JPH11281337A - 欠陥検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ等の欠陥検査を行う従来の欠陥
検査装置では，半導体ウェハ表面上でレーザ光を走査し
て検査を行うため，半導体ウェハのエッジ部における欠
陥を複数枚一括して検査するようなことができなかっ
た。 【解決手段】 本発明は，複数枚の被検査部材１を同軸
上に配置して同時に回転させると共に，複数枚の被検査
部材１に対して検査光４を一括して照射し，被検査部材
１のエッジ部における欠陥を複数枚同時に高速に検査す
ることを図ったものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，欠陥検査装置に係
り，詳しくは，半導体ウェハ等の外観検査に用いられる
欠陥検査装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】回路の最小線幅が著しく小さくなった近
年の半導体装置では，製品の歩留りを低下させるような
欠陥のサイズもごく微小なものとなっている。この欠陥
の多くは，半導体ウェハ等へのダストの付着によって誘
発されるものである。この微小な欠陥の検査を目視によ
って行うことは困難である。そのため，高輝度平行光線
やレーザ光を用いて半導体ウェハの外観検査を行う各種
の欠陥検査装置が実用化されている。例えば図１８に示
すように，鏡面特性を有する半導体ウェハ等の被検査部
材４１に高輝度平行光線等を照射すると，照射された光
線４２は，欠陥の存在しない部分では入射角度と同じ角
度で反射されるのに対し（正反射光４３），欠陥が存在
する部分では正反射角とは異なる方向に光線が散乱され
る（散乱光４４）。上記のような欠陥部における散乱を
利用した欠陥検査装置は，Pedro Kilienfeld；Aerosol
Science Technology 5:p145-165(1986) 等に記載されて
いる。上記文献に記載された装置構成のうちの一つを図
１９に示す。図１９に示した欠陥検査装置は，レーザ光
を半導体ウェハ上で走査して半導体ウェハの外観検査を
高速に行うものである。上記欠陥検査装置において，レ
ーザ光源５１から照射された光線５２は，ミラー５３
ａ，５３ｂやレンズ５４ａ，５４ｂを介して回転多角ミ
ラー５５に入射する。回転多角ミラー５５は所定の角速
度で回転しており，上記光線５２を半導体ウェハ５６上
で走査する。半導体ウェハ５６の欠陥が存在しない部分
に照射された光線５２は正反射されるが，欠陥が存在す
る部分では正反射角とは異なる方向に散乱される。この
散乱光５７は，光電子増倍管５８ａを含む散乱光検出手
段５８によって検出され，欠陥の検査が行われる。上記
散乱光検出手段５８は正反射した光線５９が直接入射し
ないように配置されるため，欠陥の存在する部分が欠陥
の存在しない部分と較べて明るく検出される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで，上記半導体
ウェハのエッジ部は他所に較べて，ハンドリングの際等
に欠けが生じたりダストが付着し易く，このエッジ部の
パーティクルによって半導体ウェハ表面に欠陥が誘発さ
れる場合がある。また，クラック等が生じている可能性
もあり，半導体ウェハのエッジ部の検査を行うことは製
品の歩留り向上の点で重要である。しかし，上記のよう
な欠陥検査装置は，半導体ウェハ表面に存在する欠陥を
検出することを目的としており，半導体ウェハのエッジ
部の欠陥を高速に検査することができない。本発明は，
このような従来の技術における課題を解決するために，
欠陥検査装置を改良し，半導体ウェハ等のエッジ部を複
数枚同時に短時間で検出することのできる欠陥検査装置
を提供することを目的とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は，円板状の被検査部材を同軸上に複数枚支持
可能な支持軸と，上記支持軸を駆動して上記被検査部材
を回転させる回転手段と，上記回転手段により回転され
る上記被検査部材のエッジ部に検査光を照射する検査光
照射手段と，上記検査光照射手段により上記被検査部材
のエッジ部に照射され散乱された散乱光を検出する散乱
光検出手段と，上記検査光の照射位置及び上記散乱光の
強度に基づいて上記被検査部材のエッジ部の欠陥を検査
する欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置として
構成されている。上記欠陥検査装置では，複数枚の被検
査部材を同時に回転させると共に，上記被検査部材のエ
ッジ部に一括して検査光を照射するため，被検査部材の
エッジ部におけるクラック，欠け等の欠陥検査を複数枚
同時に高速に検査することが可能である。上記欠陥検査
装置において，複数枚の被検査部材に一括して検査光を
照射するには，上記検査光照射手段に，例えば上記支持
軸に沿ったスリット光を複数枚の被検査部材に渡って照
射するものが用いればよい。このとき，上記散乱光検出
手段は，上記支持軸に支持される上記被検査部材毎に設
けられる。この場合，スリット光が複数の被検査部材の
同じ位置に同じ角度で入射するため，各被検査部材のエ
ッジ部を並行して検査することが可能となる。また，近
接する被検査部材からの散乱による影響を排除するため
に，各散乱光検出手段の間に遮光板を設けてよい。ま
た，複数の被検査部材のエッジ部を並行して検査するた
めに，上記検査光照射手段に，スポット光を複数枚の被
検査部材に対して順次走査するものを用いてもよい。こ
の場合，スポット光の走査位置を特定することが可能と
なるため，上記散乱光検出手段を検査する被検査部材毎
に設ける必要はない。尚，上記被検査部材は，例えば半
導体ウェハである。

