JPH11297977A

JPH11297977A - 二次元画像検出器

Info

Publication number: JPH11297977A
Application number: JP10097031A
Authority: JP
Inventors: Osamu Teranuma; 修寺沼; Yoshihiro Izumi; 良弘和泉; Koichi Miyaji; 弘一宮地
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-04-09
Filing date: 1998-04-09
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】アクティブマトリクス基板上に３００℃以下
の低温でＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体材料を形
成することで、応答性がよく、動画像にも対応できる二
次元画像検出器を提供すること。【解決手段】格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素
配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記
画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有
する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器におい
て、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板
と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備え
ており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層
と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板
が配置されるとともに、該両基板は、導電性を有する液
晶性化合物によって電気的に接続されていることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線などの放射
線、可視光、赤外光などの画像を検出できる二次元画像
検出器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、放射線の二次元画像検出器と
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサーを二次元状に配置し、これらのセンサーに
それぞれ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチ
を順次オンにして各列毎にセンサーの電荷を読み出すも
のが知られている。このような二次元画像検出器は、例
えば、文献「D.L.Lee,et al.,"A New Digital Detector
for Projection Radiography",SPIE,2432,pp.237-249,
1995」、「L.S.Jeromin,et al.,"Application ofa-Si A
ctive-Matrix Technology in a X-Ray Detector Pane
l",SID 97 DIGEST,pp.91-94,1997」、および特開平６−
３４２０９８号公報などに具体的な構造や原理が記載さ
れている。

【０００３】以下、前記従来の放射線二次元画像検出器
の構成と原理について説明する。

【０００４】図８は、前記従来の放射線二次元画像検出
器の構造を模式的に示した図である。また、図９は、１
画素当たりの構成断面を模式的に示した図である。

【０００５】前記放射線二次元画像検出器は、図８およ
び図９に示すように、ガラス基板５１上にＸＹマトリク
ス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電極５３）、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）５５などが形成されたアクティブマトリクス基板を
備えている。また、このアクティブマトリクス基板上に
は、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層５７およ
び上部電極５８が形成されている。

【０００６】前記電荷蓄積容量５５は、Ｃｓ電極５９
と、前記薄膜トランジスタ５４のドレイン電極に接続さ
れた画素電極６０とが、絶縁層６１を介して対向してい
る構成である。

【０００７】前記光導電膜５６は、Ｘ線などの放射線が
照射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導体
材料が用いられるが、前記文献によれば、暗抵抗が高
く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルフ
ァスセレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。この光
導電膜（ａ−Ｓｅ）５６は、真空蒸着法によって３００
〜６００μｍの厚みで形成されている。

【０００８】また、前記アクティブマトリクス基板は、
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ＸＹマト
リクス電極、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を備えた構造になっ
ている。したがって、若干の設計変更を行うだけで、放
射線二次元検出器用のアクティブマトリクス基板として
利用することが容易である。

【０００９】次に、前記構造の放射線二次元画像検出器
の動作原理について説明する。

【００１０】前記ａ−Ｓｅ膜などの光導電膜５６に放射
線が照射されると、光導電膜５６内に電荷（電子−正
孔）が発生する。図８および図９に示すように、光導電
膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５は電気的に直列に接
続された構造になっているので、上部電極５８とＣｓ電
極５９間との間に電圧を印加しておくと、光導電膜５６
で発生した電荷（電子−正孔）がそれぞれ＋電極側と−
電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５
に電荷が蓄積される仕組みになっている。なお、光導電
膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５との間には、薄い絶
縁層からなる電子阻止層６２が形成されており、これが
一方側からの電荷の注入を阻止する阻止型フォトダイオ
ードの役割を果たしている。

【００１１】前記の作用で、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５
に蓄積された電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、
…、Ｇｎの入力信号によって薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）５４をオープン状態にすることでソース電極Ｓ１、
Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎより外部に取り出すことが可能で
ある。電極配線（ゲート電極５２とソース電極５３）、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、および電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５などは、すべてＸＹマトリクス状に設けら
れているため、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎ
に入力する信号を線順次に走査することで、二次元的に
Ｘ線の画像情報を得ることが可能となる。

【００１２】なお、前記二次元画像検出器は、使用する
光導電膜５６がＸ線などの放射線に対する光導電性だけ
でなく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
放射線二次元検出器では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅ
を用いており、このａ−Ｓｅは、アモルファス材料特有
の光電流の分散型伝導特性を有していることから応答性
が悪く、また、ａ−ＳｅのＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ
比）が十分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積
容量（Ｃｓ）５５を十分に充電してからでないと情報を
読み出すことができないといった欠点を持ち合わせてい
る。

【００１４】また、Ｘ線の照射時に漏れ電流が原因で電
荷が電荷蓄積容量に蓄積することの防止、およびリーク
電流（暗電流）の低減や高電圧保護の目的で、光導電膜
（ａ−Ｓｅ）５６と上部電極５８との間に誘電体層５７
が設けられているが、この誘電体層５７に残留する電荷
を１フレーム毎に除去するシーケンスを付加する必要が
あるため、前記放射線二次元検出器は静止画の撮影にし
か利用することができないといった問題を生じていた。

【００１５】これに対し、動画に対応した画像データを
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、結晶（もしくは多
結晶）材料で、かつＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）の優
れた光導電膜５６を利用する必要がある。光導電膜５６
の感度が向上すれば、短時間のＸ線照射でも電荷蓄積容
量（Ｃｓ）５５を十分に充電できるようになり、また、
光導電膜５６に高電圧を印加する必要がなくなるため、
誘電体層５７自身も不要となる。

