボールグリッドアレイとすることが、特公昭５８−
１１１００号公報に開示されている。また、端子部を先
に形成し、テープ状絶縁フィルムで絶縁化したテープ自
動化キャリアとすることも、特公昭５８−２６８２８号
公報に開示されている。
【０００６】このような半導体チップ用パッケージ（以
下、チップキャリアという。）には、絶縁材料にセラミ
ックスが多く使用されており、そのチップキャリアに半
導体チップを搭載してワイヤボンディングによって電気
的接続を行い、有機絶縁材料は、これらのチップキャリ
アに半導体チップを搭載した後、環境から半導体チップ
や接続部を保護するための封止材料として用いられてい
た。
下、チップキャリアという。）には、絶縁材料にセラミ
ックスが多く使用されており、そのチップキャリアに半
導体チップを搭載してワイヤボンディングによって電気
的接続を行い、有機絶縁材料は、これらのチップキャリ
アに半導体チップを搭載した後、環境から半導体チップ
や接続部を保護するための封止材料として用いられてい
た。
【０００７】さらに、近年では、セラミックスのチップ
キャリアを使用することが、セラミックスの製造工程で
焼成を行うための工程が多くなるので経済的でないこと
から、有機絶縁材料を用いた多層配線板の技術によっ
て、チップキャリアを製造する方法が開発されている。
例えば、ピングリッドアレイのチップキャリアを有機絶
縁材料を用いて製造する方法が、特公平３−２５０２３
号公報に開示されている。
キャリアを使用することが、セラミックスの製造工程で
焼成を行うための工程が多くなるので経済的でないこと
から、有機絶縁材料を用いた多層配線板の技術によっ
て、チップキャリアを製造する方法が開発されている。
例えば、ピングリッドアレイのチップキャリアを有機絶
縁材料を用いて製造する方法が、特公平３−２５０２３
号公報に開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、多層配線板
においても、近年では、電気機器の小型化・多機能化が
求められ、配線の高密度化・薄型化が必要となってお
り、内層回路間の絶縁接着層に使用する絶縁材料にも、
薄型化が求められ、従来のガラス織布や不織布等を使用
したプリプレグでは、ガラス織布や不織布の厚さによる
対応ができなくなってきているので、ガラス織布や不織
布を使用せずに、絶縁樹脂を塗布したり、フィルム化し
た絶縁樹脂を絶縁接着層として用いることが行われてい
る。
においても、近年では、電気機器の小型化・多機能化が
求められ、配線の高密度化・薄型化が必要となってお
り、内層回路間の絶縁接着層に使用する絶縁材料にも、
薄型化が求められ、従来のガラス織布や不織布等を使用
したプリプレグでは、ガラス織布や不織布の厚さによる
対応ができなくなってきているので、ガラス織布や不織
布を使用せずに、絶縁樹脂を塗布したり、フィルム化し
た絶縁樹脂を絶縁接着層として用いることが行われてい
る。
【０００９】しかし、このように、絶縁接着層に、ガラ
ス織布や不織布等の強化材を含まないものを使用する
と、絶縁接着層中にボイドや剥離の発生が見られるよう
になり、接続信頼性やはんだ耐熱性が低下するという課
題があった。
ス織布や不織布等の強化材を含まないものを使用する
と、絶縁接着層中にボイドや剥離の発生が見られるよう
になり、接続信頼性やはんだ耐熱性が低下するという課
題があった。
【００１０】本発明は、接続信頼性やはんだ耐熱性の高
い多層配線板、特に半導体チップ用パッケージに用いる
多層配線板と、そのような多層配線板を効率よく製造す
る方法を提供することを目的とする。
い多層配線板、特に半導体チップ用パッケージに用いる
多層配線板と、そのような多層配線板を効率よく製造す
る方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線板は、
例えば図１（ａ）に示すように、複数の絶縁層２と、絶
縁層２に支持された回路導体３からなる複数の回路導体
層と、絶縁層２と回路導体層または絶縁層２とを接着す
る絶縁接着層１と、回路導体３と電気的に接続された導
体をその内壁に有するスルーホール４と、半導体チップ
６を納めるためのキャビティ５とを有する多層配線板に
おいて、絶縁接着層１がシロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾
性率が３０℃で、１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範
囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０
ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以
上であることを特徴とする。
例えば図１（ａ）に示すように、複数の絶縁層２と、絶
縁層２に支持された回路導体３からなる複数の回路導体
層と、絶縁層２と回路導体層または絶縁層２とを接着す
る絶縁接着層１と、回路導体３と電気的に接続された導
体をその内壁に有するスルーホール４と、半導体チップ
６を納めるためのキャビティ５とを有する多層配線板に
おいて、絶縁接着層１がシロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾
性率が３０℃で、１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範
囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０
ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以
上であることを特徴とする。
【００１２】また、図１（ｂ）に示すように、隣接する
回路導体層間に、電気的な接続を行うバイアホール７を
有するものでもよく、配線密度を高めることができ好ま
しい。
回路導体層間に、電気的な接続を行うバイアホール７を
有するものでもよく、配線密度を高めることができ好ま
しい。
【００１３】また、図１（ｃ）に示すように、キャビテ
ィ５が、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶
縁層から順に、その大きさを同じかあるいは大きくし、
それぞれの絶縁層２上に形成されキャビティ５内に露出
した回路導体３に、半導体チップ６と電気的に接続を行
うための内部端子を有するものでもよく、接続端子の数
を増加することが容易であり好ましい。
ィ５が、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶
縁層から順に、その大きさを同じかあるいは大きくし、
それぞれの絶縁層２上に形成されキャビティ５内に露出
した回路導体３に、半導体チップ６と電気的に接続を行
うための内部端子を有するものでもよく、接続端子の数
を増加することが容易であり好ましい。
【００１４】また、図１（ｄ）に示すように、キャビテ
ィ５がスルーホールであり、そのスルーホールの一方の
開口部に、その開口部を塞ぐようにヒートシンク８が設
けられているものでもよく、半導体チップ６の放熱を効
率よく行うことができ、好ましい。
ィ５がスルーホールであり、そのスルーホールの一方の
開口部に、その開口部を塞ぐようにヒートシンク８が設
けられているものでもよく、半導体チップ６の放熱を効
率よく行うことができ、好ましい。
【００１５】また、他の配線板との電気的接続を行うた
めの外部端子が設けられているものでもよく、例えば、
図１（ｅ）に示すように、外部端子が、はんだボール１
０による電気的接続を行うためのランド部であるもので
もよい。
めの外部端子が設けられているものでもよく、例えば、
図１（ｅ）に示すように、外部端子が、はんだボール１
０による電気的接続を行うためのランド部であるもので
もよい。
【００１６】このような多層配線板は、予め半導体チッ
プを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶
縁層と、絶縁接着層と、絶縁層を重ねて、加熱・加圧し
て積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴
の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、
外層の回路導体を形成することにより製造することがで
き、絶縁接着層に、シロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率
が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあ
り、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ
以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であ
るものを用いる。このときに、予め半導体チップを納め
るためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、
絶縁接着層と、絶縁層および銅箔を重ねて、加熱・加圧
して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その
穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成
し、外層の回路導体を形成することにより製造すること
もできる。さらにまた、予め半導体チップを納めるため
のキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接
着層と、銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、
スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体
と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を
形成することにより製造することもできる。
プを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶
縁層と、絶縁接着層と、絶縁層を重ねて、加熱・加圧し
て積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴
の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、
外層の回路導体を形成することにより製造することがで
き、絶縁接着層に、シロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率
が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあ
り、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ
以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であ
るものを用いる。このときに、予め半導体チップを納め
るためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、
絶縁接着層と、絶縁層および銅箔を重ねて、加熱・加圧
して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その
穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成
し、外層の回路導体を形成することにより製造すること
もできる。さらにまた、予め半導体チップを納めるため
のキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接
着層と、銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、
スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体
と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を
形成することにより製造することもできる。
【００１７】また、少なくとも一方の面に回路導体を形
成した回路板と、絶縁接着層と、予め半導体チップを納
めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と
を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホール
となる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接
続された導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層
配線板の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性
ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステ
ージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５００
０ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３
００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度
が１８０℃以上であるものを用いることによっても製造
することができる。
成した回路板と、絶縁接着層と、予め半導体チップを納
めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と
を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホール
となる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接
続された導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層
配線板の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性
ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステ
ージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５００
０ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３
００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度
が１８０℃以上であるものを用いることによっても製造
することができる。
【００１８】また、複数の絶縁接着層と複数の回路板お
よび絶縁層に、半導体チップを納めるためのキャビティ
部をくり抜き加工して設け、これらを重ねて、加熱・加
圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、そ
の穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成
し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法にお
いて、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率
が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあ
り、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ
以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であ
るものを用いることによっても製造することができる。
このときに、複数の絶縁接着層と複数の回路板に、半導
体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工し
て設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化
し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路
導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導
体を形成することによっても製造することができる。さ
らにまた、複数の絶縁接着層と複数の絶縁層に、半導体
チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工して
設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、
スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体
と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を
形成することによっても製造することができる。
よび絶縁層に、半導体チップを納めるためのキャビティ
部をくり抜き加工して設け、これらを重ねて、加熱・加
圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、そ
の穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成
し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法にお
いて、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率
が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあ
り、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ
以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であ
るものを用いることによっても製造することができる。
このときに、複数の絶縁接着層と複数の回路板に、半導
体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工し
て設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化
し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路
導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導
体を形成することによっても製造することができる。さ
らにまた、複数の絶縁接着層と複数の絶縁層に、半導体
チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工して
設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、
スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体
と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を
形成することによっても製造することができる。
【００１９】このような製造方法において、複数の絶縁
接着層と複数の回路板および／または絶縁層にくり抜き
加工して設けた半導体チップを納めるためのキャビティ
部を、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶縁
層から順に、その大きさを同じか大きくしたものを用い
ることができ、複数の導体回路層にワイヤボンディング
用のランド部を形成でき好ましい。
接着層と複数の回路板および／または絶縁層にくり抜き
加工して設けた半導体チップを納めるためのキャビティ
部を、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶縁
層から順に、その大きさを同じか大きくしたものを用い
ることができ、複数の導体回路層にワイヤボンディング
用のランド部を形成でき好ましい。
【００２０】また、少なくとも隣接する回路導体層間
に、電気的な接続を行うバイアホールを形成する工程を
設ければ、配線の密度を高めることができ好ましい。
に、電気的な接続を行うバイアホールを形成する工程を
設ければ、配線の密度を高めることができ好ましい。
【００２１】全ての絶縁接着層と絶縁層および／または
回路板に、予め半導体チップを納めるためのキャビティ
部をくり抜き加工し、絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁層
および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して積層一
体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁
に、回路板の回路導体と電気的に接続された導体を形成
した後、キャビティ部の一方の開口部に、開口部を塞ぐ
ようにヒートシンクを設けることもできる。
回路板に、予め半導体チップを納めるためのキャビティ
部をくり抜き加工し、絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁層
および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して積層一
体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁
に、回路板の回路導体と電気的に接続された導体を形成
した後、キャビティ部の一方の開口部に、開口部を塞ぐ
ようにヒートシンクを設けることもできる。
【００２２】このヒートシンク８には、図２に示すよう
に、半導体チップを搭載する支持部８１と、支持部８１
の周囲に支持部８１より薄い鍔部８２を設けたものを用
い、最外層の絶縁層２に支持部８１とほぼ同じ大きさの
穴を設け、その穴にヒートシンク８の支持部８１を嵌合
・接着することもできる。
に、半導体チップを搭載する支持部８１と、支持部８１
の周囲に支持部８１より薄い鍔部８２を設けたものを用
い、最外層の絶縁層２に支持部８１とほぼ同じ大きさの
穴を設け、その穴にヒートシンク８の支持部８１を嵌合
・接着することもできる。
【００２３】また、予め半導体チップを納めるためのキ
ャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層
と、絶縁板および／または回路板を重ねて、加熱・加圧
して積層一体化するにあたり、図３（ａ）に示すよう
に、積層時の層構成を、プレス鏡板１０１／製品の表面
を保護するフィルム状物１０５／（絶縁層と絶縁接着層
と絶縁層および／または回路板を複数段重ねたもの１０
４）／クッション材１０３／キャビティの大きさと同じ
穴をあけた成形品１０２／プレス鏡板１０１の順に重
ね、加熱・加圧して積層一体化することによって製造す
ることができ、積層精度が高く好ましい。また、図２に
示すようなヒートシンク８を用いるときには、図３
（ｂ）に示すように、プレス鏡板１０１／融点の高いフ
ィルム１１０／融点の低いフィルム１１１／（絶縁層と
絶縁接着層と絶縁層および／または回路板を複数段重ね
たもの１０４）／クッション材１０３／キャビティの大
きさと同じ穴をあけた成形品１０２／プレス鏡板１０１
の順に重ね、加熱・加圧して積層一体化することによっ
て製造することができる。
ャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層
と、絶縁板および／または回路板を重ねて、加熱・加圧
して積層一体化するにあたり、図３（ａ）に示すよう
に、積層時の層構成を、プレス鏡板１０１／製品の表面
を保護するフィルム状物１０５／（絶縁層と絶縁接着層
と絶縁層および／または回路板を複数段重ねたもの１０
４）／クッション材１０３／キャビティの大きさと同じ
穴をあけた成形品１０２／プレス鏡板１０１の順に重
ね、加熱・加圧して積層一体化することによって製造す
ることができ、積層精度が高く好ましい。また、図２に
示すようなヒートシンク８を用いるときには、図３
（ｂ）に示すように、プレス鏡板１０１／融点の高いフ
ィルム１１０／融点の低いフィルム１１１／（絶縁層と
絶縁接着層と絶縁層および／または回路板を複数段重ね
たもの１０４）／クッション材１０３／キャビティの大
きさと同じ穴をあけた成形品１０２／プレス鏡板１０１
の順に重ね、加熱・加圧して積層一体化することによっ
て製造することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明に用いる絶縁接着層は、シ
ロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分から
なり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で、１０００
ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、
ガラス転移温度が１８０℃以上である必要があり、シロ
キサン変性ポリアミドイミド樹脂を用いることにより、
一般的な芳香族ポリアミドイミド樹脂に比べ、溶媒の揮
発性が上がり、低温での処理が可能なことで、寸法変化
率が小さい。また、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃
で、１０００ＭＰａ未満であると、樹脂の流動が大き
く、キャビティへの染み出しが大きくなり、５０００Ｍ
Ｐａを超えると内層の回路導体の充填性が低くなったり
する。さらに、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で
３０ＭＰａ未満であるか、ガラス転移温度が１８０℃未
満であると、樹脂の流動や絶縁層２とのガラス転移温度
の差により、接続信頼性やはんだ耐熱性が低下する。
ロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分から
なり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で、１０００
ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、
ガラス転移温度が１８０℃以上である必要があり、シロ
キサン変性ポリアミドイミド樹脂を用いることにより、
一般的な芳香族ポリアミドイミド樹脂に比べ、溶媒の揮
発性が上がり、低温での処理が可能なことで、寸法変化
率が小さい。また、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃
で、１０００ＭＰａ未満であると、樹脂の流動が大き
く、キャビティへの染み出しが大きくなり、５０００Ｍ
Ｐａを超えると内層の回路導体の充填性が低くなったり
する。さらに、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で
３０ＭＰａ未満であるか、ガラス転移温度が１８０℃未
満であると、樹脂の流動や絶縁層２とのガラス転移温度
の差により、接続信頼性やはんだ耐熱性が低下する。
【００２５】このシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
には、芳香族環を３個以上有するジアミンとシロキサン
ジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得
られる芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミ
ドジカルボン酸の混合物と、芳香族ジイソシアネートと
を反応させて得られるものを使用することが好ましい。
には、芳香族環を３個以上有するジアミンとシロキサン
ジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得
られる芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミ
ドジカルボン酸の混合物と、芳香族ジイソシアネートと
を反応させて得られるものを使用することが好ましい。
【００２６】芳香族環を３個以上有するジアミンには、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタ
ン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
ーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ケトン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン等を単独またはこれらを組合わせて用いることができ
