JPH11281833A - グレーティングカプラ - Google Patents
グレーティングカプラInfo
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- JPH11281833A JPH11281833A JP8633898A JP8633898A JPH11281833A JP H11281833 A JPH11281833 A JP H11281833A JP 8633898 A JP8633898 A JP 8633898A JP 8633898 A JP8633898 A JP 8633898A JP H11281833 A JPH11281833 A JP H11281833A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光結合効率の高いグレーティングカプラを得
る。 【解決手段】 基板１０と、この基板１０上に設けられ
た光導波層２０と、この光導波層２０上に形成されたグ
レーティング２１，２２とを備えたグレーティングカプ
ラ。基板１０と光導波層２０との界面に光反射層１５が
設けられている。グレーティング２１上の点Ａに入射す
る光Ｌ1の基板側放射光Ｌ3は光反射層１５の点Ｃで反射
し、点Ｂで導波光Ｌ4と位相を合わせて伝搬する。
る。 【解決手段】 基板１０と、この基板１０上に設けられ
た光導波層２０と、この光導波層２０上に形成されたグ
レーティング２１，２２とを備えたグレーティングカプ
ラ。基板１０と光導波層２０との界面に光反射層１５が
設けられている。グレーティング２１上の点Ａに入射す
る光Ｌ1の基板側放射光Ｌ3は光反射層１５の点Ｃで反射
し、点Ｂで導波光Ｌ4と位相を合わせて伝搬する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はグレーティングカプ
ラ、詳しくは、基板上に光導波層とグレーティングを設
け、グレーティングによって外部と光導波層とを光学的
に結合するグレーティングカプラに関する。
ラ、詳しくは、基板上に光導波層とグレーティングを設
け、グレーティングによって外部と光導波層とを光学的
に結合するグレーティングカプラに関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】一般に、光導波路は、基板上ある
いは基板に形成した低屈折率の光学バッファ層上に高屈
折率の光導波層を設け、光導波層の表面は空気（低屈折
率層）とし、半導体レーザから放射されたレーザビーム
を光導波層に入力して導波させ、光導波層から出力させ
る。このとき、ＩＤＴ（inter−digital−transducer、
くし型電極）から光導波層に表面弾性波を発生させ、レ
ーザビームを偏向させる。レーザビームを光導波層に入
力又は出力させる結合は、プリズムを用いること、光導
波層端面を用いること及びグレーティングを用いること
が実用に供されている。グレーティングはプレーナ技術
によって作製でき、小型で安定した特性を有し、安価で
あり、従来から薄膜光導波路に光を入力又は出力するの
に用いられてきた。
いは基板に形成した低屈折率の光学バッファ層上に高屈
折率の光導波層を設け、光導波層の表面は空気（低屈折
率層）とし、半導体レーザから放射されたレーザビーム
を光導波層に入力して導波させ、光導波層から出力させ
る。このとき、ＩＤＴ（inter−digital−transducer、
くし型電極）から光導波層に表面弾性波を発生させ、レ
ーザビームを偏向させる。レーザビームを光導波層に入
力又は出力させる結合は、プリズムを用いること、光導
波層端面を用いること及びグレーティングを用いること
が実用に供されている。グレーティングはプレーナ技術
によって作製でき、小型で安定した特性を有し、安価で
あり、従来から薄膜光導波路に光を入力又は出力するの
に用いられてきた。
【０００３】しかし、グレーティングカプラは原理的に
光の回折現象を利用するため、基板の裏側へ透過してし
まう基板側放射光が存在し、光導波層を伝搬する導波光
の効率が本質的に５０％以下になり、結合効率が低下す
ることは避けられなかった。その解決方法として、基板
裏面の形状を加工したり、プリズムを設置して基板側放
射光を導波光と結合させることが知られている。しか
し、基板裏面を加工するという余分な工程や、プリズム
という別部品を設置しなければならない。しかも、この
ような結合を達成するためのグレーティングのピッチは