【００１６】このような、Ｘ線に対する感度が優れた光
導電材料としては、ＣａＴｅやＣｄＺｎＴｅなどが知ら
れている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原
子番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号
が３４、ＣｄＴｅの実効原子番号が５０とすると、約
６．９倍の感度の向上が期待できる。ところが、前記放
射線二次元検出器の光導電膜として、ａ−Ｓｅの代わり
にＣａＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとすると、以下
のような問題が生じる。

【００１７】従来のａ−Ｓｅの場合、成膜方法としては
真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常
温で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板上へ
の成膜が容易であった。これに対して、ＣｄＴｅやＣｄ
ＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法による成膜
法が知られており、特に大面積基板への成膜を考慮する
とＭＯＣＶＤが適した方法と考えられる。

【００１８】しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。

【００１９】一般に、アクティブマトリクス基板に形成
されている前述の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４は、
半導体層としてａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いている
が、半導体特性を向上させるために３００〜３５０℃程
度の成膜温度で水素（Ｈ₂）を付加しながら成膜されて
いる。このようにして形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度
は約３００℃であり、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝
すとａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体
特性が劣化してしまう。

【００２０】したがって、上述のアクティブマトリクス
基板上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴ
ｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難で
あった。

【００２１】本発明は、上述したような問題点に臨みて
なされたものであって、その目的とするところは、アク
ティブマトリクス基板上に３００℃以下の低温でＣｄＴ
ｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体材料を形成することで、
応答性がよく、動画像にも対応できる二次元画像検出器
を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の二次元画像検出
器は、格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設
けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素
子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電
荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層の
ほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列
層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導
体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画
素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極
部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記
アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基
板の半導体層とが対向するように両基板が配置されると
ともに、該両基板は、導電性を有する液晶性化合物によ
って電気的に接続されていることを特徴としており、そ
のことにより、上記目的は達成される。

【００２３】なお、このときの前記半導体層は、放射線
に対して感度を有することが望ましい。

【００２４】そして、この前記半導体層は、ＣｄＴｅも
しくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体であることがさらに望
ましい。

【００２５】また、このときの前記液晶性化合物は、異
方導電性を有することが望ましい。

【００２６】そして、この前記液晶性化合物は、ディス
コティックカラムナー相を示す配向状態であることがさ
らに望ましい。

【００２７】また、前記対向基板の半導体層表面に、前
記アクティブマトリクス基板上に形成されている各画素
電極に対応して、複数の接続電極が形成されていること
が望ましい。

【００２８】また、このときの前記対向基板は、光導電
性を有する半導体層自身が支持基板であることが望まし
い。

【００２９】また、このときの前記対向基板は、検出す
る光や放射線を透過する基板を支持基板とし、該支持基
板上に光導電性を有する半導体膜が形成されていること
が望ましい。

【００３０】以下、本発明の二次元画像検出器による作
用について説明する。

【００３１】本発明の二次元画像検出器によれば、格子
状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複
数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して
前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量
とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に
対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電
極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備
えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を
含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半
導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブ
マトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体
層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該
両基板は、導電性を有する液晶性化合物によって電気的
に接続されていることを特徴としていることにより、こ
れまで半導体の成膜温度とアクティブマトリクス基板の
耐熱温度との関係で、アクティブマトリクス基板上に直
接成膜することのできなかった半導体材料を画像検出器
として使用することが可能となっている。

【００３２】また、このときの前記半導体層は、放射線
に対して感度を有していることにより、放射線に対する
二次元画像検出器を実現することが可能となっている。

【００３３】そして、この前記半導体層として、ＣｄＴ
ｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を用いていること
により、これまで用いられてきたａ−Ｓｅからなる半導
体と比較して、放射線に対する感度が向上し、動画の撮
影が可能となっている。

【００３４】また、このときの前記液晶性化合物は、異
方導電性を有していることにより、アクティブマトリク
ス基板と対向基板との間において各画素毎に絶縁壁を設
けなくても両基板電極間のみに限定した電気的接続が可
能となっており、隣接画素間の電気的絶縁性を確保する
ことが可能となっている。つまり、本発明における上述
した液晶性化合物はカラム軸方向に限定された異方導電
性を有することが望ましい。

【００３５】そして、この前記液晶性化合物は、ディス
コティックカラムナー相を示す配向状態であることによ
り、上述したカラム軸方向に限定された異方導電性を有
する液晶性化合物を得ることが可能となっている。

【００３６】なお、本発明では、上述した液晶性化合物
として室温付近で液晶となるものを使用することによ
り、製造過程において液晶充填などの処理を比較的低温
で行うことが可能となっており、また、上述した液晶性
化合物として室温付近で固体（結晶）となるものを使用
することにより、異方導電性を示す分子の層構造が液晶
と比較してより安定した状態を保つことができ、品質を
向上させることが可能となっている。

【００３７】また、前記対向基板の半導体層表面に、前
記アクティブマトリクス基板上に形成されている各画素
電極に対応して、複数の接続電極が形成されていること
により、対向基板上の半導体の画素間が電気的に分離さ
れ、放射線や光線の入射によって半導体内で発生した電
荷が入射位置に対応した接続電極にのみ収集され、周囲
の画素に回り込むことなく電気的クロストークを抑制す
ることが可能となっている。

