JPH11284280A - 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来よりもＺｎを容易に拡散することがで
き、プロセス工程が簡略され、端面に対する電流の注入
を効果的にブロックすることもできる半導体レーザ装置
及びその製造方法ならびにIII−Ｖ族化合物半導体素子
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ウェーハの表面にＺｎなどのドーパント
を高濃度に含んだIII−Ｖ族化合物半導体層を設け、こ
の層からドーパントを固相拡散させることにより、端面
出射領域の活性層を無秩序化して窓領域を形成できる。
このようにすることにより、ドーパントの拡散量の制御
を従来よりもはるかに精密に行うことができるようにな
る。さらに、本発明においては、ヘテロ障壁による電流
阻止構造をこの窓領域の上部に形成することにより、高
性能の端面非注入型の窓構造レーザを実現することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
及びその製造方法ならびにIII−Ｖ族化合物半導体素子
の製造方法に関する。さらに具体的には、本発明は、高
出力動作をする半導体レーザ、特にデジタルビデオディ
スクや光磁気ディスクなどの光情報処理機器の光源とし
て用いて好適な可視光半導体レーザ装置としての半導体
レーザ装置及びその製造方法ならびにIII−Ｖ族化合物
半導体素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】III−Ｖ族化合物半導体素子は、発光素
子や受光素子などの光デバイスあるいは電界効果トラン
ジスタやバイポーラトランジスタなどの各種の電子デバ
イスとして広く実用に供されている。以下の説明では、
これらのうちで、半導体レーザを例に挙げて説明する。

【０００３】近年、ＭＯ(Mageｎetic-optical)ディスク
やＤＶＤ(Digital-versatile-Disk)などの光ディスクの
書き込み用光源として、３０ｍＷ以上の光出力の可視光
半導体レーザが要求されている。このような高出力半導
体レーザでは、半導体レーザの出射端面で光出力密度が
上がることにより、半導体結晶が溶融し欠陥が増殖する
光学損傷（Catastrophic Optical Damage：ＣＯＤ）が
起こり問題となっている。このＣＯＤは、半導体レーザ
の出射端面でレーザ光が吸収されてキャリアが生成さ
れ、このキャリアが再結合する際発熱を起こすというサ
イクルが増大するために発生する。したがって、半導体
レーザの端面にレーザ光のエネルギーよりもバンドギャ
ップエネルギーが大きい半導体層を設ければ、レーザ光
に対して出射端面部は透明になり、出射端面での光吸収
が起こらなくなるのでＣＯＤが起こらなくなる。このよ
うなレーザは「窓構造レーザ」と呼ばれており、高出力
半導体レーザには必要な構造である。

【０００４】このような窓構造レーザの製造方法を開示
した文献としては、例えばＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｖｏ
ｌ．２９、Ｎｏ．６、ｐ１８７４−１８７９（１９９
３）を挙げることができる。同文献に開示されている方
法は、窓構造を作成したい領域に選択的にＺｎＯを堆積
し、その後のアニールによりＺｎＯからＺｎ（亜鉛）を
半導体レーザウェーハの活性層の下側のクラッド層まで
拡散させ、活性層部分をクラッド層と混晶化させること
により、非拡散部に対して拡散部のバンドギャップエネ
ルギーを増大させこの領域を窓領域とするものである。
この方法においては、Ｚｎが拡散する深さは、アニール
時間とアニール温度のみにより決まっていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、窓領域を形成
する際に、より深くＺｎを拡散するために、アニール温
度を上げたり、アニール時間を長くすると、もともとＺ
ｎがドーピングされていた半導体レーザのｐ型クラッド
層から活性層にＺｎの拡散が起きてしまい、窓領域以外
の活性層にまでＺｎが拡散する。活性層にＺｎが拡散し
てしまうと、動作中に劣化を生じ長期信頼性を劣化させ
るという問題が生ずる。

【０００６】この問題は、半導体レーザのクラッド層が
厚くなるにつれ深刻な問題となってくる。すなわち、ク
ラッド層が厚いほど、Ｚｎをウェーハ表面から導入する
ために高温、長時間の熱拡散処理が必要とされるからで
ある。

【０００７】一方、高出力動作に伴う端面の劣化を防ぐ
ために、半導体レーザの光出射端面部分に電流が流れな
いようにする端面電流非注入構造も試みられている。前
述した文献においては、レーザの共振器となるリッジス
トライプの両サイドに電流ブロック層が設けられている
が、これに加えて、窓構造部分を電流非注入構造とする
ために、窓構造部の上にもｎ型ＧａＡｓ層からなる電流
ブロック層を設けて電流をブロックしている。すなわ
ち、この構造においては、ｐ型／ｎ型／ｐ型の積層構造
により電流ブロックを行っている。このような構造で電
流をブロックするときは、ｎ型層は少なくとも０．５μ
ｍ以上の膜厚で積層する必要がある。このため、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層成長後にこの窓領域の上部表面において凹凸が
生する。このような凹凸が生じた結果として、半導体レ
ーザをヒートシンク上にアップサイドダウンでマウント
するときに問題が生ずる。

【０００８】また、窓領域の部分にだけｎ型ＧａＡｓ層
を選択成長させるために、マスク合わせ等の工程が増え
プロセスが複雑になるという問題もあった。

【０００９】以上説明したような種々の問題は、半導体
レーザ以外の多くのIII−Ｖ族化合物半導体素子が同様
に有するものである。すなわち、受光素子や各種の電子
デバイスにおいても、Ｚｎをウェーハ表面から拡散によ
り導入するプロセスが用いられる場合が多く、上述した
ような問題が生じていた。

【００１０】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものである。すなわち、その目的は、従来よりもＺｎを
容易に拡散することができ、プロセス工程が簡略され、
端面に対する電流の注入を効果的にブロックすることも
できる半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにIII
−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体レーザ装置は、第１導電型の化合物半導体基板と、第
１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラ
ッド層と、前記第２導電型のクラッド層より小さいバン
ドギャップを有する第２導電型のコンタクト層と、前記
第２導電型のクラッド層よりもバンドギャップが小さく
前記第２導電型のコンタクト層よりもバンドギャップが
大きい第２導電型の通電容易層と、を備え、端面からレ
ーザ光を放出する半導体レーザ装置であって、前記端面
およびその近傍においては、前記第２導電型のクラッド
層と前記コンタクト層とが隣接して積層され、且つ前記
第２導電型のクラッド層と前記コンタクト層との界面に
おけるヘテロ障壁により電流が抑制されるものとして構
成され、前記端面近傍以外の部分においては、前記第２
導電型のクラッド層と前記コンタクト層との間に、前記
通電容易層が介在してなることにより通電が促進される
ものとして構成されたことを特徴とする。

