JPH11298041A - ３族窒化物半導体発光素子及び光源装置 - Google Patents
３族窒化物半導体発光素子及び光源装置Info
- Publication number
- JPH11298041A JPH11298041A JP12291898A JP12291898A JPH11298041A JP H11298041 A JPH11298041 A JP H11298041A JP 12291898 A JP12291898 A JP 12291898A JP 12291898 A JP12291898 A JP 12291898A JP H11298041 A JPH11298041 A JP H11298041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- lead frame
- room
- layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】順方向及び逆方向の静電圧に対する耐絶縁破壊
性を向上させること。 【解決手段】リードフレーム４０２がインサート成形さ
れ、リードフレーム４０２が露出した第１部屋４０４と
第２部屋４０６とが形成された枠体４００が設けられて
いる。第１部屋４０４に青色発光ダイオード１００Ｂ、
緑色発光ダイオード１００Ｇ、赤色発光ダイオード１０
０Ｒの各チップがダイボンディグされており、第２部屋
４０６には、露出したリードフレームにツェナーダイオ
ード３００Ｂ、３００Ｇが配設されていいる。ツェナー
ダイオード３００Ｂ、３００Ｇは、それぞれのダイオー
ドに並列接続されており、各ダイオードの順方向の動作
電圧以上の電圧でツェナーブレイクダウンを起こすよう
な極性で接続されている。これにより、順方向の過電圧
に対してはツェナーブレイクダウンにより、逆方向の過
電圧に対しては通常の順方向ダイオードとして過電流が
バイパスされる。
性を向上させること。 【解決手段】リードフレーム４０２がインサート成形さ
れ、リードフレーム４０２が露出した第１部屋４０４と
第２部屋４０６とが形成された枠体４００が設けられて
いる。第１部屋４０４に青色発光ダイオード１００Ｂ、
緑色発光ダイオード１００Ｇ、赤色発光ダイオード１０
０Ｒの各チップがダイボンディグされており、第２部屋
４０６には、露出したリードフレームにツェナーダイオ
ード３００Ｂ、３００Ｇが配設されていいる。ツェナー
ダイオード３００Ｂ、３００Ｇは、それぞれのダイオー
ドに並列接続されており、各ダイオードの順方向の動作
電圧以上の電圧でツェナーブレイクダウンを起こすよう
な極性で接続されている。これにより、順方向の過電圧
に対してはツェナーブレイクダウンにより、逆方向の過
電圧に対しては通常の順方向ダイオードとして過電流が
バイパスされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は順方向及び逆方向の
静電耐圧を向上させた３族窒化物半導体を用いた発光素
子及びその素子を用いた光源装置に関する。
静電耐圧を向上させた３族窒化物半導体を用いた発光素
子及びその素子を用いた光源装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、３族窒化物半導体発光素子として、
In1-XGaXN/GaN のＭＱＷから成る発光層をｐ型のAlGaN
からなるｐ層とGaN から成るｎ層とで挟んだダブルヘテ
ロ構造のものが知られている。この発光素子は発光層の
インジウムの組成比を変化させることにより、緑色から
青色の範囲の発光が可能である。この理由のために、カ
ラー発光素子、カラー情報読取光源としての利用が期待
されている。
In1-XGaXN/GaN のＭＱＷから成る発光層をｐ型のAlGaN
からなるｐ層とGaN から成るｎ層とで挟んだダブルヘテ
ロ構造のものが知られている。この発光素子は発光層の
インジウムの組成比を変化させることにより、緑色から
青色の範囲の発光が可能である。この理由のために、カ
ラー発光素子、カラー情報読取光源としての利用が期待
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の構成の
３族窒化物半導体から成る発光素子は、静電気に対する
順、逆方向の耐電圧が低いという問題がある。
３族窒化物半導体から成る発光素子は、静電気に対する
順、逆方向の耐電圧が低いという問題がある。
【０００４】本発明は上記の課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的は、静電気に対する耐絶縁破
壊性を向上させることである。
れたものであり、その目的は、静電気に対する耐絶縁破
壊性を向上させることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用効果】本発明は、
３族窒化物半導体から成るｐ層、そのｐ層に対するｐ電
極、ｎ層及びそのｎ層に対するｎ電極とから成る発光部
を有した発光素子において、ｐ電極とｎ電極との間に、
ｐ電極とｎ電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧
に対して定電圧で導通する定電圧ダイオード、ｐ電極と
ｎ電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧、及び、
逆電圧に対して定電圧で導通する双方向性定電圧ダイオ
ード、及び、コンデンサのうち、少なくとも１種から成
る静電圧に対する補償素子を接続したことをことを特徴
とする。
３族窒化物半導体から成るｐ層、そのｐ層に対するｐ電
極、ｎ層及びそのｎ層に対するｎ電極とから成る発光部
を有した発光素子において、ｐ電極とｎ電極との間に、
ｐ電極とｎ電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧
に対して定電圧で導通する定電圧ダイオード、ｐ電極と
ｎ電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧、及び、
逆電圧に対して定電圧で導通する双方向性定電圧ダイオ
ード、及び、コンデンサのうち、少なくとも１種から成
る静電圧に対する補償素子を接続したことをことを特徴
とする。
【０００６】この補償素子の作用により、発光部に順方
向及び逆方向に印加される静電気による破壊を防止する
ことができる。請求項２、３の発明は、補償素子と発光
部とを別々の基板に形成し、両者の接続をリードで行っ
たものであり、特に、請求項３の発明は、共通に樹脂で
封止したものである。発光部と補償素子とを別々に製造
でき、それらの集積により素子を形成できるので、最適
な製造工程を得ることができる。補償素子と発光部を共
通に樹脂で封止した場合には、補償素子の防水や機械的
外力に対する保護を図ることができる。
向及び逆方向に印加される静電気による破壊を防止する
ことができる。請求項２、３の発明は、補償素子と発光
部とを別々の基板に形成し、両者の接続をリードで行っ
たものであり、特に、請求項３の発明は、共通に樹脂で
封止したものである。発光部と補償素子とを別々に製造
でき、それらの集積により素子を形成できるので、最適
な製造工程を得ることができる。補償素子と発光部を共
通に樹脂で封止した場合には、補償素子の防水や機械的
外力に対する保護を図ることができる。
【０００７】請求項４、５の発明は、補償素子と発光部
