JPH11297672A - シャワープレート、シャワープレート周辺構造及びプロセス装置 - Google Patents
シャワープレート、シャワープレート周辺構造及びプロセス装置Info
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- JPH11297672A JPH11297672A JP10097978A JP9797898A JPH11297672A JP H11297672 A JPH11297672 A JP H11297672A JP 10097978 A JP10097978 A JP 10097978A JP 9797898 A JP9797898 A JP 9797898A JP H11297672 A JPH11297672 A JP H11297672A
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Abstract
ワープレートを提供すること。マイクロ波励起プラズマ
装置に用いた場合、シャワープレートとその上に載せる
隙間板とのギャップにおいてプラズマが着火するのを防
ぐことが可能なシャワープレートを提供する。 【解決手段】 吹出口207は、プレート202に開け
られた孔と、孔に挿入された孔よりも小さな径を有する
円柱204との間に形成される空間により形成されてい
ることを特徴とする。
Description
ャワープレートの周辺構造及びプロセス装置に係る。よ
り詳細には、大型基板上への均一なプロセスガス供給が
可能なシャワープレート、シャワープレート周辺構造及
びそれを用いたプロセス装置に関する。
造については以下のような技術が知られている。 (1)直径0.1μm程度の多数の小さな孔(吹出口)
104を垂直または斜めにあけたシャワープレート(図
1)をウェーハ直上に設けて、そのシャワープレート1
02からガスをプロセス空間に供給する技術。 (2)シャワープレート102にあけた孔(吹出口)1
04にガスを送るのに、シャワープレート102の上に
1mm程度のギャップ103を空けて隙間板101を置
き、シャワープレート102と隙間板101との間のギ
ャップ103に側面からガスを流し込む技術。 (3)マイクロ波プラズマプロセス装置の場合、マイク
ロ波の吸収の少ないセラミックス等の材料を用いた直径
0.5mm程度の多数の孔をあけ、(2)の技術を用い
たシャワープレートをマイクロ波導入部に設ける技術。
題がある。 1.(1)の技術では、小さい穴加工が可能なSiやA
lなどに材料が限定され、マイクロ波を透過するセラミ
ックスなどには加工ができなかった。例えばアルミナの
板に0.1μmの孔104をあける場合、その深さの限
界は0.2μm程度である。また小さな孔の場合、真っ
直ぐにかつ孔104の内面を鏡面仕上げしてあけること
が技術的に困難であった。
しくガスが吹き出すように各孔104にガスを送るギャ
ップ103とプロセス室との間の圧力差を大きくする必
要があるが、そのために孔104から勢いよくガスが噴
き出して孔104の配列パターンの不均一を生じること
があった。
を減らした場合等に、側面のガスを流し込む場所に近い
孔104からより多くのガスが吹き出すために、プロセ
ス空間にガスの不均一が生じていた。この傾向は処理す
るウェーハが200mm、300mmと大口径化するに
従い顕著になっている。
プラズマがプロセス空間ではなく、シャワープレート1
02とその上に載せる隙間板101との間のガスを広げ
る空間に着火することがあった。
りなく吹出口の形成が容易なシャワープレートを提供す
ることを目的とする。
合、シャワープレートとその上に載せる隙間板とのギャ
ップにおいてプラズマが着火するのを防ぐことが可能な
シャワープレートを提供することを目的とする。
いシャワープレートの周辺構造を提供することを目的と
する。
吹き出し量のチャンバーの中心軸に対し軸対称性が保つ
ことができるシャワープレート周辺構造を提供すること
を目的とする。
トは、プレートに複数の吹出口を有するシャワープレー
トにおいて、該吹出口は、該プレートに開けられた孔
と、該孔に挿入された該孔よりも小さな径を有する円柱
との間に形成される空間により形成されていることを特
