JPH11274818A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
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- JPH11274818A JPH11274818A JP10072746A JP7274698A JPH11274818A JP H11274818 A JPH11274818 A JP H11274818A JP 10072746 A JP10072746 A JP 10072746A JP 7274698 A JP7274698 A JP 7274698A JP H11274818 A JPH11274818 A JP H11274818A
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- waveguide
- circuit board
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント基板上に送信部，受信部等の高周波
回路を搭載した高周波回路装置に関し、プリント基板内
を介した高周波回路間の漏洩高周波信号による結合を阻
止する。 【解決手段】 プリント基板１の上下面のアース配線
４，５間を接続するスルーホール６を所定間隔で形成
し、このスルーホール６の配列と上下面のアース配線
４，５とにより導波管を形成し、プリント基板１上に搭
載した送信部２，受信部３等の高周波回路間で、減衰さ
せたい漏洩高周波信号の周波数からシフトした共振周波
数となるように、サセプタンスとしてのスルーホール７
を間隔Ｌで形成し、バンドパス導波管フィルタ構成と
し、漏洩高周波信号周波数を減衰域に配置して、高周波
回路間の結合を阻止する。
回路を搭載した高周波回路装置に関し、プリント基板内
を介した高周波回路間の漏洩高周波信号による結合を阻
止する。 【解決手段】 プリント基板１の上下面のアース配線
４，５間を接続するスルーホール６を所定間隔で形成
し、このスルーホール６の配列と上下面のアース配線
４，５とにより導波管を形成し、プリント基板１上に搭
載した送信部２，受信部３等の高周波回路間で、減衰さ
せたい漏洩高周波信号の周波数からシフトした共振周波
数となるように、サセプタンスとしてのスルーホール７
を間隔Ｌで形成し、バンドパス導波管フィルタ構成と
し、漏洩高周波信号周波数を減衰域に配置して、高周波
回路間の結合を阻止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板上に
集積回路等を搭載して送受信部等の高周波部を構成した
高周波回路装置に関する。多重無線装置や移動基地局装
置等の送受信部は、１枚のプリント基板上に構成して小
型化及び経済化が図られている。その場合、プリント基
板上に構成した送信部と受信部との間を、それぞれの金
属ケース等によって遮蔽する構成が採用されている。こ
のような遮蔽手段は、プリント基板上の空間を介した結
合を阻止することができるが、プリント基板内を介した
結合は阻止できないものである。特に、受信部を高感度
特性とした場合には、プリント基板内の結合を阻止する
ことが必要となる。
集積回路等を搭載して送受信部等の高周波部を構成した
高周波回路装置に関する。多重無線装置や移動基地局装
置等の送受信部は、１枚のプリント基板上に構成して小
型化及び経済化が図られている。その場合、プリント基
板上に構成した送信部と受信部との間を、それぞれの金
属ケース等によって遮蔽する構成が採用されている。こ
のような遮蔽手段は、プリント基板上の空間を介した結
合を阻止することができるが、プリント基板内を介した
結合は阻止できないものである。特に、受信部を高感度
特性とした場合には、プリント基板内の結合を阻止する
ことが必要となる。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来例の説明図であり、従来例
の送信部と受信部とをプリント基板上に形成した高周波
回路装置の構成の概略を示し、１０１はプリント基板、
１０２，１０３は送信部及び受信部、１０４，１０５は
集積回路等の電子部品、１０６，１０７は金属ケース、
１１１は下面のアース配線、１１２は上面のアース配
線、１１３はスルーホールである。又（Ａ）は概略断面
図、（Ｂ）は要部を示す概略上面図である。
の送信部と受信部とをプリント基板上に形成した高周波
回路装置の構成の概略を示し、１０１はプリント基板、
１０２，１０３は送信部及び受信部、１０４，１０５は
集積回路等の電子部品、１０６，１０７は金属ケース、
１１１は下面のアース配線、１１２は上面のアース配
線、１１３はスルーホールである。又（Ａ）は概略断面
図、（Ｂ）は要部を示す概略上面図である。
【０００３】プリント基板１０１は、ガラスエボキシ樹
脂等の絶縁板の下面に、アース配線１１１を形成し、上
面に接続配線，外部との接続用の端子，電源配線，アー
ス配線１１２等を形成し、抵抗，コンデンサ，半導体集
積回路等の電子部品１０４を搭載し、且つ金属ケース１
０６によってシールドして送信部１０２を構成し、同様
に、電子部品１０５を搭載し、且つ金属ケース１０７に
よってシールドして受信部１０３を構成した場合を示
す。なお、プリント基板１０１として多層配線を施し
て、送信部１０２と受信部１０３とを構成する電子部品
間の接続を行う構成も知られている。
脂等の絶縁板の下面に、アース配線１１１を形成し、上
面に接続配線，外部との接続用の端子，電源配線，アー
ス配線１１２等を形成し、抵抗，コンデンサ，半導体集
積回路等の電子部品１０４を搭載し、且つ金属ケース１
０６によってシールドして送信部１０２を構成し、同様
に、電子部品１０５を搭載し、且つ金属ケース１０７に
よってシールドして受信部１０３を構成した場合を示
す。なお、プリント基板１０１として多層配線を施し
て、送信部１０２と受信部１０３とを構成する電子部品
間の接続を行う構成も知られている。
【０００４】送信部１０２から受信部１０３に対するプ
リント基板１０１上の空間に於ける矢印ａ方向の漏洩高
周波信号の結合は、金属ケース１０６，１０７によって
阻止している。又プリント基板１０１は、数ｍｍ程度の
絶縁板からなるものであるが、このプリント基板１０１
内の矢印ｂ方向のように、送信部１０２からの漏洩高周
