JPH11299219A - 電力変換装置 - Google Patents
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- JPH11299219A JPH11299219A JP9868698A JP9868698A JPH11299219A JP H11299219 A JPH11299219 A JP H11299219A JP 9868698 A JP9868698 A JP 9868698A JP 9868698 A JP9868698 A JP 9868698A JP H11299219 A JPH11299219 A JP H11299219A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水漏れをいち早く検出し、被害を最小限に抑
えた電力変換装置を提供する。 【解決手段】 各半導体変換装置１にサージタンク２４
及び水位低下検知用のレベルスイッチ２５を設け、サー
ジタンク２４と半導体変換装置１内の出口配管５ｂを配
管２６で接続する。万一、半導体変換装置１内で水漏れ
が発生した場合、レベルスイッチ２５により水位の低下
を検知し、半導体冷却装置９の循環ポンプ１１を停止さ
せる。これにより、半導体変換装置１内での水漏れを早
期に検知し漏水時における被害を最小限に抑えることが
できる。
えた電力変換装置を提供する。 【解決手段】 各半導体変換装置１にサージタンク２４
及び水位低下検知用のレベルスイッチ２５を設け、サー
ジタンク２４と半導体変換装置１内の出口配管５ｂを配
管２６で接続する。万一、半導体変換装置１内で水漏れ
が発生した場合、レベルスイッチ２５により水位の低下
を検知し、半導体冷却装置９の循環ポンプ１１を停止さ
せる。これにより、半導体変換装置１内での水漏れを早
期に検知し漏水時における被害を最小限に抑えることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体変換装置
と、この半導体変換装置を冷却する半導体冷却装置とを
有する電力変換装置に関する。
と、この半導体変換装置を冷却する半導体冷却装置とを
有する電力変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子が多数個直並列接続されて構
成される半導体変換装置を有する電力変換装置におい
て、半導体素子の発生する熱を冷却するために純水を用
いた半導体冷却装置が設けられている。
成される半導体変換装置を有する電力変換装置におい
て、半導体素子の発生する熱を冷却するために純水を用
いた半導体冷却装置が設けられている。
【０００３】図６は、その電力変換装置の一例を示すも
ので、１は半導体変換装置であり列盤構成されている。
この変換装置１には、図７に示すような、半導体素子
２、及び半導体素子２が発生する熱を冷却するためのヒ
ートシンク３が多数個積層されて構成された半導体スタ
ック４が多数個収納されている。各ヒートシンク３間、
及びヒートシンク３と出入口配管５ａ，５ｂの間は、そ
れぞれ絶縁ホース６ａ，６ｂ，６ｃで絶縁されて接続さ
れている。又、出口配管５ｂには、流量計７、温度計８
が装着されている。
ので、１は半導体変換装置であり列盤構成されている。
この変換装置１には、図７に示すような、半導体素子
２、及び半導体素子２が発生する熱を冷却するためのヒ
ートシンク３が多数個積層されて構成された半導体スタ
ック４が多数個収納されている。各ヒートシンク３間、
及びヒートシンク３と出入口配管５ａ，５ｂの間は、そ
れぞれ絶縁ホース６ａ，６ｂ，６ｃで絶縁されて接続さ
れている。又、出口配管５ｂには、流量計７、温度計８
が装着されている。
【０００４】又、９は半導体冷却装置で、水冷式の熱交
換器１０、この熱交換器１０の純水配管側に設けられた
循環ポンプ１１、流量計１２、温度計１３、純水の導電
度を維持するためのイオン交換器１４、導電率計１５、
出入口配管１６ａ，１６ｂにより構成される。
換器１０、この熱交換器１０の純水配管側に設けられた
循環ポンプ１１、流量計１２、温度計１３、純水の導電
度を維持するためのイオン交換器１４、導電率計１５、
出入口配管１６ａ，１６ｂにより構成される。
【０００５】サージタンク１７は、配管１８で出口配管
１６ｂに接続される。１９は水位レベルの低下を検知す
るレベルスイッチ、２０はイオン交換器１４の流量調整
バルブである。
１６ｂに接続される。１９は水位レベルの低下を検知す
るレベルスイッチ、２０はイオン交換器１４の流量調整
バルブである。
【０００６】一方外水配管側は出入口配管２１ａ，２１
ｂにより構成されている。又、２２ａ，２２ｂ，２３
ａ，２３ｂは出入口配管で、各々半導体変換装置１の出
入口配管５ａ，５ｂと半導体冷却装置の出入口配管１６
ａ，１６ｂが接続される。２４は漏水時の循環ポンプ１
１の運転をコントロールする制御装置である。
ｂにより構成されている。又、２２ａ，２２ｂ，２３
ａ，２３ｂは出入口配管で、各々半導体変換装置１の出
