JPH11294862A - 不純物付着防止方法及び貯水槽 - Google Patents

不純物付着防止方法及び貯水槽

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JPH11294862A
JPH11294862A JP27387198A JP27387198A JPH11294862A JP H11294862 A JPH11294862 A JP H11294862A JP 27387198 A JP27387198 A JP 27387198A JP 27387198 A JP27387198 A JP 27387198A JP H11294862 A JPH11294862 A JP H11294862A
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JP
Japan
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water
semiconductor layer
optical semiconductor
impurities
tank
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JP27387198A
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English (en)
Inventor
Seiji Tadasue
政治 忠末
Akihiko Hirano
明彦 平野
Tomoyuki Nishio
智之 西尾
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Hoshizaki Electric Co Ltd
Original Assignee
Hoshizaki Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液体と接触する部位の表面に、その液体中に
含まれた不純物が付着することを防止する。 【解決手段】 貯湯タンク1内にはヒータ2が設けら
れ、保護パイプ4が被せられている。保護パイプ4の表
面には、酸化チタンを主成分とした光半導体層11が形
成される。貯湯タンク1内の上部には、ヒータ2を照射
するランプ13が設けられる。光半導体層11は光励起
されて表面が親水性を示すので、保護パイプ4の外周面
には水膜が形成された状態となり、直接に不純物が付着
することが回避される。また水膜の上に載った不純物
は、貯湯タンク1内の水が流動することに伴って簡単に
洗い流されるから、ヒータ2の保護パイプ4の外周面に
不純物が付着、堆積することが防止される。併せて、酸
化チタンは酸化機能を発揮するので、雑菌類の繁殖を抑
制する抗菌作用を呈する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、貯水槽等の液体が
接触する部位に不純物が付着するのを防止する方法及び
貯水槽に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、湯沸しや給茶機等においてお湯
を生成する場合に、タンク内に投げ込み式のヒータを装
備しておき、タンク内に貯留された水を直接にヒータに
より加熱してお湯を生成する方法が採られている。この
場合の水には、通常飲料用の水道水が使用されるが、水
道水中にはシリカやカルシウム等の不純物が含まれてい
る場合が多く、長時間使用していると、それらの不純物
が次第にヒータの表面に付着して堆積し、極端な場合は
不純物が数ミリといった単位でヒータの表面を覆ってし
まうことがあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このようにヒータの表
面が不純物で覆われると、ヒータが断熱されたことと同
じ状態となり、ヒータが貯留された水との間で熱交換で
きなくなるので、ヒータの過剰加熱に繋がるという問題
があった。本発明は主に上記のような事情に基づいて完
成されたものであって、その目的は、貯水槽等の液体が
接触する部位に不純物が付着することを防止するところ
にある。
【0004】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る不
純物付着防止方法は、液体が接触する部位の表面に、親
