JPH11298242A - 発振器とこれを用いた高周波モジュール - Google Patents
発振器とこれを用いた高周波モジュールInfo
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- JPH11298242A JPH11298242A JP10094330A JP9433098A JPH11298242A JP H11298242 A JPH11298242 A JP H11298242A JP 10094330 A JP10094330 A JP 10094330A JP 9433098 A JP9433098 A JP 9433098A JP H11298242 A JPH11298242 A JP H11298242A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化された発振器を得る。
【解決手段】 コレクタ接地トランジスタ１８と共振回
路２０で形成される発振回路１１と、コレクタ接地トラ
ンジスタ４０と共振回路４２で形成される発振回路１２
とを備え、トランジスタ１３に加えられる制御電圧によ
り、発振回路１１と発振回路１２とを選択的に活性化す
る構成としたものである。これにより、小型化された発
振器を提供することができる。
路２０で形成される発振回路１１と、コレクタ接地トラ
ンジスタ４０と共振回路４２で形成される発振回路１２
とを備え、トランジスタ１３に加えられる制御電圧によ
り、発振回路１１と発振回路１２とを選択的に活性化す
る構成としたものである。これにより、小型化された発
振器を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２種類の発振周波
数を選択的に出力する発振器とこれを用いた高周波モジ
ュールに関するものである。
数を選択的に出力する発振器とこれを用いた高周波モジ
ュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の発振器について説明する。
従来の発振器は図５に示すように、第１の周波数を出力
する発振回路１と、第２の周波数を出力する発振回路２
と、発振回路１のオン・オフを行うＮＰＮ型スイッチト
ランジスタ３と、発振回路２のオン・オフを行うＰＮＰ
型トランジスタ４とで構成されていた。そして、制御電
圧入力端子５からの入力にしたがって、発振回路１と発
振回路２とが選択的に選ばれて出力端子６から出力され
ていた。
従来の発振器は図５に示すように、第１の周波数を出力
する発振回路１と、第２の周波数を出力する発振回路２
と、発振回路１のオン・オフを行うＮＰＮ型スイッチト
ランジスタ３と、発振回路２のオン・オフを行うＰＮＰ
型トランジスタ４とで構成されていた。そして、制御電
圧入力端子５からの入力にしたがって、発振回路１と発
振回路２とが選択的に選ばれて出力端子６から出力され
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の構成では、発振回路１と発振回路２のいずれか
を選択するのにＮＰＮ型のトランジスタ３とＰＮＰ型の
トランジスタ４の２つのトランジスタが必要となり、発
振器が大型化してしまうと言う問題があった。
な従来の構成では、発振回路１と発振回路２のいずれか
を選択するのにＮＰＮ型のトランジスタ３とＰＮＰ型の
トランジスタ４の２つのトランジスタが必要となり、発
振器が大型化してしまうと言う問題があった。
【０００４】そこで本発明は、この問題を解決するため
に小型化された発振器を提供することを目的としたもの
である。
に小型化された発振器を提供することを目的としたもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の発振器は、第１のコレクタ接地トランジスタ
と第１の共振回路で形成される第１の発振回路と、第２
のコレクタ接地トランジスタと第２の共振回路で形成さ
れる第２の発振回路とを備え、第３のトランジスタに加
えられる制御電圧により前記第１の発振回路と前記第２
の発振回路とを選択的に活性化する構成としたものであ
る。
に本発明の発振器は、第１のコレクタ接地トランジスタ
と第１の共振回路で形成される第１の発振回路と、第２
のコレクタ接地トランジスタと第２の共振回路で形成さ
れる第２の発振回路とを備え、第３のトランジスタに加
えられる制御電圧により前記第１の発振回路と前記第２
の発振回路とを選択的に活性化する構成としたものであ
る。
【０００６】これにより、小型化された発振器を提供す
ることができる。
ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、第１のコレクタ接地トランジスタと第１の共振回路
で形成される第１の発振回路と、第２のコレクタ接地ト
ランジスタと第２の共振回路で形成される第２の発振回
路とを備え、第３のトランジスタに加えられる制御電圧
により前記第１の発振回路と前記第２の発振回路とを選
択的に活性化する発振器であり、これにより第３のトラ
ンジスタ１つのみで第１の発振回路と第２の発振回路と
を切り替えることができるので、発振器の小型化を図る
ことができる。また、発振回路の切り替えは第３のトラ
ンジスタ１つで行えるので、低価格の発振器が得られ
る。更に、発振回路の切り替えは第３のトランジスタ１
つで行うので、第１の発振回路と第２の発振回路とが同
時にオンしたり、同時にオフしたりすることはなく必ず
どちらか一方の発振回路がオンしているので、負荷電流
の平均化が図れる。このことにより、外部に対するノイ
ズが少なくなる。また、過渡電流の変化がないので、供
