JPH11297802A - 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置 - Google Patents
静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置Info
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- JPH11297802A JPH11297802A JP9506098A JP9506098A JPH11297802A JP H11297802 A JPH11297802 A JP H11297802A JP 9506098 A JP9506098 A JP 9506098A JP 9506098 A JP9506098 A JP 9506098A JP H11297802 A JPH11297802 A JP H11297802A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電力により被処理体をステージに吸着保持
すると共に、被処理体の冷却機能を有する静電吸着装置
において、静電吸着力を一定に維持できる、あるいは真
空処理装置内に配置された場合でも被処理体の温度を正
確に測定できる静電吸着装置、およびこの静電吸着装置
を搭載することにより、被処理体の温度を精度よく所期
の値に維持できる真空処理装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ３とステージ２の間に導入
される所定流量の冷却ガスによって得られる半導体ウェ
ハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力を測定し、圧力
検出部９で得られたデータを制御部１２に入力して、半
導体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定
の値になるよう直流高電圧電源１１の出力に指示を与
え、半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力を調
整する。
すると共に、被処理体の冷却機能を有する静電吸着装置
において、静電吸着力を一定に維持できる、あるいは真
空処理装置内に配置された場合でも被処理体の温度を正
確に測定できる静電吸着装置、およびこの静電吸着装置
を搭載することにより、被処理体の温度を精度よく所期
の値に維持できる真空処理装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ３とステージ２の間に導入
される所定流量の冷却ガスによって得られる半導体ウェ
ハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力を測定し、圧力
検出部９で得られたデータを制御部１２に入力して、半
導体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定
の値になるよう直流高電圧電源１１の出力に指示を与
え、半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力を調
整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、静電吸着装置お
よび静電吸着装置を搭載した真空処理装置に関するもの
である。
よび静電吸着装置を搭載した真空処理装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の静電吸着装置を搭載したド
ライエッチング装置の構成を示す概略図である。図にお
いて、１は真空状態に保持されるチャンバー、２はチャ
ンバー１内に配置され、表面に絶縁膜が形成されたステ
ージ、３はステージ２上に保持された被処理体である半
導体ウェハ、４はチャンバー１に設けられた排気路で、
真空ポンプ（図示せず）を接続してチャンバー１内を真
空状態に排気する。５はチャンバー１の上面に設けら
れ、チャンバー１内へエッチングガスを導入するエッチ
ングガス導入路、６はマイクロ波発生装置、７は半導体
ウェハ３とステージ２の間に冷却ガスを導入する冷却ガ
ス導入路、８は冷却ガス導入路７の途中に設けられた冷
却ガス流量制御部、９は半導体ウェハ３とステージ２の
間に導入された冷却ガスの圧力をステージ２に設けられ
た測定孔を介して測定する圧力検出部、１０はステージ
２に保持された半導体ウェハ３の温度を測定する温度検
出部、１１はステージ２に直流高電圧を印加する直流高
電圧電源、１５は圧力検出部９で得られたデータに基づ
き、冷却ガス流量制御部８に指示を与える制御部であ
る。
ライエッチング装置の構成を示す概略図である。図にお
いて、１は真空状態に保持されるチャンバー、２はチャ
ンバー１内に配置され、表面に絶縁膜が形成されたステ
ージ、３はステージ２上に保持された被処理体である半
導体ウェハ、４はチャンバー１に設けられた排気路で、
真空ポンプ（図示せず）を接続してチャンバー１内を真
空状態に排気する。５はチャンバー１の上面に設けら
れ、チャンバー１内へエッチングガスを導入するエッチ
ングガス導入路、６はマイクロ波発生装置、７は半導体
ウェハ３とステージ２の間に冷却ガスを導入する冷却ガ
ス導入路、８は冷却ガス導入路７の途中に設けられた冷
却ガス流量制御部、９は半導体ウェハ３とステージ２の
