JPH11295247A - 試料表面の分析方法 - Google Patents
試料表面の分析方法Info
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- JPH11295247A JPH11295247A JP10101641A JP10164198A JPH11295247A JP H11295247 A JPH11295247 A JP H11295247A JP 10101641 A JP10101641 A JP 10101641A JP 10164198 A JP10164198 A JP 10164198A JP H11295247 A JPH11295247 A JP H11295247A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】２質量分析置による試料の分析方法において、
軽元素の検出下限を向上させる。 【解決手段】表面分析装置において、試料の構成元素と
試料中不純物元素の分子の形で質量分析、イオン検出等
を行うことにより、試料表面に吸着した試料室雰囲気中
の軽元素に起因するB.G.を減少し、軽元素の検出下限を
向上する事を目的とする。また、軽元素の検出下限向上
のみならず、電子親和力の大きい分子イオンを検出する
ことにより、２次イオン収量を増大させ、不純物の検出
下限を向上させる。
軽元素の検出下限を向上させる。 【解決手段】表面分析装置において、試料の構成元素と
試料中不純物元素の分子の形で質量分析、イオン検出等
を行うことにより、試料表面に吸着した試料室雰囲気中
の軽元素に起因するB.G.を減少し、軽元素の検出下限を
向上する事を目的とする。また、軽元素の検出下限向上
のみならず、電子親和力の大きい分子イオンを検出する
ことにより、２次イオン収量を増大させ、不純物の検出
下限を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面分析方法およ
び表面分析装置に関し、特に試料中に微量に含まれる軽
元素を分析する試料表面の分析方法に関する。
び表面分析装置に関し、特に試料中に微量に含まれる軽
元素を分析する試料表面の分析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の分析手法では、軽元素を測定する
場合、試料表面に吸着した試料室雰囲気中の軽元素と、
試料中の軽元素との区別がつかず、検出下限がよくなか
った。また、軽元素の測定に限らず、２次イオン収量が
少ないため、従来の分析手法では検出下限よく測定する
ことが出来なかった。
場合、試料表面に吸着した試料室雰囲気中の軽元素と、
試料中の軽元素との区別がつかず、検出下限がよくなか
った。また、軽元素の測定に限らず、２次イオン収量が
少ないため、従来の分析手法では検出下限よく測定する
ことが出来なかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、試料
室雰囲気中の軽元素が試料表面に吸着するため、試料室
内の軽元素の影響により、試料中の不純物の検出下限が
よくなかった。膜中不純物と試料の構成元素とによる分
子を用いて分子イオンの検出を行い、試料表面に吸着す
る不純物軽元素によるバックグランド（以下Ｂ．Ｇ．）
の影響を軽減し、試料中に存在する不純物軽元素を検出
下限よく測定できるようにする。また、電子親和力の大
きい分子を検出することにより、２次イオン収量を増大
させ、検出下限の向上させる試料の分析方法を提供する
ことを目的とする。
室雰囲気中の軽元素が試料表面に吸着するため、試料室
内の軽元素の影響により、試料中の不純物の検出下限が
よくなかった。膜中不純物と試料の構成元素とによる分
子を用いて分子イオンの検出を行い、試料表面に吸着す
る不純物軽元素によるバックグランド（以下Ｂ．Ｇ．）
の影響を軽減し、試料中に存在する不純物軽元素を検出