【００１２】ここで、前記半導体レーザ装置の前記端面
およびその近傍は、それら以外の部分の前記活性層より
もバンドギャップが大きい化合物半導体で形成された窓
領域とされ、前記窓領域は、前記レーザ光のエネルギー
よりも高いエネルギーに対応するバンドギャップを有す
ることにより、前記窓領域内で前記レーザ光を吸収しな
いものとして構成されたことを特徴とする。

【００１３】また、前記活性層は、前記クラッド層より
もバンドギャップが小さい井戸層と前記クラッド層より
もバンドギャップが小さく前記井戸層よりもバンドギャ
ップが大きい障壁層との多層構造からなる多重量子井戸
構造を有することを特徴とする。

【００１４】または、前記活性層は、前記クラッド層よ
りもバンドギャップが小さい井戸層と前記クラッド層よ
りもバンドギャップが小さく前記井戸層よりもバンドギ
ャップが大きい障壁層との多層構造からなる多重量子井
戸構造と、前記多重量子井戸構造の実効バンドギャップ
よりも大きく前記クラッド層より小さいバンドギャップ
を有する光ガイド層と、を有することを特徴とする。

【００１５】また、前記第２導電型のクラッド層は、前
記レーザ光の放出される方向に沿って帯状に層厚が厚い
ものとして構成されたリッジストライプを有することを
特徴とする。

【００１６】さらに、前記第２導電型のクラッド層の前
記リッジストライプの両側に、第１導電型の電流ブロッ
ク層がそれぞれ積層されてなることを特徴とする。

【００１７】また、前記化合物半導体基板は、ＧａＡｓ
からなり、前記第１導電型のクラッド層と前記活性層と
前記第２導電型のクラッド層は、ＩｎＧａＡｌＰ系材料
からなることを特徴とする。

【００１８】一方、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法は、端面からレーザ光を放出する半導体レーザ装置の
製造方法であって、III−Ｖ族化合物半導体基板の上
に、第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型
のクラッド層と、前記第２導電型のクラッド層よりもバ
ンドギャップの小さい第２導電型の通電容易層とを順次
積層したウェーハを形成する工程と、前記端面及びその
近傍部の直上において前記通電容易層を選択的にエッチ
ング除去し、前記第２導電型クラッド層を表面に露出さ
せる工程と、前記露出させた前記第２導電型のクラッド
層と前記通電容易層の上に前記通電容易層よりもバンド
ギャップの小さい第２導電型のコンタクト層を形成する
工程と、を備えたことを特徴とする。

【００１９】または、本発明の半導体レーザ装置の製造
方法は、端面からレーザ光を放出する半導体レーザ装置
の製造方法であって、III−Ｖ族化合物半導体基板の上
に、第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型
のクラッド層と、前記第２導電型のクラッド層よりもバ
ンドギャップの小さい第２導電型の通電容易層とを順次
積層したウェーハを形成する工程と、開口部を有するマ
スクを前記通電容易層の上に形成する工程と、少なくと
も前記開口部に露出した前記ウェーハの上にＺｎが２×
１０¹⁸ｃｍ^-3以上ドーピングされたｐ型III−Ｖ族化合
物半導体層を形成し、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体
層から前記第２導電型のクラッド層と前記活性層と前記
第１導電型のクラッド層とにＺｎを順次拡散させる工程
と、前記マスクの前記開口部が形成されていた部分を横
切るように前記ウェーハを分割することにより前記端面
を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

【００２０】または、本発明の半導体レーザ装置の製造
方法は、端面からレーザ光を放出する半導体レーザ装置
の製造方法であって、III−Ｖ族化合物半導体基板の上
に、第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型
のクラッド層と、前記第２導電型のクラッド層よりもバ
ンドギャップの小さい第２導電型の通電容易層とを順次
積層したウェーハを形成する工程と、開口部を有するマ
スクを前記通電容易層の上に形成する工程と、前記マス
クの前記開口部をエッチングすることにより前記通電容
易層を選択的にエッチング除去し、前記第２導電型クラ
ッド層を露出させる工程と、少なくとも前記マスクの前
記開口部に露出した前記第２導電型のクラッド層の表面
上にＺｎが２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上ドーピングされたｐ型
III−Ｖ族化合物半導体層を形成し、前記ｐ型III−Ｖ族
化合物半導体から前記第２導電型のクラッド層と前記活
性層と前記第１導電型のクラッド層とにＺｎを順次拡散
させる工程と、前記マスクの前記開口部が形成されてい
た部分を横切るように前記ウェーハを分割することによ
り前記端面を形成する工程と、を備えたことを特徴とす
る。

【００２１】ここで、前記拡散させる前記工程は、水
素、窒素、または前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層を
構成するＶ族元素を含有する雰囲気中でアニール処理を
行うことにより、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体から
前記第２導電型のクラッド層と前記活性層と前記第１導
電型のクラッド層とにＺｎを順次拡散させる工程を有す
ることを特徴とする。

【００２２】また、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層
の層厚は、０．２μｍ以上である事を特徴とする。

【００２３】また、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層
は、ＧａＡｓからなることを特徴とする。

【００２４】また、前記マスクは、酸化シリコン、窒化
シリコン、及び酸化アルミニウムのいずれかであること
を特徴とする。

【００２５】または、前記マスクは、化合物半導体から
なることを特徴とする。

【００２６】さらに、前記化合物半導体からなる前記マ
スクは、アンドープまたはｎ型不純物がドープされてい
ることを特徴とする。

【００２７】さらに、前記マスクの厚さは、前記第２導
電型のクラッド層の半分以上であることを特徴とする。

【００２８】さらに、前記マスクは、ＧａＡｓからなる
ことを特徴とする。

【００２９】また、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層の形
成は、有機金属気相成長法、分子線エピタキシャル法、
ハイドライド気相成長法、クロライド気相成長法、また
は液層成長法のいずれかにより行われることを特徴とす
る。