間に導入された冷却ガスの圧力をステージ２に設けられ
た測定孔を介して測定する圧力検出部、１０はステージ
２に保持された半導体ウェハ３の温度を測定する温度検
出部、１１はステージ２に直流高電圧を印加する直流高
電圧電源、１５は圧力検出部９で得られたデータに基づ
き、冷却ガス流量制御部８に指示を与える制御部であ
る。
【０００３】次に、従来のドライエッチング装置を用い
たエッチング処理について説明する。まず被処理体であ
る半導体ウェハ３をチャンバー１内のステージ２上に載
置した後、排気路４に真空ポンプ（図示せず）を接続し
てチャンバー１内を真空状態に排気する。次にガス導入
路５を介して所定流量のエッチングガスをチャンバー１
内に導入してチャンバー１内を所定のガス圧力にすると
共に、マイクロ波発生装置６で発生させたマイクロ波を
チャンバー１内に導入してプラズマを発生させ、半導体
ウェハ３にエッチング処理を施す。また、半導体ウェハ
３をステージ２上に保持するために、ステージ２に直流
高電圧を印加して、発生した静電力により半導体ウェハ
３をステージ２に静電吸着している。また、プラズマ処
理により加熱される半導体ウェハ３を冷却するために、
ステージ２の調温機構として、ステージ２の内部に冷媒
を循環させる等のステージ冷却機構（図示せず）を備え
ている。さらに半導体ウェハ３の冷却効率を良くするた
めに、半導体ウェハ３とステージ２の間に所定流量の冷
却ガスを冷却ガス導入路７を介して導入している。
たエッチング処理について説明する。まず被処理体であ
る半導体ウェハ３をチャンバー１内のステージ２上に載
置した後、排気路４に真空ポンプ（図示せず）を接続し
てチャンバー１内を真空状態に排気する。次にガス導入
路５を介して所定流量のエッチングガスをチャンバー１
内に導入してチャンバー１内を所定のガス圧力にすると
共に、マイクロ波発生装置６で発生させたマイクロ波を
チャンバー１内に導入してプラズマを発生させ、半導体
ウェハ３にエッチング処理を施す。また、半導体ウェハ
３をステージ２上に保持するために、ステージ２に直流
高電圧を印加して、発生した静電力により半導体ウェハ
３をステージ２に静電吸着している。また、プラズマ処
理により加熱される半導体ウェハ３を冷却するために、
ステージ２の調温機構として、ステージ２の内部に冷媒
を循環させる等のステージ冷却機構（図示せず）を備え
ている。さらに半導体ウェハ３の冷却効率を良くするた
めに、半導体ウェハ３とステージ２の間に所定流量の冷
却ガスを冷却ガス導入路７を介して導入している。
【０００４】ここで、半導体ウェハ３とステージ２の間
に導入された冷却ガスの圧力を測定し、圧力検出部９で
得られたデータを制御部１５に入力して、半導体ウェハ
３とステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定の値になる
よう冷却ガス流量制御部８に指示を与え、半導体ウェハ
３とステージ２の間に導入する冷却ガスの流量を制御し
ている。すなわち、半導体ウェハ３とステージ２の間に
導入する冷却ガスの流量を調整することにより、半導体
ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力を所定の値
に制御し、半導体ウェハ３の冷却効率を一定にしてい
る。
に導入された冷却ガスの圧力を測定し、圧力検出部９で
得られたデータを制御部１５に入力して、半導体ウェハ
３とステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定の値になる
よう冷却ガス流量制御部８に指示を与え、半導体ウェハ
３とステージ２の間に導入する冷却ガスの流量を制御し
ている。すなわち、半導体ウェハ３とステージ２の間に
導入する冷却ガスの流量を調整することにより、半導体
ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力を所定の値
に制御し、半導体ウェハ３の冷却効率を一定にしてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】真空処理装置を用いて
試料を高精度かつ均質に処理するためには、処理中の試
料（半導体ウェハ）を適正な温度に維持することが必要
である。また、静電吸着装置に保持された半導体ウェハ
３の処理中の温度は、半導体ウェハ３とステージ２の間
に導入される冷却ガスの圧力を一定にするだけでは制御
できず、半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力
（ミクロ的には半導体ウェハ３とステージ２の間の距
離）に依存することが知られている。従来の静電吸着装
置を搭載した真空処理装置は上記のように構成されてお
り、半導体ウェハ３とステージ２の間に導入される冷却
ガスの圧力を一定にするだけでは、処理中の半導体ウェ
ハ３の温度を所期の値に維持することはできず、また、
プラズマ状態の変化や、静電吸着装置の製造ばらつきに
起因して半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力
が変化するため、半導体ウェハ３の温度を所期通りに維
持することが困難であるなどの問題があった。また、ド
ライエッチング装置に搭載された静電吸着装置では、静
電吸着された半導体ウェハ３の温度検出精度が低いた
め、処理中の半導体ウェハ３の温度を正確に測定できな
いという問題があった。
