JPH11290699A - ハニカム触媒 - Google Patents

ハニカム触媒

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JPH11290699A
JPH11290699A JP10104749A JP10474998A JPH11290699A JP H11290699 A JPH11290699 A JP H11290699A JP 10104749 A JP10104749 A JP 10104749A JP 10474998 A JP10474998 A JP 10474998A JP H11290699 A JPH11290699 A JP H11290699A
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JP
Japan
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catalyst
gas flow
honeycomb catalyst
honeycomb
flow path
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Pending
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JP10104749A
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English (en)
Inventor
Shigeru Tominaga
成 冨永
Toshifumi Mukai
利文 向井
Takeshi Hirota
健 広田
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Mitsubishi Power Ltd
Original Assignee
Babcock Hitachi KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造プロセスをほとんど変化させることな
く、境膜拡散抵抗が小さく、触媒性能が向上するハニカ
ム触媒を提供する。 【解決手段】 複数の平行なガス流路2を有するハニカ
ム触媒体1において、ガス流路2を横切るように、相互
の間隔が300mm以下の切り込み部3を多数設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハニカム触媒に係
り、特に、電力用大型ボイラ、燃焼炉等から排出される
排ガス中の窒素酸化物を除去する際に用いられる排煙脱
硝用のハニカム触媒であって、境膜拡散抵抗が小さく、
触媒性能を向上させることができるハニカム触媒に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】火力発電所、各種工場等から排出される
排ガス中の窒素酸化物を除去する方法として、窒素酸化
物を脱硝触媒の存在下にアンモニア等の還元剤と反応さ
せて無害化する、アンモニア接触還元脱硝法がある。ア
ンモニア接触還元脱硝法を、例えば火力発電所等の大容
量の排ガス排出施設に適用する場合、数百m3 以上の触
媒量が必要となることから、できるだけ触媒量を減らし
て装置全体をコンパクト化する工夫がなされている。
【0003】ところで、ハニカム触媒において排ガス浄
化性能を保ちながら触媒量を減らすためには、触媒成
分の改良により高活性化を計るか、触媒の浄化性能は
触媒体の幾何学的比表面積に比例することから、セルを
できるだけ小さくして単位容積当たりの表面積を大きく
するか、ガス流路内の境膜による拡散抵抗は触媒性能
に大きく影響することから、ガスの流れを乱して境膜拡
散抵抗ができるだけ小さくにるように触媒形状を工夫す
ること等が考えられる。
【0004】このうちおよびの方法は、排ガスの種
類が決まると改善のための自由度が小さくなるという問
題がある。すなわち、被処理ガスがダストを多量に含む
石炭燃焼排ガスである場合、目詰まりを防止する必要が
あることからセル寸法をそれほど小さくすることはでき
ない。また、ダストによる摩耗や排ガス中のSO2 の酸
化を抑制するためには触媒を高活性化するのにも自ずと
限界がある。
【0005】これに対しての方法は、工夫次第で十分
適用可能な方法である。すなわちハニカム触媒のよう
に、押出法で一体成形される触媒は、断面形状が一定で
あり、ガス流を乱すような形状にすることは極めて難し
いが、例えば触媒壁に孔を開けたり(特開平08−19
742号公報)、触媒壁面を波状にする(特開昭58−
43238号公報)などしてガスの拡散を促進させる技
術が提案されている。
【0006】しかしながら、これらの方法を採用する場
合、専用の押出口金が必要になり、かつ、成形体に多数
