JPH11304413A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH11304413A JPH11304413A JP10109818A JP10981898A JPH11304413A JP H11304413 A JPH11304413 A JP H11304413A JP 10109818 A JP10109818 A JP 10109818A JP 10981898 A JP10981898 A JP 10981898A JP H11304413 A JPH11304413 A JP H11304413A
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- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
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- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気検出素子の温度特性を相殺して磁性移動
体の凹凸のエッジ検出精度の温度特性を向上させること
ができるパワーオン機能を備えた磁気検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（２６）と、この磁
石と所定の間隙をもって配置され、磁石によって発生さ
れた磁界を変化させる凹凸を具備した磁性回転体（２
５）と、複数個の磁気検出エレメント（２４ａ，２４
ｂ）からなり、磁性回転体の移動による磁界の変化を検
出する磁気抵抗素子（２４）とを備え、磁性回転体の凹
部が磁気抵抗素子と対向状態で、複数個の磁気検出エレ
メントに対して第１の所定角度で磁束が鎖交し、磁性回
転体の凸部が磁気抵抗素子と対向状態で、複数個の磁気
検出エレメントに対して第２の所定角度で磁束が鎖交
し、第１の所定角度と第２の所定角度は、複数個の磁気
検出エレメントが配置された平面の垂直方向に対して対
称な角度を有する。
体の凹凸のエッジ検出精度の温度特性を向上させること
ができるパワーオン機能を備えた磁気検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（２６）と、この磁
石と所定の間隙をもって配置され、磁石によって発生さ
れた磁界を変化させる凹凸を具備した磁性回転体（２
５）と、複数個の磁気検出エレメント（２４ａ，２４
ｂ）からなり、磁性回転体の移動による磁界の変化を検
出する磁気抵抗素子（２４）とを備え、磁性回転体の凹
部が磁気抵抗素子と対向状態で、複数個の磁気検出エレ
メントに対して第１の所定角度で磁束が鎖交し、磁性回
転体の凸部が磁気抵抗素子と対向状態で、複数個の磁気
検出エレメントに対して第２の所定角度で磁束が鎖交
し、第１の所定角度と第２の所定角度は、複数個の磁気
検出エレメントが配置された平面の垂直方向に対して対
称な角度を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁性移動体の移
動による磁界の変化を検出する磁気検出装置に関し、特
に電源オン時に磁性移動体の凹凸を検出する機能（以
下、パワーオン機能と云う）を有する磁気検出装置に関
するものである。
動による磁界の変化を検出する磁気検出装置に関し、特
に電源オン時に磁性移動体の凹凸を検出する機能（以
下、パワーオン機能と云う）を有する磁気検出装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁界の変化を検出するために磁気検出素
子（ここでは、磁気抵抗素子を用いて説明するものとす
る。）の感磁面の各端に電極を形成してブリッジを構成
し、このブリッジの対向する２つの電極間に定電圧、定
電流の電源を接続し、磁気検出素子の抵抗値変化を電圧
変化に変換して、この磁気検出素子に作用している磁界
変化を検出する方式がある。
子（ここでは、磁気抵抗素子を用いて説明するものとす
る。）の感磁面の各端に電極を形成してブリッジを構成
し、このブリッジの対向する２つの電極間に定電圧、定
電流の電源を接続し、磁気検出素子の抵抗値変化を電圧
変化に変換して、この磁気検出素子に作用している磁界
変化を検出する方式がある。