徴とする。
孔自体により構成されるのではなく、孔と孔に挿入され
た円柱との間に形成される空間により構成される。従来
は孔の径は0.1μm程度であったが、本発明では、m
mのオーダーで孔を開ければよいため、孔開け加工の困
難なセラミックス(誘電体材料)などであっても容易に
加工することが可能である。従って、誘電体材料により
シャワープレートを製造することが可能となり、誘電体
材料からなるシャワープレートをマイクロ波励起プラズ
マ装置に用いれば、シャワープレートとその上に載せる
隙間板とのギャップにおいてプラズマが着火するのを防
ぐことが可能となる。
吹出をより均一にすることができる。
複数の吹出口を有するシャワープレートと、該シャワー
プレートの上方に、シャワープレートとの間でギャップ
を形成して配置された隙間板と、該ギャップ内にプロセ
スガスを導入するためのガス導入路と、を有するシャワ
ープレート周辺構造において、該シャワープレートの側
面に開口する入口と、シャワープレート中央部において
該ギャップ側に開口する出口と、該入口と該出口とに連
通し、該シャワープレート内部に形成された通路とによ
り該ガス導入路が構成されていることを特徴とする。
レートに複数の吹出口を有するシャワープレートと、該
シャワープレートの上方に、シャワープレートとの間で
ギャップを形成して配置された隙間板と、該ギャップ内
にプロセスガスを導入するためのガス導入路と、を有す
るシャワープレート周辺構造において、該隙間板と該シ
ャワープレートとの間にスペーサーを複数個設けたこと
を特徴とする。
する。なお、本発明範囲は以下の実施例に限定されるも
のではない。
施例のシャワープレートは、吹出口207は、プレート
202に開けられた孔と、孔に挿入された孔よりも小さ
な径を有する円柱204との間に形成される空間により
形成されている。
に示す200mmウェーハプロセス用のシャワープレー
トを作製した。直径350mm、厚さ20mmのシャワ
ープレート202の中央直径200mmの範囲に、20
mm間隔で孔加工した。直径2.1mmの孔をあけ、孔
の上部は雌ネジ206を挿入するため2mmの深さで直
径6mmに広げた。
その先端には雄ネジ205を形成した。
固定した。なお、雌ネジ206には切り欠き208が入
れてあり、この切欠208をガスの通り道とした。
のギャップ203を空けて板201を置き、シャワープ
レート側面から導入したガスがこの1mmのギャップ2
03を広がり各吹出口207にガスが供給されるように
した。
ネジ206、および上に載せる隙間板201にはアルミ
ニウムを用いた。
トの各吹出口のコンダクタンスを測定した。各吹出口の
入口及び出口にガスラインを固定し、流量コントローラ
ー504で一定量の空気を流し、真空ポンプ507で排
気した。排気速度はコンダクタンスバルブ506で調整
した。
値を横軸に、そのときの流量及び排気速度から計算され
る孔のコンダクタンスを横軸にとったデータを図6に示
す。図には比較のため、直径0.5mmの孔のデータも
載せた。設計寸法から計算されるコンダクタンスにほぼ
等しいコンダクタンスが得られていることが確認され
た。エッチングプロセスでの典型的なチャンバー圧力2
0mTorrでのコンダクタンスの吹出口間のばらつき
は、従来の孔で10%あるのに対し、本発明の構造では
5%とばらつきが小さくなっていることが確認された。
を挿入したが、ほぼ同じ直径の円筒の一部分を削るか、
溝を作ってギャップを設けても良い。また孔側の一部分
に溝を設けても良い。ギャップを0.1mmとしたが、
これはプロセス圧力、流量等のプロセス条件に応じて必
要なコンダクタンスになるよう設計すれば良い。材料は
アルミニウムを用いたがこれに限る必要は無く、銅、ス
テンレス鋼、Siやアルミナ、窒化アルミニウム等のセ
ラミックスを用いても良い。
加えて、図3に示すように、吹出口のガス吹き出し口側
に45度のテーパー構造を持たせた。すなわちシャワー
プレート側はガス吹き出し口側5mmを円錐状に広げ、
挿入する円柱は下側5mmに円錐を付けた形にした。テ
ーパー部の隙間は0.5mmと大き目にし、吹出口30
7のコンダクタンスは円柱304部の隙間0.5mmで
絞るようにした。