約０．２μｍとなり、その作製は非常に困難である。ま
た、断面形状が三角形のブレーズドグレーティングとす
ることも考えられるが、その設計、作製は複雑である。
光の回折現象を利用するため、基板の裏側へ透過してし
まう基板側放射光が存在し、光導波層を伝搬する導波光
の効率が本質的に５０％以下になり、結合効率が低下す
ることは避けられなかった。その解決方法として、基板
裏面の形状を加工したり、プリズムを設置して基板側放
射光を導波光と結合させることが知られている。しか
し、基板裏面を加工するという余分な工程や、プリズム
という別部品を設置しなければならない。しかも、この
ような結合を達成するためのグレーティングのピッチは
約０．２μｍとなり、その作製は非常に困難である。ま
た、断面形状が三角形のブレーズドグレーティングとす
ることも考えられるが、その設計、作製は複雑である。
【０００４】そこで、本発明の目的は、基板側放射光を
光導波層の導波光と結合させて結合効率の高いグレーテ
ィングカプラを提供することにある。
光導波層の導波光と結合させて結合効率の高いグレーテ
ィングカプラを提供することにある。
【０００５】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係るブレーズドグレーティングは、基板と
光導波層との界面に光反射層を設けた。光反射層は反射
率の高い金属膜（Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ等）が好ましい。本
発明においては、基板側放射光が前記光反射膜で反射さ
れ、光導波層を伝搬する導波光と結合され、結合効率が
向上する。
め、本発明に係るブレーズドグレーティングは、基板と
光導波層との界面に光反射層を設けた。光反射層は反射
率の高い金属膜（Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ等）が好ましい。本
発明においては、基板側放射光が前記光反射膜で反射さ
れ、光導波層を伝搬する導波光と結合され、結合効率が
向上する。
【０００６】また、結合効率をより高めるためには、光
反射層で反射された光がグレーティング上で入射光と位
相整合することが望ましい。それには、光導波層の膜厚
をこのような位相整合条件を満足するように設定すれば
よい。
反射層で反射された光がグレーティング上で入射光と位
相整合することが望ましい。それには、光導波層の膜厚
をこのような位相整合条件を満足するように設定すれば
よい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るグレーティン
グカプラの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。
グカプラの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。
【０００８】（光導波路デバイス、図１参照）図１は本
発明に係るグレーティングカプラを備えた光導波路デバ
イスを示し、概略、基板１０上に積層された光導波層２
０上に入射用グレーティング２１及び出射用グレーティ
ング２２を形成したものである。さらに、光導波層２０
上にはＩＤＴ２５が形成され、電源２６からこのＩＤＴ
２５に印加される電圧で連続的に周波数が変化する表面
弾性波を光導波層２０に発生させることで、導波光を偏
向させる。
発明に係るグレーティングカプラを備えた光導波路デバ
イスを示し、概略、基板１０上に積層された光導波層２
０上に入射用グレーティング２１及び出射用グレーティ
ング２２を形成したものである。さらに、光導波層２０
上にはＩＤＴ２５が形成され、電源２６からこのＩＤＴ
２５に印加される電圧で連続的に周波数が変化する表面
弾性波を光導波層２０に発生させることで、導波光を偏
向させる。
【０００９】（第１実施形態、図２参照）図２（Ａ）は
入射用グレーティングカプラでの光結合の様子、図２
（Ｂ）は出射用グレーティングカプラでの光結合の様子
を示している。それぞれのカプラは、ガラスあるいはサ
ファイアからなる基板１０上にＺｎＯからなる光導波層
２０を積層し、基板１０と光導波層２０との界面に金属
製光反射層１５を設けたものである。光導波層２０の表
面にはグレーティング２１，２２がそれぞれ形成されて
いる。
入射用グレーティングカプラでの光結合の様子、図２
（Ｂ）は出射用グレーティングカプラでの光結合の様子
を示している。それぞれのカプラは、ガラスあるいはサ