【０００５】また，上記欠陥検査装置において，上記散
乱光検出手段に，上記被検査部材の回転方向と厚み方向
の上記エッジ部表面に関する２次元的な画像を撮像する
ものを用いてもよい。この場合，上記被検査部材のエッ
ジ部のどの位置に欠陥があるのかをより詳細に検査する
ことが可能となり，さらに欠陥の形状等をも欠陥検査の
基準とすることができ，欠陥検査の精度を向上させるこ
とができる。上記２次元的な画像を撮像するには，例え
ば上記散乱光検出手段に，少なくとも上記被検査部材の
エッジ部の厚み分を撮像範囲とするＣＣＤカメラを用い
てればよい。また，例えば上記エッジ部の一点から散乱
される散乱光を検出する散乱光検出手段を，上記被検査
部材のエッジ部の厚み方向に移動可能に設けることによ
って，上記２次元的な画像を撮像することも可能であ
る。また，上記欠陥検査装置において，上記被検査部材
のエッジ部で散乱された散乱光は，例えば光ファイバに
より上記散乱光検出手段へ導くことが可能である。ま
た，レンズ及びミラーを用いて導くことも可能である。
さらに，上記光ファイバの入光部を，上記被検査部材の
エッジ部の表面側及び裏面側それぞれに設けることによ
って，上記被検査部材のエッジ部をより詳細に検査する
ことが可能となる。また，上記欠陥検査装置において，
上記欠陥検査手段が，上記散乱光検出手段により撮像さ
れた複数枚の被検査部材のエッジ部表面の画像が合成さ
れた合成画像に基づいて，上記被検査部材の欠陥を検査
するものである場合，各被検査部材の欠陥の相関関係に
基づいた精度の良い総合的な検査を行うことが可能とな
る。また，上記欠陥検査装置において，上記欠陥検査手
段が，上記散乱光検出手段により撮像された複数枚のウ
ェハのエッジ部表面の撮像画像を互いに比較してウェハ
の欠陥を検査するものである場合，例えば各撮像画像の
うち選択された２つの撮像画像に対して位置合わせを行
い，位置合わせされた２つの撮像画像の画素毎の差から
なる差画像を生成し，該差画像を所定のしきい値を用い
て評価することにより，各ウェハの相関に基づいた精度
の良い検査を行うことができる。

【０００６】また，他の発明は，外周端部に傾斜面を備
えた複数のウェハを載置する載置手段と，上記載置手段
に載置された各ウェハの対応する傾斜面が所定線を含む
ように上記載置手段を位置決めする位置決め手段と，上
記位置決め手段により位置決めされた上記載置手段を駆
動してウェハを回転させる回転手段と，上記回転手段に
より回転させられる各ウェハの傾斜面の画像を撮像する
撮像手段と，上記撮像手段により撮像された各ウェハの
傾斜面の画像について画像処理を行って欠陥を検査する
欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置として構成
されている。上記他の発明に係る欠陥検査装置によれ
ば，各ウェハの対応する傾斜面が所定線を含むように載
置手段が位置決め手段により位置決めされるため，ウェ
ハに傾斜面が設けられている場合でも，撮像手段が複数
のウェハの傾斜面を一括して撮像することが可能とな
り，検査を迅速に行うことができる。また，上記欠陥検
査装置において，上記撮像手段を，ウェハの表面と裏面
とについてそれぞれ設けらることにより，ウェハの表面
と裏面とを同時に検査することができるため，さらに検
査を迅速に行うことができる。また，上記欠陥検査装置
において，上記欠陥検査手段が，上記撮像手段により撮
像された複数のウェハについての画像に基づき，例えば
各ウェハについての画像のうち選択された２つの画像の
位置合わせを行い，位置合わせされた２つの画像の画素
毎の差の絶対値からなる差画像を生成し，該差画像を所
定のしきい値を用いて評価することにより，ウェハの欠
陥を検査するものであれば，検査を迅速に行うことがで
きるとともに，各ウェハの相関関係をもとに精度のよい
検査を行うことができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照して，本発
明の実施の形態につき説明し，本発明の理解に供する。
尚，以下の実施の形態は，本発明を具体化した一例であ
って，本発明の技術的範囲を限定する性格のものではな
い。ここに，図１は本発明の一実施の形態に係る欠陥検
査装置の概略構成を示す図である。図１に示すように，
本実施の形態に係る欠陥検査装置０は，例えば半導体ウ
ェハ等の円板状の被検査部材１を同軸上に複数枚支持可
能な支持軸２と，上記支持軸２を駆動して上記被検査部
材１を回転させるモータ等の回転手段３と，上記回転手
段３により回転される上記被検査部材１のエッジ部１ａ
に検査光４を照射する検査光照射手段５と，上記検査光
照射手段５により上記被検査部材１のエッジ部１ａに照
射され散乱された散乱光６を検出する散乱光検出手段７
と，上記検査光４の照射位置及び上記散乱光６の強度に
基づいて上記被検査部材１のエッジ部１ａの欠陥を検査
する欠陥検査手段８とを具備する。

【０００８】上記欠陥検査装置０において，例えば半導
体ウェハ等の被検査部材１は，複数枚同時にウェハカセ
ット９に格納される。このウェハカセット９に格納され
た複数枚の被検査部材１のエッジ部１ａには，ウェハカ
セット９外部に設けられた検査光照射手段５によって一
括して光線が照射される。上記検査光照射手段５は，レ
ーザ光源５ａと，該レーザ光源５ａからの光線５ｂをス
リット光（検査光）４に成形するための円筒レンズ５ｃ
を有しており，スリット光４を各被検査部材１の同じ位
置に同じ角度で照射する。上記エッジ部１ａで欠陥がな
い箇所では，上記スリット光４は入射角度と同じ角度で
正反射される。上記ウェハカセット９の上部には，被検
査部材１のエッジ部１ａからの散乱光６を検出する例え
ばシリコンフォトダイオード等の散乱光検出手段７が設
けられている。シリコンフォトダイオードは，可視光に
対して高感度，小型，安価という特長を有し，さらに受
光量に比例した電流を直接検出できる等の理由から上記
散乱光検出手段７に好適である。尚，この散乱光検出手
段７は，被検査部材１のエッジ部１ａからの正反射光１
０が直接入射しない位置に配置されている。また，上記
散乱光検出手段７は，空間的に分割されており，各被検
査部材１からの散乱光６は別々の検出器によって受光さ
れる構造となっている。さらに，各検出器の間には，近
接する被検査部材１からの散乱光の影響を排除するため
に遮光板１１が設けられている。上記散乱光検出手段７
は信号処理回路１２を介してコンピュータ等の欠陥検査
手段８に接続されている。また，上記ウェハカセット９
の下部には，格納された複数枚の被検査部材１を同軸上
に支持する支持軸２が設けられている。この支持軸２に
は，モータ等の回転手段３が接続されており，所定の方
向，速度で上記被検査部材１を回転させることが可能で
ある。上記回転手段３は，モータドライバ１３を介して
上記欠陥検査手段８に接続され制御される。上記欠陥検
査手段８からの制御信号により上記回転手段３は回転
し，ウェハカセット９内の複数の被検査部材１が同時に
回転する。

