JPH11284282A - 短波長発光素子 - Google Patents
短波長発光素子Info
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- JPH11284282A JPH11284282A JP8528298A JP8528298A JPH11284282A JP H11284282 A JPH11284282 A JP H11284282A JP 8528298 A JP8528298 A JP 8528298A JP 8528298 A JP8528298 A JP 8528298A JP H11284282 A JPH11284282 A JP H11284282A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色領域や緑色領域のレーザービームを、効
率良く高出力で発生可能な短波長発光素子を得る。 【解決手段】 立方晶のＧａＮまたはＧａＮＡｓ基板１
を用い、活性層４をＩｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井
戸とし、そしてクラッド層２、６および光導波層５を、
基板１に格子整合する、ＮとＡｓの両方を含むＧａＡｌ
ＮＡｓ系、あるいはＧａＡｌＮＡｓ／ＧａＮＡｓ超格子
とする。
率良く高出力で発生可能な短波長発光素子を得る。 【解決手段】 立方晶のＧａＮまたはＧａＮＡｓ基板１
を用い、活性層４をＩｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井
戸とし、そしてクラッド層２、６および光導波層５を、
基板１に格子整合する、ＮとＡｓの両方を含むＧａＡｌ
ＮＡｓ系、あるいはＧａＡｌＮＡｓ／ＧａＮＡｓ超格子
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は短波長発光素子に関
し、特に詳細には、青、緑の波長領域の光が得られる短
波長発光素子に関するものである。
し、特に詳細には、青、緑の波長領域の光が得られる短
波長発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、青色あるいはそれに近い色の光を
発する短波長発光素子として、例えば文献Jpn.J.Appl.P
hys.Lett.,Vol.36(1997)p.L1059に示されるように、サ
ファイア基板上にＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層を形成
してなる、400ｎｍ帯の光を発するＩｎＧａＮ系青紫半
導体レーザーが知られている。
発する短波長発光素子として、例えば文献Jpn.J.Appl.P
hys.Lett.,Vol.36(1997)p.L1059に示されるように、サ
ファイア基板上にＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層を形成
してなる、400ｎｍ帯の光を発するＩｎＧａＮ系青紫半
導体レーザーが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この系
では、文献Appl.Phys.Lett.,Vol.70(1997)p.981に示さ
れているように、Ｉｎ含有量が増えると、ＩｎＧａＮで
の組成の不均一により組成の分離が起こり、良好な素子
が得られないという欠点が認められている。このこと
は、Ｉｎ組成が１０％ではＩｎが均一に混ざらず、混晶
化しないという文献Appl.Phys.Lett.,Vol.69(1996)p.27
01の熱力学的計算結果と良く符合している。
では、文献Appl.Phys.Lett.,Vol.70(1997)p.981に示さ
れているように、Ｉｎ含有量が増えると、ＩｎＧａＮで
の組成の不均一により組成の分離が起こり、良好な素子
が得られないという欠点が認められている。このこと
は、Ｉｎ組成が１０％ではＩｎが均一に混ざらず、混晶
化しないという文献Appl.Phys.Lett.,Vol.69(1996)p.27
01の熱力学的計算結果と良く符合している。
【０００４】以上の事情から、ＩｎＧａＮ系では、１０
％以上のＩｎ組成を必要とする青あるいは緑色のレーザ
ー光を得るのは非常に困難となっている。
％以上のＩｎ組成を必要とする青あるいは緑色のレーザ
ー光を得るのは非常に困難となっている。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、青色領域や緑色領域のレーザービーム等の光
を、効率良く高出力で発生可能な短波長発光素子を提供
することを目的とする。
であり、青色領域や緑色領域のレーザービーム等の光
を、効率良く高出力で発生可能な短波長発光素子を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による短波長発光
素子は、立方晶のＧａＮまたはＧａＮＡｓ基板を用い、
活性層をＩｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸とし、そ
してクラッド層および光導波層をそれぞれ、基板に格子
整合するＧａＡｌＮＡｓ系、あるいは基板に格子整合す
るＧａＡｌＮＡｓ／ＧａＮＡｓ超格子から形成したこと
を特徴とするものである。
素子は、立方晶のＧａＮまたはＧａＮＡｓ基板を用い、
活性層をＩｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸とし、そ
してクラッド層および光導波層をそれぞれ、基板に格子
整合するＧａＡｌＮＡｓ系、あるいは基板に格子整合す
るＧａＡｌＮＡｓ／ＧａＮＡｓ超格子から形成したこと
を特徴とするものである。
【０００７】ここで、上述のようにクラッド層あるいは
光導波層が基板に「格子整合する」とは、クラッド層あ
るいは光導波層の格子定数をａ、基板の格子定数をａS
としたとき、（ａ−ａS ）／ａS の絶対値が０．３％以
下の値を取る場合を指すものとする。
光導波層が基板に「格子整合する」とは、クラッド層あ
るいは光導波層の格子定数をａ、基板の格子定数をａS
としたとき、（ａ−ａS ）／ａS の絶対値が０．３％以
下の値を取る場合を指すものとする。
【０００８】
【発明の効果】上記の構成を有する本発明の短波長発光
素子においては、各層にＡｓを添加したことにより、前
述のＩｎＧａＮ系青紫半導体レーザーよりも発振波長を
長波長化して、青あるいは緑色の発光を得ることができ
る。さらに、この短波長発光素子においては、上記Ａｓ
の添加効果により赤色の発光を得ることもできる。
素子においては、各層にＡｓを添加したことにより、前
述のＩｎＧａＮ系青紫半導体レーザーよりも発振波長を
長波長化して、青あるいは緑色の発光を得ることができ
る。さらに、この短波長発光素子においては、上記Ａｓ
の添加効果により赤色の発光を得ることもできる。
【０００９】なお、Ａｓ雰囲気中でＧａＮを成長させる
場合は、Ａｓのサーファクタント効果により、六方晶の
ＧａＮより立方晶のＧａＮの方が成長しやすいことは、
例えば文献Appl.Phys.Lett.,Vol.70(1997)p.1025にも示
されている。
場合は、Ａｓのサーファクタント効果により、六方晶の
ＧａＮより立方晶のＧａＮの方が成長しやすいことは、
例えば文献Appl.Phys.Lett.,Vol.70(1997)p.1025にも示
されている。
【００１０】さらに本発明によれば、立方晶の基板を用