【００３０】一方、本発明のIII−Ｖ族化合物半導体素
子の製造方法は、ウェーハ上に開口部を有するマスクを
形成する工程と、少なくとも前記マスクの前記開口部に
露出した前記ウェーハの表面上にＺｎが２×１０¹⁸ｃｍ
^-3以上ドーピングされたｐ型III−Ｖ族化合物半導体層
を形成する工程と、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体か
ら前記ウェーハ中にＺｎを拡散させる工程と、を備えた
ことを特徴とする。

【００３１】ここで、前記拡散させる前記工程は、アニ
ール処理を行うことにより前記Ｚｎを拡散させる工程を
含むことを特徴とする。

【００３２】さらに、前記アニール処理は、水素、窒
素、または前記ｐ型III −Ｖ族化合物半導体層を構成す
るＶ族元素を含有する雰囲気中で施されることを特徴と
する。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明においては、III−Ｖ族化
合物半導体素子の製造に際して、ウェーハの表面にＺｎ
などのドーパントを高濃度に含んだIII−Ｖ族化合物半
導体層を設け、この層からドーパントを固相拡散させる
ことにより、ウェーハの所定の場所にＺｎを導入する。
このようにすることにより、ドーパントの拡散量の制御
を従来よりもはるかに精密に行うことができるようにな
る。

【００３４】例えば、本発明を半導体レーザに応用した
場合には、半導体レーザの端面部分の直上にＺｎを高濃
度に含んだIII−Ｖ族化合物半導体層を設け、この層か
らＺｎの固相拡散により端面出射領域の活性層が無秩序
化することにより窓領域を高い制御性で形成することが
できるようになる。

【００３５】さらに、本発明においては、ヘテロ障壁に
よる電流阻止構造をこの窓領域の上部に形成することに
より、高性能の端面非注入型の窓構造レーザを実現する
ことができる。

【００３６】以下に、実施例を参照しつつ本発明の実施
の形態について説明する。

【００３７】（実施例１）図１及び図２は、本発明によ
る半導体レーザの製造方法を表す概略工程図である。す
なわち、同図は、本発明をＩｎＧａＡｌＰ系可視光半導
体レーザに適用した場合を例示したものである。

【００３８】本発明によれば、まず、図１（ａ）に示し
たように、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法に
より、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、例えばＳｉをドーピン
グしたｎ型ＧａＡｓバッファ層２、例えばＳｉをドーピ
ングした膜厚１．７μｍのｎ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ
_0.7）_0.5Ｐクラッド層（ｎ＝３〜４×１０¹⁷ｃｍ^-3）
３、活性領域４、例えばＺｎをドーピングした膜厚１．
７μｍのｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド
層（ｐ＝９×１０¹⁷ｃｍ^-3）５、例えばＺｎをドーピン
グした膜厚５０ｎｍのｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層
６、例えばＳｉをドーピングした厚さ５０ｎｍのｎ型Ｇ
ａＡｓキャップ層７を順次形成する。

【００３９】ここで、活性領域４は、例えば図２（ｅ）
に示したように、膜厚２５ｎｍのＩｎ_0.5（Ｇａ_0.5Ａｌ
_0.5）_0.5Ｐ第１光ガイド層１６、膜厚６．５ｎｍのＩｎ
_0.65Ｇａ_0.35Ｐ井戸層１７と膜厚４ｎｍのＩｎ_0.5（Ｇ
ａ_0.5Ａｌ_0.5）_0.5Ｐ障壁層１８とからなるＭＱＷ活性
層２０、及び膜厚２５ｎｍのＩｎ_0.5（Ｇａ_0.5Ａ
ｌ_0.5）_0.5Ｐ第２光ガイド層１９からなるものとするこ
とができる。

【００４０】次に、半導体レーザの共振器端面に平行に
例えば端面から２０μｍの開口部を持つようにストライ
プ状のＳｉＯ₂８を例えば膜厚２００ｎｍとなるように
堆積し、このストライプ状のＳｉＯ₂８をマスクとし
て、例えばウエットエッチングなどにより、ｎ型ＧａＡ
ｓキャップ層７およびｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層
６をエッチングする。

【００４１】次に、図１（ｂ）に示したように、窓領域
１０を形成する。具体的には、例えばＭＯＣＶＤ法など
の結晶成長法により、Ｚｎを２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上ドー
ピングしたｐ型ＧａＡｓ層９を選択成長し、その後アニ
ール処理を加えて、Ｚｎをｐ型ＧａＡｓ層９からｎ型Ｉ
ｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層３の途中まで
拡散させ、Ｚｎが拡散された窓領域１０をＳｉＯ₂８の
開口部の下に選択的に形成する。

【００４２】このＺｎ拡散の手順をＭＯＣＶＤ法を用い
た場合を例に挙げてさらに詳細に説明する。まず、成長
温度６５０℃で、原料としてＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）、ＡｓＨ₃を用いて、ｐ
型ＧａＡｓ層を例えば１．５μｍ成長する。ここで、Ｚ
ｎ濃度が２×１０¹⁸ｃｍ^-3となるように設定する。その
後、成長温度のまま、ＴＭＧ、ＤＭＺ、ＡｓＨ₃の供給
を断ち、Ｈ₂雰囲気中で２０分間アニールをする。この
間に、Ｚｎがｐ型ＧａＡｓ層９からｎ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ
_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層３の途中まで拡散してい
く。この拡散により、ＭＱＷ活性層２０と光ガイド層１
６、１９からなる活性領域は、隣接しているｐ型Ｉｎ
_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層５およびｎ型Ｉ
ｎ_0.5（Ｇａ_{0 .3}Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層３と混晶化
し、この結果として実効的なバンドギャップが増大して
窓領域となる。

【００４３】本実施例の場合、活性領域４のうち、この
Ｚｎ拡散領域とＳｉＯ₂８の下のＺｎが拡散していない
領域のフォトルミネッセンス（ＰＬ）波長はそれぞれ、
６３０ｎｍと６８０ｎｍであり、Ｚｎ拡散領域では５０
ｎｍの短波長化が実現でき、窓領域として十分に作用す
ることが分かった。