下限よく測定できるようにする。また、電子親和力の大
きい分子を検出することにより、２次イオン収量を増大
させ、検出下限の向上させる試料の分析方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願発明は、試料表面に
荷電粒子を照射し、励起される２次イオンを検出する事
で前記試料中の軽元素不純物量を測定する試料表面の分
析方法において、前記不純物と前記試料の構成元素とか
らなる化合物の２次イオンを質量分析する工程と、前記
分析による２次イオンの質量と、不純物元素の質量との
差から不純物を算出する工程とを有する試料表面の分析
方法である。
荷電粒子を照射し、励起される２次イオンを検出する事
で前記試料中の軽元素不純物量を測定する試料表面の分
析方法において、前記不純物と前記試料の構成元素とか
らなる化合物の２次イオンを質量分析する工程と、前記
分析による２次イオンの質量と、不純物元素の質量との
差から不純物を算出する工程とを有する試料表面の分析
方法である。
【０００５】すなわち、本願発明は上記目的を達成する
ため、試料の組成元素と試料中不純物とが結合した分子
の形で質量等の測定及びイオン検出を行うことを要旨と
する。
ため、試料の組成元素と試料中不純物とが結合した分子
の形で質量等の測定及びイオン検出を行うことを要旨と
する。
【０００６】より詳細に説明すると、本発明では、試料
組成元素と膜中不純物との分子イオンを検出するため、
試料表面に吸着した試料室内雰囲気に存在する不純物軽
元素と膜中にあらかじめ存在する不純物軽元素とを分離
することができる。このため、試料表面に吸着する事に
より生じる軽元素のB.G.が減少し、膜中の不純物軽元素
を低濃度まで測定可能である。また、検出する分子イオ
ン種によっては、元素単体の時より分子の場合の方が電
子親和力が大きく、イオン化しやすい元素もある。この
ような分子イオンを用いることにより、イオン収量が増
加し、検出下限よい測定が可能となる。
組成元素と膜中不純物との分子イオンを検出するため、
試料表面に吸着した試料室内雰囲気に存在する不純物軽
元素と膜中にあらかじめ存在する不純物軽元素とを分離
することができる。このため、試料表面に吸着する事に
より生じる軽元素のB.G.が減少し、膜中の不純物軽元素
を低濃度まで測定可能である。また、検出する分子イオ
ン種によっては、元素単体の時より分子の場合の方が電
子親和力が大きく、イオン化しやすい元素もある。この
ような分子イオンを用いることにより、イオン収量が増
加し、検出下限よい測定が可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面を参照
して説明する。なお、以下の実施例は本発明を具体化し
た一例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格の
ものではない。
して説明する。なお、以下の実施例は本発明を具体化し
た一例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格の
ものではない。
【０００８】図１は本実施例の質量分析器の構成を概略
的に示す図である。同図において表面分析装置１は、そ
の全体を例えばステンレス、あるいはアルミニウム合金
製等の部材で構成させることができる。また、試料Ｓが
配置される試料室３に、試料Ｓ表面を励起するための励
起ビームを発生する励起ビーム発生手段５が励起ビーム
導波７を介して接続され、また、試料室３から送られる
２次イオン質量分析器２０がビーム導波１７を介して接
続され、更に表面分析装置内１を真空にし、かつ高真空
を維持するための真空ポンプ１５が取り付けられてる。
的に示す図である。同図において表面分析装置１は、そ
の全体を例えばステンレス、あるいはアルミニウム合金
製等の部材で構成させることができる。また、試料Ｓが
配置される試料室３に、試料Ｓ表面を励起するための励