いていることにより、（１）効果によるバンドギャップ
の影響を避けるために活性層の量子井戸厚を小さくする
必要がないので、量子井戸幅を広くして発振波長を長く
することができ、キャリアの漏れも低減できる。（２）
立方晶の結晶であるため、活性層の歪により価電子帯の
有効質量が小さくなる。
いていることにより、（１）効果によるバンドギャップ
の影響を避けるために活性層の量子井戸厚を小さくする
必要がないので、量子井戸幅を広くして発振波長を長く
することができ、キャリアの漏れも低減できる。（２）
立方晶の結晶であるため、活性層の歪により価電子帯の
有効質量が小さくなる。
【００１１】という効果も得られる。
【００１２】さらには、上述のように各層にＡｓを添加
していることにより、（３）クラッド層および光導波層
の格子不整合度を低減し、また六方晶の結晶成長を抑制
して、積層欠陥の発生を抑制できる。（４）層成長中に
Ａｓが照射され続けるので、立方晶の結晶が形成されや
すい。（５）Ａｓを含有する活性層を用いることにより
スピン軌道相互作用が大きくなり価電子帯の有効質量が
小さくなる。それにより、素子特性の温度依存性が小さ
い半導体レーザを提供できる。
していることにより、（３）クラッド層および光導波層
の格子不整合度を低減し、また六方晶の結晶成長を抑制
して、積層欠陥の発生を抑制できる。（４）層成長中に
Ａｓが照射され続けるので、立方晶の結晶が形成されや
すい。（５）Ａｓを含有する活性層を用いることにより
スピン軌道相互作用が大きくなり価電子帯の有効質量が
小さくなる。それにより、素子特性の温度依存性が小さ
い半導体レーザを提供できる。
【００１３】という効果も得られる。
【００１４】以上により本発明によれば、キャリアの漏
れによる電流の発生が抑制され、高駆動電流時にも素子
温度上昇を低減でき、高出力発振時での素子の信頼性が
向上する。
れによる電流の発生が抑制され、高駆動電流時にも素子
温度上昇を低減でき、高出力発振時での素子の信頼性が
向上する。
【００１５】さらには、基板に格子整合する分布反射超
格子を作製でき、この反射鏡を用いた面発光半導体レー
ザ素子の作製も可能となる。
格子を作製でき、この反射鏡を用いた面発光半導体レー
ザ素子の作製も可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１７】＜第１実施形態＞図１は、本発明の第１実
施形態による短波長発光素子の概略側断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板１上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
クラッド層２、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層３、ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子
井戸活性層４、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層５、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラ
ッド層６、およびｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層７
を有している。
施形態による短波長発光素子の概略側断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板１上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
クラッド層２、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層３、ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子
井戸活性層４、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層５、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラ
ッド層６、およびｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層７
を有している。
【００１８】上記の各層２〜７は例えば有機金属気相成
長法により形成され、次いで基板１が研磨され、その後
ｐ側電極８およびｎ側電極９が形成される。そしてへき
開により共振器を形成後、高反射コート10と低反射コー
ト11を施し、チップ化することにより、この短波長発光
素子が完成する。
長法により形成され、次いで基板１が研磨され、その後
ｐ側電極８およびｎ側電極９が形成される。そしてへき
開により共振器を形成後、高反射コート10と低反射コー
ト11を施し、チップ化することにより、この短波長発光
素子が完成する。
【００１９】なおクラッド層２、６および光導波層３、
５は、ｎ−ＧａＮ基板１に格子整合する組成とする。こ
の格子整合の定義は、先に述べた通りである。
５は、ｎ−ＧａＮ基板１に格子整合する組成とする。こ
の格子整合の定義は、先に述べた通りである。
【００２０】この実施形態は単純な全面電極を形成する
例であるが、以上の層構成において絶縁膜ストライプを
形成して、利得導波ストライプレーザを作製したり、通
常のフォトリソグラフィーやドライエッチングによる加
工を行なって屈折率導波機構付き半導体レーザや、回折
格子付きの半導体レーザや光集積回路を作製することも
可能である。
例であるが、以上の層構成において絶縁膜ストライプを
形成して、利得導波ストライプレーザを作製したり、通
常のフォトリソグラフィーやドライエッチングによる加
工を行なって屈折率導波機構付き半導体レーザや、回折
格子付きの半導体レーザや光集積回路を作製することも
可能である。
【００２１】また上記実施形態では、ＧａＮ基板１はｎ
型の導電性のものとしているが、ｐ型の導電性基板を用
いてもよく、そのようにする場合は、上記全ての導電性
を反対にすればよい。一方、活性層は多重量子井戸構造
とされてもよい。
型の導電性のものとしているが、ｐ型の導電性基板を用
いてもよく、そのようにする場合は、上記全ての導電性
を反対にすればよい。一方、活性層は多重量子井戸構造
とされてもよい。
【００２２】＜第２実施形態＞図２は、本発明の第２実
施形態による短波長発光素子の概略側断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板21上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子クラッド層22、ｎあるいはｉ
−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導波層23、ｉ−Ｉｎx3
Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Asy3量子井戸活性層24、ｐあるいはｉ−
Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導波層25、ｐ−Ｇａ1-z1
Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子クラッド
層26、およびｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層27を有