【００４４】図３は、ウェーハ表面からＣ−Ｖ法により
測定したイオン化不純物濃度の深さ方向プロファイル図
である。イオン化不純物が主にＺｎの場合はｐ型として
測定され、イオン化不純物が主にＳｉ（シリコン）の場
合はｎ型として測定される。従って、ｐ型の測定点のプ
ロファイルがＺｎの拡散プロファイルに対応するものと
みなすことができる。同図においては、実線がＺｎを拡
散した部分で測定したｐ型にイオン化した不純物濃度の
プロファイルであり、破線がＺｎを拡散していない部分
で測定したｐ型キャリア濃度のプロファイルである。Ｚ
ｎの非拡散領域では、ｐ型クラッド層のｐ型にイオン化
した不純物濃度は拡散処理前とほぼ同じであり、活性領
域のイオン化した不純物濃度もきわめて低く測定限界に
近い。これに対して、拡散領域のｐ型クラッド層のイオ
ン化した不純物濃度は、非拡散領域のイオン化した不純
物濃度の９×１０¹⁷ｃｍ^-3から１．３×１０¹⁸ｃｍ^-3に
上がり、活性領域４でも非拡散領域に比べてｐ型にイオ
ン化した不純物濃度は大幅に増大している。また、ｎ型
クラッド層３でイオン化した不純物濃度がｐ型からｎ型
に反転する位置が、非拡散領域（図中の白丸）に比べて
拡散領域（図中の黒四角）では約０．２μｍほど深くな
っている。つまり、拡散領域でのＺｎの拡散は少なくと
もｎ型クラッド層中０．２μｍの深さまで達しているこ
とが確認された。

【００４５】このＺｎ拡散処理では、ｐ型ＧａＡｓ層９
の成長温度を高くするほど、あるいはその膜厚を厚くす
るほど、あるいはそのＺｎ濃度を高くするほど、あるい
はｐ型ＧａＡｓ層９成長後のＨ₂アニール時間を長くす
るほど、あるいはそのアニール温度を高くするほど、Ｚ
ｎはウェーハ中により深くまで拡散する。本発明者の検
討の結果、ｐ型ＧａＡｓ層９のＺｎ濃度が２×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3以上で、その層厚が０．２μｍ以上の場合に、良好
に作用する窓領域１０を形成することができた。

【００４６】本実施例における上記各パラメータの設定
はあくまでも一例であり、Ｚｎを拡散させる半導体層の
種類や膜厚およびＺｎを拡散させる深さにより上記パラ
メータを適宜決めればよい。

【００４７】非拡散領域のｐ型クラッド層５中のＺｎが
ｎ型クラッド層３中に拡散しやすい場合には、上記パラ
メータの内、アニール温度と時間のパラメータは増すべ
きではなく、主に、ｐ型ＧａＡｓ層９中のＺｎ濃度を増
やして、Ｚｎの拡散を深くすることが望ましい。また
は、ｐ型ＧａＡｓ層の厚さを増やすべきである。

【００４８】また、本実施例では、ｐ型ＧａＡｓ層を成
長後、成長温度と同じ温度でＨ₂アニールを行っている
が、アニール温度は成長温度以上であっても差し支えな
い。また、水素雰囲気の代わりに窒素ガス雰囲気や、Ａ
ｓＨ₃などのＶ族元素を含有した雰囲気でアニールを行
っても良い。

【００４９】さらに、本実施例では、Ｚｎの拡散源とし
て、高濃度にＺｎをドーピングしたｐ型ＧａＡｓ層を用
いているが、ＧａＡｓに限らず他のIII−Ｖ族化合物半
導体でも勿論同じ効果が得られる。この場合にも、ｐ型
III−Ｖ族化合物半導体成長後のアニールは水素雰囲
気、窒素雰囲気もしくはＶ族原料雰囲気中で行えばよ
い。

【００５０】また、本実施例では、ＭＯＣＶＤ法を用い
てｐ型ＧａＡｓ層を成長しているが、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法や、その他の結晶成長法でも同様な効果
が得られる。ＭＢＥ法の場合は、ｐ型ＧａＡｓ層の成長
後のアニールはＡｓ（砒素）雰囲気中もしくは真空中で
行えばよい。

【００５１】さらに、不純物を固相拡散させるために、
アニール工程を別途設ける必要がない場合もある。すな
わち、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体を成長している際
に、含有されるｐ型不純物が下地の半導体層に固相拡散
する場合もある。このような場合には、ｐ型III−Ｖ族
化合物半導体を成長後に別途アニール工程を実施するこ
となく、ｐ型不純物を固相拡散することができる。

【００５２】次に、図１（ｃ）に示したように、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層９をエッチングにより除去し、ＳｉＯ₂８の開
口部にｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層
５のＺｎ拡散領域１０を露出させる。

【００５３】この後、図１（ｄ）に示したように、Ｓｉ
Ｏ₂８を取り除きｎ型ＧａＡｓ７を露出させた後、共振
器となるリッジストライプを形成すべく、例えば幅４．
５μｍで厚さ２００ｎｍのストライプ状ＳｉＯ₂１１を
ｎ型ＧａＡｓ７のストライプ状の開口部に対して直交す
るように形成する。

【００５４】次に、図１（ｅ）に示したように、ストラ
イプ状ＳｉＯ₂１１をマスクとして、ｎ型ＧａＡｓ７と
ｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６をエッチングして取
り除く。

【００５５】次に、図１（ｆ）に示したように、ストラ
イプ状ＳｉＯ₂１１をマスクにして、Ｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ
_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層５をリッジストライプ状
に形成する。その形状としては、例えば、リッジ幅約５
μｍ、リッジの厚さ１．７μｍ、リッジ側面の厚さ０．
２５μｍに形成される。

【００５６】次に、図２（ａ）に示したように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ（ｎ＝２×１０¹⁸ｃｍ^-3）電流ブロック層を約１
μｍの膜厚でリッジの側面に選択成長させる。

【００５７】次に、図２（ｂ）に示したように、ストラ
イプ状のＳｉＯ₂１１をエッチングにより取り除く。

【００５８】さらに、図２（ｃ）に示したようにｎ型Ｇ
ａＡｓ７をエッチングにより取り除くことにより、ｐ型
Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層５のリッジ
ストライプ上には、Ｚｎ拡散領域を開口部とするｐ型Ｉ
ｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６が露出した形となる。

