JPH11296822A

JPH11296822A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法及びそれを搭載した磁気ディスク装置

Info

Publication number: JPH11296822A
Application number: JP9713998A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Okada; 智弘岡田; Tetsuya Okai; 哲也岡井
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-04-09
Filing date: 1998-04-09
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】０.５μｍ以下のトラック幅をもつ磁気ヘッド
を作製し、面記録密度７Ｇbit／in²以上の磁気ディスク
装置を得る。【解決手段】磁気ディスク装置の磁気ヘッドのトラック
幅を形成するためのレチクルにラインアンドスペースパ
ターンを用い、露光に輪帯照明，４開口照明等の超解像
技術を適用し、０.５μｍ以下のトラック幅を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッド及びそれを
搭載した磁気ディスク装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置では、記録媒体上のデ
ータは磁気ヘッドによって読み書きされる。磁気ディス
クの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面
記録密度を高密度化する必要がある。面記録密度向上の
方法は、トラック密度と、線記録密度を向上させること
である。このうちトラック密度向上のためには、磁気ヘ
ッドのトラック幅を微細，高精度化する必要がある。ト
ラック幅が狭くなると、再生出力が小さくなるため、再
生ヘッドを現在、広く用いられている磁気抵抗効果型ヘ
ッド（ＭＲヘッド）から巨大磁気抵抗効果型ヘッド（Ｇ
ＭＲヘッド）にする必要がある。

【０００３】巨大磁気抵抗効果としては、Ｆｅ／Ｃｒ等
の多層膜を用いた多層膜型、Ｃｕ等の非磁性膜をＣｏま
たはＮｉＦｅ等の磁性膜で挟み、片側の磁性膜の磁化を
FeMn等の反強磁性膜で固定したスピンバルブ型、Ａｌ₂
Ｏ₃等の絶縁性非磁性膜をＣｏまたはＮｉＦｅ等の磁性
膜で挟み、片側の磁性膜の磁化をＦｅＭｎ等の反強磁性
膜で固定したトンネル接合型等がある。

【０００４】これらの膜に電極を設置するが、その電極
間隔を狭くすることによって再生トラックを狭トラック
化する。これらの電極間隔は現在リフトオフ法により形
成されているが、リフトオフ法で形成できるトラック幅
の限界は０.７μｍで、それ以下を形成する場合はリア
クティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が必要となる。電
極材料としては、Ｔａ，Ｗ等の高融点金属を用いるが、
エッチング時のレジスト選択比が低いため、レジスト膜
厚を厚く、最低１μｍ以上とする必要がある。記録ヘッ
ドのトラック部分を含む磁気コア形成方法としては、イ
オンミリング等のドライエッチングを用いる方法及びフ
レームめっき法を用いることが広く知られている。

【０００５】イオンミリング等のドライエッチングを用
いる方法では、パーマロイ等の磁性膜をスパッタリング
で形成した後、ホトリソグラフィーにより該磁性膜上に
レジストのパターンを形成する。次に該レジストのパタ
ーンをマスクとして該磁性膜にイオンミリング等のドラ
イエッチングを施す。これにより、上部磁気コアを形成
する。このようなドライエッチングを用いたものとして
特開平7−225917 号公報には、トラック幅を画定する磁
極端領域をイオンミリングを用いて後部領域より先に形
成する方法の例が開示されている。

【０００６】一方、フレームめっき法では、めっき用の
下地膜が形成された基板上に、ホトリソグラフィーによ
りレジストのフレームを形成し、その後該フレームが形
成された基板上にパーマロイ等の磁性膜をめっきする。
次にホトリソグラフィーにより該フレームで囲まれた領
域をレジストでマスクして、ウエットエッチングにより
不要な磁性膜を除去し、磁気コアを形成する。

【０００７】前述したように磁気ディスク装置の高記録
密度化を達成するためには、磁気ヘッドの狭トラック化
及び高精度化を図る必要がある。また、一方、磁気コア
先端部であるトラック部分での磁気的飽和を避けるため
には、磁気コアの膜厚を厚くする必要があり、その膜厚
は、２から数μｍが必要である。