している。
施形態による短波長発光素子の概略側断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板21上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子クラッド層22、ｎあるいはｉ
−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導波層23、ｉ−Ｉｎx3
Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Asy3量子井戸活性層24、ｐあるいはｉ−
Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導波層25、ｐ−Ｇａ1-z1
Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子クラッド
層26、およびｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層27を有
している。
【００２３】上記の各層22〜27は例えば有機金属気相成
長法により形成され、次いで基板21が研磨され、その後
ｐ側電極28およびｎ側電極29が形成される。そしてへき
開により共振器を形成後、高反射コート30と低反射コー
ト31を施し、チップ化することにより、この短波長発光
素子が完成する。
長法により形成され、次いで基板21が研磨され、その後
ｐ側電極28およびｎ側電極29が形成される。そしてへき
開により共振器を形成後、高反射コート30と低反射コー
ト31を施し、チップ化することにより、この短波長発光
素子が完成する。
【００２４】なおクラッド層22、26は、ｎ−ＧａＮ基板
21に格子整合する膜厚および組成比とされる。一方光導
波層23、25は、ＧａＮ基板21に格子整合するＧａ1-z2Ａ
ｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2／ＧａＮ1-y2Ａｓy2超格子構造からな
るものとされてもよい。
21に格子整合する膜厚および組成比とされる。一方光導
波層23、25は、ＧａＮ基板21に格子整合するＧａ1-z2Ａ
ｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2／ＧａＮ1-y2Ａｓy2超格子構造からな
るものとされてもよい。
【００２５】この実施形態は単純な全面電極を形成する
例であるが、以上の層構成において絶縁膜ストライプを
形成して、利得導波ストライプレーザを作製したり、通
常のフォトリソグラフィーやドライエッチングによる加
工を行なって屈折率導波機構付き半導体レーザや、回折
格子付きの半導体レーザや光集積回路を作製することも
可能である。
例であるが、以上の層構成において絶縁膜ストライプを
形成して、利得導波ストライプレーザを作製したり、通
常のフォトリソグラフィーやドライエッチングによる加
工を行なって屈折率導波機構付き半導体レーザや、回折
格子付きの半導体レーザや光集積回路を作製することも
可能である。
【００２６】また上記実施形態では、ＧａＮ基板21はｎ
型の導電性のものとしているが、ｐ型の導電性基板を用
いてもよく、そのようにする場含は、上記全ての導電性
を反対にすればよい。一方、活性層は多重量子井戸構造
とされてもよい。
型の導電性のものとしているが、ｐ型の導電性基板を用
いてもよく、そのようにする場含は、上記全ての導電性
を反対にすればよい。一方、活性層は多重量子井戸構造
とされてもよい。
【００２７】＜第３実施形態＞図３は、本発明の第３実
施形態による短波長発光素子の概略正断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板41上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
クラッド層42、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層43、ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子
井戸活性層44、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層45、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ 1-y1Ａｓy1第１
上部クラッド層46、ｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ1-y4Ａｓy4電
流狭窄層47、ｎ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5キャップ層48、ｐ−
Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第２上部クラッド層51、ｐ
−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層52を有している。
施形態による短波長発光素子の概略正断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板41上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
クラッド層42、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層43、ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子
井戸活性層44、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層45、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ 1-y1Ａｓy1第１
上部クラッド層46、ｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ1-y4Ａｓy4電
流狭窄層47、ｎ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5キャップ層48、ｐ−
Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第２上部クラッド層51、ｐ
−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層52を有している。
【００２８】上記の各層22〜28は例えば有機金属気相成
長法により形成される。図４に示されるようにｎ−Ｇａ
Ｎ1-y5Ａｓy5キャップ層48までが形成された後、その上
にＳｉＯ2膜49が成膜され、その上にレジスト50が塗布
される。次に通常のフォトリソグラフィーにより、幅３
μｍ程度のストライプ領域のＳｉＯ2膜49およびレジス
ト50が除去される（図４の状態）。
長法により形成される。図４に示されるようにｎ−Ｇａ
Ｎ1-y5Ａｓy5キャップ層48までが形成された後、その上
にＳｉＯ2膜49が成膜され、その上にレジスト50が塗布
される。次に通常のフォトリソグラフィーにより、幅３
μｍ程度のストライプ領域のＳｉＯ2膜49およびレジス
ト50が除去される（図４の状態）。
【００２９】その後、レジスト50をマスクとしてドライ