給する電源の設計が楽である。
は、第１のコレクタ接地トランジスタと第１の共振回路
で形成される第１の発振回路と、第２のコレクタ接地ト
ランジスタと第２の共振回路で形成される第２の発振回
路とを備え、第３のトランジスタに加えられる制御電圧
により前記第１の発振回路と前記第２の発振回路とを選
択的に活性化する発振器であり、これにより第３のトラ
ンジスタ１つのみで第１の発振回路と第２の発振回路と
を切り替えることができるので、発振器の小型化を図る
ことができる。また、発振回路の切り替えは第３のトラ
ンジスタ１つで行えるので、低価格の発振器が得られ
る。更に、発振回路の切り替えは第３のトランジスタ１
つで行うので、第１の発振回路と第２の発振回路とが同
時にオンしたり、同時にオフしたりすることはなく必ず
どちらか一方の発振回路がオンしているので、負荷電流
の平均化が図れる。このことにより、外部に対するノイ
ズが少なくなる。また、過渡電流の変化がないので、供
給する電源の設計が楽である。
【０００８】請求項２に記載の発明の第３のトランジス
タは第１の抵抗を介して第１のトランジスタのエミッタ
に接続されるとともに第２の抵抗を介して第２のトラン
ジスタのベースに接続され、この第３のトランジスタの
ベースに制御電圧が加えられる請求項１に記載の発振器
であり、簡単な構成でスイッチ回路を実現することがで
きる。
タは第１の抵抗を介して第１のトランジスタのエミッタ
に接続されるとともに第２の抵抗を介して第２のトラン
ジスタのベースに接続され、この第３のトランジスタの
ベースに制御電圧が加えられる請求項１に記載の発振器
であり、簡単な構成でスイッチ回路を実現することがで
きる。
【０００９】請求項３に記載の発明は、第１のトランジ
スタと第２のトランジスタとの間に第３のトランジスタ
を配置した請求項２に記載の発振器であり、このように
配置することにより配線距離を短くすることができ、小
型化に寄与できる。又、配線距離を短くすることにより
発振周波数が直接他の回路に悪影響をおよぼすことはな
い。
スタと第２のトランジスタとの間に第３のトランジスタ
を配置した請求項２に記載の発振器であり、このように
配置することにより配線距離を短くすることができ、小
型化に寄与できる。又、配線距離を短くすることにより
発振周波数が直接他の回路に悪影響をおよぼすことはな
い。
【００１０】請求項４に記載の発明は、第１のトランジ
スタと第２のトランジスタと第３のトランジスタは共に
ＮＰＮ型のトランジスタで構成した請求項２に記載の発
振器であり、同一タイプのトランジスタで構成できるの
で、購入部品の種類が少なくて済むと共に部品管理も楽
である。
スタと第２のトランジスタと第３のトランジスタは共に
ＮＰＮ型のトランジスタで構成した請求項２に記載の発
振器であり、同一タイプのトランジスタで構成できるの
で、購入部品の種類が少なくて済むと共に部品管理も楽
である。
【００１１】請求項５に記載の発明は、発振器が実装さ
れるプリント基板には４層基板を用い、第１層目に電子
部品を装着し、第２層目と第４層目は全面グランドパタ
ーンとするとともに第３層目に共振回路を形成するイン
ダクタンスの一部をパターンで形成し、このインダクタ
ンスの残余の部分はスルーホールで第１層目に導出する
とともにこの第１層目に残余のインダクタンスをパター
ンで形成した請求項２に記載の発振器であり、これらの
グランドパターンにより、外部と高周波的に分離され
る。また、多層基板を用いることにより発振器の小型化
を図ることができる。更に、インダクタンスをパターン
で形成しているので振動に対して強く、携帯電話等に使
用すると有利である。更に又、インダクタンスの残余部
を１層目に設けているので発振周波数の調整を容易に行
うことができる。
れるプリント基板には４層基板を用い、第１層目に電子
部品を装着し、第２層目と第４層目は全面グランドパタ
ーンとするとともに第３層目に共振回路を形成するイン
ダクタンスの一部をパターンで形成し、このインダクタ
ンスの残余の部分はスルーホールで第１層目に導出する
とともにこの第１層目に残余のインダクタンスをパター
ンで形成した請求項２に記載の発振器であり、これらの
グランドパターンにより、外部と高周波的に分離され
る。また、多層基板を用いることにより発振器の小型化
を図ることができる。更に、インダクタンスをパターン
で形成しているので振動に対して強く、携帯電話等に使
用すると有利である。更に又、インダクタンスの残余部
を１層目に設けているので発振周波数の調整を容易に行
うことができる。
【００１２】請求項６に記載の発明は、請求項１に記載
の発振器の出力にトランジスタで形成されたエミッタ接
地増幅器を接続し、この増幅器のトランジスタのコレク
タに共振回路を設けるとともに、この共振回路は制御電
圧入力端子から入力される制御電圧によって共振周波数
を切り替える高周波モジュールであり、増幅器にも共振
回路が設けられているので、選択特性の良い発振器が得
られる。またこの制御電圧入力端子は発振器の制御電圧
入力端子に接続されているので、発振器の発振周波数を
切り替えに連動して増幅器の通過特性も変わるので、制
御が簡単である。
の発振器の出力にトランジスタで形成されたエミッタ接
地増幅器を接続し、この増幅器のトランジスタのコレク
タに共振回路を設けるとともに、この共振回路は制御電
圧入力端子から入力される制御電圧によって共振周波数
を切り替える高周波モジュールであり、増幅器にも共振
回路が設けられているので、選択特性の良い発振器が得
られる。またこの制御電圧入力端子は発振器の制御電圧
入力端子に接続されているので、発振器の発振周波数を