る。
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタ
ン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
ーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ケトン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン等を単独またはこれらを組合わせて用いることができ
る。
【００２７】シロキサンジアミンには、アミノ変性シリ
コーンオイルであるＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工
業株式会社製、商品名）、Ｘ−２２−１６１Ａ（信越化
学工業株式会社製、商品名）、Ｘ−２２−１６１Ｂ（信
越化学工業株式会社製、商品名）、ＢＹ１６−８５３
（東レダウコーニングシリコーン株式会社製、商品
名）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（東レダウコーニングシリコ
ーン株式会社製、商品名）等を、単独またはこれらを組
み合わせて用いることができる。
コーンオイルであるＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工
業株式会社製、商品名）、Ｘ−２２−１６１Ａ（信越化
学工業株式会社製、商品名）、Ｘ−２２−１６１Ｂ（信
越化学工業株式会社製、商品名）、ＢＹ１６−８５３
（東レダウコーニングシリコーン株式会社製、商品
名）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（東レダウコーニングシリコ
ーン株式会社製、商品名）等を、単独またはこれらを組
み合わせて用いることができる。
【００２８】また、芳香族ジイソシアネートには、４，
４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−ト
リレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシア
ネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、２，
４−トリレンダイマー等を単独でまたは組み合わせて用
いることができる。
４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−ト
リレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシア
ネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、２，
４−トリレンダイマー等を単独でまたは組み合わせて用
いることができる。
【００２９】また、本発明の熱硬化性成分は、エポキシ
樹脂とその硬化剤もしくは硬化促進剤であることを特徴
とする。エポキシ樹脂は、グリシジル基を２つ以上有し
ているものであればどのようなものでも良く、グリシジ
ル基が３つ以上であればさらに好ましい。このエポキシ
樹脂は、室温で液状でも固形でもよい。市販のものとし
ては、液状エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型
の、ＹＤ１２８（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤ
８１２５（東都化成株式会社製、商品名）、Ｅｐ８１５
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅｐ８２
８（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、ビスフ
ェノールＦ型の、ＹＤＦ１７０（東都化成株式会社製、
商品名）、ＹＤＦ２００４（東都化成株式会社製、商品
名）等が使用できる。また、固形のエポキシ樹脂として
は、ＹＤ９０７（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤ
ＣＮ７０４Ｓ（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤＰ
Ｎ１７２（東都化成株式会社製、商品名）、Ｅｐ１００
１（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅｐ１
０１０（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅ
ｐ１８０Ｓ７０（油化シェルエポキシ株式会社製、商品
名）、ＥＳＡ０１９（ダウケミカル工業株式会社製、商
品名）、ＤＥＮ４３８（ダウケミカル工業株式会社製、
商品名）、ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商
品名）等が挙げられる。さらに、難燃性を向上するため
には、臭素化エポキシ樹脂を用いてもよく、例えば市販
のものとして、ＹＤＢ４００（東都化成株式会社製、商
品名）、Ｅｐ５０５０（油化シェルエポキシ株式会社
製、商品名）、ＥＳＢ４００（住友化学工業株式会社
製、商品名）等が使用できる。また、これらは単独でも
よいが、必要に応じて複数のエポキシ樹脂を選択しても
よい。
樹脂とその硬化剤もしくは硬化促進剤であることを特徴
とする。エポキシ樹脂は、グリシジル基を２つ以上有し
ているものであればどのようなものでも良く、グリシジ
ル基が３つ以上であればさらに好ましい。このエポキシ
樹脂は、室温で液状でも固形でもよい。市販のものとし
ては、液状エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型
の、ＹＤ１２８（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤ
８１２５（東都化成株式会社製、商品名）、Ｅｐ８１５
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅｐ８２
８（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、ビスフ
ェノールＦ型の、ＹＤＦ１７０（東都化成株式会社製、
商品名）、ＹＤＦ２００４（東都化成株式会社製、商品
名）等が使用できる。また、固形のエポキシ樹脂として
は、ＹＤ９０７（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤ
ＣＮ７０４Ｓ（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤＰ
Ｎ１７２（東都化成株式会社製、商品名）、Ｅｐ１００
１（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅｐ１
０１０（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅ
ｐ１８０Ｓ７０（油化シェルエポキシ株式会社製、商品
名）、ＥＳＡ０１９（ダウケミカル工業株式会社製、商
品名）、ＤＥＮ４３８（ダウケミカル工業株式会社製、
商品名）、ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商
品名）等が挙げられる。さらに、難燃性を向上するため
には、臭素化エポキシ樹脂を用いてもよく、例えば市販
のものとして、ＹＤＢ４００（東都化成株式会社製、商
品名）、Ｅｐ５０５０（油化シェルエポキシ株式会社
製、商品名）、ＥＳＢ４００（住友化学工業株式会社
製、商品名）等が使用できる。また、これらは単独でも
よいが、必要に応じて複数のエポキシ樹脂を選択しても
よい。
【００３０】エポキシ樹脂の硬化剤もしくは硬化促進剤
としては、アミン類、イミダゾール類、多官能フェノー
ル類、酸無水物、イソシアネート類等が使用できる。ア
ミン類としては、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニ
ルメタン、グアニル尿素等があり、イミダゾール類とし
ては、アルキル置換イミダゾール、ベンズイミダゾール
等があり、多官能フェノール類としては、ヒドロキノ
ン、レゾルシノール、ビスフェノールＡ及びハロゲン化
合物、さらに、これにアルデヒドとの縮合物であるノボ
ラック、レゾール樹脂等があり、酸無水物としては、無
水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸等がある。イソシアネート類として
は、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシア
ネート等があり、このイソシアネートをフェノール類等
でマスクしたものを使用してもよい。
としては、アミン類、イミダゾール類、多官能フェノー
ル類、酸無水物、イソシアネート類等が使用できる。ア
ミン類としては、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニ
ルメタン、グアニル尿素等があり、イミダゾール類とし
ては、アルキル置換イミダゾール、ベンズイミダゾール
等があり、多官能フェノール類としては、ヒドロキノ
ン、レゾルシノール、ビスフェノールＡ及びハロゲン化
合物、さらに、これにアルデヒドとの縮合物であるノボ
ラック、レゾール樹脂等があり、酸無水物としては、無
水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸等がある。イソシアネート類として
は、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシア
ネート等があり、このイソシアネートをフェノール類等
でマスクしたものを使用してもよい。
【００３１】これらの硬化剤もしくは硬化促進剤の必要
な量は、アミン類の場合は、アミンの活性水素の当量と
エポキシ樹脂のエポキシ当量がほぼ等しくなる量が好ま
しい。例えば、１級アミンの場合は、水素が２つであ
り、エポキシ樹脂１当量に対して、この１級アミンは
０．５当量必要であり、２級アミンの場合は、１当量必
要である。次に、イミダゾール類の場合は、単純に活性
水素との当量比とならず、経験的にエポキシ樹脂１００
重量部に対して、１〜１０重量部必要となる。多官能フ
ェノール類や酸無水物の場合は、エポキシ樹脂１当量に
対して、０．８〜１．２当量必要である。イソシアネー
ト類の場合は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と
エポキシ樹脂のどちらとも反応するため、それぞれ１当
量に対して、０．８〜１．２当量必要である。これらの
硬化剤もしくは硬化促進剤は、単独で用いてもよいが、
必要に応じて複数の硬化剤もしくは硬化促進剤を選択し
てもよい。
な量は、アミン類の場合は、アミンの活性水素の当量と
エポキシ樹脂のエポキシ当量がほぼ等しくなる量が好ま
しい。例えば、１級アミンの場合は、水素が２つであ
り、エポキシ樹脂１当量に対して、この１級アミンは
０．５当量必要であり、２級アミンの場合は、１当量必
要である。次に、イミダゾール類の場合は、単純に活性
水素との当量比とならず、経験的にエポキシ樹脂１００
重量部に対して、１〜１０重量部必要となる。多官能フ
ェノール類や酸無水物の場合は、エポキシ樹脂１当量に
対して、０．８〜１．２当量必要である。イソシアネー
ト類の場合は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と
エポキシ樹脂のどちらとも反応するため、それぞれ１当
量に対して、０．８〜１．２当量必要である。これらの
硬化剤もしくは硬化促進剤は、単独で用いてもよいが、
必要に応じて複数の硬化剤もしくは硬化促進剤を選択し
てもよい。
【００３２】また、シロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂と熱硬化性成分との重量比は、シロキサン変性ポリア
ミドイミド樹脂１００重量部に対して、熱硬化性成分１
０〜１５０重量部の範囲であることが好ましく、１０重
量部未満であると、ガラス転移温度〜３５０℃までの線
膨張係数大きく、３００℃の貯蔵弾性率が低いという、
シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の特性がそのまま
現れ、１５０重量部を超えると、相溶性が低下し、攪拌
時にゲル化する。
脂と熱硬化性成分との重量比は、シロキサン変性ポリア
ミドイミド樹脂１００重量部に対して、熱硬化性成分１
０〜１５０重量部の範囲であることが好ましく、１０重
量部未満であると、ガラス転移温度〜３５０℃までの線
膨張係数大きく、３００℃の貯蔵弾性率が低いという、
シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の特性がそのまま
現れ、１５０重量部を超えると、相溶性が低下し、攪拌
時にゲル化する。
【００３３】この他に、必要に応じてバイアホールまた
はスルーホール内壁等のめっき密着性を上げること、及
びアディティブ法で配線板を製造するために、無電解め
っき用触媒を加えることもできる。
はスルーホール内壁等のめっき密着性を上げること、及
びアディティブ法で配線板を製造するために、無電解め
っき用触媒を加えることもできる。
【００３４】本発明の回路板は、通常の配線板に用いる
銅張積層板の不要な銅箔をエッチング除去して、得られ
たものを用いることができる。この銅張積層板の絶縁層
には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂等の熱硬化性樹脂や、これらの樹脂
をガラス布、ガラス紙、アラミド紙等の強化繊維に含浸
したもの、あるいはこれらの樹脂に前記のガラスチョッ
プストランド、樹脂による短繊維、セラミックスファイ
バ、ウィスカ等の強化繊維を混入したものが使用でき
る。この銅張積層板の銅箔には、通常の圧延銅箔や電解
銅箔に加えて、薄い銅箔とそれを支持するキャリア金属
箔として、アルミニウム箔に離型処理して銅箔と貼り合
わせたものや、薄い銅層／ニッケル層／厚い銅層のよう
に、中間に銅と異なるエッチング処理が行える金属層を
設け、エッチング除去するときのストッパとして用いる
もの等がある。
銅張積層板の不要な銅箔をエッチング除去して、得られ
たものを用いることができる。この銅張積層板の絶縁層
には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂等の熱硬化性樹脂や、これらの樹脂
