JPH11289106A - Ｌｅｄアレイおよびその製造方法ならびにｌｅｄプリントヘッド - Google Patents
Ｌｅｄアレイおよびその製造方法ならびにｌｅｄプリントヘッドInfo
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- JPH11289106A JPH11289106A JP8969398A JP8969398A JPH11289106A JP H11289106 A JPH11289106 A JP H11289106A JP 8969398 A JP8969398 A JP 8969398A JP 8969398 A JP8969398 A JP 8969398A JP H11289106 A JPH11289106 A JP H11289106A
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- led
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クラックあるいはボンディングワイヤの接触
によるｐｎショートに起因する発光部の暗発光および不
点灯をなくす。 【解決手段】 ＬＥＤアレイ１は、ｐ型領域である複数
の発光部１１および切り欠きＨ１〜Ｈ４を設けたｎ型半
導体基板１０と、発光部１１に個別にコンタクトし、ワ
イヤがボンディングされる個別電極１２とを備えてい
る。切り欠きＨ１〜Ｈ４は、半導体基板１０の表面外周
部にそれぞれ形成されている。切り欠きＨ１〜Ｈ４と基
板側面Ｓ１〜Ｓ４との端辺部ｈ１〜ｈ４は、基板表面を
含む平面に対し、発光部１１の底部よりも深い位置に形
成され、また基板表面から見たときのＬＥＤアレイ１の
最外形をなしている。複数のＬＥＤアレイ１がＬＥＤプ
リントヘッドに並べてマウントされるときに、端辺部ｈ
１，ｈ２は接触箇所となり、上記のワイヤは切り欠きＨ
４の上空を通過してアレイ外部のパッドに接続する。
によるｐｎショートに起因する発光部の暗発光および不
点灯をなくす。 【解決手段】 ＬＥＤアレイ１は、ｐ型領域である複数
の発光部１１および切り欠きＨ１〜Ｈ４を設けたｎ型半
導体基板１０と、発光部１１に個別にコンタクトし、ワ
イヤがボンディングされる個別電極１２とを備えてい
る。切り欠きＨ１〜Ｈ４は、半導体基板１０の表面外周
部にそれぞれ形成されている。切り欠きＨ１〜Ｈ４と基
板側面Ｓ１〜Ｓ４との端辺部ｈ１〜ｈ４は、基板表面を
含む平面に対し、発光部１１の底部よりも深い位置に形
成され、また基板表面から見たときのＬＥＤアレイ１の
最外形をなしている。複数のＬＥＤアレイ１がＬＥＤプ
リントヘッドに並べてマウントされるときに、端辺部ｈ
１，ｈ２は接触箇所となり、上記のワイヤは切り欠きＨ
４の上空を通過してアレイ外部のパッドに接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）を複数形成したＬＥＤアレイの構
造および製造方法、ならびに複数のＬＥＤアレイを備え
た、電子写真プリンタ等において感光ドラムの露光光源
として用いられるＬＥＤプリントヘッドに関する。
Ｄ（発光ダイオード）を複数形成したＬＥＤアレイの構
造および製造方法、ならびに複数のＬＥＤアレイを備え
た、電子写真プリンタ等において感光ドラムの露光光源
として用いられるＬＥＤプリントヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は従来のＬＥＤアレイの構造図で
あり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−
Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’間の
断面図である。図１３のＬＥＤアレイ１０１は、ｎ型半
導体基板１１０と、複数の開口部が形成された図示しな
い絶縁膜と、複数のｐ型半導体領域（発光部）１１と、
複数の個別電極１２と、共通電極１３とを有する。
あり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−
Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’間の
断面図である。図１３のＬＥＤアレイ１０１は、ｎ型半
導体基板１１０と、複数の開口部が形成された図示しな
い絶縁膜と、複数のｐ型半導体領域（発光部）１１と、
複数の個別電極１２と、共通電極１３とを有する。
【０００３】発光部１１は、上記の開口部位置に対応す
る半導体基板１１０の部分領域に形成されている。個別
電極１２は、その一部が発光部１１の部分領域にコンタ
クトするように形成されている。共通電極１３は、半導
体基板１１０の裏面に形成され、これにコンタクトして
いる。ＬＥＤアレイ１０１には、複数の発光部１１およ
び複数の個別電極１２がそれぞれ一列に形成されてい
る。１個の発光部１１と、これにコンタクトする個別電
極１２と、半導体基板１０と、共通電極１３とは、１個
のＬＥＤを構成している。
る半導体基板１１０の部分領域に形成されている。個別
電極１２は、その一部が発光部１１の部分領域にコンタ
クトするように形成されている。共通電極１３は、半導
体基板１１０の裏面に形成され、これにコンタクトして
いる。ＬＥＤアレイ１０１には、複数の発光部１１およ
び複数の個別電極１２がそれぞれ一列に形成されてい
る。１個の発光部１１と、これにコンタクトする個別電
極１２と、半導体基板１０と、共通電極１３とは、１個
のＬＥＤを構成している。
【０００４】ＬＥＤアレイの製造工程であるダイシング
工程において、半導体ウエハに複数形成されたＬＥＤア
レイは、例えば特開平２−１０８７９号公報に開示され
るように、半導体基板１１０の断面が逆台形となるよう
に、つまり発光部１１が形成された半導体基板１１０の
表面が底辺となり、共通電極１３が形成された半導体基
板１１０の裏面が頂辺となる台形になるように、ダイヤ
モンドブレードにより半導体ウエハから切り出される。
工程において、半導体ウエハに複数形成されたＬＥＤア
レイは、例えば特開平２−１０８７９号公報に開示され
るように、半導体基板１１０の断面が逆台形となるよう
に、つまり発光部１１が形成された半導体基板１１０の
表面が底辺となり、共通電極１３が形成された半導体基
板１１０の裏面が頂辺となる台形になるように、ダイヤ
モンドブレードにより半導体ウエハから切り出される。
【０００５】図１３（ａ）に示すように、ＬＥＤアレイ
１０１（半導体基板１１０）の上面（表面）から見た最
外形は長方形である。ただし、上記のダイシング工程お
ける位置決め誤差により、長方形にならない場合もあ
る。なお、以下の説明において、発光部１１の列に垂直
な短寸法側の半導体基板１１０の側面を短側面と称し、
また発光部１１の列に沿った長寸法側の半導体基板１１
０の側面を長側面と称する。
１０１（半導体基板１１０）の上面（表面）から見た最
外形は長方形である。ただし、上記のダイシング工程お
ける位置決め誤差により、長方形にならない場合もあ
る。なお、以下の説明において、発光部１１の列に垂直
な短寸法側の半導体基板１１０の側面を短側面と称し、
また発光部１１の列に沿った長寸法側の半導体基板１１
０の側面を長側面と称する。
【０００６】ＬＥＤアレイを用いる装置、例えばＬＥＤ
プリントヘッドにおいては、ＬＥＤアレイ１０１の裏面
の共通電極１３を配線基板上の共通電極パッドにダイボ
ンドすることにより、上記の短側面同士を向き合わせて
ＬＥＤアレイ同士を近接させ、複数のＬＥＤアレイを配
線基板に一列にマウントし、個別電極１２と配線基板上
の個別電極パッドとをワイヤボンドにより接続する。こ
のため、マウントし易いように、ＬＥＤアレイ１０１の
断面が逆台形になるように半導体ウエハから切り出すの
である。
プリントヘッドにおいては、ＬＥＤアレイ１０１の裏面
の共通電極１３を配線基板上の共通電極パッドにダイボ
ンドすることにより、上記の短側面同士を向き合わせて
ＬＥＤアレイ同士を近接させ、複数のＬＥＤアレイを配
線基板に一列にマウントし、個別電極１２と配線基板上
の個別電極パッドとをワイヤボンドにより接続する。こ
のため、マウントし易いように、ＬＥＤアレイ１０１の
断面が逆台形になるように半導体ウエハから切り出すの
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のＬＥＤアレイおよびＬＥＤプリントヘッドにおいて
は、図１４（（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面
図）に示すように、隣接するＬＥＤアレイ同士が接触し
た場合には、発光部１１が形成された表面と短側面との
端辺部同士が接触し、この端辺部を起点としてクラック
が発生し、発光部１１にクラックが到達し易く、クラッ
クによる発光部１１の暗発光（電極間に電圧を印加して
いないのに発光してしまう現象）および不点灯（電極間
に電圧を印加しても発光しない現象）を生じることがあ
るという問題があった。
のＬＥＤアレイおよびＬＥＤプリントヘッドにおいて
は、図１４（（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面
図）に示すように、隣接するＬＥＤアレイ同士が接触し
た場合には、発光部１１が形成された表面と短側面との
端辺部同士が接触し、この端辺部を起点としてクラック
が発生し、発光部１１にクラックが到達し易く、クラッ
クによる発光部１１の暗発光（電極間に電圧を印加して
いないのに発光してしまう現象）および不点灯（電極間
に電圧を印加しても発光しない現象）を生じることがあ
るという問題があった。
【０００８】また、上記従来のＬＥＤアレイおよびＬＥ
Ｄプリントヘッドにおいては、図１５（（ｂ）は（ａ）
におけるＢ−Ｂ’間の断面図）に示すように、配線基板
４０の小型化等により、配線基板４０のＬＥＤアレイ１
０１のマウント位置と個別電極パッド４２の位置との距
離がとれない場合に、ＬＥＤアレイ１０１の個別電極１
２と個別電極パッド４２を接続するワイヤ４１の湾曲余
裕度が小さくなり、ワイヤ４１が半導体基板１１０の表
面と長側面との端辺部に接触することにより、ｎ型半導
体基板１１０とｐ型半導体領域（発光部）１１とをショ
ートさせ、発光部１１の暗発光および不点灯を生じるこ
とがあるという間題点があった。特に、図１５（ａ）に
点線で示すように、最外形が長方形でないＬＥＤアレイ
１０１を用いたり、ＬＥＤアレイ１０１が個別電極パッ
ド４２の列に対し、傾斜してマウントされた場合に、上
記のショートが起こり易かった。
Ｄプリントヘッドにおいては、図１５（（ｂ）は（ａ）
におけるＢ−Ｂ’間の断面図）に示すように、配線基板
４０の小型化等により、配線基板４０のＬＥＤアレイ１
０１のマウント位置と個別電極パッド４２の位置との距
離がとれない場合に、ＬＥＤアレイ１０１の個別電極１
２と個別電極パッド４２を接続するワイヤ４１の湾曲余
裕度が小さくなり、ワイヤ４１が半導体基板１１０の表
面と長側面との端辺部に接触することにより、ｎ型半導
体基板１１０とｐ型半導体領域（発光部）１１とをショ
ートさせ、発光部１１の暗発光および不点灯を生じるこ
とがあるという間題点があった。特に、図１５（ａ）に
点線で示すように、最外形が長方形でないＬＥＤアレイ
１０１を用いたり、ＬＥＤアレイ１０１が個別電極パッ
ド４２の列に対し、傾斜してマウントされた場合に、上
記のショートが起こり易かった。
【０００９】また、図１６は従来のＬＥＤプリントヘッ
ドの発光強度分布を示す図であるが、図１６に示すよう
に、従来のＬＥＤプリントヘッドにおいては、ＬＥＤア
レイ１０１の継ぎ目、つまりＬＥＤアレイ１０１の表面
外周端辺部の発光部１１に近い部分から光漏れが生じ、