【０００９】また，上記散乱光検出手段７からの信号
は，上記欠陥検査手段８に取り込まれ，その演算結果は
モニタ８ａに出力される。ここに，図２はある被検査部
材１に対して得られた上記欠陥検査装置０の出力例を示
す図である。尚，横軸には時間が，縦軸には散乱光強度
が示される。図２の信号は，被検査部材１を回転させな
がら取り込まれた信号であるから，横軸（時間軸）は，
被検査部材１の回転角に対応する。従って，散乱光６の
増加部分を検出することにより，被検査部材１のエッジ
部１ａにおける欠陥の有無及び位置を含む検査を行うこ
とができる。尚，欠陥であるか否かの判定は，例えば上
記散乱光６の強度が所定のしきい値Thを上回ったか否か
によって行われる。上記欠陥検査装置０では，図２のよ
うな出力がウェハカセット９に格納された全ての被検査
部材１に対して同時に得られるため，被検査部材１のエ
ッジ部１ａについて一括した高速な検査を行うことが可
能である。

【００１０】

【実施例】上記実施の形態では，スリット光４によって
被検査部材１のエッジ部１ａにおける欠陥検査を一括し
て行ったが，例えば図３に示すように，レーザ光源５ｄ
からのスポット光を回転多角ミラー５ｅにより走査する
ことによって，ウェハカセット９に格納された複数の被
検査部材１に対して一括して欠陥検査を行うことも可能
である。この場合，回転多角ミラー５ｅの回転角の検出
によってレーザの照射位置を同定することができるか
ら，上記散乱光検出手段７を被検査部材１毎に設ける必
要はなくなる。また，上記実施の形態では，被検査部材
１に半導体ウェハを用いたが，磁気ディスク等の他の円
板状被検査部材を用いてもよい。また，上記実施の形態
では，近接する被検査部材１からの散乱光の影響を排除
するために，各検出器の間に遮光板１１を設けたが，こ
れに限らず散乱光検出手段７を被検査部材１に近づける
等して上記近接する被検査部材１からの散乱光の影響を
排除してもよい。このような欠陥検査装置も本発明にお
ける欠陥検査装置の一例である。

【００１１】また，上記実施の形態では，散乱光検出手
段７にシリコンフォトダイオードを用いたが，これに代
えて被検査部材１の回転方向と厚み方向のエッジ部１ａ
に関する２次元的な画像を撮像する例えばＣＣＤカメラ
等の撮像手段を用いてもよい。図４に上記撮像手段を用
いた欠陥検査装置の一例を示す。図４に示した欠陥検査
装置０’が，上記実施の形態に係る欠陥検査装置０と異
なる部分は，複数枚の被検査部材１のエッジ部１ａで散
乱されて散乱光が，光ファイバー１４によりそれぞれガ
イドされて，ＣＣＤカメラ等の撮像手段７’により撮像
される部分であり，その他の部分はほぼ同様の構成であ
る。上記欠陥検査装置０’では，各被検査部材１の表面
と裏面とについて光ファイバー１４がそれぞれ設けられ
ている。これは，図５（ａ）に示すように，厚み中央部
が表面部より突出した被検査部材１のエッジ部１ａを詳
細に検査するためである。各光ファイバー１４の入光部
１４ａは，エッジ部１ａの表面側又は裏面側に近接して
設けられ，エッジ部１ａの表面側又は裏面側で散乱され
た散乱光がそれぞれ入射するように配置されている。光
ファイバーによってガイドされた各被検査部材１のエッ
ジ部１ａの画像は，レンズ１５により結合されてから，
例えばＣＣＤカメラ等の撮像手段７’により撮像され
る。もちろん，各光ファイバー１４毎にＣＣＤカメラ等
の撮像手段７’を設け，光ファイバー１４それぞれによ
って伝送された画像を別々の撮像手段により撮像するこ
とも可能であるが，上記欠陥検査装置０’では，装置小
型化等も考慮して単体の撮像手段７’により複数枚の被
検査部材１について撮像が行われる。上記撮像手段７’
に用いられるＣＣＤカメラは，少なくとも被検査部材１
のエッジ部１ａの厚み分の画素が配列されたものであ
り，ある回転位置の被検査部材１のエッジ部１ａの画像
を一度に撮像することが可能である。そして，支持軸２
及び回転手段３により被検査部材１を回転させることに
より，被検査部材１の全周についてエッジ部１ａの画像
を得ることができる。ここで，図５（ｂ）は上記撮像手
段７’によって撮像されたエッジ部１ａの画像の一例で
ある。

【００１２】図５（ｂ）に示された画像の一例は，３枚
の被検査部材１Ａ，１Ｂ，１Ｃの表面及び裏面において
それぞれ散乱された画像が，レンズ１５により合成され
てから，撮像手段７’により撮像されたものである。こ
の合成画像では，横列に被検査部材１Ａ，１Ｂ，１Ｃの
画像が配置され，縦列に各表面と裏面のエッジ部１ａに
おける画像が配置されている。また，上記合成画像にお
いて，明るい部分は，エッジ部１ａにおける面取り部分
である。例えば，被検査部材１Ａの裏面側の画像には，
面取り部分の一部に暗い部分があるが，この部分が欠け
等の欠陥を示す。撮像手段７’によって撮像された合成
画像は，信号処理回路１２を介して欠陥検査手段８に供
給される。欠陥検査手段８では，例えば面取り部の明る
い部分に暗い部分が存在するか否かが画像処理によって
判別され，各被検査部材１のエッジ部１ａの表面と裏面
とについて検査が行われる。この画像処理による欠陥検
査は，例えば画像の面取り部分の明度について所定のし
きい値を設定し，そのしきい値で画像を２値化すること
により行われる。この他，欠陥の無い正常画像との差画
像によって欠陥検査を行うことも可能である。また，面
取り部分のように予め画像に表れるパターンがわかって
いる場合には，合成画像に含まれる他の被検査部材１や
部位についての画像と比較することにより欠陥検査を行
うことも可能である。他の被検査部材１の画像と比較す
れば，欠陥の存在がより明確になり，検査誤差を低減す
ることが可能である。さらに，例えば予め用意した画像
に含まれる欠陥の形状と比較することによって，欠け，
割れ等の欠陥の種類を判別することも可能である。この
ように上記欠陥検査装置０’によれば，撮像された画像
に基づいて，エッジ部１ａの厚み方向のどの位置に欠陥
が存在するかを特定したり，欠陥の形状を特定する等の
詳細な欠陥検査を行うことが可能となる。また，上記欠
陥検査装置０’において，撮像手段７’に用いられるＣ
ＣＤカメラの画素が，測定精度との関係等から被検査部
材１の厚み分より少なくなる場合には，移動可能に設け
られた光ファイバー１４の入光部１４ａを被検査部材１
の厚み方向に走査し，当該部位について複数枚画像を撮
像することにより検査を行うことが可能である。また，
図６に示すように，光ファイバー１４に代えて，各被検
査部材１毎にレンズ１６及びミラー１７を配したリレー
レンズ光学系を用いることも可能である。また，上記欠
陥検査装置０’における検査光照射手段５には，上記実
施の形態と同様に面状光源を用いてもよいし，図３に示
したようなレーザ光源５ｄ及び回転多角ミラー５ｅを有
する光源を用いてもよい。被検査部材１のエッジ部１ａ
の表面と裏面とにそれぞれ検査光を照射するには，例え
ば図７に示すように，表面と裏面とについてそれぞれレ
ーザ光源５ｄ及び回転多角ミラー５ｅを設ければよい。
このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置
の一例である。

