JPH11297672A - シャワープレート、シャワープレート周辺構造及びプロセス装置 - Google Patents

シャワープレート、シャワープレート周辺構造及びプロセス装置

Info

Publication number
JPH11297672A
JPH11297672A JP10097978A JP9797898A JPH11297672A JP H11297672 A JPH11297672 A JP H11297672A JP 10097978 A JP10097978 A JP 10097978A JP 9797898 A JP9797898 A JP 9797898A JP H11297672 A JPH11297672 A JP H11297672A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shower plate
plate
gap
shower
outlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10097978A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4124383B2 (ja
Inventor
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Takehisa Nitta
雄久 新田
Masaki Hirayama
昌樹 平山
Akio Morii
明雄 森井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK
Original Assignee
ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK filed Critical ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK
Priority to JP09797898A priority Critical patent/JP4124383B2/ja
Publication of JPH11297672A publication Critical patent/JPH11297672A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4124383B2 publication Critical patent/JP4124383B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 材料に関わりなく吹出口の形成が容易なシャ
ワープレートを提供すること。マイクロ波励起プラズマ
装置に用いた場合、シャワープレートとその上に載せる
隙間板とのギャップにおいてプラズマが着火するのを防
ぐことが可能なシャワープレートを提供する。 【解決手段】 吹出口207は、プレート202に開け
られた孔と、孔に挿入された孔よりも小さな径を有する
円柱204との間に形成される空間により形成されてい
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シャワープレート、シ
ャワープレートの周辺構造及びプロセス装置に係る。よ
り詳細には、大型基板上への均一なプロセスガス供給が
可能なシャワープレート、シャワープレート周辺構造及
びそれを用いたプロセス装置に関する。
【0002】
【関連する技術】従来、シャワープレート、その周辺構
造については以下のような技術が知られている。 (1)直径0.1μm程度の多数の小さな孔(吹出口)
104を垂直または斜めにあけたシャワープレート(図
1)をウェーハ直上に設けて、そのシャワープレート1
02からガスをプロセス空間に供給する技術。 (2)シャワープレート102にあけた孔(吹出口)1
04にガスを送るのに、シャワープレート102の上に
1mm程度のギャップ103を空けて隙間板101を置
き、シャワープレート102と隙間板101との間のギ
ャップ103に側面からガスを流し込む技術。 (3)マイクロ波プラズマプロセス装置の場合、マイク
ロ波の吸収の少ないセラミックス等の材料を用いた直径
0.5mm程度の多数の孔をあけ、(2)の技術を用い
たシャワープレートをマイクロ波導入部に設ける技術。
【0003】しかし、上記従来技術には、次のような問
題がある。 1.(1)の技術では、小さい穴加工が可能なSiやA
lなどに材料が限定され、マイクロ波を透過するセラミ
ックスなどには加工ができなかった。例えばアルミナの
板に0.1μmの孔104をあける場合、その深さの限
界は0.2μm程度である。また小さな孔の場合、真っ
直ぐにかつ孔104の内面を鏡面仕上げしてあけること
が技術的に困難であった。
【0004】2.(1)の技術では、各孔104から等
しくガスが吹き出すように各孔104にガスを送るギャ
ップ103とプロセス室との間の圧力差を大きくする必