ファイアからなる基板１０上にＺｎＯからなる光導波層
２０を積層し、基板１０と光導波層２０との界面に金属
製光反射層１５を設けたものである。光導波層２０の表
面にはグレーティング２１，２２がそれぞれ形成されて
いる。
【００１０】グレーティング２１の点Ｂに入射した光Ｌ
2は導波光Ｌ4として光導波層２０を伝搬する。点Ａに入
射する光Ｌ1の基板側放射光Ｌ3は界面光反射層１５の点
Ｃで反射し、点Ｂで導波光Ｌ4と位相を合わせて伝搬す
る。一方、図２（Ｂ）に示すように、導波光Ｌ8はグレ
ーティング２２の点Ａから出射光Ｌ5として出力される
が、その基板側放射光Ｌ7は界面光反射層１５の点Ｃで
反射され、出射光Ｌ6として点Ｂから出力される。
2は導波光Ｌ4として光導波層２０を伝搬する。点Ａに入
射する光Ｌ1の基板側放射光Ｌ3は界面光反射層１５の点
Ｃで反射し、点Ｂで導波光Ｌ4と位相を合わせて伝搬す
る。一方、図２（Ｂ）に示すように、導波光Ｌ8はグレ
ーティング２２の点Ａから出射光Ｌ5として出力される
が、その基板側放射光Ｌ7は界面光反射層１５の点Ｃで
反射され、出射光Ｌ6として点Ｂから出力される。
【００１１】図３（Ａ），（Ｂ）は、界面光反射層が形
成されていない従来のグレーティングカプラでの光結合
の様子を参考のために示す。図３（Ａ）に示すように、
グレーティング２１に入射した光Ｌ9は、回折されて導
波モードとなる導波光Ｌ11と、非回折光であって基板１
０の裏面に漏洩する基板側放射光Ｌ10とに分かれる。
成されていない従来のグレーティングカプラでの光結合
の様子を参考のために示す。図３（Ａ）に示すように、
グレーティング２１に入射した光Ｌ9は、回折されて導
波モードとなる導波光Ｌ11と、非回折光であって基板１
０の裏面に漏洩する基板側放射光Ｌ10とに分かれる。
【００１２】これに対して、本発明に係るグレーティン
グカプラでは、図２（Ａ）に示したように、グレーティ
ング２１のＡ点に入射する光Ｌ1のうち、非回折光であ
る基板側放射光Ｌ3が界面光反射層１５上の点Ｃで反射
され、再びグレーティング２１の点Ｂに入射する。この
再入射光がグレーティング２１で回折されて導波光Ｌ 4
となる。この再入射光は従来では基板１０の裏面に漏洩
していた光であり、本発明では光の利用効率が向上す
る。
グカプラでは、図２（Ａ）に示したように、グレーティ
ング２１のＡ点に入射する光Ｌ1のうち、非回折光であ
る基板側放射光Ｌ3が界面光反射層１５上の点Ｃで反射
され、再びグレーティング２１の点Ｂに入射する。この
再入射光がグレーティング２１で回折されて導波光Ｌ 4
となる。この再入射光は従来では基板１０の裏面に漏洩
していた光であり、本発明では光の利用効率が向上す
る。
【００１３】また、導波光の出射に関しても、従来は図
３（Ｂ）に示すように、グレーティング２２で回折され
た導波光Ｌ14の基板側放射光Ｌ13は、そのまま基板１０
の裏面に漏洩していた。これに対して、本発明に係るグ
レーティングカプラでは、図２（Ｂ）に示したように、
導波光Ｌ8の基板側放射光Ｌ7は界面光反射層１５の点Ｃ
で反射され、再びグレーティング２２の点Ｂに入射す
る。この再入射光が非回折光として空気側に放射して出
射光Ｌ6となる。この再入射光は従来では基板１０の裏
面に漏洩していた光であり、本発明では出射部分でも光
の利用効率が向上する。
３（Ｂ）に示すように、グレーティング２２で回折され
た導波光Ｌ14の基板側放射光Ｌ13は、そのまま基板１０
の裏面に漏洩していた。これに対して、本発明に係るグ
レーティングカプラでは、図２（Ｂ）に示したように、
導波光Ｌ8の基板側放射光Ｌ7は界面光反射層１５の点Ｃ
で反射され、再びグレーティング２２の点Ｂに入射す
る。この再入射光が非回折光として空気側に放射して出
射光Ｌ6となる。この再入射光は従来では基板１０の裏
面に漏洩していた光であり、本発明では出射部分でも光
の利用効率が向上する。
【００１４】ところで入射結合に関して、空気（外部媒
質）側から点Ｂに入射する光Ｌ2と基板１０側から点Ｂ
に入射する光Ｌ1（基板側放射光Ｌ3）の位相が点Ｂで整
合すれば、この二つの入射光に起因する導波光Ｌ4は強
め合うことになる。即ち、導波光Ｌ4の強度は、以下の
式（１）で表される位相整合条件を満たしたとき、最大
となる。
質）側から点Ｂに入射する光Ｌ2と基板１０側から点Ｂ
に入射する光Ｌ1（基板側放射光Ｌ3）の位相が点Ｂで整
合すれば、この二つの入射光に起因する導波光Ｌ4は強
め合うことになる。即ち、導波光Ｌ4の強度は、以下の
式（１）で表される位相整合条件を満たしたとき、最大