入口配管５ａ，５ｂと半導体冷却装置の出入口配管１６
ａ，１６ｂが接続される。２４は漏水時の循環ポンプ１
１の運転をコントロールする制御装置である。
【０００７】このように構成される半導体冷却装置９に
おいて、半導体素子２が発熱する熱は、循環ポンプ１１
の運転により純水を循環させ熱交換器１０により熱交換
され冷却される。
おいて、半導体素子２が発熱する熱は、循環ポンプ１１
の運転により純水を循環させ熱交換器１０により熱交換
され冷却される。
【０００８】又、イオン交換器１４に純水を常時流し、
純水の導電度を規定値に維持することにより半導体素子
２間、及び半導体素子２と出入口配管５ａ，５ｂの間の
絶縁を確保している。導電率計１５は純水の導電度を監
視し規定値を越えた場合に信号を出しイオン交換器１４
内のイオン交換樹脂の劣化を検知する。
純水の導電度を規定値に維持することにより半導体素子
２間、及び半導体素子２と出入口配管５ａ，５ｂの間の
絶縁を確保している。導電率計１５は純水の導電度を監
視し規定値を越えた場合に信号を出しイオン交換器１４
内のイオン交換樹脂の劣化を検知する。
【０００９】サージタンク１７は温度変化による純水の
体積変化を吸収すると共に、循環ポンプ１１の運転時に
おけるサージングを吸収する。ここで万一、漏水が発生
した場合、レベルスイッチ１９により純水の水量レベル
低下を検知し、循環ポンプ１１を停止させる。又、流量
計７，１２によっても流量低下で漏水を検知できる。
又、図６は水冷式の熱交換器を用いた場合を示している
が、多数個のブァンを用いた空冷式熱交換器（図示せ
ず）の場合も純水側は同じ構成となっている。
体積変化を吸収すると共に、循環ポンプ１１の運転時に
おけるサージングを吸収する。ここで万一、漏水が発生
した場合、レベルスイッチ１９により純水の水量レベル
低下を検知し、循環ポンプ１１を停止させる。又、流量
計７，１２によっても流量低下で漏水を検知できる。
又、図６は水冷式の熱交換器を用いた場合を示している
が、多数個のブァンを用いた空冷式熱交換器（図示せ
ず）の場合も純水側は同じ構成となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術で
は、電力変換器及び半導体冷却装置の大型化に伴い、使
用される純水の容量も増大するためにサージタンクも大
容量となる。万一、半導体変換装置において水漏れが発
生した場合、サージタンクに装着されたレベルスイッチ
でサージタンクの水位低下を検知するまでには多くの時
間を費やすことになり、そのために水漏れの水量も多く
なり、又、漏水している半導体変換装置が瞬時に特定で
きないといった問題がある。本発明は上記の問題点を解
消させるためになされたもので、水の漏れをいち早く検
出し、被害を最小限に抑えた電力変換装置を提供しよう
とするものである。
は、電力変換器及び半導体冷却装置の大型化に伴い、使
用される純水の容量も増大するためにサージタンクも大
容量となる。万一、半導体変換装置において水漏れが発
生した場合、サージタンクに装着されたレベルスイッチ
でサージタンクの水位低下を検知するまでには多くの時
間を費やすことになり、そのために水漏れの水量も多く
なり、又、漏水している半導体変換装置が瞬時に特定で
きないといった問題がある。本発明は上記の問題点を解
消させるためになされたもので、水の漏れをいち早く検
出し、被害を最小限に抑えた電力変換装置を提供しよう
とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体素子を用いて電力を変換する半導体変換装置
と、熱交換器によって冷却される水を循環ポンプなどの
循環手段により半導体変換装置に循環させて半導体変換
装置を冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置
において、半導体変換装置内に水位低下検知手段を有す
るタンクを設置し、このタンクと半導体変換装置の出口
配管を接続し、水位低下検知手段がタンク内の水位の低
下を検知したとき、循環手段の動作を停止させることを
特徴とする。
は、半導体素子を用いて電力を変換する半導体変換装置
と、熱交換器によって冷却される水を循環ポンプなどの
循環手段により半導体変換装置に循環させて半導体変換
装置を冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置
において、半導体変換装置内に水位低下検知手段を有す
るタンクを設置し、このタンクと半導体変換装置の出口
配管を接続し、水位低下検知手段がタンク内の水位の低
下を検知したとき、循環手段の動作を停止させることを
特徴とする。
【００１２】このような構成とすることにより、万一、
半導体変換装置内で水漏れが発生した場合、半導体変換
装置内の水位低下検知手段によりこれを短時間で検出で
きる。又、他の半導体装置からの水の進入を防止するこ
とができ水漏れを最小限に抑えることができる。
半導体変換装置内で水漏れが発生した場合、半導体変換