試料を高精度かつ均質に処理するためには、処理中の試
料（半導体ウェハ）を適正な温度に維持することが必要
である。また、静電吸着装置に保持された半導体ウェハ
３の処理中の温度は、半導体ウェハ３とステージ２の間
に導入される冷却ガスの圧力を一定にするだけでは制御
できず、半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力
（ミクロ的には半導体ウェハ３とステージ２の間の距
離）に依存することが知られている。従来の静電吸着装
置を搭載した真空処理装置は上記のように構成されてお
り、半導体ウェハ３とステージ２の間に導入される冷却
ガスの圧力を一定にするだけでは、処理中の半導体ウェ
ハ３の温度を所期の値に維持することはできず、また、
プラズマ状態の変化や、静電吸着装置の製造ばらつきに
起因して半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力
が変化するため、半導体ウェハ３の温度を所期通りに維
持することが困難であるなどの問題があった。また、ド
ライエッチング装置に搭載された静電吸着装置では、静
電吸着された半導体ウェハ３の温度検出精度が低いた
め、処理中の半導体ウェハ３の温度を正確に測定できな
いという問題があった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、静電力により被処理体をステ
ージに吸着保持する静電吸着装置において、静電吸着力
を一定に維持できる、あるいは、プラズマ処理等が行わ
れる真空処理装置内に配置された場合においても、被処
理体の温度を高精度で測定できる静電吸着装置を得るこ
とを目的とする。また、静電力により被処理体をステー
ジに静電吸着すると共に、被処理体の冷却機能を有する
静電吸着装置を搭載した真空処理装置において、静電吸
着力を一定に維持する、あるいは被処理体の温度を高精
度で測定する機能を有することにより、処理中の被処理
体の温度を精度よく所期の値に維持できる真空処理装置
を提供することを目的とする。
るためになされたもので、静電力により被処理体をステ
ージに吸着保持する静電吸着装置において、静電吸着力
を一定に維持できる、あるいは、プラズマ処理等が行わ
れる真空処理装置内に配置された場合においても、被処
理体の温度を高精度で測定できる静電吸着装置を得るこ
とを目的とする。また、静電力により被処理体をステー
ジに静電吸着すると共に、被処理体の冷却機能を有する
静電吸着装置を搭載した真空処理装置において、静電吸
着力を一定に維持する、あるいは被処理体の温度を高精
度で測定する機能を有することにより、処理中の被処理
体の温度を精度よく所期の値に維持できる真空処理装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる静電吸
着装置は、表面に絶縁膜が形成されたステージと、ステ
ージの絶縁膜上に被処理体を静電吸着するためにステー
ジに直流高電圧を印加する直流高電圧電源と、ステージ
の温度を調整する調温機構部と、ステージの絶縁膜上に
静電吸着された被処理体とステージの間に導入される冷
却ガスを供給する冷却ガス供給部と、被処理体とステー
ジの間に導入された冷却ガスの圧力を測定する圧力検出
部と、圧力検出部で得られたデータに基づき、被処理体
とステージの間に導入された冷却ガスの圧力が所定値に
なるよう直流高電圧電源の出力を制御する制御部を備え
たものである。また、表面に絶縁膜が形成されたステー
ジと、ステージの絶縁膜上に被処理体を静電吸着するた
めにステージに直流高電圧を印加する直流高電圧電源
と、ステージの温度を調整する調温機構部と、ステージ
の絶縁膜上に静電吸着された被処理体とステージの間に
導入される冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、被処
理体の温度を測定する温度検出部と、温度検出部で得ら
れたデータに基づき、被処理体の温度が所定値になるよ
う直流高電圧電源の出力を制御する制御部を備えたもの
である。また、被処理体の温度を測定する温度検出部
は、赤外線温度センサを有するものである。
着装置は、表面に絶縁膜が形成されたステージと、ステ
ージの絶縁膜上に被処理体を静電吸着するためにステー
ジに直流高電圧を印加する直流高電圧電源と、ステージ
の温度を調整する調温機構部と、ステージの絶縁膜上に
静電吸着された被処理体とステージの間に導入される冷
却ガスを供給する冷却ガス供給部と、被処理体とステー
ジの間に導入された冷却ガスの圧力を測定する圧力検出
部と、圧力検出部で得られたデータに基づき、被処理体
とステージの間に導入された冷却ガスの圧力が所定値に
なるよう直流高電圧電源の出力を制御する制御部を備え
たものである。また、表面に絶縁膜が形成されたステー
ジと、ステージの絶縁膜上に被処理体を静電吸着するた
めにステージに直流高電圧を印加する直流高電圧電源
と、ステージの温度を調整する調温機構部と、ステージ
の絶縁膜上に静電吸着された被処理体とステージの間に
導入される冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、被処
理体の温度を測定する温度検出部と、温度検出部で得ら
れたデータに基づき、被処理体の温度が所定値になるよ
う直流高電圧電源の出力を制御する制御部を備えたもの
である。また、被処理体の温度を測定する温度検出部