【０００８】しかしながら、このような厚い膜をイオン
ミリング等のドライエッチングを用いる方法では、ホト
リソグラフィーによって形成されたレジストパターンの
寸法ばらつきに、当該レジストパターンをマスクとして
磁性膜をドライエッチングする際の寸法ばらつきが重畳
されるため、上部磁気コアを高精度に形成することがで
きない。

【０００９】この点、フレームめっき法では、レジスト
フレームの寸法精度がそのまま上部磁気コアの寸法精度
のばらつきになるので、寸法精度の点で、イオンミリン
グ等のドライエッチングを用いる方法に比べて有利であ
る。

【００１０】レジストフレームに用いるレジストはめっ
き膜厚以上必要であるため、レジスト膜厚は、半導体素
子の製造で用いられている膜厚、約１μｍよりもはるか
に厚く、最低でも２〜３μｍから１０μｍもの膜厚が必
要である。露光装置であるステッパでは、パターンの解
像度（Ｒ）はレンズの開口数（ＮＡ），露光波長(λ)及
び定数（ｋ₁）を用いて、

【００１１】

【数１】Ｒ＝ｋ₁・λ／ＮＡ …（数１）で表わされる。さらに焦点深度（ＤＯＦ）は、定数（ｋ
₂）を用いて、

【００１２】

【数２】ＤＯＦ＝ｋ₂・λ／ＮＡ²…（数２）と表わされる。これらの式から分かるように、解像度を
上げるためには露光波長を短くし、レンズの開口数を高
める必要がある。

【００１３】しかし、このとき焦点深度は浅くなってし
まう。このためパターンを微細化するためには、波長を
短波長化し、レンズの開口数を大きくし、レジスト膜厚
を薄膜化する必要がある。または、同じ解像度を得なが
ら、大きな焦点深度を得るためには、波長を短波長化
し、レンズの開口数を小さくする必要がある。しかしな
がら０.５μｍ程度の高い解像度を保ちながら深い焦点
深度を得ることは困難である。

【００１４】そこで高い焦点深度を得るための方法とし
ては、超解像技術を用いる方法がある。磁気ヘッドのト
ラック幅を決定する部分の場合、孤立したラインまたは
スペースのため適用できる超解像技術としてはハーフト
ーンマスクを用いる方法がある。

【００１５】しかしながら、孤立パターンにハーフトー
ンマスクを用いる方法は弱い超解像技術のため、焦点深
度を高める効果は小さく、焦点深度の増加量は、ハーフ
トーンマスクを用いない場合の２０％程度であり、十分
でない。また、露光する光の波長の幅をわずかに広げる
方法も焦点深度が深くなるが、収差が問題となる。

【００１６】また、広く用いられている高圧水銀ランプ
を光源とするとき、ｇ線（波長：４３６ｎｍ)を用いて
露光した場合、レジスト膜厚が４μｍにおいて、１.２
μｍまで解像できる。波長の短いｉ線（波長：３６５ｎ
ｍ）の場合、３μｍのレジスト膜厚で０.７μｍまで解
像できる。ｉ線の場合、レジスト膜厚を２μｍまで薄く
することで、０.６μｍまで解像できる。

【００１７】さらにレジスト膜厚を１μｍ以下まで薄膜
化することにより、０.５μｍまで解像可能となるが、
フレームとしてのレジスト膜厚が不足するため、磁気コ
アの形成に用いることはできない。すなわち、ｉ線を光
源とした露光装置では、フレームめっきを行う場合、
０.５μｍのパターンを解像できない。

【００１８】さらに波長を短くしたＫｒＦエキシマレー
ザー（２４８ｎｍ）を用いることで、０.５μｍ以下パ
ターンの解像が可能になる。従って０.５μｍ以下のト
ラック幅を得るためには、記録及び再生ヘッドともＫｒ
Ｆエキシマレーザーを用いることが必要になる。