要があるが、そのために孔104から勢いよくガスが噴
き出して孔104の配列パターンの不均一を生じること
があった。
【0005】3.(2)の技術では、プロセスガス流量
を減らした場合等に、側面のガスを流し込む場所に近い
孔104からより多くのガスが吹き出すために、プロセ
ス空間にガスの不均一が生じていた。この傾向は処理す
るウェーハが200mm、300mmと大口径化するに
従い顕著になっている。
【0006】4.(3)の技術では、マイクロ波励起の
プラズマがプロセス空間ではなく、シャワープレート1
02とその上に載せる隙間板101との間のガスを広げ
る空間に着火することがあった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、材料に関わ
りなく吹出口の形成が容易なシャワープレートを提供す
ることを目的とする。
【0008】マイクロ波励起プラズマ装置に用いた場
合、シャワープレートとその上に載せる隙間板とのギャ
ップにおいてプラズマが着火するのを防ぐことが可能な
シャワープレートを提供することを目的とする。
【0009】また、吹出口の配列パターンの不均一のな
いシャワープレートの周辺構造を提供することを目的と
する。
【0010】また、ガス流量を減らした場合にもガスの
吹き出し量のチャンバーの中心軸に対し軸対称性が保つ
ことができるシャワープレート周辺構造を提供すること
を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のシャワープレー
トは、プレートに複数の吹出口を有するシャワープレー
トにおいて、該吹出口は、該プレートに開けられた孔
と、該孔に挿入された該孔よりも小さな径を有する円柱
との間に形成される空間により形成されていることを特
徴とする。
【0012】本発明では、吹出口は、プレートに開けた
孔自体により構成されるのではなく、孔と孔に挿入され
た円柱との間に形成される空間により構成される。従来
は孔の径は0.1μm程度であったが、本発明では、m
mのオーダーで孔を開ければよいため、孔開け加工の困
難なセラミックス(誘電体材料)などであっても容易に
加工することが可能である。従って、誘電体材料により
シャワープレートを製造することが可能となり、誘電体
材料からなるシャワープレートをマイクロ波励起プラズ
マ装置に用いれば、シャワープレートとその上に載せる
隙間板とのギャップにおいてプラズマが着火するのを防
ぐことが可能となる。
【0013】なお、吹出口をテーパー状にすればガスの
吹出をより均一にすることができる。
【0014】本発明のシャワープレートは、プレートに
複数の吹出口を有するシャワープレートと、該シャワー
プレートの上方に、シャワープレートとの間でギャップ
を形成して配置された隙間板と、該ギャップ内にプロセ
スガスを導入するためのガス導入路と、を有するシャワ
ープレート周辺構造において、該シャワープレートの側
面に開口する入口と、シャワープレート中央部において
該ギャップ側に開口する出口と、該入口と該出口とに連
通し、該シャワープレート内部に形成された通路とによ
り該ガス導入路が構成されていることを特徴とする。
【0015】本発明のシャワープレート周辺構造は、プ
レートに複数の吹出口を有するシャワープレートと、該
シャワープレートの上方に、シャワープレートとの間で
ギャップを形成して配置された隙間板と、該ギャップ内
にプロセスガスを導入するためのガス導入路と、を有す
るシャワープレート周辺構造において、該隙間板と該シ
ャワープレートとの間にスペーサーを複数個設けたこと
を特徴とする。
【0016】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本発明範囲は以下の実施例に限定されるも
のではない。
【0017】(実施例1)図2に本実施例を示す。本実
施例のシャワープレートは、吹出口207は、プレート
202に開けられた孔と、孔に挿入された孔よりも小さ
な径を有する円柱204との間に形成される空間により
形成されている。
【0018】以下本実施例をより詳細に説明する。図2
に示す200mmウェーハプロセス用のシャワープレー
トを作製した。直径350mm、厚さ20mmのシャワ
ープレート202の中央直径200mmの範囲に、20
mm間隔で孔加工した。直径2.1mmの孔をあけ、孔
の上部は雌ネジ206を挿入するため2mmの深さで直
径6mmに広げた。
【0019】一方、円柱204は直径2.0mmとし、
その先端には雄ネジ205を形成した。
【0020】円柱204を孔に挿入し、雌ネジ206で
固定した。なお、雌ネジ206には切り欠き208が入
れてあり、この切欠208をガスの通り道とした。
【0021】このシャワープレート202の上に1mm
のギャップ203を空けて板201を置き、シャワープ
レート側面から導入したガスがこの1mmのギャップ2
03を広がり各吹出口207にガスが供給されるように
した。
【0022】シャワープレート202、円柱204、雌