【００３８】このとき、上述した複数の画素電極の面積
を、上述した複数の接続電極の面積よりも小さく形成す
ることにより、Ｘ線や光線の入射により発生した電荷を
効率よく収集することができるとともに、アクティブマ
トリクス基板と対向基板との貼り合わせ時に位置ずれが
生じたとしても隣接画素との電気的クロストークを抑制
することが可能となっている。

【００３９】また、このときの前記対向基板は、光導電
性を有する半導体層自身を支持基板とすることにより、
ブリッジマン法やグラディエントフリーズ法、トラベル
ヒーティング法などによって得られる結晶性半導体基板
を容易に利用することが可能となっている。

【００４０】また、このときの前記対向基板は、検出す
る光や放射線を透過する基板を支持基板とし、該支持基
板上に光導電性を有する半導体膜が形成されている構成
とすることにより、対向基板自身の強度を大幅に増強す
ることが可能となっている。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００４２】（実施の形態１）図１および図２は、本発
明の実施の形態１に係る二次元画像検出器を示したもの
であり、図１は、該二次元画像検出器の全体構成の概略
を示す断面図であり、図２は、その二次元画像検出器の
１画素当たりの構成を示す断面図である。

【００４３】本実施の形態１における二次元画像検出器
は、図１に示すように、スイッチング素子としての薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）５と画素電極１４とが形成され
たアクティブマトリクス基板１と、接続電極６が形成さ
れた対向基板２とが、異方導電性を有する液晶性化合物
３を介して電気的に接続されることにより貼り合わされ
た構成となっている。

【００４４】このアクティブマトリクス基板１は、液晶
表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマトリ
クス基板と同じプロセスで形成することが可能である。
具体的に説明すれば、図２に示すように、ガラス基板７
上に、ＸＹマトリクス状の電極配線（ゲート電極８とソ
ース電極９）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５、電荷蓄
積容量（Ｃｓ）４などにより画素配列層が構成されてい
る。

【００４５】前記ガラス基板７には、無アルカリガラス
基板（例えばコーニング社製＃７０５９や＃１７３７）
を用い、その上にＴａなどの金属膜からなるゲート電極
８を形成する。ゲート電極８は、Ｔａなどをスパッタ蒸
着で約３０００Å成膜した後、所望の形状にパターニン
グして得られる。この際、同時に電荷蓄積容量（Ｃｓ電
極）４も形成する。次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる
絶縁膜１１を、ＣＶＤ法で約３５００Å成膜して形成す
る。この絶縁膜１１は、前記薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）５のゲート絶縁膜および電荷蓄積容量（Ｃｓ）４の
電極間の誘電層として作用する。なお、絶縁膜１１とし
て、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだけでなく、ゲート電極８とＣ
ｓ電極４とを陽極酸化した陽極酸化膜を併用してもよ
い。

【００４６】次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５のチ
ャネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１２と、ソース・ド
レイン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ⁺層）
１３とを、ＣＶＤ法で各々約１０００Å、約４００Å成
膜した後、所望の形状にパターニングする。次に、Ｔａ
やＡｌなどの金属膜からなるソース電極９と、ＩＴＯな
どの導電膜からなる画素電極１４（ドレイン電極を兼
用）を形成する。このソース電極９と画素電極１４と
は、前記金属膜をスパッタ蒸着で約３０００Å成膜した
後、所望の形状にパターニングすることで得られる。

【００４７】その後、画素電極１４の開口部以外の領域
を絶縁保護する目的で、絶縁保護膜１５を形成する。こ
の絶縁保護膜１５は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁
膜をＣＶＤ法で約６０００Å成膜した後、所望の形状に
パターニングすることで得られる。なお、この絶縁保護
膜１５には、無機の絶縁膜の他に、アクリルやポリイミ
ドなどの有機膜を使用することも可能である。このよう
にして、アクティブマトリクス基板１が形成される。

【００４８】なお、ここでは、前記アクティブマトリク
ス基板１のＴＦＴ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタ
ガ構造のＴＦＴ５を用いたが、これに限定されるもので
はなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、スタガ構造にして
も良い。また、前記アクティブマトリクス基板１は、液
晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマト
リクス基板と同じプロセスで形成することが可能であ
る。

【００４９】一方、対向基板２は、図２にも示すよう
に、Ｘ線などの放射線に対して光導電性を有する半導体
基板（光導電体基板）１６を支持基板としている。ここ
では、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅといった化合物半
導体を用いる。前記半導体基板１６の厚みは約０．５ｍ
ｍである。この半導体基板１６は、ブリッジマン法やグ
ラディエントフリーズ法、トラベルヒーティング法など
によって、容易に結晶基板を形成することが可能であ
る。前記半導体基板１６の一方の面のほぼ全面に、Ａｌ
などのＸ線を透過しやすい金属によって上部電極１７を
形成する。また、他方の面には、厚さ約１０００ÅのＡ
ｌＯｘからなる絶縁層である電子阻止層１８をほぼ全面
に形成した後、ＴａやＡｌなど金属膜をスパッタ蒸着で
約２０００Å成膜し、所望の形状にパターニングするこ
とで接続電極６を形成する。前記接続電極６は、アクテ
ィブマトリクス基板１に形成された画素電極１４と対応
する位置に形成される。