【００１９】しかし、２４８ｎｍの波長においては、レ
ジストの主成分であるノボラック樹脂による光の吸収が
大きく、１μｍ以上の膜厚のレジストを解像することは
できず、０.５μｍ以下のトラック幅の記録ヘッドを作
製することはできなかった。したがって面記録密度７Ｇ
bit／in²以上の磁気ディスク装置を作製することが不可
能であった。

【００２０】このような問題を解決する方法として、特
開平7−296328 号公報には、二酸化珪素膜上に膜厚０.
７〜０.８μｍのレジスト層を形成し、エッチングを行
うことによりノッチ構造体を形成し、その部分に磁性膜
を形成することにより記録ヘッドのトラック幅を画定す
る方法が開示されている。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平7−296
328 号公報の発明では、レジストパターンをマスクにエ
ッチングを行うため、レジストパターンの寸法精度のば
らつきにエッチングでの精度のばらつきが重畳され精度
が悪くなる。また、特開平7−296328 号公報の発明で
は、０.５μｍ以下のパターンを露光するレジストの露
光技術に関する記述はない。前述のように、０.５μｍ
以下のレジストパターンを形成するためには、２４８ｎ
ｍの波長のＫｒＦエキシマレーザーを用いる必要があ
る。

【００２２】しかし、記録ヘッド及び再生ヘッドとも
に、レジスト膜厚は１〜２μｍ以上のレジスト膜厚が必
要で、この膜厚では、レジスト自身の光の吸収のために
光がレジストの底まで届かず、パターン形成することは
困難となる。そのため０.５μｍ以下の狭トラック幅を
もつ記録再生分離型薄膜磁気ヘッドとそれを搭載した面
記録密度７Ｇbit／in²以上の磁気ディスク装置を作製で
きなかった。

【００２３】そこで、本発明の目的は、０.５μｍ以下
の狭トラック幅をもつ記録再生分離型薄膜磁気ヘッド及
びそれを用いた面記録密度７Ｇbit／in²以上の磁気ディ
スク装置を提供するものである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は、面記録密度が
７Ｇbit／in²以上の磁気ディスク装置において、再生に
巨大磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドを有し、記録ヘッ
ドのトラック幅をフレームめっき法によって決定する薄
膜磁気ヘッドの該記録ヘッドの該トラック幅が０.５μ
ｍ以下である薄膜磁気ヘッドを搭載することを特徴と
する磁気ディスク装置である。

【００２５】また、前記フレームめっき法に用いるフレ
ームを露光するレチクルのトラック幅を決定する部分が
ラインアンドスペースになっていることを特徴とする。

【００２６】さらに前記ラインアンドスペースとなって
いるレチクルを用いて、輪帯照明法または４開口照明法
を用いて露光することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法である。さらに前記ラインアンドスペースになっ
ているマスクがハーフトーンマスクであっても良い。

【００２７】また、前記ラインアンドスペースとなって
いるレチクルが位相シフトマスクであることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法である。

【００２８】前記フレーム用レジストとしてアクリル系
レジストまたはポリジメチルグルタルイミド（ＰＭＧ
Ｉ）のうち１種以上を用いることを特徴とする。

【００２９】さらに前記レジストの露光時に投影レンズ
に瞳フィルタを適用することを特徴とする。

【００３０】また、本発明は、面記録密度が７Ｇbit／i
n²以上の磁気ディスク装置において、再生ヘッドのトラ
ック幅が０.４μｍ以下である薄膜磁気ヘッドを搭載す
ることを特徴とする磁気ディスク装置である。

【００３１】前記再生ヘッドの製造において、レジスト
の露光に用いるレチクルの前記トラック幅を決定する部
分がラインアンドスペースになっていることを特徴と
し、さらに前記ラインアンドスペースとなっているレチ
クルを用いて、輪帯照明法または４開口照明法を用いて
露光することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法で
ある。さらに前記ラインアンドスペースになっているマ
スクがハーフトーンマスクであっても良い。

【００３２】また、前記ラインアンドスペースとなって
いるレチクルが位相シフトマスクであることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法である。

