JPH11277279A - Laser processing apparatus and irradiation method by laser processing apparatus - Google Patents
Laser processing apparatus and irradiation method by laser processing apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクの穴を通過するレーザエネルギーの変
化を小さくすること。
【解決手段】 レーザ発振器10からファイバ11を介
してパルス状のレーザビームを被加工基板19に照射し
て加工を行うレーザ加工装置において、前記ファイバの
出射端に近接する位置に、前記レーザビームのビームモ
ードを変化させる均一光学系20を設けた。
(57) [Problem] To reduce a change in laser energy passing through a hole in a mask. SOLUTION: In a laser processing apparatus for performing processing by irradiating a substrate 19 with a pulsed laser beam from a laser oscillator 10 via a fiber 11, a laser beam of the laser beam is placed at a position close to an emission end of the fiber. A uniform optical system 20 for changing the beam mode was provided.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ発振器から
のパルス状のレーザビームを被加工基板に照射して加工
を行うレーザ加工装置、及びレーザ加工装置による照射
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus for performing processing by irradiating a substrate with a pulsed laser beam from a laser oscillator, and an irradiation method using the laser processing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子機器の小形化、高密度実装化に伴
う、プリント配線基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント配線基板を積層した多層プリント配
線基板が提供されている。このような多層プリント配線
基板では、上下に積層されたプリント配線基板間で導電
層(銅箔)同士を電気的に接続する必要がある。2. Description of the Related Art In response to the demand for higher density of printed wiring boards in accordance with the miniaturization and high-density mounting of electronic devices, multilayer printed wiring boards in which a plurality of printed wiring boards are stacked have recently been provided. . In such a multilayer printed wiring board, it is necessary to electrically connect conductive layers (copper foils) between printed wiring boards stacked one above another.
【0003】このような接続は、プリント配線基板の絶
縁層(通常、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のポリマ
ー)に、下層の導電層に達するバイアホールと呼ばれる
穴を形成し、その穴の内部に導電メッキを施すことによ
って実現されている。そして、導電層を形成する銅箔
は、厚さが18μmから12μm、更には9μmと薄く
される傾向にある。In such a connection, a hole called a via hole reaching a lower conductive layer is formed in an insulating layer (usually a polymer such as polyimide or epoxy resin) of a printed wiring board, and a conductive hole is formed inside the hole. This is achieved by plating. The thickness of the copper foil forming the conductive layer tends to be as thin as 18 μm to 12 μm, and even 9 μm.
【0004】このようなバイアホールを形成するため
に、最近はレーザが利用されている。レーザを利用した
レーザ加工装置は、図2に示すように、YAGレーザ発
振器10からファイバ11を介してパルス状のレーザビ
ームを被加工基板19に照射して加工を行うものであ
る。Recently, lasers have been used to form such via holes. As shown in FIG. 2, a laser processing apparatus using a laser performs processing by irradiating a pulsed laser beam from a YAG laser oscillator 10 via a fiber 11 to a substrate 19 to be processed.
【0005】レーザ発振器では、ファイバ11の先端か
らパルス状のレーザビームを発生し、入射用のレンズ1
4を介してマスク15にに導く。マスクで成形されたレ
ーザビームは、結像光学系としての結像レンズ16を介
して被加工基板19としてのセラミックス基板に照射さ
れる。In the laser oscillator, a pulsed laser beam is generated from the tip of the fiber 11 and the incident lens 1 is generated.
4 to the mask 15. The laser beam formed by the mask is applied to a ceramic substrate as a substrate to be processed 19 via an imaging lens 16 as an imaging optical system.