水性を示す層を形成しておき、この親水性層によって液
中に含まれる不純物が表面に付着するのを防止するとこ
ろに特徴を有する。請求項2の発明に係る貯水槽内の不
純物付着防止方法は、貯留された水が接触する部位の表
面に、光励起によって親水性を示す光半導体層を形成し
ておき、この光半導体層が発揮する親水性によって水中
の不純物の付着を防止するところに特徴を有する。
【0005】請求項3の発明に係る貯水槽は、貯留され
た水が接触する部位の表面に、光励起によって親水性を
示す光半導体層を形成したところに特徴を有する。請求
項4の発明は、請求項3に記載のものにおいて、前記光
半導体層が酸化チタンを主成分として構成されていると
ころに特徴を有する。請求項5の発明は、請求項3また
は4に記載のものにおいて、前記光半導体層を照射する
ランプを備えたところに特徴を有する。
【0006】
【発明の作用及び効果】<請求項1の発明>液体が接触
する部位の表面は、親水性層により水膜が張ったような
状態になるので、接触部位の表面には直接には液中の不
純物が付着しにくい。また水膜の上に載った不純物は液
体の流動により簡単に洗い流される。もって、液体が接
触する部位の表面に不純物が付着、堆積することが防止
される。
【0007】<請求項2,3の発明>光半導体層の表面
にはそれの持つ親水性機能により水膜が張ったような状
態になるので、光半導体層の形成された部位の表面には
直接には水中の不純物が付着しにくい。また水膜の上に
載った不純物は回りの水の流動で簡単に洗い流される。
もって、貯水槽内に不純物が付着、堆積することが防止
される。 <請求項4の発明>光半導体層として形成された酸化チ
タンは酸化機能を発揮するので、有機物を分解して抗
菌、脱臭等に有効であり、もって貯水槽内を清浄に保つ
ことができる。 <請求項5の発明>光半導体層はランプで照射されるこ
とにより確実に光励起される。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の数々の実施形態を
添付図面に基づいて説明する。 <第1実施形態>本発明の第1実施形態を図1及び図2
によって説明する。本実施形態では、飲料ディスペンサ
に装備された貯湯タンクを例示している。この貯湯タン
ク1の側壁の底部側には、投げ込み式のヒータ2が設け
られている。このヒータ2の外周には、図2に示すよう
に保護パイプ4が被せられており、横向きに貯湯タンク
1内に突出して取り付けられている。そして、給水弁5
を開放することで給水管6から貯湯タンク1内に水道水
が溜められ、ヒータ2により加熱されてお湯が生成され
るとともに、温度センサ7により湯温を検知しつつヒー
タ2の入り切りが繰り返されて湯温がほぼ一定に保持さ
れ、注出弁8を開放することで吐出管9からお湯が吐出
されるようになっている。
【0009】さて上記したヒータ2における保護パイプ
4の外周面には、図2に詳細に示すように、酸化チタン
を主成分とした光半導体層11が形成されている。な
お、この光半導体層11の膜厚は強調するために実際よ
りも厚く図示されている。上記した光半導体層11の形
成方法としては、以下に挙げるものがある。 第1例:塗膜形成要素としてシリコーンにアナターゼ型
チタニアルゾルを添加して、チタニア含有塗料用組成物
を調整し、これを保護パイプ4の外周面に塗布し、所定
の温度で硬化させてアナターゼ型チタニア粒子がシリコ
ーン塗膜中に分散された光半導体層11を形成する。
【0010】第2例:まず保護パイプ4の外周面に無定
形シリカの薄膜を形成し、次にテトラエトキシチタンT
i(OC254 とエタノールとの混合物からなるチタ
ニアコーティング溶液を調整し、この溶液を保護パイプ
4の外周面に塗布して乾燥させる。テトラエトキシチタ
ンの加水分解によって、水酸化チタンが生成し、さらに
脱水縮重合によって無定形チタニアが生成する。 第3例:上記の第2例と同様に、保護パイプ4の外周面
上に無定形シリカの薄膜を形成し、スパッタリング法に
より無定形TiO2 からなる薄膜を形成してもよい。
【0011】上記の各例のように形成された酸化チタン
を主成分とした光半導体層11は、透明で、光励起に対
応して表面が親水性を示すものである。併せて、光励起
による酸化機能を有し、有機物を分解して抗菌、脱臭等
に有効となる。また、貯湯タンク1内の上部位置には、
ヒータ2に光を当てるべく蛍光ランプ13が装備されて