【００１３】ここで，ある被検査部材１についての画像
を他の被検査部材１についての画像と比較して欠陥の検
査を行う欠陥検査装置の具体的構成例を図８及び図９に
示す。尚，図９（ａ）は上記欠陥検査装置が備えるセン
サ部の側面図，図９（ｂ）は上記欠陥装置が備えるセン
サ部の正面図である。図８及び図９に示す如く，上記欠
陥検査装置０’’は，ウェハカセット１８に格納された
ウェハ（被検査部材の一例）１’を同軸上に複数枚支持
可能な支持軸２と，上記支持軸２を駆動してウェハ１’
を回転させるモータ等の回転手段３と，上記回転手段３
により回転されるウェハ１’のエッジ部１ａに検査光を
照射する照射用ＬＥＤアレイ（検査光照射手段に相当）
５’と上記照明用ＬＥＤアレイ５’によりウェハ１’の
エッジ部１ａに照射された散乱光を検出するラインＣＣ
Ｄセンサ（散乱光検出手段に相当）７’’とを備えたセ
ンサ部１９と，上記検査光の照射位置及び上記散乱光の
強度に基づいてウェハ１’のエッジ部１ａの欠陥を検査
する欠陥検査手段８’とを具備する。上記欠陥検査装置
０’’において，複数枚のウェハ１’はウェハカセット
１８に格納された状態で，支持軸２により支持されてい
る。この支持軸２には，回転角度制御が行われるモータ
等の回転手段３が接続されており，複数のウェハ１’を
上記ウェハカセット１８内で所定速度で回転させる。ま
た，上記ウェハカセット１８の上部には，ウェハカセッ
ト１８の長手方向に沿ってレール２０が配設されてお
り，照明用ＬＥＤアレイ５’やラインＣＣＤセンサ
７’’を備えたセンサ部１９が，そのレール２０上を走
行する。上記照明用ＬＥＤアレイ５’により照射された
検査光４は，ウェハ１’のエッジ部１ａで散乱され，円
筒レンズ２１により収束されたのち，ラインＣＣＤセン
サ７’’上で結像される。ラインＣＣＤセンサ７’’の
出力は，Ａ／Ｄ変換器２２を経て量子化され，計算機に
より実現される欠陥検査手段８’にディジタル情報とし
て保持される。

【００１４】上記欠陥検査装置０’’において，欠陥検
査が行われる場合，その動作は図１０に示すフローチャ
ートに従って行われる。まず，回転手段３を静止させた
状態で，センサ部１９の図示しないモータが駆動され，
ウェハカセット１８の長手方向端部，例えば図８上のａ
点に，センサ部１９が配置される（Ｓ１０１）。そし
て，センサ部１９に備えられた照明用ＬＥＤアレイ５’
から検査光４がウェハ１’のエッジ部１ａに照射され，
その散乱光６がラインＣＣＤセンサ７’’により受光さ
れる。上記ラインＣＣＤセンサ７’’は，その長手方向
がウェハ１’に沿って上記センサ部１９に設けられてお
り，エッジ部１ａの所定範囲が一度に撮像される。ライ
ンＣＣＤセンサ７’’により光電変換された画像信号
は，Ａ／Ｄ変換器２２を経て量子化され，欠陥検査手段
８’にディジタル情報として保持される（Ｓ１０２）。
次に，必要な分解能に応じて，ウェハカセット１８の長
手方向他端部に向けて所定量だけセンサ部１９が移動さ
せられ，静止状態となった後，ウェハ１’のエッジ部１
ａの撮像が行われる（Ｓ１０３）。そして，ウェハカセ
ット１８の長手方向他端部のｂ点の位置にセンサ部１９
が到達するまで，上記したセンサ部１９の移動と撮像と
が繰り返され（Ｓ１０４），ウェハカセット１８に格納
された全てのウェハ１’についてエッジ部１ａの一部の
撮像が行われ，欠陥検査手段８’に画像信号が保持され
る。センサ部１９がｂ点まで到達すると，センサ部１９
はａ点に移動させられる（Ｓ１０５）。また，欠陥検査
手段８’に保持された画像信号は，例えば図１１に示す
ような２次元信号として構成される（Ｓ１０６）。上記
図１１では，横方向がセンサ部１９の移動方向であっ
て，縦方向がラインＣＣＤセンサ７’’の長手方向であ
る。次に，上記処理Ｓ１０１〜Ｓ１０６により構成され
た２次元画像に対して欠陥の検査が行われる（Ｓ１０
７）。上記２次元画像に対する欠陥の検査では，まず，
上記２次元画像から各ウェハ毎に画像が切り出される
（Ｓ１０７１）。この切り出しは，例えばウェハ１’の
載置位置に基づいて行うことが可能である。図１２
（ａ），（ｂ），（ｃ）に切り出された画像の例を示
す。例えば図１２（ａ）は，ａ点から数えて２番目にあ
るウェハ１’（＃２）のエッジ部の画像であり，図１２
（ｂ）は，ａ点から数えて３番目にあるウェハ１’（＃
３）のエッジ部の画像であり，図１２（ｃ）は，ａ点か
ら数えて４番目にあるウェハ１’（＃４）のエッジ部の
画像である。次に，複数の切り出された画像信号を用い
て欠陥の検査が行われる。例えば図１２（ｂ）に切り出
し画像を示す＃３のウェハ１’について欠陥検査を行う
場合に，図１２（ａ）に切り出し画像を示す＃２のウェ
ハ１’を参照画像として用いるとすると，はじめに２つ
の画像の位置合わせが行われる。この位置合わせは，例
えば正規相関演算により画像の位置ずれを検知し，位置
ずれ分だけ一方の画像をシフトさせることにより行われ
る。位置合わせが行われると，２画像間の差の絶対値が
求められ，絶対値差画像が生成される（Ｓ１０７２）。
尚，２画像間の差とは，画像中の位置が同じ画素同士の
差の演算を意味する。