【００３３】前記フレーム用レジストとしてアクリル系
レジストまたはポリジメチルグルタルイミド（ＰＭＧ
Ｉ）のうち１種以上を用いることを特徴とする。

【００３４】さらに前記レジストの露光時に投影レンズ
に瞳フィルタを適用することを特徴とする。

【００３５】前述のように磁気ディスク装置の高記録密
度化のためには、磁気ヘッドの狭トラック化が必須であ
る。狭トラック化のためには、微細レジストパターンを
形成する必要があり、微細レジストパターンを形成する
ために、レジストを露光する光の波長は、水銀ランプの
ｇ線（波長：４３６ｎｍ）から波長の短いｉ線（波長：
３６５ｎｍ）を用いるようになり、さらに波長の短いＫ
ｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を用いてい
る。しかしながら前述のように解像度とレジスト露光時
に解像度を保ったまま焦点深度をあげる方法として、超
解像技術を適用できる。

【００３６】そのような超解像技術として輪帯照明法ま
たは４開口照明法を用いた露光技術がある。輪帯照明法
または４開口照明法は、孤立パターンでは効果が少な
く、ラインアンドスペースで効果が大きい。したがっ
て、通常の磁気ヘッドのトラック部分は孤立パターンの
ため、効果が少ない。この問題の解決のために補助パタ
ーンを設けてラインアンドスペースとすることを見いだ
した。

【００３７】輪帯照明法または４開口照明法は、パター
ンの方向によってはパターン崩れが起こるが、磁気ヘッ
ドの場合は、問題となる微細なパターンの向きは一方向
のみのため問題ない。さらに、このラインアンドスペー
スのマスクの遮光部をハーフトーンマスクとすること
で、さらに解像度と焦点深度拡大の効果を得ることがで
きる。ハーフトーンマスクの遮光部には通常のＣｒの代
わりにＭｏＳｉＯＮ等のＭｏＳｉ系材料を用いれば良
い。また、位相シフトマスクを用いる方法も焦点深度と
解像度の向上に大きな効果がある。

【００３８】この位相シフト法でも、パターンはライン
アンドスペースパターンである必要があり、さらに位相
シフターをレチクル上に設ける必要がある。また、瞳フ
ィルタ法は、露光装置の投影レンズの瞳にフィルタを挿
入することで、解像度及び焦点深度を増すことができ
る。瞳フィルタ法は、孤立パターンでもラインアンドス
ペースパターンのどちらにも適用できる。フィルタの種
類としては、位相フィルタ，透過率フィルタ及び非対称
フィルタ等があり、特に位相フィルタを用いることで焦
点深度を大きく向上させることができる。

【００３９】上記の超解像技術は、それぞれ単独でも効
果が高いが、輪帯照明法または４開口照明法とハーフト
ーンマスク、輪帯照明法または４開口照明法と瞳フィル
タ法の併用、または位相シフト法と瞳フィルタ法との併
用により、単独よりも高い効果が得られる。これらの超
解像技術の組み合わせにより、０.３μｍのパターンに
おいても５μｍもの焦点深度を得ることができる。実
際、膜厚５μｍのレジストで０.３μｍのトラックパタ
ーンが解像可能となる。そしてこのレジストパターンを
用いることで、０.３μｍのトラック幅をもつ記録ヘッ
ドが形成できる。しかしながら、図１にレジストの透過
率と波長の関係を示すようにＫｒＦエキシマレーザー用
として通常用いられているレジストは、ＫｒＦエキシマ
レーザーの波長２４８ｎｍにおいて、レジスト主成分で
あるノボラック樹脂による光の吸収が大きく、光がレジ
ストの底まで届きにくい。このため、レジストの厚膜化
が困難となり、使用可能なレジスト膜厚は高々０.７μ
ｍであり、再生ヘッドのエッチング用マスク及びフレ
ーム用レジストの膜厚としては薄すぎる。

【００４０】発明者らは、この問題の解決のためには、
波長２４８ｎｍでの透過率の高い樹脂として、アクリル
を主成分とするレジストを用いればよいことを見いだし
た。このレジストの透過率を図２に示す。従来型のレジ
ストに比較して、透明性が高く波長２４８ｎｍにおいて
も、十分に光が透過するためレジスト膜厚を厚くしても
光がレジストの底まで届き、パターン形成が可能とな
る。