とを同一基板に形成したものであるので、発光部の層形
成工程において補償素子を製造することができ、製造が
簡略化される。又、請求項５の発明は、発光部の上に補
償素子を積層したものであり、発光部を形成する工程に
続いて補償素子を形成できるため、製造が簡単となる。
とを同一基板に形成したものであるので、発光部の層形
成工程において補償素子を製造することができ、製造が
簡略化される。又、請求項５の発明は、発光部の上に補
償素子を積層したものであり、発光部を形成する工程に
続いて補償素子を形成できるため、製造が簡単となる。
【０００８】請求項６、７、８の発明は、発光素子を複
数搭載した光源装置に関するものである。請求項６の発
明は、リードフレームと、リードフレームをインサート
成形しそのリードフレームが一部露出された部屋を有し
た樹脂枠体と、その部屋のリードフレーム上に、請求項
１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光素子であっ
て、少なくとも、青色を発光する発光素子と緑色を発光
する発光素子とを配設したことを特徴とする。
数搭載した光源装置に関するものである。請求項６の発
明は、リードフレームと、リードフレームをインサート
成形しそのリードフレームが一部露出された部屋を有し
た樹脂枠体と、その部屋のリードフレーム上に、請求項
１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光素子であっ
て、少なくとも、青色を発光する発光素子と緑色を発光
する発光素子とを配設したことを特徴とする。
【０００９】請求項７の発明は、補償素子と発光部とが
別基板であり、リードフレームと、リードフレームをイ
ンサート成形しそのリードフレームが一部露出された第
１部屋と第２部屋とを有した樹脂枠体と、その第１部屋
のリードフレーム上に、少なくとも、青色を発光する発
光素子もしくは緑色を発光する発光素子とを配設し、第
２部屋のリードフレーム上に補償素子を配設したことを
特徴とする。
別基板であり、リードフレームと、リードフレームをイ
ンサート成形しそのリードフレームが一部露出された第
１部屋と第２部屋とを有した樹脂枠体と、その第１部屋
のリードフレーム上に、少なくとも、青色を発光する発
光素子もしくは緑色を発光する発光素子とを配設し、第
２部屋のリードフレーム上に補償素子を配設したことを
特徴とする。
【００１０】これらの構成により、１つの光源装置か
ら、少なくとも、光の３原色のうち、青色および／又は
緑色の光を選択的、又は、混色光を得ることができる。
ら、少なくとも、光の３原色のうち、青色および／又は
緑色の光を選択的、又は、混色光を得ることができる。
【００１１】請求項８の発明は、赤色を発光する発光素
子がさらに部屋のリードフレーム上に配設されている。
これにより、光の３原色を得ることができ、カラー表示
器、カラーイメージスキャナの光源に用いることができ
る。
子がさらに部屋のリードフレーム上に配設されている。
これにより、光の３原色を得ることができ、カラー表示
器、カラーイメージスキャナの光源に用いることができ
る。
【００１２】請求項９の発明は、発光素子が搭載された
部屋には、発光素子の搭載後に透明樹脂が封入されてい
ることを特徴とする。この構成により、光源装置の製造
が容易となり、光を出力できる機密性の良好な光源を得
ることができる。
部屋には、発光素子の搭載後に透明樹脂が封入されてい
ることを特徴とする。この構成により、光源装置の製造
が容易となり、光を出力できる機密性の良好な光源を得
ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】〔第１実施例〕図１は、サファイ
ア基板１１上に形成されたGaN 系化合物半導体で形成さ
れた発光素子である発光ダイオード１００の模式的な断
面構成図である。基板１１の上には窒化アルミニウム(A
lN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、
その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0
μｍの高キャリア濃度ｎ+ 層１３が形成されている。こ
の高キャリア濃度ｎ+ 層１３の上にSiドープのｎ型GaN
から成る膜厚約0.5 μｍのクラッド層１４が形成されて
いる。そして、クラッド層１４の上に膜厚約35ÅのGaN
から成るバリア層１５１と膜厚約35ÅのGa0.8In0.2N か
ら成る井戸層１５２とが交互に積層された多重量子井戸
構造(MQW) の発光層１５が形成されている。バリア層１
５１は６層、井戸層１５２は５層である。発光層１５の
上にはｐ型Al0.15Ga0.85N から成る膜厚約50nmのクラッ
ド層１６が形成されている。さらに、クラッド層１６の
上にはｐ型GaN から成る膜厚約100nm のコンタクト層１
７が形成されている。
ア基板１１上に形成されたGaN 系化合物半導体で形成さ
れた発光素子である発光ダイオード１００の模式的な断
面構成図である。基板１１の上には窒化アルミニウム(A
lN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、
その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0
μｍの高キャリア濃度ｎ+ 層１３が形成されている。こ
の高キャリア濃度ｎ+ 層１３の上にSiドープのｎ型GaN
から成る膜厚約0.5 μｍのクラッド層１４が形成されて
いる。そして、クラッド層１４の上に膜厚約35ÅのGaN
から成るバリア層１５１と膜厚約35ÅのGa0.8In0.2N か
ら成る井戸層１５２とが交互に積層された多重量子井戸
構造(MQW) の発光層１５が形成されている。バリア層１
５１は６層、井戸層１５２は５層である。発光層１５の
上にはｐ型Al0.15Ga0.85N から成る膜厚約50nmのクラッ
ド層１６が形成されている。さらに、クラッド層１６の
上にはｐ型GaN から成る膜厚約100nm のコンタクト層１
７が形成されている。
【００１４】又、コンタクト層１７の上には金属蒸着に
よる透光性のｐ電極１８Ａが、ｎ+層１３上にはｎ電極
１８Ｂが形成されている。透光性のｐ電極１８Ａは、コ
ンタクト層１７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)
と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)とで構成されてい
る。ｎ電極１８Ｂは膜厚約 200Åのバナジウム(V) と、
膜厚約1.8 μｍのアルミニウム(Al)又はAl合金で構成さ
れている。ｐ電極１８Ａ上の一部には、CoもしくはNiと
Au、Al、又は、それらの合金から成る膜厚約1.5μｍの
電極パッド２０が形成されている。又、基板１１の裏面
には、膜厚約200nm のアルミニウム(Al)から成る金属層
１０が形成されている。
よる透光性のｐ電極１８Ａが、ｎ+層１３上にはｎ電極
１８Ｂが形成されている。透光性のｐ電極１８Ａは、コ
ンタクト層１７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)
と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)とで構成されてい
る。ｎ電極１８Ｂは膜厚約 200Åのバナジウム(V) と、