となる。
【００１５】 ｜ＤＢ｜*−２｜ＡＣ｜*＝２ｍπ …（１） ｍ＝０，±１，±２，±３，…
【００１６】ここで、｜ＤＢ｜*は点ＤＢ間の位相差で
あり、入射光の波長をλ、媒質（空気）の屈折率を
ｎc、ＤＢ間の距離を｜ＤＢ｜とすると、以下の式
（２）で定義される。｜ＡＣ｜*についても同様に定義
される。 ｜ＤＢ｜*＝２πｎc｜ＤＢ｜／λ …（２）
あり、入射光の波長をλ、媒質（空気）の屈折率を
ｎc、ＤＢ間の距離を｜ＤＢ｜とすると、以下の式
（２）で定義される。｜ＡＣ｜*についても同様に定義
される。 ｜ＤＢ｜*＝２πｎc｜ＤＢ｜／λ …（２）
【００１７】次に、距離｜ＤＢ｜，｜ＡＣ｜，位相差｜
ＤＢ｜*，｜ＡＣ｜*の具体的な計算方法について説明す
る。 ｜ＤＢ｜＝２ｄfｔａｎαｓｉｎθ …（３） ｜ＡＣ｜＝ｄf／ｃｏｓα …（４） ｜ＤＢ｜*＝４πｎcｄfｔａｎαｓｉｎθ／λ …（５） ｜ＡＣ｜*＝２πｎfｄf／λｃｏｓα …（６）
ＤＢ｜*，｜ＡＣ｜*の具体的な計算方法について説明す
る。 ｜ＤＢ｜＝２ｄfｔａｎαｓｉｎθ …（３） ｜ＡＣ｜＝ｄf／ｃｏｓα …（４） ｜ＤＢ｜*＝４πｎcｄfｔａｎαｓｉｎθ／λ …（５） ｜ＡＣ｜*＝２πｎfｄf／λｃｏｓα …（６）
【００１８】前記式（３）〜（６）において、ｎfは光
導波層の屈折率、ｄfは光導波層の膜厚、ｎcは上部媒質
（空気）の屈折率、λは入射光の波長、θは入射角度を
示す。また、αは光導波層での屈折角度であり、以下の
式（７）で表される。 α＝ｓｉｎ-1（ｎcｓｉｎθ／ｎf） …（７）
導波層の屈折率、ｄfは光導波層の膜厚、ｎcは上部媒質
（空気）の屈折率、λは入射光の波長、θは入射角度を
示す。また、αは光導波層での屈折角度であり、以下の
式（７）で表される。 α＝ｓｉｎ-1（ｎcｓｉｎθ／ｎf） …（７）
【００１９】ここで、式（３）〜（６）を前式（１）へ
代入すると、位相整合の条件式は以下の式（８）で表さ
れることになる。 ２π{２ｎcｄfｔａｎαｓｉｎθ−（ｎfｄf／ｃｏｓα）}／λ＝２ｍπ …（８） ｍ＝０，±１，±２，±３，…
代入すると、位相整合の条件式は以下の式（８）で表さ
れることになる。 ２π{２ｎcｄfｔａｎαｓｉｎθ−（ｎfｄf／ｃｏｓα）}／λ＝２ｍπ …（８） ｍ＝０，±１，±２，±３，…
【００２０】次に、図２（Ａ），（Ｂ）に示すグレーテ
ィングカプラをその製造方法と共に具体的に説明する。
基板１０としてはサファイアＣ面を用いた（図４（１）
参照）。光反射層１５としてはＡｕを用い、マグネトロ
ンスパッタ法、真空蒸着法等により基板１０上に成膜し
た（図４（２）参照、符号３１は成膜時に用いるマスク
を示す）。この光反射層１５上に成膜される光導波層２
０の結晶性、配向性、表面荒さ等は、基板１０上に直接
成膜した光導波層よりも劣化する場合があるため、光反
射層１５の膜厚は、必要な反射率を確保した上で、でき
るだけ薄くすることが望ましい。本発明者らの実験では
０．１μｍに成膜した。また、同様の理由により、スパ
ッタ時にマスク３１を設けることにより、光反射膜１５
をグレーティング２１，２２に対応する部分にのみ成膜
した。
ィングカプラをその製造方法と共に具体的に説明する。
基板１０としてはサファイアＣ面を用いた（図４（１）
参照）。光反射層１５としてはＡｕを用い、マグネトロ
ンスパッタ法、真空蒸着法等により基板１０上に成膜し
た（図４（２）参照、符号３１は成膜時に用いるマスク
を示す）。この光反射層１５上に成膜される光導波層２
０の結晶性、配向性、表面荒さ等は、基板１０上に直接
成膜した光導波層よりも劣化する場合があるため、光反
射層１５の膜厚は、必要な反射率を確保した上で、でき
るだけ薄くすることが望ましい。本発明者らの実験では
０．１μｍに成膜した。また、同様の理由により、スパ
ッタ時にマスク３１を設けることにより、光反射膜１５
をグレーティング２１，２２に対応する部分にのみ成膜
した。
【００２１】さらに、光導波層２０としてはＺｎＯ（ｎ
f：１．９９）を用い、マグネトロンスパッタ法で成膜
した（図４（３）参照）。光導波層２０の膜厚は、前述
した位相整合条件を考慮して１．０７μｍとした。グレ
ーティング２１，２２は、光導波層２０上に塗布したフ
ォトレジスト３２を電子線描画法でパターニングし（図
４（４）参照）、リアクティブイオンエッチング法でエ
ッチングし（図４（５）参照）、その後フォトレジスト
３２をアッシングにて除去することで完成させた（図４
（６）参照）。
f：１．９９）を用い、マグネトロンスパッタ法で成膜