起ビームを発生する励起ビーム発生手段５が励起ビーム
導波７を介して接続され、また、試料室３から送られる
２次イオン質量分析器２０がビーム導波１７を介して接
続され、更に表面分析装置内１を真空にし、かつ高真空
を維持するための真空ポンプ１５が取り付けられてる。
【０００９】上記励起ビーム発生手段５で発生される励
起ビームとしては試料Ｓ表面を励起させ試料Ｓ表面から
非分析元素をスパッタ出来るものならば、どのようなビ
ームを使用してもよい。例えば、イオンビーム、中性粒
子のビーム、レーザビーム等が適用可能である。また励
起ビーム発生手段５と試料室３の間の励起ビーム導波７
には励起ビームを収束させるための静電レンズ９が設け
られている。また、絶縁物でも測定できるように、電子
ビーム発生手段６が設けられており、励起ビームが試料
に照射されていると、同様の場所に電子ビームも照射で
きるようになっている。
起ビームとしては試料Ｓ表面を励起させ試料Ｓ表面から
非分析元素をスパッタ出来るものならば、どのようなビ
ームを使用してもよい。例えば、イオンビーム、中性粒
子のビーム、レーザビーム等が適用可能である。また励
起ビーム発生手段５と試料室３の間の励起ビーム導波７
には励起ビームを収束させるための静電レンズ９が設け
られている。また、絶縁物でも測定できるように、電子
ビーム発生手段６が設けられており、励起ビームが試料
に照射されていると、同様の場所に電子ビームも照射で
きるようになっている。
【００１０】また、上記質量分析器２０は試料室３から
送られる２次イオンを質量分析する質量分析部２１と２
次イオンを検出する２次イオン検出部２３とから成る。
質量分析器２０と試料室３との間のビーム導波１７には
試料室３内で発生した２次イオンを質量分析器２０に取
り込むための静電レンズ１９が設けられている。
送られる２次イオンを質量分析する質量分析部２１と２
次イオンを検出する２次イオン検出部２３とから成る。
質量分析器２０と試料室３との間のビーム導波１７には
試料室３内で発生した２次イオンを質量分析器２０に取
り込むための静電レンズ１９が設けられている。
【００１１】以下、装置について更に具体化すると共
に、その動作を図１に記載の表面分析器を用いて説明す
る。励起ビーム発生源５から出射された特定の単色エネ
ルギーを持ったイオンビームは、試料室３内の試料設置
台Ｓ上に設置された被分析試料に照射される。照射の
際、試料表面はスパッタされ、中性粒子及び荷電粒子が
放出される。この試料室３内で発生した荷電粒子は、試
料室３とビーム導波１７の間の静電レンズ１９により、
質量分析器２０に取り込まれる。このとき、試料表面に
吸着した軽元素も同時にスパッタリングされ、同時に質
量分析器内に取り込まれる。また、絶縁物分析時には試
料表面に電子ビーム発生装置６からの電子が照射されて
いるため、試料表面からの反跳電子も同時に分析器内に
取り込まれる。質量分析器内に取り込まれたイオン及び
反跳電子は、質量分離され、目的の質量のイオンだけ検
出器２３で計数される。しかし、４重極質量分析器場
合、質量０の電子は質量分離することなく検出器に取り
込まれる。また、質量分析器に衝突したイオンが２次電
子を発生させ、この電子も検出器に取り込まれる。これ
らの電子は質量数０をピークとして、高質量側にテール
を引くので、特に軽元素分析時のバックグランドとな
る。以上のように試料表面に吸着した軽元素および電子
中和銃照射により発生した２次電子等のバックグランド
が試料中の不純物軽元素のバックグランドの原因となっ
ている。これらのバックグランドの計数を減らすため、
軽元素単体イオンではなく、マトリクスの構成元素と膜
中不純物の軽元素の分子イオンの形で２次イオン検出を
行なう。
に、その動作を図１に記載の表面分析器を用いて説明す
る。励起ビーム発生源５から出射された特定の単色エネ
ルギーを持ったイオンビームは、試料室３内の試料設置