【００１５】この時，２つの画像に輝度異常部がなけれ
ば，基本的に画像の全ての画素はほぼ０となる。一方，
切り出し画像に輝度異常部がある場合には，絶対値差画
像に明るい画像領域が生じる。このため，適当なしきい
値をもって，上記絶対値差画像が２値化され，例えば図
１２（ｄ）に示すような２値化画像が生成される（Ｓ１
０７３）。次に，上記２値化画像に上記しきい値を越え
る画素が存在するか否かの判別が行われる（Ｓ１０７
４）。上記しきい値を越える画像が存在しないとの判別
が行われた場合には，上記＃３のウェハ１’のエッジ部
の撮像した部分については，欠陥が存在しない，異常な
しとの判定が行われる（Ｓ１０７５）。一方，上記絶対
値差画像に上記しきい値を越える画素が存在すると判別
された場合，その部分，即ち図１２（ｄ）における明る
い部分が欠陥部分であると判定されるが，この段階で
は，絶対値差画像を生成するのに用いた２つの画像のど
ちらに欠陥が存在するのか不明である。このため，上記
参照画像に，異なるウェハ１’の切り出し画像を用い
て，上記のような処理が繰り返される。例えば参照画像
に図１２（ｃ）に示す＃４のウェハ１’の切り出し画像
が用いられる。この場合にも，まず，＃３のウェハ１’
の切り出し画像と，＃４のウェハ１’の切り出し画像と
の位置合わせが行われ，絶対値の差画像が求められる
（Ｓ１０７６）。次に，上記処理Ｓ１０７６において求
めた絶対値差画像が所定のしきい値により２値化され，
例えば図１２（ｅ）に示すような２値化画像が得られる
（Ｓ１０７７）。次に，上記２値化画像について上記し
きい値を越える画素が存在するか否かの判別が行われ
（Ｓ１０７８），存在しない場合には，上記＃３のウェ
ハ１’のエッジ部の撮像した部分については，欠陥が存
在しないとの判定が行われ（Ｓ１０７５），存在する場
合には，＃３のウェハ１のエッジ部の撮像した部分に異
常があるとの判定が行われる（Ｓ１０７９）。上記処理
Ｓ１０７１〜Ｓ１０７９が，ウェハカセット１８に収納
されたウェハ１’全てについて繰り返され，終了する
と，次に，欠陥があったウェハ番号，例えば＃３等を含
む欠陥に関する情報が欠陥検査手段８’に保持され，欠
陥検査手段８’に保持されていたディジタルデータが廃
棄される（Ｓ１０８）。これにより，上記ラインＣＣＤ
センサ７’’を用いて一度に撮像可能な範囲でウェハカ
セット１８に収納されたウェハ１’全てについて欠陥の
検査が行われたので，ウェハ１’のエッジ部の欠陥の検
査が行われていない部分を撮像するために，支持軸２が
回転手段３により駆動され，ウェハカセット１８に収納
されたウェハ１’がその円周方向に所定量だけ回転させ
られる（Ｓ１０９）。次に，ウェハ１’が１回転したか
否かの判別，即ちウェハ１’の円周方向全ての検査が終
了したか否かの判別が行われ（Ｓ１１０），ウェハ１’
が１回転していないと判別された場合には，上記した処
理Ｓ１０２〜Ｓ１０９が繰り返され，ウェハ１’が１回
転していると判別された場合には，欠陥があったウェハ
番号等の欠陥に関する情報が欠陥検査手段を実現する計
算機に接続された表示装置に表示される（Ｓ１１１）。
このように，上記欠陥検査装置０’’では，複数のウェ
ハのエッジ部が同時に検査されるため，検査に要する時
間を短縮することができる。また，複数のウェハについ
ての撮像画像を比較することによって欠陥部分を強調
し，判別を容易にすることができる。尚，上記欠陥検査
装置０’’では，ウェハ１’の撮像手段にラインＣＣＤ
センサ７’’を用いたが，これに限られるものではな
く，例えば２次元ＣＣＤセンサを用いるようにしてもよ
い。この場合，画像の切り出しは，２次元ＣＣＤ単位で
行うことが可能であるため，必ずしも行う必要はない。

【００１６】また，上記欠陥検査装置０’’では，セン
サ部１９をレール２０上で走行させることによってウェ
ハカセット１８に収納された全てのウェハ１’について
欠陥の検査が行われたが，これに限られるものではな
く，例えばセンサ部１９を固定し，ウェハカセット１８
とその中のウェハ１’を移動させるようにしてもよい。
また，上記欠陥検査装置０’’では，支持軸２により複
数のウェハ１’を一括してその円周方向に回転させてい
るが，複数の駆動手段を同期させて各ウェハ１’毎に回
転させるようにしてもよい。また，上記欠陥検査装置
０’’では，ウェハ１’の円周方向の全ての点について
欠陥の検査が行われているが，ウェハ１’の方向を示す
ためのノッチ，またはオリエンテーションフラット（い
わゆるオリフラ）を検知する機構を設け，ノッチ部，又
はオリフラ部の欠陥検出を省略するようにしてもよい。
このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置
の一例である。

