JPH11276842A

JPH11276842A - ガス浄化装置

Info

Publication number: JPH11276842A
Application number: JP10084552A
Authority: JP
Inventors: Sukeyuki Yasui; 祐之安井; Fumihiko Endo; 文彦遠藤; Katsuya Okamura; 勝也岡村
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-03-30
Filing date: 1998-03-30
Publication date: 1999-10-12

Abstract

(57)【要約】【課題】高繰返し，長寿命，高信頼性を実現可能とす
る。【解決手段】パルス電源は、充電電源により充電される
主コンデンサＣｏと、閉路することで主コンデンサＣｏ
のエネルギーを次段のコンデンサに移行する少なくとも
１個以上の半導体素子を直列接続して成る半導体スイッ
チＳＳＷと、可飽和リアクトルＳＲ１，ＳＲ２の飽和動
作を利用してコンデンサＣ１，Ｃ２のエネルギーをパル
ス圧縮して出力する複数段の磁気パルス圧縮手段ＭＰＣ
１，ＭＰＣ２を備えるとともに、固体部品のみで回路を
構成する。パルス電源の出力高電圧パルスは、磁気パル
ス圧縮手段ＭＰＣ２の最終段可飽和リアクトルＳＲ２の
磁気期間中に発生する低電圧上昇率の特性を持つ高電圧
パルスと、最終段可飽和リアクトルＳＲ２の飽和により
発生する高電圧上昇率の特性を持つ高電圧パルスとを備
えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＯｘ，ダイオキ
シン類などの有害物質を含む燃焼排ガス、あるいはトリ
クロロエチレン，アルデヒドなど揮発性有機物質（ＶＯ
Ｃｓ）などの有害物質を含むプロセス排ガス中で、パル
スコロナ放電を発生させることにより、これら有害物質
を分解処理するガス浄化装置に係り、特に高信頼性を実
現し、かつ大容量，高効率のガス浄化を可能にするガス
浄化装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＮＯｘ，ダイオキシン類などを含
む燃焼排ガス、あるいはトリクロロエチレン，アルデヒ
ドなど揮発性有機物質（ＶＯＣｓ）などを含むプロセス
排ガス中の有害物質をパルスコロナ放電により分解処理
するガス浄化装置に対する社会的ニーズが高まってい
る。このガス浄化装置においては、排ガスの流路に設け
た電極対の極間に波高値、数１０〜数１００ｋＶの高電
圧パルスを１μｓ以下という短いパルス幅で印加するこ
とが、高効率のガス浄化を実現する上で有効である。

【０００３】このような高電圧パルスを発生させるに
は、高電圧，大電流，高速のスイッチが必要であり、そ
のため従来では、特開昭６２−２８９２４９号（特許番
号第２６４９３４０号）公報に記載された発明のように
火花ギャップやサイラトロンなど放電現象を利用したス
イッチを備えたパルス電源が用いられている。このパル
ス電源を用いたガス浄化装置の構成を図１５に示す。図
１５において、パルス電源は、充電電源１０により充電
用リアクトルＬｃを介して充電されるコンデンサＣ０
と、閉路することによってコンデンサＣ０のエネルギー
を放電負荷２０に供給する火花ギャップスイッチＧＳＷ
とから構成されている。通常、この火花ギャップスイッ
チＧＳＷの火花電圧Ｖｓは、充電電源１０の出力電圧Ｖ
０よりも低い値になるように設定されている。

【０００４】次に、上述した従来のガス浄化装置の作用
について説明する。

【０００５】充電電源１０により、充電電源１０→コン
デンサＣ０→充電用リアクトルＬｃ→充電電源１０の経
路でコンデンサＣ０が充電され、この充電電圧が火花ギ
ャップスイッチＧＳＷの火花電圧Ｖｓに達すると、火花
ギャップスイッチＧＳＷの極間に火花が発生し、そのス
イッチＧＳＷはオンする。この瞬間、コンデンサＣ０に
蓄積されたエネルギーがコンデンサＣ０→火花ギャップ
スイッチＧＳＷ→放電負荷２０→コンデンサＣ０の経路
で放電負荷２０に供給され、これに伴い放電負荷２０に
高電圧パルスが印加される。この時、高電圧パルスのパ
ルス幅ｔｗは、コンデンサＣ０→火花ギャップスイッチ
ＧＳＷ→放電負荷２０→コンデンサＣ０の経路に存在す
る漂遊インダクタンスをＬ、放電負荷２０の放電開始以
前の等価静電容量をＣＬとすると、以下の式に示すよう
な関係となる。

【０００６】

【数３】

【数４】

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のガス浄化装置は、非常にシンプルで低価格であると
いうメリットを持つ反面、以下に述べるような課題を有
するため産業用機器として実用化するには不適である。
すなわち、（１）火花ギャップスイッチＧＳＷの動作に放電現象を
利用しているため、スイッチＧＳＷに使用する放電電極
の摩耗などの劣化を回避することができず、信頼性が低
くかつ短寿命である。その結果、定期的なスイッチＧＳ
Ｗの交換が必要となり、保守コストが増大する。このデ
メリットは回転火花スイッチなどのトリガ型火花ギャッ
プスイッチやサイラトロンなどの放電管でも同様であ
る。

【０００８】（２）火花ギャップスイッチＧＳＷの許容
繰返し周波数は低く、高々数１００ｐｐｓ程度である。
このため、排ガスの処理量が増加すると処理が困難とな
る。また、スイッチ素子としてサイラトロンを用いれ
ば、繰返し周波数、数ｋｐｐｓの運転が可能となるもの
の、このように繰返し周波数を高めるとメンテナンス周
期が短くなるので、これに伴う費用が増大し、また稼働
率も低下するためガス浄化の効率も低下する。

【０００９】また、ガス浄化の効率に係り、以下のデメ
リットを生じる。すなわち、（３）ガス浄化の効率を高めるには、排ガスの流路に設
けた電極対において、コロナストリーマの発生数を増加
するとともに、発生したコロナストリーマが前記電極対
の極間全体に進展し、しかもこのコロナストリーマがス
パーク放電に移行しないような高電圧パルスが最適であ
る。したがって、コロナストリーマの発生数を増加する
には、高電圧パルスの電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）を高め
る、すなわち高速化する必要があり、コロナストリーマ
の極間全体への進展、かつスパーク放電への移行防止を
実現するには、コロナ放電の持続時間をコロナストリー
マが電極対の極間を伝播するのに要する時間と同等にす
る必要がある。この場合、図１５に示すようなガス浄化
装置では、コロナ放電の持続時間を調整することが困難
である。