は、赤外線温度センサを有するものである。
【０００８】また、この発明の真空処理装置は、真空状
態に保持されたチャンバー内に被処理体を載置するよう
にした真空処理装置において、上述した静電吸着装置の
ステージをチャンバー内に設け、被処理体がステージの
絶縁膜上に静電吸着により保持されるようにしたもので
ある。
態に保持されたチャンバー内に被処理体を載置するよう
にした真空処理装置において、上述した静電吸着装置の
ステージをチャンバー内に設け、被処理体がステージの
絶縁膜上に静電吸着により保持されるようにしたもので
ある。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施の形態である静電吸着装置を搭載した真空処理装
置を図について説明する。図１は本発明の実施の形態１
による真空処理装置（本実施の形態ではドライエッチン
グ装置）の構成を示す概略図である。図において、１は
真空状態に保持されるチャンバー、２はチャンバー１内
に配置され、表面に絶縁膜が形成されたステージ、３は
ステージ２上に保持された被処理体である半導体ウェ
ハ、４はチャンバー１に設けられた排気路で、真空ポン
プ（図示せず）を接続してチャンバー１内を真空状態に
排気する。５はチャンバー１の上面に設けられ、チャン
バー１内へエッチングガスを導入するエッチングガス導
入路、６はマイクロ波発生装置、７は半導体ウェハ３と
ステージ２の間に冷却ガスを導入する冷却ガス導入路、
８は冷却ガス導入路７の途中に設けられた冷却ガス流量
制御部、９は半導体ウェハ３とステージ２の間に導入さ
れた冷却ガスの圧力をステージ２に設けられた測定孔を
介して測定する圧力検出部、１０はステージ２に保持さ
れた半導体ウェハ３の温度を測定する温度検出部、１１
はステージ２に直流高電圧を印加する直流高電圧電源、
１２は圧力検出部９で得られるデータに基づき、直流高
電圧電源１１の出力を制御するマイクロコンピュータ等
から構成される制御部である。
一実施の形態である静電吸着装置を搭載した真空処理装
置を図について説明する。図１は本発明の実施の形態１
による真空処理装置（本実施の形態ではドライエッチン
グ装置）の構成を示す概略図である。図において、１は
真空状態に保持されるチャンバー、２はチャンバー１内
に配置され、表面に絶縁膜が形成されたステージ、３は
ステージ２上に保持された被処理体である半導体ウェ
ハ、４はチャンバー１に設けられた排気路で、真空ポン
プ（図示せず）を接続してチャンバー１内を真空状態に
排気する。５はチャンバー１の上面に設けられ、チャン
バー１内へエッチングガスを導入するエッチングガス導
入路、６はマイクロ波発生装置、７は半導体ウェハ３と
ステージ２の間に冷却ガスを導入する冷却ガス導入路、
８は冷却ガス導入路７の途中に設けられた冷却ガス流量
制御部、９は半導体ウェハ３とステージ２の間に導入さ
れた冷却ガスの圧力をステージ２に設けられた測定孔を
介して測定する圧力検出部、１０はステージ２に保持さ
れた半導体ウェハ３の温度を測定する温度検出部、１１
はステージ２に直流高電圧を印加する直流高電圧電源、
１２は圧力検出部９で得られるデータに基づき、直流高
電圧電源１１の出力を制御するマイクロコンピュータ等
から構成される制御部である。
【００１０】次に、本実施の形態による静電吸着装置を
搭載したドライエッチング装置を用いたエッチング処理
について説明する。まず被処理体である半導体ウェハ３
をチャンバー１内のステージ２上に載置した後、排気路
４に真空ポンプ（図示せず）を接続してチャンバー１内
を真空状態に排気する。次にガス導入路５を介して所定
流量のエッチングガスをチャンバー１内に導入してチャ
ンバー１内を所定のガス圧力にすると共に、マイクロ波
発生装置６で発生させたマイクロ波をチャンバー１内に
導入してプラズマを発生させ、半導体ウェハ３にエッチ
ング処理を施す。また、半導体ウェハ３をステージ２上
に保持するために、ステージ２に直流高電圧を印加し
て、発生した静電力により半導体ウェハ３をステージ２
に静電吸着している。また、プラズマ処理により加熱さ
れる半導体ウェハ３を冷却するために、ステージ２の調
温機構として、ステージ２の内部に冷媒を循環させる等
のステージ冷却機構（図示せず）を備えている。さらに
半導体ウェハ３の冷却効率を良くするために、半導体ウ
ェハ３とステージ２の間に所定流量の冷却ガスを冷却ガ
ス導入路７を介して導入している。
搭載したドライエッチング装置を用いたエッチング処理
について説明する。まず被処理体である半導体ウェハ３
をチャンバー１内のステージ２上に載置した後、排気路
４に真空ポンプ（図示せず）を接続してチャンバー１内
を真空状態に排気する。次にガス導入路５を介して所定
流量のエッチングガスをチャンバー１内に導入してチャ
ンバー１内を所定のガス圧力にすると共に、マイクロ波
発生装置６で発生させたマイクロ波をチャンバー１内に
導入してプラズマを発生させ、半導体ウェハ３にエッチ
ング処理を施す。また、半導体ウェハ３をステージ２上
に保持するために、ステージ２に直流高電圧を印加し
て、発生した静電力により半導体ウェハ３をステージ２
に静電吸着している。また、プラズマ処理により加熱さ
れる半導体ウェハ３を冷却するために、ステージ２の調
温機構として、ステージ２の内部に冷媒を循環させる等
のステージ冷却機構（図示せず）を備えている。さらに
半導体ウェハ３の冷却効率を良くするために、半導体ウ
ェハ３とステージ２の間に所定流量の冷却ガスを冷却ガ