切り替えに連動して増幅器の通過特性も変わるので、制
御が簡単である。
【００１３】請求項７に記載の発明は、電子部品が実装
されるとともに略４角形をしたプリント基板と、このプ
リント基板の角近傍にそれぞれ制御電圧入力端子と、同
調電圧入力端子と、出力端子と、電源端子とを設けると
ともにこれらの端子間にグランド端子を設けた請求項６
に記載の高周波モジュールであり、制御電圧入力端子
と、同調電圧入力端子と、出力端子と、電源端子間の高
周波的絶縁度が向上する。したがって、お互いに妨害を
与えることはない。
されるとともに略４角形をしたプリント基板と、このプ
リント基板の角近傍にそれぞれ制御電圧入力端子と、同
調電圧入力端子と、出力端子と、電源端子とを設けると
ともにこれらの端子間にグランド端子を設けた請求項６
に記載の高周波モジュールであり、制御電圧入力端子
と、同調電圧入力端子と、出力端子と、電源端子間の高
周波的絶縁度が向上する。したがって、お互いに妨害を
与えることはない。
【００１４】以下、図面に従って本発明の一実施の形態
を説明する。図１は本発明の発振器の回路図である。図
１において、本発明の発振器は発振回路１１と、発振回
路１２と、この発振回路１１と発振回路１２とを選択的
に切り替える１つのＮＰＮ型スイッチトランジスタ１３
とで構成されている。そして、このトランジスタ１３の
ベースは抵抗１４を介して制御電圧入力端子１５に接続
されている。又コレクタは抵抗１６を介して電源端子１
７に接続されている。
を説明する。図１は本発明の発振器の回路図である。図
１において、本発明の発振器は発振回路１１と、発振回
路１２と、この発振回路１１と発振回路１２とを選択的
に切り替える１つのＮＰＮ型スイッチトランジスタ１３
とで構成されている。そして、このトランジスタ１３の
ベースは抵抗１４を介して制御電圧入力端子１５に接続
されている。又コレクタは抵抗１６を介して電源端子１
７に接続されている。
【００１５】発振回路１１は、ＮＰＮ型の発振トランジ
スタ１８と、このトランジスタ１８に結合コンデンサ１
９を介して共振回路２０に接続されている。トランジス
タ１８のコレクタはコンデンサ２１を介してグランドに
接地されるとともに電源端子１７に接続されている。ベ
ースは抵抗２２と２３とでバイアス電圧が与えられると
ともにコンデンサ２４を介してエミッタに接続されてい
る。このエミッタは抵抗２５を介して前記スイッチトラ
ンジスタ１３のコレクタに接続されるとともに結合コン
デンサ２６を介して出力端子２７に接続されている。ま
た、このトランジスタ１８のエミッタとグランドとの間
にはコンデンサ２８が設けられている。
スタ１８と、このトランジスタ１８に結合コンデンサ１
９を介して共振回路２０に接続されている。トランジス
タ１８のコレクタはコンデンサ２１を介してグランドに
接地されるとともに電源端子１７に接続されている。ベ
ースは抵抗２２と２３とでバイアス電圧が与えられると
ともにコンデンサ２４を介してエミッタに接続されてい
る。このエミッタは抵抗２５を介して前記スイッチトラ
ンジスタ１３のコレクタに接続されるとともに結合コン
デンサ２６を介して出力端子２７に接続されている。ま
た、このトランジスタ１８のエミッタとグランドとの間
にはコンデンサ２８が設けられている。
【００１６】共振回路２０は、パターンで形成されたイ
ンダクタンス３０と、このインダクタンス３０と並列に
接続された固定コンデンサ３１と可変コンデンサ３２の
直列接続体とで構成されている。なお、可変コンデンサ
３２のカソード側からは高抵抗３３を介して制御電圧入
力端子３５に接続されている。ここで、インダクタンス
３０は、固定インダクタンス３０ａと周波数調整用イン
ダクタンス３０ｂに分割されている。
ンダクタンス３０と、このインダクタンス３０と並列に
接続された固定コンデンサ３１と可変コンデンサ３２の
直列接続体とで構成されている。なお、可変コンデンサ
３２のカソード側からは高抵抗３３を介して制御電圧入
力端子３５に接続されている。ここで、インダクタンス
３０は、固定インダクタンス３０ａと周波数調整用イン
ダクタンス３０ｂに分割されている。
【００１７】発振回路１２も同様に、ＮＰＮ型の発振ト
ランジスタ４０と、このトランジスタ４０に結合コンデ
ンサ４１を介して共振回路４２に接続されている。トラ
ンジスタ４０のコレクタはコンデンサ４３を介してグラ
ンドに接地されるとともに電源端子１７に接続されてい
る。ベースは抵抗４４でトランジスタ１３のコレクタに
接続されるとともに抵抗４５でグランドに接続されてバ
イアス電圧が与えられている。また、このベースからは
コンデンサ４６を介してエミッタに接続されている。こ
のエミッタは抵抗４７を介してグランドに接続されると
ともに結合コンデンサ４８を介して出力端子２７に接続
されている。また、このトランジスタ４０のエミッタと
グランドとの間にはコンデンサ４９が設けられている。
ランジスタ４０と、このトランジスタ４０に結合コンデ
ンサ４１を介して共振回路４２に接続されている。トラ
ンジスタ４０のコレクタはコンデンサ４３を介してグラ
ンドに接地されるとともに電源端子１７に接続されてい
る。ベースは抵抗４４でトランジスタ１３のコレクタに
接続されるとともに抵抗４５でグランドに接続されてバ
イアス電圧が与えられている。また、このベースからは
コンデンサ４６を介してエミッタに接続されている。こ
のエミッタは抵抗４７を介してグランドに接続されると
ともに結合コンデンサ４８を介して出力端子２７に接続
されている。また、このトランジスタ４０のエミッタと
グランドとの間にはコンデンサ４９が設けられている。