【０００３】図１４は上述の一般的な磁気検出素子を用
いたセンサの処理回路を示す構成図である。図におい
て、ホイートストンブリッジ回路１は磁気検出素子また
は少なくとも１つ以上の磁気検出素子と固定抵抗を含む
抵抗ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＲＤで構成され、そのＲＡ、Ｒ
Ｂ中点４と、ＲＣ、ＲＢ中点に差動増幅回路２が接続さ
れ、そのＲＡ、ＲＤ中点は電源端子Ｖccに接続され、そ
のＲＢ、ＲＣ中点はグランドＧＮＤに接続される。差動
増幅回路２からの差動増幅出力８は次段の比較回路３に
供給される。ここで、抵抗ＲＡ、ＲＢに与えられる磁界
の変化により磁気検出素子の抵抗値が変化し、ＲＡ、Ｒ
Ｂ中点４の電圧はその磁界変化に応じた変化をし、中点
４、５の電圧は差動増幅回路２により増幅され、比較回
路３によって“０”または“１”の最終出力９を得るも
のである。
いたセンサの処理回路を示す構成図である。図におい
て、ホイートストンブリッジ回路１は磁気検出素子また
は少なくとも１つ以上の磁気検出素子と固定抵抗を含む
抵抗ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＲＤで構成され、そのＲＡ、Ｒ
Ｂ中点４と、ＲＣ、ＲＢ中点に差動増幅回路２が接続さ
れ、そのＲＡ、ＲＤ中点は電源端子Ｖccに接続され、そ
のＲＢ、ＲＣ中点はグランドＧＮＤに接続される。差動
増幅回路２からの差動増幅出力８は次段の比較回路３に
供給される。ここで、抵抗ＲＡ、ＲＢに与えられる磁界
の変化により磁気検出素子の抵抗値が変化し、ＲＡ、Ｒ
Ｂ中点４の電圧はその磁界変化に応じた変化をし、中点
４、５の電圧は差動増幅回路２により増幅され、比較回
路３によって“０”または“１”の最終出力９を得るも
のである。
【０００４】図１５は従来の磁気検出装置を示す構成図
である。図において、この検出装置は、磁界を変化させ
る形状を具備した磁性回転体１０、磁気検出素子１１、
磁気検出エレメント１１ａ、１１ｂ、磁石１３、回転軸
１２を備え、回転軸１２が回転することで磁性回転体１
０も同期して回転する。磁気検出素子１１の磁気検出抵
抗１１ａ，１１ｂのピッチ中心は磁石１３の中心に対
し、所定のオフセットを持たせて配置させている。そこ
で磁性回転体１０が回転することで磁気検出素子１１の
抵抗体１１ａ、１１ｂへの印加磁界が変化し、例えば図
１６のように磁性回転体１０の形状に対応して磁気検出
素子の差動増幅出力８が変化し、図１４に示している回
路によって磁性回転体１０の形状に対応した最終出力９
の信号を得ることができる。
である。図において、この検出装置は、磁界を変化させ
る形状を具備した磁性回転体１０、磁気検出素子１１、
磁気検出エレメント１１ａ、１１ｂ、磁石１３、回転軸
１２を備え、回転軸１２が回転することで磁性回転体１
０も同期して回転する。磁気検出素子１１の磁気検出抵
抗１１ａ，１１ｂのピッチ中心は磁石１３の中心に対
し、所定のオフセットを持たせて配置させている。そこ
で磁性回転体１０が回転することで磁気検出素子１１の
抵抗体１１ａ、１１ｂへの印加磁界が変化し、例えば図
１６のように磁性回転体１０の形状に対応して磁気検出
素子の差動増幅出力８が変化し、図１４に示している回
路によって磁性回転体１０の形状に対応した最終出力９
の信号を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の検出
装置で用いている磁気回路構成では、以下のような問題
点があった。即ち、磁気検出素子と固定抵抗でブリッジ
を構成した場合に生じる磁気検出素子と固定抵抗の温度
係数差、または磁気検出素子の複数のエレメントにより
ブリッジを構成した場合に生じる各々のエレメントに印
加される磁界差による温度係数差により、図１７に示す
ように印加磁界の変化による室温時差動増幅出力８（Ｒ
ＯＯＭ）、高温時差動増幅出力８（ＨＯＴ）に温度特性
を生じ、磁性回転体の凹凸のエッジ検出精度に大きなズ
レを生じるという問題点があった。
装置で用いている磁気回路構成では、以下のような問題
点があった。即ち、磁気検出素子と固定抵抗でブリッジ
を構成した場合に生じる磁気検出素子と固定抵抗の温度
係数差、または磁気検出素子の複数のエレメントにより
ブリッジを構成した場合に生じる各々のエレメントに印