【００５０】以上のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板１および対向基板２は、画素電極１４およ
び接続電極６が画素毎に各々対向するようにして配置さ
れており、これら両基板の間隙には、図２にも示すよう
に、導電性を有する液晶性化合物３が存在している。こ
のときの導電性を有する液晶性化合物３は、アクティブ
マトリクス基板１と対向基板２とに形成された画素電極
１４と接続電極６とを電気的に接続する役割を果たして
いる。

【００５１】なお、このときに用いる液晶性化合物３が
等方的な導電性を有していると、この液晶性化合物３を
通じて隣接画素同士で電気的クロストークが生じてしま
うため、用いる液晶性化合物３としては、異方的な導電
性を有するものが適している。つまり、液晶性化合物３
が導電率の異方性を有していると、上下の基板方向に低
抵抗、面内方向に高抵抗となるように分子を配列させて
おくことにより、画素電極１４と接続電極６とを電気的
に接続するとともに、隣接画素への電気的クロストーク
を防止することが可能となる。

【００５２】以下に、本実施の形態１における二次元画
像検出器に用いる異方導電性を有する液晶性化合物３に
ついて、さらに詳細に説明する。

【００５３】本実施の形態１における異方導電性を有す
る液晶性化合物３としては、ディスコティック液晶相、
なかでも円盤状分子が一次元にカラム状に積層したディ
スコティックカラムナー相を示す有機化合物を挙げるこ
とができる。このディスコティックカラムナー相は、隣
接する分子のπ電子共役系の重なりがカラム方向に最も
大きくなる配置となっており、一次元の電子移動が見ら
れるため、カラム軸方向のみに限定された異方導電性を
示すものである。

【００５４】このような液晶性化合物としては、例え
ば、図３（ａ）〜（ｈ）に示すようなものが挙げられる
（図中、Ｒは炭素原子数１〜２０のアルキル基を表して
おり、Ｍは遷移金属原子を表す）。この中で特に有機金
属錯体は、錯体液晶中の遷移金属が電導度を高め、カラ
ム軸に沿って協同的な電導効果が在すると考えられ、高
い導通性が得られる。本実施の形態１では、図３中の
（ａ）において、Ｒ＝ｎ−Ｃ₁₂Ｈ₂₅で表される液晶性化
合物を用いた。

【００５５】なお、ディスコティックカラムナー相を示
す液晶性化合物の大半は、１００℃以上の高温で液晶相
を形成し、室温以下で液晶相を形成するものはごく僅か
であるが、ディスコティックカラムナー層構造は極めて
結晶状態に近いものであり、液晶相と固体相との間での
秩序構造変化がほとんどないため、ディスコティックカ
ラムナー相、すなわち一次元カラム積層構造が保たれて
いれば、この化合物は最終的には固体（結晶）であって
も構わない。このような場合には、この液晶性化合物を
液晶相転移する温度にまで十分に加熱し、液晶状態のま
ま上下両基板間に充填した後、封止する。そして、この
化合物は冷却に伴い固体相への転移を起こすが、一次元
カラム積層構造による異方導電性は保持されている。ま
た、よく精製された材料で、極めて伝導率が小さい場合
には、必要に応じてヨウ素（Ｉ₂）や塩化アルミニウム
（ＡｌＣｌ₃）などを用いた化学ドーピングによりキャ
リア濃度を増加させ、伝導率を必要に応じて調整すると
よい。

【００５６】次に、前記液晶性化合物３を用いて、アク
ティブマトリクス基板１と対向基板２とを貼り合わせる
際の具体的な方法について説明する。図４（ａ）〜
（ｄ）は、両者の基板の貼り合わせプロセスを示す図面
である。なお、以下の工程は、全て真空チャンバー内に
て行った。

【００５７】先ず、図４（ａ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板１上に、必要に応じて粒径５〜６μｍ
のプラスチック製スペーサー（図示せず）を散布した
後、１５０℃の高温で液晶状態にした液晶性化合物３を
ディスペンサー２０を用いて滴下する。なお、このと
き、アクティブマトリクス基板１の基板サイズが大型の
場合には、液晶性化合物３を複数滴下することが望まし
い。また、室温で固体となる液晶性化合物３の場合に
は、加熱して液晶状態としてから滴下するとよい。

【００５８】次に、図４（ｂ）に示すように、対向基板
２の周辺部にＵＶ硬化型のシール樹脂２１を塗布した
後、図４（ａ）にて液晶性化合物３を滴下したアクティ
ブマトリクス基板１との貼り合わせを行う。

【００５９】そして、図４（ｃ）に示すように、上述の
シール樹脂２１が大きく乱れない程度に、基板表面にシ
ェアリング処理を施す。これにより、ディスコティック
カラムナー相のカラム軸が基板面に対して垂直な構造が
得られる。

【００６０】その後、図４（ｄ）に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板１の裏面側よりＵＶ照射を行い、図
４（ｂ）にて塗布したシール樹脂２１を硬化させる。

【００６１】このようにして、本実施の形態１における
二次元画像検出器は作製される。なお、シール樹脂２１
は、シェアリング処理の後に、上下基板の周辺部外側か
ら形成してもよく、また、予めアクティブマトリクス基
板１側の周辺部に塗布しておいても構わない。

【００６２】ここで、図２および図５を用いて、上述し
た二次元画像検出器の動作原理について説明する。図５
は、本実施の形態１における二次元画像検出器の１画素
当たりの等価回路を示す回路図である。

