JPH11281854A - 光ファイバ接続装置 - Google Patents
光ファイバ接続装置Info
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- JPH11281854A JPH11281854A JP10098251A JP9825198A JPH11281854A JP H11281854 A JPH11281854 A JP H11281854A JP 10098251 A JP10098251 A JP 10098251A JP 9825198 A JP9825198 A JP 9825198A JP H11281854 A JPH11281854 A JP H11281854A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光変調器等の電気−光素子と光ファイバとを
接続する際の光軸調整や電気接続等が容易である光ファ
イバ接続装置を提供する。 【解決手段】 上面に第１〜ｎの電極が形成され光ファ
イバと近接して光信号を出射または入射する電気−光素
子を底部の上面あるいは所定位置に載置し、下面の第１
から第ｎの電極と対向する位置に各々対応する第１から
第ｎの接続電気パターンが形成された蓋部と底部との
間、ならびに底部から上面方向に突出しさらには電気−
光素子の側面を囲う把持部材と蓋部との間に各々電気−
光素子と光ファイバとを挟持する。これら把持部材の上
部に光ファイバの把持位置を決定する第１の溝を形成
し、蓋部の下面に光ファイバの把持位置を決定する第２
の溝を形成し、電気−光素子と光ファイバとで光軸を合
わせる。
接続する際の光軸調整や電気接続等が容易である光ファ
イバ接続装置を提供する。 【解決手段】 上面に第１〜ｎの電極が形成され光ファ
イバと近接して光信号を出射または入射する電気−光素
子を底部の上面あるいは所定位置に載置し、下面の第１
から第ｎの電極と対向する位置に各々対応する第１から
第ｎの接続電気パターンが形成された蓋部と底部との
間、ならびに底部から上面方向に突出しさらには電気−
光素子の側面を囲う把持部材と蓋部との間に各々電気−
光素子と光ファイバとを挟持する。これら把持部材の上
部に光ファイバの把持位置を決定する第１の溝を形成
し、蓋部の下面に光ファイバの把持位置を決定する第２
の溝を形成し、電気−光素子と光ファイバとで光軸を合
わせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信ケーブル
に挿入される中継器等に用いて好適な光ファイバ接続装
置に関する。
に挿入される中継器等に用いて好適な光ファイバ接続装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬｉＮｂＯ3あるいはＬｉＴａＯ3は、電
気光学効果を利用した光制御デバイス材料、および非線
形材料として注目されてきた結晶である。最近では、高
速光変調器が大容量光通信用の外部変調器として実用化
されつつある。
気光学効果を利用した光制御デバイス材料、および非線
形材料として注目されてきた結晶である。最近では、高
速光変調器が大容量光通信用の外部変調器として実用化
されつつある。
【０００３】こういった外部変調器は、現状で広帯域化
が計られている。しかしその一方で、光通信分野の装置
の高密度実装化に伴うデバイスの小型化、あるいは操作
性向上という装置側からの要求については応えられてい
ない状況である。
が計られている。しかしその一方で、光通信分野の装置
の高密度実装化に伴うデバイスの小型化、あるいは操作
性向上という装置側からの要求については応えられてい
ない状況である。
【０００４】従来の光変調器としては、例えば誘電体結
晶基板上に分岐型の光導波路を設け、進行波電極で駆動
するマッハツェンダ型光変調器が知られている。図３
は、こういった従来の光変調器の構成例を示す斜視図で
ある。
晶基板上に分岐型の光導波路を設け、進行波電極で駆動
するマッハツェンダ型光変調器が知られている。図３
は、こういった従来の光変調器の構成例を示す斜視図で
ある。
【０００５】図３に示される光変調器は、電気光学効果
を有するＬｉＮｂＯ3基板１１１の上面に、Ｔｉ熱拡散
によって２つの平行する光導波路（図示省略）を有する
分岐干渉型の光導波路１１２を形成している。
を有するＬｉＮｂＯ3基板１１１の上面に、Ｔｉ熱拡散
によって２つの平行する光導波路（図示省略）を有する
分岐干渉型の光導波路１１２を形成している。
【０００６】また光導波路１１２を有する面上には、Ｓ
ｉＯ2等によりバッファ層（図示省略）が形成され、さ
らにバッファ層の上面には、進行波電極として信号電極