【００５９】この後、図２（ｄ）に示したようにｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層（ｐ＝２×１０¹⁸ｃｍ^-3）１３を３
μｍ形成し、ｐ側電極としてＡｕＺｎ／Ａｕ１４を形成
し、ｎ側電極としてＡｕＧｅ／Ａｕ１５を形成する。さ
らに、ウェーハを劈開やスクライブ、ダイシング、また
はドライエッチング法などの方法により分割し、レーザ
光が放出される端面を形成することにより半導体レーザ
が完成する。

【００６０】図２（ｅ）は、本実施例により作成された
半導体レーザの一部断面斜視図である。同図からも分か
るように、レーザの光出射端面にはＺｎ拡散による窓領
域１０が形成されており、この直上には、ｐ型Ｉｎ_0.5
Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６を介さずに直接ｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇ
ａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層５とｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１３が接している。このため、この部分では両
層のバンドギャップ差が大きいためヘテロ障壁により電
流が遮断される。それに対して、Ｚｎ拡散領域１０以外
のリッジストライプ上には、ｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ
_0.7）_0.5Ｐクラッド層５とｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
３の間に中間バンドギャップエネルギーを持つｐ型Ｉｎ
_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６が存在することにより、電流
が流れる構造になる。このようにして、光出射端面に
は、Ｚｎの拡散による窓領域が形成され、しかも、この
窓領域には電流が流れない端面非注入型の窓構造が得ら
れる。

【００６１】本実施例により得られた端面非注入型窓構
造半導体レーザは、共振器長８００μｍ、ストライプ幅
５μｍ、前面反射率１０％、裏面反射率９０％にて、発
振波長６８０ｎｍで発振し、１５０ｍＷまでＣＯＤの発
生がないことが確認された。

【００６２】本実施例では、活性領域４は、ＭＱＷ活性
層２０と光ガイド層１６、１９で形成されているが、ク
ラッド層よりもバンドギャップエネルギーが小さい半導
体層であればいずれを用いてもよく、ＭＱＷ活性層では
なく単層の活性層でも、Ｚｎ拡散によりバンドギャップ
エネルギーの増大が起こり同様な効果が得られる。

【００６３】また、本実施例では、発振波長は６８０ｎ
ｍであったが、ＭＱＷ活性層２０の構造を適宜選択する
ことにより発振波長を調節することがとでき、どの波長
帯においてもＺｎ拡散によって活性層部は少なくともＰ
Ｌ波長にして２０ｎｍ以上は短波長化し、窓領域として
作用することができる。

【００６４】なお、本実施例では、ＳｉＯ₂８の開口部
にＺｎを２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上ドーピングしたｐ型Ｇａ
Ａｓ層９を選択成長し、その後アニール処理を加えて、
Ｚｎをｐ型ＧａＡｓ層９からｎ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ
_0.7）_0.5Ｐクラッド層３の途中まで拡散させ、Ｚｎ拡散
領域１０を選択的にＳｉＯ₂８の開口部に形成する前
に、ＳｉＯ₂８の開口部分のｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電
容易層６をエッチングしていたが、この順序は逆であっ
ても差し支えない。

【００６５】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
について説明する。図４及び図５は、本発明による第２
の半導体レーザの製造方法を表す概略工程図である。す
なわち、同図は、本発明をＩｎＧａＡｌＰ系可視光半導
体レーザに適用した場合を例示したものである。

【００６６】本実施例においても、第１実施例と同様
に、まず、図４（ａ）に示したように、有機金属気相成
長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、
例えばＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＡｓバッファ層
２、例えばＳｉをドーピングした膜厚１．７μｍのｎ型
Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層（ｎ＝３〜
４×１０¹⁷ｃｍ^-3）３、活性領域４、例えばＺｎをドー
ピングした膜厚１．７μｍのｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ
_0.7）_0.5Ｐクラッド層（ｐ＝９×１０¹⁷ｃｍ^-3）５、例
えばＺｎをドーピングした膜厚５０ｎｍのｐ型Ｉｎ_0.5
Ｇａ_0.5 Ｐ通電容易層６、例えばＳｉをドーピングした
厚さ１．７μｍのｎ型ＧａＡｓキャップ層７を順次形成
する。

【００６７】ここで、活性領域４は、例えば図２（ｅ）
に示したように、膜厚２５ｎｍのＩｎ_0.5（Ｇａ_0.5Ａｌ
_0.5）_0.5Ｐ第１光ガイド層１６、膜厚６．５ｎｍのＩｎ
_0.65Ｇａ_0.35Ｐ井戸層１７と膜厚４ｎｍのＩｎ_0.5（Ｇ
ａ_0.5Ａｌ_0.5）_0.5Ｐ障壁層１８とからなるＭＱＷ活性
層２０、及び膜厚２５ｎｍのＩｎ_0.5（Ｇａ_0.5Ａ
ｌ_0.5）_0.5Ｐ第２光ガイド層１９からなるものとするこ
とができる。

【００６８】本実施例が前述した第１の実施例と異なる
点は、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７の厚さをｐ型クラッド
層５厚さの少なくとも半分以上の厚さとなるように形成
する点である。本実施例では、一例としてクラッド層９
と同じ厚さとした。

【００６９】この後、第１の実施例と同様にして、半導
体レーザの共振器端面に平行に例えば端面から２０μｍ
の開口部を持つようにストライプ上のＳｉＯ₂８を例え
ば膜厚２００ｎｍとなるように堆積し、このストライプ
上のＳｉＯ₂８をマスクとして、例えばウエットエッチ
ングなどにより、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７およびｐ型
Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６をエッチングする。

【００７０】続いて、図４（ｂ）に示したように、スト
ライプ状のＳｉＯ₂８をエッチングにより除去し、ＭＯ
ＣＶＤ法などの結晶成長法により、Ｚｎを２×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3以上ドーピングしたｐ型ＧａＡｓ層９を成長し、そ
の後アニール処理を加えて、Ｚｎをｐ型ＧａＡｓ層９か
らｎ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層３の
途中まで拡散させる。ここで、前述した第１実施例と異
なる点は、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７の上にも高濃度の
Ｚｎを有するｐ型ＧａＡｓ層９が堆積するので、Ｚｎが
ｐ型ＧａＡｓ層９層からｎ型ＧａＡｓキャップ層７にも
拡散する点である。