いる。蛍光ランプ13としては、酸化チタンが最もその
能力を発揮できる紫外線ランプ(波長が370nm近
辺)が好ましい。
【0012】本実施形態は上記のような構造であって、
続いてその作用を説明する。ヒータ2は貯湯タンク1内
に貯留された水道水中に浸漬された状態にあり、水道水
中にはシリカやカルシウム等の不純物が含まれているの
で、その不純物がヒータ2、すなわち保護パイプ4の外
周面に付着する傾向にある。しかしながら、保護パイプ
4の外周面には光半導体層11が形成されていて、この
光半導体層11は蛍光ランプ13からの光により励起さ
れて表面が親水性を示すので、保護パイプ4の外周面に
は水膜Wが形成された状態となる。そのため、保護パイ
プ4の外周面に直接に不純物が付着することが回避され
る。また水膜Wの上に載った不純物は、例えば給水時や
お湯の吐出時において貯湯タンク1内の水が流動するこ
とに伴って簡単に洗い流される。そのため、ヒータ2の
保護パイプ4の外周面に不純物が付着、堆積することが
防止される。これにより、ヒータ2が過剰加熱されるよ
うな事態が避けられる。併せて、光半導体層11として
形成された酸化チタンは酸化機能を発揮するので、雑菌
類の繁殖を抑制する抗菌作用を呈し、ヒータ2の外周面
が清浄に保たれて衛生面上でも好適となる。なお、貯湯
タンク1の内面に、同様に光半導体層11を形成するよ
うにしてもよい。
【0013】<第2実施形態>図3は、セル形製氷機に
適用した第2実施形態を示す。この製氷機は、冷凍装置
の蒸発管21が配された製氷小室22に向けて、水皿2
3に設けられた噴水孔24から製氷用水を噴出して製氷
し、製氷が完了したら、水皿23を同図の矢線に示すよ
うに傾動させて製氷小室22の下方を開放し、生成され
た氷を水皿23上に落下させたのち回収するようになっ
ている。
【0014】この製氷機において、各製氷小室22の内
面に、酸化チタンを主成分とした光半導体層11が形成
されている。光半導体層11の形成方法としては、上記
第1実施形態と同様である。また、水皿23の傾動端側
の外方に蛍光ランプ13が配設され、水皿23が下方に
傾動した場合に、製氷小室22の内面を照射し得るよう
になっている。すなわち、光半導体層11の持つ親水性
によって、製氷小室22の内面に製氷用水中に混じった
不純物が付着することが防止され、また抗菌機能も併せ
て発揮されることで、製氷小室22の内面が清浄に保た
れる。
【0015】<第3実施形態>図4は、シャトルアイス
製氷機に適用した第3実施形態を示す。この製氷機は、
冷凍装置の蒸発管31が上面に配された製氷基板32の
下面に複数の製氷突起33が突設され、この製氷突起3
3が、製氷用水の貯留された水皿34内に浸漬されるこ
とで、製氷突起33の回りに逆ドーム状の氷塊Iを生成
し、製氷が完了したら、水皿34を同図の矢線に示すよ
うに傾動させて製氷突起33の下方を開放することによ
り、氷塊Iを落下させて回収するようになっている。
【0016】この製氷機において、各製氷突起33の表
面に、酸化チタンを主成分とした光半導体層11が形成
されている。光半導体層11の形成方法としては、上記
第1実施形態と同様である。また、水皿34の傾動端側
の外方に蛍光ランプ13が配設され、水皿34が下方に
傾動した場合に、製氷突起33を照射し得るようになっ
ている。同様に、光半導体層11の持つ親水性によっ
て、製氷突起33の外面に製氷用水中に混じった不純物
が付着することが防止され、また抗菌機能も併せて発揮
されることで、製氷突起33が清浄に保たれる。
【0017】<第4実施形態>図5は、オーガ式製氷機
に適用した第4実施形態を示す。この製氷機は、外周面
に冷却パイプ41が巻装された冷凍ケーシング42内
に、給水管43から製氷用水を供給して冷却し、螺旋刃
44を備えたオーガ45により、ケーシング42の内周
面に氷結した氷層を掻き取り、氷圧縮通路を有する押圧
頭46を通して氷柱を形成し、これをカッタ47で切断
して氷粒Iとして取り出すようになっている。
【0018】この製氷機において、冷凍ケーシング42
の内周面に、酸化チタンを主成分とした光半導体層11
が形成されている。また、冷凍ケーシング42の底部に
は蛍光ランプ13が配設されている。この場合蛍光ラン
プ13は、防水処理が施されている必要がある。したが
って、光半導体層11の持つ親水性によって、冷凍ケー