の孔加工を施す必要があるために触媒製造時の工数が増
大するという新たな問題が生じる。また、一体成型のハ
ニカム触媒において、触媒の長さを、ガス流による速度
境界層が十分発達しない程度に短くして境膜拡散抵抗を
小さくし、この触媒を複数組み合わせることによって、
同じ長さの一体成型触媒よりも触媒性能を向上させよう
とする方法がある。
【0007】しかしながら、この方法を採用するにして
も、速度境界層が発達する流路長さが不明であり、触
媒間隔をどの程度にして配置すれば、境界層が剥離して
後流側の触媒が前段のガス流れの影響を受けずに触媒性
能が向上するかが不明である。またこれが明らかになっ
たとしても、長さの短い触媒を多数組み合わせることに
より、工数が増加したり、触媒容量が却ってアップする
という別の問題が生じるおそれもある。
【0008】なお、触媒の長さを規定した従来技術とし
て、例えば実開昭62−199122号公報が挙げられ
るが、これは、脱硝装置内に複数段に配置した脱硝触媒
において、上流側の触媒を下流側に比べて短くしたもの
であり、被処理ガス中の被毒物質による触媒劣化は上流
側の方が下流側に較べて大きいために、劣化が大きい上
流側の触媒を優先的に取り替えられるようにしたもので
ある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の問題点を解決し、触媒製造プロセスをほとん
ど変更することなく、ガス流路内における境膜拡散抵抗
を小さくし、これによって触媒性能を向上させることが
できるハニカム触媒を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願で特許請求する発明は以下のとおりである。 (1)複数の平行なガス流路を有するハニカム触媒にお
いて、前記ガス流路を横切るように切り込み部を設けた
ことを特徴とするハニカム触媒。 (2)前記切り込み部を複数設け、該切り込み部相互の
間隔を300mm以下としたことを特徴とする上記
(1)に記載のハニカム触媒。 (3)前記切り込み部のガス流通方向の幅が、前記ガス
流路の水力直径の少なくとも1/3であることを特徴と
する上記(1)または(2)に記載のハニカム触媒。
【0011】(4)前記切り込み部の、前記ガス流路に
垂直な面への投影面積が、前記ガス流路に直交する触媒
断面積の1/2以下であることを特徴とする上記(1)
〜(3)の何れかに記載のハニカム触媒。 (5)前記ハニカム触媒が、排ガス脱硝用ハニカム触媒
であることを特徴とする上記(1)〜(4)の何れかに
記載のハニカム触媒。
【0012】本発明においては、ハニカム触媒(以下、
ハニカム構造体ともいう)のガス流路を横切る切り込み
部を設ける。これによって、境膜拡散抵抗が小さくな
り、境膜拡散量を表す物質移動係数が大きくなって触媒
効率が向上する。図1および図2は、本発明の原理を示
す説明図であり、図1(a)は、通常使用される条件、
すなわち、処理温度300〜400℃、ガス流速2〜1
0m/sにおけるハニカム状脱硝触媒の、触媒長と、境
膜拡散量を表わす物質移動係数との関係を示す説明図で
ある。図中(A)は、セルピッチ3.5mm、セル肉厚
(リブ厚)0.5mmのハニカム触媒の場合、(B)
は、セルピッチ4.1mm、セル肉厚(リブ厚)0.6
mmのハニカム触媒の場合、(C)は、セルピッチ7.
0mm、セル肉厚(リブ厚)1.0mmのハニカム触媒
の場合を示したものである。ここでセルピッチとはハニ
カム構造体を形成するリブの間隔をいい、セル肉厚とは
リブの厚さをいう。図1(b)にセルピッチとセル肉厚
の関係を示した。
【0013】図1において、セル寸法により若干差があ
るものの、触媒が長くなるに伴って物質移動係数は漸減
(拡散抵抗が増大)しており、触媒長さが300mm以
上でほぼ一定になっている。したがって、ガス流路の長
さを300mm以下、すなわち触媒長さが300mm以
上の触媒においては、切り込み部相互の間隔が300m
m以下となるように切り込み部を設けることにより、物
質移動係数の低下が防止され触媒活性が向上することが
分かる。
【0014】また、図2は、二つのハニカム触媒をその
ガス流路が連通するように組み合わせた場合の触媒間の
距離T(水力直径Hの倍数として表したもの)と物質移
動係数との関係を示したものである。図2において、触
媒間隔をガス流路の水力直径以上とすれば、境界層の剥
離が生じ、高い物質移動係数が維持されが、触媒間隔を
少なくとも水力直径の1/3とすることにより触媒性能
が向上することが分かる。
【0015】従って、本発明においては、ハニカム触媒
のガス流路を横切るように切り込み部を設け、かつ該切
り込み部相互の間隔を300mm以下とする。また、前
記切り込み部におけるガス流通方向の幅を、ガス流路の