ネジ206、および上に載せる隙間板201にはアルミ
ニウムを用いた。
【0023】図5に示す測定系を用いてシャワープレー
トの各吹出口のコンダクタンスを測定した。各吹出口の
入口及び出口にガスラインを固定し、流量コントローラ
ー504で一定量の空気を流し、真空ポンプ507で排
気した。排気速度はコンダクタンスバルブ506で調整
した。
【0024】2つの圧力計505の指示する圧力の平均
値を横軸に、そのときの流量及び排気速度から計算され
る孔のコンダクタンスを横軸にとったデータを図6に示
す。図には比較のため、直径0.5mmの孔のデータも
載せた。設計寸法から計算されるコンダクタンスにほぼ
等しいコンダクタンスが得られていることが確認され
た。エッチングプロセスでの典型的なチャンバー圧力2
0mTorrでのコンダクタンスの吹出口間のばらつき
は、従来の孔で10%あるのに対し、本発明の構造では
5%とばらつきが小さくなっていることが確認された。
【0025】上記実施例では、孔にそれより小さな円柱
を挿入したが、ほぼ同じ直径の円筒の一部分を削るか、
溝を作ってギャップを設けても良い。また孔側の一部分
に溝を設けても良い。ギャップを0.1mmとしたが、
これはプロセス圧力、流量等のプロセス条件に応じて必
要なコンダクタンスになるよう設計すれば良い。材料は
アルミニウムを用いたがこれに限る必要は無く、銅、ス
テンレス鋼、Siやアルミナ、窒化アルミニウム等のセ
ラミックスを用いても良い。
【0026】(実施例2)本例では、実施例1の加工に
加えて、図3に示すように、吹出口のガス吹き出し口側
に45度のテーパー構造を持たせた。すなわちシャワー
プレート側はガス吹き出し口側5mmを円錐状に広げ、
挿入する円柱は下側5mmに円錐を付けた形にした。テ
ーパー部の隙間は0.5mmと大き目にし、吹出口30
7のコンダクタンスは円柱304部の隙間0.5mmで
絞るようにした。
【0027】このシャワープレートを図7に示す、20
0mmウェーハ対応のダイポールリングマグネットを用
いた高周波励起平行平板型マグネトロンエッチング装置
に取り付けて、5000sccmのアルゴン、四塩化フ
ッ素混合ガスを流し、13.56MHz、1000Wの
高周波電力をウェーハステージに投入して、200mm
口径のシリコン酸化膜付きのウェーハ704のエッチン
グを行った。ガスは配管702を通してシャワープレー
ト側面から導入した。
【0028】高周波電源709はブロッキングコンデン
サー708を介してウェーハステージに接続した。チャ
ンバー壁706の外側にはチャンバーを取り囲むように
ダイポールリングマグネット705を設置した。シャワ
ープレートとウェーハの距離が20mmの場合、図1に
示す従来のシャワープレートでは、孔の配列パターンに
エッチング速度分布が生じたが、本発明の図3に示すシ
ャワープレートを用いた場合はこうした分布は観察され
なかった。
【0029】(実施例3)図4に本実施例を示す。本実
施例のシャワープレート周辺構造は、プレートに複数の
吹出口(図示せず)を有するシャワープレート402
と、シャワープレート402の上方に、シャワープレー
ト402との間でギャップ403を形成して配置された
隙間板401と、ギャップ403内にプロセスガスを導
入するためのガス導入路と、を有するシャワープレート
周辺構造において、シャワープレート402の側面に開
口する入口405と、シャワープレート中央部において
ギャップ403側に開口する出口406と、入口405
と出口406とに連通し、シャワープレート402内部
に形成された通路404とによりガス導入路が構成され
ている。
【0030】以下本実施例をより詳細に説明する。本例
では、実施例2の加工に加えて、シャワープレート40
2の各吹出口(図示せず)にガスを送るシャワープレー
ト402とその上の隙間板401板とのギャップ403
へのガス供給において、図4に示すようにシャワープレ
ート402の側面から中央部に通じる直径3mmの通路
404をあけて、シャワープレート402の中央からギ
ャップ403にガスが供給されるようにした。
【0031】このシャワープレートを図7の200mm
ウェーハ対応のダイポールリングマグネットを用いた高
周波励起平行平板型マグネトロンエッチング装置に取り
付けて、実施例2に示したのと同じエッチングプロセス
を行った。プロセスガス流量を100sccmに減らし
た場合、実施例2のシャワープレーとではガス供給口側
からガスが多く吹き出し、その部分のエッチング速度が
高くなった。本例のシャワープレートでは、出口406
のある中央部がエッチング速度が高くなったが、分布は
点対称であり、中央部と周囲部とのエッチング速度の差
は、実施例2のシャワープレート402での出口406
側とその反対側との差と比べて小さくなっていることが
確認された。
【0032】(実施例4)本例では、実施例3に加え、
さらに図8に示すようにシャワープレートの上部に突起
801を吹出口803のない部分に設けて、シャワープ