膜厚約1.8 μｍのアルミニウム(Al)又はAl合金で構成さ
れている。ｐ電極１８Ａ上の一部には、CoもしくはNiと
Au、Al、又は、それらの合金から成る膜厚約1.5μｍの
電極パッド２０が形成されている。又、基板１１の裏面
には、膜厚約200nm のアルミニウム(Al)から成る金属層
１０が形成されている。
【００１５】次に、この発光ダイオード１００の製造方
法について説明する。上記発光ダイオード１００は、有
機金属気相成長法（以下「MOVPE 」と略す）による気相
成長により製造された。用いられたガスは、アンモニア
(NH3) 、キャリアガス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(G
a(CH3)3)（以下「TMG 」と記す）、トリメチルアルミニ
ウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す）、トリメチルイ
ンジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と記す）、シラン(S
iH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)
（以下「CP2Mg 」と記す）である。まず、有機洗浄及び
熱処理により洗浄したａ面を主面とした単結晶の基板１
１をMOVPE 装置の反応室に載置されたサセプタに装着す
る。次に、常圧でH2を反応室に流しながら温度1100℃で
基板１１をベーキングした。次に、基板１１の温度を40
0 ℃まで低下させて、H2、NH3 及びTMA を供給してAlN
のバッファ層１２を約25nmの膜厚に形成した。
法について説明する。上記発光ダイオード１００は、有
機金属気相成長法（以下「MOVPE 」と略す）による気相
成長により製造された。用いられたガスは、アンモニア
(NH3) 、キャリアガス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(G
a(CH3)3)（以下「TMG 」と記す）、トリメチルアルミニ
ウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す）、トリメチルイ
ンジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と記す）、シラン(S
iH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)
（以下「CP2Mg 」と記す）である。まず、有機洗浄及び
熱処理により洗浄したａ面を主面とした単結晶の基板１
１をMOVPE 装置の反応室に載置されたサセプタに装着す
る。次に、常圧でH2を反応室に流しながら温度1100℃で
基板１１をベーキングした。次に、基板１１の温度を40
0 ℃まで低下させて、H2、NH3 及びTMA を供給してAlN
のバッファ層１２を約25nmの膜厚に形成した。
【００１６】次に、基板１１の温度を1150℃に保持し、
H2、NH3 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.0 μｍ、
電子濃度2 ×1018/cm3のGaN から成る高キャリア濃度ｎ
+ 層１３を形成した。次に、基板１１の温度を1150℃に
保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びシランを供給
して、膜厚約0.5 μｍ、電子濃度1 ×1018/cm3のGaN か
ら成るクラッド層１４を形成した。上記のクラッド層１
４を形成した後、続いて、N2又はH2、NH3 及びTMG を供
給して、膜厚約35ÅのGaN から成るバリア層１５１を形
成した。次に、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給し
て、膜厚約35ÅのGa0.8In0.2N から成る井戸層１５２を
形成した。さらに、バリア層１５１と井戸層１５２を同
一条件で４周期形成し、その上にGaN から成るバリア層
１５１を形成した。このようにして５周期のMQW 構造の
発光層１５を形成した。
H2、NH3 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.0 μｍ、
電子濃度2 ×1018/cm3のGaN から成る高キャリア濃度ｎ
+ 層１３を形成した。次に、基板１１の温度を1150℃に
保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びシランを供給
して、膜厚約0.5 μｍ、電子濃度1 ×1018/cm3のGaN か
ら成るクラッド層１４を形成した。上記のクラッド層１
４を形成した後、続いて、N2又はH2、NH3 及びTMG を供
給して、膜厚約35ÅのGaN から成るバリア層１５１を形
成した。次に、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給し
て、膜厚約35ÅのGa0.8In0.2N から成る井戸層１５２を
形成した。さらに、バリア層１５１と井戸層１５２を同
一条件で４周期形成し、その上にGaN から成るバリア層
１５１を形成した。このようにして５周期のMQW 構造の
発光層１５を形成した。
【００１７】次に、基板１１の温度を1100℃に保持し、
N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びCP2Mg を供給して、膜
厚約50nm、マグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al0.15Ga
0.85N から成るクラッド層１６を形成した。次に、基板
１１の温度を1100℃に保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 及
びCP2Mg を供給して、膜厚約100nm 、Mgをドープしたｐ
型GaN から成るコンタクト層１７を形成した。次に、コ
ンタクト層１７の上にエッチングマスクを形成し、所定
領域のマスクを除去して、マスクで覆われていない部分
のコンタクト層１７、クラッド層１６、発光層１５、ク
ラッド層１４、ｎ+ 層１３の一部を塩素を含むガスによ
る反応性イオンエッチングによりエッチングして、ｎ+
層１３の表面を露出させた。次に、フォトリソグラフィ
により、ｎ+ 層１３に対するｎ電極１８Ｂと、コンタク
ト層１７に対する透光性のｐ電極１８Ａと、電極パッド
２０を形成した。
N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びCP2Mg を供給して、膜
厚約50nm、マグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al0.15Ga
0.85N から成るクラッド層１６を形成した。次に、基板
１１の温度を1100℃に保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 及
びCP2Mg を供給して、膜厚約100nm 、Mgをドープしたｐ
型GaN から成るコンタクト層１７を形成した。次に、コ
ンタクト層１７の上にエッチングマスクを形成し、所定
領域のマスクを除去して、マスクで覆われていない部分
のコンタクト層１７、クラッド層１６、発光層１５、ク
ラッド層１４、ｎ+ 層１３の一部を塩素を含むガスによ