プリンタの感光ドラムに対する光漏れ部分の光書き込み
分解能が低下してしまうことがあるという問題があっ
た。
ドの発光強度分布を示す図であるが、図１６に示すよう
に、従来のＬＥＤプリントヘッドにおいては、ＬＥＤア
レイ１０１の継ぎ目、つまりＬＥＤアレイ１０１の表面
外周端辺部の発光部１１に近い部分から光漏れが生じ、
プリンタの感光ドラムに対する光漏れ部分の光書き込み
分解能が低下してしまうことがあるという問題があっ
た。
【００１０】本発明はこのような従来の問題を解決する
ためになされたものであり、クラックあるいはボンディ
ングワイヤの接触によるｐｎショートに起因する発光部
の暗発光および不点灯をなくすことができるＬＥＤアレ
イおよびＬＥＤプリントヘッドを提供することを目的と
するものである。また、光漏れをなくすことができるＬ
ＥＤアレイおよびＬＥＤプリントヘッドを提供すること
を目的とするものである。
ためになされたものであり、クラックあるいはボンディ
ングワイヤの接触によるｐｎショートに起因する発光部
の暗発光および不点灯をなくすことができるＬＥＤアレ
イおよびＬＥＤプリントヘッドを提供することを目的と
するものである。また、光漏れをなくすことができるＬ
ＥＤアレイおよびＬＥＤプリントヘッドを提供すること
を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のＬＥＤアレイは、第１導電型の半導体基板
の表面を含む領域に第２導電型の複数の発光部を一列に
形成したＬＥＤアレイにおいて、前記基板の表面と側面
との端辺部に切り欠きを設けたことを特徴とするもので
ある。
めに本発明のＬＥＤアレイは、第１導電型の半導体基板
の表面を含む領域に第２導電型の複数の発光部を一列に
形成したＬＥＤアレイにおいて、前記基板の表面と側面
との端辺部に切り欠きを設けたことを特徴とするもので
ある。
【００１２】クラックの発生をなくすためには、前記側
面切り欠き端辺部を、基板表面を含む平面に対し、発光
部の底部よりも深い位置に形成し、また前記切り欠き
を、基板表面の外周部、あるいは基板表面と、発光部列
に垂直な基板両側面との端辺部に形成する。また、ｐｎ
ショートをなくすためには、発光部に個別にコンタクト
する複数の個別電極を基板表面上に発光部列に沿って形
成したＬＥＤアレイの前記切り欠きを、基板表面の外周
部、あるいは基板表面と発光部列に沿った基板両側面と
の端辺部に形成する。
面切り欠き端辺部を、基板表面を含む平面に対し、発光
部の底部よりも深い位置に形成し、また前記切り欠き
を、基板表面の外周部、あるいは基板表面と、発光部列
に垂直な基板両側面との端辺部に形成する。また、ｐｎ
ショートをなくすためには、発光部に個別にコンタクト
する複数の個別電極を基板表面上に発光部列に沿って形
成したＬＥＤアレイの前記切り欠きを、基板表面の外周
部、あるいは基板表面と発光部列に沿った基板両側面と
の端辺部に形成する。
【００１３】また、本発明のＬＥＤアレイの製造方法
は、ＬＥＤアレイが複数形成された半導体ウエハの表面
のＬＥＤアレイ境界領域にホトリソおよびエッチングに
より断面がほぼ円弧状の溝を形成する工程と、切削領域
の両端に前記溝を残し、また前記ウエハの裏面に対して
切削側面が鈍角をなすように、前記ウエハを前記溝に沿
って切り出し、ＬＥＤアレイを分離する工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
は、ＬＥＤアレイが複数形成された半導体ウエハの表面
のＬＥＤアレイ境界領域にホトリソおよびエッチングに
より断面がほぼ円弧状の溝を形成する工程と、切削領域
の両端に前記溝を残し、また前記ウエハの裏面に対して
切削側面が鈍角をなすように、前記ウエハを前記溝に沿
って切り出し、ＬＥＤアレイを分離する工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明の他のＬＥＤアレイの製造方
法は、ＬＥＤアレイが複数形成された半導体ウエハの表
面のＬＥＤアレイ境界領域にホトリソおよびウエットエ
ッチングにより断面がほぼＶ字状の第１の溝を形成する
工程と、前記第１の溝に対向する前記ウエハの裏面領域
に、前記第１の溝に近接する深さの第２の溝を形成する
工程と、前記ウエハを前記第１の溝の谷底のラインであ
るスクライブラインに沿って前記第２の溝に至るように
劈開させ、ＬＥＤアレイを分離する工程とを含むことを
特徴とするものである。
法は、ＬＥＤアレイが複数形成された半導体ウエハの表
面のＬＥＤアレイ境界領域にホトリソおよびウエットエ
ッチングにより断面がほぼＶ字状の第１の溝を形成する
工程と、前記第１の溝に対向する前記ウエハの裏面領域
に、前記第１の溝に近接する深さの第２の溝を形成する
工程と、前記ウエハを前記第１の溝の谷底のラインであ
るスクライブラインに沿って前記第２の溝に至るように
劈開させ、ＬＥＤアレイを分離する工程とを含むことを
特徴とするものである。
【００１５】また、光漏れをなくすようにした本発明の
ＬＥＤプリントヘッドは、本発明の複数個のＬＥＤアレ
イと、前記複数個のＬＥＤアレイがマウントされた配線
基板とを備え、前記マウントされたＬＥＤアレイの切り
欠き上に、空気よりも屈折率の高い透光性樹脂を充填し
たことを特徴とするものである。
ＬＥＤプリントヘッドは、本発明の複数個のＬＥＤアレ
イと、前記複数個のＬＥＤアレイがマウントされた配線
基板とを備え、前記マウントされたＬＥＤアレイの切り
欠き上に、空気よりも屈折率の高い透光性樹脂を充填し
たことを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】第１実施形態 図１は本発明の第１実施形態に係るＬＥＤアレイの構造
図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
−Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’間
の断面図である。図１のＬＥＤアレイ１は、ｎ型半導体
基板１０と、半導体基板１０を露出させる複数の開口部
が形成された図示しない絶縁膜と、複数のｐ型半導体領
域（発光部）１１と、複数の個別電極１２と、共通電極
１３と、切り欠きＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４とを有する。
なお、半導体基板１０がｐ型半導体であり、発光部１１
がｎ型半導体であっても良い。また、以下の説明におい
て、上面図（ａ）における半導体基板１０の短寸法側の
側面（発光部１１の列に垂直な側面）を短側面と称し、
半導体基板１０の長寸法側の側面（発光部１１の列に沿
った側面）を長側面と称する。
図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
−Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’間
の断面図である。図１のＬＥＤアレイ１は、ｎ型半導体
基板１０と、半導体基板１０を露出させる複数の開口部
が形成された図示しない絶縁膜と、複数のｐ型半導体領
域（発光部）１１と、複数の個別電極１２と、共通電極
１３と、切り欠きＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４とを有する。
なお、半導体基板１０がｐ型半導体であり、発光部１１
がｎ型半導体であっても良い。また、以下の説明におい
て、上面図（ａ）における半導体基板１０の短寸法側の
側面（発光部１１の列に垂直な側面）を短側面と称し、
半導体基板１０の長寸法側の側面（発光部１１の列に沿
った側面）を長側面と称する。
【００１７】半導体基板１０には、例えばＧａＡｓある
いはＧａＡｓＰの化合物半導体を用いる。また、ｐ型半
導体領域１１は、例えば気相拡散法あるいは固相拡散法
を用い、亜鉛等のｐ型不純物を絶縁膜の開口部を通して
半導体基板１０に拡散することにより、半導体基板１０
の開口部表面を含む部分領域に形成されている。また、
個別電極１２は、その一部が発光部１１の部分領域にオ
ーバーラップするように上記絶縁膜上に形成されてお
り、それぞれ発光部１１に個別にオーミックコンタクト
している。個別電極１２には、例えばアルミニウムある
いはアルミニウム合金を用いる。また、共通電極１３
は、半導体基板１０の裏面に形成され、半導体基板１０
にオーミックコンタクトしている。共通電極１３には、
例えば金合金等の金を含む金属を用いる。
いはＧａＡｓＰの化合物半導体を用いる。また、ｐ型半
導体領域１１は、例えば気相拡散法あるいは固相拡散法
を用い、亜鉛等のｐ型不純物を絶縁膜の開口部を通して
半導体基板１０に拡散することにより、半導体基板１０
の開口部表面を含む部分領域に形成されている。また、
個別電極１２は、その一部が発光部１１の部分領域にオ
ーバーラップするように上記絶縁膜上に形成されてお
り、それぞれ発光部１１に個別にオーミックコンタクト
している。個別電極１２には、例えばアルミニウムある
いはアルミニウム合金を用いる。また、共通電極１３
は、半導体基板１０の裏面に形成され、半導体基板１０
にオーミックコンタクトしている。共通電極１３には、
例えば金合金等の金を含む金属を用いる。
【００１８】ＬＥＤアレイ１には、複数のｐ型半導体領
域１１および複数の個別電極１２がそれぞれ一列に形成
されている。１個のｐ型半導体領域１１と、これにコン
タクトする個別電極１２と、半導体基板１０と、共通電
極１３とは、１個のＬＥＤを構成している。個別電極１
２は、上記のＬＥＤに個別に電流を供給するためのもの
である。
域１１および複数の個別電極１２がそれぞれ一列に形成
されている。１個のｐ型半導体領域１１と、これにコン
タクトする個別電極１２と、半導体基板１０と、共通電
極１３とは、１個のＬＥＤを構成している。個別電極１
２は、上記のＬＥＤに個別に電流を供給するためのもの
である。
【００１９】切り欠きＨ１〜Ｈ４は、半導体基板１０の
表面外周部にそれぞれ形成されている。切り欠きＨ１〜
Ｈ４の断面は、半導体基板１０の側に凸となる略円弧状
である。切り欠きＨ１，Ｈ２は、半導体基板１０の表面
と短側面Ｓ１，Ｓ２との端辺部にそれぞれ設けられてお
り（図１（ｂ））、また切り欠きＨ３，Ｈ４は、半導体
基板１０の表面と長側面Ｓ３，Ｓ４との端辺部にそれぞ
れ設けられている（図１（ｃ））。また、側面Ｓ１〜Ｓ
４が半導体基板１０の裏面となす角はいずれも鈍角であ
る。
表面外周部にそれぞれ形成されている。切り欠きＨ１〜
Ｈ４の断面は、半導体基板１０の側に凸となる略円弧状
である。切り欠きＨ１，Ｈ２は、半導体基板１０の表面
と短側面Ｓ１，Ｓ２との端辺部にそれぞれ設けられてお
り（図１（ｂ））、また切り欠きＨ３，Ｈ４は、半導体
基板１０の表面と長側面Ｓ３，Ｓ４との端辺部にそれぞ
れ設けられている（図１（ｃ））。また、側面Ｓ１〜Ｓ
４が半導体基板１０の裏面となす角はいずれも鈍角であ
る。
【００２０】切り欠きＨ１，Ｈ２と短側面Ｓ１，Ｓ２と
の端辺部である短側面切り欠き端辺部ｈ１，ｈ２、およ
び切り欠きＨ３，Ｈ４と長側面Ｓ３，Ｓ４との端辺部で
ある長側面切り欠き端辺部ｈ３，ｈ４は、半導体基板１
０の表面を含む平面に対し、発光部１１の底部よりも深
い位置に形成されている。短側面切り欠き端辺部ｈ１，
ｈ２から半導体基板１０の裏面までの断面は逆台形であ
り（図１（ｂ））、また長側面切り欠き端辺部ｈ３，ｈ
４から半導体基板１０の裏面までの断面も逆台形である
（図１（ｃ））。切り欠きＨ１〜Ｈ４および側面Ｓ１〜
Ｓ４は、ダイシング工程において形成される。
の端辺部である短側面切り欠き端辺部ｈ１，ｈ２、およ
び切り欠きＨ３，Ｈ４と長側面Ｓ３，Ｓ４との端辺部で
ある長側面切り欠き端辺部ｈ３，ｈ４は、半導体基板１
０の表面を含む平面に対し、発光部１１の底部よりも深