エッチングにより、ｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ1-y4Ａｓy4電
流狭窄層47（厚み１μｍ程度）が除去され、それによ
り、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第１上部クラッド
層46が露出するようになる。そしてその上に、ｐ−Ｇａ
1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第２上部クラッド層51およびｐ
−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層52が、有機金属気相成
長法等によって形成される。
エッチングにより、ｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ1-y4Ａｓy4電
流狭窄層47（厚み１μｍ程度）が除去され、それによ
り、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第１上部クラッド
層46が露出するようになる。そしてその上に、ｐ−Ｇａ
1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第２上部クラッド層51およびｐ
−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層52が、有機金属気相成
長法等によって形成される。
【００３０】次いで基板41が研磨され、その後ｐ側電極
53およびｎ側電極54が形成される。そしてへき開により
共振器を形成後、図３の紙面に垂直な方向に互いに離れ
ている両端面にそれぞれ高反射コートと低反射コートを
施し、チップ化することにより、この短波長発光素子が
完成する。
53およびｎ側電極54が形成される。そしてへき開により
共振器を形成後、図３の紙面に垂直な方向に互いに離れ
ている両端面にそれぞれ高反射コートと低反射コートを
施し、チップ化することにより、この短波長発光素子が
完成する。
【００３１】なおｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第１
上部クラッド層46の厚みおよびｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ
1-y4Ａｓy4電流狭窄層47の組成は、単一基本モードによ
る屈折率導波が達成できるようなものとされる。
上部クラッド層46の厚みおよびｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ
1-y4Ａｓy4電流狭窄層47の組成は、単一基本モードによ
る屈折率導波が達成できるようなものとされる。
【００３２】＜第４実施形態＞図５は、本発明の第４実
施形態による短波長発光素子の概略側断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板61上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
クラッド層62、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層63、ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子
井戸活性層64、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層65、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラ
ッド層66、p−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層67、ｎ−
Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層68、p−Ｇａ1-z11Ａ
ｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層69、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コン
タクト層70、ｎ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド
層71、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導
波層72、ｉ−Ｉｎx7Ｇａ1-x7Ｎ1-y7Ａｓy7量子井戸活性
層73、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導
波層74、ｐ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド層7
5、p−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層76、ｎ−Ｇａ
1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層77、p−Ｇａ1-z11Ａｌ
z11Ｎ1-y11Ａｓy11層78、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタ
クト層79、ｎ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層
80、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光導波
層81、ｉ−Ｉｎx10Ｇａ1-x10Ｎ1-y10Ａｓy10量子井戸活
性層82、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光
導波層83、ｐ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層
84、p−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層85を有してい
る。
施形態による短波長発光素子の概略側断面形状を示すも
のである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−ＧａＮ
（００１）基板61上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
クラッド層62、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層63、ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子
井戸活性層64、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａ
ｓy2光導波層65、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラ
ッド層66、p−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層67、ｎ−
Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層68、p−Ｇａ1-z11Ａ
ｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層69、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コン
タクト層70、ｎ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド
層71、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導
波層72、ｉ−Ｉｎx7Ｇａ1-x7Ｎ1-y7Ａｓy7量子井戸活性
層73、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導
波層74、ｐ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド層7
5、p−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層76、ｎ−Ｇａ
1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層77、p−Ｇａ1-z11Ａｌ
z11Ｎ1-y11Ａｓy11層78、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタ
クト層79、ｎ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層
80、ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光導波
層81、ｉ−Ｉｎx10Ｇａ1-x10Ｎ1-y10Ａｓy10量子井戸活
性層82、ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光
導波層83、ｐ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層
84、p−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層85を有してい
る。
【００３３】上記の各層62〜85は例えば有機金属気相成
長法により形成される。なおコンタクト層と活性層以外
は、ＧａＮに格子整合する組成とされる。またＧａＮ
1-y4Ａｓy4コンタクト層67、70、76、79、85は、Ａｓの
含有率が０．５％以下、好ましくは０．１％以下の組成
とする。
長法により形成される。なおコンタクト層と活性層以外
は、ＧａＮに格子整合する組成とされる。またＧａＮ
1-y4Ａｓy4コンタクト層67、70、76、79、85は、Ａｓの
含有率が０．５％以下、好ましくは０．１％以下の組成
とする。
【００３４】上述した各層62〜85が形成された後、引き
続き通常のフォトリソグラフィーとドライエッチングに
より、屈折率導波構造を形成するリッジと、ｎ側電極88
をｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層70、79の上に形成
するための領域が順次形成される。
続き通常のフォトリソグラフィーとドライエッチングに
より、屈折率導波構造を形成するリッジと、ｎ側電極88
をｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層70、79の上に形成
するための領域が順次形成される。
【００３５】次いで絶縁膜86が形成された後、通常のフ
ォトリソグラフィーとドライエッチングにより、リッジ
上部のｐ側電極形成のための領域において絶縁膜86が除
去され、ｐ側電極87、87、87が蒸着により形成される。
そしてｎ側電極形成領域以外のｐ側電極材料が除去さ
れ、アロイ処理がなされる。
ォトリソグラフィーとドライエッチングにより、リッジ
上部のｐ側電極形成のための領域において絶縁膜86が除
去され、ｐ側電極87、87、87が蒸着により形成される。
そしてｎ側電極形成領域以外のｐ側電極材料が除去さ
れ、アロイ処理がなされる。
【００３６】次いでレジストが塗布された後、通常のフ
ォトリソグラフィーにより、ｎ側電極形成のための領域
のレジストおよび絶縁膜86が除去され、ｎ側電極88が蒸
着により形成される。そしてレジストとその上に蒸着さ
れたｎ側電極材料が除去される。最後にｎ−ＧａＮ（０
０１）基板61の裏にｎ側電極89が形成され、アロイ処理
がなされた後、前述と同様のヘき開および端面コートが
なされて、この屈折率導波型レーザが完成する。
ォトリソグラフィーにより、ｎ側電極形成のための領域
のレジストおよび絶縁膜86が除去され、ｎ側電極88が蒸
着により形成される。そしてレジストとその上に蒸着さ
れたｎ側電極材料が除去される。最後にｎ−ＧａＮ（０
０１）基板61の裏にｎ側電極89が形成され、アロイ処理
がなされた後、前述と同様のヘき開および端面コートが
なされて、この屈折率導波型レーザが完成する。
【００３７】この実施形態においては、p−ＧａＮ1-y4
Ａｓy4コンタクト層67、ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11
Ａｓy11層68、p−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層6
9、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層70および、p−Ｇ
ａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層76、ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11
Ｎ1-y11Ａｓy11層77、p−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓ
y11層78、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層79によ
り、ｐｎｐｎ構造の電流阻止構造が形成されている。
Ａｓy4コンタクト層67、ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11
Ａｓy11層68、p−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層6
9、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層70および、p−Ｇ
ａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層76、ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11
Ｎ1-y11Ａｓy11層77、p−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓ
y11層78、ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層79によ
り、ｐｎｐｎ構造の電流阻止構造が形成されている。
【００３８】３つのリッジ構造を持つこの屈折率導波型
レーザにおいては、各量子井戸活性層64、73、82の組成
を変えることにより、３つの発振波長を実現できる。な
お、Ｐ−クラッド層66、75、84の各残し厚ｄ１、ｄ２、
ｄ３は、各発振波長で基本横モード発振が可能となる厚
みとする。さらに層構成を増やせば、４つ以上の発振波
長を有するレーザも作製可能である。
レーザにおいては、各量子井戸活性層64、73、82の組成