台Ｓ上に設置された被分析試料に照射される。照射の
際、試料表面はスパッタされ、中性粒子及び荷電粒子が
放出される。この試料室３内で発生した荷電粒子は、試
料室３とビーム導波１７の間の静電レンズ１９により、
質量分析器２０に取り込まれる。このとき、試料表面に
吸着した軽元素も同時にスパッタリングされ、同時に質
量分析器内に取り込まれる。また、絶縁物分析時には試
料表面に電子ビーム発生装置６からの電子が照射されて
いるため、試料表面からの反跳電子も同時に分析器内に
取り込まれる。質量分析器内に取り込まれたイオン及び
反跳電子は、質量分離され、目的の質量のイオンだけ検
出器２３で計数される。しかし、４重極質量分析器場
合、質量０の電子は質量分離することなく検出器に取り
込まれる。また、質量分析器に衝突したイオンが２次電
子を発生させ、この電子も検出器に取り込まれる。これ
らの電子は質量数０をピークとして、高質量側にテール
を引くので、特に軽元素分析時のバックグランドとな
る。以上のように試料表面に吸着した軽元素および電子
中和銃照射により発生した２次電子等のバックグランド
が試料中の不純物軽元素のバックグランドの原因となっ
ている。これらのバックグランドの計数を減らすため、
軽元素単体イオンではなく、マトリクスの構成元素と膜
中不純物の軽元素の分子イオンの形で２次イオン検出を
行なう。
【００１２】図２にＧａＮ膜中のＨ分析を行なったとき
のＧａ、ＨおよびＨＮの２次イオン係数率を、図３にＨ
- 、ＨＮ- 検出によるＨ濃度の結果を示す。Ｈ単体イオ
ンを検出する場合に比べ、HNの分子イオン検出は２次イ
オン収量は劣るものの、検出下限は約２倍向上する。こ
れは、単体イオン検出は試料中のＨも試料表面に吸着し
たＨもスパッタリングにより同様にイオン化されるのに
対し、分子イオン検出では、主に膜中のＨとマトリクス
の構成元素のＮとが結合した分子がイオン化されている
ためである。試料表面に吸着した水素が膜中に打ち込ま
れてＮ原子と結合し、分子イオン化する場合もあるが、
表面に吸着したＨがイオン化され、Ｈのバックグランド
となる確率よりも低い。このような方法はＧａＮ膜分析
時のみならず、ＧａＡｓ膜等窒化物以外の膜中のＨ分析
等にも応用可能であり、ＡｓＨ検出により検出下限よく
Ｈ分析が可能である。
のＧａ、ＨおよびＨＮの２次イオン係数率を、図３にＨ
- 、ＨＮ- 検出によるＨ濃度の結果を示す。Ｈ単体イオ
ンを検出する場合に比べ、HNの分子イオン検出は２次イ
オン収量は劣るものの、検出下限は約２倍向上する。こ
れは、単体イオン検出は試料中のＨも試料表面に吸着し
たＨもスパッタリングにより同様にイオン化されるのに
対し、分子イオン検出では、主に膜中のＨとマトリクス
の構成元素のＮとが結合した分子がイオン化されている
ためである。試料表面に吸着した水素が膜中に打ち込ま
れてＮ原子と結合し、分子イオン化する場合もあるが、
表面に吸着したＨがイオン化され、Ｈのバックグランド
となる確率よりも低い。このような方法はＧａＮ膜分析
時のみならず、ＧａＡｓ膜等窒化物以外の膜中のＨ分析
等にも応用可能であり、ＡｓＨ検出により検出下限よく
Ｈ分析が可能である。
【００１３】また、図４、５にＧａＮ膜中のＣ分析を行
った場合を示す。Ｈの場合と同様に分子イオンで検出を
行うと、２次イオン収量が約２桁向上し、検出下限も約
２桁向上する。これは一つにＨの場合と同様に、表面吸
着のＣによるバックグランドが減少するためである。ま
た、ＣＮ分子は電子親和力が３．８２ｅＶと高く、イオ
ン化しやすい分子である。このため、ＧａＮ膜中でＮと
結合したＣは略ＣＮ-にイオン化され２次イオン収量が
高い。図４に示すように、Ｃ- 単体イオンを検出した場
合よりＣＮ- 分子イオンを検出した場合の方が、２次イ
オン収量は２桁以上増加する。それに伴い、図５に示す
ように検出下限も２桁以上向上する。
った場合を示す。Ｈの場合と同様に分子イオンで検出を
行うと、２次イオン収量が約２桁向上し、検出下限も約