波信号が受信部１０３に結合することがある。一般的
に、送信部１０２は、０〜１０ｄＢｍ程度の信号出力が
あり、又受信部１０３は、−７０〜−１００ｄＢｍ程度
の低い電力を取り扱う為に、２ＧＨｚ程度の高周波帯域
に於いては、プリント基板１０１内を介した結合を無視
できなくなっている。
リント基板１０１上の空間に於ける矢印ａ方向の漏洩高
周波信号の結合は、金属ケース１０６，１０７によって
阻止している。又プリント基板１０１は、数ｍｍ程度の
絶縁板からなるものであるが、このプリント基板１０１
内の矢印ｂ方向のように、送信部１０２からの漏洩高周
波信号が受信部１０３に結合することがある。一般的
に、送信部１０２は、０〜１０ｄＢｍ程度の信号出力が
あり、又受信部１０３は、−７０〜−１００ｄＢｍ程度
の低い電力を取り扱う為に、２ＧＨｚ程度の高周波帯域
に於いては、プリント基板１０１内を介した結合を無視
できなくなっている。
【０００５】そこで、従来例に於いては、スルーホール
１１３を送信部１０２と受信部１０３との間に形成し、
このスルーホール１１３の間隔等を選定して、プリント
基板１０１内を介した結合を阻止する構成が考えられて
いる。
１１３を送信部１０２と受信部１０３との間に形成し、
このスルーホール１１３の間隔等を選定して、プリント
基板１０１内を介した結合を阻止する構成が考えられて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】通信システムとして、
例えば、ＦＤＤ（Ｆrequency Ｄivision Ｄuplex ；周
波数分割双方向）通信方式に於いては、送信部１０２か
ら送信している時に、同時に他の周波数を受信部１０３
に於いて受信するものであり、且つ前述のように、受信
部１０３が−７０〜−１００ｄＢｍ程度の低い受信電力
を処理する要求がある為、金属ケース１０６，１０７に
電波吸収体を設ける等の対策を施すと共に、図１０に示
すように、スルーホール１１３を設けて、漏洩電力を減
衰させている。
例えば、ＦＤＤ（Ｆrequency Ｄivision Ｄuplex ；周
波数分割双方向）通信方式に於いては、送信部１０２か
ら送信している時に、同時に他の周波数を受信部１０３
に於いて受信するものであり、且つ前述のように、受信
部１０３が−７０〜−１００ｄＢｍ程度の低い受信電力
を処理する要求がある為、金属ケース１０６，１０７に
電波吸収体を設ける等の対策を施すと共に、図１０に示
すように、スルーホール１１３を設けて、漏洩電力を減
衰させている。
【０００７】しかし、小型化を図る為に、送信部１０２
と受信部１０３とを近接して配置した場合、スルーホー
ル１１３によっても漏洩電力を充分に減衰させることが
困難となる。そこで、送信部１０２と受信部１０３とを
別個の金属筐体に収容して、絶縁基板上に搭載する構成
等を採用することになる。従って、小型化が困難である
問題があった。本発明は、プリント基板内を介して伝搬
する漏洩電力を充分に減衰させることを目的とする。
と受信部１０３とを近接して配置した場合、スルーホー
ル１１３によっても漏洩電力を充分に減衰させることが
困難となる。そこで、送信部１０２と受信部１０３とを
別個の金属筐体に収容して、絶縁基板上に搭載する構成
等を採用することになる。従って、小型化が困難である
問題があった。本発明は、プリント基板内を介して伝搬
する漏洩電力を充分に減衰させることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路装置
は、（１）はプリント基板１の上下面のアース配線４，
５間を接続するスルーホール６を所定間隔で配列し、こ
のスルーホール６の配列と前記上下面のアース配線４，
５とにより導波管を形成し、且つプリント基板１上に搭
載した送信部２や受信部３等の高周波回路間で減衰させ
たい高周波信号の周波数からシフトした共振周波数を形
成するサセプタンスとしてのスルーホール７を形成した
構成とする。即ち、高周波回路間に、スルーホール６を
含む構成のバンドパス導波管フィルタを形成し、その中
心周波数からずれた減衰域に、減衰させたい高周波信号
の周波数が位置されるように選定して、高周波回路間の
結合を阻止する。
は、（１）はプリント基板１の上下面のアース配線４，
５間を接続するスルーホール６を所定間隔で配列し、こ
のスルーホール６の配列と前記上下面のアース配線４，
５とにより導波管を形成し、且つプリント基板１上に搭
載した送信部２や受信部３等の高周波回路間で減衰させ
たい高周波信号の周波数からシフトした共振周波数を形
成するサセプタンスとしてのスルーホール７を形成した
構成とする。即ち、高周波回路間に、スルーホール６を
含む構成のバンドパス導波管フィルタを形成し、その中
心周波数からずれた減衰域に、減衰させたい高周波信号
の周波数が位置されるように選定して、高周波回路間の
結合を阻止する。
【０００９】又（２）プリント基板１上に搭載した送信
部２や受信部３等の高周波回路間に、並列の導波管を構
成するように、スルーホール６の配列を形成し、各導波
管に高周波回路間で減衰させたい高周波信号の周波数か
らシフトした共振周波数を形成するサセプタンスとして
のスルーホール７を形成した構成とする。
部２や受信部３等の高周波回路間に、並列の導波管を構
成するように、スルーホール６の配列を形成し、各導波
管に高周波回路間で減衰させたい高周波信号の周波数か
らシフトした共振周波数を形成するサセプタンスとして
のスルーホール７を形成した構成とする。
【００１０】又（３）プリント基板１上に搭載した送信
部２や受信部３等の高周波回路間に形成した導波管に、
高周波回路間で減衰させたい高周波信号の周波数からシ
フトした共振周波数を形成するサセプタンスとしてのス
ルーホール７を形成すると共に、電界最大点近傍に、バ
イアス電圧によって容量を可変とする可変容量ダイオー
ドを直列的に接続したスルーホールを形成することがで
きる。
部２や受信部３等の高周波回路間に形成した導波管に、
高周波回路間で減衰させたい高周波信号の周波数からシ
フトした共振周波数を形成するサセプタンスとしてのス
ルーホール７を形成すると共に、電界最大点近傍に、バ
イアス電圧によって容量を可変とする可変容量ダイオー
ドを直列的に接続したスルーホールを形成することがで
きる。
【００１１】又（４）プリント基板の上下面のアース配