をガラス布、ガラス紙、アラミド紙等の強化繊維に含浸
したもの、あるいはこれらの樹脂に前記のガラスチョッ
プストランド、樹脂による短繊維、セラミックスファイ
バ、ウィスカ等の強化繊維を混入したものが使用でき
る。この銅張積層板の銅箔には、通常の圧延銅箔や電解
銅箔に加えて、薄い銅箔とそれを支持するキャリア金属
箔として、アルミニウム箔に離型処理して銅箔と貼り合
わせたものや、薄い銅層／ニッケル層／厚い銅層のよう
に、中間に銅と異なるエッチング処理が行える金属層を
設け、エッチング除去するときのストッパとして用いる
もの等がある。
【００３５】このような回路板は、上記のような、不要
な箇所の銅箔をエッチング除去したものを用いることも
できるが、先に、バイアホールを形成しておくこともで
きる。それは、例えば、銅張積層板に両面銅張積層板を
用い、通常の両面配線板を作製する要領で、バイアホー
ルとなる穴をあけ、少なくともその穴内壁にめっきによ
って導体を形成し、不要な銅をエッチング除去して、両
面に配線導体を有する回路板を作製することである。ま
た、回路導体を形成した回路板の上に絶縁接着層を介し
て、バイアホールとなる穴をあけた銅張積層板を重ね、
加熱・加圧して積層一体化し、銅めっきを行って、バイ
アホールの内壁を金属化し、不要な銅をエッチング除去
して作製することもできる。さらに、その上に、絶縁接
着層を介してバイアホールなる穴をあけた銅張積層板を
重ね、加熱・加圧して積層一体化し、銅めっきを行っ
て、バイアホールの内壁を金属化し、不要な銅をエッチ
ング除去して、これを繰り返し、全ての回路導体を必要
な層数にすることもできる。
な箇所の銅箔をエッチング除去したものを用いることも
できるが、先に、バイアホールを形成しておくこともで
きる。それは、例えば、銅張積層板に両面銅張積層板を
用い、通常の両面配線板を作製する要領で、バイアホー
ルとなる穴をあけ、少なくともその穴内壁にめっきによ
って導体を形成し、不要な銅をエッチング除去して、両
面に配線導体を有する回路板を作製することである。ま
た、回路導体を形成した回路板の上に絶縁接着層を介し
て、バイアホールとなる穴をあけた銅張積層板を重ね、
加熱・加圧して積層一体化し、銅めっきを行って、バイ
アホールの内壁を金属化し、不要な銅をエッチング除去
して作製することもできる。さらに、その上に、絶縁接
着層を介してバイアホールなる穴をあけた銅張積層板を
重ね、加熱・加圧して積層一体化し、銅めっきを行っ
て、バイアホールの内壁を金属化し、不要な銅をエッチ
ング除去して、これを繰り返し、全ての回路導体を必要
な層数にすることもできる。
【００３６】
【実施例】（シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂の合
成）還流冷却器を連結したコック付き２５ｍｌの水分定
量受器、温度計、攪拌器を備えた１リットルのセパラブ
ルフラスコに芳香族環を３個以上有するジアミンして、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン６５．７ｇ（０．１６ｍｏｌ）、シロキサ
ンジアミンとしてアミノ変性シリコーンオイルであるＸ
−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株式会社製、商品
名）３３．３ｇ（０．０４ｍｏｌ）、無水トリメリット
酸８０．７ｇ（０．４２ｍｏｌ）を、非プロトン性極性
溶媒としてＮ−メチルピロリドン５６０ｇに仕込み、８
０℃で３０分間攪拌した。そして、水と共沸可能な芳香
族炭化水素として、トルエン１００ｍｌを投入してから
温度を上げ、約１６０℃で２時間還流させた。水分定量
器に水が約７．２ｍｌ以上溜まっていること、水の流出
が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器に
溜まっている流出液を除去しながら、１９０℃まで温度
を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に
戻し、芳香族ジイソシアネートとして、４，４’−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート６０．１ｇ（０．２４ｍ
ｏｌ）を投入し、１９０℃で２時間反応させた。反応終
了後、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のＮ−メチ
ルピロリドン溶液樹脂を得た。
成）還流冷却器を連結したコック付き２５ｍｌの水分定
量受器、温度計、攪拌器を備えた１リットルのセパラブ
ルフラスコに芳香族環を３個以上有するジアミンして、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン６５．７ｇ（０．１６ｍｏｌ）、シロキサ
ンジアミンとしてアミノ変性シリコーンオイルであるＸ
−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株式会社製、商品
名）３３．３ｇ（０．０４ｍｏｌ）、無水トリメリット
酸８０．７ｇ（０．４２ｍｏｌ）を、非プロトン性極性
溶媒としてＮ−メチルピロリドン５６０ｇに仕込み、８
０℃で３０分間攪拌した。そして、水と共沸可能な芳香
族炭化水素として、トルエン１００ｍｌを投入してから
温度を上げ、約１６０℃で２時間還流させた。水分定量
器に水が約７．２ｍｌ以上溜まっていること、水の流出
が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器に
溜まっている流出液を除去しながら、１９０℃まで温度
を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に
戻し、芳香族ジイソシアネートとして、４，４’−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート６０．１ｇ（０．２４ｍ
ｏｌ）を投入し、１９０℃で２時間反応させた。反応終
了後、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のＮ−メチ
ルピロリドン溶液樹脂を得た。
【００３７】実施例１ この実施例を図４〜図６を参照して説明する。絶縁層２
として、図４（ａ）に示すような、厚さが０．４ｍｍの
ＢＴレジン系片面銅張積層板であるＣＣＨ−ＨＬ８３０
（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去した
ものの片面に、０．２ｍｍの深さで座ぐり加工し、キャ
ビティとなる凹部１１を形成した基板２ａと、絶縁接着
層１として、図４（ｂ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される厚さ０．０５ｍｍの接
着フィルムに、基板２ａの座ぐり加工部１１より大きい
キャビティとなる開口部１２ｂを設けた接着フィルム１
ｂと、図４（ｃ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣ
ＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）
に、接着フィルム１ｂのキャビティとなる開口部１２ｂ
と同じ大きさのキャビティとなる開口部１２ｃを設け、
基板２ｅと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ
６とボンディングワイヤ１３で接続するための内部端子
となる回路導体３を形成した基板２ｃと、図４（ｄ）に
示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４
００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７
０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１
０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノ
ール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社
製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成さ
れる材質で厚さが０．０７５ｍｍの接着フィルムに、基
板２ｃのキャビティとなる開口部１２ｃより大きい開口
部１２ｄを設けた接着フィルム１ｄと、図４（ｅ）に示
すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三
菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去し、接着
フィルム１ｄのキャビティとなる開口部１２ｄと同じ大
きさの開口部１２ｅを設けた基板２ｅと、図４（ｆ）に
示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４
００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７
０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１
０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノ
ール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社
製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成さ
れる材質で厚さが０．１ｍｍの接着フィルムに、基板２
ｅのキャビティとなる開口部１２ｅと同じ大きさのキャ
ビティとなる開口部１２ｆを設けた接着フィルム１ｆ
と、図４（ｇ）に示すような、厚さが０．２ｍｍのＣＣ
Ｈ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の
銅箔を除去した基板２ｇを準備し、図５に示すように、
厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／ポリエチレン
テレフタレート製の保護フィルム１０５／上記図４に示
す多層配線板の構成１０４／クラフト紙製のクッション
材１０３／エポキシ樹脂製絶縁板を用いたキャビティの
形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２ｍｍのステンレ
ス製の鏡板１０１、の順に重ねて、１５０℃、３０ｋｇ
ｆ／ｃｍ2で１２０分の条件で、加熱・加圧して積層一
体化した。図６（ａ）に示すように、前記積層したもの
に、スルーホール４となる穴をあけ、図６（ｂ）に示す
ように、穴内壁及び表面への無電解めっき１４を行い、
図６（ｃ）に示すように、不要な銅をエッチング除去し
て外層の回路導体３を形成し、さらにキャビティを形成
するために、図６（ｄ）に示すように、基板２ｅのキャ
ビティとなる開口部１２ｅと同じ箇所に同じ大きさの開
口部１５を、基板２ｇの該当する箇所に、ルーター加工
により設け、スルーホール４に複数のピン９を固定して
キャビティを有するピングリッドアレイを作製した。
として、図４（ａ）に示すような、厚さが０．４ｍｍの
ＢＴレジン系片面銅張積層板であるＣＣＨ−ＨＬ８３０
（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去した
ものの片面に、０．２ｍｍの深さで座ぐり加工し、キャ
ビティとなる凹部１１を形成した基板２ａと、絶縁接着
層１として、図４（ｂ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される厚さ０．０５ｍｍの接
着フィルムに、基板２ａの座ぐり加工部１１より大きい
キャビティとなる開口部１２ｂを設けた接着フィルム１
ｂと、図４（ｃ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣ
ＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）
に、接着フィルム１ｂのキャビティとなる開口部１２ｂ
と同じ大きさのキャビティとなる開口部１２ｃを設け、
基板２ｅと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ
６とボンディングワイヤ１３で接続するための内部端子
となる回路導体３を形成した基板２ｃと、図４（ｄ）に
示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４
００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７
０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１
０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノ
ール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社
製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成さ
れる材質で厚さが０．０７５ｍｍの接着フィルムに、基
板２ｃのキャビティとなる開口部１２ｃより大きい開口
部１２ｄを設けた接着フィルム１ｄと、図４（ｅ）に示
すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三
菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去し、接着
フィルム１ｄのキャビティとなる開口部１２ｄと同じ大
きさの開口部１２ｅを設けた基板２ｅと、図４（ｆ）に
示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４
００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７
０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１
０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノ
ール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社
製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成さ