シング42の内周面に製氷用水中に混じった不純物が付
着することが防止され、また抗菌機能も併せて発揮され
ることで、冷凍ケーシング42内が清浄に保たれる。
【0019】また、製氷用水を所定のレベルに貯留して
おくための貯水タンク48が装備されており、この貯水
タンク48の内面にも、同じく酸化チタンを主成分とし
た光半導体層11が形成されているとともに、貯水タン
ク48の蓋板49の裏面に、貯水タンク48の内面を照
射する蛍光ランプ13が設けられている。この場合も、
蛍光ランプ13は防水処理が施されていることが望まし
い。同じく光半導体層11の持つ親水性によって、貯水
タンク48の内面に製氷用水中に混じった不純物が付着
することが防止され、また抗菌機能も併せて発揮される
ことで、貯水タンク48内が清浄に保たれる。
【0020】<第5実施形態>図6は、食器洗浄機に適
用した第5実施形態を示す。この食器洗浄機は、洗浄並
びにすすぎに供した後の熱湯を貯める洗浄タンク51か
らオーバーフローした排湯を、予熱タンク52の回りに
順次に流通させ、その排熱を利用して、予熱タンク52
に貯留されたすすぎ水を貯湯タンク53で本格加熱する
前に予備加熱するようにしたものである。
【0021】このような食器洗浄機において、洗浄タン
ク51の内面、予熱タンク52の内面、貯湯タンク53
の内面、及び洗浄室ドア54の内面に、それぞれ酸化チ
タンを主成分とした光半導体層11が形成されている。
また、洗浄室55の天井部には、洗浄室ドア54の内面
及び洗浄タンク51の内面を照射するための蛍光ランプ
13が、予熱タンク52の天井面には、その内面を照射
する蛍光ランプ13が、また、貯湯タンク53の天井面
には、その内面を照射するための蛍光ランプ13がそれ
ぞれ配設されている。上記の構造により、光半導体層1
1の持つ親水性によって、洗浄タンク51の内面、予熱
タンク52の内面、貯湯タンク53の内面、及び洗浄室
ドア54の内面に、水道水中に混じった不純物が付着す
ることが防止され、また抗菌機能も併せて発揮されるこ
とで清浄に保たれる。
【0022】<第6実施形態>図7は、給茶機に適用し
た第6実施形態を示す。この給茶機は、供給された水を
ヒータ61により加熱して熱湯として貯留する貯湯タン
ク62と、供給された水を冷却回路63により冷却して
冷水として貯留する冷水タンク64とを備え、上記の熱
湯及び冷水から、お茶、白湯、冷水茶及び冷水を選択的
に供給できるようにしたものである。
【0023】この給茶機において、貯湯タンク62の内
面と、冷水タンク64の内面とに、それぞれ酸化チタン
を主成分とした光半導体層11が形成されている。ま
た、貯湯タンク62内の上部には貯湯タンク62の内面
を照射する蛍光ランプ13が、冷水タンク64内の上部
には冷水タンク64の内面を照射する蛍光ランプ13が
それぞれ配設されている。上記の構造により、光半導体
層11の持つ親水性によって、貯湯タンク62並びに冷
水タンク64の内面に、水道水中に混じった不純物が付
着することが防止され、また抗菌機能も併せて発揮され
ることで、両タンク62,64内が清浄に保たれる。
【0024】<第7実施形態>図8は、冷水供給装置に
適用した第7実施形態を示す。この冷水供給装置は、冷
却パイプ71により冷却される冷水タンク72が備えら
れ、この冷水タンク72内に給水管73から水道水が供
給されて貯留され、冷水タンク72の内面に一定の氷I
を生成しつつ冷水を生成する。一方、循環水路74によ
って、生成された冷水が冷水タンク72の底面側から汲
み上げられて上面から還流するように循環され、もって
冷水が冷却状態に保持され、上記の循環水路74から分
岐した注水路75の注水弁76を適宜に開放することに
よって、冷水が注出されるようになっている。
【0025】このような冷水供給装置において、冷水タ
ンク72の内面に、酸化チタンを主成分とした光半導体
層11が形成されている。また、冷水タンク72の天井
面に、冷水タンク72の内面を照射する蛍光ランプ13
が配設されている。上記の構造により、光半導体層11
の持つ親水性によって、冷水タンク72の内面に、水道
水中に混じった不純物が付着することが防止され、また
抗菌機能も併せて発揮されることで、冷水タンク72内
が清浄に保たれる。
【0026】<第8実施形態>図9は、電解水生成装置
に適用した第8実施形態を示す。この電解水生成装置
は、濃塩水タンク81と、希塩水タンク82と、電解槽