【００１７】また，上記欠陥検査装置０’では，複数の
被検査部材１のエッジ部を同時に撮像するために複数の
光ファイバーが用いられていたが，例えばラインＣＣＤ
センサを用いて直接上記エッジ部の欠陥を検査すること
も可能である。但し，ウェハを同軸上に支持した場合，
図５（ａ）に示したように，ウェハのエッジ部には傾斜
した面取り部分が設けられているため，ラインＣＣＤセ
ンサからの距離が面取り部分の場所によって多少異な
り，ピンボケが生じてしまう。そこで，全てのウェハの
面取り部分が所定線を含むようにラインセンサと各ウェ
ハとの位置関係を設定することにより，全てのウェハの
面取り部分をラインセンサの焦点位置に一致させる。こ
のような欠陥検査装置の全体的な構成を図１３（ａ）
に，上記欠陥検査装置が備える回転テーブルの構成例を
図１３（ｂ）に示す。図１３（ａ）及び（ｂ）に示す如
く，上記欠陥検査装置１３０は，エッジ部（外周端部）
に面取り部分（傾斜面）を備えた複数のウェハ１３１を
載置するための回転テーブル（載置手段の一例）１３２
と，上記回転テーブル１３２に載置された各ウェハ１３
１の対応する傾斜面が所定線を含むように上記回転テー
ブル１３２を位置決めする位置決め機構（位置決め手段
に相当）１３３と，上記位置決め機構１３３により位置
決めされた上記回転テーブル１３２を駆動してウェハ１
３１をその水平面内で回転させる回転手段１３４と，上
記回転手段により回転させられる各ウェハの傾斜面の画
像を撮像するラインＣＣＤセンサ（撮像手段）１３５
と，上記ラインＣＣＤセンサ１３５により撮像された各
ウェハの傾斜面の画像について画像処理を行って欠陥を
検査する画像処理装置（欠陥検査手段に相当）１３６と
を具備する。

【００１８】上記欠陥検査装置１３０は，例えば１０枚
のウェハ１３１のエッジ部を同時に検査することができ
る装置である。検査される１０枚のウェハ１３１は，図
示しない搬送機構によりウェハカセットから，それぞれ
回転テーブル１３２の所定位置に移載される。各回転テ
ーブル１３２の位置は，ステッピングモータ１３３１等
により駆動される位置決め機構１３３により，調整が可
能である。上記位置決め機構１３３には，予め検査され
るウェハ１３１の面取り部分の傾斜角度等が入力されて
おり，エンコーダ等の位置検出器１３３２により検出さ
れる各回転テーブル１３２の現在位置に基づいて，図１
４に示す如く，各ウェハ１３１の面取り部分１３１Ａが
所定線Ｌ１を含むようステッピングモータ１３３１等の
制御が行われる。また，各回転テーブル１３２には，ウ
ェハ１３１をその水平面内で回転させるために，ベルト
１３４１，駆動モータ１３４２等を含む回転手段１３４
が接続されている。各回転テーブル１３２に接続される
回転手段１３４は，それぞれ同期されており，各回転テ
ーブル１３２を所定速度で回転させて，各回転テーブル
１３２上に載置されたウェハ１３１をその水平面内で回
転させる。上記回転テーブル１３２上に載置されたウェ
ハ１３１のエッジ部の面取り部分１３１Ａは，ラインＣ
ＣＤセンサ１３５により撮像される。このラインＣＣＤ
センサ１３５の焦点位置は，上記所定線Ｌ１上に合わさ
れており，複数のウェハ１３１について，そのエッジ部
の面取り部分１３１Ａを一括して撮像することが可能で
ある。また，上記エッジ部の面取り部分１３１Ａは，ウ
ェハ１３１の表側と裏側とに設けられいるため，それぞ
れを同時に検査し得るように，上記ラインＣＣＤセンサ
１３５も表側と裏側にそれぞれ設けられている。上記ラ
インＣＣＤセンサ１３５により撮像された１次元の画像
信号は画像処理装置１３６に供給される。この画像信号
は，上記回転手段１３４による各回転テーブル１３２の
回転によって，ウェハ１３１の円周方向に対して走査さ
れ，ウェハ１３１の表側又は裏側に対して，例えば図１
５に示すような２次元画像が構築される。尚，図１５に
示された画像の縦方向はウェハの円周方向を示し，横方
向は上記所定線方向を示す。これらの画像信号は，ディ
スプレイに表示され，検査担当者は，このディスプレイ
をモニタすることにより欠陥の目視検査を行うことも可
能である。上記ラインＣＣＤセンサ１３５により撮像さ
れる面取り部分には，図示しない照明器により照明があ
てられているため，基本的に面取り部分１３１Ａが明る
い部分となり，その他の部分が暗い部分となる。ここ
で，図１６に欠陥の撮像例を示す。図１６に示すよう
に，例えば欠け等の凹状欠陥は，正常な面取り部分に対
して暗く検出され，突起等の凸状欠陥は，正常な面取り
部分に対して明るく検出される。上記ラインＣＣＤセン
サ１３５により撮像された上記のような画像は，画像処
理装置１３６により所定の画像処理が施され，欠陥の検
査が行われる。例えば面取り部分１３１Ａの線幅がしき
い値以下に狭くなったり，暗い部分（暗点）や明るい部
分（輝点）の面積が所定値以上になるとその部分が欠陥
として検出される。これらのしきい値は，例えば欠陥の
検査前に，テスト用のウェハの撮像画像を用いて予め設
定される。このように，本実施例に係る欠陥検査装置で
は，複数のウェハとラインＣＣＤセンサとの位置関係
が，各ウェハの面取り部分が所定線を含むように設定さ
れるため，面取り部分の欠陥検査をラインセンサを用い
て一括して行うことができ，検査に要する時間を短縮す
ることができる。