レートの上に板804を載せた時にこの突起が隙間板8
04に当たるためギャップの高さが面内で均一になるよ
うにした。
【0033】さらにこのシャワープレートをマイクロ波
プラズマに用いる場合に、そのスペーサーの表面でプラ
ズマが損失するためギャップでのプラズマ着火が起こり
にくいようにした。シャワープレートとその吹出口、お
よびシャワープレートの上に載せる隙間板804は、マ
イクロ波をよく透過するアルミナを用いた。シャワープ
レート上部の突起は1mm角、高さ1mmとした。
【0034】このシャワープレートを図9に示すラジア
ルラインスロットアンテナを用いた2.45GHzマイ
クロ波励起プラズマ装置のマイクロ波導入部に設置し、
マイクロ波を投入した時にシャワープレートのギャップ
にプラズマが着火するかどうか調べた。マイクロ波は同
軸同波管906を通ってラジアルラインスロットアンテ
ナ905に供給され、マイクロ波はこのアンテナ905
から平面波としてチャンバーに供給される。プラズマ9
03はシャワープレート901とウェーハ904の間の
プロセス空間に発生する。
【0035】図10に、ギャップ内でプラズマが着火す
る最小マイクロ波電力のギャップ圧力依存性を示す。本
例のシャワープレート上部に突起を設けて、上に載せる
隙間板804とのスぺーサーとした場合、スペーサーが
無い時と比べてギャップ内でプラズマが着火する電力が
大きくなっていることから、本例の構造がギャップ内で
プラズマを着火しにくくする効果が確認された。
【0036】上記実施例ではアルミナを用いたが必ずし
もアルミナを用いる必要はなく、例えば窒化アルミニウ
ムや窒化シリコンを用いても良い。また突起はシャワー
プレートに載せる板に付けてもよいし、スぺーサーを置
いてもよい。また形状は正方形を碁盤の目状に並べたも
のに限らず、螺旋状や同心円と放射線の組み合わせなど
の形状で溝を掘っても構わない。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば次の諸々の効果が達成さ
れる。材料に関わりなく吹出口の形成が容易である。
【0038】マイクロ波励起プラズマ装置に用いた場
合、シャワープレートとその上に載せる隙間板とのギャ
ップにおいてプラズマが着火するのを防ぐことが可能で
ある。吹出口の配列パターンの不均一を無くすことがで
きる。
【0039】ガス流量を減らした場合にもガスの吹き出
し量のチャンバーの中心軸に対し軸対称性が保つことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の真っ直ぐな孔のガス吹き出し口を有する
シャワープレートの断面図である。
【図2】実施例1に係る、大き目の孔に円柱を挿入した
ガス吹き出し部を有するシャワープレートの断面図であ
る。
【図3】実施例2に係る、大き目の孔に円柱を挿入した
ガス吹き出し部で吹き出し先端がテーパー状に広がった
構造を有するシャワープレートの断面図である。
【図4】実施例3に係る、シャワープレート側面から中
央上部に通じる孔をあけることにより、シャワープレー
トの各孔にガスを送るギャップへガスを導入する部分を
シャワープレートの中央に有するシャワープレートの断
面図である。
【図5】実施例1に係る、シャワープレートの各孔のコ
ンダクタンスの測定系の概念図である。
【図6】実施例1に係る、シャワープレートの孔のコン
ダクタンスの設計値と実測値の一例を示すグラフであ
る。
【図7】実施例1から3に係る、図1から3を取り付け
ることが可能な、ダイポールリングマグネットを用いた
高周波励起平行平板型マグネトロンエッチング装置の概
念図である。
【図8】実施例4に係る、シャワープレートの各孔にガ
スを送るギャップ部分を、シャワープレートの上部に縦
横の溝を設けて、その上に別の板を載せることによって
形成したシャワープレートである。
【図9】実施例4に係る、図8の構造を有するシャワー
プレートを取り付けたラジアルラインスロットアンテナ
を用いたマイクロ波励起プラズマ装置の概念図である。
【図10】実施例4に係る、図9のプラズマ装置を用い
て測定した、ギャップ内でのプラズマ着火が起こる最小
マイクロ波電力の圧力依存性を示すデータである。
【符号の説明】
101、201、401 隙間板、 102、202、402 シャワープレート、 103、203、403 ギャップ、 104、207、307 吹出口、 204、304 円柱、 205 雄ネジ、 206 雌ネジ、 208 切欠、 404 通路、 405 入口、 406 出口、 504 流量コントローラー、 505 圧力計、 506 コンダクタンスバルブ、 507 真空ポンプ、 704 ウェーハ、 702 配管、 705 ダイポールリングマグネット、 706 チャンバー壁、 708 ブロッキングコンデンサー、 709 高周波電源、 801 突起、 803 吹出口、 804 隙間板、 901 シャワープレート、 903 プラズマ、 904 ウェーハ、 905 ラジアルラインスロットアンテナ、 906 