線間を接続するスルーホールを所定間隔で配列し、この
スルーホールの配列とプリント基板の上下面のアース配
線とにより導波管を形成し、且つプリント基板上に搭載
した送信部や受信部等の高周波回路間で減衰させたい高
周波信号の周波数を共振周波数とする導波管共振器を、
プリント基板の上下面のアース配線間を接続するスルー
ホールによって形成して、この導波管共振器を前記導波
管に結合した構成とすることができる。
線間を接続するスルーホールを所定間隔で配列し、この
スルーホールの配列とプリント基板の上下面のアース配
線とにより導波管を形成し、且つプリント基板上に搭載
した送信部や受信部等の高周波回路間で減衰させたい高
周波信号の周波数を共振周波数とする導波管共振器を、
プリント基板の上下面のアース配線間を接続するスルー
ホールによって形成して、この導波管共振器を前記導波
管に結合した構成とすることができる。
【００１２】又（５）導波管共振器の電界最大点近傍
に、バイアス電圧によって容量を可変とする可変容量ダ
イオードを直列的に接続したスルーホールを形成するこ
とができる。
に、バイアス電圧によって容量を可変とする可変容量ダ
イオードを直列的に接続したスルーホールを形成するこ
とができる。
【００１３】又（６）プリント基板の上下面のアース配
線と共に中間アース配線を有し、所定間隔の複数のスル
ーホールの配列により上面アース配線と前記中間アース
配線との間及び該中間アース配線と下面アース配線との
間を接続して、前記中間アース配線を挟んで上下に導波
管共振器を形成し、該上下の導波管共振器間を、前記中
間アース配線に形成した結合窓によって結合した構成と
することができる。
線と共に中間アース配線を有し、所定間隔の複数のスル
ーホールの配列により上面アース配線と前記中間アース
配線との間及び該中間アース配線と下面アース配線との
間を接続して、前記中間アース配線を挟んで上下に導波
管共振器を形成し、該上下の導波管共振器間を、前記中
間アース配線に形成した結合窓によって結合した構成と
することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
の説明図であり、（Ａ）は概略上面図、（Ｂ）は概略断
面図を示し、１はプリント基板、２は送信部、３は受信
部、４，５はアース配線、６，７はスルーホールであ
る。プリント基板１上に搭載する高周波回路としての送
信部２と受信部３とは、従来例と同様に、各種の電子部
品を搭載し、金属ケースによってシールドした構成を備
えている。又送信部２と受信部３との導出端子等は、他
の回路との接続構成に対応して、コネクタ等の各種の接
続手段をプリント基板１に形成するものであるが、簡略
化の為に図示を省略している。又プリント基板１は、送
信部２又は受信部３に対応した内部に多層配線層を形成
した構成とすることも可能である。
の説明図であり、（Ａ）は概略上面図、（Ｂ）は概略断
面図を示し、１はプリント基板、２は送信部、３は受信
部、４，５はアース配線、６，７はスルーホールであ
る。プリント基板１上に搭載する高周波回路としての送
信部２と受信部３とは、従来例と同様に、各種の電子部
品を搭載し、金属ケースによってシールドした構成を備
えている。又送信部２と受信部３との導出端子等は、他
の回路との接続構成に対応して、コネクタ等の各種の接
続手段をプリント基板１に形成するものであるが、簡略
化の為に図示を省略している。又プリント基板１は、送
信部２又は受信部３に対応した内部に多層配線層を形成
した構成とすることも可能である。
【００１５】又プリント基板１の下面のアース配線４
は、通常は全面にわたって形成される場合が一般的であ
り、又アース配線５は、電子部品を搭載する以外のプリ
ント基板１の上面の空き領域に形成される場合が一般的
である。又送信部２及び受信部３の金属ケースは、アー
ス配線４と接続され、他の配線とは絶縁されて設けられ
ている。又スルーホール６は、比較的短い間隔でプリン
ト基板１の上下面を貫通し、下面のアース配線４と上面
のアース配線５との間を接続し、このスルーホール６の
配列からなる幅Ｗの導波管を構成している。この場合、
スルーホール６は導波管のＥ面に相当し、Ｈ面はプリン
ト基板１の上下面のアース配線４，５となる。又スルー
ホール７は、導波管フィルタのポストと同様にサセプタ
ンスとして作用するものであり、間隔Ｌで複数配置した
場合を示す。
は、通常は全面にわたって形成される場合が一般的であ
り、又アース配線５は、電子部品を搭載する以外のプリ
ント基板１の上面の空き領域に形成される場合が一般的
である。又送信部２及び受信部３の金属ケースは、アー
ス配線４と接続され、他の配線とは絶縁されて設けられ
ている。又スルーホール６は、比較的短い間隔でプリン
ト基板１の上下面を貫通し、下面のアース配線４と上面
のアース配線５との間を接続し、このスルーホール６の
配列からなる幅Ｗの導波管を構成している。この場合、
スルーホール６は導波管のＥ面に相当し、Ｈ面はプリン
ト基板１の上下面のアース配線４，５となる。又スルー
ホール７は、導波管フィルタのポストと同様にサセプタ
ンスとして作用するものであり、間隔Ｌで複数配置した
場合を示す。
【００１６】図２はスルーホールによる導波管の説明図
であり、（Ａ）は概略斜視図、（Ｂ）は周波数特性を示
す。プリント基板１の厚さをｔ、スルーホール６の配列
の対向する間を幅Ｗとすると、プリント基板１を構成す
る誘電体（絶縁板）を充填した厚さｔで幅Ｗの導波管を
構成することができる。この場合、ＴＥ10モードに於い
ては、高周波電流は、Ｅ面の上下方向に流れるが、長さ
方向には流れないから、Ｅ面に相当するスルーホール６
に高周波電流が流れ、導波管として作用できることが判
る。その場合、スルーホール６間は、恰も矩形導波管の
Ｅ面にスリットを形成した場合に相当することになる。
従って、スルーホール６の間隔を狭くする程、導波管と
しての損失は少なくなる。
であり、（Ａ）は概略斜視図、（Ｂ）は周波数特性を示
す。プリント基板１の厚さをｔ、スルーホール６の配列
の対向する間を幅Ｗとすると、プリント基板１を構成す
る誘電体（絶縁板）を充填した厚さｔで幅Ｗの導波管を
構成することができる。この場合、ＴＥ10モードに於い
ては、高周波電流は、Ｅ面の上下方向に流れるが、長さ
方向には流れないから、Ｅ面に相当するスルーホール６
に高周波電流が流れ、導波管として作用できることが判