る反応性イオンエッチングによりエッチングして、ｎ+
層１３の表面を露出させた。次に、フォトリソグラフィ
により、ｎ+ 層１３に対するｎ電極１８Ｂと、コンタク
ト層１７に対する透光性のｐ電極１８Ａと、電極パッド
２０を形成した。
【００１８】このようにして形成された発光ダイオード
１００は、図２に示すように、リード２０３の上部の平
坦部２０３に取り付けられ、ｎ電極１８Ｂとリード２０
１がワイヤ２０４で接続され、電極バッド２０とリード
２０２がワイヤ２０５で接続された後、レンズ２０６を
形成するために樹脂成形される。一方、補償素子を構成
するツェナーダイオード３００のアノード３０１がリー
ド２０１に接続され、ツェナーダイオード３００のカソ
ード３０２がリード２０２に接続されている。
１００は、図２に示すように、リード２０３の上部の平
坦部２０３に取り付けられ、ｎ電極１８Ｂとリード２０
１がワイヤ２０４で接続され、電極バッド２０とリード
２０２がワイヤ２０５で接続された後、レンズ２０６を
形成するために樹脂成形される。一方、補償素子を構成
するツェナーダイオード３００のアノード３０１がリー
ド２０１に接続され、ツェナーダイオード３００のカソ
ード３０２がリード２０２に接続されている。
【００１９】これにより、発光ダイオード１００の順方
向の動作電圧（約３．５Ｖ）よりも高い静電圧がリード
２０２、２０１間に順方向（リード２０２が２０１に対
して正電位）に印加される場合には、ツェナーダイオー
ド３００がブレイクダウンして、静電圧による過剰電流
はツェナーダイオード３００を流れることになるので、
発光ダイオード１００は静電圧による絶縁破壊から保護
される。又、リード２０２、２０１間に発光ダイオード
１００の動作電圧に対して逆方向に静電圧が印加された
場合には、ツェナーダイオード３００には通常のダイオ
ードとして順方向に過剰電流が流れることになり、発光
ダイオード１００は高い逆電圧から保護されることにな
る。
向の動作電圧（約３．５Ｖ）よりも高い静電圧がリード
２０２、２０１間に順方向（リード２０２が２０１に対
して正電位）に印加される場合には、ツェナーダイオー
ド３００がブレイクダウンして、静電圧による過剰電流
はツェナーダイオード３００を流れることになるので、
発光ダイオード１００は静電圧による絶縁破壊から保護
される。又、リード２０２、２０１間に発光ダイオード
１００の動作電圧に対して逆方向に静電圧が印加された
場合には、ツェナーダイオード３００には通常のダイオ
ードとして順方向に過剰電流が流れることになり、発光
ダイオード１００は高い逆電圧から保護されることにな
る。
【００２０】このように、リード２０２と２０１間に、
順方向及び逆方向に高い静電圧が印加されても、電流は
ツェナーダイオード３００を流れることになり、発光ダ
イオード１００は静電圧による絶縁破壊から保護され
る。
順方向及び逆方向に高い静電圧が印加されても、電流は
ツェナーダイオード３００を流れることになり、発光ダ
イオード１００は静電圧による絶縁破壊から保護され
る。
【００２１】〔第２実施例〕本実施例は、図３に示すよ
うに、双方向性のツェナーダイオード３１０を発光ダイ
オード１００と共に樹脂成形し、レンズ２０６の中に組
み込んだものである。ツェナーダイオード３１０の防水
及び機械的外力からの保護が達成される。補償素子とし
て双方向性のツェナーダイオードを用いた場合には、順
方向及び逆方向の静電圧に対して、ツェナーブレークダ
ウンを生じ、双方向の動作抵抗が極めて小さくなるた
め、発光ダイオード１００のより確実な保護が達成され
る。
うに、双方向性のツェナーダイオード３１０を発光ダイ
オード１００と共に樹脂成形し、レンズ２０６の中に組
み込んだものである。ツェナーダイオード３１０の防水
及び機械的外力からの保護が達成される。補償素子とし
て双方向性のツェナーダイオードを用いた場合には、順
方向及び逆方向の静電圧に対して、ツェナーブレークダ
ウンを生じ、双方向の動作抵抗が極めて小さくなるた
め、発光ダイオード１００のより確実な保護が達成され
る。
【００２２】〔第３実施例〕本実施例は、図４に示すよ
うに、発光ダイオード１２０のコンタクト層１７の上に
ツェナーダイオード３３０を形成した例である。上述し
たように、バッファ層２からコンタクト層１７まで形成
する。その後、ツェナーダイオード３３０を形成するた
めに、ｎ型のGaN から成る第１層３３３とｐ型のGaN か
ら成る第２層３３４までを一様に形成する。
うに、発光ダイオード１２０のコンタクト層１７の上に
ツェナーダイオード３３０を形成した例である。上述し
たように、バッファ層２からコンタクト層１７まで形成
する。その後、ツェナーダイオード３３０を形成するた
めに、ｎ型のGaN から成る第１層３３３とｐ型のGaN か
ら成る第２層３３４までを一様に形成する。
【００２３】そして、第１実施例と同様な工程により、
エッチングした後、発光ダイオード１２０のｐ電極１８
Ａ、電極パッド２０、ｎ電極１８Ｂ、ツェナーダイオー
ド３３０のｐ電極層３３１、ｎ電極層３３２を形成す
る。このようにして形成された発光素子は図４に示すよ
うにリード２０１の平坦部２０３に取り付けられる。そ
して、発光ダイオード１２０の電極パッド２０はツェナ
ーダイオード３３０のｎ電極層３３２（カソード）にワ
イヤ２２０で電気的に接続されると共にワイヤ２２１に
よりリード２０２に電気的に接続される。同様に、発光
ダイオード１２０のｎ電極１８Ｂはリード２０１にワイ
ヤ２２２で電気的に接続され、ツェナーダイオード３３
０のｐ電極層３３１はワイヤ２２３によりリード２０１
に電気的に接続される。
エッチングした後、発光ダイオード１２０のｐ電極１８
Ａ、電極パッド２０、ｎ電極１８Ｂ、ツェナーダイオー
ド３３０のｐ電極層３３１、ｎ電極層３３２を形成す
る。このようにして形成された発光素子は図４に示すよ
うにリード２０１の平坦部２０３に取り付けられる。そ
して、発光ダイオード１２０の電極パッド２０はツェナ
ーダイオード３３０のｎ電極層３３２（カソード）にワ
イヤ２２０で電気的に接続されると共にワイヤ２２１に
よりリード２０２に電気的に接続される。同様に、発光
ダイオード１２０のｎ電極１８Ｂはリード２０１にワイ
ヤ２２２で電気的に接続され、ツェナーダイオード３３
０のｐ電極層３３１はワイヤ２２３によりリード２０１
に電気的に接続される。
【００２４】これにより、発光ダイオード１２０に対し
てツェナダイオード３３０が並列接続されたことにな
り、第１実施例と同様な作用効果を奏する。
てツェナダイオード３３０が並列接続されたことにな
り、第１実施例と同様な作用効果を奏する。
【００２５】又、上記の第１〜第３の実施例において、
発光ダイオード１００、１２０に順方向及び逆方向に、
500Vの静電気を印加したが絶縁破壊は見られなかった。
発光ダイオード１００、１２０に順方向及び逆方向に、
500Vの静電気を印加したが絶縁破壊は見られなかった。
【００２６】〔第４実施例〕本実施例は、第１実施例で
説明した３族窒化物半導体から成る発光ダイオード（チ
ップ）１００について青色発光と緑色発光の２種類を製
造した。発光層１５のインジウムの組成比を多くするこ
とで、緑色発光のダイオードチップが得られる。又、赤
色の発光ダイオード（チップ）は、InGaAlP 系の化合物
半導体で得ることができる。この青色発光ダイオード１
００Ｂ、緑色発光ダイオード１００Ｇ、赤色発光ダイオ
ード１００Ｒを１つの樹脂枠体４００に配設したもので