装置内の水位低下検知手段によりこれを短時間で検出で
きる。又、他の半導体装置からの水の進入を防止するこ
とができ水漏れを最小限に抑えることができる。
【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の電力変換装置において、半導体変換装置の入口配管と
出口配管のうちの少なくとも一方の配管に逆止弁を設け
たことを特徴とする。
の電力変換装置において、半導体変換装置の入口配管と
出口配管のうちの少なくとも一方の配管に逆止弁を設け
たことを特徴とする。
【００１４】このような構成とすることにより、他の半
導体装置からの水の進入を防止することができ水漏れを
最小限に抑えることができる。請求項３に記載の発明
は、半導体素子を用いて電力を変換する半導体変換装置
と、熱交換器によって冷却される水を循環手段により半
導体変換装置に循環させて半導体変換装置を冷却する半
導体冷却装置とからなる電力変換装置において、半導体
変換装置の筐体の底板からの漏水を検知する漏水検知器
を設置し、漏水検知器により漏水を検知したとき循環手
段の動作を停止させることを特徴とする。
導体装置からの水の進入を防止することができ水漏れを
最小限に抑えることができる。請求項３に記載の発明
は、半導体素子を用いて電力を変換する半導体変換装置
と、熱交換器によって冷却される水を循環手段により半
導体変換装置に循環させて半導体変換装置を冷却する半
導体冷却装置とからなる電力変換装置において、半導体
変換装置の筐体の底板からの漏水を検知する漏水検知器
を設置し、漏水検知器により漏水を検知したとき循環手
段の動作を停止させることを特徴とする。
【００１５】このような構成とすることにより、半導体
装置内で水漏れが発生し飛散した場合、漏水検知器によ
り短時間で、且つ確実に検出でき、水漏れを最小限に抑
えることができる。
装置内で水漏れが発生し飛散した場合、漏水検知器によ
り短時間で、且つ確実に検出でき、水漏れを最小限に抑
えることができる。
【００１６】請求項４に記載の発明は、半導体素子を用
いて電力を変換する半導体変換装置と、熱交換器によっ
て冷却される水を循環手段により半導体変換装置に循環
させて半導体変換装置を冷却する半導体冷却装置とから
なる電力変換装置において、半導体変換装置の出口配管
の最上部に水位低下検知手段を設け、水位低下検知手段
が水位の低下を検知したとき、循環手段の動作を停止さ
せることを特徴とする。
いて電力を変換する半導体変換装置と、熱交換器によっ
て冷却される水を循環手段により半導体変換装置に循環
させて半導体変換装置を冷却する半導体冷却装置とから
なる電力変換装置において、半導体変換装置の出口配管
の最上部に水位低下検知手段を設け、水位低下検知手段
が水位の低下を検知したとき、循環手段の動作を停止さ
せることを特徴とする。
【００１７】このような構成とすることにより、出口配
管の最上部に設けられた水位低下検知手段により水漏れ
を短時間に検知することができる。請求項５に記載の発
明は、半導体素子を用いて電力を変換する半導体変換装
置と、熱交換器によって冷却される水を循環手段により
半導体変換装置に循環させて半導体変換装置を冷却する
半導体冷却装置とからなる電力変換装置において、半導
体変換装置の入口配管と出口配管のうちの少なくとも入
口配管に電磁弁を設け、半導体変換装置の出口配管に接
続されたタンク内の水位の低下を検知したとき、または
半導体変換装置の筐体の底板からの漏水を検知したと
き、または半導体変換装置の出口配管の最上部に設けら
れた水位低下検知手段が水位の低下を検知したとき前記
電磁弁を閉じることを特徴とする。
管の最上部に設けられた水位低下検知手段により水漏れ
を短時間に検知することができる。請求項５に記載の発
明は、半導体素子を用いて電力を変換する半導体変換装
置と、熱交換器によって冷却される水を循環手段により
半導体変換装置に循環させて半導体変換装置を冷却する
半導体冷却装置とからなる電力変換装置において、半導
体変換装置の入口配管と出口配管のうちの少なくとも入
口配管に電磁弁を設け、半導体変換装置の出口配管に接
続されたタンク内の水位の低下を検知したとき、または
半導体変換装置の筐体の底板からの漏水を検知したと
き、または半導体変換装置の出口配管の最上部に設けら
れた水位低下検知手段が水位の低下を検知したとき前記
電磁弁を閉じることを特徴とする。
【００１８】このような構成とすることにより、他の半
導体変換装置、及び半導体冷却装置からの水の流れ込み
を防止することができ、確実に水漏れが発生した装置へ
の水の供給を停止することができるため他の半導体装置
の運転を停止することなく補修が可能となる。
導体変換装置、及び半導体冷却装置からの水の流れ込み
を防止することができ、確実に水漏れが発生した装置へ
の水の供給を停止することができるため他の半導体装置
の運転を停止することなく補修が可能となる。
【００１９】請求項６に記載の発明は、半導体素子を用
いて電力を変換する半導体変換装置と、熱交換器によっ