ス導入路７を介して導入している。
【００１１】ここで、半導体ウェハ３とステージ２の間
に導入される所定流量の冷却ガスによって得られる半導
体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力を測定
し、圧力検出部９で得られたデータを制御部１２に入力
して、半導体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧
力が所定の値になるよう直流高電圧電源１１の出力を制
御する。すなわち、半導体ウェハ３とステージ２の間に
導入された所定流量の冷却ガスによる半導体ウェハ３と
ステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定の値になるよう
直流高電圧電源１１の出力を制御することにより、半導
体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力（ミクロ的に
は半導体ウェハ３とステージ２の間の距離）を一定の値
に調整している。
に導入される所定流量の冷却ガスによって得られる半導
体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力を測定
し、圧力検出部９で得られたデータを制御部１２に入力
して、半導体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧
力が所定の値になるよう直流高電圧電源１１の出力を制
御する。すなわち、半導体ウェハ３とステージ２の間に
導入された所定流量の冷却ガスによる半導体ウェハ３と
ステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定の値になるよう
直流高電圧電源１１の出力を制御することにより、半導
体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着力（ミクロ的に
は半導体ウェハ３とステージ２の間の距離）を一定の値
に調整している。
【００１２】この発明によれば、半導体ウェハ３とステ
ージ２の間に導入された所定流量の冷却ガスによる半導
体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定の
値になるよう直流高電圧電源１１の出力を制御すること
により、半導体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの
圧力および半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着
力を一定の値に調整できるため、プラズマ処理等で加熱
される半導体ウェハ３の温度を精度よく所期の値に維持
できる。
ージ２の間に導入された所定流量の冷却ガスによる半導
体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの圧力が所定の
値になるよう直流高電圧電源１１の出力を制御すること
により、半導体ウェハ３とステージ２の間の冷却ガスの
圧力および半導体ウェハ３とステージ２の間の静電吸着
力を一定の値に調整できるため、プラズマ処理等で加熱
される半導体ウェハ３の温度を精度よく所期の値に維持
できる。
【００１３】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２による静電吸着装置を搭載した真空処理装置の構成
を示す概略図である。図において、１３は赤外線温度セ
ンサ１３ａを有する温度検出部、１４は温度検出部１３
で得られたデータに基づき、直流高電圧電源の出力を制
御する制御部である。なお、その他の構成は、実施の形
態１と同じであるので説明を省略する。本実施の形態で
は、静電吸着装置のステージ２に保持された半導体ウェ
ハ３の温度を赤外線温度センサ１３ａを用いて測定し、
温度検出部１３で得られたデータを制御部１４に入力し
て、半導体ウェハ３の温度が所定の値になるよう直流高
電圧電源１１の出力に指示を与え、半導体ウェハ３とス
テージ２の間の静電吸着力を制御することにより半導体
ウェハ３の温度を調整している。
態２による静電吸着装置を搭載した真空処理装置の構成
を示す概略図である。図において、１３は赤外線温度セ
ンサ１３ａを有する温度検出部、１４は温度検出部１３
で得られたデータに基づき、直流高電圧電源の出力を制
御する制御部である。なお、その他の構成は、実施の形
態１と同じであるので説明を省略する。本実施の形態で
は、静電吸着装置のステージ２に保持された半導体ウェ
ハ３の温度を赤外線温度センサ１３ａを用いて測定し、
温度検出部１３で得られたデータを制御部１４に入力し
て、半導体ウェハ３の温度が所定の値になるよう直流高
電圧電源１１の出力に指示を与え、半導体ウェハ３とス
テージ２の間の静電吸着力を制御することにより半導体
ウェハ３の温度を調整している。
【００１４】本実施の形態では、被処理体である半導体
ウェハ３の温度を高精度で測定することができるため、
直接半導体ウェハ３の温度をモニタしながら調整を行う
ことができ、半導体ウェハ３の温度を所定の値に維持で
きる。。
ウェハ３の温度を高精度で測定することができるため、
直接半導体ウェハ３の温度をモニタしながら調整を行う
ことができ、半導体ウェハ３の温度を所定の値に維持で