る。その場合、スルーホール６間は、恰も矩形導波管の
Ｅ面にスリットを形成した場合に相当することになる。
従って、スルーホール６の間隔を狭くする程、導波管と
しての損失は少なくなる。
【００１７】前述のように、送信部２と受信部３との間
に、プリント基板１の上下面のアース配線４，５とスル
ーホール６の配列とにより導波管を構成した時、送信部
２と受信部３との長さは通常１０数ｃｍ程度或いはそれ
より長くなるから、導波管としての幅Ｗもそれに対応し
たものとなる。従って、遮断周波数は数１００ＭＨｚ程
度となる。このスルーホール７の間隔Ｌと導波管として
の幅Ｗとに関連して共振周波数が決まるもので、例え
ば、導波管としての管内波長をλg とすると、λ g ／２
が間隔Ｌに近い値の時に、共振周波数を中心周波数とし
たバンドパス導波管フィルタ構成となる。
に、プリント基板１の上下面のアース配線４，５とスル
ーホール６の配列とにより導波管を構成した時、送信部
２と受信部３との長さは通常１０数ｃｍ程度或いはそれ
より長くなるから、導波管としての幅Ｗもそれに対応し
たものとなる。従って、遮断周波数は数１００ＭＨｚ程
度となる。このスルーホール７の間隔Ｌと導波管として
の幅Ｗとに関連して共振周波数が決まるもので、例え
ば、導波管としての管内波長をλg とすると、λ g ／２
が間隔Ｌに近い値の時に、共振周波数を中心周波数とし
たバンドパス導波管フィルタ構成となる。
【００１８】即ち、図２の（Ｂ）に示すように、スルー
ホール６の配列による導波管は、スルーホール７の間隔
Ｌ等により選定された共振周波数ｆ０のバンドパス導波
管フィルタの周波数特性となる。この場合、共振周波数
ｆ０に対して、送信部２と受信部３との周波数を、例え
ば、共振周波数ｆ０を挟んで、減衰領域の周波数ｆ２，
ｆ１の関係に選定することにより、送信部２と受信部３
との間の結合を阻止することができる。即ち、サセプタ
ンスとしてのスルーホール７による共振周波数を、高周
波回路間で減衰させたい高周波信号の周波数からずれる
ように選定し、バンドパス導波管フィルタとしの周波数
特性の減衰域に、減衰させたい漏洩高周波信号の周波数
を配置する。
ホール６の配列による導波管は、スルーホール７の間隔
Ｌ等により選定された共振周波数ｆ０のバンドパス導波
管フィルタの周波数特性となる。この場合、共振周波数
ｆ０に対して、送信部２と受信部３との周波数を、例え
ば、共振周波数ｆ０を挟んで、減衰領域の周波数ｆ２，
ｆ１の関係に選定することにより、送信部２と受信部３
との間の結合を阻止することができる。即ち、サセプタ
ンスとしてのスルーホール７による共振周波数を、高周
波回路間で減衰させたい高周波信号の周波数からずれる
ように選定し、バンドパス導波管フィルタとしの周波数
特性の減衰域に、減衰させたい漏洩高周波信号の周波数
を配置する。
【００１９】又スルーホール７の直径を太くすると、共
振回路のローデットＱを大きくすることができ、狭帯域
のフィルタを構成することができる為、送信部２と受信
部３との周波数が接近していても、共振周波数ｆ０の両
側の周波数ｆ１，ｆ２に選定することにより、周波数ｆ
１，ｆ２に対する減衰量が大きいことによって、送信部
２と受信部３との間のプリント基板１内を介した結合を
阻止することができる。
振回路のローデットＱを大きくすることができ、狭帯域
のフィルタを構成することができる為、送信部２と受信
部３との周波数が接近していても、共振周波数ｆ０の両
側の周波数ｆ１，ｆ２に選定することにより、周波数ｆ
１，ｆ２に対する減衰量が大きいことによって、送信部
２と受信部３との間のプリント基板１内を介した結合を
阻止することができる。
【００２０】図３は本発明の第２の実施の形態の概略上
面図であり、１１はプリント基板、１２は送信部、１３
は受信部、１５はアース配線、１６−１，１６−２，１
６−３，１７−１，１７−２はスルーホールである。こ
の実施の形態は、プリント基板１１に搭載した送信部１
２と受信部１３との寸法の関係により、両側のスルーホ
ール１６−１，１６−３の配列間の間隔が大きい場合
に、これを２分し、導波管を並列に形成した場合を示
す。
面図であり、１１はプリント基板、１２は送信部、１３
は受信部、１５はアース配線、１６−１，１６−２，１
６−３，１７−１，１７−２はスルーホールである。こ
の実施の形態は、プリント基板１１に搭載した送信部１
２と受信部１３との寸法の関係により、両側のスルーホ
ール１６−１，１６−３の配列間の間隔が大きい場合
に、これを２分し、導波管を並列に形成した場合を示
す。
【００２１】即ち、スルーホール１６−１，１６−２の
配列と、サセプタンスを構成するスルーホール１７−２
とによる幅Ｗ１のバンドパス導波管フィルタと、スルー
ホール１６−２，１６−３の配列と、サセプタンスを構
成するスルーホール１７−２とによる幅Ｗ２のバンドパ
ス導波管フィルタとを平行して構成し、それぞれのバン
ドパス導波管フィルタにより所望の共振周波数ｆ０、即
ち、送信部１２と受信部１３との間の減衰させたい漏洩
高周波信号の周波数からずれた周波数が得られるように
選定した場合を示す。
配列と、サセプタンスを構成するスルーホール１７−２
とによる幅Ｗ１のバンドパス導波管フィルタと、スルー
ホール１６−２，１６−３の配列と、サセプタンスを構
成するスルーホール１７−２とによる幅Ｗ２のバンドパ
ス導波管フィルタとを平行して構成し、それぞれのバン
ドパス導波管フィルタにより所望の共振周波数ｆ０、即
ち、送信部１２と受信部１３との間の減衰させたい漏洩
高周波信号の周波数からずれた周波数が得られるように
選定した場合を示す。
【００２２】図４は本発明の第３の実施の形態の要部説
明図であり、（Ａ）は概略上面図、（Ｂ）は概略要部断
面図である。同図に於いて、２１はプリント基板、２２
は送信部、２３は受信部、２４，２５はアース配線、２
６，２７，２８はスルーホール、２９は可変容量ダイオ
ード、３０は直流カット用のコンデンサ、Ｔはバイアス
用の端子を示す。
明図であり、（Ａ）は概略上面図、（Ｂ）は概略要部断
面図である。同図に於いて、２１はプリント基板、２２
は送信部、２３は受信部、２４，２５はアース配線、２
６，２７，２８はスルーホール、２９は可変容量ダイオ
ード、３０は直流カット用のコンデンサ、Ｔはバイアス
用の端子を示す。
【００２３】この実施の形態は、スルーホール２７の導