【００６３】ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅからなる半導体基
板（光導電体基板）１６にＸ線が入射すると、光導電効
果によりこの半導体基板１６に電荷（電子−正孔）が発
生する。この時、電荷蓄積容量（Ｃｓ）４と半導体基板
１６とは、画素電極１４／液晶性化合物３／接続電極６
を介して直列に接続された構造になっているので、上部
電極１７とＣｓ電極４との間に電圧を印加しておくと、
半導体基板１６内で発生した電荷（電子−正孔）がそれ
ぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積
容量（Ｃｓ）４に電荷が蓄積される仕組みになってい
る。

【００６４】なお、半導体基板１６と接続電極６との間
には、薄い絶縁層からなる電子阻止層１８が形成されて
おり、これが一方側からの電荷の注入を阻止するＭＩＳ
（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）構造の阻止型フォトダイオードの役割を果
たしており、Ｘ線が入射しない時の暗電流の低減に寄与
している。すなわち、上部電極１７側に正電圧を印加し
た場合、電子阻止層１８は接続電極６から半導体基板
（光導電体）１６への電子の注入を阻止する働きをす
る。なお、半導体基板（光導電体）１６と上部電極１７
との間にも絶縁層を設け、上部電極１７から半導体基板
（光導電体）１６への正孔の注入も阻止し、更なる暗電
流低減を図る場合もある。

【００６５】この阻止型フォトダイオードの構造として
は、前記ＭＩＳ構造の他にも、ＣｄＴｅ／ＣｄＳなどの
積層膜を用いたヘテロ接合構造、ＰＩＮ接合構造、ショ
ットキー接合構造を用いることも、もちろん可能であ
る。

【００６６】前記の作用により、電荷蓄積容量（Ｃｓ）
４に蓄積された電荷は、ゲート電極８の入力信号によっ
て薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５をオープン状態にする
ことでソース電極９より外部に取り出すことが可能であ
る。電極配線（ゲート電極８とソース電極９）、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）５、電荷蓄積容量（Ｃｓ）４など
は、従来例の図７にも示すように、すべてＸＹマトリク
ス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ
３、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走査すること
で、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能とな
る。このように、基本的な動作原理は、従来例に示した
画像検出器と同様である。

【００６７】前記のごとく、本実施の形態１における二
次元画像検出器は、格子状の電極配線と各格子点毎に設
けられた複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５と複数の
画素電極１４とが具備されたアクティブマトリクス基板
１と、光導電性を有する半導体基板１６がほぼ全面に具
備された対向基板２とが、導電性を有する液晶性化合物
３により電気的に接続されている構成であることを特徴
としている。

【００６８】したがって、従来の画像検出器のように、
光導電半導体を直接アクティブマトリクス基板上に成膜
する場合に問題となっていた、アクティブマトリクス基
板の耐熱性に起因する光導電体の成膜温度の制限が、本
実施の形態１の構成では緩和される。この結果、従来で
はアクティブマトリクス基板上に直接成膜できなかった
半導体材料を、容易に画像検出器に使用することが可能
になる。これに伴い、次にアクティブマトリクス基板の
耐熱性から液晶性化合物の液晶相転移および等方相転移
の温度が制限されることになる。しかしながら、通常ア
クティブマトリクス基板は、２５０℃程度の耐熱性を有
していることから、この温度以下でディスコティックカ
ラムナー相を示す液晶性化合物を適宜選択すればよく、
このことは、二次元画像検出器を実現するうえで全く障
害にはならない。

【００６９】また、前記理由により、半導体基板（光導
電体基板）としてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを用いること
ができるため、従来のａ−Ｓｅを用いた二次元画像検出
器に比べてＸ線に対する感度が向上するとともに、半導
体基板と上部電極間に誘電体層を設ける必要がなくな
り、動画に対応する画像データ、すなわち３３ｍｓｅｃ
／ｆｒａｍのレートで画像データを得ることが可能にな
った。

【００７０】また、前記構造の二次元画像検出器は、半
導体基板の貼り合わせ面に、アクティブマトリクス基板
上に形成されている複数の画素電極に対応して各画素毎
に独立された接続電極が形成されている。これにより、
対向基板の半導体基板上の画素間が電気的に分離され、
放射線や光線の入射により半導体基板内で発生した電荷
が、入射位置に対応した接続電極にのみ収集され、周囲
の画素に回り込むことなく電気的クロストークが抑制さ
れる。

【００７１】さらに、例えば図１にも示しているよう
に、対向基板２上に１画素内でできるだけ大きなサイズ
の接続電極６を形成し、各画素における画素電極１４と
接続電極６との面積の関係を（画素電極面積）＜（接続
電極面積）となるように構成することにより、Ｘ線や光
線の入射により半導体内で発生した電荷を効率良く収集
することができるとともに、アクティブマトリクス基板
１と対向基板２との貼り合わせ時に位置ずれが生じたと
しても、隣接画素との電気的クロストークを抑制するこ
とが可能となる。本実施の形態１では、画素電極１４の
形状を一辺が約８０μｍのほぼ正方形とし、また、接続
電極６の形状を一辺が約１２０μｍのほぼ正方形とする
ことで、上下基板の貼り合わせ時における位置ずれに対
して、±２０μｍのマージンを確保することが可能とな
った。