を変えることにより、３つの発振波長を実現できる。な
お、Ｐ−クラッド層66、75、84の各残し厚ｄ１、ｄ２、
ｄ３は、各発振波長で基本横モード発振が可能となる厚
みとする。さらに層構成を増やせば、４つ以上の発振波
長を有するレーザも作製可能である。
【００３９】＜第５実施形態＞図６は本発明の第５実施
形態による短波長発光素子の概略平面形状を示すもので
あり、また図７は図６のＡ−Ｂ線に沿った側断面形状を
示すものである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−
ＧａＮ（００１）基板91上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1
Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子分布反射層92、ｉ−Ｇ
ａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓ
y3量子井戸活性層93、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子分布反射層94、p−ＧａＮ
1-y4Ａｓｙ４コンタクト層９５を有している。
形態による短波長発光素子の概略平面形状を示すもので
あり、また図７は図６のＡ−Ｂ線に沿った側断面形状を
示すものである。この短波長発光素子は、立方晶のｎ−
ＧａＮ（００１）基板91上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1
Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子分布反射層92、ｉ−Ｇ
ａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓ
y3量子井戸活性層93、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1
／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子分布反射層94、p−ＧａＮ
1-y4Ａｓｙ４コンタクト層９５を有している。
【００４０】上記の各層92〜95は例えば有機金属気相成
長法により形成される。その後、円筒形の領域を残し
て、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａｓ
y1超格子分布反射層92の途中までが除去される。次いで
絶縁膜96が形成された後、円筒の上部領域の絶縁膜96が
除去され、その上にｐ側電極97が形成される。次に基板
91の裏側にｎ側電極98が形成され、上記円筒に対向する
領域の基板91およびｎ側電極98が除去され、チップ化さ
れてこの短波長発光素子が完成する。
長法により形成される。その後、円筒形の領域を残し
て、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａｓ
y1超格子分布反射層92の途中までが除去される。次いで
絶縁膜96が形成された後、円筒の上部領域の絶縁膜96が
除去され、その上にｐ側電極97が形成される。次に基板
91の裏側にｎ側電極98が形成され、上記円筒に対向する
領域の基板91およびｎ側電極98が除去され、チップ化さ
れてこの短波長発光素子が完成する。
【００４１】なお超格子分布反射層の各膜厚を、発振波
長を該波長での屈折率で割った値の１／４になるように
し、基板に格子整合する組成とする。また、発振する波
長帯に関しては、Ａｓを含む４元の組成ＩｎＧａＮＡｓ
から活性層を形成していることにより、４２０〜６００
ｎｍの範囲で制御が可能になっている。
長を該波長での屈折率で割った値の１／４になるように
し、基板に格子整合する組成とする。また、発振する波
長帯に関しては、Ａｓを含む４元の組成ＩｎＧａＮＡｓ
から活性層を形成していることにより、４２０〜６００
ｎｍの範囲で制御が可能になっている。
【００４２】以上、本発明が適用された半導体レーザの
実施形態について述べたが、本発明の短波長発光素子
は、面発光ＬＥＤ等の面発光半導体素子として形成する
ことも可能である。
実施形態について述べたが、本発明の短波長発光素子
は、面発光ＬＥＤ等の面発光半導体素子として形成する
ことも可能である。
【００４３】一方、成長法としては、固体あるいはガス
を原料とする分子線エピタキシャル成長法等を適用する
こともできる。
を原料とする分子線エピタキシャル成長法等を適用する
こともできる。
【００４４】そして本発明の短波長発光素子は、高速な
情報・画像処理および通信、計測、医療、印刷の分野で
の光源として広範に応用可能である。
情報・画像処理および通信、計測、医療、印刷の分野で
の光源として広範に応用可能である。
【図１】本発明の第１実施形態による短波長発光素子を
示す概略側断面図
示す概略側断面図
【図２】本発明の第２実施形態による短波長発光素子を
示す概略側断面図
示す概略側断面図
【図３】本発明の第３実施形態による短波長発光素子を
示す概略正断面図
示す概略正断面図
【図４】上記第３実施形態の短波長発光素子の製造方法
を説明する概略図
を説明する概略図
【図５】本発明の第４実施形態による短波長発光素子を
示す概略側断面図
示す概略側断面図
【図６】本発明の第５実施形態による短波長発光素子を
示す概略平面図
示す概略平面図
【図７】図６のＡ−Ｂ線に沿った部分を示す概略側断面
図
図
１ ｎ−ＧａＮ（００１）基板 ２ ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 ３ ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 ４ ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 ５ ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 ６ ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 ７ ｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層 ８ ｐ側電極 ９ ｎ側電極 10 高反射コート 11 低反射コート 21 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 22 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子クラッド層 23 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 24 ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 25 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 26 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子クラッド層 27 ｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層 28 ｐ側電極 29 ｎ側電極 30 高反射コート 31 低反射コート 41 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 42 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 43 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 44 ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 45 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 46 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第１上部クラッ