水力直径の少なくとも1/3とする。水力直径とは、円
形以外の断面形状の管路の摩擦損失を定義する場合、円
管の直径に相当する量として導入されたものであるが、
発明において、ガス流路断面が正方形の場合は、前記切
り込み部の幅をガス流路の開口部幅(セルピッチからリ
ブ厚さを差し引いた長さ)の少なくとも1/3とするこ
とが好ましい。
【0016】本発明において、ハニカム触媒はその製造
容易性やハンドリングの点から、触媒断面が150mm
角で、触媒長さが500〜700mm程度、またはそれ
以上の寸法であることが好ましい。これ以下の短尺品を
使用して、個々の触媒を配置することは、切断、ユニッ
ト化およびブロック化に必要な工数が大幅に増大し、性
能向上のメリットが消失する場合があるからである。
【0017】本発明における触媒性能向上の効果は、例
えば石炭焚きボイラから排出されるようなダーティガス
に適用される比較的セル寸法の大きいハニカム触媒ほど
顕著に表れ、物質移動係数の増大率が大きくなる。この
ようなダーティガス用の触媒においては、種々の制約が
あって性能を向上させる手段が少ないことから、本発明
を適用することはより効果的である。
【0018】本発明において、切り込み部を設けること
によりハニカム構造体としての強度はある程度低下する
が、触媒の配置や荷重の作用方法を考慮して切り込み部
の方向や深さを決めれば十分強度を確保することができ
る。従って本発明においては、切り込み部の、ガス流路
に垂直な面への投影面積を、前記ガス流路に直交する触
媒断面積の1/2以下とすることが好ましい。
【0019】なお、万が一大きな荷重がかかって、切り
込み部から亀裂が発生したとしてもガス流路を分離する
方向なので、触媒の機能が低下することはない。
【0020】
【発明の実施の形態】図3〜図7は、それぞれ本発明で
あるハニカム触媒体の一実施例を示す説明図である。図
3のハニカム触媒体1は、相対向する二つの側面からガ
ス流路2に対して垂直に、ハニカム断面の約1/2の深
さまで達する切り込み部3を交互に設けた脱硝触媒であ
る。同一側面における切り込み部相互の間隔は300m
m以下、例えば250mmである。
【0021】本実施例において、切り込み部の間隔を3
00mm以下としたことにより、境膜拡散抵抗が小さく
なって触媒性能が向上する。また、切り込み部の深さを
ハニカム断面の1/2とし、反対方向からの切り込み部
(ハニカム断面の1/2)と合わせて、ハニカムの全セ
ルで流路が遮断されるようにしたことにより、平行ガス
流路の全断面において同等の活性向上が期待できる。
【0022】本実施例において、切り込み部3は、触媒
製造工程のどの段階でどのような方法によって設けても
よいが、例えば成形直後のペーストがまだ柔らかい状態
のときはワイヤーでカットする方法が、乾燥後または焼
成後であればバンドソーやウォータージェットによる方
法が採用できる。図4は、本発明の他の実施例を示すハ
ニカム触媒体の説明図である。このハニカム触媒体は、
ガス流路2に直交する断面の各コーナ部分に所定の切り
込み3を入れて部分的に脱硝活性を上げるようにしたも
のである。
【0023】また図5は、ガス流路2に直交する断面の
対向する二つのコーナー部分から触媒断面の1/2に相
当する切り込み部3を多数設けたものであり、各コーナ
における切り込み部3の間隔をそれぞれ300mm以下
としたものである。図6は、ハニカム触媒体の4つの側
面から触媒断面の1/2に相当する切り込み部3を所定
間隔、すなわち300mm以下の間隔で設けたものであ
る。
【0024】上記各実施例によれば、ガス流路2を横切
る切り込み部3を所定間隔で設けたことにより、ガス流
路内における境膜拡散抵抗が小さくなり、触媒性能が向
上する。本実施例において、切り込み部3はガス流路2
に対して垂直である必要はなく、図7のように、ガス流
路2に対して所定角度を有する切り込み部3とすること
もできる。図7は、図1のハニカム触媒体1における切
り込み部3をガス流路2に対して所定角度だけ傾けて設
けたものである。本実施例において、切り込み部3の、
ガス流路2に垂直な面への投影面積は、前記ガス流路2
に直交する触媒断面の1/2以下であることが好まし
い。これによって必要な機械的強度が確保される。
【0025】本発明の各実施例によれば、従来の製造プ
ロセスをほとんど変更せず、極めて簡易な方法で高効率
の排ガス浄化用触媒を得ることができる。また触媒ユニ
ットやブロックは従来と同様のものを用いることができ
るので、相対的に触媒量を低減し、装置のコンパクト化
が達成できる。
【0026】
【実施例】次に本発明の具体的実施例を説明する。 実施例1 図8は、本発明の具体的な実施例を示す断面図である。
このハニカム構造体は、Ti/W/Vの組成からなる脱
硝触媒ペーストを、外形150mm角、セルピッチ7.