加される磁界差による温度係数差により、図１７に示す
ように印加磁界の変化による室温時差動増幅出力８（Ｒ
ＯＯＭ）、高温時差動増幅出力８（ＨＯＴ）に温度特性
を生じ、磁性回転体の凹凸のエッジ検出精度に大きなズ
レを生じるという問題点があった。
【０００６】この発明は、磁気検出素子の温度特性を実
質的に相殺して磁性移動体の凹凸のエッジ検出精度の温
度特性を向上させることができるパワーオン機能を備え
た磁気検出装置を得ることを目的とする。
質的に相殺して磁性移動体の凹凸のエッジ検出精度の温
度特性を向上させることができるパワーオン機能を備え
た磁気検出装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係わる
磁気検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、該磁
界発生手段と所定の間隙をもって配置され、上記磁界発
生手段によって発生された磁界を変化させる凹凸を具備
した磁性移動体と、複数個の磁気検出エレメントからな
り、上記磁性移動体の移動による磁界の変化を検出する
磁気検出素子とを備え、上記磁性移動体の凹部が上記磁
気検出素子と対向状態で、上記複数個の磁気検出エレメ
ントに対して第１の所定角度で磁束が鎖交し、上記磁性
移動体の凸部が上記磁気検出素子と対向状態で、上記複
数個の磁気検出エレメントに対して第２の所定角度で磁
束が鎖交し、上記第１の所定角度と上記第２の所定角度
は、上記複数個の磁気検出エレメントが配置された平面
の垂直方向に対して対称な角度を有するものである。
磁気検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、該磁
界発生手段と所定の間隙をもって配置され、上記磁界発
生手段によって発生された磁界を変化させる凹凸を具備
した磁性移動体と、複数個の磁気検出エレメントからな
り、上記磁性移動体の移動による磁界の変化を検出する
磁気検出素子とを備え、上記磁性移動体の凹部が上記磁
気検出素子と対向状態で、上記複数個の磁気検出エレメ
ントに対して第１の所定角度で磁束が鎖交し、上記磁性
移動体の凸部が上記磁気検出素子と対向状態で、上記複
数個の磁気検出エレメントに対して第２の所定角度で磁
束が鎖交し、上記第１の所定角度と上記第２の所定角度
は、上記複数個の磁気検出エレメントが配置された平面
の垂直方向に対して対称な角度を有するものである。
【０００８】請求項２の発明に係わる磁気検出装置は、
請求項１の発明において、上記磁性移動体の凹凸と対向
配置された上記磁界発生手段の着磁方向を、上記対向方
向とし、該対向方向と平行に上記磁気検出素子を配置し
たものである。
請求項１の発明において、上記磁性移動体の凹凸と対向
配置された上記磁界発生手段の着磁方向を、上記対向方
向とし、該対向方向と平行に上記磁気検出素子を配置し
たものである。
【０００９】請求項３の発明に係わる磁気検出装置は、
請求項１の発明において、上記磁性移動体の凹凸と対向
配置された上記磁界発生手段の着磁方向を、上記対向方
向と垂直にし、該対向方向と平行に上記磁気検出素子を
配置したものである。
請求項１の発明において、上記磁性移動体の凹凸と対向
配置された上記磁界発生手段の着磁方向を、上記対向方
向と垂直にし、該対向方向と平行に上記磁気検出素子を
配置したものである。
【００１０】請求項４の発明に係わる磁気検出装置は、
請求項２の発明において、上記磁気検出素子の複数個の
磁気検出エレメントのピッチ中心を、上記磁界発生手段
の上記磁性移動体寄り端部と略同一に配置したものであ
る。
請求項２の発明において、上記磁気検出素子の複数個の
磁気検出エレメントのピッチ中心を、上記磁界発生手段
の上記磁性移動体寄り端部と略同一に配置したものであ
る。
【００１１】請求項５の発明に係わる磁気検出装置は、
請求項１の発明において、上記磁気検出素子としてＧＭ
Ｒ素子を用いたものである。
請求項１の発明において、上記磁気検出素子としてＧＭ
Ｒ素子を用いたものである。
【００１２】請求項６の発明に係わる磁気検出装置は、
請求項５の発明において、上記磁気検出素子の磁気抵抗
パターンを上記磁性移動体と上記磁界発生手段の対向方
向に対して垂直となるようにしたものである。
請求項５の発明において、上記磁気検出素子の磁気抵抗