て冷却される水を循環手段により半導体変換装置に循環
させて半導体変換装置を冷却する半導体冷却装置とから
なる電力変換装置において、半導体冷却装置に所定の配
管を介して接続されるタンクに水位の上昇を検知する水
位上昇検知手段を設けるとともに、タンクへの配管に電
磁弁を設け、水位上昇検知手段がタンク内の水位の上昇
を検知したとき電磁弁を閉じることを特徴とする。
いて電力を変換する半導体変換装置と、熱交換器によっ
て冷却される水を循環手段により半導体変換装置に循環
させて半導体変換装置を冷却する半導体冷却装置とから
なる電力変換装置において、半導体冷却装置に所定の配
管を介して接続されるタンクに水位の上昇を検知する水
位上昇検知手段を設けるとともに、タンクへの配管に電
磁弁を設け、水位上昇検知手段がタンク内の水位の上昇
を検知したとき電磁弁を閉じることを特徴とする。
【００２０】このような構成とすることにより、半導体
変換装置内から半導体冷却装置に接続されるタンクヘの
水の流れ込みを防止することができこのタンクからのオ
ーバーフローを防止することができる。
変換装置内から半導体冷却装置に接続されるタンクヘの
水の流れ込みを防止することができこのタンクからのオ
ーバーフローを防止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。尚、図１〜図７において、同
一符号は、同一機能である同一部分または対応部分を示
す。
図面を参照して説明する。尚、図１〜図７において、同
一符号は、同一機能である同一部分または対応部分を示
す。
【００２２】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
形態について説明する。図１は本発明の第１の実施形態
に係る電力変換装置の構成を示す図である。
形態について説明する。図１は本発明の第１の実施形態
に係る電力変換装置の構成を示す図である。
【００２３】図１において、１はインバータ、コンバー
タ等の半導体変換装置であり、これらの構成は従来技術
で説明した図６、図７のものと同じである。２４はサー
ジタンクであり水位低下検知用のレベルスイッチ２５を
備え、サージタンク２４と半導体変換装置１内の出口配
管５ｂを配管２６で接続している。更に半導体変換装置
１の出入口配管２２ａ，２２ｂに逆止弁２７を装着して
いる。９は半導体冷却装置で従来技術で説明した図６の
ものと同じである。
タ等の半導体変換装置であり、これらの構成は従来技術
で説明した図６、図７のものと同じである。２４はサー
ジタンクであり水位低下検知用のレベルスイッチ２５を
備え、サージタンク２４と半導体変換装置１内の出口配
管５ｂを配管２６で接続している。更に半導体変換装置
１の出入口配管２２ａ，２２ｂに逆止弁２７を装着して
いる。９は半導体冷却装置で従来技術で説明した図６の
ものと同じである。
【００２４】このように構成された半導体変換装置１に
おいて、万一、半導体変換装置１内で水漏れが発生した
場合、サージタンク２４の水位が低下するので、半導体
変換装置１内の水位低下検知用のレベルスイッチ２５に
より水漏れを短時間に検出でき、循環ポンプ１１を停止
させることができる。又、他の半導体変換装置１からの
純水の進入を、逆止弁２７で防止することができ水漏れ
を最小限に抑えることができる。なお、逆止弁２７は、
入口配管２２ａ，出口配管２２ｂの双方に設けたが、い
ずれか一方に設けるだけでもよい。
おいて、万一、半導体変換装置１内で水漏れが発生した
場合、サージタンク２４の水位が低下するので、半導体
変換装置１内の水位低下検知用のレベルスイッチ２５に
より水漏れを短時間に検出でき、循環ポンプ１１を停止
させることができる。又、他の半導体変換装置１からの
純水の進入を、逆止弁２７で防止することができ水漏れ
を最小限に抑えることができる。なお、逆止弁２７は、
入口配管２２ａ，出口配管２２ｂの双方に設けたが、い
ずれか一方に設けるだけでもよい。
【００２５】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施形態について説明する。図２は本発明の第２の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体装置内１に水位低下検知用のレベルスイッチ２５を備
えたサージタンク２４を設置するとともに半導体変換装
置１の下部ピットに漏水検知器２８を装着する。この漏
水検知器２８は半導体変換装置１の筐体の底板から配管
２９ａ，２９ｂ，２９ｃで接続され、ドレン配管３０に
接続される。
の実施形態について説明する。図２は本発明の第２の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体装置内１に水位低下検知用のレベルスイッチ２５を備
えたサージタンク２４を設置するとともに半導体変換装
置１の下部ピットに漏水検知器２８を装着する。この漏
水検知器２８は半導体変換装置１の筐体の底板から配管
２９ａ，２９ｂ，２９ｃで接続され、ドレン配管３０に
接続される。