した（図４（３）参照）。光導波層２０の膜厚は、前述
した位相整合条件を考慮して１．０７μｍとした。グレ
ーティング２１，２２は、光導波層２０上に塗布したフ
ォトレジスト３２を電子線描画法でパターニングし（図
４（４）参照）、リアクティブイオンエッチング法でエ
ッチングし（図４（５）参照）、その後フォトレジスト
３２をアッシングにて除去することで完成させた（図４
（６）参照）。
【００２２】以上の如く作製された光導波路に対して、
光源としてＨｅ−Ｎｅレーザ（λ：０．６３２８μｍ）
を用いて入射光強度と出射光強度を測定し、光導波損失
の影響を考慮して結合効率を算出した。導波モードはＴ
Ｅ０モードを用い、そのときの入射角度は６６．６°で
あった。測定の結果、結合効率は従来例の１５％から５
０％へと改善された。
光源としてＨｅ−Ｎｅレーザ（λ：０．６３２８μｍ）
を用いて入射光強度と出射光強度を測定し、光導波損失
の影響を考慮して結合効率を算出した。導波モードはＴ
Ｅ０モードを用い、そのときの入射角度は６６．６°で
あった。測定の結果、結合効率は従来例の１５％から５
０％へと改善された。
【００２３】（第２実施形態、図５参照）本第２実施形
態は、図５に示すように、グレーティング２３を基板１
０と光導波層２０との界面に形成したものである。この
場合、基板１０上にグレーティング２３を形成し、この
グレーティング２３上に金属光反射層１６を密着性よく
成膜する。
態は、図５に示すように、グレーティング２３を基板１
０と光導波層２０との界面に形成したものである。この
場合、基板１０上にグレーティング２３を形成し、この
グレーティング２３上に金属光反射層１６を密着性よく
成膜する。
【００２４】（第３実施形態、図６参照）本第３実施形
態は、図６に示すように、光反射層１７を４層のマルチ
コートによって成膜したものである。以下の第１表は各
層の材料、屈折率、膜厚の一例を示す。マルチコートは
真空蒸着法、スパッタ法等で成膜する。
態は、図６に示すように、光反射層１７を４層のマルチ
コートによって成膜したものである。以下の第１表は各
層の材料、屈折率、膜厚の一例を示す。マルチコートは
真空蒸着法、スパッタ法等で成膜する。
【００２５】
【表１】
【００２６】図６の構成では、光導波層２０から基板１
０に入射する光の入射角度は２７．５°になる。この場
合、基板１０と光導波層２０との界面での反射率は波長
λが０．６３２８μｍのとき、第１表に示した構成の光
反射層１７を用いると、約８０％になる。図７はこの光
反射層１７の波長に対する反射率を示す。
０に入射する光の入射角度は２７．５°になる。この場
合、基板１０と光導波層２０との界面での反射率は波長
λが０．６３２８μｍのとき、第１表に示した構成の光
反射層１７を用いると、約８０％になる。図７はこの光
反射層１７の波長に対する反射率を示す。
【００２７】（他の実施形態）なお、本発明に係るグレ
ーティングカプラは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
特に、基板としてはサファイアやガラス以外に、シリコ
ンを用いてもよい。シリコンを基板として用いる場合
は、その表面に光学バッファ層としてＳｉＯ2（屈折率
１．４６）を熱酸化法等で形成する。
ーティングカプラは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
特に、基板としてはサファイアやガラス以外に、シリコ
ンを用いてもよい。シリコンを基板として用いる場合
は、その表面に光学バッファ層としてＳｉＯ2（屈折率
１．４６）を熱酸化法等で形成する。
【図１】本発明に係るグレーティングカプラを備えた光
導波路デバイスを示す斜視図。
導波路デバイスを示す斜視図。
【図２】本発明の第１実施形態であるグレーティングカ
プラにおける光結合状態を示す説明図、（Ａ）は入射
部、（Ｂ）は出射部を示す。
プラにおける光結合状態を示す説明図、（Ａ）は入射
部、（Ｂ）は出射部を示す。
【図３】従来のグレーティングカプラにおける光結合状
態を示す説明図、（Ａ）は入射部、（Ｂ）は出射部を示
す。
態を示す説明図、（Ａ）は入射部、（Ｂ）は出射部を示
す。
【図４】図２に示したグレーティングカプラの作製プロ
セスの説明図。
セスの説明図。
【図５】本発明の第２実施形態であるグレーティングカ
プラにおける光結合状態を示す説明図。
プラにおける光結合状態を示す説明図。
【図６】本発明の第３実施形態であるグレーティングカ