【００７１】しかし、ｐ型クラッド層５の膜厚の少なく
とも半分以上の膜厚をｎ型ＧａＡｓキャップ層７が有し
ていれば、Ｚｎの拡散はｐ型クラッド層中で止まり、ｎ
型ＧａＡｓキャップ層７の下部の活性領域４はＺｎ拡散
による混晶化を起こさない。

【００７２】本実施例の場合は、ｎ型ＧａＡｓキャップ
層７はｐ型クラッド層５と同じ膜厚を有しているので、
Ｚｎの拡散はｎ型ＧａＡｓキャップ層７中でほとんど止
まり、この結果、第１の実施例同様に、Ｚｎ拡散領域１
０が選択的にｎ型ＧａＡｓキャップ層７の開口部に形成
される。

【００７３】本実施例の場合も、活性領域４のうち、Ｚ
ｎ拡散領域とｎ型ＧａＡｓキャップ層７下部のＺｎが拡
散していない領域のフォトルミネッセンス（ＰＬ）波長
はそれぞれ、６３０ｎｍと６８０ｎｍとなり、第１の実
施例と同様に、Ｚｎ拡散領域では５０ｎｍの短波長化が
実現でき、窓領域として十分に作用することが可能であ
る。このときのＣ−Ｖ法で測定したイオン化不純物濃度
のプロファイルも図３に示したものと同様な結果が得ら
れた。

【００７４】本実施例においても、Ｚｎが拡散する深さ
を決めるパラメータは第１の実施例同様である。しか
し、第１の実施例と大きく異なる点は、ｐ型ＧａＡｓ層
９からｎ型ＧａＡｓキャップ層７にＺｎが拡散してしま
うので、Ｚｎ拡散の選択性はｎ型ＧａＡｓキャップ層９
の厚さに強く依存する点である。ｎ型ＧａＡｓキャップ
層９が厚ければ厚いほど、Ｚｎ拡散の選択性は強くな
る。ｎ型ＧａＡｓキャップ層９の厚さは、ｐ型クラッド
層５の厚さの少なくとも半分以上は必要である。

【００７５】続いて、図４（ｃ）に示したように、ｐ型
ＧａＡｓ層９およびｎ型ＧａＡｓ７をエッチングにより
除去し、ｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６の開口部に
Ｚｎ拡散領域１０を露出させる。

【００７６】この後、図４（ｄ）に示したように、共振
器となるリッジストライプを形成すべく、例えば幅４．
５μｍで厚さ２００ｎｍのストライプ状ＳｉＯ₂１１を
ｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６のストライプ状の開
口部に対して直交するように形成する。

【００７７】次に、図４（ｅ）に示したように、ストラ
イプ状ＳｉＯ₂１１をマスクとして、ｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ
_0.5Ｐ通電容易層６をエッチングして取り除く。

【００７８】次に、図４（ｆ）に示したように、ストラ
イプ状ＳｉＯ₂１１をマスクにして、ｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ
_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層５をエッチングしてリッ
ジストライプ状に形成する。ここでは、例えば、リッジ
幅約５μｍ、リッジの厚さ１．７μｍ、リッジ側面の厚
さ０．２５μｍに形成する。

【００７９】次に、図５（ａ）に示したように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ（ｎ＝２×１０¹⁸ｃｍ^-3）電流ブロック層をリッ
ジの側面に約１μｍの膜厚で選択成長させる。

【００８０】次に、図５（ｂ）に示したように、ストラ
イプ状ＳｉＯ₂１１をエッチングにより取り除く。すな
わち、ｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層
３のリッジストライプ上には、ｎ拡散領域１０を開口部
とするｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層６が露出する。

【００８１】この後、図５（ｃ）に示したように、ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層（ｐ＝２×１０¹⁸ｃｍ^-3）１３を
３μｍ形成し、ｐ側電極としてＡｕＺｎ／Ａｕ１４を形
成し、ｎ側電極としてＡｕＧｅ／Ａｕ１５を形成して半
導体レーザが完成する。

【００８１】図５（ｄ）は、本実施例により作成された
半導体レーザの一部断面斜視図である。同図に示したよ
うに、本実施例によっても、第１実施例と同様の構造の
半導体レーザが得られる。本実施例により得られた端面
非注入型窓構造半導体レーザも第１の実施例とほぼ同様
な特性が得られた。

【００８２】本実施例においても、活性領域４は、ＭＱ
Ｗ活性層２０と光ガイド層１６、１９で形成されていた
が、無論、クラッド層よりもバンドギャップエネルギー
が小さい半導体層であればいずれを用いても、Ｚｎ拡散
によりバンドギャップエネルギーの増大が起こり同様な
効果が得られる。

【００８３】また、本実施例では、発振波長は６８０ｎ
ｍであったが、ＭＱＷ活性層２０の構造により発振波長
は可変にできる。ここで、どの波長帯においてもＺｎ拡
散によって活性層部は少なくともＰＬ波長にして２０ｎ
ｍ以上は短波長化し窓構造レーザとして機能する。

【００８４】以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の
形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具
体例に限定されるものではない。

【００８５】例えば、固相拡散させる不純物は、Ｚｎに
限定されず、この他にも、マグネシウム、ベリリウム、
カドミウム、水銀などのｐ型不純物や、シリコン、す
ず、硫黄、セレン、テルルなどのｎ型不純物なども同様
に固相拡散させることができる。

【００８６】また、ｐ型不純物を固相拡散させるための
拡散源となるｐ型III−Ｖ族化合物半導体層の形成は、
前述した有機金属気相成長法の他に、分子線エピタキシ
ャル法、ハイドライド気相成長法、クロライド気相成長
法、または液層成長法のいずれを用いても良く、前述し
たものと同様の効果を得ることができる。

【００８７】また、本発明は、前述した半導体レーザの
他にも、例えば、発光ダイオードや、フォトダイオー
ド、電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタな
どの各種のIII−Ｖ族化合物半導体素子に対して同様に
適用し、同様の効果を得ることができる。すなわち、本
発明によりＺｎなどのドーパントを高い制御性で固相拡
散することができる。