【００１０】以上のように、従来のガス浄化装置におい
ては、パルス電源が短寿命、低信頼性であるため、ガス
浄化量が制約されたり、メンテナンス費用の増大、稼働
率の低下を招くという課題があるとともに、ガス浄化に
適した高電圧パルスが得にくいという課題があった。

【００１１】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、パルス電源をスイッチ部も含め全固体化するこ
とで、高繰返し，長寿命，高信頼性を実現可能なガス浄
化装置を提供することを目的とする。

【００１２】また、本発明の他の目的は、ガス浄化に適
した高電圧パルスを出力可能なパルス形成線路を付加す
ることで、大容量，高効率のガス浄化を可能にするガス
浄化装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、まず、請求項１の発明では、有害物質を含む燃焼
排ガスおよびプロセス排ガスのいずれかの流路に設けた
少なくとも１個以上の電極対の極間にパルス電源から高
電圧パルスを印加して前記電極対の極間にコロナ放電を
生じさせ、前記排ガス中の有害物質を分解処理するガス
浄化装置において、前記パルス電源は、充電電源により
充電される主コンデンサと、閉路することで前記主コン
デンサのエネルギーを次段のコンデンサに移行する少な
くとも１個以上の半導体素子を直列接続して成る半導体
スイッチと、可飽和リアクトルおよび前記コンデンサを
有し前記可飽和リアクトルの飽和動作により前記コンデ
ンサのエネルギーをパルス圧縮して出力する磁気パルス
圧縮手段を備えるとともに、固体部品のみで回路を構成
し、前記パルス電源の出力高電圧パルスは、前記磁気パ
ルス圧縮手段の最終段可飽和リアクトルの励磁期間中に
発生する低電圧上昇率の特性を持つ高電圧パルスと、前
記最終段可飽和リアクトルの飽和により発生する高電圧
上昇率の特性を持つ高電圧パルスとを備えたことを特徴
とする。

【００１４】また、請求項２の発明では、請求項１記載
のガス浄化装置において、入力パルス電圧を昇圧するパ
ルストランスを設けたことを特徴とする。

【００１５】したがって、請求項１および２の発明のガ
ス浄化装置においては、そのパルス電源のスイッチ部を
含めた構成部品全てを固体化することにより、長寿命，
高信頼性のガス浄化装置を得ることができるとともに、
ｋｐｐｓ級の運転が可能となるため大容量のガス浄化が
可能なガス浄化装置を得ることができる。

【００１６】また、磁気パルス圧縮手段の最終段可飽和
リアクトルの励磁期間に発生する漏れ電流を電極対の極
間電圧増加に積極的に利用することで、パルス電源の効
率を向上させるとともに、コロナ放電への注入エネルギ
ーを増大させることができるため、高効率のガス浄化装
置を得ることができる。

【００１７】さらに、請求項３の発明では、請求項１ま
たは２記載のガス浄化装置において、前記パルス電源の
構成要素である最終段可飽和リアクトルと前記電極対と
の間に、前記パルス電源の最終段のコンデンサよりも大
きな静電容量を持つカップリングコンデンサを設け、か
つこのカップリングコンデンサの電極対側に、前記カッ
プリングコンデンサと前記電極対の極との間に常時直流
電圧を印加する直流電源を接続したことを特徴とする。

【００１８】したがって、請求項３の発明のガス浄化装
置においては、パルス電源からの出力高電圧パルスを直
流電圧に重畳して電極対の極間に印加できるため、パル
ス電源からの出力高電圧パルスの波高値を減少すること
ができ、よってパルス電源の小型化，低コスト化を図っ
たガス浄化装置を得ることができる。

【００１９】一方、上記請求項１ないし請求項３の発明
のガス浄化装置においては、磁気パルス圧縮手段の最終
段可飽和リアクトルの励磁期間中に発生する漏れ電流を
積極的に利用して電極対の極間電圧を上昇させるが、こ
の上昇電圧がコロナ放電開始電圧以上になると不要な放
電を発生させ、ガス浄化の効率を著しく低下させる可能
性がある。

【００２０】このため、全固体化したパルス電源を用い
たガス浄化装置においては、この電極対の極間電圧の上
昇を不要な放電が発生しない最大の電圧にコントロール
することがガス浄化の安定化，高効率化を実現する上で
重要になる。これを実現する手段として、まず、請求項
４の発明では、請求項１または２記載のガス浄化装置に
おいて、パルス電源の出力と並列に、磁気パルス圧縮手
段の出力段の可飽和リアクトルの非飽和時インダクタン
スに比べて小さく、かつ飽和時インダクタンスに比べて
大きなインダクタンス値を持つリアクトルと抵抗とから
成る直列回路を接続して成る。

【００２１】また、請求項５の発明では、請求項１また
は２記載のガス浄化装置において、パルス電源の出力と
並列に、ターンオフ機能を有する第２の半導体スイッチ
を接続して成る。

【００２２】さらに、請求項６の発明では、請求項１ま
たは２記載のガス浄化装置において、パルス電源の出力
と並列に、２次巻線を有するトランスを接続し、このト
ランスの２次巻線にターンオフ機能を有する第２の半導
体スイッチを直列接続して成る。

【００２３】したがって、請求項４ないし請求項６の発
明のガス浄化装置においては、パルス電源の出力と並列
に接続した上記回路によって、磁気パルス圧縮手段の最
終段可飽和リアクトルの励磁期間中に発生する漏れ電流
の電極対側への過度の流れ込みをコントロールすること
ができるため、不要な放電の発生を抑制でき、ガス浄化
の安定化，高効率化を実現するガス浄化装置を得ること
ができる。

【００２４】一方、請求項７の発明では、請求項１ない
し３のいずれかに記載のガス浄化装置において、パルス
電源の出力およびカップリングコンデンサのいずれか一
方と電極対との間に、伝搬時間τを下記の数式５の値と
したパルス形成線路を設けている。