れる材質で厚さが０．１ｍｍの接着フィルムに、基板２
ｅのキャビティとなる開口部１２ｅと同じ大きさのキャ
ビティとなる開口部１２ｆを設けた接着フィルム１ｆ
と、図４（ｇ）に示すような、厚さが０．２ｍｍのＣＣ
Ｈ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の
銅箔を除去した基板２ｇを準備し、図５に示すように、
厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／ポリエチレン
テレフタレート製の保護フィルム１０５／上記図４に示
す多層配線板の構成１０４／クラフト紙製のクッション
材１０３／エポキシ樹脂製絶縁板を用いたキャビティの
形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２ｍｍのステンレ
ス製の鏡板１０１、の順に重ねて、１５０℃、３０ｋｇ
ｆ／ｃｍ2で１２０分の条件で、加熱・加圧して積層一
体化した。図６（ａ）に示すように、前記積層したもの
に、スルーホール４となる穴をあけ、図６（ｂ）に示す
ように、穴内壁及び表面への無電解めっき１４を行い、
図６（ｃ）に示すように、不要な銅をエッチング除去し
て外層の回路導体３を形成し、さらにキャビティを形成
するために、図６（ｄ）に示すように、基板２ｅのキャ
ビティとなる開口部１２ｅと同じ箇所に同じ大きさの開
口部１５を、基板２ｇの該当する箇所に、ルーター加工
により設け、スルーホール４に複数のピン９を固定して
キャビティを有するピングリッドアレイを作製した。
【００３８】実施例２ 絶縁層２として、図７（ａ）に示すような、厚さが０．
２ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社
製、商品名）から銅箔を除去した基板２ｈと、絶縁接着
層１として、図７（ｂ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．０５
ｍｍの接着フィルムに、キャビティを形成する開口部１
２ｉを設けた接着フィルム１ｉと、図７（ｃ）に示すよ
うな、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦
斯化学株式会社製、商品名）に、接着フィルム１ｉのキ
ャビティとなる開口部１２ｉと同じ大きさの開口部１２
ｊを設け、基板２ｌと重ねたときに露出する部分に、半
導体チップ６とボンディングワイヤ１３で接続するため
の内部端子となる銅箔回路３を形成した基板２ｊと、図
７（ｄ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３
０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３
００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃であ
る、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹
脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／
多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学
工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／
１５で構成される材質の厚さが０．０５ｍｍの接着フィ
ルムに、基板２ｊのキャビティとなる開口部１２ｊより
大きい開口部１２ｋを設けた接着フィルム１ｋと、図７
（ｅ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ
８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）に、接着フ
ィルム１ｋのキャビティとなる開口部１２ｋと同じ大き
さの開口部１２ｌを設け、基板２ｎと重ねたときに露出
する部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３
で接続するための内部端子となる回路導体３を形成した
基板２１と、図７（ｆ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．５ｍ
ｍの接着フィルムに、基板２ｌのキャビティとなる開口
部１２ｌより大きい開口部１２ｍを設けた接着フィルム
１ｍと、図７（ｇ）に示すような、厚さが０．４ｍｍの
ＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品
名）の銅箔を除去し，接着フィルム１ｍのキャビティと
なる開口部１２ｍと同じ大きさの開口部１２ｎを設けた
基板２ｎと、図７（ｈ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．５ｍ
ｍの接着フィルムに、基板１２ｎのキャビティとなる開
口部１２ｎと同じ大きさの開口部１２ｏを設けた接着フ
ィルム１ｏと、図７（ｉ）に示すような、厚さが０．４
ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、
商品名）の銅箔を除去した基板２ｐを準備し、図５に示
すように、厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／ポ
リエチレンテレフタレート製の保護フィルム１０５／上
記図７に示す構成の多層配線板の構成１０４／クラフト
紙製のクッション材１０３／エポキシ樹脂悦円板を用い
たキャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２
ｍｍのステンレス製の鏡板１０１、の順に重ね、１５０
℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で１２０分の条件で、加熱・加
圧して積層一体化した。図８（ａ）に示すように、積層
成形したものに、スルーホール４となる穴をあけ、図８
（ｂ）に示すように、穴内壁及び表面に無電解によるめ
っき１４を行い、図８（ｃ）に示すように、はんだボー
ル１０を融着するためのランドを含む回路導体３を形成
し、さらにキャビティを形成するための、図８（ｄ）に
示すように、基板１ｏの開口部１２ｏと同じ箇所に同じ
大きさの開口部１５を、基板１２ｐの該当する箇所に、
ルーター加工により設け、ソルダーレジストを塗布・乾
燥して、ボールグリッドアレイを作製した。
２ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社
製、商品名）から銅箔を除去した基板２ｈと、絶縁接着
層１として、図７（ｂ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．０５
ｍｍの接着フィルムに、キャビティを形成する開口部１
２ｉを設けた接着フィルム１ｉと、図７（ｃ）に示すよ
うな、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦
斯化学株式会社製、商品名）に、接着フィルム１ｉのキ
ャビティとなる開口部１２ｉと同じ大きさの開口部１２
ｊを設け、基板２ｌと重ねたときに露出する部分に、半
導体チップ６とボンディングワイヤ１３で接続するため
の内部端子となる銅箔回路３を形成した基板２ｊと、図
７（ｄ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３
０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３
００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃であ
る、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹
脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／
多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学
工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／
１５で構成される材質の厚さが０．０５ｍｍの接着フィ
ルムに、基板２ｊのキャビティとなる開口部１２ｊより
大きい開口部１２ｋを設けた接着フィルム１ｋと、図７
（ｅ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ
８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）に、接着フ
ィルム１ｋのキャビティとなる開口部１２ｋと同じ大き
さの開口部１２ｌを設け、基板２ｎと重ねたときに露出
する部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３
で接続するための内部端子となる回路導体３を形成した
基板２１と、図７（ｆ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．５ｍ
ｍの接着フィルムに、基板２ｌのキャビティとなる開口
部１２ｌより大きい開口部１２ｍを設けた接着フィルム
１ｍと、図７（ｇ）に示すような、厚さが０．４ｍｍの
ＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品
名）の銅箔を除去し，接着フィルム１ｍのキャビティと
なる開口部１２ｍと同じ大きさの開口部１２ｎを設けた
基板２ｎと、図７（ｈ）に示すような、Ｂステージでの
貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの
貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が
２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社
製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大
日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、
１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．５ｍ
ｍの接着フィルムに、基板１２ｎのキャビティとなる開
口部１２ｎと同じ大きさの開口部１２ｏを設けた接着フ
ィルム１ｏと、図７（ｉ）に示すような、厚さが０．４
ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、
商品名）の銅箔を除去した基板２ｐを準備し、図５に示
すように、厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／ポ
リエチレンテレフタレート製の保護フィルム１０５／上
記図７に示す構成の多層配線板の構成１０４／クラフト
紙製のクッション材１０３／エポキシ樹脂悦円板を用い
たキャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２
ｍｍのステンレス製の鏡板１０１、の順に重ね、１５０
℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で１２０分の条件で、加熱・加
圧して積層一体化した。図８（ａ）に示すように、積層
成形したものに、スルーホール４となる穴をあけ、図８
（ｂ）に示すように、穴内壁及び表面に無電解によるめ
っき１４を行い、図８（ｃ）に示すように、はんだボー
ル１０を融着するためのランドを含む回路導体３を形成
し、さらにキャビティを形成するための、図８（ｄ）に
示すように、基板１ｏの開口部１２ｏと同じ箇所に同じ
大きさの開口部１５を、基板１２ｐの該当する箇所に、
ルーター加工により設け、ソルダーレジストを塗布・乾
燥して、ボールグリッドアレイを作製した。
【００３９】実施例３ 実施例１において、基板２ａの座ぐり加工に代えて、ス
ルーホールを設け、図２に示すような鍔を有するヒート
シンク８を準備し、図３（ｂ）に示すように、積層の構
成を、厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／クラフ
ト紙製のクッション材１０３／塩化ビニル製の融点の低
いフィルム１１１／ポリイミド製の融点の高いフィルム
１１０／上記絶縁層２と絶縁接着層１と絶縁層２または
回路板を重ねた多層配線板の構成１０４／クラフト紙製
のクッション材１０３／エポキシ樹脂絶縁板を用いたキ
ャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２ｍｍ
のステンレス製の鏡板１０１、の順に重ねた以外は同じ
条件でピングリッドアレイを作製した。
ルーホールを設け、図２に示すような鍔を有するヒート
シンク８を準備し、図３（ｂ）に示すように、積層の構
成を、厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／クラフ
ト紙製のクッション材１０３／塩化ビニル製の融点の低
いフィルム１１１／ポリイミド製の融点の高いフィルム
１１０／上記絶縁層２と絶縁接着層１と絶縁層２または
回路板を重ねた多層配線板の構成１０４／クラフト紙製
のクッション材１０３／エポキシ樹脂絶縁板を用いたキ
ャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２ｍｍ
のステンレス製の鏡板１０１、の順に重ねた以外は同じ
条件でピングリッドアレイを作製した。
【００４０】実施例４〜６ 実施例１〜３に用いたＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化
学株式会社製、商品名）を、エポキシ樹脂含浸ガラス布
銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式
会社製、商品名）に代えた以外は、同じ条件でピングリ
ッドアレイまたはボールグリッドアレイを作製した。
学株式会社製、商品名）を、エポキシ樹脂含浸ガラス布
銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式
会社製、商品名）に代えた以外は、同じ条件でピングリ
ッドアレイまたはボールグリッドアレイを作製した。
【００４１】実施例７ 絶縁層２として、図９（ａ）に示すような、厚さが０．