0mm、セル肉厚1.0mm幅に押出成形し、乾燥した
のち500mm幅に切断し、次いで、このハニカム構造
体の一側面(図中上面)の、一端面から100mmおよ
び300mmの位置に、幅が6mmで深さがハニカム幅
の約1/2の切り込み部3をそれぞれ設け、かつ反対側
の側面(図中下面)にも、ハニカム構造体の他方端から
100mmおよび300mmの位置に、同様の切り込み
部3を形成し、その後、550℃で2h焼成したもので
ある。
【0027】実施例2 図9は、本発明の他の具体的実施例を示す説明図であ
る。図において、このハニカム構造体は、図中上下両面
に設けた切り込み形成位置を、それぞれハニカム構造体
の端面から55mm、165mm、275mm、385
mmの位置とした以外は実施例1と同様にして調製した
ものである。
【0028】実施例3 切り込み部の幅を3mmとした以外は、上記実施例2と
同様にしてハニカム触媒構造体を得た。 比較例1 切り込み部を設けなかった以外は実施例1と同様にして
ハニカム触媒構造体を得た。
【0029】実施例1〜3および比較例1のハニカム構
造体について、ガス量240m3N/h、350℃の条件で
脱硝活性を測定し、その結果を、比較例1の結果を1と
したときの反応速度定数比で示した。
【0030】
【表1】 ※ 脱硝率は参考値 表1において、実施例1は、反応速度定数で17%、実
施例2は、26%、実施例3は、15%それぞれ脱硝性
能が向上したことが分かる。これによって、実施例1〜
3によれば、同じ活性ベースの排ガス浄化装置では触媒
量を比較例1に比べて各々17%、26%および15%
低減できることになる。
【0031】
【発明の効果】本願の請求項1記載の発明によれば、ガ
ス流路を横切るように切り込み部を設けたことにより、
ガス流路内における境膜拡散抵抗の増大を防止して触媒
効率を向上させることができる。本願の請求項2記載の
発明によれば、前記切り込み部を複数設け、該切り込み
部相互の間隔を300mm以下としたことにより、上記
発明の効果に加え、ガス流路内における境膜拡散抵抗を
所定値以下とすることができる。
【0032】本願の請求項3記載の発明によれば、前記
切り込み部のガス流通方向の幅が、ガス流路の水力直径
の少なくとも1/3としたことにより、ガス流路内にお
ける物質移動係数が増大する。本願の請求項4記載の発
明によれば、前記切り込み部の、ガス流路に垂直な面へ
の投影面積が、前記ガス流路に直交する触媒断面積の1
/2以下としたことにより、上記発明の効果に加え、触
媒の機械的強度を確保することができる。
【0033】本願の請求項5記載の発明によれば、前記
ハニカム触媒を、排ガス脱硝用ハニカム触媒としたこと
により、上記発明の効果に加えて触媒の脱硝活性を向上
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を示す説明図。
【図2】本発明の原理を示す説明図。
【図3】本発明の実施例を示す説明図。
【図4】本発明の実施例を示す説明図。
【図5】本発明の実施例を示す説明図。
【図6】本発明の実施例を示す説明図。
【図7】本発明の実施例を示す説明図。
【図8】本発明の具体的実施例を示す説明図。
【図9】本発明の別の具体的実施例を示す説明図。
【符号の説明】
1…ハニカム触媒体、2…ガス流路、3…切り込み部。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の平行なガス流路を有するハニカム
    触媒において、前記ガス流路を横切るように切り込み部
    を設けたことを特徴とするハニカム触媒。
  2. 【請求項2】 前記切り込み部を複数設け、該切り込み
    部相互の間隔を300mm以下としたことを特徴とする
    請求項1に記載のハニカム触媒。
  3. 【請求項3】 前記切り込み部のガス流通方向の幅が、
    前記ガス流路の水力直径の少なくとも1/3であること
    を特徴とする請求項1または2に記載のハニカム触媒。
  4. 【請求項4】 前記切り込み部の、前記ガス流路に垂直
    な面への投影面積が、前記ガス流路に直交する触媒断面
    積の1/2以下であることを特徴とする請求項1〜3の
    何れかに記載のハニカム触媒。
  5. 【請求項5】 前記ハニカム触媒が、排ガス脱硝用ハニ
    カム触媒であることを特徴とする請求項1〜4の何れか
    に記載のハニカム触媒。
JP10104749A 1998-04-15 1998-04-15 ハニカム触媒 Pending JPH11290699A (ja)

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