きる。。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、静電
力により被処理体をステージに静電吸着させる静電吸着
装置において、被処理体と被処理体を保持するステージ
の間にに導入された所定流量の冷却ガスによる被処理体
とステージ間の冷却ガスの圧力が所定の値になるようス
テージに印加する電圧を制御し、被処理体とステージ間
の静電吸着力を一定の値に調整することができる。ま
た、この発明によれば、プラズマ処理等が行われる真空
処理装置内に配置された場合においても、ステージに保
持された被処理体の温度を高精度で測定することができ
る。また、この発明によれば、上記静電吸着装置を搭載
した真空処理装置において、静電吸着力を一定に維持す
る、あるいは被処理体の温度を正確に測定する機能を有
することにより、処理中の被処理体の温度を精度よく所
期の値に維持することができる。
力により被処理体をステージに静電吸着させる静電吸着
装置において、被処理体と被処理体を保持するステージ
の間にに導入された所定流量の冷却ガスによる被処理体
とステージ間の冷却ガスの圧力が所定の値になるようス
テージに印加する電圧を制御し、被処理体とステージ間
の静電吸着力を一定の値に調整することができる。ま
た、この発明によれば、プラズマ処理等が行われる真空
処理装置内に配置された場合においても、ステージに保
持された被処理体の温度を高精度で測定することができ
る。また、この発明によれば、上記静電吸着装置を搭載
した真空処理装置において、静電吸着力を一定に維持す
る、あるいは被処理体の温度を正確に測定する機能を有
することにより、処理中の被処理体の温度を精度よく所
期の値に維持することができる。
【図１】 この発明の実施の形態１による静電吸着装置
を搭載した真空処理装置（ドライエッチング装置）の構
成を示す概略図である。
を搭載した真空処理装置（ドライエッチング装置）の構
成を示す概略図である。
【図２】 この発明の実施の形態２による静電吸着装置
を搭載した真空処理装置（ドライエッチング装置）の構
成を示す概略図である。
を搭載した真空処理装置（ドライエッチング装置）の構
成を示す概略図である。
【図３】 従来のこの種静電吸着装置を搭載した真空処
理装置（ドライエッチング装置）の構成を示す概略図で
ある。
理装置（ドライエッチング装置）の構成を示す概略図で
ある。
１ チャンバー、２ ステージ、３ 半導体ウェハ、４
排気路、５ エッチングガス導入路、６ マイクロ波
発生装置、７ 冷却ガス導入路、８ 冷却ガス流量制御
部、９ 圧力検出部、１０ 温度検出部、１１ 直流高
電圧電源、 １２ 制御部、１３ａ 赤外線温度セン
サ、１３ 温度検出部、１４ 制御部。
排気路、５ エッチングガス導入路、６ マイクロ波
発生装置、７ 冷却ガス導入路、８ 冷却ガス流量制御
部、９ 圧力検出部、１０ 温度検出部、１１ 直流高
電圧電源、 １２ 制御部、１３ａ 赤外線温度セン
サ、１３ 温度検出部、１４ 制御部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 伸幸 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に絶縁膜が形成されたステージと、 上記ステージの絶縁膜上に被処理体を静電吸着するため
に上記ステージに直流高電圧を印加する直流高電圧電源
と、 上記ステージの温度を調整する調温機構部と、 上記ステージの絶縁膜上に静電吸着された被処理体と上
記ステージの間に導入されるガスを供給するガス供給部
と、 上記被処理体とステージの間に導入された上記冷却ガス
の圧力を測定する圧力検出部と、 上記圧力検出部で得られたデータに基づき、上記被処理
体とステージの間に導入された上記冷却ガスの圧力が所
定値になるよう上記直流高電圧電源の出力を制御する制
御部を備えたことを特徴とする静電吸着装置。 - 【請求項２】 表面に絶縁膜が形成されたステージと、 上記ステージの絶縁膜上に被処理体を静電吸着するため
に上記ステージに直流高電圧を印加する直流高電圧電源
と、 上記ステージの温度を調整する調温機構部と、 上記ステージの絶縁膜上に静電吸着された被処理体と上
記ステージの間に導入される冷却ガスを供給する冷却ガ
ス供給部と、 上記被処理体の温度を測定する温度検出部と、 上記温度検出部で得られたデータに基づき、上記被処理
体の温度が所定値になるよう上記直流高電圧電源の出力
を制御する制御部を備えたことを特徴とする静電吸着装
置。 - 【請求項３】 被処理体の温度を測定する温度検出部
は、赤外線温度センサを有することを特徴とする請求項
２記載の静電吸着装置。 - 【請求項４】 真空状態に保持されたチャンバー内に被
処理体を載置するようにした真空処理装置において、 請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の静電吸着装置
のステージを上記チャンバー内に設け、 上記被処理体が上記ステージの絶縁膜上に静電吸着によ