波管長手方向の間隔Ｌと幅方向の間隔Ｌ１とその直径、
プリント基板２１を構成する誘電体の比誘電率及びスル
ーホール２６の間隔Ｌ２等のばらつきにより、共振周波
数が所望の値からずれることがある。そこで、ＴＥ10モ
ードの電界最大点（通常は共振器としての中心）近傍に
可変容量ダイオード２９を接続したスルーホール２８を
形成し、端子Ｔに接続した配線とスルーホール２８との
間に可変容量ダイオード２９を接続し、又端子Ｔとアー
ス配線２５との間に直流カット用のコンデンサ３０を接
続する。そして、端子Ｔからバイアス電圧を印加する
と、アース配線２５との間はコンデンサ３０によりカッ
トされ、可変容量ダイオード２９に印加される。それに
よって、可変容量ダイオード２９の容量を調整し、共振
周波数を調整するものである。
波管長手方向の間隔Ｌと幅方向の間隔Ｌ１とその直径、
プリント基板２１を構成する誘電体の比誘電率及びスル
ーホール２６の間隔Ｌ２等のばらつきにより、共振周波
数が所望の値からずれることがある。そこで、ＴＥ10モ
ードの電界最大点（通常は共振器としての中心）近傍に
可変容量ダイオード２９を接続したスルーホール２８を
形成し、端子Ｔに接続した配線とスルーホール２８との
間に可変容量ダイオード２９を接続し、又端子Ｔとアー
ス配線２５との間に直流カット用のコンデンサ３０を接
続する。そして、端子Ｔからバイアス電圧を印加する
と、アース配線２５との間はコンデンサ３０によりカッ
トされ、可変容量ダイオード２９に印加される。それに
よって、可変容量ダイオード２９の容量を調整し、共振
周波数を調整するものである。
【００２４】図５は本発明の第３の実施の形態の等価回
路であり、３１は送信部等の漏洩高周波信号等の信号
源、３２，３３は共振器を構成する等価インダクタンス
と等価容量、３４は直流カット用のコンデンサ、３５は
可変容量ダイオード、３６は受信部等の漏洩高周波信号
に対する負荷、３７はバイアス用の端子を示す。
路であり、３１は送信部等の漏洩高周波信号等の信号
源、３２，３３は共振器を構成する等価インダクタンス
と等価容量、３４は直流カット用のコンデンサ、３５は
可変容量ダイオード、３６は受信部等の漏洩高周波信号
に対する負荷、３７はバイアス用の端子を示す。
【００２５】端子３７から可変容量ダイオード３５にバ
イアス電圧を印加して、その容量を変化させることによ
り、等価インダクタンス３２と等価容量３３とからなる
共振回路の共振周波数を調整することができる。従っ
て、前述のような各部の寸法のばらつきによる共振周波
数のずれを補正することができる。又各部の寸法等のば
らつきを補正する場合のみでなく、送信部と受信部等の
高周波回路で取り扱う周波数が変更になった場合等に於
いて、減衰させたい漏洩高周波信号の周波数からずれた
共振周波数となるように再調整する場合にも適用するこ
とができる。又可変容量ダイオード３５を直列的に接続
するスルーホールを、電界最大点近傍から大きく離れた
位置に設けることにより、共振周波数の微調整を行う構
成とすることも可能である。
イアス電圧を印加して、その容量を変化させることによ
り、等価インダクタンス３２と等価容量３３とからなる
共振回路の共振周波数を調整することができる。従っ
て、前述のような各部の寸法のばらつきによる共振周波
数のずれを補正することができる。又各部の寸法等のば
らつきを補正する場合のみでなく、送信部と受信部等の
高周波回路で取り扱う周波数が変更になった場合等に於
いて、減衰させたい漏洩高周波信号の周波数からずれた
共振周波数となるように再調整する場合にも適用するこ
とができる。又可変容量ダイオード３５を直列的に接続
するスルーホールを、電界最大点近傍から大きく離れた
位置に設けることにより、共振周波数の微調整を行う構
成とすることも可能である。
【００２６】又可変容量ダイオード３５を所望の共振周
波数が得られるように調整した時の容量と同一の容量の
チップコンデンサを、図４の（Ｂ）に於ける可変容量ダ
イオード２９の位置に接続し、等価的にスルーホール２
４と直列的にチップコンデンサを接続した構成とするこ
とも可能である。このチップコンデンサの容量を選択す
ることにより、共振周波数の大幅な変更も容易である。
波数が得られるように調整した時の容量と同一の容量の
チップコンデンサを、図４の（Ｂ）に於ける可変容量ダ
イオード２９の位置に接続し、等価的にスルーホール２
４と直列的にチップコンデンサを接続した構成とするこ
とも可能である。このチップコンデンサの容量を選択す
ることにより、共振周波数の大幅な変更も容易である。
【００２７】図６は本発明の第４の実施の形態の説明図
であり、４１はプリント基板、４２は送信部、４３は受
信部、４５はアース配線、４６，４７はスルーホール、
４７ａは結合窓を示す。この実施の形態は、送信部４２
と受信部４３との間に、プリント基板４１の下面のアー
ス配線と上面のアース配線４５との間を接続するスルー
ホール４６，４７の配列による導波管を形成すると共
に、スルーホール４７により共振器を形成し、送信部４
２と受信部４３との間にＢＥＦ、即ち、バンドイリミネ
ート導波管フィルタ構成を設けた場合を示す。
であり、４１はプリント基板、４２は送信部、４３は受
信部、４５はアース配線、４６，４７はスルーホール、
４７ａは結合窓を示す。この実施の形態は、送信部４２
と受信部４３との間に、プリント基板４１の下面のアー
ス配線と上面のアース配線４５との間を接続するスルー
ホール４６，４７の配列による導波管を形成すると共
に、スルーホール４７により共振器を形成し、送信部４
２と受信部４３との間にＢＥＦ、即ち、バンドイリミネ
ート導波管フィルタ構成を設けた場合を示す。
【００２８】従って、送信部４２と受信部４３との間に
スルーホールの配列による導波管を形成し、この導波管
に結合窓４７ａを介してスルーホール４７の配列による
導波管共振器を接続した場合を示し、この共振器の共振
周波数を中心した周波数帯域を阻止することができる。
即ち、送信部４２と受信部４３との間の漏洩高周波信号
の周波数を、導波管共振器の共振周波数に選定すること
により、送信部４２と受信部４３との間のプリント基板
４１内の漏洩高周波信号を阻止することができる。
スルーホールの配列による導波管を形成し、この導波管
に結合窓４７ａを介してスルーホール４７の配列による
導波管共振器を接続した場合を示し、この共振器の共振