２桁向上する。これは一つにＨの場合と同様に、表面吸
着のＣによるバックグランドが減少するためである。ま
た、ＣＮ分子は電子親和力が３．８２ｅＶと高く、イオ
ン化しやすい分子である。このため、ＧａＮ膜中でＮと
結合したＣは略ＣＮ-にイオン化され２次イオン収量が
高い。図４に示すように、Ｃ- 単体イオンを検出した場
合よりＣＮ- 分子イオンを検出した場合の方が、２次イ
オン収量は２桁以上増加する。それに伴い、図５に示す
ように検出下限も２桁以上向上する。
【００１４】また、窒化物やＧａＡｓ中のＨの場合と同
様にＳｉＯ2 中のＨをOHの分子イオンで検出を行なう
と、２次イオン収量よく測定が可能である。これは一つ
にＧａＮ膜中のＨの場合と同様に、表面吸着のＨによる
バックグランドが減少するためである。また，検出する
イオンの質量数が重くなるため，２次電子によるバック
グランドを受けにくくなる。また、ＯＨ分子は電子親和
力が1.83ｅＶと高く、イオン化しやすい分子である。こ
のため、ＳｉＯ2 膜中でＯと結合したＨは効率よくＯＨ
- にイオン化され２次イオン収量よく検出される。Ｈ単
体の電子親和力が0.754 ｅＶであるので、Ｈ単体がＨ-
イオンになるよりも容易である。その結果、Ｈ- 単体イ
オンを検出した場合よりＯＨ- 分子イオンを検出した場
合の方が、２次イオン収量は２桁以上増加する。だだ
し、ＯＨ- イオンの場合は16Ｏと1 Ｈの質量数の和が１
７となるため、酸素の同位体である17Ｏの質量と重なっ
てしまう。17Ｏ、18ＯとＨの分子も18Ｏ、19Ｆ等の同質
量の元素が存在するため、測定の妨害線となりうる。よ
って質量分解能のよいセクター型の質量分析系で質量分
離する必要がある。現存の装置で質量分解能Ｍ／△Ｍが
１００００以上あるため、これらの分子及び元素は質量
分離可能である。16Ｏが存在比が多いため16Ｏ＋Ｈがも
っとも収量よく測定できる。その結果ＯＨイオンを用い
て高質量分解能モードで測定した場合の方が約２倍検出
下限が向上する。以上のように、分子イオンを用いたと
き同様の質量の妨害線が存在しても、２次イオン収量が
充分あれば高質量分解能測定により、質量分離が可能で
あり、検出したい分子イオンだけ検出する事が可能であ
る。
様にＳｉＯ2 中のＨをOHの分子イオンで検出を行なう
と、２次イオン収量よく測定が可能である。これは一つ
にＧａＮ膜中のＨの場合と同様に、表面吸着のＨによる
バックグランドが減少するためである。また，検出する
イオンの質量数が重くなるため，２次電子によるバック
グランドを受けにくくなる。また、ＯＨ分子は電子親和
力が1.83ｅＶと高く、イオン化しやすい分子である。こ
のため、ＳｉＯ2 膜中でＯと結合したＨは効率よくＯＨ
- にイオン化され２次イオン収量よく検出される。Ｈ単
体の電子親和力が0.754 ｅＶであるので、Ｈ単体がＨ-
イオンになるよりも容易である。その結果、Ｈ- 単体イ
オンを検出した場合よりＯＨ- 分子イオンを検出した場
合の方が、２次イオン収量は２桁以上増加する。だだ
し、ＯＨ- イオンの場合は16Ｏと1 Ｈの質量数の和が１
７となるため、酸素の同位体である17Ｏの質量と重なっ
てしまう。17Ｏ、18ＯとＨの分子も18Ｏ、19Ｆ等の同質
量の元素が存在するため、測定の妨害線となりうる。よ
って質量分解能のよいセクター型の質量分析系で質量分
離する必要がある。現存の装置で質量分解能Ｍ／△Ｍが
１００００以上あるため、これらの分子及び元素は質量
分離可能である。16Ｏが存在比が多いため16Ｏ＋Ｈがも
っとも収量よく測定できる。その結果ＯＨイオンを用い
て高質量分解能モードで測定した場合の方が約２倍検出
下限が向上する。以上のように、分子イオンを用いたと
き同様の質量の妨害線が存在しても、２次イオン収量が
充分あれば高質量分解能測定により、質量分離が可能で
あり、検出したい分子イオンだけ検出する事が可能であ
る。
【００１５】以上のような分子イオン検出によるH の高