【００１８】共振回路４２も同様に、パターンで形成さ
れたインダクタンス５０と、このインダクタンス５０と
並列に接続された固定コンデンサ５１と可変コンデンサ
５２の直列接続体とで構成されている。なお、可変コン
デンサ５２のカソード側からは高抵抗５３を介して制御
電圧入力端子３５に接続されている。ここで、インダク
タンス５０は、固定インダクタンス５０ａと周波数調整
用インダクタンス５０ｂに分割されている。
れたインダクタンス５０と、このインダクタンス５０と
並列に接続された固定コンデンサ５１と可変コンデンサ
５２の直列接続体とで構成されている。なお、可変コン
デンサ５２のカソード側からは高抵抗５３を介して制御
電圧入力端子３５に接続されている。ここで、インダク
タンス５０は、固定インダクタンス５０ａと周波数調整
用インダクタンス５０ｂに分割されている。
【００１９】以上のように構成された発振器について、
以下にその動作を説明する。発振回路１１は発振のため
のトランジスタ１８及びその周辺回路と共振回路２０と
で略１．７ＧHzの周波数を出力端子２７に出力する。ま
た、この発振周波数は同調電圧入力端子３５に入力され
る電圧の大きさでコンデンサ３２の容量が変わり出力周
波数を制御することができる。また、発振周波数の上限
や下限等はインダクタンス３０ｂをトリミングすること
により行う。
以下にその動作を説明する。発振回路１１は発振のため
のトランジスタ１８及びその周辺回路と共振回路２０と
で略１．７ＧHzの周波数を出力端子２７に出力する。ま
た、この発振周波数は同調電圧入力端子３５に入力され
る電圧の大きさでコンデンサ３２の容量が変わり出力周
波数を制御することができる。また、発振周波数の上限
や下限等はインダクタンス３０ｂをトリミングすること
により行う。
【００２０】発振回路１２に関しても同様である。すな
わち、発振回路１２は発振のためのトランジスタ４０及
びその周辺回路と共振回路４２とで略１．０ＧHzの周波
数を出力端子２７に出力する。また、この発振周波数は
同調電圧入力端子３５に入力される信号で可変コンデン
サ５２の容量が変わり、出力周波数を制御することがで
きる。また、発振周波数の上限や下限等はインダクタン
ス５０ｂをトリミングすることにより行う。
わち、発振回路１２は発振のためのトランジスタ４０及
びその周辺回路と共振回路４２とで略１．０ＧHzの周波
数を出力端子２７に出力する。また、この発振周波数は
同調電圧入力端子３５に入力される信号で可変コンデン
サ５２の容量が変わり、出力周波数を制御することがで
きる。また、発振周波数の上限や下限等はインダクタン
ス５０ｂをトリミングすることにより行う。
【００２１】ここで、発振回路１１と発振回路１２との
切り替えは、トランジスタ１３で行う。すなわち、制御
電圧入力端子１５をハイにすることによりトランジスタ
１３はオンとなり、このトランジスタ１３のエミッタは
グランドに接続されているのでコレクタはゼロ電位にな
る。すなわち、トランジスタ１８に電流が流れてオンす
るとともにトランジスタ４０はオフする。すなわち、出
力端子２７には発振回路１１から１．７ＧHzの周波数が
出力される。
切り替えは、トランジスタ１３で行う。すなわち、制御
電圧入力端子１５をハイにすることによりトランジスタ
１３はオンとなり、このトランジスタ１３のエミッタは
グランドに接続されているのでコレクタはゼロ電位にな
る。すなわち、トランジスタ１８に電流が流れてオンす
るとともにトランジスタ４０はオフする。すなわち、出
力端子２７には発振回路１１から１．７ＧHzの周波数が
出力される。
【００２２】同様に、制御電圧入力端子１５をローにす
るとトランジスタ１３はオフとなり、コレクタはハイに
なる。そうすると、トランジスタ１８がオフするととも
にトランジスタ４０はオンする。すなわち、出力端子２
７には発振回路１２から１．０ＧHzの周波数が出力され
る。
るとトランジスタ１３はオフとなり、コレクタはハイに
なる。そうすると、トランジスタ１８がオフするととも
にトランジスタ４０はオンする。すなわち、出力端子２
７には発振回路１２から１．０ＧHzの周波数が出力され
る。
【００２３】図２は、発振器の出力端子２７に接続され
るとともにＮＰＮ型のトランジスタで構成された増幅器
である。この増幅器は入力端子６１に接続された増幅回
路６２と、この増幅回路６２の出力からコンデンサ６３
を介して接続された増幅回路６４と、この増幅回路６４
の出力がコンデンサ６５を介して接続された出力端子６
６と、増幅回路６２を構成するトランジスタ６７のコレ
クタと電源端子１７との間に接続されるとともに周波数
切り替え可能な第１の共振回路６８と、増幅回路６４の
トランジスタ６９と電源端子１７との間に接続されると
ともに周波数切り替え可能な第２の共振回路７０と、制
御電圧入力端子７１（図１の制御電圧入力端子３５に接
続されている。）に接続され、共振回路６８と７０の共
振周波数を切り替えるスイッチ回路７２とで構成されて
いる。
るとともにＮＰＮ型のトランジスタで構成された増幅器
である。この増幅器は入力端子６１に接続された増幅回
路６２と、この増幅回路６２の出力からコンデンサ６３
を介して接続された増幅回路６４と、この増幅回路６４
の出力がコンデンサ６５を介して接続された出力端子６
６と、増幅回路６２を構成するトランジスタ６７のコレ
クタと電源端子１７との間に接続されるとともに周波数
切り替え可能な第１の共振回路６８と、増幅回路６４の
トランジスタ６９と電源端子１７との間に接続されると
ともに周波数切り替え可能な第２の共振回路７０と、制
御電圧入力端子７１（図１の制御電圧入力端子３５に接
続されている。）に接続され、共振回路６８と７０の共