同軸同波管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 雄久 東京都文京区本郷4丁目1−7 株式会社 ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所 内 (72)発明者 平山 昌樹 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉(無番地) 東北大学内 (72)発明者 森井 明雄 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉(無番地) 東北大学内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プレートに複数の吹出口を有するシャワ
    ープレートにおいて、該吹出口は、該プレートに開けら
    れた孔と、該孔に挿入された該孔よりも小さな径を有す
    る円柱との間に形成される空間により形成されているこ
    とを特徴とするシャワープレート。
  2. 【請求項2】 該吹出口をテーパー状にしたことを特徴
    とする請求項1記載のシャワープレート。
  3. 【請求項3】 該シャワープレートは誘電体材料からな
    ることを特徴とする請求項1または2記載のシャワープ
    レート。
  4. 【請求項4】 該シャワープレートはマイクロ波励起プ
    ラズマ装置用であることを特徴とする請求項1乃至3の
    いずれか1項記載のシャワープレート。
  5. 【請求項5】 側面に開口する入口と、中央部において
    上面側に開口する出口と、該入口と該出口とを連通し、
    内部に形成された通路とからなるガス導入路が形成され
    ていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項
    記載のシャワープレート。
  6. 【請求項6】 プレートに複数の吹出口を有するシャワ
    ープレートと、 該シャワープレートの上方に、シャワープレートとの間
    でギャップを形成して配置された隙間板と、 該ギャップ内にプロセスガスを導入するためのガス導入
    路と、を有するシャワープレート周辺構造において、 該シャワープレートの側面に開口する入口と、シャワー
    プレート中央部において該ギャップ側に開口する出口
    と、該入口と該出口とに連通し、該シャワープレート内
    部に形成された通路とにより該ガス導入路が構成されて
    いることを特徴とするシャワープレート周辺構造。
  7. 【請求項7】 該シャワープレートは誘電体材料からな
    ることを特徴とする請求項6記載のシャワープレート周
    辺構造。
  8. 【請求項8】 プレートに複数の吹出口を有するシャワ
    ープレートと、 該シャワープレートの上方に、シャワープレートとの間
    でギャップを形成して配置された隙間板と、 該ギャップ内にプロセスガスを導入するためのガス導入
    路と、を有するシャワープレート周辺構造において、 該隙間板と該シャワープレートとの間にスペーサーを複
    数個設けたことを特徴とするシャワープレート周辺構
    造。
  9. 【請求項9】 該シャワープレートの上面に複数の突起
    を高さが同一となるように形成し、該突起をスペーサー
    としたことを特徴とする請求項8記載のシャワープレー
    ト周辺構造。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至5のいずれか1項記載の
    シャワープレートを用いたプロセス装置。
  11. 【請求項11】 請求項6乃至9いずれか1項記載のシ
    ャワープレートを用いたプロセス装置。
JP09797898A 1998-04-09 1998-04-09 マイクロ波励起プラズマ装置用のシャワープレート及びマイクロ波励起プラズマ装置 Expired - Fee Related JP4124383B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09797898A JP4124383B2 (ja) 1998-04-09 1998-04-09 マイクロ波励起プラズマ装置用のシャワープレート及びマイクロ波励起プラズマ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09797898A JP4124383B2 (ja) 1998-04-09 1998-04-09 マイクロ波励起プラズマ装置用のシャワープレート及びマイクロ波励起プラズマ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11297672A true JPH11297672A (ja) 1999-10-29
JP4124383B2 JP4124383B2 (ja) 2008-07-23