【００７２】（実施の形態２）本発明に係る二次元画像
検出器に用いられるアクティブマトリクス基板は、図２
に示した構造に限定されるものではなく、上述した実施
の形態１で示した二次元画像検出器の他の構成について
以下に説明する。図６は、本発明の実施の形態２に係る
二次元画像検出器を示すものであり、該二次元画像検出
器の１画素当たりの構成を示す断面図である。

【００７３】なお、本実施の形態２に係る二次元画像検
出器の構成は、図２に示した本実施の形態１に係る二次
元画像検出器の構成と類似しているため、図２で用いた
部材と同一の機能を有する部材については同一の部材番
号を付記し、その説明を省略する。

【００７４】図６に示すように、本実施の形態２におけ
る二次元画像検出器は、本実施の形態１に係る二次元画
像検出器と同様に、ガラス基板７上にＸＹマトリクス状
の電極配線（ゲート電極８とソース電極９）、薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）５、電荷蓄積容量（Ｃｓ）４などが
形成されている。

【００７５】このガラス基板７には、無アルカリガラス
基板（例えばコーニング社製＃７０５９や＃１７３７）
を用い、その上にＴａなどの金属膜からなるゲート電極
８を形成する。ゲート電極８は、Ｔａなどをスパッタ蒸
着で約３０００Å成膜した後、所望の形状にパターニン
グして得られる。この際、同時に電荷蓄積容量電極（Ｃ
ｓ電極）４も形成される。次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘか
らなる絶縁膜１１をＣＶＤ法で約３５００Å成膜して形
成する。この絶縁膜１１は、前記薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）５のゲート絶縁膜および電荷蓄積容量（Ｃｓ）４
の電極間の誘電層として作用する。なお、絶縁膜１１と
して、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだけでなく、ゲート電極８と
Ｃｓ電極４とを陽極酸化した陽極酸化膜を併用してもよ
い。

【００７６】次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５のチ
ャネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１２と、ソース・ド
レイン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ⁺層）
１３とをＣＶＤ法で各々約１０００Å、約４００Å成膜
した後、所望の形状にパターニングする。次に、Ｔａや
Ａｌなどの金属膜からなるソース電極９とドレイン電極
１０とを形成する。このソース電極９とドレイン電極１
０とは、上記金属膜をスパッタ蒸着で約３０００Å成膜
した後、所望の形状にパターニングすることで得られ
る。

【００７７】その後、このアクティブマトリクス基板の
ほぼ全面を覆う形で、絶縁保護膜４２を約３μｍの厚み
でコートする。この絶縁保護膜４２には、感光性を有す
る有機絶縁膜、例えばアクリル樹脂などを用いる。その
後、絶縁保護膜４２をフォトリソグラフィ技術でパター
ニングし、所定の場所にスルーホール４３を形成する。
次に、絶縁保護膜４２の上に、Ａｌ、Ｔｉ、ＩＴＯなど
の導電膜からなる画素電極１４をスパッタ蒸着法で約２
０００Å成膜し、所望の形状にパターニングする。この
時、保護絶縁膜４２に設けたスルーホール４３を介し
て、画素電極１４と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５のド
レイン電極１０とを電気的に接続する。

【００７８】そして、上述したような構造のアクティブ
マトリクス基板を、実施の形態１と同様に、Ｘ線に対し
て光導電性を有する半導体基板（光導電体基板）１６を
支持基板とする対向基板２と、画素電極１４と接続電極
６とが画素領域毎に各々が対向するように配置して、両
者の間隔に図６に示すような形態で異方導電性を有する
液晶性化合物３を存在させて貼り合わせることで、本実
施の形態２における二次元画像検出器は完成する。実施
の形態１に記載の二次元画像検出器と比較すると、アク
ティブマトリクス基板の構造が若干異なるだけで、二次
元画像検出器としての基本的な動作原理は同じである。

【００７９】以上のように、本実施の形態２に係る二次
元画像検出器は、アクティブマトリクス基板のほぼ全表
面を有機絶縁膜からなる絶縁保護膜４２で覆った構成と
なっているため、該絶縁保護膜４２が下地基板（ガラス
基板７上にＸＹマトリクス状の電極配線やＴＦＴ５が形
成されている状態のもの）の平坦化効果をもたらす。す
なわち、図２に示した本実施の形態１の構成では、ＴＦ
Ｔ５やＸＹマトリクス状の電極配線によりアクティブマ
トリクス基板１の表面に１μｍ程度の凹凸が生じるが、
本実施の形態２では、図６に示すように、絶縁保護膜４
２によって下地基板の表面が平坦化されるため、アクテ
ィブマトリクス基板の表面の凹凸は約０．２μｍに抑え
られる。

【００８０】また、本実施の形態２の構成では、画素電
極１４をＴＦＴ５や電極配線の上にオーバーラップさせ
た状態で形成させることができるため、画素電極１４の
設計マージンを大きくとることができる。

【００８１】（実施の形態３）本発明に係る二次元画像
検出器に用いられる対向基板は、図２に示した構造に限
定されるものではなく、上述した実施の形態１で示した
二次元画像検出器の他の構成について以下に説明する。
図７は、本発明の実施の形態３に係る二次元画像検出器
を示すものであり、該二次元画像検出器の１画素当たり
の構成を示す断面図である。

【００８２】なお、本実施の形態３に係る二次元画像検
出器の構成は、図２に示した本実施の形態１に係る二次
元画像検出器の構成と類似しているため、図２で用いた
部材と同一の機能を有する部材については同一の部材番
号を付記し、その説明を省略する。