【００１９】また，上記欠陥検査装置１３０では，エッ
ジ部の面取り部分１３１Ａを撮像するのにラインＣＣＤ
センサ１３５を用いたが，これに限られるものではな
く，エリアセンサ等の他の撮像手段を用いることも可能
である。例えばエリアセンサを用いた場合には，所定線
Ｌ１近傍にある面取り部分１３１Ａをエリアセンサによ
り撮像する。このような欠陥検査装置も本発明における
欠陥検査装置の一例である。また，上記欠陥検査装置１
３０では，画像処理装置１３６内で２次元画像を構築し
た後，検査処理を行ったが，これに限られるものではな
く，例えば図１７に示すような１次元信号の状態で欠陥
検査を行うようにしてもよい。例えば欠けの部分は面取
り部分の通常輝度レベルよりも小さいため，適当なしき
い値を設定することにより，欠陥の検査を行うことがで
きる。このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検
査装置の一例である。また，上記欠陥検査装置１３０で
は，ウェハ１３１両面を同時に検査するために，ウェハ
１３１の表側と裏側それぞれに対応してラインＣＣＤセ
ンサ１３５を設けたが，これに限られるものではなく，
表側又は裏側のみにラインＣＣＤセンサ等の撮像手段を
設けるようにしてもよい。このような欠陥検査装置も本
発明における欠陥検査装置の一例である。また，上記欠
陥検査装置１３０では，面取り部分の幅や，暗点や輝点
の面積に基づいて欠陥の検査を行ったが，これに限られ
るものではなく，例えば暗点・輝点の形状や輝度分布，
検出位置等に基づいて欠陥の検査を行うようにしてもよ
い。このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査
装置の一例である。また，上記欠陥検査装置０’’と同
様に，上記欠陥検査装置１３０においてもあるウェハの
撮像画像と他のウェハの撮像画像とを比較して欠陥の検
査を行うことも可能である。このような欠陥検査装置も
本発明における欠陥検査装置の一例である。

【００２０】

【発明の効果】上記のように本発明に係る欠陥検査装置
は，同時に回転される複数の被検査部材のエッジ部に対
して一括して検査光を照射するため，被検査部材のエッ
ジ部におけるクラック，欠け等の欠陥検査を迅速に行う
ことが可能であり，エッジ部の欠陥による歩留り低下を
抑制することができる。また，散乱光検出手段を複数設
けた場合には，例えば各散乱光検出手段の間に遮光板を
設けることにより，近接する被検査部材からの散乱光の
影響を排除することができる。また，散乱光検出手段
に，被検査部材の回転方向と厚み方向のエッジ部表面に
関する２次元的な画像を撮像するものを用いた場合に
は，被検査部材のエッジ部のどの位置に欠陥があるのか
をより詳細に検査することが可能となり，さらに欠陥の
形状等をも欠陥検査の基準とすることができ，欠陥検査
の精度を向上させることができる。また，被検査部材の
エッジ部で散乱された散乱光を散乱光検出手段に導く光
ファイバを被検査部材のエッジ部の表面側及び裏面側そ
れぞれに設けることによって，被検査部材のエッジ部を
より詳細に検査することが可能となる。また，欠陥検査
手段が，散乱光検出手段により撮像された複数枚の被検
査部材のエッジ部表面の画像が合成された合成画像に基
づいて，被検査部材の欠陥を検査するものである場合，
各被検査部材の欠陥の相関関係に基づいた精度の良い総
合的な検査を行うことが可能となる。また，欠陥検査手
段が，上記散乱光検出手段により撮像された複数枚のウ
ェハのエッジ部表面の撮像画像を互いに比較してウェハ
の欠陥を検査するものである場合，例えば各撮像画像の
うち選択された２つの撮像画像に対して位置合わせを行
い，位置合わせされた２つの撮像画像の画素毎の差の絶
対値からなる差画像を生成し，該差画像を所定のしきい
値を用いて評価することにより，各ウェハの相関に基づ
いた精度の良い検査を行うことができる。また，他の発
明に係る欠陥検査装置によれば，各ウェハの対応する傾
斜面が所定線を含むように載置手段が位置決め手段によ
り位置決めされるため，ウェハに傾斜面が設けられてい
る場合でも，撮像手段が複数のウェハの傾斜面を一括し
て撮像することが可能となり，検査を迅速に行うことが
できる。また，上記欠陥検査装置において，上記撮像手
段を，ウェハの表面と裏面とについてそれぞれ設けらる
ことにより，ウェハの表面と裏面とを同時に検査するこ
とができるため，さらに検査を迅速に行うことができ
る。また，上記欠陥検査装置において，上記欠陥検査手
段が，上記撮像手段により撮像された複数のウェハにつ
いての画像に基づき，例えば各ウェハについての画像の
うち選択された２つの画像の位置合わせを行い，位置合
わせされた２つの画像の画素毎の差からなる差画像を生
成し，該差画像を所定のしきい値を用いて評価すること
により，ウェハの欠陥を検査するものであれば，検査を
迅速に行うことができるとともに，各ウェハの相関関係
をもとに精度のよい検査を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態に係る欠陥検査装置の
概略構成を示す図。

【図２】 上記欠陥検査装置の検査結果の一例を示す
図。

【図３】 本発明の一実施例に係る欠陥検査装置の簡略
構成を示す図。

【図４】 本発明の他の実施例に係る欠陥検査装置の概
略構成を示す図。

【図５】 上記他の実施例に係る欠陥検査装置により撮
像された検査画像の一例を示す図。

【図６】 上記他の実施例に係る欠陥検査装置の一変形
例を示す図。

【図７】 上記他の実施例に係る欠陥検査装置の他の変
形例を示す図。

【図８】 本発明のさらに他の実施例に係る欠陥検査装
置０’’の概略構成を示す図。

【図９】 上記欠陥検査装置０’’が備えるセンサ部を
詳細に説明するための図。

【図１０】 上記欠陥検査装置０’’の動作を説明する
ためのフローチャート。

【図１１】 上記欠陥検査装置０’’による撮像画像を
説明するための図。

【図１２】 上記欠陥検査装置０’’における欠陥検査
のための画像処理を説明するための図。

【図１３】 本発明のさらに他の実施例に係る欠陥検査
装置１３０の概略構成を示す図。

【図１４】 上記欠陥検査装置１３０が備える位置決め
機構の動作を説明するための図。

【図１５】 上記欠陥検査装置１３０による撮像画像を
説明するための図。

【図１６】 上記欠陥検査装置１３０における欠陥検出
例を説明するための図。

【図１７】 上記欠陥検査装置１３０の変形例を説明す
るための図。

【図１８】 従来の半導体ウェハの欠陥検査装置の基本
的な構成を示す図。

【図１９】 従来の欠陥検査装置の他の例を示す図。

【符号の説明】

１…被検査部材 １’，１３１…ウェハ ２…支持軸 ３．１３４…回転手段 ４…検査光 ５…検査光照射手段 ６…散乱光 ７…散乱光検出手段 ８，８’…欠陥検査手段 １１…遮光板 １３２…回転テーブル １３３…位置決め機構 １３５…ラインＣＣＤセンサ １３６…画像処理装置