【００２６】３１は漏水のオーバーフローをドレン配管
３０に導くための配管、又、３２は漏水検知器２８に溜
まったドレンをドレン配管３０に逃すためのバルブであ
る。このように構成された半導体変換装置１内で水漏れ
が発生し飛散した場合、水位検出用のレベルスイッチ２
５による水量低下検知とともに、半導体変換装置１の下
部ピットの漏水検知器２８により短時間に検出でき、循
環ポンプ１１を停止させることができるため水漏れを最
小限に抑えることができる。又、半導体変換装置１の底
板の漏水は配管３１を通りドレン配管３０に排水される
ため半導体変換装置１内の部品が保護できる。
３０に導くための配管、又、３２は漏水検知器２８に溜
まったドレンをドレン配管３０に逃すためのバルブであ
る。このように構成された半導体変換装置１内で水漏れ
が発生し飛散した場合、水位検出用のレベルスイッチ２
５による水量低下検知とともに、半導体変換装置１の下
部ピットの漏水検知器２８により短時間に検出でき、循
環ポンプ１１を停止させることができるため水漏れを最
小限に抑えることができる。又、半導体変換装置１の底
板の漏水は配管３１を通りドレン配管３０に排水される
ため半導体変換装置１内の部品が保護できる。
【００２７】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施形態について説明する。図３は本発明の第３の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体変換装置１の出入口配管２２ａ，２２ｂに電磁弁３３
を取付け、各々の半導体変換装置１内の水位低下検知用
のレベルスイッチ２５、及び漏水検知器２８の動作に連
動させて閉じるようにしている。
の実施形態について説明する。図３は本発明の第３の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体変換装置１の出入口配管２２ａ，２２ｂに電磁弁３３
を取付け、各々の半導体変換装置１内の水位低下検知用
のレベルスイッチ２５、及び漏水検知器２８の動作に連
動させて閉じるようにしている。
【００２８】このような構成とすることにより他の半導
体変換装置１、及び半導体冷却装置９からの純水の流れ
込みを防止することができ、確実に水漏れが発生した半
導体変換装置１への純水の供給を停止することができる
ため他の半導体変換装置１の運転を停止することなく補
修が可能となる。なお、電磁弁３３は、入口配管２２
ａ，出口配管２２ｂの双方に設けたが、少なくとも入口
配管２２ａに設ければよい。
体変換装置１、及び半導体冷却装置９からの純水の流れ
込みを防止することができ、確実に水漏れが発生した半
導体変換装置１への純水の供給を停止することができる
ため他の半導体変換装置１の運転を停止することなく補
修が可能となる。なお、電磁弁３３は、入口配管２２
ａ，出口配管２２ｂの双方に設けたが、少なくとも入口
配管２２ａに設ければよい。
【００２９】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施形態について説明する。図４は本発明の第４の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体冷却装置９に配管１８を介して接続されたサージタン
ク１７に水位上昇を検知するためのレベルスイッチ３４
を設け、更にサージタンク１７に接続される配管１８に
電磁弁３５を装着させ、レベルスイッチ３４の動作に連
動させて閉じるとともに、循環ポンプ１１を停止させ
る。
の実施形態について説明する。図４は本発明の第４の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体冷却装置９に配管１８を介して接続されたサージタン
ク１７に水位上昇を検知するためのレベルスイッチ３４
を設け、更にサージタンク１７に接続される配管１８に
電磁弁３５を装着させ、レベルスイッチ３４の動作に連
動させて閉じるとともに、循環ポンプ１１を停止させ
る。
【００３０】このような構成とすることにより、半導体
変換装置１内の水漏れ時、半導体変換装置１からサージ
タンク１７への純水の流れ込みを防止することができサ
ージタンク１７からのオーバーフローを防止することが
できる。
変換装置１内の水漏れ時、半導体変換装置１からサージ
タンク１７への純水の流れ込みを防止することができサ
ージタンク１７からのオーバーフローを防止することが
できる。
【００３１】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施形態について説明する。図５は本発明の第５の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体変換装置１の出口配管５ｂの最上部を、最上部の半導
体スタック４の出口配管６ｃよりも上部に延設させて水
位低下を検知するレベルスイッチ３６を取付け、レベル
スイッチ３６、及び漏水検知器２８の動作に連動させて