0mmウェーハ対応のダイポールリングマグネットを用
いた高周波励起平行平板型マグネトロンエッチング装置
に取り付けて、5000sccmのアルゴン、四塩化フ
ッ素混合ガスを流し、13.56MHz、1000Wの
高周波電力をウェーハステージに投入して、200mm
口径のシリコン酸化膜付きのウェーハ704のエッチン
グを行った。ガスは配管702を通してシャワープレー
ト側面から導入した。
サー708を介してウェーハステージに接続した。チャ
ンバー壁706の外側にはチャンバーを取り囲むように
ダイポールリングマグネット705を設置した。シャワ
ープレートとウェーハの距離が20mmの場合、図1に
示す従来のシャワープレートでは、孔の配列パターンに
エッチング速度分布が生じたが、本発明の図3に示すシ
ャワープレートを用いた場合はこうした分布は観察され
なかった。
施例のシャワープレート周辺構造は、プレートに複数の
吹出口(図示せず)を有するシャワープレート402
と、シャワープレート402の上方に、シャワープレー
ト402との間でギャップ403を形成して配置された
隙間板401と、ギャップ403内にプロセスガスを導
入するためのガス導入路と、を有するシャワープレート
周辺構造において、シャワープレート402の側面に開
口する入口405と、シャワープレート中央部において
ギャップ403側に開口する出口406と、入口405
と出口406とに連通し、シャワープレート402内部
に形成された通路404とによりガス導入路が構成され
ている。
では、実施例2の加工に加えて、シャワープレート40
2の各吹出口(図示せず)にガスを送るシャワープレー
ト402とその上の隙間板401板とのギャップ403
へのガス供給において、図4に示すようにシャワープレ
ート402の側面から中央部に通じる直径3mmの通路
404をあけて、シャワープレート402の中央からギ
ャップ403にガスが供給されるようにした。
ウェーハ対応のダイポールリングマグネットを用いた高
周波励起平行平板型マグネトロンエッチング装置に取り
付けて、実施例2に示したのと同じエッチングプロセス
を行った。プロセスガス流量を100sccmに減らし
た場合、実施例2のシャワープレーとではガス供給口側
からガスが多く吹き出し、その部分のエッチング速度が
高くなった。本例のシャワープレートでは、出口406
のある中央部がエッチング速度が高くなったが、分布は
点対称であり、中央部と周囲部とのエッチング速度の差
は、実施例2のシャワープレート402での出口406
側とその反対側との差と比べて小さくなっていることが
確認された。
さらに図8に示すようにシャワープレートの上部に突起
801を吹出口803のない部分に設けて、シャワープ
レートの上に板804を載せた時にこの突起が隙間板8
04に当たるためギャップの高さが面内で均一になるよ
うにした。
プラズマに用いる場合に、そのスペーサーの表面でプラ
ズマが損失するためギャップでのプラズマ着火が起こり
にくいようにした。シャワープレートとその吹出口、お
よびシャワープレートの上に載せる隙間板804は、マ
イクロ波をよく透過するアルミナを用いた。シャワープ
レート上部の突起は1mm角、高さ1mmとした。
ルラインスロットアンテナを用いた2.45GHzマイ
クロ波励起プラズマ装置のマイクロ波導入部に設置し、
マイクロ波を投入した時にシャワープレートのギャップ
にプラズマが着火するかどうか調べた。マイクロ波は同
軸同波管906を通ってラジアルラインスロットアンテ
ナ905に供給され、マイクロ波はこのアンテナ905
から平面波としてチャンバーに供給される。プラズマ9
03はシャワープレート901とウェーハ904の間の
プロセス空間に発生する。
る最小マイクロ波電力のギャップ圧力依存性を示す。本
例のシャワープレート上部に突起を設けて、上に載せる
隙間板804とのスぺーサーとした場合、スペーサーが
無い時と比べてギャップ内でプラズマが着火する電力が
大きくなっていることから、本例の構造がギャップ内で
プラズマを着火しにくくする効果が確認された。
もアルミナを用いる必要はなく、例えば窒化アルミニウ
ムや窒化シリコンを用いても良い。また突起はシャワー
プレートに載せる板に付けてもよいし、スぺーサーを置