【００８３】図７に示すように、ここで用いる対向基板
は、支持基板４６と、該支持基板４６上に成膜される半
導体膜（半導体層）４７とによって主に構成されてい
る。具体的には、支持基板４６としては、Ｘ線に対して
透過性を有する基板を用いる必要があり、ガラス、セラ
ミック、シリコン基板などを用いることができる。な
お、ここでは、Ｘ線と可視光の両者に対して透過性の優
れた、厚みが０．７〜１．１ｍｍのガラス基板を用いて
いる。このような基板であれば、４０〜１００ｋｅＶの
Ｘ線をほとんど透過する。

【００８４】まず、支持基板４６の一方の面のほぼ全面
に、Ｔｉ、Ａｇなどの金属によって上部電極１７を形成
する。但し、この二次元画像検出器を可視光による像の
検出に用いる場合には、前記上部電極１７として可視光
に対して透明なＩＴＯ電極を用いる。

【００８５】次に、この上部電極１７上に半導体膜４７
として、ＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ
の多結晶膜を約０．５ｍｍの厚みで形成する。ＭＯＣＶ
Ｄ法は、大面積基板への成膜に適しており、原料である
有機カドミウム（ジメチルカドミウム［ＤＭＣｄ］な
ど）、有機テルル（ジエチルテルル［ＤＥＴｅ］やジイ
ソプロピルテルル［ＤｉＰＴｅ］など）、有機亜鉛（ジ
エチル亜鉛［ＤＥＺｎ］やジイソプロピル亜鉛［ＤｉＰ
Ｚｎ］やジメチル亜鉛［ＤＭＺｎ］など）を用いて、４
００〜５００℃の成膜温度で成膜が可能である。

【００８６】更にその上に、ＡｌＯｘの薄い絶縁層から
なる電子阻止層１８を、ほぼ全面に形成した後、Ｔａや
Ａｌなど金属膜を約２０００Å成膜し所望の形状にパタ
ーニングすることで接続電極６を形成する。この接続電
極６は、アクティブマトリクス基板１に形成された画素
電極１４と対応する位置に形成するとよい。

【００８７】前記構造の対向基板を、実施の形態１と同
様に、アクティブマトリクス基板１と、画素電極１４と
接続電極６とが画素領域毎に各々が対向するように配置
して、両者の間隔に図７に示すような形態で異方導電性
を有する液晶性化合物３を存在させて貼り合わせること
で、本実施の形態２における二次元画像検出器は完成す
る。

【００８８】これを実施の形態１に記載の二次元画像検
出器と比較すると、対向基板の構造が若干異なるだけ
で、その基本的な動作原理は同じである。

【００８９】このような構造の対向基板を用いると、支
持基板４６上に光導電性を有する半導体膜４７を形成し
ているので、実施の形態１に記載の対向基板に比べて、
力学的強度を増すことが可能になる。したがって、対向
基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせる際
に、対向基板が割れにくくなり、プロセスマージンが増
大する。

【００９０】また、この二次元画像検出器の使用目的を
Ｘ線による像の検出に限定すれば、Ｘ線を透過しやすい
金属基板を用いて、支持基板４６と上部電極１７とを兼
用させることも可能である。

【００９１】なお、上述したような実施の形態１〜３で
は、主にＸ線（放射線）に対する二次元画像検出器の場
合について説明してきたが、使用する半導体（光導電
体）がＸ線などの放射線に対する光導電性だけでなく、
可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合は、可視
光や赤外光の二次元画像検出器として使用することも可
能である。ただし、この場合は、半導体（光導電体）か
らみて光入射側に配置される上部電極の材料としては、
ＩＴＯなどの可視光や赤外光を透過する透明電極を材料
として用いる必要がある。また、半導体（光導電体）の
厚みも、可視光、赤外光の吸収効率に応じて最適化する
必要がある。

【００９２】

【発明の効果】本発明の二次元画像検出器によれば、格
子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた
複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介し
て前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容
量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面
に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および
電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを
備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層
を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および
半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティ
ブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導
体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、
該両基板は、導電性を有する液晶性化合物によって電気
的に接続されていることを特徴としていることにより、
これまで半導体の成膜温度とアクティブマトリクス基板
の耐熱温度との関係で、アクティブマトリクス基板上に
直接成膜することのできなかった半導体材料を画像検出
器として使用することができるという効果を奏する。

【００９３】また、このときの前記半導体層は、放射線
に対して感度を有していることにより、放射線に対する
二次元画像検出器を実現することができるという効果を
奏する。

【００９４】そして、この前記半導体層として、ＣｄＴ
ｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を用いていること
により、これまで用いられてきたａ−Ｓｅからなる半導
体と比較して、放射線に対する感度が向上し、動画の撮
影ができるという効果を奏する。

【００９５】また、このときの前記液晶性化合物は、異
方導電性を有していることにより、アクティブマトリク
ス基板と対向基板との間において各画素毎に絶縁壁を設
けなくても両基板電極間のみに限定した電気的接続が可
能となっており、隣接画素間の電気的絶縁性を確保する
ことが可能となっている。つまり、本発明における上述
した液晶性化合物はカラム軸方向に限定された異方導電
性を有することが望ましい。