【００２５】

【数５】

【００２６】また、請求項８の発明では、請求項７記載
のガス浄化装置において、パルス形成線路を同軸ケーブ
ルで構成している。

【００２７】さらに、請求項９の発明では、請求項７記
載のガス浄化装置において、パルス形成線路をコンデン
サとリアクトルから成るＬＣ回路を複数段直列接続した
構成した梯子型回路としている。

【００２８】さらにまた、請求項１０の発明では、請求
項７記載のガス浄化装置において、パルス形成線路を絶
縁媒体が封入された同軸円筒状の外部導体と、この外部
導体の中心軸に配置された高圧導体とで構成している。

【００２９】また、請求項１１の発明では、請求項１０
記載のガス浄化装置において、絶縁媒体を絶縁油，パー
フロロカーボン液および６弗化硫黄ガスから選択される
一種としている。

【００３０】さらに、請求項１２の発明では、請求項７
記載のガス浄化装置において、パルス形成線路の１線路
あたりの特性インピーダンスをＺｏ、前記パルス形成線
路の並列線路数をｎｃ、電極対の１対あたりのコロナ放
電インピーダンスをＺＬ、前記電極対の並列数をｎＬと
すると、それぞれの値を下記の数式６の関係にしてい
る。

【００３１】

【数６】

【００３２】したがって、請求項７ないし請求項１２の
ガス浄化装置においては、パルス電源の出力あるいはカ
ップリングコンデンサと電極対との間にパルス形成線路
を接続したことにより、ガス浄化に適した高電圧パルス
を出力できるため、大容量，高効率のガス浄化を可能に
するガス浄化装置を得ることができる。

【００３３】さらに、請求項１２の発明のガス浄化装置
においては、パルス形成線路の特性インピーダンスを電
極対のコロナ放電インピーダンスと整合させることによ
り、放電負荷へのエネルギー注入効率を高めることがで
きるため、高効率のガス浄化を可能にするガス浄化装置
を得ることが可能になる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する（第１実施形態：請求項１対応）図１は本発明に係るガ
ス浄化装置の第１実施形態を示す回路図である。なお、
図１５と同一部分には同一符号を付してその説明を省略
し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。

【００３５】本実施形態のガス浄化装置は、ＮＯｘ，ダ
イオキシン類などの有害物質を含む燃焼排ガス、あるい
はトリクロロエチレン，アルデヒドなど揮発性有機物質
（ＶＯＣｓ）などの有害物質を含むプロセス排ガスの流
路に放電負荷２０が設置され、この放電負荷２０は少な
くとも１個以上の電極対の極を有し、この極間にパルス
電源から高電圧パルスを印加して前記電極対の極間にコ
ロナ放電を生じさせ、前記排ガス中の有害物質の分解処
理を行うものである。

【００３６】また、本実施形態のガス浄化装置は、図１
に示すように充電電源１０により充電される主コンデン
サＣ０と、閉路することで主コンデンサＣ０のエネルギ
ーを次のコンデンサＣ１に移行する少なくとも１個以上
の半導体素子を直列接続して成る半導体スイッチＳＳＷ
と、第１の可飽和リアクトルＳＲ１とコンデンサＣ１と
からなり、第１の可飽和リアクトルＳＲ１の飽和動作に
よりコンデンサＣ１のエネルギーをパルス圧縮して出力
する第１の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ１と、この第１の
磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ１と同様に第２の可飽和リア
クトルＳＲ２とコンデンサＣ２とで構成した第２の磁気
パルス圧縮回路ＭＰＣ２とからパルス電源回路を構成
し、このパルス電源回路から放電負荷２０へ高電圧パル
スが印加される。そして、上記パルス電源回路は、スイ
ッチ部を含め固体部品のみから構成されている。

【００３７】放電負荷２０への出力高電圧パルスは、最
終段である第２の可飽和リアクトルＳＲ２の励磁期間中
に発生する電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）が０．２ｋＶ／ｎ
ｓ以下の低速部分と、第２の可飽和リアクトルＳＲ２が
飽和することにより発生する電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）
が１ｋＶ／ｎｓ以上の高速部分とから成るように回路定
数が設定されている。

【００３８】次に、以上のように構成した本実施形態の
ガス浄化装置の動作について、図２に示す各部電圧波形
図および図３（Ａ），（Ｂ）に示す放電負荷２０の電圧
波形図，電流波形図を用いて説明する。

【００３９】主コンデンサＣ０へのエネルギー充電は、
充電電源１０→主コンデンサＣ０→充電リアクトルＬｃ
→充電電源１０の経路により行われる。半導体スイッチ
ＳＳＷの投入によって、主コンデンサＣ０のエネルギー
は主コンデンサＣ０→半導体スイッチＳＳＷ→コンデン
サＣ１→主コンデンサＣ０の経路でコンデンサＣ１に移
行する。この時、第１の可飽和リアクトルＳＲ１は非飽
和の状態であり、このインダクタンスは上記経路の回路
インダクタンスよりも十分に大きいため、コンデンサＣ
２に流れ込むエネルギーは第１の可飽和リアクトルＳＲ
１のコアの特性で決まる漏れ電流に起因する量のみとな
る。この量は主回路のエネルギーに比べ十分に小さく、
コンデンサＣ１とコンデンサＣ２は同等であるためコン
デンサＣ２の電圧はほとんど上昇しない。

【００４０】コンデンサＣ１の電圧は、全て第１の可飽
和リアクトルＳＲ１の端子間に印加され励磁されるが、
この第１の可飽和リアクトルＳＲ１は、図２に示すよう
に主コンデンサＣ０のエネルギーがコンデンサＣ１に全
て移行した時点、すなわちコンデンサＣ１の電圧がピー
クに達した時点で飽和するように設計されている。

【００４１】第１の可飽和リアクトルＳＲ１が飽和する
と、そのインダクタンスは激減するため、コンデンサＣ
１のエネルギーはコンデンサＣ１→第１の可飽和リアク
トルＳＲ１→コンデンサＣ２→コンデンサＣ１の経路で
コンデンサＣ２に移行する。この時、コンデンサＣ１、
コンデンサＣ２および第１の可飽和リアクトルＳＲ１か
ら成る閉回路における共振周波数が、主コンデンサＣ
０、コンデンサＣ１および半導体スイッチＳＳＷから成
る閉回路における共振周波数よりも高くなるように設計
されているため、パルス幅の圧縮と電流の増倍効果が得
られる。

【００４２】この期間、第２の可飽和リアクトルＳＲ２
が励磁されるため、第１の可飽和リアクトルＳＲ１と同
様に、このリーク電流に相当する量のエネルギーがコン
デンサＣ２→第２の可飽和リアクトルＳＲ２→放電負荷
２０→コンデンサＣ２の経路で放電負荷２０に流れ込
む。

【００４３】この放電負荷２０はコロナ放電が発生しな
い間は単なる容量負荷と考えてよく、この静電容量はコ
ンデンサＣ２の値よりも１桁程度小さいため、ピーキン
グ効果を伴い図３に示すように放電負荷２０に低ｄｖ／
ｄｔの特性を持つ高電圧パルスが印加される。このリー
ク電流による放電負荷２０の電圧は、コロナ放電が発生
しない最大の電圧以下になるようにする必要がある。

【００４４】そして、コンデンサＣ２の電圧がピークに
達すると、第２の可飽和リアクトルＳＲ２が飽和し、パ
ルス圧縮され高ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧パルスが
前述の第２の可飽和リアクトルＳＲ２のリーク電流によ
る低ｄＶ／ｄｔの特性を持つ高電圧パルスに加えて放電
負荷２０に印加される。この放電負荷２０の電圧がコロ
ナ放電開始電圧以上になると、コロナ放電が発生しエネ
ルギーが放電負荷２０に注入され、排ガス中の有害物質
を分解処理する。

【００４５】第２の可飽和リアクトルＳＲ２のリーク電
流による電圧上昇は、直流バイアスとは異なり、低いな
がらもｄｖ／ｄｔを持つため、この期間のコロナ放電開
始電圧は直流電圧印加条件よりも高くなり、この分だけ
パルス電源の高ｄｖ／ｄｔ化された電圧波高値が低減さ
れるという効果をもたらす。図４は、実験により見出さ
れたＮＯｘ，ダイオキシン類の分解率と電圧上昇率ｄｖ
／ｄｔとの関係を示す図である。これらをみると明らか
なように、９０％以上の分解率を得るためには、第２の
可飽和リアクトルＳＲ２の飽和によって放電負荷２０に
印加される高ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧パルスを１
ｋＶ／ｎｓ以上にすることがガス浄化の高分解処理率を
保持する上で有効であることがわかる。

【００４６】このように本実施形態のガス浄化装置によ
れば、パルス電源をスイッチ部を含め固体部品のみで回
路を構成したので、長寿命，高信頼性のガス浄化装置を
得ることができるとともに、ｋｐｐｓ級の運転が可能と
なるため大容量の排ガス処理が可能なガス浄化装置を得
ることができる。

【００４７】また、第２の可飽和リアクトルＳＲ２のリ
ーク電流に起因する漏れエネルギーを積極的に利用する
ことで、放電負荷２０には、低ｄｖ／ｄｔの高電圧パル
ス印加で放電負荷２０の電圧をコロナ放電が発生しない
最大の電圧にまで上昇させ、さらに第２の可飽和リアク
トルＳＲ２の飽和により１ｋＶ／ｎｓ以上の高ｄｖ／ｄ
ｔの特性を持つ高電圧パルスが印加されるため、パルス
電源の供給エネルギーを最大限に活用でき、かつ高効率
のガス浄化が可能なガス浄化装置を得ることができる。

【００４８】さらにまた、第２の可飽和リアクトルＳＲ
２のリーク電流により低ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧
パルスを放電負荷２０に印加させることができるため、
パルス電源の高ｄｖ／ｄｔ化された電圧波高値を低減で
き、小型，低コストのガス浄化装置を得ることが可能に
なる。

【００４９】（第２実施形態：請求項２に対応）図５は
本発明に係るガス浄化装置の第２実施形態を示す回路図
である。なお、前記第１実施形態と同一部分には同一符
号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分につ
いてのみ述べる。以下の実施形態も同様である。

【００５０】本実施形態のガス浄化装置は、図５に示す
ように充電電源１０により充填される主コンデンサＣ０
と、閉路することで主コンデンサＣ０のエネルギーを次
のコンデンサＣ１に移行する複数個の半導体素子を直列
接続して成る半導体スイッチＳＳＷと、第１の可飽和リ
アクトルＳＲ１の飽和動作によりコンデンサＣ１のエネ
ルギーをパルス圧縮して出力する第１の磁気パルス圧縮
回路ＭＰＣ１と、入力パルス電圧を昇圧するパルストラ
ンスＰＴと、第１の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ１と同様
に第２の可飽和リアクトルＳＲ２およびコンデンサＣ２
を有する第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ２とからパル
ス電源回路を構成し、このパルス電源回路から放電負荷
２０への高電圧パルスが印加される。

【００５１】放電負荷２０への出力高電圧パルスは、第
２の可飽和リアクトルＳＲ２の励磁期間中に発生する電
圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）が０．２ｋＶ／ｎｓ以下の低速
部分と、第２の可飽和リアクトルＳＲ２が飽和すること
により発生する電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）が１ｋＶ／ｎ
ｓ以上の高速部分とから成るように回路定数が設定され
ている。

【００５２】以上のように構成した本実施形態のガス浄
化装置の動作は以下の通りである。

【００５３】主コンデンサＣ０へのエネルギー充電は、
充電電源１０→主コンデンサＣ０→第１の可飽和リアク
トルＳＲ１→パルストランスＰＴの１次側巻線→充電電
源１０の経路により行われる。半導体スイッチＳＳＷの
投入から第１の可飽和リアクトルＳＲ１が飽和するまで
の動作は前述した第１実施形態の場合と同様である。第
１の可飽和リアクトルＳＲ１が飽和することにより、コ
ンデンサＣ１のエネルギーはコンデンサＣ１→第１の可
飽和リアクトルＳＲ１→パルストランスＰＴ→コンデン
サＣ２→パルストランスＰＴ→コンデンサＣ１の経路で
コンデンサＣ２に移行する。この時、前記第１実施形態
の場合と同様にパルス幅が圧縮されるものの、パルスト
ランスＰＴが挿入されているため、電圧の増倍効果が伴
い、その分電流の増倍効果は犠牲にされる。以後、第２
の可飽和リアクトルＳＲ２が励磁，飽和し、放電負荷２
０に高電圧パルスが印加される動作は前記第１実施形態
と同様である。

【００５４】このように本実施形態のガス浄化装置によ
れば、前記第１実施形態に、パルス電圧を昇圧する機能
を有したパルストランスＰＴを挿入することで、パルス
トランスＰＴの１次側の電圧を低減することができるた
め、充電電源１０の出力電圧、半導体スイッチＳＳＷの
定格電圧、コンデンサＣ０，Ｃ１の電圧定格、第１の可
飽和リアクトルＳＲ１の動作電圧を低減できるという効
果をもたらす。そして、長寿命，高信頼性，高効率のガ
ス浄化装置を得ることができるとともに、ｋｐｐｓ級の
運転が可能となるため、大容量の排ガス処理が可能なガ
ス浄化装置を得ることができることは前述の第１実施形
態の場合と同様である。

【００５５】（第３実施形態：請求項３に対応）図６は
本発明に係るガス浄化装置の第３実施形態を示す回路図
である。

【００５６】本実施形態のガス浄化装置は、図６に示す
ように前記第１および第２実施形態において、第２の可
飽和リアクトルＳＲ２と放電負荷２０との間に、コンデ
ンサＣ２よりも十分大きな（１桁以上）静電容量を有し
たカップリングコンデンサＣｃを挿入し、さらにこのコ
ンデンサＣｃの放電負荷側にリアクトルＬｃｈｇを介し
て直流電源１１を接続した構成としている。この直流電
源１１により常時コンデンサＣｃおよび放電負荷２０に
直流電圧を印加しておき、この直流電圧に重畳してパル
ス電源からの高電圧パルスを印加する。このパルス電源
の動作は、前記第１および第２実施形態の場合と同様で
ある。

【００５７】このように、本実施形態のガス浄化装置に
よれば、前記第１および第２実施形態に、放電負荷２０
に常時直流電圧を印加するためのコンデンサＣｃおよび
直流電源１１を付加することで、パルス電源の電圧を低
減することができるため、パルス電源の小型，低コスト
化、さらに高効率化を実現したガス浄化装置を得ること
が可能になる。

【００５８】上述した第１、第２および第３実施形態に
おいては、第２の可飽和リアクトルＳＲ２の励磁期間中
に発生する漏れ電流を有効に利用して放電負荷２０に低
ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧パルスを印加するが、こ
の放電負荷２０の電圧がコロナ放電開始電圧以上になる
と不要な放電を発生させ、ガス浄化の効率を著しく低下
させる可能性がある。このため、以下、第４から第６実
施形態によるガス浄化装置が有効である。

【００５９】（第４実施形態：請求項４に対応）図７は
本発明に係るガス浄化装置の第４実施形態を示す回路図
である。

【００６０】本実施形態のガス浄化装置は、図７に示す
ように図１における第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ２
の出力と並列に、第２の可飽和リアクトルＳＲ２の非飽
和時インダクタンスに比べて十分小さく、かつ飽和時イ
ンダクタンスに比べて十分大きなインダクタンス値を持
つリアクトルＬＧと抵抗ＲＧとから成る直列回路を接続
した構成としている。

【００６１】以上のように構成した本実施形態のガス浄
化装置の動作について、図８（Ａ），（Ｂ）に示す電圧
波形図，電流波形図を用いて説明する。

【００６２】図８（Ａ），（Ｂ）において、第１の可飽
和リアクトルＳＲ１が飽和するまでの動作は、前記第１
実施形態の場合と同様である。第１の可飽和リアクトル
ＳＲ１が飽和すると、コンデンサＣ１のエネルギーがコ
ンデンサＣ２に移行し、このとき放電負荷２０の極間に
は、上記リアクトルＬＧと抵抗ＲＧとから成る直列回路
が並列に接続されているため、第２の可飽和リアクトル
ＳＲ２のリーク電流は、コンデンサＣ２→第２の可飽和
リアクトルＳＲ２→リアクトルＬＧ→抵抗ＲＧ→コンデ
ンサＣ２の経路と、コンデンサＣ２→第２の可飽和リア
クトルＳＲ２→放電負荷２０→コンデンサＣ２との経路
に分流される。リアクトルＬＧ、抵抗ＲＧの値を最適に
設定してリアクトルＬＧおよび抵抗ＲＧに分流する量を
コントロールすることで、低ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高
電圧パルス印加中、コロナ放電が発生しない範囲に抑制
することができる。

【００６３】その後、第２の可飽和リアクトルＳＲ２が
飽和すると、高ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧パルスが
放電負荷２０に印加されるが、この過程では、リアクト
ルＬＧの値は第２の可飽和リアクトルＳＲ２の飽和時イ
ンダクタンスよりも十分大きいため、コンデンサＣ２→
第２の可飽和リアクトルＳＲ２→リアクトルＬＧ→抵抗
ＲＧ→コンデンサＣ２の経路で流れる電流は非常に小さ
い。

【００６４】このように本実施形態のガス浄化装置によ
れば、第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ２の出力と並列
に、第２の可飽和リアクトルＳＲ２の非飽和時インダク
タンスに比べて十分小さく、かつ飽和時インダクタンス
に比べて十分大きなインダクタンス値を持つリアクトル
ＬＧと抵抗ＲＧとから成る直列回路を接続したので、上
記第２の可飽和リアクトルＳＲ２のリーク電流に起因す
る低ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧パルスの過度な上昇
を抑制でき、高安定，高効率のガス浄化を可能にするガ
ス浄化装置を得ることができる。

【００６５】（第５実施形態：請求項５に対応）図９は
本発明に係るガス浄化装置の第５実施形態を示す回路図
である。

【００６６】本実施形態のガス浄化装置は、図９に示す
ように図１における第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ２
の出力と並列に、ターンオフ機能を有する第２の半導体
スイッチＳＳＷ２を接続した構成としている。

【００６７】以上のように構成した本実施形態のガス浄
化装置の動作について説明する。

【００６８】図９において、第１の可飽和リアクトルＳ
Ｒ１が飽和するまでの動作は、前記第１実施形態の場合
と同様である。第１の可飽和リアクトルＳＲ１が飽和す
ると、コンデンサＣ１のエネルギーがコンデンサＣ２に
移行するが、このとき上記第２の半導体スイッチＳＳＷ
２はオフ状態にあるため、第２の可飽和リアクトルＳＲ
２のリーク電流は、コンデンサＣ２→第２の可飽和リア
クトルＳＲ２→放電負荷２０→コンデンサＣ２の経路で
放電負荷２０に流れ込む。これにより、低ｄｖ／ｄｔの
特性を持つ高電圧パルスが放電負荷２０に印加されるこ
とは、前記第１実施形態の場合と同様である。

【００６９】第２の半導体スイッチＳＳＷ２は、第２の
可飽和リアクトルＳＲ２のリーク電流による低ｄｖ／ｄ
ｔの特性を持つ高電圧パルス値がコロナ放電開始電圧に
達する以前に動作する。このとき、第２の半導体スイッ
チＳＳＷ２をオンさせ、上記第２の可飽和リアクトルＳ
Ｒ２のリーク電流をコンデンサＣ２→第２の可飽和リア
クトルＳＲ２→第２の半導体スイッチＳＳＷ２→コンデ
ンサＣ２の経路で流し、リーク電流の放電負荷２０への
流れ込みを阻止する。

【００７０】この結果、低ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電
圧パルスが抑制され、低ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧
パルス部での不要な放電は阻止される。その後、第２の
可飽和リアクトルＳＲ２が飽和するものの、これと同時
に第２の半導体スイッチＳＳＷ２はオフする。これによ
り、コンデンサＣ２のエネルギーの全てを放電負荷２０
に注入することが可能になる。

【００７１】このように本実施形態のガス浄化装置によ
れば、第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ２の出力と並列
に、ターンオフ機能を有する第２の半導体スイッチＳＳ
Ｗ２を接続したので、上記第２の可飽和リアクトルＳＲ
２のリーク電流に起因する低ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高
電圧パルスの過度な上昇をなくすることができ、高安
定，高効率のガス浄化を可能にするガス浄化装置を得る
ことができる。

【００７２】（第６実施形態：請求項６に対応）図１０
は本発明に係るガス浄化装置の第６実施形態を示す回路
図である。

【００７３】本実施形態のガス浄化装置は、図１０に示
すように図１における第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ
２の出力と並列に、２次巻線を有するトランスＴＲを接
続し、このトランスＴＲの２次巻線にターンオフ機能を
有する第２の半導体スイッチＳＳＷ２を直列接続した構
成としている。

【００７４】以上のように構成した本実施形態のガス浄
化装置の動作は、前記第５実施形態の場合と同様である
ので、その説明を省略する。

【００７５】このように本実施形態のガス浄化装置によ
れば、第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ２の出力と並列
に、２次巻線を有するトランスＴＲを接続し、このトラ
ンスＴＲの２次巻線にターンオフ機能を有する第２の半
導体スイッチＳＳＷ２を直列接続したので、前記第５実
施形態に比べ第２の半導体スイッチＳＳＷ２の電圧定格
を低減することができ、装置の小型化，低価格化を図る
ことが可能になる。

【００７６】また、第２の可飽和リアクトルＳＲ２のリ
ーク電流に起因する低ｄｖ／ｄｔの特性を持つ高電圧パ
ルスの過度な上昇をなくすことができ、高安定，高効率
のガス浄化を可能にするガス浄化装置を得ることができ
ることは、前記第５実施形態の場合と同様である。

【００７７】（第７実施形態：請求項７〜請求項１２に
対応）パルスコロナ放電を利用したガス浄化装置では、
負荷である電極対１本あたりに発生するコロナストリー
マの数をいかに増加できるか、加えてコロナ放電ストリ
ーマを電極対の極間全体、すなわち排ガス全体に進展さ
せ得るかが処理効率を高める上で重要なポイントとな
る。前者に対しては電極間に印加する高電圧パルスの電
圧上昇率ｄｖ／ｄｔを高めればよく、後者に対してはコ
ロナ放電持続時間をコロナ放電ストリーマが排ガス全体
に行き渡る時間に近付ければよいことがわかっている。

【００７８】特に、高電圧パルスのパルス幅において
は、コロナ放電ストリーマが極間を短絡すると、それ以
上はガス浄化に寄与しないため、長いパルス幅では無駄
が多くなり、装置としてのエネルギー効率が悪くなる。
第７実施形態におけるガス浄化装置は、上述の要求を実
現するための手段である。

【００７９】図１１は本発明に係るガス浄化装置の第７
実施形態を示す回路図である。

【００８０】本実施形態のガス浄化装置は、図１１に示
すように図１における第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ
２の出力と放電負荷２０との間に、伝搬時間τを下記の
数式７の値としたパルス形成線路ＰＦＮを挿入した構成
としている。

【００８１】

【数７】

【００８２】以上のように構成した本実施形態のガス浄
化装置の動作について説明する。

【００８３】図１１において、第２の可飽和リアクトル
ＳＲ２が飽和するまで動作は前記第１実施形態の場合と
同様である。パルス形成線路ＰＦＮに入力された高電圧
パルスは、パルス形成線路ＰＦＮの特性で決まる伝搬時
間τを経た後に放電負荷２０に印加される。通常、パル
ス形成線路ＰＦＮの特性インピーダンスＺｏに比べ放電
負荷２０のインピーダンス（放電前のサージインピーダ
ンス）が大きいため、印加された高電圧パルスと同一極
性に反射される。この反射波は、さらにパルス形成線路
ＰＦＮと電源出力との接続点で反射される。

【００８４】通常、電源の出力インピーダンスはパルス
形成線路ＰＦＮの特性インピーダンスＺｏに比べ小さい
ため、今度は逆極性波として反射され、この反射波が往
復した時間２τ後、再び放電負荷２０に印加される。こ
れにより、放電負荷２０の電圧は放電維持電圧以下に急
速に低減され、この結果コロナ放電が消滅する。このよ
うに、パルス形成線路ＰＦＮを用いれば、所定のコロナ
放電持続時間を得ることが可能になる。

【００８５】次に、パルス形成線路ＰＦＮの伝搬時間τ
は下式のように、電極対の極間をコロナ放電ストリーマ
が短絡するまでの時間（これは、極間を渡りきる電子の
ほぼ走行時間）と同等、あるいはそれ以下に設定するこ
とが望ましい。

【００８６】

【数８】

【００８７】電子の移動速度は、電界Ｅと気圧ｐの比、
すなわちＥ／ｐに依存することがわかっており、例えば
図１２に示すような関係にあることが実験により明らか
にされている。電極対の極間を進展するコロナ放電スト
リーマ先端の空間電界Ｅは時々刻々と変化するものの、
近年のシミュレーション技術の進歩により、この値を推
測することはさほど難しくなく、図１２に示した関係か
ら電極対の極間における電子の移動速度ｖ_eavgを求める
ことは可能である。

【００８８】図１３はパルス形成線路ＰＦＮとして同軸
ケーブルを用いた例を示す回路図である。ただし、同軸
ケーブル１５を用いた場合、例えばコロナ放電の持続時
間を１００ｎｓに設定したい場合、約１０ｍのケーブル
長が必要になり、その引き回しは困難となる。

【００８９】この問題を解決する手段として、図１４
は、基本コンデンサＣｎと基本リアクトルＬｎから成る
ＬＣ回路を複数段直列接続した梯子型回路でパルス形成
線路ＰＦＮを構成した例を示す回路図である。この回路
を用いれば、基本コンデンサＣｎあるいは基本リアクト
ルＬｎの値を変化させることで、パルス形成線路ＰＦＮ
の特性（特性インピーダンスＺｏや伝搬時間τ）を自在
に設定することができる。

【００９０】また、他の方法として、パルス形成線路Ｐ
ＦＮを、絶縁媒体が封入された同軸円筒状の外部導体
と、この外部導体の中心軸に配置された高圧導体とで構
成することも考えられる。この場合、外部導体と中心軸
に配置された高圧導体の距離あるいは線路の長さを変え
ることで、パルス形成線路ＰＦＮの特性を変化させるこ
とができる。上記絶縁媒体としては、絶縁・冷却媒体と
して使用できるものであればいかなるものでもよいが、
特に、絶縁油，パーフロロカーボン液あるいは６弗化硫
黄ガスが好適である。

【００９１】さらに、放電負荷２０へのエネルギーの注
入を最大にし、ガス浄化の効率を向上するには、上記パ
ルス形成線路ＰＦＮと放電負荷２０の放電インピーダン
スをマッチングさせることが望ましい。これを実現する
ため、下式のような関係でパルス形成線路ＰＦＮの並列
数と放電負荷２０を構成する電極対の並列数をそれぞれ
決定するとよい。すなわち、パルス形成線路ＰＦＮの１
線路あたりの特性インピーダンスをＺｏ、その並列線路
数をｎｃ、放電負荷２０を構成する電極対の１対あたり
の放電インピーダンスをＺＬ、その並列数をｎＬとする
と、

【数９】

【００９２】このように本実施形態のガス浄化装置によ
れば、第２の磁気パルス圧縮回路ＭＰＣ２と放電負荷２
０との間にパルス形成線路ＰＦＮを接続することによ
り、ガス浄化に適した高電圧パルスを出力できるため、
大容量，高効率のガス浄化を可能にするガス浄化装置を
得ることができる。

【００９３】さらに、上記パルス形成線路ＰＦＮのトー
タルの特性インピーダンスと放電負荷２０のトータルの
放電インピーダンスとを整合させることにより、放電負
荷２０へのエネルギー注入効率を高めることができるた
め、高効率のガス浄化を可能にするガス浄化装置を得る
ことが可能になる。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項３の発明によれば、有害物質を含む燃焼排ガスおよ
びプロセス排ガスのいずれかの流路に設けた少なくとも
１個以上の電極対の極間に高電圧パルスを印加して電極
対の極間にコロナ放電を生じさせ、排ガス中の有害物質
を分解処理するガス浄化装置において、パルス電源をス
イッチ部を含め固体部品のみで回路を構成したので、長
寿命，高信頼性のガス浄化装置を得ることができるとと
もに、ｋｐｐｓ級の運転が可能となるため大容量の排ガ
ス処理が可能なガス浄化装置を提供できる。

【００９５】また、パルス電源の磁気パルス圧縮手段の
最終段可飽和リアクトルのリーク電流を積極的に利用し
て電圧上昇率の特性を持つ高電圧パルスと、最終段可飽
和リアクトルの飽和による高電圧上昇率の特性を持つ高
電圧パルスを放電負荷に印加できるため、パルス電源の
エネルギーを最大に活用した高効率のガス浄化装置を提
供できる。

【００９６】特に、請求項２の発明によれば、パルス電
圧を昇圧する機能を有したパルストランスを挿入するこ
とで、パルストランスの１次側の電圧を低減することが
できるため、充電電源の出力電圧、半導体スイッチの定
格電圧、コンデンサの電圧定格、第１の可飽和リアクト
ルの動作電圧を低減できる。

【００９７】さらに、請求項３の発明によれば、パルス
電源全体の電圧を低減できるため、これによってパルス
電源の小型化，低価格化を実現したガス浄化装置を提供
できる。

【００９８】一方、請求項４、請求項５および請求項６
の発明によれば、請求項１または請求項２記載のガス浄
化装置において、パルス電源の出力と並列に、磁気パル
ス圧縮手段の出力段可飽和リアクトルのリーク電流に起
因する低電圧上昇率の特性を持つ高電圧パルスの過度な
上昇を抑制する回路を接続したので、不要な放電の発生
によるガス浄化の効率低下を抑えることが可能な高安
定、高効率のガス浄化を可能にするガス浄化装置を提供
できる。

【００９９】また、請求項７ないし請求項１２の発明に
よれば、パルス電源の出力側と放電負荷側の間にパルス
形成線路を接続したことにより、ガス浄化に適した高電
圧パルスを出力でるきため、大容量，高効率のガス浄化
を可能にするガス浄化装置を提供できる。

【０１００】特に、請求項１２の発明によれば、パルス
形成線路のトータルの特性インピータンスと放電負荷の
トータルの放電インピーダンスとを整合させることによ
り、放電負荷へのエネルギー注入効率を高めることがで
きるため、高効率のガス浄化を可能にするガス浄化装置
を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るガス浄化装置の第１実施形態を示
す回路図。