いてもよい。また形状は正方形を碁盤の目状に並べたも
のに限らず、螺旋状や同心円と放射線の組み合わせなど
の形状で溝を掘っても構わない。
れる。材料に関わりなく吹出口の形成が容易である。
合、シャワープレートとその上に載せる隙間板とのギャ
ップにおいてプラズマが着火するのを防ぐことが可能で
ある。吹出口の配列パターンの不均一を無くすことがで
きる。
し量のチャンバーの中心軸に対し軸対称性が保つことが
できる。
シャワープレートの断面図である。
ガス吹き出し部を有するシャワープレートの断面図であ
る。
ガス吹き出し部で吹き出し先端がテーパー状に広がった
構造を有するシャワープレートの断面図である。
央上部に通じる孔をあけることにより、シャワープレー
トの各孔にガスを送るギャップへガスを導入する部分を
シャワープレートの中央に有するシャワープレートの断
面図である。
ンダクタンスの測定系の概念図である。
ダクタンスの設計値と実測値の一例を示すグラフであ
る。
ることが可能な、ダイポールリングマグネットを用いた
高周波励起平行平板型マグネトロンエッチング装置の概
念図である。
スを送るギャップ部分を、シャワープレートの上部に縦
横の溝を設けて、その上に別の板を載せることによって
形成したシャワープレートである。
プレートを取り付けたラジアルラインスロットアンテナ
を用いたマイクロ波励起プラズマ装置の概念図である。
て測定した、ギャップ内でのプラズマ着火が起こる最小
マイクロ波電力の圧力依存性を示すデータである。
Claims (11)
- 【請求項1】 プレートに複数の吹出口を有するシャワ
ープレートにおいて、該吹出口は、該プレートに開けら
れた孔と、該孔に挿入された該孔よりも小さな径を有す
る円柱との間に形成される空間により形成されているこ
とを特徴とするシャワープレート。 - 【請求項2】 該吹出口をテーパー状にしたことを特徴
とする請求項1記載のシャワープレート。 - 【請求項3】 該シャワープレートは誘電体材料からな
ることを特徴とする請求項1または2記載のシャワープ
レート。 - 【請求項4】 該シャワープレートはマイクロ波励起プ
ラズマ装置用であることを特徴とする請求項1乃至3の
いずれか1項記載のシャワープレート。 - 【請求項5】 側面に開口する入口と、中央部において
上面側に開口する出口と、該入口と該出口とを連通し、
内部に形成された通路とからなるガス導入路が形成され
ていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項
記載のシャワープレート。 - 【請求項6】 プレートに複数の吹出口を有するシャワ
ープレートと、 該シャワープレートの上方に、シャワープレートとの間
でギャップを形成して配置された隙間板と、 該ギャップ内にプロセスガスを導入するためのガス導入
路と、を有するシャワープレート周辺構造において、 該シャワープレートの側面に開口する入口と、シャワー
プレート中央部において該ギャップ側に開口する出口
と、該入口と該出口とに連通し、該シャワープレート内
部に形成された通路とにより該ガス導入路が構成されて
いることを特徴とするシャワープレート周辺構造。 - 【請求項7】 該シャワープレートは誘電体材料からな
ることを特徴とする請求項6記載のシャワープレート周
辺構造。 - 【請求項8】 プレートに複数の吹出口を有するシャワ
ープレートと、 該シャワープレートの上方に、シャワープレートとの間
でギャップを形成して配置された隙間板と、 該ギャップ内にプロセスガスを導入するためのガス導入
路と、を有するシャワープレート周辺構造において、 該隙間板と該シャワープレートとの間にスペーサーを複
数個設けたことを特徴とするシャワープレート周辺構
造。 - 【請求項9】 該シャワープレートの上面に複数の突起
を高さが同一となるように形成し、該突起をスペーサー
としたことを特徴とする請求項8記載のシャワープレー
ト周辺構造。 - 【請求項10】 請求項1乃至5のいずれか1項記載の
シャワープレートを用いたプロセス装置。 - 【請求項11】 請求項6乃至9いずれか1項記載のシ
ャワープレートを用いたプロセス装置。
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