83と、酸性イオン水タンク84と、アルカリ性イオン
水タンク85とを備えており、濃塩水タンク81内に
は、水道水に塩を多量に溶解させた濃塩水が貯留され
て、希塩水タンク82内で濃塩水がさらに水道水で希釈
されて希塩水として貯留される。そして、この希塩水が
電解槽83に供給されて電気分解され、生成された酸性
及びアルカリ性の各イオン水が、酸性イオン水タンク8
4とアルカリ性イオン水タンク85とにそれぞれ貯留さ
れるようになっている。
【0027】このような電解水生成装置において、濃塩
水タンク81、希塩水タンク82、酸性イオン水タンク
84、及びアルカリ性イオン水タンク85の内面に、酸
化チタンを主成分とした光半導体層11が形成されてい
る。また、それぞれのタンク81,82,84及び85
内の上部側または天井面に、それらのタンク81,8
2,84及び85の内面を照射する蛍光ランプ13が配
設されている。上記の構造により、光半導体層11の持
つ親水性によって、各タンク81,82,84及び85
の内面に、貯留水中に混じった不純物が付着することが
防止され、また抗菌機能も併せて発揮されることで、各
タンク81,82,84及び85内が清浄に保たれる。
【0028】<第9実施形態>本発明の第9実施形態を
図10及び図11により説明する。この実施形態では、
ビールサーバの冷却管に適用した場合を例示している。
ビールサーバは、図10に示すように、冷却機構91に
より冷却される冷水を貯留した冷水槽92内に、ステン
レス製の冷却管93が浸漬配設され、その一端がビール
樽94に接続されるとともに、他端が注出コック95に
接続されている。また、ビール樽94にはボンベ96か
ら炭酸ガスが導入されている。そして注出コック95が
開かれると、ガス圧により圧送されたビールは、冷却管
93を通る間に冷水槽92内の冷水と熱交換されて冷却
され、ジョッキ97等に注出されるようになっている。
この場合、冷水には水道水が使用されるが、長時間使用
していると水道水中の不純物が次第に冷却管93の外面
に付着して堆積し、冷水と、冷却管93内を通るビール
との間で熱交換が十分にできず、冷えたビールが供給で
きなくなるという問題が生ずる。
【0029】このためこの実施形態では、図11に示す
ように、冷却管93の外面に、酸化チタンを主成分とし
た光半導体層11が形成されている。光半導体層11の
形成方法は、上記第1実施形態と同様である。また冷水
槽92の蓋板98の裏面には、冷却管93の外面を照射
可能な蛍光ランプ13が配設されている。上記の構成に
よれば、光半導体層11は蛍光ランプ13からの光によ
り励起されて表面が親水性を示すので、冷却管93の外
面には水膜が形成された状態となる。そのため、冷却管
93の外面に冷水中の不純物が直接に付着することが回
避される。また水膜の上に載った不純物は、冷水の入れ
替え時等において冷水槽92内の水が流動することに伴
って簡単に洗い流される。そのため、冷却管93の外面
に不純物が付着、堆積することが防止され、冷水と中の
ビールとの熱交換が効率良く行われて、良く冷えたビー
ルを供給することが可能となる。併せて、光半導体層1
1として形成された酸化チタンは酸化機能を発揮するの
で、雑菌類の繁殖を抑制する抗菌作用を呈し、冷却管9
3の外面が清浄に保たれて衛生面上でも好適となる。
【0030】<第10実施形態>図12は、本発明の第
10実施形態を示す。上記第9実施形態に例示したビー
ルサーバにおいて、冷却管93内を流通するビールには
炭酸ガスの圧力が掛かっていて、ビールが通過する際の
抵抗でその炭酸ガスが発泡しようとする。一方、冷却管
93の内面には、ビール中に含まれた蛋白質が付着しや
すく、そうすると泡立ちがより激しくなり、注出した際
にビールが泡だらけとなって美味しさが低下するという
問題がある。また、蛋白質等の不純物が堆積すると冷却
管93が目詰まりを起こすので、冷却管93内を頻繁に
掃除せねばならず、面倒であるという問題もあった。
【0031】そこで本実施形態では、冷却管93の内面
に、親水性を示す層99が形成されている。この親水性
層99はシリカを主成分として構成されており、例え
ば、水溶性ウレタン樹脂とシリカゾルを含む親水性層形
成剤を入れた槽に浸漬し、水切り後、所定温度で焼き付
けることにより、冷却管93の内面に親水性層99が形
成される。
【0032】このように冷却管93の内面に親水性層9