電磁弁３３を閉じるようにする。
の実施形態について説明する。図５は本発明の第５の実
施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、半導
体変換装置１の出口配管５ｂの最上部を、最上部の半導
体スタック４の出口配管６ｃよりも上部に延設させて水
位低下を検知するレベルスイッチ３６を取付け、レベル
スイッチ３６、及び漏水検知器２８の動作に連動させて
電磁弁３３を閉じるようにする。
【００３２】このような構成とすることにより、半導体
変換装置１内の水漏れを短時間に検知することができる
とともに、水漏れが発生した半導体変換装置１への純水
の供給を停止することができるため他の半導体変換装置
１の運転を停止することなく補修が可能となる。なお、
レベルスイッチ３６により水位の低下を検知したとき、
循環ポンプ１１を停止させるようにしてもよい。
変換装置１内の水漏れを短時間に検知することができる
とともに、水漏れが発生した半導体変換装置１への純水
の供給を停止することができるため他の半導体変換装置
１の運転を停止することなく補修が可能となる。なお、
レベルスイッチ３６により水位の低下を検知したとき、
循環ポンプ１１を停止させるようにしてもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電力変換装
置によれば、万一、漏水が発生した場合でも水漏れを早
期に検知し漏水時における被害を最小限に抑えることが
できる。
置によれば、万一、漏水が発生した場合でも水漏れを早
期に検知し漏水時における被害を最小限に抑えることが
できる。
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置
の構成を示すブロック図。
の構成を示すブロック図。
【図２】 本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置
の構成を示すブロック図。
の構成を示すブロック図。
【図３】 本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置
の構成を示すブロック図。
の構成を示すブロック図。
【図４】 本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置
の構成を示すブロック図。
の構成を示すブロック図。
【図５】 本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置
の構成を示すブロック図。
の構成を示すブロック図。
【図６】 従来の水冷式の電力変換装置の構成例を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図７】 図６に示す電力変換装置の一部の詳細な構成
を示すブロック図。
を示すブロック図。
１…半導体変換装置 ２…半導体素子 ３…ヒートシンク ４…半導体スタック ５ａ…出口配管 ５ｂ…入口配管 ６ａ，６ｂ，６ｃ…絶縁ホース ７…流量計 ８…温度計 ９…半導体冷却装置 １０熱交換器 １１…循環ポンプ １２…流量計 １３…温度計 １４…イオン交換器 １５…導電率計 １６ａ…入口配管 １６ｂ…出口配管 １７…サージタンク １８…配管 １９…レベルスイッチ ２０…流量調整バルブ ２１ａ…出口配管 ２１ｂ…入口配管 ２２ａ…入口配管 ２２ｂ…出口配管 ２３ａ…入口配管 ２３ｂ…出口配管 ２４…サージタンク ２５…レベルスイッチ ２６…配管 ２７…逆止弁 ２８…漏水検知器 ２９ａ，２９ｂ，２９ｃ…配管 ３０…ドレン配管 ３１…配管 ３２…バルブ ３３…電磁弁 ３４…レベルスイッチ ３５…電磁弁 ３６…レベルスイッチ
Claims (6)
- 【請求項１】半導体素子を用いて電力を変換する半導体
変換装置と、熱交換器によって冷却される水を循環手段
により前記半導体変換装置に循環させて前記半導体変換
装置を冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置
において、前記半導体変換装置内に水位低下検知手段を
有するタンクを設置し、このタンクと前記半導体変換装
置の出口配管を接続し、水位低下検知手段が前記タンク
内の水位の低下を検知したとき、前記循環手段の動作を
停止させることを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項２】前記半導体変換装置の入口配管と出口配管
のうちの少なくとも一方の配管に逆止弁を設けたことを
特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。 - 【請求項３】半導体素子を用いて電力を変換する半導体
変換装置と、熱交換器によって冷却される水を循環手段
により前記半導体変換装置に循環させて前記半導体変換
装置を冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置
において、前記半導体変換装置の筐体の底板からの漏水