ある。
説明した３族窒化物半導体から成る発光ダイオード（チ
ップ）１００について青色発光と緑色発光の２種類を製
造した。発光層１５のインジウムの組成比を多くするこ
とで、緑色発光のダイオードチップが得られる。又、赤
色の発光ダイオード（チップ）は、InGaAlP 系の化合物
半導体で得ることができる。この青色発光ダイオード１
００Ｂ、緑色発光ダイオード１００Ｇ、赤色発光ダイオ
ード１００Ｒを１つの樹脂枠体４００に配設したもので
ある。
【００２７】図５、図６に示すように、リードフレーム
４０２のインサート成形により樹脂枠体４００が形成さ
れる。この樹脂枠体４００は、図面の上部から窪みがあ
り、下のリードフレーム４０２が露出した第１部屋４０
４と第２部屋４０６とが形成されている。この第１部屋
４０４に青色発光ダイオード１００Ｂ、緑色発光ダイオ
ード１００Ｇ、赤色発光ダイオード１００Ｒの各チップ
がダイボンディグされている。リード４０８は共通端子
であり、各ダイオードチップのｎ電極がワイヤボンディ
ングされている。リード４１０は青色発光ダイオード１
００Ｂの陽極端子であり、そのｐ電極がワイヤボンディ
ングされている。同様に、リード４１２は緑色発光ダイ
オード１００Ｇの陽極端子であり、そのｐ電極がワイヤ
ボンディングされている。リード４１４は赤色発光ダイ
オード１００Ｒの陽極端子であり、そのｐ電極がワイヤ
ボンディングされている。尚、リード４１６は電位遮蔽
のためのリードである。
４０２のインサート成形により樹脂枠体４００が形成さ
れる。この樹脂枠体４００は、図面の上部から窪みがあ
り、下のリードフレーム４０２が露出した第１部屋４０
４と第２部屋４０６とが形成されている。この第１部屋
４０４に青色発光ダイオード１００Ｂ、緑色発光ダイオ
ード１００Ｇ、赤色発光ダイオード１００Ｒの各チップ
がダイボンディグされている。リード４０８は共通端子
であり、各ダイオードチップのｎ電極がワイヤボンディ
ングされている。リード４１０は青色発光ダイオード１
００Ｂの陽極端子であり、そのｐ電極がワイヤボンディ
ングされている。同様に、リード４１２は緑色発光ダイ
オード１００Ｇの陽極端子であり、そのｐ電極がワイヤ
ボンディングされている。リード４１４は赤色発光ダイ
オード１００Ｒの陽極端子であり、そのｐ電極がワイヤ
ボンディングされている。尚、リード４１６は電位遮蔽
のためのリードである。
【００２８】又、第２部屋４０６には、露出したリード
フレームにツェナーダイオード３００Ｂ、３００Ｇが配
設されていいる。リード４０８には、ツェナーダイオー
ド３００Ｂ、３００Ｇの陽極（ｐ電極）がダイボンディ
ングされており、その陰極（ｎ電極）はリード４１０、
４１２に、それぞれ、ワイヤーボンディングされてい
る。この各発光ダイオードと各ツェナーダイオードとの
接続関係は、図１と同様である。尚、赤色発光ダイオー
ド３００Ｒにはツェナーダイオードが接続されていない
が、これは、InGaAlP 系の化合物半導体の場合には、３
族窒化物半導体と異なり、順方向にも逆方向にも、十分
な静電耐圧があるためである。
フレームにツェナーダイオード３００Ｂ、３００Ｇが配
設されていいる。リード４０８には、ツェナーダイオー
ド３００Ｂ、３００Ｇの陽極（ｐ電極）がダイボンディ
ングされており、その陰極（ｎ電極）はリード４１０、
４１２に、それぞれ、ワイヤーボンディングされてい
る。この各発光ダイオードと各ツェナーダイオードとの
接続関係は、図１と同様である。尚、赤色発光ダイオー
ド３００Ｒにはツェナーダイオードが接続されていない
が、これは、InGaAlP 系の化合物半導体の場合には、３
族窒化物半導体と異なり、順方向にも逆方向にも、十分
な静電耐圧があるためである。
【００２９】このように、各発光ダイオードチップとツ
ェナーダイオードチップとをリードフレムー上に接続し
た後に、第１部屋４０４と第２部屋４０６とに透明樹脂
が充填される。これにより、第１部屋４０４の表面か
ら、青色、緑色、赤色の３原色を選択的に、又は、それ
らの任意の混色光を得ることができる。このような光源
装置は、カラーイメージスキャナの光源とすることがで
きる。
ェナーダイオードチップとをリードフレムー上に接続し
た後に、第１部屋４０４と第２部屋４０６とに透明樹脂
が充填される。これにより、第１部屋４０４の表面か
ら、青色、緑色、赤色の３原色を選択的に、又は、それ
らの任意の混色光を得ることができる。このような光源
装置は、カラーイメージスキャナの光源とすることがで
きる。
【００３０】上記のいずれの実施例においても、ツェナ
ーダイオードは、双方向性のツェナーダイオードであっ
ても良い。即ち、個別的なツェナーダイオードを相互に
逆向きに直列接続した素子、又は、ｐｎｐ、ｎｐｎ型の
ように反対の伝導型の層を積層した１個の双方向性のツ
ェナーダイオードを用いても良い。又、ツェナーダイオ
ードに代えて、一方向性及び双方向性の定電圧ダイオー
ドであるアバランシェダイオードを用いて良い。さら
に、損失のあるコンデンサを用いても良い。例えば、第
３実施例において、ツェナーダイオード３３０を双方向
性とするには、ｎ型の第１層３３３とｐ型の第２層３３
４と、さらに、ｐ型の第２層の上にｎ型の第３層を積層
して、ｎｐｎ構造とする。これにより、双方向性のツェ
ナーダイオードをコンタクト層１７の上に形成すること
ができる。又、第３実施例において、補償素子としてコ
ンデンサを用いる場合には、コンタクト層１７の上に一
様にｐ電極１８Ａを形成し、そのｐ電極１８Ａの上にSi
O2から成る絶縁膜を形成し、その上に金属電極を形成す
れば良い。さらに、第３実施例では、コンタクト層１７
の上にツェナーダイオードを形成したが、一方向又は双
方向性のツェナーダイオードをサファイア基板１１上の
発光ダイオード１２０と別の区画に形成しても良い。
ーダイオードは、双方向性のツェナーダイオードであっ
ても良い。即ち、個別的なツェナーダイオードを相互に
逆向きに直列接続した素子、又は、ｐｎｐ、ｎｐｎ型の
ように反対の伝導型の層を積層した１個の双方向性のツ
ェナーダイオードを用いても良い。又、ツェナーダイオ
ードに代えて、一方向性及び双方向性の定電圧ダイオー
ドであるアバランシェダイオードを用いて良い。さら
に、損失のあるコンデンサを用いても良い。例えば、第
３実施例において、ツェナーダイオード３３０を双方向
性とするには、ｎ型の第１層３３３とｐ型の第２層３３
４と、さらに、ｐ型の第２層の上にｎ型の第３層を積層
して、ｎｐｎ構造とする。これにより、双方向性のツェ
ナーダイオードをコンタクト層１７の上に形成すること
ができる。又、第３実施例において、補償素子としてコ
ンデンサを用いる場合には、コンタクト層１７の上に一
様にｐ電極１８Ａを形成し、そのｐ電極１８Ａの上にSi
O2から成る絶縁膜を形成し、その上に金属電極を形成す
れば良い。さらに、第３実施例では、コンタクト層１７
の上にツェナーダイオードを形成したが、一方向又は双
方向性のツェナーダイオードをサファイア基板１１上の
発光ダイオード１２０と別の区画に形成しても良い。
【００３１】又、上記実施例ではダブルヘテロ接合構造
を用いたが、シングルヘテロ接合構造であっても良い。
又、発光層１５をＭＱＷとしたが、ＳＱＷでも良い。さ
らに、上記実施例は、発光ダイオードの例を示したが、
レーザダイオードであっても同様に構成可能である。
又、上記の第３実施例において、ツェナーダイオード３
３０は３族窒化物半導体を用いたが他の物質であっても