２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、
商品名）の銅箔を除去したものの片面に０．１ｍｍの深
さで座ぐり加工し、キャビティとなる凹部１１を形成し
た基板２ｑと、絶縁接着層１として、図９（ｂ）に示す
ような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００
ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０Ｍ
Ｐａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変
性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２
０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール
樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、
商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される
材質の厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｑ
の座ぐり加工１１より大きいキャビティとなる開口部１
２ｒを設けた接着フィルム１ｒと、図９（ｃ）に示すよ
うな、予め、厚さが０．１ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７を２
枚２０１、２０２にそれぞれ回路導体と後にバイアホー
ル７となる穴を形成したものを、Ｂステージでの貯蔵弾
性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾
性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１
℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポ
キシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品
名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本イン
キ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／
２８／１５で構成される材質で厚さが０．１ｍｍの接着
フィルム２１１を介して、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ
2、１２０分の条件で積層接着したものに、図９（ｄ）
に示すような、接着フィルム１ｒのキャビティとなる開
口部１２ｒと同じ大きさの開口部１２ｓを設け、基板２
ｕと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ６とボ
ンディングワイヤ１３で接続するための内部端子となる
回路導体３を形成した基板２ｓを準備し、図９（ｅ）に
示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４
００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７
０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１
０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノ
ール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社
製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成さ
れる材質で厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板
２ｓのキャビティとなる開口部１２ｓより大きい開口部
１２ｔを設けた接着フィルム１ｔと、図９（ｆ）に示す
ような、予め、厚さが０．１ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７
（日立化成工業株式会社製、商品名）を２枚２０３、２
０４に、それぞれ回路導体３と、バイアホール７となる
穴を形成したものを、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０
℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３０
０℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、
シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂Ｅ
ＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官
能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業
株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５
で構成される材質で厚さが０．１ｍｍの接着フィルム２
１２を介して、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2、１２０
分の条件で積層接着したものに、さらにバイアホール７
となる穴を形成し、図９（ｇ）に示すような、接着フィ
ルム１ｔのキャビティとなる開口部１２ｔと同じ大きさ
の開口部１２ｕを設け、基板２ｗと重ねたときに露出す
る部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３で
接続するための内部端子となる回路導体３を形成した基
板２ｕと、図９（ｈ）に示すような、Ｂステージでの貯
蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯
蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２
３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／
エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、
商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本
インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１０
０／２８／１５で構成される材質で厚さが０．０５ｍｍ
の接着フィルムに、基板２ｕのキャビティとなる開口部
１２ｕより大きい開口部１２ｖを設けた接着フィルム１
ｖと、図９（ｉ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＭ
ＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）の
銅箔を除去し、接着フィルム１ｖのキャビティとなる開
口部１２ｖと同じ大きさの開口部１２ｗを設けた基板２
ｗと、図９（ｊ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾
性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾
性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１
℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポ
キシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品
名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本イン
キ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／
２８／１５で構成される材質で厚さが０．０５ｍｍの接
着フィルムに、基板２ｗのキャビティとなる開口部１２
ｗと同じ大きさの開口部１２ｘを設けた接着フィルム１
ｘと、図９（ｋ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＭ
ＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）の
銅箔を除去した基板２ｙを準備し、図５に示すように、
鏡板１０１／保護フィルム１０５／上記図９に示す構成
の多層配線板の構成１０４／クッション材１０３／キャ
ビティの形状に穴をあけた成形品１０２／鏡板１０１、
の順に重ね、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で１２０分
の条件で、加熱・加圧して積層一体化した。積層成形し
たものに、スルーホール４となる穴をあけ、穴内壁及び
表面に無電解によるめっき１４を行い、さらに電気めっ
きを行い、外層の回路導体３を形成し、さらにキャビテ
ィを形成するために、基板２ｗのキャビティとなる開口
部１２ｗと同じ箇所に同じ大きさの開口部１５を、基板
２ｙの該当する箇所に、ルーター加工により設け、図１
０に示すような多層チップキャリア用配線板を作製し
た。
２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、
商品名）の銅箔を除去したものの片面に０．１ｍｍの深
さで座ぐり加工し、キャビティとなる凹部１１を形成し
た基板２ｑと、絶縁接着層１として、図９（ｂ）に示す
ような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００
ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０Ｍ
Ｐａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変
性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２
０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール
樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、
商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される
材質の厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｑ
の座ぐり加工１１より大きいキャビティとなる開口部１
２ｒを設けた接着フィルム１ｒと、図９（ｃ）に示すよ
うな、予め、厚さが０．１ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７を２
枚２０１、２０２にそれぞれ回路導体と後にバイアホー
ル７となる穴を形成したものを、Ｂステージでの貯蔵弾
性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾
性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１
℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポ
キシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品
名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本イン
キ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／
２８／１５で構成される材質で厚さが０．１ｍｍの接着
フィルム２１１を介して、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ
2、１２０分の条件で積層接着したものに、図９（ｄ）
に示すような、接着フィルム１ｒのキャビティとなる開
口部１２ｒと同じ大きさの開口部１２ｓを設け、基板２
ｕと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ６とボ
ンディングワイヤ１３で接続するための内部端子となる
回路導体３を形成した基板２ｓを準備し、図９（ｅ）に
示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４
００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７
０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１
０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノ
ール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社
製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成さ
れる材質で厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板
２ｓのキャビティとなる開口部１２ｓより大きい開口部
１２ｔを設けた接着フィルム１ｔと、図９（ｆ）に示す
ような、予め、厚さが０．１ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７
（日立化成工業株式会社製、商品名）を２枚２０３、２
０４に、それぞれ回路導体３と、バイアホール７となる
穴を形成したものを、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０
℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３０
０℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、
シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂Ｅ
ＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官