フロントページの続き (72)発明者 住江 伸吾 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸本社内 (72)発明者 勝見 栄雄 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 森本 勉 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 今西 顕史 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 橋爪 英久 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 神戸製鋼５号館 ジェネシス・テクノロジ ー株式会社内 (72)発明者 山本 雄治 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 神戸製鋼５号館 ジェネシス・テクノロジ ー株式会社内

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円板状の被検査部材を同軸上に複数枚支
   持可能な支持軸と，上記支持軸を駆動して上記被検査部
   材を回転させる回転手段と，上記回転手段により回転さ
   れる上記被検査部材のエッジ部に検査光を照射する検査
   光照射手段と，上記検査光照射手段により上記被検査部
   材のエッジ部に照射され散乱された散乱光を検出する散
   乱光検出手段と，上記検査光の照射位置及び上記散乱光
   の強度に基づいて上記被検査部材のエッジ部の欠陥を検
   査する欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置。
2. 【請求項２】 上記検査光照射手段が，上記支持軸に沿
   ったスリット光を複数枚の被検査部材に渡って照射する
   ものである請求項１記載の欠陥検査装置。
3. 【請求項３】 上記散乱光検出手段が，上記支持軸に支
   持される上記被検査部材毎に設けられてなる請求項２記
   載の欠陥検査装置。
4. 【請求項４】 各散乱光検出手段の間に遮光板を設けて
   なる請求項３記載の欠陥検査装置。
5. 【請求項５】 上記検査光照射手段が，スポット光を複
   数枚の被検査部材に対して順次走査するものである請求
   項１記載の欠陥検査装置。
6. 【請求項６】 上記被検査部材が半導体ウェハである請
   求項１〜５のいずれか１項に記載の欠陥検査装置。
7. 【請求項７】 上記散乱光検出手段が，上記被検査部材
   の回転方向と厚み方向の上記エッジ部表面に関する２次
   元的な画像を撮像するものである請求項１〜６のいずれ
   か１項に記載の欠陥検査装置。
8. 【請求項８】 上記散乱光検出手段が，少なくとも上記
   被検査部材のエッジ部の厚み分を撮像範囲とするＣＣＤ
   カメラである請求項７に記載の欠陥検査装置。
9. 【請求項９】 上記散乱光検出手段が，上記被検査部材
   のエッジ部の厚み方向に移動可能に設けられてなる請求
   項７に記載の欠陥検査装置。
10. 【請求項１０】 上記被検査部材のエッジ部で散乱され
    た散乱光が，光ファイバにより上記散乱光検出手段へ導
    かれてなる請求項７〜９のいずれか１項に記載の欠陥検
    査装置。
11. 【請求項１１】 上記光ファイバの入光部が，上記被検
    査部材のエッジ部の表面側及び裏面側それぞれに設けら
    れてなる請求項１０に記載の欠陥検査装置。
12. 【請求項１２】 上記被検査部材のエッジ部で散乱され
    た散乱光が，レンズ及びミラーを用いて上記散乱光検出
    手段へ導かれてなる請求項７〜９のいずれか１項に記載
    の欠陥検査装置。
13. 【請求項１３】 上記欠陥検査手段が，上記散乱光検出
    手段により撮像された複数枚の被検査部材のエッジ部表
    面の画像が合成された合成画像に基づいて，上記被検査
    部材の欠陥を検査してなる請求項７〜１２のいずれか１
    項に記載の欠陥検査装置。
14. 【請求項１４】 上記欠陥検査手段が，上記散乱光検出
    手段により撮像された複数枚のウェハのエッジ部表面の
    撮像画像を互いに比較して，各ウェハの欠陥を検査して
    なる請求項７〜１２のいずれか１項に記載の欠陥検査装
    置。
15. 【請求項１５】 上記欠陥検査手段が，各撮像画像のう
    ち選択された２つの撮像画像に対して位置合わせを行
    い，位置合わせされた２つの撮像画像の画素毎の差から
    なる差画像を生成し，該差画像を所定のしきい値を用い
    て評価することにより各ウェハの欠陥の検査をしてなる
    請求項１４に記載の欠陥検査装置。
16. 【請求項１６】 外周端部に傾斜面を備えた複数のウェ
    ハを載置する載置手段と，上記載置手段に載置された各
    ウェハの対応する傾斜面が所定線を含むように上記載置
    手段を位置決めする位置決め手段と，上記位置決め手段
    により位置決めされた上記載置手段を駆動してウェハを
    回転させる回転手段と，上記回転手段により回転させら
    れる各ウェハの傾斜面の画像を撮像する撮像手段と，上
    記撮像手段により撮像された各ウェハの傾斜面の画像に
    ついて画像処理を行って欠陥を検査する欠陥検査手段と
    を具備してなる欠陥検査装置。
17. 【請求項１７】 上記撮像手段が，ウェハの表面と裏面
    とについてそれぞれ設けられてなる請求項１６に記載の
    欠陥検査装置。
18. 【請求項１８】 上記欠陥検査手段が，上記撮像手段に
    より撮像された複数のウェハについての画像に基づい
    て，ウェハの欠陥を検査してなる請求項１４又は１５に
    記載の欠陥検査装置。
19. 【請求項１９】 上記欠陥検査手段が，各ウェハについ
    ての画像のうち選択された２つの画像に対して位置合わ
    せを行い，位置合わせされた２つの画像の画素毎の差の
    絶対値からなる差画像を生成し，該差画像を所定のしき
    い値を用いて評価することにより各ウェハの欠陥の検査
    をしてなる請求項１８に記載の欠陥検査装置。