１１４ａおよび接地電極１１４ｂから構成される非対称
のコプレーナ線路（図示省略）が形成され、これらが変
調素子１０１を構成している。
ｉＯ2等によりバッファ層（図示省略）が形成され、さ
らにバッファ層の上面には、進行波電極として信号電極
１１４ａおよび接地電極１１４ｂから構成される非対称
のコプレーナ線路（図示省略）が形成され、これらが変
調素子１０１を構成している。
【０００７】また信号電極１１４ａは、分岐された光導
波路上に位置し、外部からの変調用マイクロ波信号給電
部と、Ａｕ／Ｓｎや熱圧着あるいはワイヤボンディング
等によって接続されている。また接地電極１１４ｂは、
分岐されたもう一方の光導波路上に位置し、接地されて
いる。
波路上に位置し、外部からの変調用マイクロ波信号給電
部と、Ａｕ／Ｓｎや熱圧着あるいはワイヤボンディング
等によって接続されている。また接地電極１１４ｂは、
分岐されたもう一方の光導波路上に位置し、接地されて
いる。
【０００８】変調素子１０１の両端には、バットカップ
リングによる接着面積を大きくして確実な光軸固着にす
るために、２［ｍｍ］角程度のＬｉＮｂＯ3ブロック１１
６が接着される。変調素子１０１とファイバ１０３と
は、ファイバ１０３のフェルール１３１とＬｉＮｂＯ3
ブロック１１６との光軸調整後、光学系接着剤で接続さ
れる。
リングによる接着面積を大きくして確実な光軸固着にす
るために、２［ｍｍ］角程度のＬｉＮｂＯ3ブロック１１
６が接着される。変調素子１０１とファイバ１０３と
は、ファイバ１０３のフェルール１３１とＬｉＮｂＯ3
ブロック１１６との光軸調整後、光学系接着剤で接続さ
れる。
【０００９】実装された変調素子１０１の信号電極１１
４ａに電圧を印加すると、信号電極１１４ａと接地電極
１１４ｂとの間に電界が加わり、電気光学効果により分
岐光導波路である光導波路の間に屈折率の変化が生じ
る。この結果、光導波路を伝播する光に位相差が生じ、
その後、合波されることにより変調された光が出力され
る。
４ａに電圧を印加すると、信号電極１１４ａと接地電極
１１４ｂとの間に電界が加わり、電気光学効果により分
岐光導波路である光導波路の間に屈折率の変化が生じ
る。この結果、光導波路を伝播する光に位相差が生じ、
その後、合波されることにより変調された光が出力され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
導波路型光変調器では、光導波路保護用のブロックによ
り素子が固定されて光導波路の観察が不可能となり、こ
のため顕微鏡等を使用した目視による光ファイバとの光
軸調整が困難である。
導波路型光変調器では、光導波路保護用のブロックによ
り素子が固定されて光導波路の観察が不可能となり、こ
のため顕微鏡等を使用した目視による光ファイバとの光
軸調整が困難である。
【００１１】従って、光パワーメータ等による光出力を
確認しながら光軸調整をする必要がある。この調整の結
果、最も挿入損失が低下した状態で、紫外線硬化型接着
剤や熱硬化型の接着剤で硬化させる。
確認しながら光軸調整をする必要がある。この調整の結
果、最も挿入損失が低下した状態で、紫外線硬化型接着
剤や熱硬化型の接着剤で硬化させる。
【００１２】即ち、固定した素子に対して、フェルール
端面を微動させて光軸調整する。しかしながら、このよ
うな調整は作業性が悪く、再現性や作業者による調整レ
ベルの不均一性がある。この場合、固着に際した硬化中
に生じる光軸ずれや硬化不足によって挿入損失の変動が
発生するといった問題もある。
端面を微動させて光軸調整する。しかしながら、このよ
うな調整は作業性が悪く、再現性や作業者による調整レ
ベルの不均一性がある。この場合、固着に際した硬化中
に生じる光軸ずれや硬化不足によって挿入損失の変動が
発生するといった問題もある。
【００１３】また、ＬｉＮｂＯ3やＬｉＴａＯ3といった
光制御デバイス材料において、電気光学効果を利用する
変調素子は小さく、基板自体も薄くなっている。さらに
電極部分は非常に微細であり、電極の接続が特性に大き
く影響する。
光制御デバイス材料において、電気光学効果を利用する
変調素子は小さく、基板自体も薄くなっている。さらに
電極部分は非常に微細であり、電極の接続が特性に大き
く影響する。
【００１４】即ち、電極接続の際に熱圧着やワイヤボン
ディング等によって、基板に応力が加わったり高温の熱
が加わったりすることで、素子の割れや焦電効果が起こ
り、特性劣化をもたらすことがある。また、このような
工程は、作業性も悪い。
ディング等によって、基板に応力が加わったり高温の熱
が加わったりすることで、素子の割れや焦電効果が起こ
り、特性劣化をもたらすことがある。また、このような
工程は、作業性も悪い。