能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業
株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５
で構成される材質で厚さが０．１ｍｍの接着フィルム２
１２を介して、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2、１２０
分の条件で積層接着したものに、さらにバイアホール７
となる穴を形成し、図９（ｇ）に示すような、接着フィ
ルム１ｔのキャビティとなる開口部１２ｔと同じ大きさ
の開口部１２ｕを設け、基板２ｗと重ねたときに露出す
る部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３で
接続するための内部端子となる回路導体３を形成した基
板２ｕと、図９（ｈ）に示すような、Ｂステージでの貯
蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯
蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２
３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／
エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、
商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本
インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１０
０／２８／１５で構成される材質で厚さが０．０５ｍｍ
の接着フィルムに、基板２ｕのキャビティとなる開口部
１２ｕより大きい開口部１２ｖを設けた接着フィルム１
ｖと、図９（ｉ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＭ
ＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）の
銅箔を除去し、接着フィルム１ｖのキャビティとなる開
口部１２ｖと同じ大きさの開口部１２ｗを設けた基板２
ｗと、図９（ｊ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾
性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾
性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１
℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポ
キシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品
名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本イン
キ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／
２８／１５で構成される材質で厚さが０．０５ｍｍの接
着フィルムに、基板２ｗのキャビティとなる開口部１２
ｗと同じ大きさの開口部１２ｘを設けた接着フィルム１
ｘと、図９（ｋ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＭ
ＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）の
銅箔を除去した基板２ｙを準備し、図５に示すように、
鏡板１０１／保護フィルム１０５／上記図９に示す構成
の多層配線板の構成１０４／クッション材１０３／キャ
ビティの形状に穴をあけた成形品１０２／鏡板１０１、
の順に重ね、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で１２０分
の条件で、加熱・加圧して積層一体化した。積層成形し
たものに、スルーホール４となる穴をあけ、穴内壁及び
表面に無電解によるめっき１４を行い、さらに電気めっ
きを行い、外層の回路導体３を形成し、さらにキャビテ
ィを形成するために、基板２ｗのキャビティとなる開口
部１２ｗと同じ箇所に同じ大きさの開口部１５を、基板
２ｙの該当する箇所に、ルーター加工により設け、図１
０に示すような多層チップキャリア用配線板を作製し
た。
【００４２】実施例８〜１１ 実施例１〜３において、ＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯
化学株式会社製、商品名）と、実施例７において、ＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）に代
えて、ポリイミド樹脂含浸ガラス布銅張積層板であるＭ
ＣＬ−Ｉ−６７１（日立化成工業株式会社製、商品名）
を用いた以外は、実施例１〜３及び７と同じ条件で、ピ
ングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、または多層
チップキャリア用配線板を作製した。
化学株式会社製、商品名）と、実施例７において、ＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）に代
えて、ポリイミド樹脂含浸ガラス布銅張積層板であるＭ
ＣＬ−Ｉ−６７１（日立化成工業株式会社製、商品名）
を用いた以外は、実施例１〜３及び７と同じ条件で、ピ
ングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、または多層
チップキャリア用配線板を作製した。
【００４３】実施例１２〜２２ 実施例１〜１１に用いた絶縁接着層に代えて、Ｂステー
ジでの貯蔵弾性率が３０℃で３０００ＭＰａ、Ｃステー
ジでの貯蔵弾性率が３００℃で１０３ＭＰａ、ガラス転
移温度が２２８℃であるシロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式
会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０
（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比
が、１００／５０／２６の接着フィルムを用いた以外
は、それぞれの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレ
イ、ボールグリッドアレイ、または多層チップキャリア
用配線板を作製した。
ジでの貯蔵弾性率が３０℃で３０００ＭＰａ、Ｃステー
ジでの貯蔵弾性率が３００℃で１０３ＭＰａ、ガラス転
移温度が２２８℃であるシロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式
会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０
（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比
が、１００／５０／２６の接着フィルムを用いた以外
は、それぞれの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレ
イ、ボールグリッドアレイ、または多層チップキャリア
用配線板を作製した。
【００４４】比較例１〜８ 実施例１〜８に用いた絶縁接着層に代えて、Ｂステージ
での貯蔵弾性率が３０℃で２５００ＭＰａ、Ｃステージ
での貯蔵弾性率が３００℃で６．７ＭＰａ、ガラス転移
温度が２３７℃であるシロキサン変性ポリアミドイミド
樹脂のみからなる接着フィルムを用いた以外は、それぞ
れの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボール
グリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板を
作製した。
での貯蔵弾性率が３０℃で２５００ＭＰａ、Ｃステージ
での貯蔵弾性率が３００℃で６．７ＭＰａ、ガラス転移
温度が２３７℃であるシロキサン変性ポリアミドイミド
樹脂のみからなる接着フィルムを用いた以外は、それぞ
れの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボール
グリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板を
作製した。
【００４５】比較例９〜１６ 実施例１〜８に用いた絶縁接着層に代えて、Ｂステージ
での貯蔵弾性率が３０℃で３０００ＭＰａ、Ｃステージ
での貯蔵弾性率が３００℃で１００ＭＰａ、ガラス転移
温度が２１７℃である芳香族ポリアミドイミド樹脂ＫＳ
−６０００（日立化成工業株式会社製、商品名）／エポ
キシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品
名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本イン
キ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／
２１／１１からなる接着フィルムを用いた以外は、それ
ぞれの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボー
ルグリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板
を作製した。
での貯蔵弾性率が３０℃で３０００ＭＰａ、Ｃステージ
での貯蔵弾性率が３００℃で１００ＭＰａ、ガラス転移
温度が２１７℃である芳香族ポリアミドイミド樹脂ＫＳ
−６０００（日立化成工業株式会社製、商品名）／エポ
キシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品
名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本イン
キ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／
２１／１１からなる接着フィルムを用いた以外は、それ
ぞれの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボー
ルグリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板
を作製した。
【００４６】このようにして作製した多層配線板は、初
期状態では、剥離、ボイドともに無く良好であった。し
かし、２６０℃、２分間のはんだフロートを行うと、実
施例のものでは絶縁接着層に剥離、ボイドの発生は無か
ったが、比較例１〜８のものでは、Ｃステージでの貯蔵
弾性率が低いため、絶縁接着層中に剥離、ボイドが多数
発生した。また、比較例９〜１６のものでは、芳香族ポ
リアミドイミド樹脂を用いたため、溶媒の揮発性が低
く、多層配線板作製後の絶縁接着層中に溶媒が、実施例
では２〜４重量％と低かったのに対して、約１３重量％
程度残存していたため、溶媒の揮発によりボイドが発生
した。しかし、積層条件を１８０℃とすることにより、
ボイドの発生を抑制できる。
期状態では、剥離、ボイドともに無く良好であった。し
かし、２６０℃、２分間のはんだフロートを行うと、実
施例のものでは絶縁接着層に剥離、ボイドの発生は無か
ったが、比較例１〜８のものでは、Ｃステージでの貯蔵
弾性率が低いため、絶縁接着層中に剥離、ボイドが多数
発生した。また、比較例９〜１６のものでは、芳香族ポ
リアミドイミド樹脂を用いたため、溶媒の揮発性が低
く、多層配線板作製後の絶縁接着層中に溶媒が、実施例
では２〜４重量％と低かったのに対して、約１３重量％
程度残存していたため、溶媒の揮発によりボイドが発生
した。しかし、積層条件を１８０℃とすることにより、
ボイドの発生を抑制できる。
【００４７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明により、
多層配線板に用いる絶縁接着層を、シロキサン変性ポリ
アミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなる、Ｂステージ
での貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００Ｍ
Ｐａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００
℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１
８０℃以上とすることで、低温での積層が可能で、か
つ、接続信頼性や耐熱性に優れた多層配線板とその製造
法を提供することができる。
多層配線板に用いる絶縁接着層を、シロキサン変性ポリ
アミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなる、Ｂステージ
での貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００Ｍ
Ｐａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００
℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１
８０℃以上とすることで、低温での積層が可能で、か
つ、接続信頼性や耐熱性に優れた多層配線板とその製造
法を提供することができる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、本発明の一実施例
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ本発明のさらに
他の実施例を説明するための概略断面図である。
他の実施例を説明するための概略断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ本発明の一実施例
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例の方法を説明するための断面
図である。
図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発明の第１の実
施態様における方法を説明するための断面図である。
施態様における方法を説明するための断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｉ）は、それぞれ本発明の他の実施