【0006】なお、図中のBは、ビームモードとマスク
15との位置関係を示している。S2 は、マスク15の
穴における使用範囲を示している。Note that B in the figure indicates the positional relationship between the beam mode and the mask 15. S2 indicates a use range in the hole of the mask 15.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ファイ
バ伝送とマスク結像光学系とを用いる場合、ファイバ1
1から出てきたレーザビームをマスクにあて、それを被
加工基板19に結像するので、ファイバ11から出てき
たビームモードによってマスクの穴を設定できる位置関
係が小さくなってしまうとともに、マスクの穴を通過す
るレーザエネルギーが大きく変化してしまう。したがっ
て、被加工基板19の加工品質が変化してしまうという
問題がある。However, when the fiber transmission and the mask imaging optical system are used, the fiber 1
Since the laser beam emitted from 1 is applied to the mask and is imaged on the substrate 19 to be processed, the positional relationship in which the hole of the mask can be set by the beam mode emitted from the fiber 11 is reduced, and the mask The laser energy passing through the hole changes greatly. Therefore, there is a problem that the processing quality of the substrate to be processed 19 changes.
【0008】そこで、本発明の課題は、ファイバから出
てきたビームモードを、均一光学系を用いて、各位置で
マスクの穴を通過するレーザエネルギーの変化を小さく
することができるレーザ加工装置、及びレーザ加工装置
による照射方法を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of reducing a change in laser energy passing through a hole of a mask at each position by using a uniform optical system for a beam mode emitted from a fiber. And an irradiation method using a laser processing apparatus.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
発振器からファイバを介してパルス状のレーザビームを
被加工基板に照射して加工を行うレーザ加工装置におい
て、前記ファイバの出射端に近接する位置に、レーザビ
ームのビームモードを変化させレーザエネルギーの強度
分布を均一にする均一光学系を設けたことを特徴とする
レーザ加工装置が得られる。According to the present invention, there is provided a laser processing apparatus for performing processing by irradiating a substrate with a pulsed laser beam from a laser oscillator through a fiber, the processing being performed in the vicinity of an emitting end of the fiber. The laser processing apparatus is characterized in that a uniform optical system for changing the beam mode of the laser beam and making the intensity distribution of laser energy uniform is provided at the position where the laser beam is to be emitted.
【0010】また、本発明によれば、レーザ発振器から
ファイバを介してパルス状のレーザビームを被加工基板
に照射して加工を行うレーザ加工装置による照射方法に
おいて、前記ファイバの出射端に近接する位置に、レー
ザビームのビームモードを変化させレーザエネルギーの
強度分布を均一にする均一光学系20を設け、前記均一
光学系を通過させた前記レーザビームを前記被加工基板
に照射することを特徴とするレーザ加工装置による照射
方法が得られる。According to the present invention, in a method of irradiating a substrate to be processed by irradiating a pulsed laser beam from a laser oscillator via a fiber to a substrate to be processed, a laser processing apparatus is provided. A uniform optical system 20 for changing a beam mode of a laser beam to uniform the intensity distribution of laser energy at a position, and irradiating the substrate with the laser beam having passed through the uniform optical system. An irradiation method using a laser processing apparatus is obtained.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
一実施の形態について説明する。図1は、本発明による
レーザ加工装置の概略構成を示す。図1において、ここ
では、レーザ発生源としてYAGレーザ発振器(以下、
レーザ発振器と呼ぶ)を用いている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a laser processing apparatus according to the present invention. In FIG. 1, a YAG laser oscillator (hereinafter, referred to as a laser source) is used as a laser source.
A laser oscillator).
【0012】図1を参照して、一実施の形態におけるレ
ーザ加工装置は、レーザ発振器10からファイバ11を
介してパルス状のレーザビームを被加工基板19に照射
して加工を行うものである。Referring to FIG. 1, a laser processing apparatus in one embodiment performs processing by irradiating a substrate 19 with a pulsed laser beam from a laser oscillator 10 via a fiber 11.