【００４１】このようなレジストとしては、日本ゼオン
（株）からZAF001または米国Microlithography Chemica
l Corp．よりＴＥＲ−１ Resist として入手可能であ
る。これらのレジストは波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザー用のため、もちろん波長１９３ｎｍにも感光
し、ＡｒＦエキシマレーザーステッパを用いることによ
ってさらに微細なパターンの形成が可能である。現像液
は広く用いられているテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド（ＴＭＡＨ）の２.３８％のもので良い。
このような現像液は東京応化工業(株)からＮＭＤ−３ま
たはＮＭＤ−Ｗとして入手できる。

【００４２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて説明
する。図３は本発明の実施の形態の磁気ディスク装置の
概念の概略図である（但し、図の拡大倍率は均一ではな
い）。磁気ディスク装置は、磁気ディスク１上に、支持
体２の先端に固定された磁気ヘッド３によって磁化信号
４の記録再生を行う。図４に記録再生分離型磁気ヘッド
の概略を示す。巨大磁気抵抗効果膜５を用いた再生ヘッ
ドの上に記録ヘッドが積層された構造となっている。

【００４３】この磁気ヘッドの製造工程において、従来
用いていた記録ヘッド用フレームのレチクルの概略図を
図５に示す（但し、図の拡大倍率は均一ではない）。図
６に本発明のトラック部分をラインアンドスペースとし
たレチクルの概略図を示す（但し、図の拡大倍率は均一
ではない）。このパターンのハーフトーンのレチクルを
用いレジストとして上記アクリル系ＡｒＦエキシマレー
ザー用レジスト，ZAF001を塗布し、ＫｒＦエキシマレー
ザーステッパにも瞳フィルタ法を用いて、さらに４開口
照明法を適用することでレジスト膜厚４.５μｍでレジ
ストパターン寸法、０.３μｍを解像できた。

【００４４】もちろん、４開口照明法の代わりに輪帯照
明法を適用してもよく、またレチクルを位相シフトマス
クとして、通常照明法で露光しても良い。レジストのプ
リベークは１１５℃で、ポストエクスポージャーベーク
（ＰＥＢ）は１００℃で行い、現像液はＮＭＤ−３を用
いた。レジストとしてＰＭＧＩを用いる場合には、プリ
ベーク温度を１７０℃に高める必要がある。

【００４５】このように形成したフレームを用いて、記
録ヘッドは、Ｎｉ₄₄Ｆｅ₅₆を電解めっきによって形成す
ることで記録トラック幅０.３μｍの磁気ヘッドが作製
できた。

【００４６】再生ヘッドの作製に用いたトラック部分が
ラインアンドスペースとなっているレチクルの概略図を
示す（但し、図の拡大倍率は均一ではない）。このパタ
ーンのハーフトーンのレチクルを用い、レジストも記録
ヘッド同様ZAF001を適用し、ＫｒＦエキシマレーザース
テッパに４開口照明法を適用することでレジスト膜厚
１.２μｍでレジストパターン寸法、０.２μｍを解像
可能であった。もちろん記録ヘッドの場合と同様に、４
開口照明法の代わりに輪帯照明法を適用してもよく、ま
たレチクルを位相シフトマスクとして、通常照明法で露
光しても良い。

【００４７】レジストのプリベークは１１５℃で、ポス
トエクスポージャーベーク(ＰＥＢ)は１００℃で行い、
現像液はＮＭＤ−３を用いた。レジストとしてこのレジ
ストパターンを用いた再生ヘッドは、ＳＦ₆ガスのリア
クティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によりＴａをエッ
チングすることによって再生トラック幅０.２μｍを得
ることができた。これらの記録ヘッドと再生ヘッドを搭
載することにより、面記録密度１５Ｇbit／in²の磁気デ
ィスク装置を作製できた。