ド層 47 ｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ1-y4Ａｓy4電流狭窄層 48 ｎ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5キャップ層 51 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第２上部クラッ
ド層 52 ｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層 53 ｐ側電極 54 ｎ側電極 61 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 62 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 63 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 64 ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 65 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 66 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 67 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 68 ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 69 ｐ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 70 ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 71 ｎ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド層７２
ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導波
層 73 ｉ−Ｉｎx7Ｇａ1-x7Ｎ1-y7Ａｓy7量子井戸活性層 74 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導
波層 75 ｐ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド層 76 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 77 ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 78 ｐ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 79 ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 80 ｎ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層 81 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光導
波層 82 ｉ−Ｉｎx10Ｇａ1-x10Ｎ1-y10Ａｓy10量子井戸活
性層 83 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光導
波層 84 ｐ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層 85 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 86 絶縁膜 87 ｐ側電極 88 ｎ側電極 89 ｎ側電極 91 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 92 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子分布反射層 93 ｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2／Ｉｎx3Ｇａ
1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 94 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子分布反射層 95 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 96 絶縁膜 97 ｐ側電極 98 ｎ側電極
波層 ４ ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 ５ ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 ６ ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 ７ ｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層 ８ ｐ側電極 ９ ｎ側電極 10 高反射コート 11 低反射コート 21 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 22 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子クラッド層 23 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 24 ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 25 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 26 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子クラッド層 27 ｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層 28 ｐ側電極 29 ｎ側電極 30 高反射コート 31 低反射コート 41 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 42 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 43 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 44 ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 45 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 46 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第１上部クラッ