【0013】ファイバ11の出射端に近接する位置に
は、レーザビームのビームモードを変化させレーザエネ
ルギーの強度分布を均一にする均一光学系20が設けら
れている。レーザ発振器10は、ファイバ11の先端か
らパルス状のレーザビームを発生し、均一光学系20か
ら、入射用のレンズ14を介してマスク15に導く。マ
スク15で成形されたレーザビームは、結像光学系とし
ての結像レンズ16を介して被加工基板19に照射され
る。A uniform optical system 20 for changing the beam mode of the laser beam and making the intensity distribution of laser energy uniform is provided at a position close to the emission end of the fiber 11. The laser oscillator 10 generates a pulsed laser beam from the tip of the fiber 11 and guides the pulsed laser beam from the uniform optical system 20 to the mask 15 via the lens 14 for incidence. The laser beam formed by the mask 15 is applied to a substrate 19 to be processed via an imaging lens 16 as an imaging optical system.
【0014】なお、図中のBは、従来例によって説明し
たものと同様な、ファイバ11の先端位置のビームモー
ドとマスク15との位置関係を示している。S2 は、マ
スク15の穴における使用範囲を示している。図中のA
は、均一光学系20の出射端位置のビームモードとマス
ク15との位置関係を示している。S1 は、マスク15
の穴における使用範囲を示している。B in the figure indicates the positional relationship between the beam mode at the tip end of the fiber 11 and the mask 15 as described in the conventional example. S2 indicates a use range in the hole of the mask 15. A in the figure
Shows the positional relationship between the beam mode at the exit end position of the uniform optical system 20 and the mask 15. S1 is the mask 15
Shows the range of use in the holes marked with.
【0015】以下に、レーザ加工装置による照射方法に
ついて図1を参照して説明する。An irradiation method by the laser processing apparatus will be described below with reference to FIG.
【0016】レーザ加工装置による照射方法は、レーザ
発振器10からファイバ11を介してパルス状のレーザ
ビームを被加工基板19に照射して加工を行う。In the irradiation method by the laser processing apparatus, the laser beam is radiated from the laser oscillator 10 via the fiber 11 to the substrate 19 to be processed to perform the processing.
【0017】均一光学系20を通過させたレーザビーム
は、レンズ14からマスク15の穴を通り、結像光学系
である結像レンズ16を通り、レーザビームを被加工基
板19に照射される。このレーザ加工装置においける均
一光学系20は、多重反射によりレーザエネルギーの強
度分布を均一化するカライド反射鏡を有している。The laser beam having passed through the uniform optical system 20 passes through the hole of the mask 15 from the lens 14, passes through the imaging lens 16 which is an imaging optical system, and irradiates the substrate 19 with the laser beam. The uniform optical system 20 in this laser processing apparatus has a carbide reflector that makes the intensity distribution of laser energy uniform by multiple reflection.
【0018】また、レーザ加工装置均一光学系20を通
過させたレーザビームを被加工基板19に照射する結像
光学系もしくは集光光学系を有している。均一光学系2
0を通過させたレーザビームは、結像光学系もしくは集
光光学系によって被加工基板19に照射される。An imaging optical system or a condensing optical system for irradiating the substrate 19 with a laser beam passed through the uniform optical system 20 of the laser processing apparatus. Uniform optical system 2
The laser beam passed through 0 is irradiated on the substrate 19 to be processed by an imaging optical system or a condensing optical system.
【0019】この実施の形態においては、レーザビーム
を被加工基板19に照射することによって、被加工基板
19に穴あけ加工が行なわれる。均一光学系20は、フ
ァイバ11径の1.5倍以上であり、長さは断面寸法の
5倍以上に設定されている。In this embodiment, a hole is drilled in the substrate 19 by irradiating the substrate 19 with a laser beam. The uniform optical system 20 is 1.5 times or more the diameter of the fiber 11 and the length is set to 5 times or more the cross-sectional dimension.
【0020】なお、カライド反射鏡の材料としては、Y
AGレーザ発振器の場合には、無酸素銅の他にベリリウ
ムが考えられる。他方、YAGレーザ発振器、エキシマ
レーザ発振器を使用する場合には、石英のようなガラス
材料を使用することもできる。The material of the kaleid reflector is Y
In the case of an AG laser oscillator, beryllium can be considered in addition to oxygen-free copper. On the other hand, when a YAG laser oscillator or an excimer laser oscillator is used, a glass material such as quartz can be used.