周波数を中心した周波数帯域を阻止することができる。
即ち、送信部４２と受信部４３との間の漏洩高周波信号
の周波数を、導波管共振器の共振周波数に選定すること
により、送信部４２と受信部４３との間のプリント基板
４１内の漏洩高周波信号を阻止することができる。
【００２９】図７は本発明の第５の実施の形態の説明図
であり、図６と同一符号は同一部分を示し、４８はスル
ーホール、４９は可変容量ダイオード、Ｔはバイアス用
の端子である。この実施の形態は、スルーホール４７の
配列による導波管共振器の共振周波数を、スルーホール
４８に直列に接続した可変容量ダイオード４９に印加す
るバイアス電圧によって調整する場合を示す。即ち、導
波管共振器は、プリント基板４１を構成する誘電体の誘
電率と、その厚さ（スルーホール４７の長さ）と、スル
ーホール４７の配置寸法とに対応して定まるから、それ
らのばらつきによる共振周波数を、可変容量ダイオード
４９によって補正することができる。
であり、図６と同一符号は同一部分を示し、４８はスル
ーホール、４９は可変容量ダイオード、Ｔはバイアス用
の端子である。この実施の形態は、スルーホール４７の
配列による導波管共振器の共振周波数を、スルーホール
４８に直列に接続した可変容量ダイオード４９に印加す
るバイアス電圧によって調整する場合を示す。即ち、導
波管共振器は、プリント基板４１を構成する誘電体の誘
電率と、その厚さ（スルーホール４７の長さ）と、スル
ーホール４７の配置寸法とに対応して定まるから、それ
らのばらつきによる共振周波数を、可変容量ダイオード
４９によって補正することができる。
【００３０】図８は本発明の第５の実施の形態の要部断
面図及び等価回路であり、（Ａ）は導波管共振器部分の
要部断面図であり、４１はプリント基板、４４，４５は
アース配線、４８はスルーホール、４９は可変容量ダイ
オード、５０は直流カット用のコンデンサ、Ｔはバイア
ス用の端子である。
面図及び等価回路であり、（Ａ）は導波管共振器部分の
要部断面図であり、４１はプリント基板、４４，４５は
アース配線、４８はスルーホール、４９は可変容量ダイ
オード、５０は直流カット用のコンデンサ、Ｔはバイア
ス用の端子である。
【００３１】又図８の（Ｂ）は等価回路であり、５１は
送信部等の信号源、５２，５３は共振器を構成する等価
インダクタンスと等価容量、５４は可変容量ダイオー
ド、５５は受信部等の負荷、５６は端子を示す。スルー
ホール４８による等価インダクタンス５２と等価容量５
３とに直列に可変容量ダイオード５４を接続し、この可
変容量ダイオード５４にバイアス電圧を印加するもので
ある。
送信部等の信号源、５２，５３は共振器を構成する等価
インダクタンスと等価容量、５４は可変容量ダイオー
ド、５５は受信部等の負荷、５６は端子を示す。スルー
ホール４８による等価インダクタンス５２と等価容量５
３とに直列に可変容量ダイオード５４を接続し、この可
変容量ダイオード５４にバイアス電圧を印加するもので
ある。
【００３２】スルーホール４８は、導波管共振器の電界
最大点近傍に形成し、可変容量ダイオード４９を等価的
に直列接続し、この可変容量ダイオード４９に端子Ｔか
らバイアス電圧を印加して、共振周波数を調整するもの
である。それによって、各部の寸法のばらつきの補正を
行うことができる。又可変容量ダイオード４９の代わり
にチップコンデンサを接続することも可能である。即
ち、導波管共振器の共振周波数を、スルーホール４８と
直列的に接続したチップコンデンサによって設定するこ
とができる。この場合も、スルーホール４８を電界最大
点から大きく離れた位置に形成することにより、可変容
量ダイオード４９に印加するバイアス電圧によって共振
周波数の微調整を行う構成とすることもできる。
最大点近傍に形成し、可変容量ダイオード４９を等価的
に直列接続し、この可変容量ダイオード４９に端子Ｔか
らバイアス電圧を印加して、共振周波数を調整するもの
である。それによって、各部の寸法のばらつきの補正を
行うことができる。又可変容量ダイオード４９の代わり
にチップコンデンサを接続することも可能である。即
ち、導波管共振器の共振周波数を、スルーホール４８と
直列的に接続したチップコンデンサによって設定するこ
とができる。この場合も、スルーホール４８を電界最大
点から大きく離れた位置に形成することにより、可変容
量ダイオード４９に印加するバイアス電圧によって共振
周波数の微調整を行う構成とすることもできる。
【００３３】図９は本発明の第６の実施の形態の概略断
面図及び概略上面図を示し、（Ａ）は概略断面図、
（Ｂ）は概略上面図を示すもので、６１はプリント基
板、６２は送信部、６３は受信部、６４，６５はアース
配線、６６−１，６６−２，６７−１，６７−２はスル
ーホール、６８は中間アース配線、６９は結合窓であ
る。なお、スルーホール６７−１，６７−２は磁界結合
用サセプタンスを示す。
面図及び概略上面図を示し、（Ａ）は概略断面図、
（Ｂ）は概略上面図を示すもので、６１はプリント基
板、６２は送信部、６３は受信部、６４，６５はアース
配線、６６−１，６６−２，６７−１，６７−２はスル
ーホール、６８は中間アース配線、６９は結合窓であ
る。なお、スルーホール６７−１，６７−２は磁界結合
用サセプタンスを示す。
【００３４】この実施の形態は、プリント基板６１に中
間アース配線６８を含む場合に於いて、上面のアース配
線６５と中間アース配線６８との間をスルーホール６６
−１により接続して導波管共振器を形成し、又中間アー
ス配線６８と下面のアース配線６４との間をスルーホー
ル６６−２により接続して導波管共振器を形成し、それ
ぞれ磁界結合用サセプタンスとしてスルーホール６７−
１，６７−２を形成する。又上下の導波管共振器間を結
合窓６９によって結合している。この場合、２セクショ
ンのフィルタとして動作する為、漏洩高周波信号を更に
低減可能である。
間アース配線６８を含む場合に於いて、上面のアース配
線６５と中間アース配線６８との間をスルーホール６６
−１により接続して導波管共振器を形成し、又中間アー
ス配線６８と下面のアース配線６４との間をスルーホー
ル６６−２により接続して導波管共振器を形成し、それ
ぞれ磁界結合用サセプタンスとしてスルーホール６７−
１，６７−２を形成する。又上下の導波管共振器間を結
合窓６９によって結合している。この場合、２セクショ
ンのフィルタとして動作する為、漏洩高周波信号を更に