例の構成を示す断面図である。
例の構成を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の他の実施
例における方法を説明するための断面図である。
例における方法を説明するための断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｋ）は、それぞれ本発明のさらに他
の実施例の構成を示す断面図である。
の実施例の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施例における構造を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
１．絶縁接着層 ２．絶縁層 ３．回路導体 ４．スルーホール ５．キャビティ ６．半導体チップ ７．バイアホール ８．ヒートシンク ８１．支持部 ８２．鍔部 １０．はんだボール １１．キャビティとなる凹部 １２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｉ、１
２ｊ、１２ｋ、１２ｌ、１２ｍ、１２ｎ、１２ｏ、１２
ｒ、１２ｓ、１２ｔ、１２ｕ、１２ｖ、１２ｗ、１２
ｘ．キャビティとなる開口部 １３．ボンディングワイヤ １４．めっき １５．開口部 １０１．鏡板 １０２．成形品 １０３．クッション材 １０４．絶縁層と絶縁接着層と絶縁層および／または回
路板を複数段重ねたもの １０５．保護フィルム １１０．融点の高いフィルム １１１．融点の低いフィルム １ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｉ、１ｋ、１ｍ、１ｏ、１ｒ、１
ｔ、１ｖ、１ｘ、２１１２１２．接着フィルム ２ａ、２ｃ、２ｅ、２ｇ、２ｈ、２ｊ、２ｌ、２ｎ、２
ｐ、２ｑ、２ｓ、２ｕ、２ｗ、２ｙ、２０１、２０２、
２０３、２０４．基板
２ｊ、１２ｋ、１２ｌ、１２ｍ、１２ｎ、１２ｏ、１２
ｒ、１２ｓ、１２ｔ、１２ｕ、１２ｖ、１２ｗ、１２
ｘ．キャビティとなる開口部 １３．ボンディングワイヤ １４．めっき １５．開口部 １０１．鏡板 １０２．成形品 １０３．クッション材 １０４．絶縁層と絶縁接着層と絶縁層および／または回
路板を複数段重ねたもの １０５．保護フィルム １１０．融点の高いフィルム １１１．融点の低いフィルム １ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｉ、１ｋ、１ｍ、１ｏ、１ｒ、１
ｔ、１ｖ、１ｘ、２１１２１２．接着フィルム ２ａ、２ｃ、２ｅ、２ｇ、２ｈ、２ｊ、２ｌ、２ｎ、２
ｐ、２ｑ、２ｓ、２ｕ、２ｗ、２ｙ、２０１、２０２、
２０３、２０４．基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 一雅 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 堀内 猛 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内
Claims (14)
- 【請求項１】複数の絶縁層と、絶縁層に支持された回路
導体からなる複数の回路導体層と、絶縁層と回路導体層
および／または絶縁層と絶縁層を接着する絶縁接着層
と、前記回路導体と電気的に接続された導体をその内壁
に有するスルーホールと、半導体チップを納めるための
キャビティとを有する多層配線板において、絶縁接着層
が、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成
分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０
００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージ
での貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、か
つ、ガラス転移温度が１８０℃以上であることを特徴と
する多層配線板。 - 【請求項２】隣接する回路導体層間に、電気的な接続を
行うバイアホールを有することを特徴とする請求項１に
記載の多層配線板。 - 【請求項３】キャビティが、半導体チップを接着固定す
る箇所に最も近い絶縁層から順に、その大きさを同じか
あるいは大きくし、それぞれの絶縁層上に形成されキャ
ビティ内に露出した回路導体に、半導体チップと電気的
に接続を行うための内部端子を有することを特徴とする
請求項１または２に記載の多層配線板。 - 【請求項４】キャビティがスルーホールであり、そのス
ルーホールの一方の開口部に、その開口部を塞ぐように
ヒートシンクが設けられていることを特徴とする請求項
１〜３のうちいずれかに記載の多層配線板。 - 【請求項５】他の配線板との電気的接続を行うための外
部端子が設けられていることを特徴とする請求項１〜４
のうちいずれかに記載の多層配線板。 - 【請求項６】外部端子が、はんだボールによる電気的接
続を行うためのランド部であることを特徴とする請求項
５に記載の多層配線板。 - 【請求項７】予め半導体チップを納めるためのキャビテ
ィ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、絶
縁層および／または銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層
一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁
に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の
回路導体を形成する多層配線板の製造法において、絶縁
接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化
性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で
１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステ
ージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であ
り、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であるものを
用いることを特徴とする多層配線板の製造法。 - 【請求項８】少なくとも一方の面に回路導体を形成した
回路板と、絶縁接着層と、予め半導体チップを納めるた
めのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層とを重ね
て、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる
穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続され
た導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層配線板
の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリア
ミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージで
の貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰ
ａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃
で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８
０℃以上であるものを用いることを特徴とする多層配線
板の製造法。 - 【請求項９】複数の絶縁接着層と複数の回路板および／
または絶縁層に、半導体チップを納めるためのキャビテ
ィ部をくり抜き加工して設け、これらを重ねて、加熱・
加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、
その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形
成し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法に
おいて、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド
樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性
率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲に
あり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰ
ａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上で
あるものを用いることを特徴とする多層配線板の製造
法。 - 【請求項１０】複数の絶縁接着層と複数の回路板および
／または絶縁層にくり抜き加工して設けた半導体チップ
を納めるためのキャビティ部を、半導体チップを接着固
定する箇所に最も近い絶縁層から順に、その大きさを同
じか大きくしたものを用いることを特徴とする請求項９
に記載の多層配線板の製造法。 - 【請求項１１】少なくとも隣接する回路導体層間に、電
気的な接続を行うバイアホールを形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項７〜１０のうちいずれかに記載
の多層配線板の製造法。 - 【請求項１２】全ての絶縁接着層と絶縁層および／また
は回路板に、予め半導体チップを納めるためのキャビテ
ィ部をくり抜き加工し、絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁
層および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して積層
一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁
に、回路板の回路導体と電気的に接続された導体を形成
した後、キャビティ部の一方の開口部に、開口部を塞ぐ
ようにヒートシンクを設けることを特徴とする請求項７
〜１１のうちいずれかに記載の多層配線板の製造法。 - 【請求項１３】ヒートシンクに、半導体チップを搭載す
る支持部と、支持部の周囲に支持部より薄い鍔部を設け
たものを用い、最外層の絶縁層に支持部とほぼ同じ大き
さの穴を設け、その穴にヒートシンクの支持部を嵌合・
接着することを特徴とする請求項１２に記載の多層配線
板の製造法。 - 【請求項１４】予め半導体チップを納めるためのキャビ
ティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、
絶縁板および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して
積層一体化するにあたり、積層時の層構成を、プレス鏡
板／製品の表面を保護するフィルム状物／（絶縁層と絶
縁接着層と絶縁層および／または回路板を複数段重ねた
もの）／クッション材／キャビティの大きさと同じ穴を
あけた成形品／プレス鏡板の順に重ね、加熱・加圧して
積層一体化することを特徴とする請求項７〜１３のうち
いずれかに記載の多層配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07111098A JP4096394B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 多層配線板及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07111098A JP4096394B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 多層配線板及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274736A true JPH11274736A (ja) | 1999-10-08 |
| JP4096394B2 JP4096394B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=13451096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07111098A Expired - Fee Related JP4096394B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 多層配線板及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4096394B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050870A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ並びに接続基板の製造方法とその方法を用いた多層配線板の製造方法と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージの製造方法 |
| JP2002368368A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ並びに接続基板の製造方法とその方法を用いた多層配線板の製造方法と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージの製造方法 |
| JP2004006773A (ja) * | 2002-04-02 | 2004-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板の製造方法、プリント配線板および半導体パッケージ |
| US6818972B2 (en) * | 2000-02-14 | 2004-11-16 | International Business Machines Corporation | Reduction of chip carrier flexing during thermal cycling |
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