【００１５】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、光変調器等の電気−光素子と光ファイバとを
接続する際の光軸調整や電気接続等が容易である光ファ
イバ接続装置を提供することを目的としている。
たもので、光変調器等の電気−光素子と光ファイバとを
接続する際の光軸調整や電気接続等が容易である光ファ
イバ接続装置を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に記載の発明にあっては、光ファイバ
と近接して光信号を出射または入射する電気−光素子を
上面に載置する底部と、前記底部から上面方向に突出し
前記光ファイバを固定する把持部材と、その下面が前記
底部の上面に載置された前記電気−光素子の上面ならび
に前記把持部の上部と対向し且つ当該底部との間に当該
電気−光素子を挟持するとともに当該把持部との間に前
記光ファイバを挟持する蓋部とからなることを特徴とす
る。また、請求項２に記載の発明にあっては、光ファイ
バと近接して光信号を出射または入射する電気−光素子
を所定位置に載置する底部と、前記底部から上面方向に
突出するとともに前記電気−光素子の側面を囲い且つ前
記光ファイバを固定する把持部材と、その下面が前記底
部の上面に載置された前記電気−光素子の上面ならびに
前記把持部の上部と対向し且つ当該底部との間に当該電
気−光素子を挟持するとともに当該把持部との間に前記
光ファイバを挟持する蓋部とからなることを特徴とす
る。また、請求項３に記載の発明にあっては、請求項１
または請求項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置で
は、前記把持部材の上部には、前記光ファイバの把持位
置を決定する第１の溝が形成されていることを特徴とす
る。また、請求項４に記載の発明にあっては、請求項１
または請求項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置で
は、前記蓋部の下面には、前記光ファイバの把持位置を
決定する第２の溝が形成されていることを特徴とする。
また、請求項５に記載の発明にあっては、請求項１また
は請求項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置では、
前記把持部材の上部には、前記光ファイバの把持位置を
決定する第１の溝が形成され、前記蓋部の下面には、前
記光ファイバの把持位置を決定する第２の溝が形成され
ていることを特徴とする。また、請求項６に記載の発明
にあっては、請求項１ないし請求項５の何れかに記載の
光ファイバ接続装置では、前記電気−光素子の上面には
第１から第ｎ（ｎは２以上の整数）の電極が形成され、
前記蓋部の下面において前記第１から第ｎの電極と対向
する位置には各々対応する第１から第ｎの接続電気パタ
ーンが形成されていることを特徴とする。また、請求項
７に記載の発明にあっては、請求項６に記載の光ファイ
バ接続装置では、前記把持部材の上面において第１から
第ｎの接続電気パターンと対向する位置には各々対応す
る第１から第ｎの入出力電気パターンが形成されている
ことを特徴とする。また、請求項８に記載の発明にあっ
ては、請求項１ないし請求項７の何れかに記載の光ファ
イバ接続装置では、前記電気−光素子は、側面の何れか
１面から光信号を出射する発光素子または当該側面の何
れか１面に光信号が入射する受光素子であることを特徴
とする。また、請求項９に記載の発明にあっては、請求
項１ないし請求項７の何れかに記載の光ファイバ接続装
置では、前記電気−光素子は、側面の何れか１面に光信
号が入射するとともに当該光信号に変調を与え、前記側
面の他の１面から前記変調された光信号を出射する光変
調素子であることを特徴とする。
ために、請求項１に記載の発明にあっては、光ファイバ
と近接して光信号を出射または入射する電気−光素子を
上面に載置する底部と、前記底部から上面方向に突出し
前記光ファイバを固定する把持部材と、その下面が前記
底部の上面に載置された前記電気−光素子の上面ならび
に前記把持部の上部と対向し且つ当該底部との間に当該
電気−光素子を挟持するとともに当該把持部との間に前
記光ファイバを挟持する蓋部とからなることを特徴とす
る。また、請求項２に記載の発明にあっては、光ファイ
バと近接して光信号を出射または入射する電気−光素子
を所定位置に載置する底部と、前記底部から上面方向に
突出するとともに前記電気−光素子の側面を囲い且つ前
記光ファイバを固定する把持部材と、その下面が前記底
部の上面に載置された前記電気−光素子の上面ならびに
前記把持部の上部と対向し且つ当該底部との間に当該電
気−光素子を挟持するとともに当該把持部との間に前記
光ファイバを挟持する蓋部とからなることを特徴とす
る。また、請求項３に記載の発明にあっては、請求項１
または請求項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置で
は、前記把持部材の上部には、前記光ファイバの把持位
置を決定する第１の溝が形成されていることを特徴とす
る。また、請求項４に記載の発明にあっては、請求項１
または請求項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置で
は、前記蓋部の下面には、前記光ファイバの把持位置を
決定する第２の溝が形成されていることを特徴とする。
また、請求項５に記載の発明にあっては、請求項１また
は請求項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置では、
前記把持部材の上部には、前記光ファイバの把持位置を
決定する第１の溝が形成され、前記蓋部の下面には、前
記光ファイバの把持位置を決定する第２の溝が形成され
ていることを特徴とする。また、請求項６に記載の発明
にあっては、請求項１ないし請求項５の何れかに記載の
光ファイバ接続装置では、前記電気−光素子の上面には
第１から第ｎ（ｎは２以上の整数）の電極が形成され、
前記蓋部の下面において前記第１から第ｎの電極と対向
する位置には各々対応する第１から第ｎの接続電気パタ
ーンが形成されていることを特徴とする。また、請求項
７に記載の発明にあっては、請求項６に記載の光ファイ
バ接続装置では、前記把持部材の上面において第１から
第ｎの接続電気パターンと対向する位置には各々対応す
る第１から第ｎの入出力電気パターンが形成されている
ことを特徴とする。また、請求項８に記載の発明にあっ
ては、請求項１ないし請求項７の何れかに記載の光ファ
イバ接続装置では、前記電気−光素子は、側面の何れか
１面から光信号を出射する発光素子または当該側面の何
れか１面に光信号が入射する受光素子であることを特徴
とする。また、請求項９に記載の発明にあっては、請求
項１ないし請求項７の何れかに記載の光ファイバ接続装
置では、前記電気−光素子は、側面の何れか１面に光信
号が入射するとともに当該光信号に変調を与え、前記側
面の他の１面から前記変調された光信号を出射する光変
調素子であることを特徴とする。
【００１７】この発明によれば、上面に第１〜ｎの電極
が形成され光ファイバと近接して光信号を出射または入
射する電気−光素子を底部の上面あるいは所定位置に載
置し、下面の第１から第ｎの電極と対向する位置に各々
対応する第１から第ｎの接続電気パターンが形成された
蓋部と底部との間、ならびに底部から上面方向に突出し
さらには電気−光素子の側面を囲う把持部材と蓋部との
間に各々電気−光素子と光ファイバとを挟持する。この
把持部材の上部に光ファイバの把持位置を決定する第１
の溝を形成し、または蓋部の下面に光ファイバの把持位
置を決定する第２の溝を形成し、あるいは把持部材の上
部に光ファイバの把持位置を決定する第１の溝を形成す
るとともに蓋部の下面に光ファイバの把持位置を決定す
る第２の溝を形成し、電気−光素子と光ファイバとで光
軸を合わせる。
が形成され光ファイバと近接して光信号を出射または入
射する電気−光素子を底部の上面あるいは所定位置に載
置し、下面の第１から第ｎの電極と対向する位置に各々
対応する第１から第ｎの接続電気パターンが形成された
蓋部と底部との間、ならびに底部から上面方向に突出し
さらには電気−光素子の側面を囲う把持部材と蓋部との
間に各々電気−光素子と光ファイバとを挟持する。この
把持部材の上部に光ファイバの把持位置を決定する第１
の溝を形成し、または蓋部の下面に光ファイバの把持位
置を決定する第２の溝を形成し、あるいは把持部材の上
部に光ファイバの把持位置を決定する第１の溝を形成す
るとともに蓋部の下面に光ファイバの把持位置を決定す
る第２の溝を形成し、電気−光素子と光ファイバとで光
軸を合わせる。
【００１８】
【発明の実施の形態】Ａ．第１の実施の形態 以下に、本発明について説明する。図１は、本発明の第
１の実施の形態にかかる光ファイバ接続装置の構成を示
す斜視図である。図１では、ＬｉＮｂＯ3あるいはＬｉ
ＴａＯ3といったような電気光学効果を持つ誘電体結晶
（図示省略）に、２つの平行する光導波路１２ａ（図１
では一部省略）を有する分岐干渉型の光導波路と、広帯
域での動作を実現するためのバッファ層（図示省略）と
を形成している。
１の実施の形態にかかる光ファイバ接続装置の構成を示
す斜視図である。図１では、ＬｉＮｂＯ3あるいはＬｉ
ＴａＯ3といったような電気光学効果を持つ誘電体結晶
（図示省略）に、２つの平行する光導波路１２ａ（図１
では一部省略）を有する分岐干渉型の光導波路と、広帯
域での動作を実現するためのバッファ層（図示省略）と
を形成している。
【００１９】さらに分岐された一方である光導波路１２
ａと対向して位置する信号電極１４ａと他方の分岐され
た光導波路上に位置する接地電極１４ｂとからなる厚膜
Ａｕ電極（図示省略）とを形成し、これを変調素子１と
している。
ａと対向して位置する信号電極１４ａと他方の分岐され
た光導波路上に位置する接地電極１４ｂとからなる厚膜
Ａｕ電極（図示省略）とを形成し、これを変調素子１と
している。
【００２０】この変調素子１を、凹部２ａと凸部２ｂと
が形成されたＳｉ基板２上の凹部２ａに配置する。さら
に、凸部２ｂにはＶ溝２１を形成し、ファイバ３を配置
する。そして、凹部２ａに配置した変調素子１と、凸部
２ｂのＶ溝２１に配置したファイバ３の光軸とに一致さ
せるように変調素子１を固定する。
が形成されたＳｉ基板２上の凹部２ａに配置する。さら
に、凸部２ｂにはＶ溝２１を形成し、ファイバ３を配置
する。そして、凹部２ａに配置した変調素子１と、凸部
２ｂのＶ溝２１に配置したファイバ３の光軸とに一致さ
せるように変調素子１を固定する。
【００２１】さらに本発明では、Ｓｉ基板４に電極のパ
ターニング４１、４１・・・とＶ溝４２とを施すことに
より、ファイバ抑えと同時に変調素子１との電気接続を
可能としている。
ターニング４１、４１・・・とＶ溝４２とを施すことに
より、ファイバ抑えと同時に変調素子１との電気接続を
可能としている。
【００２２】以下に、本実施の形態の製造方法について
説明する。まず、部材の製造方法としては、Ｓｉ基板２
に変調素子１を形成するために、ドライエッチング（ミ
リング）とウェットエッチングとにより深さ２００［μ
ｍ］の凹部２ａを形成する。
説明する。まず、部材の製造方法としては、Ｓｉ基板２
に変調素子１を形成するために、ドライエッチング（ミ
リング）とウェットエッチングとにより深さ２００［μ
ｍ］の凹部２ａを形成する。
【００２３】一方、Ｓｉ基板２の凸部２ｂにおける変調
素子１を凹部２ａに配置した際の光導波路（図示省略）
の光軸上に、ＫＯＨによるウェットエッチングでＶ溝２
１を形成する。ただしＶ溝２１は、クラッド径が１２５
［μｍ］のファイバ３のコアが、Ｓｉ基板２の表面から
深さ１５［μｍ］の部位に位置するように形成する。
素子１を凹部２ａに配置した際の光導波路（図示省略）
の光軸上に、ＫＯＨによるウェットエッチングでＶ溝２
１を形成する。ただしＶ溝２１は、クラッド径が１２５
［μｍ］のファイバ３のコアが、Ｓｉ基板２の表面から
深さ１５［μｍ］の部位に位置するように形成する。
【００２４】また、ファイバ抑えであり且つ電極給電部
となるＳｉ基板４には、変調素子１の電極パターンに合
わせて、スパッタもしくは蒸着により厚さ１［μｍ］の
Ａｕ電極パターン（パターンニング４１）を形成する。
となるＳｉ基板４には、変調素子１の電極パターンに合
わせて、スパッタもしくは蒸着により厚さ１［μｍ］の
Ａｕ電極パターン（パターンニング４１）を形成する。
【００２５】さらに、その電極パターン（パターンニン
グ４１）をレジストでマスクした状態で、ＫＯＨにより
ウエットエッチングし、Ｖ溝４２を形成する。このＶ溝
４２も電極接続に影響してくるので、深さ方向が５５
［μｍ］となるように形成する。
グ４１）をレジストでマスクした状態で、ＫＯＨにより
ウエットエッチングし、Ｖ溝４２を形成する。このＶ溝
４２も電極接続に影響してくるので、深さ方向が５５
［μｍ］となるように形成する。
【００２６】次に、変調素子１の実装方法としては、凹
部２ａおよび凸部２ｂが形成されたＳｉ基板２のＶ溝２
１に、クラッド径が１２５［μｍ］のファイバ３を配置
し、凹部２ａで変調素子１を動かし、光軸調整する。
部２ａおよび凸部２ｂが形成されたＳｉ基板２のＶ溝２
１に、クラッド径が１２５［μｍ］のファイバ３を配置
し、凹部２ａで変調素子１を動かし、光軸調整する。
【００２７】本実施の形態では変調素子１の光導波路に
合わせてＶ溝２１も形成されており、また凹部２ａも素
子長を考慮して作られているので、簡単に光軸調整がで
きる。
合わせてＶ溝２１も形成されており、また凹部２ａも素
子長を考慮して作られているので、簡単に光軸調整がで
きる。
【００２８】さらに、素子を紫外線硬化型接着剤等で固
定する。ファイバ３についても紫外線硬化型接着剤を塗
布しておき、電極パターン（パターンニング４１、４１
・・・）が形成されたＳｉ基板４のＶ溝４２をファイバ
抑えとしておく。これにより、変調素子１の厚膜Ａｕ電
極とＳｉ基板４の電極（パターンニング４１、４１・・
・）とが接触し、光軸固定と電極接続とが一度に実現さ
れる。
定する。ファイバ３についても紫外線硬化型接着剤を塗
布しておき、電極パターン（パターンニング４１、４１
・・・）が形成されたＳｉ基板４のＶ溝４２をファイバ
抑えとしておく。これにより、変調素子１の厚膜Ａｕ電
極とＳｉ基板４の電極（パターンニング４１、４１・・
・）とが接触し、光軸固定と電極接続とが一度に実現さ
れる。
【００２９】Ｂ．第２の実施の形態 以下に、本発明について説明する。図２は、本発明の第
２の実施の形態にかかる光ファイバ接続装置の構成を示
す斜視図である。なお図２において、図１に示す各部と
対応する部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。
２の実施の形態にかかる光ファイバ接続装置の構成を示
す斜視図である。なお図２において、図１に示す各部と
対応する部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。
【００３０】図２では、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3のよ
うな電気光学効果を持った誘電体結晶に、２つの平行す
る光導波路（図示省略）を有する分岐干渉型の光導波路
（図示省略）と、広帯域での動作を実現するためのバッ
ファ層とを形成している。
うな電気光学効果を持った誘電体結晶に、２つの平行す
る光導波路（図示省略）を有する分岐干渉型の光導波路
（図示省略）と、広帯域での動作を実現するためのバッ
ファ層とを形成している。
【００３１】さらに分岐された一方である光導波路に対
向して位置する信号電極１４ａと他方の分岐された光導
波路上に位置する接地電極１４ｂとからなる厚膜Ａｕ電
極を形成し、これらを変調素子１とする。
向して位置する信号電極１４ａと他方の分岐された光導
波路上に位置する接地電極１４ｂとからなる厚膜Ａｕ電
極を形成し、これらを変調素子１とする。
【００３２】この変調素子１は、中央部にこの変調素子
１が配置できるようにエッチングされたＳｉ基板２に配
置する。この場合、変調素子１が配置されたときに光導
波路の光軸と一致するようにＶ溝２１を形成し、素子１
の電極パターンの延長上になるようにＳｉ基板２上に電
極パターニングを形成する。
１が配置できるようにエッチングされたＳｉ基板２に配
置する。この場合、変調素子１が配置されたときに光導
波路の光軸と一致するようにＶ溝２１を形成し、素子１
の電極パターンの延長上になるようにＳｉ基板２上に電
極パターニングを形成する。
【００３３】さらにＶ溝２１に配置されたファイバ３の
抑えとして、変調素子１を覆う大きさのＳｉ基板４に、
変調素子１の電極パターンである厚膜Ａｕ電極と変調素
子１が搭載されているＳｉ基板２の電極パターニングと
を接続させる電極を、パターニング４１、４１・・・と
して形成する。
抑えとして、変調素子１を覆う大きさのＳｉ基板４に、
変調素子１の電極パターンである厚膜Ａｕ電極と変調素
子１が搭載されているＳｉ基板２の電極パターニングと
を接続させる電極を、パターニング４１、４１・・・と
して形成する。
【００３４】さらに、これらが確実に接触し且つファイ
バ３が抑えられるように、Ｖ溝４２を形成する。そし
て、配置した変調素子１とＶ溝２１に配置したファイバ
３の光軸とが一致するように変調素子１を固定し、変調
素子１をＳｉ基板４で覆う。
バ３が抑えられるように、Ｖ溝４２を形成する。そし
て、配置した変調素子１とＶ溝２１に配置したファイバ
３の光軸とが一致するように変調素子１を固定し、変調
素子１をＳｉ基板４で覆う。
【００３５】これにより、入射側の光軸固定と出射側の
光軸固定とが同時にできるとともに、変調素子１と電気
接続がされる。また変調素子１が覆われることにより、
外部から変調素子１が保護される。
光軸固定とが同時にできるとともに、変調素子１と電気
接続がされる。また変調素子１が覆われることにより、
外部から変調素子１が保護される。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、上面に第１〜ｎの電極が形成され光ファイバと近接
して光信号を出射または入射する電気−光素子を底部の
上面あるいは所定位置に載置し、下面の第１から第ｎの
電極と対向する位置に各々対応する第１から第ｎの接続
電気パターンが形成された蓋部と底部との間、ならびに
底部から上面方向に突出しさらには電気−光素子の側面
を囲う把持部材と蓋部との間に各々電気−光素子と光フ
ァイバとを挟持する。この把持部材の上部に光ファイバ
の把持位置を決定する第１の溝を形成し、または蓋部の
下面に光ファイバの把持位置を決定する第２の溝を形成
し、あるいは把持部材の上部に光ファイバの把持位置を
決定する第１の溝を形成するとともに蓋部の下面に光フ
ァイバの把持位置を決定する第２の溝を形成し、電気−
光素子と光ファイバとで光軸を合わせるので、光変調器
等の電気−光素子と光ファイバとを接続する際の光軸調
整や電気接続等が容易である光ファイバ接続装置が実現
可能であるという効果が得られる。
ば、上面に第１〜ｎの電極が形成され光ファイバと近接
して光信号を出射または入射する電気−光素子を底部の
上面あるいは所定位置に載置し、下面の第１から第ｎの
電極と対向する位置に各々対応する第１から第ｎの接続
電気パターンが形成された蓋部と底部との間、ならびに
底部から上面方向に突出しさらには電気−光素子の側面
を囲う把持部材と蓋部との間に各々電気−光素子と光フ
ァイバとを挟持する。この把持部材の上部に光ファイバ
の把持位置を決定する第１の溝を形成し、または蓋部の
下面に光ファイバの把持位置を決定する第２の溝を形成
し、あるいは把持部材の上部に光ファイバの把持位置を
決定する第１の溝を形成するとともに蓋部の下面に光フ
ァイバの把持位置を決定する第２の溝を形成し、電気−
光素子と光ファイバとで光軸を合わせるので、光変調器
等の電気−光素子と光ファイバとを接続する際の光軸調
整や電気接続等が容易である光ファイバ接続装置が実現
可能であるという効果が得られる。
【００３７】即ち本発明では、変調素子とファイバとの
光軸をＶ溝によって固定することにより、ファイバには
フェルールが不要になると同時に、変調素子ではＬｉＮ
ｂＯ3ブロックが不要になるので、変調素子自体も素子長
も短くすることが可能になる。これによって、デバイス
の小型化が実現できる。
光軸をＶ溝によって固定することにより、ファイバには
フェルールが不要になると同時に、変調素子ではＬｉＮ
ｂＯ3ブロックが不要になるので、変調素子自体も素子長
も短くすることが可能になる。これによって、デバイス
の小型化が実現できる。
【００３８】また本発明では、変調素子の光導波路と合
わせるようにＶ溝を形成し、ファイバを配置することに
より光軸調整が容易になり、さらに光軸調整後のファイ
バ固定の作業で電気接続も行われる。従ってボンディン
グ作業等も省略され、作業が簡素化される。
わせるようにＶ溝を形成し、ファイバを配置することに
より光軸調整が容易になり、さらに光軸調整後のファイ
バ固定の作業で電気接続も行われる。従ってボンディン
グ作業等も省略され、作業が簡素化される。
【図１】 本発明の第１の実施の形態にかかる光ファイ
バ接続装置の構成を示す斜視図である。
バ接続装置の構成を示す斜視図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態にかかる光ファイ
バ接続装置の構成を示す斜視図である。
バ接続装置の構成を示す斜視図である。
【図３】 従来の光変調器の構成例を示す斜視図であ
る。
る。
１ 変調素子（電気−光素子） ２ Ｓｉ基板（底部） ２ａ 凹部 ２ｂ 凸部（把持部材） ３ ファイバ（光ファイバ） ４ Ｓｉ基板（蓋部） １２ａ 光導波路 １４ａ 信号電極（第１から第ｎの電極） １４ｂ 接地電極（第１から第ｎの電極） ２１ Ｖ溝（第１の溝） ４１、４１・・・ パターンニング（第１から第ｎの接
続電気パターン） ４２ Ｖ溝（第２の溝） １０１ 変調素子 １０３ ファイバ １１１ ＬｉＮｂＯ3基板 １１２ 光導波路 １１４ａ 信号電極 １１４ｂ 接地電極 １１６ ＬｉＮｂＯ3ブロック １３１ フェルール
続電気パターン） ４２ Ｖ溝（第２の溝） １０１ 変調素子 １０３ ファイバ １１１ ＬｉＮｂＯ3基板 １１２ 光導波路 １１４ａ 信号電極 １１４ｂ 接地電極 １１６ ＬｉＮｂＯ3ブロック １３１ フェルール
Claims (9)
- 【請求項１】 光ファイバ（３）と近接して光信号を出
射または入射する電気−光素子（１）を上面に載置する
底部（２）と、 前記底部から上面方向に突出し前記光ファイバを固定す
る把持部材（２ｂ）と、 その下面が前記底部の上面に載置された前記電気−光素
子の上面ならびに前記把持部の上部と対向し且つ当該底
部との間に当該電気−光素子を挟持するとともに当該把
持部との間に前記光ファイバを挟持する蓋部（４）とか
らなることを特徴とする光ファイバ接続装置。 - 【請求項２】 光ファイバと近接して光信号を出射また
は入射する電気−光素子を所定位置に載置する底部と、 前記底部から上面方向に突出するとともに前記電気−光
素子の側面を囲い且つ前記光ファイバを固定する把持部
材と、 その下面が前記底部の上面に載置された前記電気−光素
子の上面ならびに前記把持部の上部と対向し且つ当該底
部との間に当該電気−光素子を挟持するとともに当該把
持部との間に前記光ファイバを挟持する蓋部とからなる
ことを特徴とする光ファイバ接続装置。 - 【請求項３】 前記把持部材の上部には、 前記光ファイバの把持位置を決定する第１の溝（２１）
が形成されていることを特徴とする請求項１または請求
項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置。 - 【請求項４】 前記蓋部の下面には、 前記光ファイバの把持位置を決定する第２の溝（４２）
が形成されていることを特徴とする請求項１または請求
項２の何れかに記載の光ファイバ接続装置。 - 【請求項５】 前記把持部材の上部には、 前記光ファイバの把持位置を決定する第１の溝が形成さ
れ、 前記蓋部の下面には、 前記光ファイバの把持位置を決定する第２の溝が形成さ
れていることを特徴とする請求項１または請求項２の何
れかに記載の光ファイバ接続装置。 - 【請求項６】 前記電気−光素子の上面には第１から第
ｎ（ｎは２以上の整数）の電極（１４ａ、１４ｂ）が形
成され、 前記蓋部の下面において前記第１から第ｎの電極と対向
する位置には各々対応する第１から第ｎの接続電気パタ
ーン（４１、４１・・・）が形成されていることを特徴
とする請求項１ないし請求項５の何れかに記載の光ファ
イバ接続装置。 - 【請求項７】 前記把持部材の上面において第１から第
ｎの接続電気パターンと対向する位置には各々対応する
第１から第ｎの入出力電気パターンが形成されているこ
とを特徴とする請求項６に記載の光ファイバ接続装置。 - 【請求項８】 前記電気−光素子は、 側面の何れか１面から光信号を出射する発光素子または
当該側面の何れか１面に光信号が入射する受光素子であ
ることを特徴とする請求項１ないし請求項７の何れかに
記載の光ファイバ接続装置。 - 【請求項９】 前記電気−光素子は、 側面の何れか１面に光信号が入射するとともに当該光信
号に変調を与え、 前記側面の他の１面から前記変調された光信号を出射す
る光変調素子であることを特徴とする請求項１ないし請
求項７の何れかに記載の光ファイバ接続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10098251A JPH11281854A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 光ファイバ接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10098251A JPH11281854A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 光ファイバ接続装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11281854A true JPH11281854A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=14214751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10098251A Pending JPH11281854A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 光ファイバ接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11281854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7064908B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-06-20 | The Boeing Company | Laser beam jitter reduction device on a laser optical bench |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10098251A patent/JPH11281854A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7064908B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-06-20 | The Boeing Company | Laser beam jitter reduction device on a laser optical bench |
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