Family

ID=14206761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09797898A Expired - Fee Related JP4124383B2 (ja) 1998-04-09 1998-04-09 マイクロ波励起プラズマ装置用のシャワープレート及びマイクロ波励起プラズマ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4124383B2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6286454B1 (en) 1999-05-31 2001-09-11 Tadahiro Ohmi Plasma process device
US6358324B1 (en) * 1999-04-27 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Microwave plasma processing apparatus having a vacuum pump located under a susceptor
WO2002023609A1 (en) * 2000-09-14 2002-03-21 Tokyo Electron Limited High speed silicon etching method
WO2003069021A1 (fr) * 2002-02-12 2003-08-21 Hitachi Zosen Corporation Bobine de chauffage par induction
JP2005033167A (ja) * 2003-06-19 2005-02-03 Tadahiro Omi シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
WO2005064998A1 (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Tadahiro Ohmi プラズマ処理装置
KR100680867B1 (ko) 2005-05-31 2007-02-09 주식회사 유진테크 노즐핀 삽입형 샤워헤드
JP2007273913A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Shimadzu Corp 表面波励起プラズマ処理装置
JP2007335510A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Hokuriku Seikei Kogyo Kk シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
WO2008010520A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Tokyo Electron Limited Shower plate, method for producing the same, plasma processing apparatus using the shower plate, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device
JP2008538256A (ja) * 2005-04-01 2008-10-16 ラム リサーチ コーポレイション 高速剥離下流チャンバ
JP2009228054A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Shimadzu Corp プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置
DE112008001130T5 (de) 2007-06-11 2010-04-29 Tokyo Electron Ltd. Plasmabearbeitungsvorrichtung, Energieversorgungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb der Plasmabearbeitungsvorrichtung
US7879182B2 (en) 2003-12-26 2011-02-01 Foundation For Advancement Of International Science Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method
JP2011071498A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法
JP2012060101A (ja) * 2010-08-12 2012-03-22 Toshiba Corp ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法
JP2012057251A (ja) * 2010-08-13 2012-03-22 Toshiba Corp 保護膜とその形成方法、並びに半導体製造装置およびプラズマ処理装置
JP2012256895A (ja) * 2007-03-16 2012-12-27 Sosul Co Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2013076685A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Ulvac Japan Ltd 流量測定装置
JP2013084997A (ja) * 2010-08-12 2013-05-09 Toshiba Corp ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法
JP2019207912A (ja) * 2018-05-28 2019-12-05 東京エレクトロン株式会社 上部電極アセンブリ、処理装置及び上部電極アセンブリの製造方法
KR20210047375A (ko) * 2018-09-26 2021-04-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세싱 챔버용 열 전도성 스페이서