プラにおける光結合状態を示す説明図。
プラにおける光結合状態を示す説明図。
【図７】図６に示した光反射層での波長に対する反射率
を示すグラフ。
を示すグラフ。
１０…基板 １５，１６，１７…光反射層 ２０…光導波層 ２１，２２，２３…グレーティング
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に設けられた光導波
層と、外部と光導波層とを光学的に結合するグレーティ
ングとを備えたグレーティングカプラにおいて、前記基
板と前記光導波層との界面に光反射層を設けたことを特
徴とするグレーティングカプラ。 - 【請求項２】 以下の式を満足するように前記光導波層
の膜厚が設定されていること。 ２π｛２ｎcｄfｔａｎαｓｉｎθ−（ｎfｄf／ｃｏｓ
α）｝／λ＝２ｍπ ｍ＝０，±１，±２，±３，… ｎc：光導波層上の媒質の屈折率 ｄf：光導波層の膜厚 ｎf：光導波層の屈折率 θ：光導波層への入射角度 α：光導波層での屈折角度 を特徴とする請求項１記載のグレーティングカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8633898A JPH11281833A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | グレーティングカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8633898A JPH11281833A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | グレーティングカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11281833A true JPH11281833A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13884075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8633898A Pending JPH11281833A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | グレーティングカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11281833A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101915965A (zh) * | 2010-08-23 | 2010-12-15 | 清华大学 | 光栅耦合器及其封装结构 |
| WO2014061719A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 国立大学法人北海道大学 | 光電変換装置、建築物および電子機器 |
| JP2019185037A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-24 | 中強光電股▲ふん▼有限公司 | 光導波装置及び表示器 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8633898A patent/JPH11281833A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101915965A (zh) * | 2010-08-23 | 2010-12-15 | 清华大学 | 光栅耦合器及其封装结构 |
| WO2014061719A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 国立大学法人北海道大学 | 光電変換装置、建築物および電子機器 |
| JPWO2014061719A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2016-09-05 | 国立大学法人北海道大学 | 光電変換装置、建築物および電子機器 |
| JP2019185037A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-24 | 中強光電股▲ふん▼有限公司 | 光導波装置及び表示器 |
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