【００８８】

【発明の効果】本発明によれば、III−Ｖ族化合物半導
体素子の製造に際して、Ｚｎなどのドーパントを従来よ
りも高い制御性でウェーハ中に導入することができる。
例えば、従来よりも低温、短時間で高い濃度のＺｎをウ
ェーハ中の深い位置まで拡散することが可能となる。

【００８９】特に、本発明によれば、半導体レーザの光
出力端面部分およびその近傍でＺｎ拡散により活性層と
クラッド層を混晶化し窓構造を形成する際に、Ｚｎの拡
散源としてＺｎを多量に含有するIII−Ｖ族化合物半導
体層を用い、窓構造を形成する領域の直上のウェーハ表
面部にこのＺｎを多量に含有するIII−Ｖ族化合物半導
体層を堆積してＺｎを拡散させていく。従来例のＺｎＯ
をＺｎの拡散源に用いる場合、Ｚｎの拡散する深さを決
めていたのが、ＺｎＯ堆積後のアニール時間とアニール
温度だったのに対して、本発明によれば、さらにＺｎを
多量に含有するIIIＶ族化合物半導体層の厚さとＺｎの
含有濃度が新たにパラメータとして加わる。

【００９０】特に、Ｚｎの含有量に関しては、Ｚｎを多
量に含有するIII−Ｖ族化合物半導体層からのＺｎ拡散
が顕著に生じ、他のＺｎを含有している層からのＺｎ拡
散は抑制されるので、従来例に比べてＺｎ拡散領域と非
Ｚｎ拡散領域の選択性が増大する。この結果として、本
発明によれば、非常に歩留まり良く窓構造半導体レーザ
などの各種III−Ｖ族化合物半導体素子を作成すること
ができるようになる。

【００９１】また、本発明によれば、クラッド層とコン
タクト層の大きなバンドギャップ差を利用して、窓構造
領域はこのヘテロ障壁により電流が非注入となる構造を
とることにより、信頼性の高い窓構造レーザを提供でき
る。すなわち、活性層に電流を注入するべきところに
は、通電容易層というクラッド層とコンタクト層のほぼ
中間のバンドギャップを持つ層をクラッド層とコンタク
ト層の間に挿入し、窓構造領域にはこの層を設けない構
造をとる。これは、従来の選択再成長により作成された
ｐ型／ｎ型／ｐ型のトランジスタ構造で電流をブロック
する電流非注入構造に比べて、プロセスが非常に簡略化
でき、チップ表面上の再成長部に凹凸が生じることがな
くなり、半導体レーザチップをヒートシンク上にアップ
サイドダウンでマウントする場合に問題とならないとい
った効果も得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体レーザの製造方法を表す概
略工程図である。

【図２】本発明による半導体レーザの製造方法を表す概
略工程図である。

【図３】ウェーハ表面からＣ−Ｖ法により測定したイオ
ン化不純物濃度の深さ方向プロファイル図である。

【図４】本発明による第２の半導体レーザの製造方法を
表す概略工程図である。

【図５】本発明による第２の半導体レーザの製造方法を
表す概略工程図である。

【符号の説明】

１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層 ４ 活性領域 ５ ｐ型Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.3Ａｌ_0.7）_0.5Ｐクラッド層 ６ ｐ型Ｉｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ通電容易層 ７ ｎ型ＧａＡｓキャップ層 ８ ＳｉＯ₂マスク ９ Ｚｎを高濃度に含んだｐ型ＧａＡｓ層 １０ Ｚｎ拡散領域 １１ ＳｉＯ₂マスク １２ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 １３ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １４ ＡｕＺｎ／Ａｕ ｐ側電極 １５ ＡｕＧｅ／Ａｕ ｎ側電極 １６ Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.5Ａｌ_0.5）_0.5Ｐ第１光ガイド層 １７ ＩｎＧａＰ井戸層 １８ Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.5Ａｌ_0.5）_0.5Ｐ障壁層 １９ Ｉｎ_0.5（Ｇａ_0.5Ａｌ_0.5）_0.5Ｐ第２光ガイド層 ２０ 多重量子井戸活性層