良い。
を用いたが、シングルヘテロ接合構造であっても良い。
又、発光層１５をＭＱＷとしたが、ＳＱＷでも良い。さ
らに、上記実施例は、発光ダイオードの例を示したが、
レーザダイオードであっても同様に構成可能である。
又、上記の第３実施例において、ツェナーダイオード３
３０は３族窒化物半導体を用いたが他の物質であっても
良い。
【図１】本発明の具体的な第１実施例に係る発光ダイオ
ードの構成を示した構成図。
ードの構成を示した構成図。
【図２】第１実施例に係る発光ダイオードの機構を示し
た構成図。
た構成図。
【図３】第２実施例に係る発光ダイオードの機構を示し
た構成図。
た構成図。
【図４】第３実施例に係る発光ダイオードの層構造を示
した断面図。
した断面図。
【図５】第４実施例に係る光源装置の機構を示した平面
図。
図。
【図６】第４実施例に係る光源装置の構成を示した透視
図。
図。
１００，１２０…発光ダイオード １０…金属層 １１…サファイア基板 １２…バッファ層 １３…高キャリア濃度ｎ+ 層 １４、１６…クラッド層 １５…発光層 １７…コンタクト層 １８Ａ…ｐ電極 １８Ｂ…ｎ電極 ２０…電極パッド ３００，３１０，３３０，３００Ｂ，３００Ｇ…ツェナ
ーダイオード ３３１…ｐ電極層 ３３２…ｎ電極層 ２０１，２０２…リード ２２０，２２１，２２２，２２３…ワイヤ ４００…樹脂枠体 ４０２…リードフレーム ４０４…第１部屋 ４０６…第２部屋 ４０８，４１０，４１２，４１４，４１６…リード １００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…発光ダイオード
ーダイオード ３３１…ｐ電極層 ３３２…ｎ電極層 ２０１，２０２…リード ２２０，２２１，２２２，２２３…ワイヤ ４００…樹脂枠体 ４０２…リードフレーム ４０４…第１部屋 ４０６…第２部屋 ４０８，４１０，４１２，４１４，４１６…リード １００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…発光ダイオード
Claims (9)
- 【請求項１】３族窒化物半導体から成るｐ層、そのｐ層
に対するｐ電極、ｎ層及びそのｎ層に対するｎ電極とか
ら成る発光部を有した発光素子において、 前記ｐ電極と前記ｎ電極との間に、前記ｐ電極と前記ｎ
電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧に対して定
電圧で導通する定電圧ダイオード、前記ｐ電極と前記ｎ
電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧、及び、逆
電圧に対して定電圧で導通する双方向性定電圧ダイオー
ド、及び、コンデンサのうち、少なくとも１種から成る
静電気に対する補償素子を接続したことをことを特徴と
する３族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項２】前記補償素子は、前記発光部が形成されて
いる基板と別の基板に形成され、前記発光部と前記補償
素子との電気的接続はリードにより行われていることを
特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体発光素
子。 - 【請求項３】前記補償素子は、前記発光部が形成されて
いる基板と別の基板に形成され、前記発光部と前記補償
素子との電気的接続はリードにより行われ、前記発光部
と前記補償素子とが樹脂で封止されていることを特徴と
する請求項２に記載の３族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項４】前記補償素子は、前記発光部が形成されて
いる基板と同一基板に形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の３族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項５】前記補償素子は、前記発光部の前記ｐ層の
上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の
３族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項６】リードフレームと、リードフレームをイン
サート成形しそのリードフレームが一部露出された部屋
を有した樹脂枠体と、その部屋のリードフレーム上に、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光素子
であって、少なくとも、青色を発光する発光素子もしく
は緑色を発光する発光素子とを配設したことを特徴とす
る光源装置。 - 【請求項７】リードフレームと、リードフレームをイン
サート成形しそのリードフレームが一部露出された第１
部屋と第２部屋とを有した樹脂枠体と、その第１部屋の
リードフレーム上に、請求項２に記載の発光素子であっ
て、少なくとも、青色を発光する発光素子と緑色を発光
する発光素子とを配設し、前記第２部屋のリードフレー
ム上に前記補償素子を配設したことを特徴とする光源装
置。 - 【請求項８】赤色を発光する発光素子がさらに前記部屋
のリードフレーム上に配設されていることを特徴とする
請求項６又は請求項７に記載の光源装置。 - 【請求項９】前記発光素子が搭載された前記部屋には、
発光素子の搭載後に透明樹脂が封入されていることを特
徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の
光源装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12291898A JPH11298041A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | ３族窒化物半導体発光素子及び光源装置 |
| TW088105995A TW420880B (en) | 1998-04-15 | 1999-04-15 | Group III nitride semiconductor light-emitting element and light source device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12291898A JPH11298041A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | ３族窒化物半導体発光素子及び光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298041A true JPH11298041A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14847829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12291898A Pending JPH11298041A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | ３族窒化物半導体発光素子及び光源装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11298041A (ja) |