【0021】均一光学系20は、シングルモードあるい
はマルチモードの強度分布を持つレーザを入射用集光レ
ンズによりカライド反射鏡に入射させ、カライド反射鏡
ではその内部での多重反射を利用してレーザビームのエ
ネルギー強度分布を均一にするためのものである。The uniform optical system 20 causes a laser having a single-mode or multi-mode intensity distribution to be incident on a kaleid reflector by a condenser lens for incidence, and the kaleid reflector uses a multiple reflection inside the laser beam to make a laser beam. In order to make the energy intensity distribution uniform.
【0022】均一光学系を出たレーザビームは、光学レ
ンズ14を通してレーザビーム成形用のマスク15に入
射する。断面形状を成形されたレーザビームは、結像レ
ンズ16により縮小投影され、ガルバノスキャナと呼ば
れる走査系により振られ、fθレンズと呼ばれる光学レ
ンズを通してX−Yステージ上の被加工基板19に照射
される。The laser beam exiting the uniform optical system is incident on a laser beam shaping mask 15 through an optical lens 14. The laser beam having a cross-sectional shape is reduced and projected by the imaging lens 16, is shaken by a scanning system called a galvano scanner, and is irradiated on the substrate 19 on the XY stage through an optical lens called an fθ lens. .
【0023】X−YステージはX軸方向、Y軸方向に可
動であり、被加工基板19の1つの被加工領域に対する
加工が終了すると、走査系による走査域に被加工基板1
9の次の被加工領域が位置するように被加工基板19を
移動させる。The XY stage is movable in the X-axis direction and the Y-axis direction. When the processing of one processing region of the processing substrate 19 is completed, the processing system 1
The substrate to be processed 19 is moved so that the region to be processed next to 9 is located.
【0024】なお、レーザの照射域でのビームの断面形
状及びサイズは、マスク15における開口の形状と、そ
こからのレーザビームを縮小投影する結像レンズ16
と、光学レンズの焦点距離との比で決定される。The cross-sectional shape and size of the beam in the laser irradiation area are determined by the shape of the opening in the mask 15 and the imaging lens 16 for reducing and projecting the laser beam therefrom.
And the focal length of the optical lens.
【0025】なお、一実施の形態においては、レーザビ
ームを被加工基板19に照射することによって、被加工
基板19に穴あけ加工が行なわれるが、穴あけ加工以外
にも、溶接、表面処理など、マスク15の形状を変えて
も対応することができる。In one embodiment, the substrate 19 is drilled by irradiating the substrate 19 with a laser beam. In addition to the drilling, a mask such as welding or surface treatment may be used. Even if the shape of 15 is changed, it can respond.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
レーザ加工装置は、ファイバから出てきた光のモードを
トップハット形状になるように、均一光学系を用いて、
マスクの穴を通過するレーザエネルギーの変化を小さく
することができる。As described above, the laser processing apparatus according to the present invention uses a uniform optical system so that the mode of light emitted from the fiber becomes a top hat shape.
The change in the laser energy passing through the holes in the mask can be reduced.
【0027】また、レーザビーム照射域でのレーザのエ
ネルギー強度分布を均一化できるので、穴あけ加工に適
している。Further, since the laser energy intensity distribution in the laser beam irradiation area can be made uniform, it is suitable for drilling.
【0028】さらに、このような均一光学系20を採用
すると、従来よりも50%以上の広い範囲にて加工品質
が安定する。Further, when such a uniform optical system 20 is employed, the processing quality is stabilized in a wider range of 50% or more than the conventional one.
【図1】本発明によるレーザ加工装置の概略構成を示し
た図である。FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a laser processing apparatus according to the present invention.
【図2】従来のレーザ加工装置の概略構成を示した図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional laser processing apparatus.