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１導電型の化合物半導体基板と、第１導
   電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド
   層と、前記第２導電型のクラッド層より小さいバンドギ
   ャップを有する第２導電型のコンタクト層と、前記第２
   導電型のクラッド層よりもバンドギャップが小さく前記
   第２導電型のコンタクト層よりもバンドギャップが大き
   い第２導電型の通電容易層と、を備え、端面からレーザ
   光を放出する半導体レーザ装置であって、 前記端面およびその近傍においては、前記第２導電型の
   クラッド層と前記コンタクト層とが隣接して積層され、
   且つ前記第２導電型のクラッド層と前記コンタクト層と
   の界面におけるヘテロ障壁により電流が抑制されるもの
   として構成され、 前記端面近傍以外の部分においては、前記第２導電型の
   クラッド層と前記コンタクト層との間に、前記通電容易
   層が介在してなることにより通電が促進されるものとし
   て構成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】前記半導体レーザ装置の前記端面およびそ
   の近傍は、それら以外の部分の前記活性層よりもバンド
   ギャップが大きい化合物半導体で形成された窓領域とさ
   れ、 前記窓領域は、前記レーザ光のエネルギーよりも高いエ
   ネルギーに対応するバンドギャップを有することによ
   り、前記窓領域内で前記レーザ光を吸収しないものとし
   て構成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体レ
   ーザ装置。
3. 【請求項３】前記活性層は、前記クラッド層よりもバン
   ドギャップが小さい井戸層と前記クラッド層よりもバン
   ドギャップが小さく前記井戸層よりもバンドギャップが
   大きい障壁層との多層構造からなる多重量子井戸構造を
   有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導
   体レーザ装置。
4. 【請求項４】前記活性層は、前記クラッド層よりもバン
   ドギャップが小さい井戸層と前記クラッド層よりもバン
   ドギャップが小さく前記井戸層よりもバンドギャップが
   大きい障壁層との多層構造からなる多重量子井戸構造
   と、前記多重量子井戸構造の実効バンドギャップよりも
   大きく前記クラッド層より小さいバンドギャップを有す
   る光ガイド層と、を有することを特徴とする請求項１〜
   ２のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】前記第２導電型のクラッド層は、前記レー
   ザ光の放出される方向に沿って帯状に層厚が厚いものと
   して構成されたリッジストライプを有することを特徴と
   する請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ
   装置。
6. 【請求項６】前記第２導電型のクラッド層の前記リッジ
   ストライプの両側に、第１導電型の電流ブロック層がそ
   れぞれ積層されてなることを特徴とする請求項５記載の
   半導体レーザ装置。
7. 【請求項７】前記化合物半導体基板は、ＧａＡｓからな
   り、 前記第１導電型のクラッド層と前記活性層と前記第２導
   電型のクラッド層は、ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなるこ
   とを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半
   導体レーザ装置。
8. 【請求項８】端面からレーザ光を放出する半導体レーザ
   装置の製造方法であって、 III−Ｖ族化合物半導体基板の上に、第１導電型のクラ
   ッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド層と、前記
   第２導電型のクラッド層よりもバンドギャップの小さい
   第２導電型の通電容易層とを順次積層したウェーハを形
   成する工程と、前記端面及びその近傍部の直上において
   前記通電容易層を選択的にエッチング除去し、前記第２
   導電型クラッド層を表面に露出させる工程と、 前記露出させた前記第２導電型のクラッド層と前記通電
   容易層の上に前記通電容易層よりもバンドギャップの小
   さい第２導電型のコンタクト層を形成する工程と、を備
   えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
9. 【請求項９】端面からレーザ光を放出する半導体レーザ
   装置の製造方法であって、 III−Ｖ族化合物半導体基板の上に、第１導電型のクラ
   ッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド層と、前記
   第２導電型のクラッド層よりもバンドギャップの小さい
   第２導電型の通電容易層とを順次積層したウェーハを形
   成する工程と、開口部を有するマスクを前記通電容易層
   の上に形成する工程と、 少なくとも前記開口部に露出した前記ウェーハの上にＺ
   ｎが２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上ドーピングされたｐ型III−
   Ｖ族化合物半導体層を形成し、前記ｐ型III−Ｖ族化合
   物半導体層から前記第２導電型のクラッド層と前記活性
   層と前記第１導電型のクラッド層とにＺｎを順次拡散さ
   せる工程と、 前記マスクの前記開口部が形成されていた部分を横切る
   ように前記ウェーハを分割することにより前記端面を形
   成する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
   法。
10. 【請求項１０】端面からレーザ光を放出する半導体レー
    ザ装置の製造方法であって、 III−Ｖ族化合物半導体基板の上に、第１導電型のクラ
    ッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド層と、前記
    第２導電型のクラッド層よりもバンドギャップの小さい
    第２導電型の通電容易層とを順次積層したウェーハを形
    成する工程と、 開口部を有するマスクを前記通電容易層の上に形成する
    工程と、 前記マスクの前記開口部をエッチングすることにより前
    記通電容易層を選択的にエッチング除去し、前記第２導
    電型クラッド層を露出させる工程と、 少なくとも前記マスクの前記開口部に露出した前記第２
    導電型のクラッド層の表面上にＺｎが２×１０¹⁸ｃｍ^-3
    以上ドーピングされたｐ型III−Ｖ族化合物半導体層を
    形成し、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体から前記第２
    導電型のクラッド層と前記活性層と前記第１導電型のク
    ラッド層とにＺｎを順次拡散させる工程と、 前記マスクの前記開口部が形成されていた部分を横切る
    ように前記ウェーハを分割することにより前記端面を形
    成する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
    法。
11. 【請求項１１】前記拡散させる前記工程は、水素、窒
    素、または前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層を構成す
    るＶ族元素を含有する雰囲気中でアニール処理を行うこ
    とにより、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体から前記第
    ２導電型のクラッド層と前記活性層と前記第１導電型の
    クラッド層とにＺｎを順次拡散させる工程を有すること
    を特徴とする請求項９または１０に記載の半導体レーザ
    装置の製造方法。
12. 【請求項１２】前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層の層
    厚は、０．２μｍ以上である事を特徴とする請求項９〜
    １１のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置の製造方
    法。
13. 【請求項１３】前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層は、
    ＧａＡｓからなることを特徴とする請求項９〜１２のい
    ずれか１つに記載の半導体レーザ装置の製造方法。
14. 【請求項１４】前記マスクは、酸化シリコン、窒化シリ
    コン、及び酸化アルミニウムのいずれかであることを特
    徴とする請求項９〜１３のいずれか１つに記載の半導体
    レーザ装置の製造方法。
15. 【請求項１５】前記マスクは、化合物半導体からなるこ
    とを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１つに記載の
    半導体レーザ装置の製造方法。
16. 【請求項１６】前記化合物半導体からなる前記マスク
    は、アンドープまたはｎ型不純物がドープされているこ
    とを特徴とする請求項１５記載の半導体レーザ装置の製
    造方法。
17. 【請求項１７】前記マスクの厚さは、前記第２導電型の
    クラッド層の半分以上であることを特徴とする請求項１
    ５または１６に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
18. 【請求項１８】前記マスクは、ＧａＡｓからなることを
    特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１つに記載の半
    導体レーザ装置の製造方法。
19. 【請求項１９】ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層の形成
    は、有機金属気相成長法、分子線エピタキシャル法、ハ
    イドライド気相成長法、クロライド気相成長法、または
    液層成長法のいずれかにより行われることを特徴とする
    請求項９〜１８のいずれか１つに記載の半導体レーザ装
    置の製造方法。
20. 【請求項２０】ウェーハ上に開口部を有するマスクを形
    成する工程と、 少なくとも前記マスクの前記開口部に露出した前記ウェ
    ーハの表面上にＺｎが２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上ドーピング
    されたｐ型III−Ｖ族化合物半導体層を形成する工程
    と、 前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体から前記ウェーハ中に
    Ｚｎを拡散させる工程と、 を備えたことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体素子
    の製造方法。
21. 【請求項２１】前記拡散させる前記工程は、アニール処
    理を行うことにより前記Ｚｎを拡散させる工程を含むこ
    とを特徴とする請求項２０記載のIII−Ｖ族化合物半導
    体素子の製造方法。
22. 【請求項２２】前記アニール処理は、水素、窒素、また
    は前記ｐ型III −Ｖ族化合物半導体層を構成するＶ族元
    素を含有する雰囲気中で施されることを特徴とする請求
    項２１記載のIII−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法。