い位置に形成されている。短側面切り欠き端辺部ｈ１，
ｈ２から半導体基板１０の裏面までの断面は逆台形であ
り（図１（ｂ））、また長側面切り欠き端辺部ｈ３，ｈ
４から半導体基板１０の裏面までの断面も逆台形である
（図１（ｃ））。切り欠きＨ１〜Ｈ４および側面Ｓ１〜
Ｓ４は、ダイシング工程において形成される。
【００２１】以下に、切り欠きＨ１〜Ｈ４および側面Ｓ
１〜Ｓ４の形成工程であるＬＥＤアレイ１のダイシング
工程について説明する。図２は本発明の第１実施形態に
係るダイシング工程の説明図であり、（ａ）はＬＥＤア
レイ１ａが碁盤目に形成された半導体ウエハ２１に切り
欠きＨとなるエッチング溝２２を形成する工程であり、
また（ｂ）および（ｃ）はＬＥＤアレイ１ａを分離し、
切り欠きＨおよび側面Ｓを形成する工程である。なお、
図中のＬＥＤアレイ１ａおよび１ｂは、ダイシング工程
途中のＬＥＤアレイ１であり、半導体基板１０となるｎ
型半導体ウエハ２１に、発光部１１と個別電極１２と共
通電極１３と（それぞれ図１参照）を形成したものであ
る。
１〜Ｓ４の形成工程であるＬＥＤアレイ１のダイシング
工程について説明する。図２は本発明の第１実施形態に
係るダイシング工程の説明図であり、（ａ）はＬＥＤア
レイ１ａが碁盤目に形成された半導体ウエハ２１に切り
欠きＨとなるエッチング溝２２を形成する工程であり、
また（ｂ）および（ｃ）はＬＥＤアレイ１ａを分離し、
切り欠きＨおよび側面Ｓを形成する工程である。なお、
図中のＬＥＤアレイ１ａおよび１ｂは、ダイシング工程
途中のＬＥＤアレイ１であり、半導体基板１０となるｎ
型半導体ウエハ２１に、発光部１１と個別電極１２と共
通電極１３と（それぞれ図１参照）を形成したものであ
る。
【００２２】図２（ａ）に示すように、ホトリソおよび
エッチング法により、半導体ウエハ２１におけるＬＥＤ
アレイ１ａの境界領域（図中の斜線領域）をエッチング
し、断面が略円弧状（略Ｕ字状）のエッチング溝２２を
形成する。このエッチング溝２２は、その底部が発光部
１１（図１参照）の底部よりも深くなるように形成され
る。なお、ダイシング領域２３（図中の点線で囲まれた
領域）は、このあと切り出される領域である。ダイシン
グ領域２３はエッチング溝２２の内部に設定され、ダイ
シング領域２３の幅はエッチング溝２２の幅よりも狭
い。
エッチング法により、半導体ウエハ２１におけるＬＥＤ
アレイ１ａの境界領域（図中の斜線領域）をエッチング
し、断面が略円弧状（略Ｕ字状）のエッチング溝２２を
形成する。このエッチング溝２２は、その底部が発光部
１１（図１参照）の底部よりも深くなるように形成され
る。なお、ダイシング領域２３（図中の点線で囲まれた
領域）は、このあと切り出される領域である。ダイシン
グ領域２３はエッチング溝２２の内部に設定され、ダイ
シング領域２３の幅はエッチング溝２２の幅よりも狭
い。
【００２３】次に図２（ｂ）に示すように、エッチング
溝２２の幅よりも刃厚の薄いダイヤモンドブレード３１
を用い、このダイヤモンドブレード３１を半導体ウエハ
２１の裏面に対して垂直方向から数度傾けて配置し、切
削領域の両端にエッチング溝２２を残すように、ダイシ
ング領域２３（図２（ａ）参照）に沿って半導体ウエハ
２１を切り出し、ＬＥＤアレイ１ａを分離する。これに
より、半導体ウエハ２１に形成されたＬＥＤアレイ１ａ
は、その表面と側面との端辺部に切り欠きＨが設けられ
たＬＥＤアレイ１ｂに分離される。ＬＥＤアレイ１ｂの
断面は略平行四辺形となる。
溝２２の幅よりも刃厚の薄いダイヤモンドブレード３１
を用い、このダイヤモンドブレード３１を半導体ウエハ
２１の裏面に対して垂直方向から数度傾けて配置し、切
削領域の両端にエッチング溝２２を残すように、ダイシ
ング領域２３（図２（ａ）参照）に沿って半導体ウエハ
２１を切り出し、ＬＥＤアレイ１ａを分離する。これに
より、半導体ウエハ２１に形成されたＬＥＤアレイ１ａ
は、その表面と側面との端辺部に切り欠きＨが設けられ
たＬＥＤアレイ１ｂに分離される。ＬＥＤアレイ１ｂの
断面は略平行四辺形となる。
【００２４】さらに図２（ｃ）に示すように、ダイヤモ
ンドブレード３１を図２（ｂ）と反対の方向に数度傾け
て配置し、ＬＥＤアレイ１の裏面に対して切削側面が全
て鈍角をなすように、ＬＥＤアレイ１ｂの裏面に対して
鋭角をなしている側面（図２（ｂ）参照）を削る。
ンドブレード３１を図２（ｂ）と反対の方向に数度傾け
て配置し、ＬＥＤアレイ１の裏面に対して切削側面が全
て鈍角をなすように、ＬＥＤアレイ１ｂの裏面に対して
鋭角をなしている側面（図２（ｂ）参照）を削る。
【００２５】以上のダイシング工程により、表面と各側
面Ｓ１〜Ｓ４との端辺部に切り欠きＨ１〜Ｈ４が設けら
れ、各側面Ｓ１〜Ｓ４が裏面に対して鈍角をなすＬＥＤ
アレイ１が完成する。側面切り欠き端辺部ｈ１〜ｈ４
（図１参照）は、発光部１１の底部よりも深い位置に形
成され、また表面から見たときのＬＥＤアレイ１の最外
形となっている。
面Ｓ１〜Ｓ４との端辺部に切り欠きＨ１〜Ｈ４が設けら
れ、各側面Ｓ１〜Ｓ４が裏面に対して鈍角をなすＬＥＤ
アレイ１が完成する。側面切り欠き端辺部ｈ１〜ｈ４
（図１参照）は、発光部１１の底部よりも深い位置に形
成され、また表面から見たときのＬＥＤアレイ１の最外
形となっている。
【００２６】図３は本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ
プリントヘッドの概略構造図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面図、（ｃ）は
（ａ）におけるＢ−Ｂ’間の断面図である。図３のＬＥ
Ｄプリントヘッドは、複数のＬＥＤアレイ１（図１参
照）と、配線基板４０と、複数の個別電極パッド４２
と、複数のワイヤ４１と、ＬＥＤアレイ１を駆動するた
めの図示しない駆動ＩＣとを備えている。
プリントヘッドの概略構造図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面図、（ｃ）は
（ａ）におけるＢ−Ｂ’間の断面図である。図３のＬＥ
Ｄプリントヘッドは、複数のＬＥＤアレイ１（図１参
照）と、配線基板４０と、複数の個別電極パッド４２
と、複数のワイヤ４１と、ＬＥＤアレイ１を駆動するた
めの図示しない駆動ＩＣとを備えている。
【００２７】配線基板４０には、ＬＥＤアレイ１−ｋ
（ｋは任意の整数）の短側面Ｓ２とＬＥＤアレイ１−
（ｋ＋１）の短側面Ｓ１とが向き合い、各ＬＥＤアレイ
１の発光部列が一列になるように、複数のＬＥＤアレイ
１が近接配置され、マウントされている。ＬＥＤアレイ
１の裏面の共通電極１３は、配線基板４０のＬＥＤアレ
イマウント位置に形成された図示しない共通電極パッド
にダイボンドされている。また、複数の個別電極パッド
４２は、配線基板４０にマウントされたＬＥＤアレイ１
の個別電極１２にそれぞれ対応し、配線基板４０上にＬ
ＥＤアレイ１の長側面Ｓ４に沿って一列に形成されてい
る。また、ワイヤ４１は、ＬＥＤアレイ１の切り欠きＨ
４の上空を通過して、対応する個別電極１２と個別電極
パッド４２とを接続している。
（ｋは任意の整数）の短側面Ｓ２とＬＥＤアレイ１−
（ｋ＋１）の短側面Ｓ１とが向き合い、各ＬＥＤアレイ
１の発光部列が一列になるように、複数のＬＥＤアレイ
１が近接配置され、マウントされている。ＬＥＤアレイ
１の裏面の共通電極１３は、配線基板４０のＬＥＤアレ
イマウント位置に形成された図示しない共通電極パッド
にダイボンドされている。また、複数の個別電極パッド
４２は、配線基板４０にマウントされたＬＥＤアレイ１
の個別電極１２にそれぞれ対応し、配線基板４０上にＬ
ＥＤアレイ１の長側面Ｓ４に沿って一列に形成されてい
る。また、ワイヤ４１は、ＬＥＤアレイ１の切り欠きＨ
４の上空を通過して、対応する個別電極１２と個別電極
パッド４２とを接続している。
【００２８】図３のＬＥＤプリントヘッドにおけるＬＥ
Ｄアレイ１の表面と個別電極パッド４２側の長側面Ｓ４
の端辺部には、切り欠きＨ４が設けられているので、従
来のＬＥＤアレイよりもワイヤ４１の湾曲余裕度が大き
くなり、ワイヤ４１がｎ型半導体基板１０に接触するこ
とによる発光部１１と半導体基板１０のｐｎショートが
発生しにくい。従って、ｐｎショートに起因する暗発光
および不点灯がほとんど発生しない。
Ｄアレイ１の表面と個別電極パッド４２側の長側面Ｓ４
の端辺部には、切り欠きＨ４が設けられているので、従
来のＬＥＤアレイよりもワイヤ４１の湾曲余裕度が大き
くなり、ワイヤ４１がｎ型半導体基板１０に接触するこ
とによる発光部１１と半導体基板１０のｐｎショートが
発生しにくい。従って、ｐｎショートに起因する暗発光
および不点灯がほとんど発生しない。
【００２９】図４はＬＥＤアレイ１が接触してマウント
された場合の説明図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面図である。ＬＥＤアレ
イ１の最外形は、切り欠きＨ１〜Ｈ４の側面切り欠き端
辺部ｈ１〜ｈ１であり（図３（ａ）参照）、ＬＥＤアレ
イ１−ｋとＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）を接近させ過ぎ
た場合に接触するのは、ＬＥＤアレイ１−ｋの短側面切
り欠き端辺部ｈ２とＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）の短側
面切り欠き端辺部ｈ１なので、接触によるクラックは短
側面切り欠き端辺部ｈ１，ｈ２を起点として発生する。
しかし、短側面切り欠き端辺部ｈ１、ｈ２は、発光部１
１よりも深い位置に形成されているので、そこを起点と
してクラックが発生しても、発光部１１にクラックが到
達しにくい。従って、接触によりクラックが発生しても
暗発光および不点灯がほとんど発生しない。
された場合の説明図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面図である。ＬＥＤアレ
イ１の最外形は、切り欠きＨ１〜Ｈ４の側面切り欠き端
辺部ｈ１〜ｈ１であり（図３（ａ）参照）、ＬＥＤアレ
イ１−ｋとＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）を接近させ過ぎ
た場合に接触するのは、ＬＥＤアレイ１−ｋの短側面切
り欠き端辺部ｈ２とＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）の短側
面切り欠き端辺部ｈ１なので、接触によるクラックは短
側面切り欠き端辺部ｈ１，ｈ２を起点として発生する。
しかし、短側面切り欠き端辺部ｈ１、ｈ２は、発光部１
１よりも深い位置に形成されているので、そこを起点と
してクラックが発生しても、発光部１１にクラックが到
達しにくい。従って、接触によりクラックが発生しても
暗発光および不点灯がほとんど発生しない。
【００３０】このように本発明の第１実施形態によれ
ば、ＬＥＤアレイ１の表面外周部に切り欠きＨ１〜Ｈ４
を設けたことにより、ＬＥＤアレイ１の個別電極１２を
ＬＥＤプリントヘッドの個別電極パッド４２に接続する
ワイヤ４１の湾曲余裕度が大きくなるので、ワイヤ４１
の接触による半導体基板１０と発光部１１のｐｎショー
トが発生しにくくなり、ｐｎショートに起因する暗発光
および不点灯をなくすことができる。なお、ワイヤの湾
曲余裕度を大きくするだけであれば、図３のＬＥＤプリ
ントヘッドでは、ワイヤ４１が上空を通過する切り欠き
Ｈ４が設けられていれば良く、切り欠きＨ１〜Ｈ３なく
ても良い。また、側面切り欠き端辺部ｈ１〜ｈ４は、半
導体基板１０の表面を含む平面と半導体基板の裏面を含
む平面の間に位置していれば良い。
ば、ＬＥＤアレイ１の表面外周部に切り欠きＨ１〜Ｈ４
を設けたことにより、ＬＥＤアレイ１の個別電極１２を