10 レーザ発振器 11 ファイバ 14 光学レンズ 15 マスク 16 結像レンズ 19 被加工基板 20 均一光学系 Reference Signs List 10 laser oscillator 11 fiber 14 optical lens 15 mask 16 imaging lens 19 substrate to be processed 20 uniform optical system
Claims (6)
ス状のレーザビームを被加工基板に照射して加工を行う
レーザ加工装置において、前記ファイバの出射端に近接
する位置に、レーザビームのビームモードを変化させレ
ーザエネルギーの強度分布を均一にする均一光学系を設
けたことを特徴とするレーザ加工装置。In a laser processing apparatus for performing processing by irradiating a substrate with a pulsed laser beam from a laser oscillator through a fiber, a beam mode of the laser beam is set at a position close to an emission end of the fiber. A laser processing apparatus comprising a uniform optical system for changing the intensity distribution of laser energy to be uniform.
て、前記均一光学系は、多重反射によりレーザエネルギ
ーの強度分布を均一化するカライド反射鏡を含むことを
特徴とするレーザ加工装置。2. A laser processing apparatus according to claim 1, wherein said uniform optical system includes a carbide reflector for making the intensity distribution of laser energy uniform by multiple reflection.
て、前記均一光学系を通過させた前記レーザビームを前
記被加工基板に照射する結像光学系もしくは集光光学系
を有していることを特徴とするレーザ加工装置。3. The laser processing apparatus according to claim 1, further comprising an imaging optical system or a condensing optical system that irradiates the substrate with the laser beam that has passed through the uniform optical system. Characteristic laser processing equipment.
ス状のレーザビームを被加工基板に照射して加工を行う
レーザ加工装置による照射方法において、前記ファイバ
の出射端に近接する位置に、レーザビームのビームモー
ドを変化させレーザエネルギーの強度分布を均一にする
均一光学系を設け、前記均一光学系を通過させた前記レ
ーザビームを前記被加工基板に照射することを特徴とす
るレーザ加工装置による照射方法。4. A method of irradiating a substrate with a pulsed laser beam from a laser oscillator through a fiber by a laser processing apparatus, wherein the laser beam is applied to a position close to an emission end of the fiber. An irradiation method using a laser processing apparatus, comprising: providing a uniform optical system that changes a beam mode to make the intensity distribution of laser energy uniform, and irradiating the substrate to be processed with the laser beam that has passed through the uniform optical system. .
射方法において、前記均一光学系を通過させた前記レー
ザビームを結像光学系もしくは集光光学系によって前記
被加工基板に照射することを特徴とするレーザ加工装置
による照射方法。5. An irradiation method by a laser processing apparatus according to claim 4, wherein the laser beam passed through the uniform optical system is irradiated on the substrate by an imaging optical system or a condensing optical system. Irradiation method using a laser processing device.
射方法において、前記レーザビームを前記被加工基板に
照射することによって、前記被加工基板に穴あけ加工を
行うことを特徴とするレーザ加工装置による照射方法。6. An irradiation method by a laser processing apparatus according to claim 4, wherein the laser beam is applied to the substrate to perform a boring process on the substrate. Irradiation method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08222598A JP3385504B2 (en) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | Laser processing apparatus and irradiation method using laser processing apparatus |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11277279A true JPH11277279A (en) | 1999-10-12 |
| JP3385504B2 JP3385504B2 (en) | 2003-03-10 |
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| JP08222598A Expired - Fee Related JP3385504B2 (en) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | Laser processing apparatus and irradiation method using laser processing apparatus |
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| JP (1) | JP3385504B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003039189A (en) * | 2001-07-27 | 2003-02-12 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser beam radiating device and surface treatment method |
| WO2004007137A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-01-22 | Hitachi Zosen Corporation | Method and device for removal of thin-film |
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-
1998
- 1998-03-27 JP JP08222598A patent/JP3385504B2/en not_active Expired - Fee Related
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