| TW (1) | TW420880B (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812481B2 (en) | 2001-09-03 | 2004-11-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED device and manufacturing method thereof |
| JP2005353647A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 |
| JP2006108682A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 回路保護ユニットを備える発光装置 |
| JP2006228904A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Sanken Electric Co Ltd | 複合半導体装置 |
| JP2007043175A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 保護素子を含む側面型発光ダイオード |
| CN1330010C (zh) * | 2003-06-26 | 2007-08-01 | 三星电机株式会社 | 多色发光二极管封装 |
| JP2007280983A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2010101079A1 (ja) | 2009-03-03 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法 |
| US8008677B2 (en) | 2004-04-17 | 2011-08-30 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device and fabrication method thereof and light emitting system using the same |
| JP2013021302A (ja) * | 2011-05-19 | 2013-01-31 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄモジュールおよびイメージセンサモジュール |
| US8399899B2 (en) | 2009-07-01 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US8421094B2 (en) | 2010-01-22 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| JP2013078102A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-04-25 | Rohm Co Ltd | イメージセンサモジュール |
| JP2014063744A (ja) * | 1999-12-14 | 2014-04-10 | Naoco Inc | Ｌｅｄランプ装置 |
| US9024334B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP12291898A patent/JPH11298041A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-15 TW TW088105995A patent/TW420880B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014063744A (ja) * | 1999-12-14 | 2014-04-10 | Naoco Inc | Ｌｅｄランプ装置 |
| JP2015079764A (ja) * | 1999-12-14 | 2015-04-23 | 株式会社ナオコ | Ｌｅｄランプ装置 |
| US6872585B2 (en) | 2001-09-03 | 2005-03-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED device and manufacturing method thereof |
| US6812481B2 (en) | 2001-09-03 | 2004-11-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED device and manufacturing method thereof |
| CN1330010C (zh) * | 2003-06-26 | 2007-08-01 | 三星电机株式会社 | 多色发光二极管封装 |
| EP1587151A3 (en) * | 2004-04-17 | 2011-09-28 | LG Electronics, Inc. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US8263996B2 (en) | 2004-04-17 | 2012-09-11 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device and fabrication method thereof and light emitting system using the same |
| US8008677B2 (en) | 2004-04-17 | 2011-08-30 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device and fabrication method thereof and light emitting system using the same |
| JP2005353647A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 |
| US7995636B2 (en) | 2004-06-08 | 2011-08-09 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and manufacturing method thereof |
| JP2006108682A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 回路保護ユニットを備える発光装置 |
| JP2006228904A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Sanken Electric Co Ltd | 複合半導体装置 |
| JP2007043175A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 保護素子を含む側面型発光ダイオード |
| JP2007280983A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2010101079A1 (ja) | 2009-03-03 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法 |