ド層 47 ｎ−Ｇａ1-z4Ａｌz4Ｎ1-y4Ａｓy4電流狭窄層 48 ｎ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5キャップ層 51 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1第２上部クラッ
ド層 52 ｐ−ＧａＮ1-y5Ａｓy5コンタクト層 53 ｐ側電極 54 ｎ側電極 61 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 62 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 63 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 64 ｉ−Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 65 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2光導
波層 66 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1クラッド層 67 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 68 ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 69 ｐ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 70 ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 71 ｎ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド層７２
ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導波
層 73 ｉ−Ｉｎx7Ｇａ1-x7Ｎ1-y7Ａｓy7量子井戸活性層 74 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z6Ａｌz6Ｎ1-y6Ａｓy6光導
波層 75 ｐ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎ1-y5Ａｓy5クラッド層 76 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 77 ｎ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 78 ｐ−Ｇａ1-z11Ａｌz11Ｎ1-y11Ａｓy11層 79 ｎ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 80 ｎ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層 81 ｎあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光導
波層 82 ｉ−Ｉｎx10Ｇａ1-x10Ｎ1-y10Ａｓy10量子井戸活
性層 83 ｐあるいはｉ−Ｇａ1-z9Ａｌz9Ｎ1-y9Ａｓy9光導
波層 84 ｐ−Ｇａ1-z8Ａｌz8Ｎ1-y8Ａｓy8クラッド層 85 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 86 絶縁膜 87 ｐ側電極 88 ｎ側電極 89 ｎ側電極 91 ｎ−ＧａＮ（００１）基板 92 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子分布反射層 93 ｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2／Ｉｎx3Ｇａ
1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層 94 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａ
ｓy1超格子分布反射層 95 ｐ−ＧａＮ1-y4Ａｓy4コンタクト層 96 絶縁膜 97 ｐ側電極 98 ｎ側電極
Claims (1)
- 【請求項１】 立方晶のＧａＮまたはＧａＮＡｓ基板
と、 基板に格子整合するＧａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1または
Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ1-y1Ａｓy1／ＧａＮ1-y1Ａｓy1超格子
からなるクラッド層と、 基板に格子整合するＧａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2または
Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ1-y2Ａｓy2／ＧａＮ1-y2Ａｓy2超格子
からなる光導波層と、 Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ1-y3Ａｓy3量子井戸活性層とからなる
短波長発光素子。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8528298A JPH11284282A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 短波長発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8528298A JPH11284282A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 短波長発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11284282A true JPH11284282A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13854226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8528298A Pending JPH11284282A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 短波長発光素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
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- 1998-03-31 JP JP8528298A patent/JPH11284282A/ja active Pending
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