9が形成されていると、冷却管93の内面には水膜が形
成された状態となって、ビール中に含まれた蛋白質が付
着しにくくなり、またビールの流通に伴って簡単に洗い
流され、よって冷却管93の内面に蛋白質が付着、堆積
することが防止される。また、親水性層99の表面には
水酸基があって、ビールが流通する場合にはその水酸基
との摩擦となり、これはステンレス管との摩擦よりも抵
抗が小さくなるため、上記の蛋白質の付着が無いことと
併せて、過剰な泡立ちが有効に抑制される。その結果、
適度に泡の立った美味しいビールを注出することができ
る。また、冷却管93の内面に付着物が出ないことで衛
生的にも優れ、頻繁に掃除する必要もないから、使い勝
手に優れたものとなる。
【0033】<他の実施形態>本発明は上記記述及び図
面によって説明した実施形態に限定されるものではな
く、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に
含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内
で種々変更して実施することができる。 (1)光半導体層が外部光源によって照射されるように
なっていれば、蛍光ランプの配設は省いてもよい。 (2)本発明は、液体が接触する部位全般について適用
することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態に係る貯湯タンクの断
面図
【図2】 ヒータの拡大横断面図
【図3】 第2実施形態の断面図
【図4】 第3実施形態の断面図
【図5】 第4実施形態の断面図
【図6】 第5実施形態の一部切欠正面図
【図7】 第6実施形態の断面図及びブロック図
【図8】 第7実施形態の断面図
【図9】 第8実施形態の断面図及びブロック図
【図10】 第9実施形態に係るビールサーバの一部切
欠正面図
【図11】 その冷却管の拡大断面図
【図12】 第10実施形態の冷却管の拡大断面図
【符号の説明】
1…貯湯タンク 2…ヒータ 4…保護パイプ 11…
光半導体層 13…蛍光ランプ W…水膜 22…製氷
小室 33…製氷突起 42…冷凍ケーシング 48…貯水タンク 51…洗浄タンク 52…予熱タン
ク 53…貯湯タンク 54…洗浄室ドア 62…貯湯タンク 64…冷水タン
ク 72…冷水タンク 81…濃塩水タンク 82…希塩水タンク 84…酸性
イオン水タンク 85…アルカリ性イオン水タンク 9
2…冷水槽 93…冷却管 99…親水性層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液体が接触する部位の表面に、親水性を
    示す層を形成しておき、この親水性層によって液中に含
    まれる不純物が表面に付着するのを防止することを特徴
    とする不純物付着防止方法。
  2. 【請求項2】 貯留された水が接触する部位の表面に、
    光励起によって親水性を示す光半導体層を形成してお
    き、この光半導体層が発揮する親水性によって水中の不
    純物の付着を防止することを特徴とする貯水槽内の不純
    物付着防止方法。
  3. 【請求項3】 貯留された水が接触する部位の表面に、
    光励起によって親水性を示す光半導体層を形成したこと
    を特徴とする貯水槽。
  4. 【請求項4】 前記光半導体層が酸化チタンを主成分と
    して構成されていることを特徴とする請求項3記載の貯
    水槽。
  5. 【請求項5】 前記光半導体層を照射するランプを備え
    たことを特徴とする請求項3または請求項4記載の貯水
    槽。
JP27387198A 1998-02-10 1998-09-28 不純物付着防止方法及び貯水槽 Pending JPH11294862A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015001312A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 富士電機株式会社 製氷機
CN115143626A (zh) * 2021-03-31 2022-10-04 青岛经济技术开发区海尔热水器有限公司 电热水器用发泡水箱及电热水器

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