低減可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、プリン
ト基板１上に搭載した送信部２，受信部３等の高周波回
路間の漏洩高周波信号を、プリント基板１にスルーホー
ル６の配列によって形成した導波管の共振周波数の選定
により減衰させるものであり、バンドパス導波管フィル
タ構成の場合は、減衰させたい高周波信号の周波数を、
バンドパス導波管フィルタの中心周波数からずれるよう
に選定し、又バンドイリミネート導波管フィルタ構成の
場合は、減衰させたい高周波信号の周波数を、その共振
周波数に選定することにより、高周波回路間の漏洩高周
波信号を減衰させて、相互間の結合を阻止することがで
きる。従って、プリント基板１上に送信部２と受信部３
等の高周波回路を近接して搭載することができ、小型化
が可能となる利点がある。
ト基板１上に搭載した送信部２，受信部３等の高周波回
路間の漏洩高周波信号を、プリント基板１にスルーホー
ル６の配列によって形成した導波管の共振周波数の選定
により減衰させるものであり、バンドパス導波管フィル
タ構成の場合は、減衰させたい高周波信号の周波数を、
バンドパス導波管フィルタの中心周波数からずれるよう
に選定し、又バンドイリミネート導波管フィルタ構成の
場合は、減衰させたい高周波信号の周波数を、その共振
周波数に選定することにより、高周波回路間の漏洩高周
波信号を減衰させて、相互間の結合を阻止することがで
きる。従って、プリント基板１上に送信部２と受信部３
等の高周波回路を近接して搭載することができ、小型化
が可能となる利点がある。
【００３６】又バンドパス導波管フィルタ構成又はバン
ドイリミネート導波管フィルタ構成に、共振周波数の調
整用の可変容量ダイオードを直列的に接続したスルーホ
ールを形成することにより、各部の寸法のばらつきの補
償又は共振周波数のシフト等の処理を容易に行うことが
可能となる利点がある。
ドイリミネート導波管フィルタ構成に、共振周波数の調
整用の可変容量ダイオードを直列的に接続したスルーホ
ールを形成することにより、各部の寸法のばらつきの補
償又は共振周波数のシフト等の処理を容易に行うことが
可能となる利点がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図２】スルーホールによる導波管の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の概略上面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３の実施の形態の要部説明図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３の実施の形態の等価回路である。
【図６】本発明の第４の実施の形態の説明図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態の説明図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態の要部断面図及び等
価回路である。
価回路である。
【図９】本発明の第６の実施の形態の概略断面図及び概
略上面図である。
略上面図である。
【図１０】従来例の説明図である。
１ プリント基板 ２ 送信部 ３ 受信部 ４，５ アース配線 ６ スルーホール ７ サセプタンスを構成するスルーホール
Claims (6)
- 【請求項１】 プリント基板の上下面のアース配線間を
接続するスルーホールを所定間隔で配列し、該スルーホ
ールの配列と前記上下面のアース配線とにより導波管を
形成し、且つ該プリント基板上に搭載した高周波回路間
で減衰させたい高周波信号の周波数からシフトした共振
周波数を形成するサセプタンスとしてのスルーホールを
形成した構成を有することを特徴とする高周波回路装
置。 - 【請求項２】 前記プリント基板上に搭載した高周波回
路間に、並列の導波管を構成するように、スルーホール
の配列を形成し、各導波管に前記高周波回路間で減衰さ
せたい高周波信号の周波数からシフトした共振周波数を
形成するサセプタンスとしてのスルーホールを形成した
ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路装置。 - 【請求項３】 前記プリント基板上に搭載した高周波回
路間に形成した導波管に、高周波回路間で減衰させたい
高周波信号の周波数からシフトした共振周波数を形成す
るサセプタンスとしてのスルーホールを形成すると共
に、電界最大点近傍に、バイアス電圧によって容量を可
変とする可変容量ダイオードを直列的に接続したスルー
ホールを形成したことを特徴とする請求項１又は２記載
の高周波回路装置。 - 【請求項４】 プリント基板の上下面のアース配線間を
接続するスルーホールを所定間隔で配列し、該スルーホ
ールの配列と前記上下面のアース配線とにより導波管を
形成し、且つ該プリント基板上に搭載した高周波回路間
で減衰させたい高周波信号の周波数を共振周波数とする
導波管共振器を前記上下面のアース配線間を接続するス
ルーホールによって形成し、該導波管共振器を前記導波
管に結合した構成とを有することを特徴とする高周波回
路装置。 - 【請求項５】 前記導波管共振器の電界最大点近傍に、
バイアス電圧によって容量を可変とする可変容量ダイオ
ードを直列的に接続したスルーホールを形成したことを
特徴とする請求項４記載の高周波回路装置。 - 【請求項６】 プリント基板の上下面のアース配線と共
に中間アース配線を有し、所定間隔の複数のスルーホー
ルの配列により上面アース配線と前記中間アース配線と
の間及び該中間アース配線と下面アース配線との間を接
続して、前記中間アース配線を挟んで上下に導波管共振
器を形成し、該上下の導波管共振器間を、前記中間アー
ス配線に形成した結合窓によって結合した構成を有する
ことを特徴とする高周波回路装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10072746A JPH11274818A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 高周波回路装置 |