振周波数を切り替えるスイッチ回路７２とで構成されて
いる。
【００２４】ここで、第１の共振回路６８は、インダク
タンス７４ａと７４ｂの直列接続とコンデンサ（このコ
ンデンサはパターンの浮遊容量で形成されている）７５
の並列接続で形成される。このコンデンサ７５とインダ
クタンス７４ｂとで高い方の周波数、１．７ＧHzに共振
し、コンデンサ７５とインダクタンス７４ａとインダク
タンス７４ｂとで低い方の周波数、１．０ＧHzに共振す
るように設計している。
タンス７４ａと７４ｂの直列接続とコンデンサ（このコ
ンデンサはパターンの浮遊容量で形成されている）７５
の並列接続で形成される。このコンデンサ７５とインダ
クタンス７４ｂとで高い方の周波数、１．７ＧHzに共振
し、コンデンサ７５とインダクタンス７４ａとインダク
タンス７４ｂとで低い方の周波数、１．０ＧHzに共振す
るように設計している。
【００２５】また、第２の共振回路７０も同様に、イン
ダクタンス７５ａと７５ｂの直列接続とコンデンサ（こ
のコンデンサはパターンの浮遊容量で形成されている）
７７の並列接続で形成される。このコンデンサ７７とイ
ンダクタンス７５ｂとで高い方の周波数、１．７ＧHzに
共振し、コンデンサ７７とインダクタンス７５ａとイン
ダクタンス７５ｂの和とで低い方の周波数、１．０ＧHz
に共振するように設計している。ここで、コンデンサ７
８とコンデンサ７９は共に直流カット用のコンデンサで
ある。
ダクタンス７５ａと７５ｂの直列接続とコンデンサ（こ
のコンデンサはパターンの浮遊容量で形成されている）
７７の並列接続で形成される。このコンデンサ７７とイ
ンダクタンス７５ｂとで高い方の周波数、１．７ＧHzに
共振し、コンデンサ７７とインダクタンス７５ａとイン
ダクタンス７５ｂの和とで低い方の周波数、１．０ＧHz
に共振するように設計している。ここで、コンデンサ７
８とコンデンサ７９は共に直流カット用のコンデンサで
ある。
【００２６】以上のように構成された増幅器について、
以下にその動作を説明する。入力端子６１（発振器の出
力端子２７に接続されている）に入力された信号は増幅
回路６２と６４で増幅されて出力端子６６から出力され
る。ここで、制御電圧入力端子７１がハイの場合はスイ
ッチトランジスタ回路７２のトランジスタ８０，８１共
にオンとなる。これらのトランジスタ８０，８１のエミ
ッタはグランドに接続されているので、コレクタはグラ
ンドレベルとなる。コンデンサ７８と７９は直流カット
用のコンデンサなので、インダクタンス７４ａと７４ｂ
の接続点及びインダクタンス７５ａと７５ｂの接続点が
交流的にグランドレベルとなる。すなわち、共振回路６
８はコンデンサ７５とインダクタンス７４ｂとの並列共
振回路となり、共振回路７０はコンデンサ７７とインダ
クタンス７５ｂとの並列共振回路となり、共に高い周波
数（１．７ＧHz）で共振し、この周波数を能率良く通過
させる増幅器となる。
以下にその動作を説明する。入力端子６１（発振器の出
力端子２７に接続されている）に入力された信号は増幅
回路６２と６４で増幅されて出力端子６６から出力され
る。ここで、制御電圧入力端子７１がハイの場合はスイ
ッチトランジスタ回路７２のトランジスタ８０，８１共
にオンとなる。これらのトランジスタ８０，８１のエミ
ッタはグランドに接続されているので、コレクタはグラ
ンドレベルとなる。コンデンサ７８と７９は直流カット
用のコンデンサなので、インダクタンス７４ａと７４ｂ
の接続点及びインダクタンス７５ａと７５ｂの接続点が
交流的にグランドレベルとなる。すなわち、共振回路６
８はコンデンサ７５とインダクタンス７４ｂとの並列共
振回路となり、共振回路７０はコンデンサ７７とインダ
クタンス７５ｂとの並列共振回路となり、共に高い周波
数（１．７ＧHz）で共振し、この周波数を能率良く通過
させる増幅器となる。
【００２７】次に、制御電圧入力端子７１がローの場合
はスイッチトランジスタ回路７２のトランジスタ８０，
８１共にオフとなる。すなわちこれらのトランジスタ８
０，８１のコレクタは高インピーダンスとなるので、イ
ンダクタンス７４ａと７４ｂの接続点及びインダクタン
ス７５ａと７５ｂの接続点が交流的にオープンとなる。
すなわち、共振回路６８はコンデンサ７５と並列にイン
ダクタンス７４ａと７４ｂとが直列接続された並列共振
回路となり、共振回路７０はコンデンサ７７とインダク
タンス７５ａと７５ｂとが直列接続された並列共振回路
となり、共に低い周波数（１．０ＧHz）で共振し、この
周波数を能率良く通過させる増幅器になる。
はスイッチトランジスタ回路７２のトランジスタ８０，
８１共にオフとなる。すなわちこれらのトランジスタ８
０，８１のコレクタは高インピーダンスとなるので、イ
ンダクタンス７４ａと７４ｂの接続点及びインダクタン
ス７５ａと７５ｂの接続点が交流的にオープンとなる。
すなわち、共振回路６８はコンデンサ７５と並列にイン
ダクタンス７４ａと７４ｂとが直列接続された並列共振
回路となり、共振回路７０はコンデンサ７７とインダク
タンス７５ａと７５ｂとが直列接続された並列共振回路
となり、共に低い周波数（１．０ＧHz）で共振し、この
周波数を能率良く通過させる増幅器になる。
【００２８】図３は、図１に示した発振器と図２に示し
た増幅器が接続された高周波モジュールの平面図であ
る。図３において、９０は略四角形をした４層のプリン
ト基板であり、このプリント基板９０の４つの角にはそ
れぞれ制御電圧入力端子１５、同調電圧入力端子３５、
出力端子６６及び電源端子１７が設けられており、その
間には、グランド端子９１がそれぞれの辺に合計４個設
けられている。また、この高周波モジュールの大きさは