| US8575630B2 (en) | 2009-03-03 | 2013-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, light emitting device unit, and method for fabricating light emitting device |
| US8399899B2 (en) | 2009-07-01 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9024334B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
| US9231023B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-01-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
| US9607970B2 (en) | 2009-11-13 | 2017-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
| US8421094B2 (en) | 2010-01-22 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US8723195B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device with plurality of LED chips and/or electrode wiring pattern |
| US9093357B2 (en) | 2010-01-22 | 2015-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9312304B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | LED illuminating device comprising light emitting device including LED chips on single substrate |
| US9425236B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9679942B2 (en) | 2010-01-22 | 2017-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9966367B2 (en) | 2010-01-22 | 2018-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| JP2013021302A (ja) * | 2011-05-19 | 2013-01-31 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄモジュールおよびイメージセンサモジュール |
| JP2013078102A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-04-25 | Rohm Co Ltd | イメージセンサモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW420880B (en) | 2001-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7414271B2 (en) | Thin film led | |
| US7691650B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| US7291865B2 (en) | Light-emitting semiconductor device | |
| US5557115A (en) | Light emitting semiconductor device with sub-mount | |
| US20080210958A1 (en) | Semiconductor white light emitting device and method for manufacturing the same | |
| JP3244010B2 (ja) | 周縁に電極を有する発光ダイオード | |
| JP3298390B2 (ja) | 窒化物半導体多色発光素子の製造方法 | |
| TW200917605A (en) | Laser light emitting device | |
| JPH11298041A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子及び光源装置 | |
| KR20080089859A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| JPH1022527A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2002185044A (ja) | 窒化物半導体多色発光素子 | |
| US20150076444A1 (en) | Semiconductor light emitting element and light emitting device including the same | |
| US20120104418A1 (en) | Light-emitting module and alternating current light-emitting device | |
| JP4122552B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2005150664A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP4569858B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JP3691202B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US10164148B2 (en) | High-voltage driven light emitting element and method for manufacturing same | |
| KR20080000784A (ko) | 제너 다이오드를 구비하는 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| KR101826032B1 (ko) | 발광다이오드칩과 이의 제조방법 | |
| JP2000012903A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| KR101273177B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| JP3503551B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3938350B2 (ja) | 半導体発光素子のマウント方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040413 |