ＬＥＤプリントヘッドの個別電極パッド４２に接続する
ワイヤ４１の湾曲余裕度が大きくなるので、ワイヤ４１
の接触による半導体基板１０と発光部１１のｐｎショー
トが発生しにくくなり、ｐｎショートに起因する暗発光
および不点灯をなくすことができる。なお、ワイヤの湾
曲余裕度を大きくするだけであれば、図３のＬＥＤプリ
ントヘッドでは、ワイヤ４１が上空を通過する切り欠き
Ｈ４が設けられていれば良く、切り欠きＨ１〜Ｈ３なく
ても良い。また、側面切り欠き端辺部ｈ１〜ｈ４は、半
導体基板１０の表面を含む平面と半導体基板の裏面を含
む平面の間に位置していれば良い。
【００３１】また、側面切り欠き端辺部ｈ１〜ｈ４が、
発光部１１の底部よりも深い位置にあり、ＬＥＤアレイ
１の最外形となる構造にしたことにより、ＬＥＤアレイ
１をＬＥＤプリントヘッドにマウントするときに、ＬＥ
Ｄアレイ１同士が接触したとしても、接触箇所は短側面
切り欠き端辺部ｈ１とｈ２なので、短側面切り欠き端辺
部ｈ１，ｈ２を起点としてクラックが発生しても、発光
部１１にクラックが到達しにくく、クラックの発生に起
因する暗発光および不点灯をなくすことができる。な
お、発光部１１にクラックが到達しにくくするだけであ
れば、接触箇所となる短側面切り欠き端辺部ｈ１，ｈ２
に対応する切り欠きＨ１，Ｈ２が設けられていれば良
く、切り欠きＨ３，Ｈ４はなくても良い。
発光部１１の底部よりも深い位置にあり、ＬＥＤアレイ
１の最外形となる構造にしたことにより、ＬＥＤアレイ
１をＬＥＤプリントヘッドにマウントするときに、ＬＥ
Ｄアレイ１同士が接触したとしても、接触箇所は短側面
切り欠き端辺部ｈ１とｈ２なので、短側面切り欠き端辺
部ｈ１，ｈ２を起点としてクラックが発生しても、発光
部１１にクラックが到達しにくく、クラックの発生に起
因する暗発光および不点灯をなくすことができる。な
お、発光部１１にクラックが到達しにくくするだけであ
れば、接触箇所となる短側面切り欠き端辺部ｈ１，ｈ２
に対応する切り欠きＨ１，Ｈ２が設けられていれば良
く、切り欠きＨ３，Ｈ４はなくても良い。
【００３２】第２実施形態 図５は本発明の第２の実施形態に係るＬＥＤアレイの構
造図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）における
Ａ−Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’
間の断面図である。なお、図５において、図１と同じも
のには同じ符号が付してある。
造図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）における
Ａ−Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’
間の断面図である。なお、図５において、図１と同じも
のには同じ符号が付してある。
【００３３】図５のＬＥＤアレイ５１は、ｎ型半導体基
板５０と、半導体基板５０を露出させる複数の開口部が
形成された図示しない絶縁膜と、複数のｐ型半導体領域
（発光部）１１と、複数の個別電極５２と、共通電極１
３と、切り欠きＩ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４とを有する。つ
まり、ＬＥＤ５１は、半導体基板５０と、個別電極５２
と、切り欠きＩ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４以外は、図１のＬ
ＥＤアレイ１と同じである。半導体基板５０は、切り欠
きＩ１〜Ｉ４および側面Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の形状
以外は、図１の半導体基板１０と同じである。また、複
数の個別電極５２は、複数の発光部１１が微細なピッチ
で配置されているため、千鳥状（ジグザグ）に二列配置
されている。
板５０と、半導体基板５０を露出させる複数の開口部が
形成された図示しない絶縁膜と、複数のｐ型半導体領域
（発光部）１１と、複数の個別電極５２と、共通電極１
３と、切り欠きＩ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４とを有する。つ
まり、ＬＥＤ５１は、半導体基板５０と、個別電極５２
と、切り欠きＩ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４以外は、図１のＬ
ＥＤアレイ１と同じである。半導体基板５０は、切り欠
きＩ１〜Ｉ４および側面Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の形状
以外は、図１の半導体基板１０と同じである。また、複
数の個別電極５２は、複数の発光部１１が微細なピッチ
で配置されているため、千鳥状（ジグザグ）に二列配置
されている。
【００３４】切り欠きＩ１〜Ｉ４は、半導体基板５０の
表面外周部にそれぞれ形成されている。切り欠きＩ１〜
Ｉ４の断面は、外側に向けて下るように傾斜した略直線
状である。切り欠きＩ１，Ｉ２は、半導体基板５０の表
面と短側面Ｔ１，Ｔ２との端辺部にそれぞれ設けられて
おり（図５（ｂ））、また切り欠きＩ３，Ｉ４は、半導
体基板１０の表面と長側面Ｔ３，Ｔ４との端辺部にそれ
ぞれ設けられている（図５（ｃ））。また、側面Ｔ１〜
Ｔ４が半導体基板５０の裏面となす角はいずれも略直角
である。
表面外周部にそれぞれ形成されている。切り欠きＩ１〜
Ｉ４の断面は、外側に向けて下るように傾斜した略直線
状である。切り欠きＩ１，Ｉ２は、半導体基板５０の表
面と短側面Ｔ１，Ｔ２との端辺部にそれぞれ設けられて
おり（図５（ｂ））、また切り欠きＩ３，Ｉ４は、半導
体基板１０の表面と長側面Ｔ３，Ｔ４との端辺部にそれ
ぞれ設けられている（図５（ｃ））。また、側面Ｔ１〜
Ｔ４が半導体基板５０の裏面となす角はいずれも略直角
である。
【００３５】切り欠きＩ１，Ｉ２と短側面Ｔ１，Ｔ２と
の端辺部である短側面切り欠き端辺部ｉ１，ｉ２、およ
び切り欠きＩ３，Ｉ４と長側面Ｔ３，Ｔ４との端辺部で
ある長側面切り欠き端辺部ｉ３，ｉ４は、半導体基板５
０の表面を含む平面に対し、発光部１１の底部よりも深
い位置に形成されている。また、側面切り欠き端辺部ｉ
１〜ｉ４は、対応する側面Ｔ１〜Ｔ４に対し庇状に突出
している。
の端辺部である短側面切り欠き端辺部ｉ１，ｉ２、およ
び切り欠きＩ３，Ｉ４と長側面Ｔ３，Ｔ４との端辺部で
ある長側面切り欠き端辺部ｉ３，ｉ４は、半導体基板５
０の表面を含む平面に対し、発光部１１の底部よりも深
い位置に形成されている。また、側面切り欠き端辺部ｉ
１〜ｉ４は、対応する側面Ｔ１〜Ｔ４に対し庇状に突出
している。
【００３６】以下に、切り欠きＩ１〜Ｉ４および側面Ｔ
１〜Ｔ４の形成工程であるＬＥＤアレイ５１のダイシン
グ工程について説明する。図６は本発明の第２実施形態
に係るダイシング工程の説明図であり、（ａ）および
（ｂ）は、ＬＥＤアレイ５１ａが碁盤目に形成された半
導体ウエハ６１の表面に切り欠きＩとなる第１の溝６２
を形成し、また半導体ウエハ６１の裏面に側面Ｔとなる
第２の溝６３を形成する工程であり、また（ｂ）あるい
は（ｃ）は、ＬＥＤアレイ５１ａを分離する工程であ
る。なお、図中のＬＥＤアレイ５１ａは、ダイシング工
程途中のＬＥＤアレイ５１であり、半導体基板５０とな
るｎ型半導体ウエハ６１に、発光部１１と個別電極５２
と共通電極１３と（それぞれ図５参照）を形成したもの
である。
１〜Ｔ４の形成工程であるＬＥＤアレイ５１のダイシン
グ工程について説明する。図６は本発明の第２実施形態
に係るダイシング工程の説明図であり、（ａ）および
（ｂ）は、ＬＥＤアレイ５１ａが碁盤目に形成された半
導体ウエハ６１の表面に切り欠きＩとなる第１の溝６２
を形成し、また半導体ウエハ６１の裏面に側面Ｔとなる
第２の溝６３を形成する工程であり、また（ｂ）あるい
は（ｃ）は、ＬＥＤアレイ５１ａを分離する工程であ
る。なお、図中のＬＥＤアレイ５１ａは、ダイシング工
程途中のＬＥＤアレイ５１であり、半導体基板５０とな
るｎ型半導体ウエハ６１に、発光部１１と個別電極５２
と共通電極１３と（それぞれ図５参照）を形成したもの
である。
【００３７】図６（ａ）および（ｂ）に示すように、ホ
トリソおよびウエットエッチング法により、半導体ウエ
ハ６１におけるＬＥＤアレイ５１ａの境界領域（図６
（ａ）中の斜線領域）をウエットエッチングし、断面が
略Ｖ字状の第１の溝６２を形成する。この第１の溝６２
は、中央の谷底が発光部１１（図５参照）の底部よりも
深くなるように形成される。上記のウエットエッチング
には、半導体ウエハ６１の面方位に沿ってエッチングを
進行させることが可能なエッチャントを用いる。なお、
第２の溝６３を形成したあとに、中央の谷底ラインであ
るスクライブライン６２ａに沿って半導体ウエハ６１を
劈開させる。
トリソおよびウエットエッチング法により、半導体ウエ
ハ６１におけるＬＥＤアレイ５１ａの境界領域（図６
（ａ）中の斜線領域）をウエットエッチングし、断面が
略Ｖ字状の第１の溝６２を形成する。この第１の溝６２
は、中央の谷底が発光部１１（図５参照）の底部よりも
深くなるように形成される。上記のウエットエッチング
には、半導体ウエハ６１の面方位に沿ってエッチングを
進行させることが可能なエッチャントを用いる。なお、
第２の溝６３を形成したあとに、中央の谷底ラインであ
るスクライブライン６２ａに沿って半導体ウエハ６１を
劈開させる。
【００３８】また、適当な刃厚のダイヤモンドブレード
７１を用い、このダイヤモンドブレード７１を半導体ウ
エハ６１の裏面に対して垂直に配置し、表面に形成され
た第１の溝６２の下の半導体ウエハ６１の裏面領域に、
断面が長方形である第２の溝６３を第１の溝６２に近接
する深さまで形成する。なお、第２の溝６３の断面形状
は任意であり、例えば台形でも良い。
７１を用い、このダイヤモンドブレード７１を半導体ウ
エハ６１の裏面に対して垂直に配置し、表面に形成され
た第１の溝６２の下の半導体ウエハ６１の裏面領域に、
断面が長方形である第２の溝６３を第１の溝６２に近接
する深さまで形成する。なお、第２の溝６３の断面形状
は任意であり、例えば台形でも良い。
【００３９】次に、図６（ｃ）に示すように、第１の溝
６２が形成された表面を上にして半導体ウエハ６１をス
テージ７２に載せ、断熱部材７３裏面の第１の溝６２に
対応する位置に、断面形状が逆半円形の縦長のヒータ突
起７４を設けた劈開ツールを用い、ヒータ突起７４を第
１の溝６２に接触させ、第１の溝６２の壁面を形成する
半導体領域を局所的に加熱し、第１の溝６２の谷底ライ
ンであるスクライブライン６２ａ周辺の半導体領域に熱
歪みを生じさせることにより、半導体ウエハ６１をスク
ライブライン６２ａに沿って第２の溝６３に至るように
劈開させ、ＬＥＤアレイ５１ａを分離する。なお、ヒー
タ突起７４は、スクライブライン６２ａを含む第１の溝
６２の壁面周辺の半導体領域を局所的に加熱できるもの
であれば良く、その断面形状は任意であり、例えばＶ字
状でも良い。また、断熱部材７３はヒータ突起７４が発
生する熱を逃がさないものであれば良い。
６２が形成された表面を上にして半導体ウエハ６１をス
テージ７２に載せ、断熱部材７３裏面の第１の溝６２に
対応する位置に、断面形状が逆半円形の縦長のヒータ突
起７４を設けた劈開ツールを用い、ヒータ突起７４を第
１の溝６２に接触させ、第１の溝６２の壁面を形成する
半導体領域を局所的に加熱し、第１の溝６２の谷底ライ
ンであるスクライブライン６２ａ周辺の半導体領域に熱
歪みを生じさせることにより、半導体ウエハ６１をスク
ライブライン６２ａに沿って第２の溝６３に至るように
劈開させ、ＬＥＤアレイ５１ａを分離する。なお、ヒー
タ突起７４は、スクライブライン６２ａを含む第１の溝
６２の壁面周辺の半導体領域を局所的に加熱できるもの
であれば良く、その断面形状は任意であり、例えばＶ字
状でも良い。また、断熱部材７３はヒータ突起７４が発
生する熱を逃がさないものであれば良い。
【００４０】あるいは、図６（ｄ）に示すように、第１
の溝６２が形成された表面を上にして半導体ウエハ６１
をステージ７２に載せ、加圧部材７５裏面の第１の溝６
２に対応する位置に、断面形状が逆半円形の縦長の加圧
突起７６を設けた劈開ツールを用い、加圧突起７６を第
１の溝６２の側壁に接触させ、第１の溝６２の側壁を押
し広げるように圧力を加え、スクライブライン６２ａ周
辺の半導体領域に圧力歪みを生じさせることにより、半
導体ウエハ６１をスクライブライン６２ａに沿って第２
の溝６３に至るように劈開させ、ＬＥＤアレイ５１ａを
分離する。なお、加圧突起７６は、第１の溝６２の側壁
に第１の溝６２を押し広げるような圧力を加えることが
できるものであれば良く、その断面形状はヒータ突起７
４と同様に任意である。
の溝６２が形成された表面を上にして半導体ウエハ６１
をステージ７２に載せ、加圧部材７５裏面の第１の溝６
２に対応する位置に、断面形状が逆半円形の縦長の加圧
突起７６を設けた劈開ツールを用い、加圧突起７６を第
１の溝６２の側壁に接触させ、第１の溝６２の側壁を押
し広げるように圧力を加え、スクライブライン６２ａ周
辺の半導体領域に圧力歪みを生じさせることにより、半
導体ウエハ６１をスクライブライン６２ａに沿って第２
の溝６３に至るように劈開させ、ＬＥＤアレイ５１ａを
分離する。なお、加圧突起７６は、第１の溝６２の側壁
に第１の溝６２を押し広げるような圧力を加えることが
できるものであれば良く、その断面形状はヒータ突起７
４と同様に任意である。
【００４１】以上のダイシング工程により、表面と各側
面Ｔ１〜Ｔ４との端辺部に切り欠きＩ１〜Ｉ４が設けら
れ、側面切り欠き端辺部ｉ１〜ｉ４（図５参照）が側面
Ｔ１〜Ｔ４に対して庇状に突出したＬＥＤアレイ５１が
完成する。側面切り欠き端辺部ｉ１〜ｉ４は、発光部１
１の底部よりも深い位置に形成され、また表面から見た
ときのＬＥＤアレイ５１の最外形となっている。さら
に、第１の溝６２によるスクライブライン６２ａは、位
置決め精度の高いホトリソおよびウエットエッチングに
より形成され、ＬＥＤアレイ５１ａはスクライブライン
６２ａに沿って分離されるので、ＬＥＤアレイ５１の最
外形は精度の良い長方形となる。
面Ｔ１〜Ｔ４との端辺部に切り欠きＩ１〜Ｉ４が設けら
れ、側面切り欠き端辺部ｉ１〜ｉ４（図５参照）が側面
Ｔ１〜Ｔ４に対して庇状に突出したＬＥＤアレイ５１が
完成する。側面切り欠き端辺部ｉ１〜ｉ４は、発光部１
１の底部よりも深い位置に形成され、また表面から見た
ときのＬＥＤアレイ５１の最外形となっている。さら
に、第１の溝６２によるスクライブライン６２ａは、位
置決め精度の高いホトリソおよびウエットエッチングに
より形成され、ＬＥＤアレイ５１ａはスクライブライン
６２ａに沿って分離されるので、ＬＥＤアレイ５１の最
外形は精度の良い長方形となる。
【００４２】図７は本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ
プリントヘッドの概略構造図である。図７において、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の
断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’間の断面図で
ある。なお、図７において、図３と同じものには同じ符
号を付してある。図７のＬＥＤプリントヘッドは、複数
のＬＥＤアレイ５１（図５参照）と、配線基板４０と、
複数の個別電極パッド４２と、複数のワイヤ４１と、Ｌ
ＥＤアレイ５１を駆動するための図示しない駆動ＩＣと
を備えている。
プリントヘッドの概略構造図である。図７において、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’間の
断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’間の断面図で
ある。なお、図７において、図３と同じものには同じ符
号を付してある。図７のＬＥＤプリントヘッドは、複数
のＬＥＤアレイ５１（図５参照）と、配線基板４０と、
複数の個別電極パッド４２と、複数のワイヤ４１と、Ｌ
ＥＤアレイ５１を駆動するための図示しない駆動ＩＣと
を備えている。
【００４３】配線基板４０には、ＬＥＤアレイ５１−ｋ
の短側面Ｔ２とＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）の短側面Ｔ
１とが向き合い、各ＬＥＤアレイ５１の発光部列が一列
になるように、複数のＬＥＤアレイ５１が近接配置さ
れ、マウントされている。また、複数の個別電極パッド
４２は、配線基板４０にマウントされたＬＥＤアレイ５
１の個別電極５２にそれぞれ対応し、配線基板４０上に
ＬＥＤアレイ５１の長側面Ｔ４に沿って一列に形成され
ている。また、ワイヤ４１は、ＬＥＤアレイ５１の切り
欠きＩ４の上空を通過して、対応する個別電極５２と個
別電極パッド４２とを接続している。
の短側面Ｔ２とＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）の短側面Ｔ
１とが向き合い、各ＬＥＤアレイ５１の発光部列が一列
になるように、複数のＬＥＤアレイ５１が近接配置さ
れ、マウントされている。また、複数の個別電極パッド
４２は、配線基板４０にマウントされたＬＥＤアレイ５
１の個別電極５２にそれぞれ対応し、配線基板４０上に
ＬＥＤアレイ５１の長側面Ｔ４に沿って一列に形成され
ている。また、ワイヤ４１は、ＬＥＤアレイ５１の切り
欠きＩ４の上空を通過して、対応する個別電極５２と個
別電極パッド４２とを接続している。
【００４４】図７のＬＥＤプリントヘッドにおけるＬＥ
Ｄアレイ５１の表面と個別電極パッド４２側の長側面Ｔ
４の端辺部には、切り欠きＩ４が設けられているので、
従来のＬＥＤアレイよりもワイヤ４１の湾曲余裕度が大
きくなり、ワイヤ４１がｎ型半導体基板５０に接触する
ことによる発光部１１と半導体基板５０のｐｎショート
が発生しにくい。従って、ｐｎショートに起因する暗発
光および不点灯がほとんど発生しない。
Ｄアレイ５１の表面と個別電極パッド４２側の長側面Ｔ
４の端辺部には、切り欠きＩ４が設けられているので、
従来のＬＥＤアレイよりもワイヤ４１の湾曲余裕度が大
きくなり、ワイヤ４１がｎ型半導体基板５０に接触する
ことによる発光部１１と半導体基板５０のｐｎショート
が発生しにくい。従って、ｐｎショートに起因する暗発
光および不点灯がほとんど発生しない。
【００４５】また、ＬＥＤアレイ５１の最外形は、切り
欠きＩ１〜Ｉ４の側面切り欠き端面部ｉ１〜ｉ４であ
り、ＬＥＤアレイ５１−ｋとＬＥＤアレイ５１−（ｋ＋
１）を接近させ過ぎた場合に接触するのは、ＬＥＤアレ
イ５１−ｋの短側面切り欠き端辺部ｉ２とＬＥＤアレイ
１−（ｋ＋１）の短側面切り欠き端辺部ｉ１なので、接
触によるクラックは短側面切り欠き端辺部ｉ１，ｉ２を
起点として発生する。しかし、短側面切り欠き端辺部ｉ
１、ｉ２は、発光部１１よりも深い位置に形成されてい
るので、そこを起点としてクラックが発生しても、発光
部１１にクラックが到達しにくい。従って、クラックが
発生しても暗発光および不点灯がほとんど発生しない。
欠きＩ１〜Ｉ４の側面切り欠き端面部ｉ１〜ｉ４であ
り、ＬＥＤアレイ５１−ｋとＬＥＤアレイ５１−（ｋ＋
１）を接近させ過ぎた場合に接触するのは、ＬＥＤアレ
イ５１−ｋの短側面切り欠き端辺部ｉ２とＬＥＤアレイ
１−（ｋ＋１）の短側面切り欠き端辺部ｉ１なので、接
触によるクラックは短側面切り欠き端辺部ｉ１，ｉ２を
起点として発生する。しかし、短側面切り欠き端辺部ｉ
１、ｉ２は、発光部１１よりも深い位置に形成されてい
るので、そこを起点としてクラックが発生しても、発光
部１１にクラックが到達しにくい。従って、クラックが
発生しても暗発光および不点灯がほとんど発生しない。
【００４６】ところで、上記第１実施形態のダイシング
工程では、半導体ウエハをダイヤモンドブレードで切り
出すことによりＬＥＤアレイを分離しているが、半導体
ウエハに対するダイヤモンドブレードの位置決め精度
は、ホトリソ法における露光装置ほど良くないので、Ｌ
ＥＤアレイの最外形の上面形状が、図８および図９のよ
うに、長方形にならない場合がある。図８は最外形が長
方形でないＬＥＤアレイ１をワイヤボンドした場合の説
明図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）における
左端のＣ−Ｃ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）における右
端のＤ−Ｄ’間の断面図である。また、図９は最外形が
長方形でないＬＥＤアレイ１をマウントした場合の説明
図である。
工程では、半導体ウエハをダイヤモンドブレードで切り
出すことによりＬＥＤアレイを分離しているが、半導体
ウエハに対するダイヤモンドブレードの位置決め精度
は、ホトリソ法における露光装置ほど良くないので、Ｌ
ＥＤアレイの最外形の上面形状が、図８および図９のよ
うに、長方形にならない場合がある。図８は最外形が長
方形でないＬＥＤアレイ１をワイヤボンドした場合の説
明図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）における
左端のＣ−Ｃ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）における右
端のＤ−Ｄ’間の断面図である。また、図９は最外形が
長方形でないＬＥＤアレイ１をマウントした場合の説明
図である。
【００４７】ＬＥＤアレイ１の最外形が長方形でない場
合でも、図８に示すように、従来のＬＥＤアレイよりも
ワイヤの湾曲に対する余裕度が大きくなることは、最外
形が長方形である場合と変わらない。また、接触した場
合に、発光部１１の底部よりも深い位置にある側面切り
欠き端辺部ｈ１，ｈ２を基点としてクラックが生じ、発
光部１１にクラックが到達しにくいことも最外形が長方
形である場合と変わらない。ただし、ＬＥＤアレイは、
通常、端側面同士を互いに近接させてマウントされるの
で、ＬＥＤアレイの最外形の寸法が不揃いであること
は、マウント精度の低下を招き、好ましいことではな
い。また、最外形の形状によっては、図９のように、Ｌ
ＥＤアレイ１−ｋの側面切り欠き端辺部ｈ２とＬＥＤア
レイ１−（ｋ＋１）の側面切り欠き端辺部ｈ１とが点接
触に近い形で接触する場合がある。この場合、半導体基
板１０（図１参照）は局所的に強いダメージを受け、ク
ラックの規模が大きくなってしまうことがある。
合でも、図８に示すように、従来のＬＥＤアレイよりも
ワイヤの湾曲に対する余裕度が大きくなることは、最外
形が長方形である場合と変わらない。また、接触した場
合に、発光部１１の底部よりも深い位置にある側面切り
欠き端辺部ｈ１，ｈ２を基点としてクラックが生じ、発
光部１１にクラックが到達しにくいことも最外形が長方
形である場合と変わらない。ただし、ＬＥＤアレイは、
通常、端側面同士を互いに近接させてマウントされるの
で、ＬＥＤアレイの最外形の寸法が不揃いであること
は、マウント精度の低下を招き、好ましいことではな
い。また、最外形の形状によっては、図９のように、Ｌ
ＥＤアレイ１−ｋの側面切り欠き端辺部ｈ２とＬＥＤア
レイ１−（ｋ＋１）の側面切り欠き端辺部ｈ１とが点接
触に近い形で接触する場合がある。この場合、半導体基
板１０（図１参照）は局所的に強いダメージを受け、ク
ラックの規模が大きくなってしまうことがある。
【００４８】しかし、本発明の第２実施形態のダイシン
グ工程では、半導体ウエハ６１に対する位置決め精度が
高いホトリソおよびウエットエッチングにより、半導体
ウエハ６１の表面に、略Ｖ字状の断面を有し、その谷底
ラインがスクライブライン６２ａとなる第１の溝６２を
形成するとともに、第１の溝６２に対向する半導体ウエ
ハ６１の裏面領域に第１の溝６２に近接する深さの第２
の溝６３を形成し、半導体ウエハ６１をスクライブライ
ン６２ａに沿って劈開させることにより、最外形が精度
の良い長方形であり、最外形寸法がそろったＬＥＤアレ
イ５１を半導体ウエハ６１から分離することができる。
従って、ＬＥＤプリントヘッドの配線基板等に高精度に
マウントすることができ、大規模なクラックの発生をな
くすことができる。
グ工程では、半導体ウエハ６１に対する位置決め精度が
高いホトリソおよびウエットエッチングにより、半導体
ウエハ６１の表面に、略Ｖ字状の断面を有し、その谷底
ラインがスクライブライン６２ａとなる第１の溝６２を
形成するとともに、第１の溝６２に対向する半導体ウエ
ハ６１の裏面領域に第１の溝６２に近接する深さの第２
の溝６３を形成し、半導体ウエハ６１をスクライブライ
ン６２ａに沿って劈開させることにより、最外形が精度
の良い長方形であり、最外形寸法がそろったＬＥＤアレ
イ５１を半導体ウエハ６１から分離することができる。
従って、ＬＥＤプリントヘッドの配線基板等に高精度に
マウントすることができ、大規模なクラックの発生をな
くすことができる。
【００４９】このように本発明の第２実施形態によれ
ば、上記第１実施形態と同様に、ＬＥＤアレイ５１の表
面外周部に切り欠きＩ１〜Ｉ４を設けたことにより、Ｌ
ＥＤアレイ５１の個別電極５２をＬＥＤプリントヘッド
の個別電極パッド４２に接続するワイヤ４１の湾曲余裕
度が大きくなるので、ワイヤ４１の接触による半導体基
板５０と発光部１１のｐｎショートが発生しにくくな
り、ｐｎショートに起因する暗発光および不点灯をなく
すことができる。
ば、上記第１実施形態と同様に、ＬＥＤアレイ５１の表
面外周部に切り欠きＩ１〜Ｉ４を設けたことにより、Ｌ
ＥＤアレイ５１の個別電極５２をＬＥＤプリントヘッド
の個別電極パッド４２に接続するワイヤ４１の湾曲余裕
度が大きくなるので、ワイヤ４１の接触による半導体基
板５０と発光部１１のｐｎショートが発生しにくくな
り、ｐｎショートに起因する暗発光および不点灯をなく
すことができる。
【００５０】また、上記第１実施形態と同様に、側面切
り欠き端辺部ｉ１〜ｉ４が、発光部１１の底部よりも深
い位置にあり、ＬＥＤアレイ５１の最外形となる構造に
したことにより、ＬＥＤアレイ５１をＬＥＤプリントヘ
ッドにマウントするときに、ＬＥＤアレイ５１同士が接
触したとしても、接触箇所は短側面切り欠き端辺部ｉ１
とｉ２なので、短側面切り欠き端辺部ｉ１，ｉ２を起点
としてクラックが発生しても、発光部１１にクラックが
到達しにくく、クラックの発生に起因する暗発光および
不点灯をなくすことができる。
り欠き端辺部ｉ１〜ｉ４が、発光部１１の底部よりも深
い位置にあり、ＬＥＤアレイ５１の最外形となる構造に
したことにより、ＬＥＤアレイ５１をＬＥＤプリントヘ
ッドにマウントするときに、ＬＥＤアレイ５１同士が接
触したとしても、接触箇所は短側面切り欠き端辺部ｉ１
とｉ２なので、短側面切り欠き端辺部ｉ１，ｉ２を起点
としてクラックが発生しても、発光部１１にクラックが
到達しにくく、クラックの発生に起因する暗発光および
不点灯をなくすことができる。
【００５１】さらに、ホトリソおよびウエットエッチン
グにより、断面が略Ｖ字状であり、その最も深い谷底ラ
インがスクライブライン６２ａとなる第１の溝６２を半
導体ウエハ６１の表面に形成するとともに、第１の溝６
２に対向する半導体ウエハ６１の裏面領域に第１の溝６
２に近接する深さの第２の溝６３を形成し、第１の溝６
２周辺の半導体領域に熱歪みあるいは圧力歪みを生じさ
せ、半導体ウエハ６１をスクライブライン６２ａに沿っ
て劈開させることにより、ダイヤモンドブレードで切り
出す上記第１実施形態よりも高い精度でＬＥＤアレイ５
１の最外形寸法をそろえることができる。
グにより、断面が略Ｖ字状であり、その最も深い谷底ラ
インがスクライブライン６２ａとなる第１の溝６２を半
導体ウエハ６１の表面に形成するとともに、第１の溝６
２に対向する半導体ウエハ６１の裏面領域に第１の溝６
２に近接する深さの第２の溝６３を形成し、第１の溝６
２周辺の半導体領域に熱歪みあるいは圧力歪みを生じさ
せ、半導体ウエハ６１をスクライブライン６２ａに沿っ
て劈開させることにより、ダイヤモンドブレードで切り
出す上記第１実施形態よりも高い精度でＬＥＤアレイ５
１の最外形寸法をそろえることができる。
【００５２】第３実施形態 図１０は本発明の第３実施形態に係るＬＥＤプリントヘ
ッドの概略構造図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）に
おけるＢ−Ｂ’間の断面図である。なお、図１０におい
て、図３と同じものには同じ符号を付してある。図１０
のＬＥＤプリントヘッドは、図１のＬＥＤプリントヘッ
ドにおいて、ＬＥＤアレイ１の表面および切り欠きＨ１
〜Ｈ４上に、透光性樹脂ソース（液体または半固体）を
塗布し、硬化させることにより、切り欠きＨ１〜Ｈ４を
空気よりも屈折率が高い透光性樹脂８１で充填したもの
である。
ッドの概略構造図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡ−Ａ’間の断面図、（ｃ）は（ａ）に
おけるＢ−Ｂ’間の断面図である。なお、図１０におい
て、図３と同じものには同じ符号を付してある。図１０
のＬＥＤプリントヘッドは、図１のＬＥＤプリントヘッ
ドにおいて、ＬＥＤアレイ１の表面および切り欠きＨ１
〜Ｈ４上に、透光性樹脂ソース（液体または半固体）を
塗布し、硬化させることにより、切り欠きＨ１〜Ｈ４を
空気よりも屈折率が高い透光性樹脂８１で充填したもの
である。
【００５３】透光性樹脂８１は、ＬＥＤアレイ１−ｋの
切り欠きＨ２とＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）の切り欠き
Ｈ１が近接して互いに向き合っている継ぎ目において、
切り欠きＨ１，Ｈ２における半導体基板１０の切り欠き
面に対して樹脂表面８２が非平行になるように（切り欠
きＨ１，Ｈ２上の膜厚が不均一になるように）形成され
ている。また、透光性樹脂８１は、発光部１１上の膜厚
が均一になるように形成されている。ここでは、樹脂表
面８２が平坦になるように透光性樹脂８１を形成するこ
とにより、切り欠きＨ１，Ｈ２の切り欠き面に対して樹
脂表面８２が非平行になり、発光部１１上の膜厚が均一
になるようにしてある。また、透光性樹脂８１は、ＬＥ
Ｄアレイ１の表面にも形成されるため、絶縁性樹脂であ
ることは言うまでもない。透光性樹脂８１としては、例
えばシリコン樹脂を用いる。
切り欠きＨ２とＬＥＤアレイ１−（ｋ＋１）の切り欠き
Ｈ１が近接して互いに向き合っている継ぎ目において、
切り欠きＨ１，Ｈ２における半導体基板１０の切り欠き
面に対して樹脂表面８２が非平行になるように（切り欠
きＨ１，Ｈ２上の膜厚が不均一になるように）形成され
ている。また、透光性樹脂８１は、発光部１１上の膜厚
が均一になるように形成されている。ここでは、樹脂表
面８２が平坦になるように透光性樹脂８１を形成するこ
とにより、切り欠きＨ１，Ｈ２の切り欠き面に対して樹
脂表面８２が非平行になり、発光部１１上の膜厚が均一
になるようにしてある。また、透光性樹脂８１は、ＬＥ
Ｄアレイ１の表面にも形成されるため、絶縁性樹脂であ
ることは言うまでもない。透光性樹脂８１としては、例
えばシリコン樹脂を用いる。
【００５４】図１１は本発明の第３実施形態に係る樹脂
塗布工程を示す図であり、（ａ）は塗布する透光性樹脂
ソースの粘性が高い場合の工程例、（ｂ）は塗布する透
光性樹脂ソースの粘性が低い場合の工程例である。図１
１（ａ）においては、透光性樹脂ソース８１ａを充填し
たシリンダ容器９１のノズルを、配線基板４０（図１０
参照）にマウントされたＬＥＤアレイ１の表面に近接さ
せて配置し、シリンダ容器９１に一定の圧力を加えて一
定量の透光性樹脂ソース８１ａをノズルからアレイ表面
に供給しながら、シリンダ容器９１をＬＥＤアレイ１の
長寸法方向に一定速度で移動させ、透光性樹脂ソース８
１ａを塗布する。また、図１１（ｂ）においては、透光
性樹脂ソース８１ａを充填した噴霧器９２のノズルをＬ
ＥＤアレイ１の表面上空に配置し、一定量の透光性樹脂
ソース８１ａをノズルからアレイ表面に噴霧しながら、
噴霧器９２をＬＥＤアレイ１の長寸法方向に一定速度で
移動させ、透光性樹脂ソース８１ａを塗布する。なお、
このとき、既にワイヤ４１がボンディングされているの
で、ワイヤ４１がＬＥＤアレイ１の半導体基板に接触し
ないようにして、透光性樹脂ソース８１ａを塗布する。
塗布工程を示す図であり、（ａ）は塗布する透光性樹脂
ソースの粘性が高い場合の工程例、（ｂ）は塗布する透
光性樹脂ソースの粘性が低い場合の工程例である。図１
１（ａ）においては、透光性樹脂ソース８１ａを充填し
たシリンダ容器９１のノズルを、配線基板４０（図１０
参照）にマウントされたＬＥＤアレイ１の表面に近接さ
せて配置し、シリンダ容器９１に一定の圧力を加えて一
定量の透光性樹脂ソース８１ａをノズルからアレイ表面
に供給しながら、シリンダ容器９１をＬＥＤアレイ１の
長寸法方向に一定速度で移動させ、透光性樹脂ソース８
１ａを塗布する。また、図１１（ｂ）においては、透光
性樹脂ソース８１ａを充填した噴霧器９２のノズルをＬ
ＥＤアレイ１の表面上空に配置し、一定量の透光性樹脂
ソース８１ａをノズルからアレイ表面に噴霧しながら、
噴霧器９２をＬＥＤアレイ１の長寸法方向に一定速度で
移動させ、透光性樹脂ソース８１ａを塗布する。なお、
このとき、既にワイヤ４１がボンディングされているの
で、ワイヤ４１がＬＥＤアレイ１の半導体基板に接触し
ないようにして、透光性樹脂ソース８１ａを塗布する。
【００５５】図１１（ａ）または（ｂ）の樹脂塗布工程
により、透光性樹脂ソース８１ａをＬＥＤアレイ１の表
面に均一な厚みで塗布するとともに、切り欠きＨ１とＨ
２を透光性樹脂ソース８１ａで充填する。そして、乾燥
または加熱等の硬化処理により透明樹脂ソース８１ａを
硬化させる。これにより、ＬＥＤアレイ１の表面上、切
り欠きＨ１，Ｈ２を含む継ぎ目上、および切り欠きＨ
３，Ｈ４上に、ＬＥＤ１の表面上および継ぎ目上の樹脂
表面８２が平坦な透光性樹脂８１が形成され、切り欠き
Ｈ１〜Ｈ４は透光性樹脂８１で充填される。
により、透光性樹脂ソース８１ａをＬＥＤアレイ１の表
面に均一な厚みで塗布するとともに、切り欠きＨ１とＨ
２を透光性樹脂ソース８１ａで充填する。そして、乾燥
または加熱等の硬化処理により透明樹脂ソース８１ａを
硬化させる。これにより、ＬＥＤアレイ１の表面上、切
り欠きＨ１，Ｈ２を含む継ぎ目上、および切り欠きＨ
３，Ｈ４上に、ＬＥＤ１の表面上および継ぎ目上の樹脂
表面８２が平坦な透光性樹脂８１が形成され、切り欠き
Ｈ１〜Ｈ４は透光性樹脂８１で充填される。
【００５６】上空をワイヤ４１が通過する切り欠きＨ４
上に形成されている透光性樹脂８１は絶縁性樹脂なの
で、もしもワイヤ４１が切り欠きＨ４上の透光性樹脂８
１に接触しても、半導体基板１０と発光部１１のｐｎシ
ョートが発生することはない。従って、ｐｎショートに
起因する発光部１１の暗発光および不点灯をなくすこと
ができる。
上に形成されている透光性樹脂８１は絶縁性樹脂なの
で、もしもワイヤ４１が切り欠きＨ４上の透光性樹脂８
１に接触しても、半導体基板１０と発光部１１のｐｎシ
ョートが発生することはない。従って、ｐｎショートに
起因する発光部１１の暗発光および不点灯をなくすこと
ができる。
【００５７】図１２は本発明の第３実施形態に係るＬＥ
Ｄプリントヘッドの発光強度分布を模式的に示す図であ
る。ＬＥＤアレイ１の継ぎ目の切り欠きＨ１，Ｈ２を透
光性樹脂８１で充填することにより、切り欠きＨ１，Ｈ
２から出射する漏れ光が、この漏れ光の出射面である切
り欠き面に対して樹脂表面８２が非平行になるように形
成された、空気および半導体基板１０と屈折率が異なる
透光性樹脂８１内に閉じこめられるので、図１２に示す
ように、光漏れをなくすことができる。従って、光漏れ
に起因するＬＥＤアレイ１の継ぎ目部分における光書き
込み分解能の低下をなくすことができる。
Ｄプリントヘッドの発光強度分布を模式的に示す図であ
る。ＬＥＤアレイ１の継ぎ目の切り欠きＨ１，Ｈ２を透
光性樹脂８１で充填することにより、切り欠きＨ１，Ｈ
２から出射する漏れ光が、この漏れ光の出射面である切
り欠き面に対して樹脂表面８２が非平行になるように形
成された、空気および半導体基板１０と屈折率が異なる
透光性樹脂８１内に閉じこめられるので、図１２に示す
ように、光漏れをなくすことができる。従って、光漏れ
に起因するＬＥＤアレイ１の継ぎ目部分における光書き
込み分解能の低下をなくすことができる。
【００５８】発光部１１で発生した光の内、透光性樹脂
８１と半導体基板１０との屈折率差で決まる第１の臨界
角以内の入射角で切り欠き面に入射した光のみが透光性
樹脂８１中に出射する。一方、空気と透光性樹脂８１と
の屈折率差で決まる第２の臨界角以内の入射角で樹脂表
面８２に入射した光は空気中に放射されるが、第２の臨
界角以上の入射角で樹脂表面８２に入射した光は樹脂表
面８２で反射され、透光性樹脂８１内に閉じ込められ
る。切り欠きＨ１，Ｈ２の切り欠き面に対して樹脂表面
８２が非平行になるように透光性樹脂８１を形成するこ
とにより、切り欠き面から出射した漏れ光を透光性樹脂
８１内に閉じ込めることができる。
８１と半導体基板１０との屈折率差で決まる第１の臨界
角以内の入射角で切り欠き面に入射した光のみが透光性
樹脂８１中に出射する。一方、空気と透光性樹脂８１と
の屈折率差で決まる第２の臨界角以内の入射角で樹脂表
面８２に入射した光は空気中に放射されるが、第２の臨
界角以上の入射角で樹脂表面８２に入射した光は樹脂表
面８２で反射され、透光性樹脂８１内に閉じ込められ
る。切り欠きＨ１，Ｈ２の切り欠き面に対して樹脂表面
８２が非平行になるように透光性樹脂８１を形成するこ
とにより、切り欠き面から出射した漏れ光を透光性樹脂
８１内に閉じ込めることができる。
【００５９】従来のＬＥＤアレイにおいては、発光部１
１で発生した光の内、半導体基板１１０（図１３参照）
の側面端辺部で反射され、空気と半導体基板１０との屈
折率差で決まる臨界角以内の入射角で表面端辺部に入射
した光が出射し、漏れ光となる。従来のＬＥＤアレイの
表面端辺部上に、この表面端辺部つまりアレイ表面に対
して樹脂表面が非平行となる透光性樹脂８１を形成する
ことは難しいが、ＬＥＤアレイ１の切り欠き面は、ＬＥ
Ｄアレイ１の表面を含む水平面に対して傾斜を有する面
なので、切り欠き面に対して樹脂表面８２が非平行にな
るように透光性樹脂８１を形成することは容易である。
１で発生した光の内、半導体基板１１０（図１３参照）
の側面端辺部で反射され、空気と半導体基板１０との屈
折率差で決まる臨界角以内の入射角で表面端辺部に入射
した光が出射し、漏れ光となる。従来のＬＥＤアレイの
表面端辺部上に、この表面端辺部つまりアレイ表面に対
して樹脂表面が非平行となる透光性樹脂８１を形成する
ことは難しいが、ＬＥＤアレイ１の切り欠き面は、ＬＥ
Ｄアレイ１の表面を含む水平面に対して傾斜を有する面
なので、切り欠き面に対して樹脂表面８２が非平行にな
るように透光性樹脂８１を形成することは容易である。
【００６０】このように本発明の第３実施形態によれ
ば、マウントされた複数のＬＥＤアレイ１の切り欠きＨ
１，Ｈ２に透光性樹脂８１を充填し、切り欠き面から出
射する漏れ光を透光性樹脂８１内に閉じ込めるようにし
たことにより、光漏れをなくすことができるので、漏れ
光に起因するＬＥＤプリントヘッドの光書き込み分解能
の低下をなくすことができる。
ば、マウントされた複数のＬＥＤアレイ１の切り欠きＨ
１，Ｈ２に透光性樹脂８１を充填し、切り欠き面から出
射する漏れ光を透光性樹脂８１内に閉じ込めるようにし
たことにより、光漏れをなくすことができるので、漏れ
光に起因するＬＥＤプリントヘッドの光書き込み分解能
の低下をなくすことができる。
【００６１】また、上空をワイヤ４１が通過する切り欠
きＨ４に絶縁性の透光性樹脂８１を充填し、ワイヤ４１
が半導体基板１０に接触しないようにしたことにより、
ｐｎショートに起因する発光部１１の暗発光および不点
灯をなくすことができる。
きＨ４に絶縁性の透光性樹脂８１を充填し、ワイヤ４１
が半導体基板１０に接触しないようにしたことにより、
ｐｎショートに起因する発光部１１の暗発光および不点
灯をなくすことができる。
【００６２】なお、上記第３実施形態においては、上記
第１実施形態のＬＥＤアレイ１上に透光性樹脂８１を形
成したが、上記第２実施形態の切り欠きＩ１〜Ｉ４を設
けたＬＥＤアレイ５１上に透光性樹脂８１を形成するよ
うにしても良い。
第１実施形態のＬＥＤアレイ１上に透光性樹脂８１を形
成したが、上記第２実施形態の切り欠きＩ１〜Ｉ４を設
けたＬＥＤアレイ５１上に透光性樹脂８１を形成するよ
うにしても良い。
【００６３】また、上記第３実施形態においては、ＬＥ
Ｄアレイ１の表面にも透光性樹脂８１を形成したが、可
能であれば切り欠きＨ１〜Ｈ４上のみに透光性樹脂８１
を形成するようにしても良い。ただし、切り欠きＨ１，
Ｈ２上のみに透光性樹脂８１を形成しようとすると、切
り欠きＨ１，Ｈ２に近接するアレイ端の発光部１１上に
も透光性樹脂８１が形成されてしまい、透光性樹脂８１
が形成されている発光部１１と透光性樹脂８１が形成さ
れていない発光部１１の発光特性がばらつくことがある
ので、上記第３実施形態では、発光特性をそろえるため
に、ＬＥＤアレイ１の表面にも透光性樹脂８１を形成す
るようにしている。
Ｄアレイ１の表面にも透光性樹脂８１を形成したが、可
能であれば切り欠きＨ１〜Ｈ４上のみに透光性樹脂８１
を形成するようにしても良い。ただし、切り欠きＨ１，
Ｈ２上のみに透光性樹脂８１を形成しようとすると、切
り欠きＨ１，Ｈ２に近接するアレイ端の発光部１１上に
も透光性樹脂８１が形成されてしまい、透光性樹脂８１
が形成されている発光部１１と透光性樹脂８１が形成さ
れていない発光部１１の発光特性がばらつくことがある
ので、上記第３実施形態では、発光特性をそろえるため
に、ＬＥＤアレイ１の表面にも透光性樹脂８１を形成す
るようにしている。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｌ
ＥＤアレイの表面と発光部列に沿った側面との端辺部に
切り欠きを設けたことにより、ＬＥＤアレイの個別電極
をＬＥＤプリントヘッドの個別電極パッドに接続するワ
イヤの湾曲余裕度が大きくなるので、ワイヤの接触によ
る半導体基板と発光部のｐｎショートが発生しにくくな
り、ｐｎショートに起因する暗発光および不点灯をなく
すことができるという効果がある。
ＥＤアレイの表面と発光部列に沿った側面との端辺部に
切り欠きを設けたことにより、ＬＥＤアレイの個別電極
をＬＥＤプリントヘッドの個別電極パッドに接続するワ
イヤの湾曲余裕度が大きくなるので、ワイヤの接触によ
る半導体基板と発光部のｐｎショートが発生しにくくな
り、ｐｎショートに起因する暗発光および不点灯をなく
すことができるという効果がある。
【００６５】また、ＬＥＤアレイの表面と発光部列に垂
直な両側面との端辺部に切り欠きを設け、この切り欠き
と発光部列に垂直な側面との端辺部である側面切り欠き
端辺部が、発光部の底部よりも深い位置にあり、ＬＥＤ
アレイの最外形となる構造にしたことにより、ＬＥＤア
レイをＬＥＤプリントヘッドにマウントするときに、Ｌ
ＥＤアレイ同士が接触したとしても、接触箇所は側面切
り欠き端辺部になるので、側面切り欠き端辺部を起点と
してクラックが発生しても、発光部にクラックが到達し
にくく、クラックの発生に起因する暗発光および不点灯
をなくすことができるという効果がある。
直な両側面との端辺部に切り欠きを設け、この切り欠き
と発光部列に垂直な側面との端辺部である側面切り欠き
端辺部が、発光部の底部よりも深い位置にあり、ＬＥＤ
アレイの最外形となる構造にしたことにより、ＬＥＤア
レイをＬＥＤプリントヘッドにマウントするときに、Ｌ
ＥＤアレイ同士が接触したとしても、接触箇所は側面切
り欠き端辺部になるので、側面切り欠き端辺部を起点と
してクラックが発生しても、発光部にクラックが到達し
にくく、クラックの発生に起因する暗発光および不点灯
をなくすことができるという効果がある。
【００６６】また、表面と発光部列に沿った側面との端
辺部に切り欠きを設けた上記本発明のＬＥＤアレイを複
数マウントしたＬＥＤプリントヘッドにおいて、上記Ｌ
ＥＤアレイの上記切り欠きに透光性樹脂を充填し、ワイ
ヤが半導体基板に接触しないようにしたことにより、ｐ
ｎショートに起因する発光部の暗発光および不点灯をな
くすことができるという効果がある。
辺部に切り欠きを設けた上記本発明のＬＥＤアレイを複
数マウントしたＬＥＤプリントヘッドにおいて、上記Ｌ
ＥＤアレイの上記切り欠きに透光性樹脂を充填し、ワイ
ヤが半導体基板に接触しないようにしたことにより、ｐ
ｎショートに起因する発光部の暗発光および不点灯をな
くすことができるという効果がある。
【００６７】また、表面と発光部列に垂直な両側面との
端辺部に切り欠きを設けた上記本発明のＬＥＤアレイを
複数マウントしたＬＥＤプリントヘッドにおいて、上記
ＬＥＤアレイの上記切り欠きに透光性樹脂を充填し、切
り欠き面から出射する漏れ光を透光性樹脂内に閉じ込め
るようにしたことにより、光漏れをなくすことができる
ので、漏れ光に起因するＬＥＤプリントヘッドの光書き
込み分解能の低下をなくすことができるという効果があ
る。
端辺部に切り欠きを設けた上記本発明のＬＥＤアレイを
複数マウントしたＬＥＤプリントヘッドにおいて、上記
ＬＥＤアレイの上記切り欠きに透光性樹脂を充填し、切
り欠き面から出射する漏れ光を透光性樹脂内に閉じ込め
るようにしたことにより、光漏れをなくすことができる
ので、漏れ光に起因するＬＥＤプリントヘッドの光書き
込み分解能の低下をなくすことができるという効果があ
る。
【図１】本発明の第１実施形態に係るＬＥＤアレイの構
造図である。
造図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＬＥＤアレイのダ
イシング工程の説明図である。
イシング工程の説明図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るＬＥＤプリントヘ
ッドの概略構造図である。
ッドの概略構造図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るＬＥＤプリントヘ
ッドにおいてＬＥＤアレイが接触してマウントされた場
合の説明図である。
ッドにおいてＬＥＤアレイが接触してマウントされた場
合の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るＬＥＤアレイの
構造図である。
構造図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るＬＥＤアレイのダ
イシング工程の説明図である。
イシング工程の説明図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るＬＥＤプリントヘ
ッドの概略構造図である。
ッドの概略構造図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係るＬＥＤプリントヘ
ッドにおいて最外形が長方形でないＬＥＤアレイをワイ
ヤボンドした場合の説明図である。
ッドにおいて最外形が長方形でないＬＥＤアレイをワイ
ヤボンドした場合の説明図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係るＬＥＤプリントヘ
ッドにおいて最外形が長方形でないＬＥＤアレイをマウ
ントした場合の説明図である。
ッドにおいて最外形が長方形でないＬＥＤアレイをマウ
ントした場合の説明図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係るＬＥＤプリント
ヘッドの概略構造図である。
ヘッドの概略構造図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係るＬＥＤプリント
ヘッドの樹脂塗布工程を示す図である
ヘッドの樹脂塗布工程を示す図である
【図１２】本発明の第３実施形態に係るＬＥＤプリント
ヘッドの発光強度分布を模式的に示す図である。
ヘッドの発光強度分布を模式的に示す図である。
【図１３】従来のＬＥＤアレイの構造図である。
【図１４】従来のＬＥＤプリントヘッドにおいてＬＥＤ
アレイが接触してマウントされた場合の説明図である。
アレイが接触してマウントされた場合の説明図である。
【図１５】従来のＬＥＤプリントヘッドにおいてＬＥＤ
アレイをワイヤボンドした場合の説明図である。
アレイをワイヤボンドした場合の説明図である。
【図１６】従来のＬＥＤプリントヘッドの発光強度分布
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
１，５１ ＬＥＤアレイ、 １０，５０ ｎ型半導体基
板、 １１ ｐ型半導体領域（発光部）、 １２，５２
個別電極、 ２１，６１ 半導体ウエハ、２２ エッ
チング溝、 ４０ 配線基板、 ４１ ボンディングワ
イヤ、 ４２個別電極パッド、 ６２ 第１の溝、 ６
２ａ スクライブライン、 ６３第２の溝、 ８１ 透
光性樹脂、 Ｈ，Ｉ 切り欠き、 ｈ，ｉ 側面切り欠
き端辺部、 Ｓ，Ｔ 半導体基板側面。
板、 １１ ｐ型半導体領域（発光部）、 １２，５２
個別電極、 ２１，６１ 半導体ウエハ、２２ エッ
チング溝、 ４０ 配線基板、 ４１ ボンディングワ
イヤ、 ４２個別電極パッド、 ６２ 第１の溝、 ６
２ａ スクライブライン、 ６３第２の溝、 ８１ 透
光性樹脂、 Ｈ，Ｉ 切り欠き、 ｈ，ｉ 側面切り欠
き端辺部、 Ｓ，Ｔ 半導体基板側面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (18)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板の表面を含む領
域に第２導電型の複数の発光部を一列に形成したＬＥＤ
アレイにおいて、 前記基板の表面と側面との端辺部に切り欠きを設けたこ
とを特徴とするＬＥＤアレイ。 - 【請求項２】 前記切り欠きと基板側面との端辺部であ
る側面切り欠き端辺部が、基板表面の側から見たときの
最外形となっていることを特徴とする請求項１記載のＬ
ＥＤアレイ。 - 【請求項３】 前記側面切り欠き端辺部が、基板表面を
含む平面に対し、発光部の底部よりも深い位置に形成さ
れていることを特徴とする請求項２記載のＬＥＤアレ
イ。 - 【請求項４】 前記側面切り欠き端辺部が、基板表面を
含む平面と基板裏面を含む平面の間に位置し、 前記切り欠きの断面が、基板の側に凸となる略円弧状、
あるいは傾斜した略直線状であることを特徴とする請求
項２記載のＬＥＤアレイ。 - 【請求項５】 前記基板側面が、基板の裏面に対して鈍
角あるいは略直角をなしていることを特徴とする請求項
２記載のＬＥＤアレイ。 - 【請求項６】 前記側面切り欠き端辺部が、基板側面に
対して庇状に突出していることを特徴とする請求項５記
載のＬＥＤアレイ。 - 【請求項７】 前記切り欠きが、基板表面の外周部、あ
るいは基板表面と、発光部列に垂直な基板両側面との端
辺部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の
ＬＥＤアレイ。 - 【請求項８】 前記ＬＥＤアレイは、発光部に個別にコ
ンタクトする複数の個別電極を基板表面上に発光部列に
沿って形成したものであり、 前記切り欠きが、基板表面の外周部、あるいは基板表面
と発光部列に沿った基板両側面との端辺部に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤアレイ。 - 【請求項９】 ＬＥＤアレイが複数形成された半導体ウ
エハの表面のＬＥＤアレイ境界領域にホトリソおよびエ
ッチングにより断面が略円弧状の溝を形成する工程と、 切削領域の両端に前記溝を残し、また前記ウエハの裏面
に対して切削側面が鈍角をなすように、前記ウエハを前
記溝に沿って切り出し、ＬＥＤアレイを分離する工程と
を含むことを特徴とするＬＥＤアレイの製造方法。 - 【請求項１０】 ＬＥＤアレイが複数形成された半導体
ウエハの表面のＬＥＤアレイ境界領域にホトリソおよび
ウエットエッチングにより断面が略Ｖ字状の第１の溝を
形成する工程と、 前記第１の溝に対向する前記ウエハの裏面領域に、前記
第１の溝に近接する深さの第２の溝を形成する工程と、 前記ウエハを前記第１の溝の谷底のラインであるスクラ
イブラインに沿って前記第２の溝に至るように劈開さ
せ、ＬＥＤアレイを分離する工程とを含むことを特徴と
するＬＥＤアレイの製造方法。 - 【請求項１１】 前記ＬＥＤアレイを分離する工程は、
前記第１の溝の側壁に前記第１の溝を押し広げるように
圧力を加えることにより、ウエハを劈開させるものであ
ることを特徴とする請求項１０記載のＬＥＤアレイの製
造方法。 - 【請求項１２】 前記ＬＥＤアレイを分離する工程は、
前記第１の溝の壁面周辺の半導体領域を局所的に加熱す
ることにより、ウエハを劈開させるものであることを特
徴とする請求項１０記載のＬＥＤアレイの製造方法。 - 【請求項１３】 前記ＬＥＤアレイは、第１導電型の前
記ウエハの表面を含む領域に第２導電型の複数の発光部
を一列に形成したものであり、 前記ウエハの表面に溝を形成する工程は、ウエハ表面を
含む平面に対し、前記溝の底部が発光部の底部よりも深
い位置になるように、前記溝を形成するものであること
を特徴とする請求項９または１０に記載のＬＥＤアレイ
の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項７記載の複数個のＬＥＤアレイ
と、 前記発光部列に垂直な基板側面同士が向き合い、各発光
部列が一列になるように、前記複数個のＬＥＤアレイが
マウントされた配線基板とを備えたことを特徴とするＬ
ＥＤプリントヘッド。 - 【請求項１５】 請求項８記載の複数個のＬＥＤアレイ
と、 前記複数個のＬＥＤアレイがマウントされた配線基板
と、 前記マウントされたＬＥＤアレイの前記個別電極にそれ
ぞれ対応して前記配線基板上に形成された複数の個別電
極パッドと、 前記発光部列に沿った切り欠きの上空を通過して、対応
する個別電極と個別電極パッドとを接続するワイヤとを
備えたことを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。 - 【請求項１６】 前記マウントされたＬＥＤアレイの切
り欠き上に、空気よりも屈折率の高い透光性樹脂を充填
したことを特徴とする請求項１４または１５に記載のＬ
ＥＤプリントヘッド。 - 【請求項１７】 前記透光性樹脂は、切り欠き面に対し
て樹脂表面が非平行になるように形成されていることを
特徴とする請求項１６記載のＬＥＤプリントヘッド。 - 【請求項１８】 前記透光性樹脂が、絶縁性樹脂である
ことを特徴とする請求項１６記載のＬＥＤプリントヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969398A JPH11289106A (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法ならびにｌｅｄプリントヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969398A JPH11289106A (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法ならびにｌｅｄプリントヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289106A true JPH11289106A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=13977857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8969398A Pending JPH11289106A (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法ならびにｌｅｄプリントヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11289106A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274006A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法 |
| JP2016009726A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光基板、露光装置、画像形成装置、発光基板の製造方法及び露光装置の製造方法 |
| JP2017024222A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子、基板装置、露光装置、画像形成装置、半導体素子の製造方法、及び基板装置の製造方法 |
| EP2937218A3 (en) * | 2014-03-27 | 2017-07-26 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus, exposing head, and image forming apparatus |
-
1998
- 1998-04-02 JP JP8969398A patent/JPH11289106A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274006A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法 |
| EP2937218A3 (en) * | 2014-03-27 | 2017-07-26 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus, exposing head, and image forming apparatus |
| JP2016009726A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光基板、露光装置、画像形成装置、発光基板の製造方法及び露光装置の製造方法 |
| JP2017024222A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子、基板装置、露光装置、画像形成装置、半導体素子の製造方法、及び基板装置の製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040727 |