縦寸法１０mm、横寸法１２mm、厚さ２mmとなっている。
た増幅器が接続された高周波モジュールの平面図であ
る。図３において、９０は略四角形をした４層のプリン
ト基板であり、このプリント基板９０の４つの角にはそ
れぞれ制御電圧入力端子１５、同調電圧入力端子３５、
出力端子６６及び電源端子１７が設けられており、その
間には、グランド端子９１がそれぞれの辺に合計４個設
けられている。また、この高周波モジュールの大きさは
縦寸法１０mm、横寸法１２mm、厚さ２mmとなっている。
【００２９】このように信号端子を離して設けると共
に、その間にグランド端子９１を設けることにより、端
子相互間の影響が少なくなる。すなわち、ノイズに対し
て対策される。また、四隅に端子を設けているので、実
装の際の取り付けバランスがよい。また、発振回路１１
と１２との間にスイッチトランジスタ１３を配置してい
るので、配線を短くすることができ小型化に寄与する。
更にこのトランジスタ１３側に制御電圧入力端子１５を
設けると共に、発振回路１１と１２側に同調電圧入力端
子３５を設けている。そして、この発振器に続いて増幅
回路６２と６４をこの順に配置し、増幅回路６４の出力
の近傍に出力端子６６を設けている。このような配置を
することにより小型化が図れる。
に、その間にグランド端子９１を設けることにより、端
子相互間の影響が少なくなる。すなわち、ノイズに対し
て対策される。また、四隅に端子を設けているので、実
装の際の取り付けバランスがよい。また、発振回路１１
と１２との間にスイッチトランジスタ１３を配置してい
るので、配線を短くすることができ小型化に寄与する。
更にこのトランジスタ１３側に制御電圧入力端子１５を
設けると共に、発振回路１１と１２側に同調電圧入力端
子３５を設けている。そして、この発振器に続いて増幅
回路６２と６４をこの順に配置し、増幅回路６４の出力
の近傍に出力端子６６を設けている。このような配置を
することにより小型化が図れる。
【００３０】図４は、高周波モジュールの断面図であ
る。図４において、９０は４層のプリント基板であり、
このプリント基板９０の１層目９０ａには発振器や増幅
器を構成する電子部品９２が実装されている。９３は金
属製のシールドケースであり電子部品９２を覆うように
プリント基板９０に設けられている。また、このプリン
ト基板９０の２層目９０ｂと４層目９０ｄは全面グラン
ドパターンとしている。３層目９０ｃには、共振回路２
０の一部を構成するインダクタンス３０ａと共振回路４
２の一部を構成するインダクタンス５０ａとがパターン
で構成されて実装されている。そして、これらのインダ
クタンスからはそれぞれスルーホールで１層目９０ａに
導出されてインダクタンス３０ｂ，５０ｂが形成され、
これらのインダクタンス３０ｂ，５０ｂをトリミングす
ることにより周波数を調整している。
る。図４において、９０は４層のプリント基板であり、
このプリント基板９０の１層目９０ａには発振器や増幅
器を構成する電子部品９２が実装されている。９３は金
属製のシールドケースであり電子部品９２を覆うように
プリント基板９０に設けられている。また、このプリン
ト基板９０の２層目９０ｂと４層目９０ｄは全面グラン
ドパターンとしている。３層目９０ｃには、共振回路２
０の一部を構成するインダクタンス３０ａと共振回路４
２の一部を構成するインダクタンス５０ａとがパターン
で構成されて実装されている。そして、これらのインダ
クタンスからはそれぞれスルーホールで１層目９０ａに
導出されてインダクタンス３０ｂ，５０ｂが形成され、
これらのインダクタンス３０ｂ，５０ｂをトリミングす
ることにより周波数を調整している。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１のコ
レクタ接地トランジスタと第１の共振回路で形成される
第１の発振回路と、第２のコレクタ接地トランジスタと
第２の共振回路で形成される第２の発振回路とを備え、
第３のトランジスタに加えられる制御電圧により前記第
１の発振回路と前記第２の発振回路とを選択的に活性化
するものであり、これにより第３のトランジスタ１つの
みで第１の発振回路と第２の発振回路とを切り替えるこ
とができるので、発振器の小型化を図ることができる。
レクタ接地トランジスタと第１の共振回路で形成される
第１の発振回路と、第２のコレクタ接地トランジスタと
第２の共振回路で形成される第２の発振回路とを備え、
第３のトランジスタに加えられる制御電圧により前記第
１の発振回路と前記第２の発振回路とを選択的に活性化
するものであり、これにより第３のトランジスタ１つの
みで第１の発振回路と第２の発振回路とを切り替えるこ
とができるので、発振器の小型化を図ることができる。
【００３２】また、発振回路の切り替えは第３のトラン
ジスタ１つで行えるので、低価格の発振器が得られる。
ジスタ１つで行えるので、低価格の発振器が得られる。
【００３３】更に、発振回路の切り替えは第３のトラン
ジスタ１つで行うので、第１の発振回路と第２の発振回
路とが同時にオンしたり、同時にオフしたりすることは
なく必ずどちらか一方の発振回路のみがオンしているの
で、負荷電流の平均化が図れる。このことにより、外部
に対するノイズが少なくなる。また、過渡電流の変化が
ないので、供給する電源の設計が楽である。
ジスタ１つで行うので、第１の発振回路と第２の発振回
路とが同時にオンしたり、同時にオフしたりすることは
なく必ずどちらか一方の発振回路のみがオンしているの
で、負荷電流の平均化が図れる。このことにより、外部
に対するノイズが少なくなる。また、過渡電流の変化が
ないので、供給する電源の設計が楽である。
【図１】本発明の一実施の形態による発振器の回路図
【図２】同、発振器に接続される増幅器の回路図
【図３】本発明の一実施の形態による高周波モジュール
の平面図
の平面図
【図４】同、断面図
【図５】従来の発振器の回路図
１１ 発振回路 １２ 発振回路 １３ トランジスタ １５ 制御電圧入力端子 １８ トランジスタ ２０ 共振回路 ２７ 出力端子 ４０ トランジスタ ４２ 共振回路
Claims (7)
- 【請求項１】 第１のコレクタ接地トランジスタと第１
の共振回路で形成される第１の発振回路と、第２のコレ
クタ接地トランジスタと第２の共振回路で形成される第
２の発振回路とを備え、第３のトランジスタに加えられ
る制御電圧により前記第１の発振回路と前記第２の発振
回路とを選択的に活性化する発振器。 - 【請求項２】 第３のトランジスタは第１の抵抗を介し
て第１のトランジスタのエミッタに接続されるとともに
第２の抵抗を介して第２のトランジスタのベースに接続
され、この第３のトランジスタのベースに制御電圧が加
えられる請求項１に記載の発振器。 - 【請求項３】 第１のトランジスタと第２のトランジス
タとの間に第３のトランジスタを配置した請求項２に記
載の発振器。 - 【請求項４】 第１のトランジスタと第２のトランジス
タと第３のトランジスタはともにＮＰＮ型のトランジス
タで構成した請求項２に記載の発振器。 - 【請求項５】 発振器が実装されるプリント基板には４
層基板を用い、第１層目に電子部品を装着し、第２層目
と第４層目は全面グランドパターンとするとともに第３
層目に共振回路を形成するインダクタンスの一部をパタ
ーンで形成し、このインダクタンスの残余の部分はスル
ーホールで第１層目に導出するとともにこの第１層目に
残余のインダクタンスをパターンで形成した請求項２に
記載の発振器。 - 【請求項６】 請求項１に記載の発振器の出力にトラン
ジスタで形成されたエミッタ接地増幅器を接続し、この
増幅器のトランジスタのコレクタに共振回路を設けると
ともに、この共振回路は制御電圧入力端子から入力され
る制御電圧によって共振周波数を切り替える高周波モジ
ュール。 - 【請求項７】 電子部品が実装されるとともに略４角形
をしたプリント基板と、このプリント基板の角近傍にそ
れぞれ制御電圧入力端子と、同調電圧入力端子と、出力
端子と、電源端子とを設けるとともにこれらの端子間に
グランド端子を設けた請求項６に記載の高周波モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09433098A JP3648979B2 (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 発振器とこれを用いた高周波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09433098A JP3648979B2 (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 発振器とこれを用いた高周波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298242A true JPH11298242A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3648979B2 JP3648979B2 (ja) | 2005-05-18 |
Family
ID=14107282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09433098A Expired - Fee Related JP3648979B2 (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 発振器とこれを用いた高周波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3648979B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001052402A1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Voltage-controlled oscillator for producing multiple frequency bands |
| WO2001065679A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Fujitsu Media Devices Limited | Dual-band high-frequency oscillator |
| US6288615B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-09-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Switch-type oscillating circuit for providing isolation between first and second oscillating circuits |
| US6292063B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-09-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Oscillating apparatus including two-band resonance circuit |
| KR100372057B1 (ko) * | 1999-10-14 | 2003-02-11 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 2밴드 발진기 |
| KR20030073657A (ko) * | 2002-03-12 | 2003-09-19 | 엘지전자 주식회사 | 다중 밴드 전압 제어 발진기 |
| KR100468808B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2005-01-29 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 2 밴드 발진기 |
| US7116180B2 (en) | 2002-11-01 | 2006-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Voltage-controlled oscillator and integrated circuit device provided with it |
-
1998
- 1998-04-07 JP JP09433098A patent/JP3648979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288615B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-09-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Switch-type oscillating circuit for providing isolation between first and second oscillating circuits |
| US6292063B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-09-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Oscillating apparatus including two-band resonance circuit |
| KR100372057B1 (ko) * | 1999-10-14 | 2003-02-11 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 2밴드 발진기 |
| WO2001052402A1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Voltage-controlled oscillator for producing multiple frequency bands |
| US6759915B2 (en) | 2000-01-12 | 2004-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-band, voltage-controlled oscillator |
| WO2001065679A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Fujitsu Media Devices Limited | Dual-band high-frequency oscillator |
| GB2365233A (en) * | 2000-02-29 | 2002-02-13 | Fujitsu Media Devices Ltd | High frequency dual band output oscillator |
| US6566969B2 (en) | 2000-02-29 | 2003-05-20 | Fujitsu Media Devices Limited | High frequency dual band output oscillator |
| KR100432393B1 (ko) * | 2000-02-29 | 2004-05-22 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 고주파 2대역 출력발진기 |
| KR100468808B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2005-01-29 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 2 밴드 발진기 |
| KR20030073657A (ko) * | 2002-03-12 | 2003-09-19 | 엘지전자 주식회사 | 다중 밴드 전압 제어 발진기 |
| US7116180B2 (en) | 2002-11-01 | 2006-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Voltage-controlled oscillator and integrated circuit device provided with it |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3648979B2 (ja) | 2005-05-18 |
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