感度化は酸化膜だけに限らない。例えば、ＺｎＳｅ中の
H の分析についても同様である。ＳｅＨの分子もＯＨと
同様電子親和力が大きくイオン化しやすい分子である。
よって、ＺｎＳｅ中のH を分析する際もＳｅＨの分子イ
オンを検出した方が、Ｈ単体を検出する場合より、２次
イオン収量よく測定でき、また、ＳｅＨは質量数が８０
前後になるため、２次電子の影響を受けない。このた
め、検出下限よくＨの測定が可能である。Ｓｅは同位体
が多いが、質量数８０のＳｅを用いると81Ｓｅが存在し
ないし、存在比も４９．６％と多いため、検出下限よく
測定が可能である。
感度化は酸化膜だけに限らない。例えば、ＺｎＳｅ中の
H の分析についても同様である。ＳｅＨの分子もＯＨと
同様電子親和力が大きくイオン化しやすい分子である。
よって、ＺｎＳｅ中のH を分析する際もＳｅＨの分子イ
オンを検出した方が、Ｈ単体を検出する場合より、２次
イオン収量よく測定でき、また、ＳｅＨは質量数が８０
前後になるため、２次電子の影響を受けない。このた
め、検出下限よくＨの測定が可能である。Ｓｅは同位体
が多いが、質量数８０のＳｅを用いると81Ｓｅが存在し
ないし、存在比も４９．６％と多いため、検出下限よく
測定が可能である。
【００１６】これらの技術は酸化膜やＺｎＳｅ膜に限ら
ず、試料の構成元素＋不純物からなる分子の電子親和力
が不純物単体の電子親和力よりも大きければよいのでそ
の他の材料においても組み合わせ次第で応用可能であ
る。
ず、試料の構成元素＋不純物からなる分子の電子親和力
が不純物単体の電子親和力よりも大きければよいのでそ
の他の材料においても組み合わせ次第で応用可能であ
る。
【００１７】また、Ｈ等の軽質量の元素は質量０の電子
のバックグランドの影響を受けやすいが、このような分
子イオンの形で検出を行うと質量数が大きくなるため、
電子のバックグランドの影響を受けにくくなる効果もあ
る。たとえ、分子イオンの電子親和力が単体イオンの電
子親和力より小さくても、電子のバックグランドの影響
を受けにくいため、検出下限が向上する場合も存在す
る。熱酸化膜中のＨ分析を１例に挙げる。熱酸化膜中の
Ｈ分析にはH 単体イオン検出、上記に示したＯＨ分子イ
オン検出があげられるが、その他の手法としてＳｉＨ検
出があげられる。ＳｉＨの分子は電子親和力がＯＨ分子
等に比べ小さく、２次イオン収量は多くないが、２次電
子のバックグランドの影響を受けにくいため、濃度換算
するとＨの検出下限はＨ単体イオン検出の際よりも２倍
ほど向上させることが可能となる。以上のように、他の
試料においても、試料の構成元素＋不純物元素の組み合
わせにより、分析の高感度化、及び軽元素分析時のバッ
クグランドの軽減を図ることが可能である。
のバックグランドの影響を受けやすいが、このような分
子イオンの形で検出を行うと質量数が大きくなるため、
電子のバックグランドの影響を受けにくくなる効果もあ
る。たとえ、分子イオンの電子親和力が単体イオンの電
子親和力より小さくても、電子のバックグランドの影響
を受けにくいため、検出下限が向上する場合も存在す
る。熱酸化膜中のＨ分析を１例に挙げる。熱酸化膜中の
Ｈ分析にはH 単体イオン検出、上記に示したＯＨ分子イ
オン検出があげられるが、その他の手法としてＳｉＨ検
出があげられる。ＳｉＨの分子は電子親和力がＯＨ分子
等に比べ小さく、２次イオン収量は多くないが、２次電
子のバックグランドの影響を受けにくいため、濃度換算
するとＨの検出下限はＨ単体イオン検出の際よりも２倍
ほど向上させることが可能となる。以上のように、他の
試料においても、試料の構成元素＋不純物元素の組み合
わせにより、分析の高感度化、及び軽元素分析時のバッ
クグランドの軽減を図ることが可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上記述したように、本発明によれば、
試料表面に吸着した試料室雰囲気中の軽元素によるB.G.