り保持されるようにしたことを特徴とする真空処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9506098A JPH11297802A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9506098A JPH11297802A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297802A true JPH11297802A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14127497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9506098A Pending JPH11297802A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297802A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6695946B2 (en) * | 2001-04-18 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Cooling system |
| WO2011017060A3 (en) * | 2009-08-07 | 2011-05-19 | Applied Materials, Inc. | Dual temperature heater |
| WO2011115299A1 (ja) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱着方法 |
| CN110491819A (zh) * | 2018-05-14 | 2019-11-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 平衡静电力的方法和静电卡盘 |
| US11424108B2 (en) | 2014-12-16 | 2022-08-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| CN116726839A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-09-12 | 广西科学院 | 一种雾化反应/微波处理一体化制备纳米钙的装置和方法 |
-
1998
- 1998-04-07 JP JP9506098A patent/JPH11297802A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6695946B2 (en) * | 2001-04-18 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Cooling system |
| US10325799B2 (en) | 2009-08-07 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | Dual temperature heater |
| WO2011017060A3 (en) * | 2009-08-07 | 2011-05-19 | Applied Materials, Inc. | Dual temperature heater |
| US11133210B2 (en) | 2009-08-07 | 2021-09-28 | Applied Materials, Inc. | Dual temperature heater |
| CN102498558A (zh) * | 2009-08-07 | 2012-06-13 | 应用材料公司 | 双温度加热器 |
| JP2011198838A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板脱着方法 |
| US8982529B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-03-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting and demounting method |
| WO2011115299A1 (ja) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱着方法 |
| US11424108B2 (en) | 2014-12-16 | 2022-08-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US12191121B2 (en) | 2014-12-16 | 2025-01-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| CN110491819A (zh) * | 2018-05-14 | 2019-11-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 平衡静电力的方法和静电卡盘 |
| CN110491819B (zh) * | 2018-05-14 | 2021-11-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 平衡静电力的方法和静电卡盘 |
| CN116726839A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-09-12 | 广西科学院 | 一种雾化反应/微波处理一体化制备纳米钙的装置和方法 |
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