| US09/272,650 US6246301B1 (en) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | High-frequency circuit apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10072746A JPH11274818A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274818A true JPH11274818A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13498239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10072746A Withdrawn JPH11274818A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 高周波回路装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6246301B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11274818A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084784A1 (fr) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Nec Corporation | Dispositif mettant en oeuvre un radiotelephone mobile |
| JP2009124259A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Japan Radio Co Ltd | アンテナ装置 |
| JP2009141653A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 導波管型帯域阻止フィルタ |
| JP2010177865A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Kyocera Corp | 導波管型ラットレース回路 |
| JP2010232778A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | 導波管型ラットレース回路 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19943953A1 (de) * | 1999-09-14 | 2001-04-12 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines lokalen Plasmas durch Mikrostrukturelektrodenentladungen mit Mikrowellen |
| US7016198B2 (en) * | 2003-04-08 | 2006-03-21 | Lexmark International, Inc. | Printed circuit board having outer power planes |
| KR100541655B1 (ko) * | 2004-01-07 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 패키지 회로기판 및 이를 이용한 패키지 |
| WO2006058306A2 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Hypermed, Inc. | Medical hyperspectral imaging for evaluation of tissue and tumor |
| US8548570B2 (en) | 2004-11-29 | 2013-10-01 | Hypermed Imaging, Inc. | Hyperspectral imaging of angiogenesis |
| US8224425B2 (en) * | 2005-04-04 | 2012-07-17 | Hypermed Imaging, Inc. | Hyperspectral imaging in diabetes and peripheral vascular disease |
| US8971984B2 (en) | 2005-04-04 | 2015-03-03 | Hypermed Imaging, Inc. | Hyperspectral technology for assessing and treating diabetic foot and tissue disease |
| CA2947613C (en) | 2005-04-04 | 2019-11-05 | Hypermed Imaging, Inc. | Hyperspectral imaging in diabetes and peripheral vascular disease |
| DE202008009225U1 (de) * | 2008-07-09 | 2008-09-18 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Streifenleitung mit Durchkontaktierung |
| KR20130087906A (ko) * | 2012-01-30 | 2013-08-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 집적회로소자의 노이즈 측정장치 |
| CN105430983A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 长沙广义变流技术有限公司 | 一种简易限位结构 |
| CN112151963B (zh) * | 2020-09-04 | 2024-11-15 | 大富科技(安徽)股份有限公司 | 一种无隔离条的基站天线 |
Family Cites Families (1)
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