を検知する漏水検知器を設置し、前記漏水検知器により
漏水を検知したとき前記循環手段の動作を停止させるこ
とを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項４】半導体素子を用いて電力を変換する半導体
変換装置と、熱交換器によって冷却される水を循環手段
により前記半導体変換装置に循環させて前記半導体変換
装置を冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置
において、前記半導体変換装置の出口配管の最上部に水
位低下検知手段を設け、前記水位低下検知手段が水位の
低下を検知したとき、前記循環手段の動作を停止させる
ことを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項５】半導体素子を用いて電力を変換する半導体
変換装置と、熱交換器によって冷却される水を循環手段
により前記半導体変換装置に循環させて前記半導体変換
装置を冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置
において、半導体変換装置の入口配管と出口配管のうち
の少なくとも入口配管に電磁弁を設け、半導体変換装置
の出口配管に接続された前記タンク内の水位の低下を検
知したとき、または前記半導体変換装置の筐体の底板か
らの漏水を検知したとき、または前記半導体変換装置の
出口配管の最上部に設けられた水位低下検知手段が水位
の低下を検知したとき前記電磁弁を閉じることを特徴と
する電力変換装置。 - 【請求項６】半導体素子を用いて電力を変換する半導体
変換装置と、熱交換器によって冷却される水を循環手段
により前記半導体変換装置に循環させて前記半導体変換
装置を冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置
において、前記半導体冷却装置に所定の配管を介して接
続されるタンクに水位の上昇を検知する水位上昇検知手
段を設けるとともに、前記配管に電磁弁を設け、水位上
昇検知手段がタンク内の水位の上昇を検知したとき前記
電磁弁を閉じることを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9868698A JPH11299219A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9868698A JPH11299219A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電力変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11299219A true JPH11299219A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14226399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9868698A Pending JPH11299219A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11299219A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008193805A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 水冷配管システム及び水冷配管システムにおけるユニット交換方法 |
| JP2019158750A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 漏水検出装置 |
| WO2020084656A1 (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 水冷式電力変換システム |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP9868698A patent/JPH11299219A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008193805A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 水冷配管システム及び水冷配管システムにおけるユニット交換方法 |
| JP2019158750A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 漏水検出装置 |
| WO2020084656A1 (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 水冷式電力変換システム |
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