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5651828A (en) * 1979-09-28 1981-05-09 Ibm Method and device for forming field for uniform gaseous molecule
JPS63263725A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH0745584A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd ドライエッチング装置及び方法
JPH07272897A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ装置
JPH0817748A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH08288266A (ja) * 1994-09-16 1996-11-01 Applied Materials Inc プラズマプロセス反応装置用ガス注入スリットノズル
JPH09181046A (ja) * 1995-12-21 1997-07-11 Hitachi Ltd 半導体製造方法および装置
JPH09283499A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH1064881A (ja) * 1996-08-20 1998-03-06 Hitachi Ltd プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5651828A (en) * 1979-09-28 1981-05-09 Ibm Method and device for forming field for uniform gaseous molecule
JPS63263725A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH0745584A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd ドライエッチング装置及び方法
JPH07272897A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ装置
JPH0817748A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH08288266A (ja) * 1994-09-16 1996-11-01 Applied Materials Inc プラズマプロセス反応装置用ガス注入スリットノズル
JPH09181046A (ja) * 1995-12-21 1997-07-11 Hitachi Ltd 半導体製造方法および装置
JPH09283499A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH1064881A (ja) * 1996-08-20 1998-03-06 Hitachi Ltd プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358324B1 (en) * 1999-04-27 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Microwave plasma processing apparatus having a vacuum pump located under a susceptor
US6286454B1 (en) 1999-05-31 2001-09-11 Tadahiro Ohmi Plasma process device
US6446573B2 (en) 1999-05-31 2002-09-10 Tadahiro Ohmi Plasma process device
WO2002023609A1 (en) * 2000-09-14 2002-03-21 Tokyo Electron Limited High speed silicon etching method
US7022616B2 (en) 2000-09-14 2006-04-04 Tokyo Electron Limited High speed silicon etching method
WO2003069021A1 (fr) * 2002-02-12 2003-08-21 Hitachi Zosen Corporation Bobine de chauffage par induction
JP2005033167A (ja) * 2003-06-19 2005-02-03 Tadahiro Omi シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
WO2005064998A1 (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Tadahiro Ohmi プラズマ処理装置
JP2005196994A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Tadahiro Omi プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法
US7879182B2 (en) 2003-12-26 2011-02-01 Foundation For Advancement Of International Science Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method
JP2008538256A (ja) * 2005-04-01 2008-10-16 ラム リサーチ コーポレイション 高速剥離下流チャンバ
US8298336B2 (en) 2005-04-01 2012-10-30 Lam Research Corporation High strip rate downstream chamber
KR100680867B1 (ko) 2005-05-31 2007-02-09 주식회사 유진테크 노즐핀 삽입형 샤워헤드
JP2007273913A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Shimadzu Corp 表面波励起プラズマ処理装置
JP2007335510A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Hokuriku Seikei Kogyo Kk シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
KR101094979B1 (ko) * 2006-07-20 2011-12-20 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 샤워 플레이트 및 그 제조 방법, 그 샤워 플레이트를 이용한 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 전자 장치의 제조 방법
US20090311869A1 (en) * 2006-07-20 2009-12-17 Tokyo Electron Limited Shower plate and manufacturing method thereof, and plasma processing apparatus, plasma processing method and electronic device manufacturing method using the shower plate
TWI411360B (zh) * 2006-07-20 2013-10-01 Tokyo Electron Ltd A shower plate and a method of manufacturing the same, and a plasma processing apparatus using the shower plate, a plasma processing method, and a manufacturing method of the electronic device
JP2008047883A (ja) * 2006-07-20 2008-02-28 Hokuriku Seikei Kogyo Kk シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
WO2008010520A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Tokyo Electron Limited Shower plate, method for producing the same, plasma processing apparatus using the shower plate, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device
US8888950B2 (en) 2007-03-16 2014-11-18 Charm Engineering Co., Ltd. Apparatus for plasma processing and method for plasma processing
JP2012256895A (ja) * 2007-03-16 2012-12-27 Sosul Co Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
DE112008001130T5 (de) 2007-06-11 2010-04-29 Tokyo Electron Ltd. Plasmabearbeitungsvorrichtung, Energieversorgungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb der Plasmabearbeitungsvorrichtung
JP2009228054A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Shimadzu Corp プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置
JP2011071498A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法
JP2012060101A (ja) * 2010-08-12 2012-03-22 Toshiba Corp ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法
JP2013084997A (ja) * 2010-08-12 2013-05-09 Toshiba Corp ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法
JP2012057251A (ja) * 2010-08-13 2012-03-22 Toshiba Corp 保護膜とその形成方法、並びに半導体製造装置およびプラズマ処理装置
JP2013076685A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Ulvac Japan Ltd 流量測定装置
JP2019207912A (ja) * 2018-05-28 2019-12-05 東京エレクトロン株式会社 上部電極アセンブリ、処理装置及び上部電極アセンブリの製造方法
KR20210047375A (ko) * 2018-09-26 2021-04-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세싱 챔버용 열 전도성 스페이서

Also Published As

Publication number Publication date
JP4124383B2 (ja) 2008-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11297672A (ja) シャワープレート、シャワープレート周辺構造及びプロセス装置
US6653791B1 (en) Method and apparatus for producing uniform process rates
US5647912A (en) Plasma processing apparatus
US5242539A (en) Plasma treatment method and apparatus
US6744213B2 (en) Antenna for producing uniform process rates
KR101109439B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템에서 기판을 최적화하는 방법 및장치
US9011631B2 (en) Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process
KR101176061B1 (ko) 천판 및 플라즈마 처리 장치
CN101076456B (zh) 用于调整一组等离子体处理步骤的方法和装置
JP4502639B2 (ja) シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
US20240084450A1 (en) Shower head structure and plasma processing apparatus using the same
CN117794040A (zh) 一种表面波等离子体发生装置及半导体工艺设备
TW201331408A (zh) 電漿處理裝置
US20020175869A1 (en) Method and apparatus for producing uniform process rates
US10354841B2 (en) Plasma generation and control using a DC ring
JP2010080846A (ja) ドライエッチング方法
KR20190035577A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20030079948A (ko) 플라즈마 처리장치
JP2006120853A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4993610B2 (ja) シャワープレート及びシャワープレートを用いたプラズマ処理装置
JPH0359573B2 (ja)
US20250323024A1 (en) Temperature-controlled plasma generation system
WO2006009213A1 (ja) プラズマ処理装置
JP2006120872A (ja) ガス拡散プレート
US20090145553A1 (en) Suppressor of hollow cathode discharge in a shower head fluid distribution system

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050404

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070402

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070817

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080402

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080501

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516

Year of fee payment: 4

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees