JPH112839A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】隣接信号線Ｄｊ間ショート検査がショートバー
ショートバーＳＨｄｅ、ＳＨｄｏを介して一括して簡単
に行なえるようにしたアクティブ素子基板において、信
号線Ｄｊと保護回路の共通線Ｃｏｍ（ｅ）、Ｃｏｍ
（ｏ）との交差部での静電気による絶縁破壊に起因する
線表示不良を防止する。 【解決手段】電気的に独立していた偶数番目信号線
（群）Ｄ２ｊと奇数番目信号線（群）Ｄ２ｊ−１の静電
気保護回路系のショートバーＳＨｄｅ、ＳＨｄｏを非線
形素子あるいは高抵抗素子からなる結合素子部ＣＯＮＥ
Ｌで結合し、両者をフローティング状態から電気的に結
合された状態にする。これにより、偶数、奇数の両者の
静電気保護回路系が同電位になり、信号線と共通線の交
差部も同電位になり、絶縁破壊が防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置に係り、更に詳しくは、スイッチン
グ素子を有するアクティブ素子基板上に形成して当該ア
クティブ素子を静電気から保護する静電気保護回路を備
えたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】静止画や動画を含めた各種の画像を表示
するデバイスとして液晶表示装置が広く用いられてい
る。

【０００３】液晶表示装置は、基本的には少なくとも一
方が透明なガラス等からなる二枚の基板の間に液晶層を
挟持し、上記基板に形成した画素形成用の各種電極に選
択的に電圧を印加して所定画素の点灯と消灯を行う形
式、上記各種電極と画素選択用の薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）等のスイッチング素子からなるアクティブ素子を
形成してこのアクティブ素子を選択することにより所定
画素の点灯と消灯を行う形式とに分類される。

【０００４】特に、後者の形式の液晶表示装置はアクテ
ィブマトリクス型と称し、コントラスト性能、高速表示
性能等から液晶表示装置の主流となっている。

【０００５】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
表示画素電極やスイッチング素子を形成したアクティブ
素子基板とカラーフィルタ基板との間に液晶を挟んだ液
晶パネルと、これに結合した電気回路部、光学回路部、
他で形成されている。

【０００６】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、一方の基板に形成した電極と他方の基板に形成し
た電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電界を
印加する、所謂縦電界方式を採用していた。

【０００７】近年、液晶層に印加する電界の方向を基板
面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式（ＩＰＳ方
式）の液晶表示装置が実現された。この横電界方式の液
晶表示装置としては、二枚の基板の一方に櫛歯電極を用
いて非常に広い視野角を得るようにしたものが知られて
いる（特公昭６３−２１９０７号公報、米国特許第４３
４５２４９号明細書参照）。

【０００８】そして、スイッチング素子を静電気から保
護するための保護回路がアクティブ素子基板上に形成さ
れている。

【０００９】図１２は従来のアクティブ素子基板の構成
を説明する基板と直角方向から見た平面図、図１３は図
１２の１画素付近の断面図である。なお、以下の説明に
おいて、アクティブ素子基板上に形成される映像信号線
や走査信号線等の複数の各種信号線を単に「信号線」と
して記述するが、この「信号線」は「信号線群」も意味
する。

【００１０】図１２において、Ｇｉは走査信号線、Ｄｊ
は映像信号線である。また、偶数番目の映像信号線はＤ
２ｊ、奇数番目の映像信号線はＤ２ｊ−１で示す場合も
ある。これらの配線交差部の傍には図示してないアクテ
ィブ素子であるスイッチング素子（一般にはＴＦＴ）が
設けられる。

【００１１】図１３の断面図に示したように、ＴＦＴは
基板ＳＵＢ上に形成した走査信号線層の金属層ＧＭ（ゲ
ートＧｄ）、ゲート絶縁膜Ｇｉｎ、半導体層ａＳｉ、映
像信号線層の金属層ＤＭ、保護膜ＰＡＳで構成される。

【００１２】スイッチング素子の出力電極は液晶に電界
を加えるための画素電極に接続されて、表示領域を構成
する２次元状に配列した表示画素（ｉ，ｊ）（ｉ，ｊ＝
１、２、３、・・・）を形成している。この表示領域の
外側のＤＰＡＤは映像信号線に駆動電気回路を外部接続
するための端子（Ｄ線外部接続端子）である。なお、こ
れと反対側に設けたＤＤＰＡＤは断線検査などのプロー
ブ端子（断線検査端子）である。同様にＧＰＡＤは走査
信号線に駆動電気回路を外部接続する為の端子（Ｇ線外
部接続端子）である。

【００１３】また、ＣＴＬＮは基板ＳＵＢの切断線を示
し、最終的にはこの線に沿って切断され、この切断線Ｃ
ＴＬＮの外側にある後述するショートバーＳＨｄｅやＳ
Ｈｄｏなどは切り落とされる。

【００１４】表示領域と映像信号線用の接続端子ＤＰＡ
Ｄ、走査信号線用の接続端子ＧＰＡＤの間に設けられた
奇数側共通線Ｃｏｍ（ｅ）、偶数側共通線Ｃｏｍ
（ｏ）、走査共通線ＣＯＭ−Ｇと放電素子ＤＩＯが第一
番目の静電気保護回路を形成している。

【００１５】ＤＩＯは映像信号線Ｄｊや走査信号線Ｇｉ
に入った静電気を放電するための放電素子（非線型素
子：スイッチング素子）で、走査信号線Ｇｉと映像信号
線Ｄｊ毎に奇数側（ＥＶＥＮ側）共通線Ｃｏｍ（ｅ）、
偶数側（ＯＤＤ側）共通線Ｃｏｍ（ｏ）、走査共通線Ｃ
ＯＭ−Ｇとの間に設けられる。

【００１６】これらの共通線Ｃｏｍ（ｅ）、Ｃｏｍ
（ｏ）、ＣＯＭ−Ｇは放電した静電気を吸収する為の共
通線であり、共通接続端子ＶｃｏｍＰＡＤや放電素子共
通接続端子ＥＳＤＰＡＤに接続され、これを介してカラ
ーフィルタ基板側の共通電極や外部電気回路に接続され
る。放電用素子ＤＩＯは、双方向ダイオード等の非線形
素子を用いることが多い。

【００１７】なお、この放電素子ＤＩＯの導入箇所は、
同図に示した部分に限定されるものではなく、走査信号
線Ｇｉ、映像信号線Ｄｊの端子ＧＰＡＤ、ＤＰＡＤの反
対側あるいは両側に設ける場合もあれば、交互に反対側
に設ける場合もある。

【００１８】そして更に、第二番目の静電気保護回路が
設けられる。図１２において、基板切断線ＣＴＬＮの外
側にある奇数側と偶数側のショートバーＳＨｄｅ、ＳＨ
ｄｏあるいはＳＨｇがこの第二の静電気保護回路を構成
する要素例である。

【００１９】これらのショートバーＳＨｄｅ、ＳＨｄ
ｏ、ＳＨｇは外周部に設けられた配線であり、静電気を
吸収するための線である。このショートバーＳＨｄｅ、
ＳＨｄｏ、ＳＨｇに各信号線Ｇｉ、Ｄｊの終端が電気的
に結合されている。

【００２０】この終端とショートバーＳＨｄｅ、ＳＨｄ
ｏ、ＳＨｇとの結合箇所は、同図の場合に限定されるも
のではなく、走査信号線Ｇｉ、映像信号線Ｄｊの接続端
子ＧＰＡＤ、ＤＰＡＤとの間で行う場合、反対側で行う
場合、両側で行う場合、あるいは交互に反対側で行う場
合などがある。

【００２１】図１４は表示画素部の構成を説明する平面
図、図１５は図１４のｂ−ｂ’線に沿った断面図であっ
て、Ｇｉは走査信号線、Ｄｊは映像信号線であり、走査
信号線Ｇｉの一部を延在させたＧｄがスイッチング素子
（ＴＦＴ）のゲート電極であり、映像信号線Ｄｊの一部
を延在させたＤｄがスイッチング素子の信号電極（ドレ
イ電極）である。信号電極Ｄｄと同層のＳｄは出力電極
（ソース電極）であり、液晶に電界を加える透明画素電
極ＩＴＯに接続されている。

【００２２】ａＳｉはスイッチング素子の半導体層、Ｃ
ｓｔは保持容量部であり、各画素（ｉ，ｊ）毎に設けら
れる。

【００２３】図１４と図１５において、基板（ガラス基
板）ＳＵＢ上にまず第一の金属層である走査信号線ＧＭ
（Ｇｄ）が形成される。その上にＳｉＮｘ等のゲート絶
縁膜Ｇｉｎを積層後、半導体層ａＳｉを形成し、更にそ
の上に第二の金属層の映像信号線層ＤＭ（Ｄｄ、Ｓｄ）
を加工形成する。

【００２４】そして、その上にＳｉＮｘ等の保護膜ＰＡ
Ｓを形成し、最後に透明画素電極層ＩＴＯを形成する。
出力電極Ｓｄと透明画素電極ＩＴＯの結合は保護膜ＰＡ
ＳのスルーホールＴｈを介して行なう。

【００２５】ゲート絶縁膜Ｇｉｎの加工は、保護膜ＰＡ
ＳのスルーホールＴｈの加工時に同時に一括して形成す
ることもできる構成をとっている。

【００２６】このような図１２〜図１５に例示したアク
ティブ素子基板の構成においては、本発明の係わる静電
気保護回路は、次のような構成をとっている。

【００２７】第一番目の静電気保護回路構成において、
各映像信号線Ｄｊの非線形素子ＤＩＯが、図１２に例示
したように交互に反対側に設けられて上下に別れた構成
をとり、それぞれが共通線Ｃｏｍ（ｅ）、Ｃｏｍ（ｏ）
に結合されている。

【００２８】すなわち、偶数番目の線（偶数番目の映像
信号線を２ｊと表記）Ｄ２ｊと奇数番目の線（奇数番目
の映像信号線を２ｊ−１と表記）Ｄ２ｊー１が上、下に
分かれて独立した構成をとっている。又、第二番目の静
電気保護回路構成において、各映像信号線Ｄｊのショー
トバーとの結合が図１２に例示したように、同様に偶数
番目の映像信号線Ｄ２ｊと奇数番目の映像信号線Ｄ２ｊ
ー１が上、下に分かれてショートバーＳＨｄｅとＳＨｄ
ｏにそれぞれ結合された独立した構成をとっている。

【００２９】このような構成をとることにより、アクテ
ィブ素子基板の完成後に行う各種の検査において、例え
ば、互いに隣接する映像信号線間のショート検査が、上
下のショートバーＳＨｄｅとＳＨｄｏにプローブ針を当
て、その間のショート検査を行うことで簡単に実現でき
ることになる。

【００３０】以上、映像信号線Ｄｊの場合について説明
したが、走査信号線Ｇｉについても同様である。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】上記した静電気保護回
路の構成においては、次のような問題が発生した。

【００３２】図１６は図１２の映像信号線Ｄｊの静電気
保護回路の構成例を抜き出して示す模式図であって、図
１２と同一符号は同一部分を示す。

【００３３】同図において、偶数番目の信号線Ｄ２ｊ
は、双方向保護ダイオードからなる非線形素子ＤＩＯを
介して、上の偶数番目映像信号線用の偶数番目側共通線
Ｃｏｍ（ｅ）に結合され、また信号線の終端は、外部端
子側ＤＰＡＤの外側の偶数番目信号線用の偶数番目側シ
ョートバーＳＨｄｅに結合されている。

【００３４】奇数番目の信号線Ｄ２ｊ−１は、非線形素
子ＤＩＯを介して、下の奇数番目映像信号線用の奇数番
目側共通線Ｃｏｍ（ｏ）に結合され、また信号線の終端
は、断線検査端子ＤＤＰＡＤの外側の奇数番目の映像信
号線用の奇数番目側ショートバーＳＨｄｏに結合されて
いる。

【００３５】このように、偶数番目信号線群と奇数番目
信号線群は電気的に独立した構成になっている。このた
め、隣接配線間のショート検査が、二つのショートバー
ＳＨｄｅとＳＨｄｏを通して一括して簡単に実現でき
る。

【００３６】このような構成において、同図に☆印で示
した箇所、すなわちフローティング電位にある偶数番目
側共通線Ｃｏｍ（ｅ）と奇数番目の映像信号線Ｄｊとの
交差部、あるいは逆に奇数番目側共通線Ｃｏｍ（ｏ）と
偶数番目の映像信号線Ｄｊとの交差部において静電破壊
を起こし、本来は絶縁されてるべき箇所が絶縁破壊状態
になり、最終的には線表示不良になる問題が発生した。

【００３７】従って、本発明の目的は、信号線間のショ
ート検査がショートバーＳＨｄｅ，ＳＨｄｏを介して簡
単に実現できると共に、静電気保護回路の共通線と信号
線の交差部で発生する絶縁破壊の問題を防止できる静電
気保護回路構成を備えたアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供することにある。

【００３８】

【課題を解決するための手段】上記の目的と達成するた
めに、本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置
を構成するアクティブ素子基板に形成された偶数番目信
号線（群）と奇数番目信号線（群）の静電気保護回路系
を非線形素子あるいは高抵抗素子で結合したことを特徴
とする。

【００３９】すなわち、本発明は下記の構成を備えたこ
とを特徴とする。

【００４０】（１）表示画素を構成する電極群と前記表
示画素を選択するスイッチング素子を少なくとも具備し
たアクティブ素子基板と、カラーフィルタを少なくとも
具備したカラーフィルタ基板からなる一対の基板間に液
晶を封止してなる液晶パネルから構成したアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、前記液晶表示パネル
を構成するアクティブ素子基板が、信号線を終端するシ
ョートバー及び信号線に非線形素子を介して結合した共
通線を備え、前記ショートバーと共通線を電気的に結合
して、当該ショートバー間あるいは共通線間を非線形素
子あるいは高抵抗素子で結合した。

【００４１】（２）（１）における前記ショートバー
を、偶数番目信号線用ショートバー及び共通線と、奇数
番目信号線用ショートバー及び共通線に分けた構成を有
し、前記偶数番目信号線用ショートバーと共通線を電気
的に接続し、前記奇数番目信号線用ショートバーと共通
線を電気的に接続した。

【００４２】（３）（１）における前記ショートバー
を、偶数番目信号線用ショートバー及び共通線と、奇数
番目信号線用ショートバー及び共通線に分けた構成を有
し、偶数番目用ショートバーと奇数番目用ショートバー
との間、あるいは偶数番目信号線用共通線と奇数番目用
信号線用共通線との間を、非線形素子または高抵抗素子
で結合した。

【００４３】（４）（２）または（３）における前記シ
ョートバーの構成を映像信号線に適用した。

【００４４】（５）（２）または（３）における前記シ
ョートバーの構成を走査信号線に適用した。

【００４５】（６）（１）（２）（３）（４）または
（５）における前記アクティブ素子基板の保護膜の上に
画素透明電極を有し、ゲート絶縁膜の加工を保護膜の加
工の後に一括して形成した。

【００４６】これらの構成により、アクティブ素子基板
に形成した信号線間のショート検査をショートバーＳＨ
ｄｅ，ＳＨｄｏを介して簡単に実現できると共に、静電
気保護回路の共通線と信号線の交差部で発生する絶縁破
壊を防止できる。

【００４７】

【発明の実施の形態】絶縁破壊を起こす問題箇所は、前
記図１６に例示したように、偶数番目の信号線（群）共
通線Ｃｏｍ（ｅ）と奇数番目信号線Ｄ２ｊー１との交差
部、あるいは逆に奇数番目信号線（群）共通線Ｃｏｍ
（ｏ）と偶数番目信号線Ｄ２ｊとの交差部にある。前記
したように、隣接配線間ショート検査がショートバーＳ
ＨｄｅとＳＨｄｏの間で簡単に実現できるようにするた
めに、静電気保護回路の構成は、偶数番目信号線（群）
と奇数番目信号線（群）で電気的に独立した構成をとっ
ている。このため、両者はアクティブ素子基板単独の段
階では電気的には互いにフローティング状態である。な
お、このアクティブ素子基板にカラーフィルター基板を
貼り合わせた後の状態では、共通線Ｃｏｍ（ｅ）、Ｃｏ
ｍ（ｏ）に接続されたＶｃｏｍＰＡＤを介してカラーフ
ィルタ基板上の共通電極に接続されるため、フローティ
ング状態から、共通線は同電位状態に維持でき、更に非
線形素子ＤＩＯを介して、偶数番目信号線（群）と奇数
番目信号線（群）の静電気保護回路系は同電位に維持さ
れる。

【００４８】アクティブ素子基板は単独の状態では電気
的には互いにフローティング状態であるため、両者の間
に静電気が蓄積される場合が起こると、問題箇所の交差
部に帯電電位差が発生する。この電位差が交差部の絶縁
破壊電圧以上になると絶縁破壊を起こして不良を招く。
以上が、問題発生の原因である。

【００４９】従って、本発明では、この原因を除去し、
両者がアクティブ素子基板の段階において互いにフロー
ティング状態にならないような構成の静電気保護回路を
構築した。

【００５０】以下、本発明の実施の形態につき、実施例
の図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明による
アクティブマトリクス型液晶表示装置用静電気保護回路
の第１実施例の構成を示す模式図であって、図１６の場
合と同様に映像信号線Ｄｊの場合の静電気保護回路の構
成例を抜き出して示し、図１６と同一符号は同一部分に
対応する。

【００５１】この実施例では、偶数番目信号線（群）と
奇数番目信号線（群）の静電気保護回路系の両者を従来
のフローティング状態から避けるために、図１の構成で
は、図中の上側にある偶数側ショートバーＳＨｄｅと奇
数側共通線Ｃｏｍ（ｅ）を結合線ＳＨＶｃｏｍＰＡＤで
接続する。

【００５２】同様に、図中の下側にある奇数側のショー
トバーＳＨｄｏと共通線Ｃｏｍ（ｏ）も結合線ＳＨＶｃ
ｏｍＰＡＤで接続し、更に上下にある偶数側ショートバ
ーＳＨｄｅと奇数側ショートバーＳＨｄｏを相互に電気
的に結合した。

【００５３】上記電気的結合は、結合線ＳＨｅｏＣｏｎ
と結合素子ＣＯＮＥＬを通して行う。この結合素子ＣＯ
ＮＥＬは、後述するような非線形素子または高抵抗素子
で構成される。

【００５４】この実施例の構成により、偶数側のショー
トバーＳＨｄｅおよび奇数側のショートバーＳＨｄｏが
互いに電気的にフローティング状態から接続状態（同電
位）になるようにしている。この結果、たとえ、偶数番
目信号線（群）と奇数番目信号線（群）の両者の間に静
電気が蓄積される場合が生じても、この静電気が上記の
電気的結合部を介して放電し、偶数番目信号線（群）と
奇数番目信号線（群）の静電気保護回路系は同電位に維
持され、絶縁破壊を起こす問題箇所となった共通線と信
号線の交差部も同電位になり、帯電電位差が発生せず、
絶縁破壊発生の原因を除去できる。

【００５５】隣接信号線間のショート検査に関しては、
結合素子ＣＯＮＥＬを後述のような非線形素子あるいは
高抵抗素子で形成することにより、前記したような上下
のショートバーＳＨｄｅとＳＨｄｏ間の簡単な一括ショ
ート検査を行うことができる。

【００５６】図２は本発明によるアクティブマトリクス
型液晶表示装置用静電気保護回路の第２実施例の構成を
示す模式図であって、図１の実施例と同様に映像信号線
Ｄｊの場合の静電気保護回路の構成例を抜き出して示
し、図１と同一符号は同一部分に対応する。

【００５７】この実施例では、偶数番目信号線（群）と
奇数番目信号線（群）の静電気保護回路系の両者を従来
のフローティング状態から避けるために、図中の上側に
ある偶数側ショートバーＳＨｄｅと偶数側共通線Ｃｏｍ
（ｅ）を結合線ＳＨＶｃｏｍＰＡＤで接続し、同様に下
側にある奇数側のショートバーＳＨｄｏと共通線Ｃｏｍ
（ｏ）も結合線ＳＨＶｃｏｍＰＡＤで接続し、更に上下
にある偶数側共通線Ｃｏｍ（ｅ）と奇数側共通線Ｃｏｍ
（ｏ）を相互に電気的に結合した。

【００５８】この電気的結合は、結合線ＳＨｅｏＣｏｎ
と結合素子部ＣＯＮＥＬを通して行う。結合素子部ＣＯ
ＮＥＬは、後述するような非線形素子または高抵抗素子
ＲＥＭＴで構成される。これにより、Ｃｏｍ（ｅ）およ
びＣｏｍ（ｏ）が互いに電気的にフローティング状態か
ら接続状態になる。

【００５９】この実施例の構成により、偶数番目信号線
（群）と奇数番目信号線（群）の両者の間に、たとえ静
電気が蓄積されても、静電気はこの結合部を介して放電
する。即ち、偶数番目信号線（群）と奇数番目信号線
（群）の静電気保護回路系は同電位に維持され、絶縁破
壊を起こす問題箇所となった共通線と信号線の交差部も
同電位になり、帯電電位差が発生せず、絶縁破壊発生の
原因を除去できる。

【００６０】隣接信号線間のショート検査に関しては、
結合素子部ＣＯＮＥＬを後述のような非線形素子あるい
は高抵抗素子ＲＥＭＴで形成することにより、図１に示
した第１実施例と同様に、上下のショートバーＳＨｄｅ
とＳＨｄｏ間の簡単な一括ショート検査で行うことがで
きる。

【００６１】図３は上下ショートバーあるいは共通線を
結合する結合線と結合素子部の具体例を説明する模式
図、図４は結合部の等価回路図、図５は結合部の他の等
価回路図である。

【００６２】図３に示したように、上下ショートバーＳ
Ｈｄｅ、ＳＨｄｏあるいは共通線Ｃｏｍ（ｅ）、Ｃｏｍ
（ｏ）を結合する結合線ＳＨｅｏＣｏｎと結合素子部Ｃ
ＯＮＥＬはショートバーＳＨｄｅとＳＨｄｏ間あるいは
共通線Ｃｏｍ（ｅ）とＣｏｍ（ｏ）間に導入した結合素
子部ＣＯＮＥＬと接続端１０ａ，１０ｂで接続された結
合線ＳＨｅｏＣｏｎで結合部位が構成される。

【００６３】結合素子部ＣＯＮＥＬの結合素子ＲＥＭＴ
は非線形素子あるいは高抵抗素子であり、リーク電流を
制限して前記した簡略一括ショート検査を保証し、かつ
静電気を放電して電位発生を抑制する二つの機能を両立
させる素子である。

【００６４】図４の（ａ）はダイオード接続したトラン
ジスタを用いた非線形素子ＤＩ０１とＤＩ０２を相補接
続してなり、同図（ｂ）はダイオードを用いた非線型素
子ＤＩ０１とＤＩ０２を相補接続した場合の結合素子部
ＣＯＮＥＬの等価回路例である。

【００６５】また図５は高抵抗素子ＲＧＴを用いた結合
素子ＲＥＭＴを備えた結合素子部ＣＯＮＥＬの等価回路
例である。

【００６６】このような非線型素子ＤＩＯや高抵抗素子
ＲＧＴを必要に応じて複数個並列に組み合わせて導入さ
れる。

【００６７】なお、図４、図５に示したＧＤＣ１、ＧＤ
Ｃ２、ＧＤ１、ＧＤ２、Ｄｄ１、Ｄｄ２、Ｓｄ１、Ｓｄ
２、ＳＤａ、ＳＤｂは後述の図６〜図９における同一符
号部分に対応させるためのものである。

【００６８】図６は図４（ａ）に示した結合素子部の平
面構成図、図７は図６のｄ−ｄ’線に沿った断面図であ
る。

【００６９】また、図８は図５に示した結合素子部の平
面構成図、図９は図８のｅ−ｅ’線に沿った断面図であ
る。

【００７０】図６および図７に示した双方向ダイオード
構成において、ゲート電極ＧＤ１、ＧＤ２と出力電極Ｄ
ｄ１、Ｄｄ２の電気的接続ＧＤＣ１、ＧＤＣ２は、図１
２、図１４、図１５で説明した構成と全く同様に、スル
ーホールＴｈ１１とＴｈ１２およびＴｈ２１とＴｈ２２
を介して透明電極ＩＴＯに接続することで実現してい
る。

【００７１】また、図８および図９に示した高抵抗素子
ＲＧＴを用いた構成において、高抵抗素子ＲＧＴは半導
体層ａＳｉを接続端１０ａ，１０ｂの一部である第二金
属層ＳｄａとＳｄｂでブリッジした構造で実現してい
る。

【００７２】これらの構成により、アクティブ素子基板
に形成した信号線間のショート検査をショートバーＳＨ
ｄｅ，ＳＨｄｏを介して簡単に実現できると共に、静電
気保護回路の共通線と信号線の交差部で発生する絶縁破
壊が防止される。

【００７３】なお、上記各実施例では、映像信号線Ｄｊ
の場合について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、走査信号線Ｇｉに対しても全く同様に適
用できる。

【００７４】又、上記各実施例では、透明電極を保護膜
ＰＡＳの上に形成した所謂ＩＴＯトップ構造で、また、
ゲート絶縁膜Ｇｉｎの加工をＰＡＳ膜の加工と同時に一
括して行うことが可能な構造について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、他の基板構成に対
しても全く同様に適用できる。

【００７５】図１０は本発明によるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の全体構成を説明する展開斜視図であ
る。

【００７６】同図は本発明による液晶表示装置（以下、
液晶表示パネル，回路基板，バックライト、その他の構
成部材を一体化したモジュール：ＭＤＬと称する）の具
体的構造を説明するものである。

【００７７】ＳＨＤは金属板からなるシールドケース
（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１
はドレイン側回路基板：映像信号線駆動用回路基板、Ｐ
ＣＢ２はゲート側回路基板、ＰＣＢ３はインターフェー
ス回路基板）、ＪＮ１〜３は回路基板ＰＣＢ１〜３同士
を電気的に接続するジョイナ、ＴＣＰ１，ＴＣＰ２はテ
ープキャリアパッケージ、ＰＮＬは液晶表示パネル、Ｇ
Ｃはゴムクッション、ＩＬＳは遮光スペーサ、ＰＲＳは
プリズムシート、ＳＰＳは拡散シート、ＧＬＢは導光
板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは一体化成形により形
成された下側ケース（モールドフレーム）、ＭＯはＭＣ
Ａの開口、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、Ｇ
Ｂは蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュ、ＢＡＴは両面
粘着テープ、ＢＬは蛍光管や導光板等からなるバックラ
イトを示し、図示の配置関係で拡散板部材を積み重ねて
液晶表示モジュールＭＤＬが組立てられる。

【００７８】液晶表示モジュールＭＤＬは、下側ケース
ＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜
３、液晶表示パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシー
ルドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリ
ズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納し
た下側ケースＭＣＡとを合体させてなる。

【００７９】映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１には液
晶表示パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路
チップが搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣ
Ｂ３には外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミン
グ信号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およ
びタイミングを加工してクロック信号を生成するタイミ
ングコンバータＴＣＯＮ等が搭載される。

【００８０】上記タイミングコンバータで生成されたク
ロック信号はインターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に敷設されたクロッ
ク信号ラインＣＬＬを介して映像信号線駆動用回路基板
ＰＣＢ１に搭載された集積回路チップに供給される。

【００８１】インターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース
回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣ
Ｂ１の内層配線として形成される。

【００８２】なお、液晶表示パネルＰＮＬにはＴＦＴを
駆動するためのドレイン側回路基板ＰＣＢ１、ゲート側
回路基板ＰＣＢ２およびインターフェース回路基板ＰＣ
Ｂ３がテープキャリアパッケージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で
接続され、各回路基板間はジョイナＪＮ１，２，３で接
続されている。

【００８３】液晶表示パネルＰＮＬは前記した本発明に
よるアクティブマトリクス型液晶パネルであり、そのア
クティブ素子基板の絶縁破壊防止のための構成は前記実
施例で説明した通りである。

【００８４】図１１は本発明による液晶表示装置を実装
した情報処理装置の一例を説明するパソコンの外観図で
あって、前記各図と同一符号は同一部分に対応し、ＩＶ
は蛍光管駆動用のインバータ電源、ＣＰＵはホスト側中
央演算装置である。

【００８５】同図に示されたように、本発明による液晶
表示装置を実装したパソコンは、映像信号線駆動用回路
基板（水平駆動用回路基板：ドレイン側回路基板）ＰＣ
Ｂ１を画面の上部にのみ配置したことで、当該表示部の
下側（キーボード側）のスペースに余裕ができ、キーボ
ード部と表示部を結合するヒンジの設置スペース（ヒン
ジスペース）が少なくて済む。したがって、表示部の外
形サイズを低減でき、パソコン全体のサイズを小さくす
ることが可能となる。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクテ
ィブ素子基板に形成された隣接信号線間のショート検査
をショートバーを通して一括して簡単に実現できると共
に、静電気保護回路の共通線と信号線の交差部での電位
差発生による絶縁破壊を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示
装置用静電気保護回路の第１実施例の構成を示す模式図
である。

【図２】本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示
装置用静電気保護回路の第２実施例の構成を示す模式図
である。

【図３】上下ショートバーあるいは共通線を結合する結
合線と結合素子部の具体例を説明する模式図である。

【図４】図３における結合部の等価回路図である。

【図５】図３における結合部の他の等価回路図である。

【図６】図４（ａ）に示した結合素子部の平面構成図で
ある。

【図７】図６のｄ−ｄ’線に沿った断面図である。

【図８】図５に示した結合素子部の平面構成図である。

【図９】図８のｅ−ｅ’線に沿った断面図である。

【図１０】本発明によるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の全体構成を説明する展開斜視図である。

【図１１】本発明による液晶表示装置を実装した情報処
理装置の一例を説明するパソコンの外観図である。

【図１２】従来のアクティブ素子基板の構成を説明する
基板と直角方向から見た平面図である。

【図１３】図１２の１画素付近の断面図である。

【図１４】表示画素部の構成を説明する平面図である。

【図１５】図１４のｂ−ｂ’線に沿った断面図である。

【図１６】図１２の映像信号線Ｄｊの静電気保護回路の
構成例を抜き出して示す模式図である。

【符号の説明】

Ｇｉ 走査信号線 Ｄｊ 映像信号線 ＳＨｄｅ 偶数番目信号線用ショートバー ＳＨｄｏ 奇数番目信号線用ショートバー Ｃｏｍ（ｅ） 偶数番目信号線用共通線 Ｃｏｍ（ｏ） 奇数番目信号線用共通線 ＳＨＶｃｏｍＰＡＤ ショートバーと共通線の結合線 ＳＨｅｏＣｏｎ ショートバー間又は共通線間の結合線 ＣＯＮＥＬ ショートバー間又は共通線間の結合素子部 ＲＥＭＴ 結合素子。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表示画素を構成する電極群と前記表示画素
   を選択するスイッチング素子を少なくとも具備したアク
   ティブ素子基板と、カラーフィルタを少なくとも具備し
   たカラーフィルタ基板からなる一対の基板間に液晶を封
   止してなる液晶パネルから構成したアクティブマトリク
   ス型液晶表示装置において、 前記液晶表示パネルを構成するアクティブ素子基板が、
   信号線を終端するショートバー及び信号線に非線形素子
   を介して結合した共通線を備え、前記ショートバーと共
   通線を電気的に結合して、当該ショートバー間あるいは
   共通線間を非線形素子あるいは高抵抗素子で結合したこ
   とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
2. 【請求項２】前記ショートバーを、偶数番目信号線用シ
   ョートバー及び共通線と、奇数番目信号線用ショートバ
   ー及び共通線に分けた構成を有し、前記偶数番目信号線
   用ショートバーと共通線を電気的に接続し、前記奇数番
   目信号線用ショートバーと共通線を電気的に接続したこ
   とを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
3. 【請求項３】前記ショートバーを、偶数番目信号線用シ
   ョートバー及び共通線と、奇数番目信号線用ショートバ
   ー及び共通線に分けた構成を有し、偶数番目用ショート
   バーと奇数番目用ショートバーとの間、あるいは偶数番
   目信号線用共通線と奇数番目用信号線用共通線との間
   を、非線形素子または高抵抗素子で結合した構成を有す
   ることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリ
   クス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】前記ショートバーの構成を映像信号線に適
   用したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載
   のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】前記ショートバーの構成を走査信号線に適
   用したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載
   のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】前記アクティブ素子基板の保護膜の上に画
   素透明電極を有し、ゲート絶縁膜の加工を保護膜の加工
   の後に一括して形成したゲート絶縁膜を有することを特
   徴とする請求項１、２、３、４、または５に記載のアク
   ティブマトリクス型液晶表示装置。