【００４８】

【発明の効果】レチクルのトラック幅を決定する部分を
ラインアンドスペースとし、超解像技術を用いることに
より、パターンの解像度と焦点深度を向上できるため、
厚膜レジストでも０.５μｍ以下のパターン形成が可能
となり、０.５μｍ以下のトラック幅をもつ薄膜磁気ヘ
ッドが形成可能となる。その薄膜磁気ヘッドを用いるこ
とにより面記録密度７Ｇbit／in²以上の磁気ディスク装
置を作製できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のレジストの透過率と波長の関係のグラフ
である。

【図２】アクリルを主成分とするレジストの透過率と波
長の関係のグラフである。

【図３】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置
の概念の概略斜視図である（但し、拡大倍率は均一では
ない）。

【図４】本発明の実施の形態における磁気ヘッドの概略
斜視図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。

【図５】従来のレチクルにおける記録ヘッドの上部コア
用フレームパターンの概略断面図である（但し、拡大倍
率は均一ではない）。

【図６】本発明の実施の形態におけるレチクルの記録ヘ
ッドの上部コア用フレームパターンの概略断面図である
（但し、拡大倍率は均一ではない）。

【図７】本発明の実施の形態におけるレチクルの再生ヘ
ッドのトラック幅を決定するパターンの概略断面図であ
る（但し、拡大倍率は均一ではない）。

【符号の説明】

１…磁気ディスク、２…支持体、３…磁気ヘッド、４…
磁化信号、５…巨大磁気抵抗効果膜、６…電極、７…磁
気コア、８…絶縁膜、９…導体コイル、１０…下部シー
ルド、１１…上部シールド。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】面記録密度が７Ｇbit／in²以上の磁気ディ
スク装置において、再生に巨大磁気抵抗効果を用いた再
生ヘッドを有し、記録ヘッドのトラック幅をフレームめ
っき法によって決定する薄膜磁気ヘッドの該記録ヘッド
の該トラック幅が０.５μｍ以下である薄膜磁気ヘッド
を搭載することを特徴とする薄膜磁気ヘッドを搭載した
磁気ディスク装置。
【請求項２】前記フレームめっき法に用いるフレームを
露光するレチクルのトラック幅を決定する部分がライン
アンドスペースになっていることを特徴とする請求項１
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】前記ラインアンドスペースとなっているレ
チクルを用いて、輪帯照明法または４開口照明法を用い
て露光することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】前記ラインアンドスペースとなっているレ
チクルが、ハーフトーンマスクとなっていることを特徴
とする請求項１から３のいずれか１項記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項５】前記ラインアンドスペースとなっているレ
チクルが位相シフトマスクであることを特徴とする請求
項１又は２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】前記フレーム用レジストとしてアクリル系
レジストまたはポリジメチルグルタルイミド（ＰＭＧ
Ｉ）のうち１種以上を用いることを特徴とする請求項１
から５のいずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項７】前記ラインアンドスペースとなっているレ
チクルを用いた露光において、投影レンズに瞳フィルタ
を用いることを特徴とする請求項１から６のいずれか１
項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】面記録密度が７Ｇbit／in²以上の磁気ディ
スク装置において、再生ヘッドのトラック幅が０.４μ
ｍ以下である薄膜磁気ヘッドを搭載することを特徴と
する磁気ディスク装置。
【請求項９】前記再生ヘッドの製造において、レジスト
の露光に用いるレチクルの前記トラック幅を決定する部
分がラインアンドスペースになっていることを特徴とす
る請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記ラインアンドスペースとなっている
レチクルを用いて、輪帯照明法または４開口照明法を用
いて露光することを特徴とする請求項８又は９記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】前記ラインアンドスペースとなっている
レチクルが、ハーフトーンマスクとなっていることを特
徴とする請求項８から１０のいずれか１項記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記ラインアンドスペースとなっている
レチクルが位相シフトマスクであることを特徴とする請
求項８又は９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】前記フレーム用レジストとしてアクリル
系レジストまたはポリジメチルグルタルイミド（ＰＭＧ
Ｉ）のうち１種以上を用いることを特徴とする請求項８
から１２のいずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１４】前記ラインアンドスペースとなっている
レチクルを用いた露光において、投影レンズに瞳フィル
タを用いることを特徴とする請求項８から１３のいずれ
か１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。