【図２】同第１実施形態のガス浄化装置における動作を
説明するための各部電圧波形図。

【図３】（Ａ），（Ｂ）は同第１実施形態のガス浄化装
置における動作を説明するための負荷電圧波形図，負荷
電流波形図。

【図４】実験により見出されたＮＯｘやダイオキシン類
の分解率と電圧上昇率ｄｖ／ｄとの関係を示す図。

【図５】本発明に係るガス浄化装置の第２実施形態を示
す回路図。

【図６】本発明に係るガス浄化装置の第３実施形態を示
す回路図。

【図７】本発明に係るガス浄化装置の第４実施形態を示
す回路図。

【図８】（Ａ），（Ｂ）は第４実施形態のガス浄化装置
における動作を説明するための電圧波形図，電流波形
図。

【図９】本発明に係るガス浄化装置の第５実施形態を示
す回路図。

【図１０】本発明に係るガス浄化装置の第６実施形態を
示す回路図。

【図１１】本発明に係るガス浄化装置の第７実施形態を
示す回路図。

【図１２】電子の移動速度とＥ／ｐとの関係を示す図。

【図１３】第７実施形態のガス浄化装置の他の構成例を
示す回路図。

【図１４】第７実施形態のガス浄化装置のさらに他の構
成例を示す回路図。

【図１５】従来のガス浄化装置の構成例を示す回路図。

【符号の説明】

１０充電電源１１直流電源１５同軸ケーブル２０放電負荷Ｃ０主コンデンサＣ１，Ｃ２コンデンサＣｃカップリングコンデンサＬｃ充電用リアクトルＳＳＷ半導体スイッチＳＲ１，ＳＲ２可飽和リアクトルＭＰＣ１，ＭＰＣ２磁気パルス圧縮回路ＰＦＮパルス形成線路ＰＴパルストランスＴＲトランス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＦ０１Ｎ 3/08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有害物質を含む燃焼排ガスおよびプロセ
ス排ガスのいずれかの流路に設けた少なくとも１個以上
の電極対の極間にパルス電源から高電圧パルスを印加し
て前記電極対の極間にコロナ放電を生じさせ、前記排ガ
ス中の有害物質を分解処理するガス浄化装置において、
前記パルス電源は、充電電源により充電される主コンデ
ンサと、閉路することで前記主コンデンサのエネルギー
を次段のコンデンサに移行する少なくとも１個以上の半
導体素子を直列接続して成る半導体スイッチと、可飽和
リアクトルおよび前記コンデンサを有し前記可飽和リア
クトルの飽和動作により前記コンデンサのエネルギーを
パルス圧縮して出力する複数段の磁気パルス圧縮手段と
を備えるとともに、固体部品のみで回路を構成し、前記
パルス電源の出力高電圧パルスは、前記磁気パルス圧縮
手段の最終段可飽和リアクトルの励磁期間中に発生する
低電圧上昇率の特性を持つ高電圧パルスと、前記最終段
可飽和リアクトルの飽和により発生する高電圧上昇率の
特性を持つ高電圧パルスとを備えたことを特徴とするガ
ス浄化装置。
【請求項２】請求項１記載のガス浄化装置において、
入力パルス電圧を昇圧するパルストランスを設けたこと
を特徴とするガス浄化装置。
【請求項３】請求項１または２記載のガス浄化装置に
おいて、前記パルス電源の構成要素である最終段可飽和
リアクトルと前記電極対との間に、前記パルス電源の最
終段のコンデンサよりも大きな静電容量を持つカップリ
ングコンデンサを設け、かつこのカップリングコンデン
サの電極対側に、前記カップリングコンデンサと前記電
極対の極との間に常時直流電圧を印加する直流電源を接
続したことを特徴とするガス浄化装置。
【請求項４】請求項１または２記載のガス浄化装置に
おいて、前記パルス電源の構成要素である磁気パルス圧
縮手段と並列に、前記磁気パルス圧縮手段の最終段可飽
和リアクトルの非飽和時インダクタンスに比べて小さ
く、かつ飽和時インダクタンスに比べて大きなインダク
タンス値を持つリアクトルと抵抗とから成る直列回路を
接続したことを特徴とするガス浄化装置。
【請求項５】請求項１または２記載のガス浄化装置に
おいて、前記パルス電源の構成要素である磁気パルス圧
縮手段と並列に、ターンオフ機能を有する第２の半導体
スイッチを接続したことを特徴とするガス浄化装置。
【請求項６】請求項１または２記載のガス浄化装置に
おいて、前記パルス電源の構成要素である磁気パルス圧
縮手段と並列に、２次巻線を有するトランスを接続し、
このトランスの２次巻線にターンオフ機能を有する第２
の半導体スイッチを直列接続したことを特徴とするガス
浄化装置。
【請求項７】請求項１ないし３のいずれかに記載のガ
ス浄化装置において、前記パルス電源の出力および前記
カップリングコンデンサのいずれか一方と前記電極対と
の間にパルス形成線路を設け、このパルス形成線路の伝
搬時間τが下記の数式１の関係にあることを特徴とする
ガス浄化装置。【数１】
【請求項８】請求項７記載のガス浄化装置において、
前記パルス形成線路が同軸ケーブルであることを特徴と
するガス浄化装置。
【請求項９】請求項７記載のガス浄化装置において、
前記パルス形成線路が、コンデンサとリアクトルから成
るＬＣ回路を複数段直列接続して構成した梯子型回路で
あることを特徴とするガス浄化装置。
【請求項１０】請求項７記載のガス浄化装置におい
て、前記パルス形成線路が、絶縁媒体が封入された同軸
円筒状の外部導体と、この外部導体の中心軸に配置され
た高圧導体とで構成されたことを特徴とするガス浄化装
置。
【請求項１１】請求項１０記載のガス浄化装置におい
て、前記絶縁媒体が絶縁油，パーフロロカーボン液およ
び６弗化硫黄ガスから選択される一種であることを特徴
とするガス浄化装置。
【請求項１２】請求項７記載のガス浄化装置におい
て、前記パルス形成線路の１線路あたりの特性インピー
ダンスをＺｏ、前記パルス形成線路の並列線路数をｎ
ｃ、前記電極対の１対あたりのコロナ放電インピーダン
スをＺＬ、前記電極対の並列数をｎＬとすると、それぞ
れの値が下記の数式２の関係にあることを特徴とするガ
ス浄化装置。【数２】