【００９６】そして、この前記液晶性化合物は、ディス
コティックカラムナー相を示す配向状態であることによ
り、上述したカラム軸方向に限定された異方導電性を有
する液晶性化合物を得ることができるという効果を奏す
る。

【００９７】なお、本発明では、上述した液晶性化合物
として室温付近で液晶となるものを使用することによ
り、製造過程において液晶充填などの処理を比較的低温
で行うことが可能となり、また、上述した液晶性化合物
として室温付近で固体（結晶）となるものを使用するこ
とにより、異方導電性を示す分子の層構造が液晶と比較
してより安定した状態を保つことができ、品質を向上さ
せることが可能となる。

【００９８】また、前記対向基板の半導体層表面に、前
記アクティブマトリクス基板上に形成されている各画素
電極に対応して、複数の接続電極が形成されていること
により、対向基板上の半導体の画素間が電気的に分離さ
れ、放射線や光線の入射によって半導体内で発生した電
荷が入射位置に対応した接続電極にのみ収集され、周囲
の画素に回り込むことなく電気的クロストークを抑制す
ることができるという効果を奏する。

【００９９】このとき、上述した複数の画素電極の面積
を、上述した複数の接続電極の面積よりも小さく形成す
ることにより、Ｘ線や光線の入射により発生した電荷を
効率よく収集することができるとともに、アクティブマ
トリクス基板と対向基板との貼り合わせ時に位置ずれが
生じたとしても隣接画素との電気的クロストークを抑制
することが可能となる。

【０１００】また、このときの前記対向基板は、光導電
性を有する半導体層自身を支持基板とすることにより、
ブリッジマン法やグラディエントフリーズ法、トラベル
ヒーティング法などによって得られる結晶性半導体基板
を容易に利用することが可能となる。

【０１０１】また、このときの前記対向基板は、検出す
る光や放射線を透過する基板を支持基板とし、該支持基
板上に光導電性を有する半導体膜が形成されている構成
とすることにより、対向基板自身の強度を大幅に増強す
ることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る二次元画
像検出器の全体構成の概略を示す断面図である。

【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係る二次元画
像検出器の１画素当たりの構成の概略を示す断面図であ
る。

【図３】図３（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１
に係る二次元画像検出器の液晶性化合物として用いるこ
とのできる代表的なディスコティック液晶の分子構造図
である。

【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１
に係る二次元画像検出器におけるアクティブマトリクス
基板と対向基板との貼り合わせを示したプロセス図であ
る。

【図５】図５は、本発明の実施の形態１に係る二次元画
像検出器の１画素当たりの等価回路を示す図面である。

【図６】図６は、本発明の実施の形態２に係る二次元画
像検出器の１画素当たりの構成の概略を示す断面図であ
る。

【図７】図７は、本発明の実施の形態３に係る二次元画
像検出器の１画素当たりの構成の概略を示す断面図であ
る。

【図８】図８は、従来の二次元画像検出器の構造の模式
的に示した図面である。

【図９】図９は、従来の二次元画像検出器の１画素当た
りの構成の概略を示す断面図である。

【符号の説明】

１アクティブマトリクス基板２対向基板３液晶性化合物４電荷蓄積容量電極５薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６接続電極７ガラス基板８ゲート電極９ソース電極１０ドレイン電極１１絶縁膜１２ａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１３ａ−Ｓｉ膜（ｎ⁺層）１４画素電極１５絶縁保護膜１６半導体基板１７上部電極１８電子阻止層２０ディスペンサー２１シール樹脂４２絶縁保護膜４３コンタクトホール４６支持基板４７半導体膜（光導電膜）５１ガラス基板５２ゲート電極５３ソース電極５４薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５５電荷蓄積容量電極５６光導電膜（Ｓｅ）５７誘電体層５８上部電極５９Ｃｓ電極６０画素電極６１絶縁膜６２電子阻止層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ０２Ｆ 1/136 ５００Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０４Ｎ 5/32 29/786 Ｈ０１Ｌ 27/14 ＫＨ０４Ｎ 5/32 29/78 ６２２

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性
を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器にお
いて、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えてお
り、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対
向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置され
るとともに、該両基板は、導電性を有する液晶性化合物
によって電気的に接続されていることを特徴とする二次
元画像検出器。
【請求項２】前記半導体層が、放射線に対して感度を
有することを特徴とする請求項１に記載の二次元画像検
出器。
【請求項３】前記半導体層が、ＣｄＴｅもしくはＣｄ
ＺｎＴｅ化合物半導体であることを特徴とする請求項２
に記載の二次元画像検出器。
【請求項４】前記液晶性化合物は、異方導電性を有す
ることを特徴とする請求項１乃至３に記載の二次元画像
検出器。
【請求項５】前記液晶性化合物は、ディスコティック
カラムナー相を示す配向状態であることを特徴とする請
求項１乃至４に記載の二次元画像検出器。
【請求項６】前記対向基板の半導体層表面に、前記ア
クティブマトリクス基板上に形成されている各画素電極
に対応して、複数の接続電極が形成されていることを特
徴とする請求項１乃至５に記載の二次元画像検出器。
【請求項７】前記対向基板は、光導電性を有する半導
体層自身が支持基板であることを特徴とする請求項１乃
至６に記載の二次元画像検出器。
【請求項８】前記対向基板は、検出する光や放射線を
透過する基板を支持基板とし、該支持基板上に光導電性
を有する半導体膜が形成されていることを特徴とする請
求項１乃至６に記載の二次元画像検出器。