の影響を減少させ、試料中に存在する不純物軽元素濃度
を低濃度まで測定することが可能である。また、ＣＮ-
やＯＨ- に代表されるような電子親和力の大きい、イオ
ン化しやすい分子を検出することにより、２次イオン収
量を増大させ、検出下限を向上させる事が可能となる。
試料表面に吸着した試料室雰囲気中の軽元素によるB.G.
の影響を減少させ、試料中に存在する不純物軽元素濃度
を低濃度まで測定することが可能である。また、ＣＮ-
やＯＨ- に代表されるような電子親和力の大きい、イオ
ン化しやすい分子を検出することにより、２次イオン収
量を増大させ、検出下限を向上させる事が可能となる。
【図１】 表面分析装置の外略図。
【図２】 Ｇａ、Ｈ及びＮの２次イオン計算率を示す図
である。
である。
【図３】 Ｈ- 、ＨＮ- 検出によるＨ濃度の結果を示す
図である。
図である。
【図４】 ＳｉＯ2 膜中のＨイオンとＯＨイオンの２次
イオン収量を示す図である。
イオン収量を示す図である。
【図５】 ＳｉＯ2 膜中のＨイオンとＯＨイオン検出に
よるＨの検出下限を示す図である。
よるＨの検出下限を示す図である。
１ 表面分析装置、 ３ 試料室 ５ 励起ビーム発生手段、 ６ 電子銃、 ７ 励起ビーム導路、 ９、１９ 静電レンズ、 １５ 真空ポンプ、 １７ ビーム導路、 ２１ 質量分析部、 ２３ ２次イオン検出部、 ３１ ６９Ｇａ- の２次イオン計数率、 ３２ Ｈ- の２次イオン計数率、 ３３ ＨＮ- の２次イオン計数率、 ３４ Ｈ- 検出によるＨの濃度、 ３５ ＨＮ- 検出によるＨの濃度、 ３６ Ｃ- の２次イオン計数率、 ３７ ＣＮ- の２次イオン計数率、 ３８ Ｃ- 検出によるＨの濃度、 ３９ ＣＮ- 検出によるＨの濃度
Claims (1)
- 【請求項１】試料表面に荷電粒子を照射し、励起される
２次イオンを検出する事で前記試料中の軽元素不純物量
を測定する試料表面の分析方法において、前記不純物と
前記試料の構成元素とからなる化合物の２次イオンを質
量分析する工程と、前記分析による２次イオンの質量
と、不純物元素の質量との差から不純物を算出する工程
とを有することを特徴とする試料表面の分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10101641A JPH11295247A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 試料表面の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10101641A JPH11295247A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 試料表面の分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295247A true JPH11295247A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14306014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10101641A Pending JPH11295247A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 試料表面の分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11295247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004025276A1 (fr) * | 2002-09-16 | 2004-03-25 | Alexei Alexandrovich Kalachev | Dispositif destine a l'analyse des proprietes physiques et/ou chimiques de la couche de surface d'un corps solide |
| WO2017155363A1 (ko) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 한국생명공학연구원 | 질량분석 방법 |
| CN119395123A (zh) * | 2024-12-03 | 2025-02-07 | 南昌大学 | 一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法 |
-
1998
- 1998-04-14 JP JP10101641A patent/JPH11295247A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004025276A1 (fr) * | 2002-09-16 | 2004-03-25 | Alexei Alexandrovich Kalachev | Dispositif destine a l'analyse des proprietes physiques et/ou chimiques de la couche de surface d'un corps solide |
| WO2017155363A1 (ko) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 한국생명공학연구원 | 질량분석 방법 |
| CN119395123A (zh) * | 2024-12-03 | 2025-02-07 | 南昌大学 | 一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法 |
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