パターンを上記磁性移動体と上記磁界発生手段の対向方
向に対して垂直となるようにしたものである。
【００１３】請求項７の発明に係わる磁気検出装置は、
請求項５の発明において、上記磁気検出素子の磁気抵抗
パターンを上記磁性移動体と上記磁界発生手段の対向方
向とするものである。
請求項５の発明において、上記磁気検出素子の磁気抵抗
パターンを上記磁性移動体と上記磁界発生手段の対向方
向とするものである。
【００１４】請求項８の発明に係わる磁気検出装置は、
請求項１〜７のいずれかの発明において、上記磁性移動
体を、回転軸に同期して回転する磁性回転体とするもの
である。
請求項１〜７のいずれかの発明において、上記磁性移動
体を、回転軸に同期して回転する磁性回転体とするもの
である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図を参照して説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図である。なお、本実施の形態の処理回路構成は、上
述の図１４と同様のものを使用してよく、図１における
磁気検出素子ＲＡ，ＲＢが、本実施の形態で用いる磁気
検出素子に相当するものであり、本実の形態においては
磁気検出素子として磁気抵抗素子を用いて説明する。図
１において、磁気検出装置は、磁気抵抗素子２４と、こ
の磁気抵抗素子２４を実質的に形成し、ブリッジを構成
している磁気検出抵抗２４ａ，２４ｂと、磁性移動体と
しての磁性回転体２５と、磁界発生手段としての磁石２
６と、回転軸２７とを備える。
図を参照して説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図である。なお、本実施の形態の処理回路構成は、上
述の図１４と同様のものを使用してよく、図１における
磁気検出素子ＲＡ，ＲＢが、本実施の形態で用いる磁気
検出素子に相当するものであり、本実の形態においては
磁気検出素子として磁気抵抗素子を用いて説明する。図
１において、磁気検出装置は、磁気抵抗素子２４と、こ
の磁気抵抗素子２４を実質的に形成し、ブリッジを構成
している磁気検出抵抗２４ａ，２４ｂと、磁性移動体と
しての磁性回転体２５と、磁界発生手段としての磁石２
６と、回転軸２７とを備える。
【００１６】磁石２６は磁性回転体２５と対向して配置
され、その対向方向に着磁されている。磁気検出素子と
しては磁石２６の着磁方向に平行に且つ、磁石２６の着
磁方向線上に２対（または１対）の磁気抵抗素子２４が
配置されている。磁性回転体２５は、磁気抵抗素子２４
への印加磁界を変化させる形状を具備したものであり、
回転軸２７の回転に同期して回転するものである。
され、その対向方向に着磁されている。磁気検出素子と
しては磁石２６の着磁方向に平行に且つ、磁石２６の着
磁方向線上に２対（または１対）の磁気抵抗素子２４が
配置されている。磁性回転体２５は、磁気抵抗素子２４
への印加磁界を変化させる形状を具備したものであり、
回転軸２７の回転に同期して回転するものである。
【００１７】図２に本実施の形態の磁気回路での磁気抵
抗素子に印加される磁界ベクトル方向を示す。磁性回転
体２５の凹部が磁気抵抗素子２４と対向状態で、磁気検
出抵抗２４ａ、２４ｂに対して第１の所定角度で磁束が
鎖交し、磁性回転体２５の凸部が磁気抵抗素子２４と対
向状態で、磁気検出抵抗２４ａ、２４ｂに対して第２の
所定角度で磁束が鎖交し、第１の所定角度と第２の所定
角度は、磁気検出抵抗が配置された平面の垂直方向に対
して対称な角度を有するように、磁気検出抵抗２４ａ、
２４ｂが配置されている。なお、この配置は、磁気検出
抵抗２４ａ、２４ｂのピッチ中心を磁石２６の磁性回転
体寄り端部と略同一に配置することで実現出来る。
抗素子に印加される磁界ベクトル方向を示す。磁性回転
体２５の凹部が磁気抵抗素子２４と対向状態で、磁気検
出抵抗２４ａ、２４ｂに対して第１の所定角度で磁束が
鎖交し、磁性回転体２５の凸部が磁気抵抗素子２４と対
向状態で、磁気検出抵抗２４ａ、２４ｂに対して第２の
所定角度で磁束が鎖交し、第１の所定角度と第２の所定
角度は、磁気検出抵抗が配置された平面の垂直方向に対
して対称な角度を有するように、磁気検出抵抗２４ａ、
２４ｂが配置されている。なお、この配置は、磁気検出
抵抗２４ａ、２４ｂのピッチ中心を磁石２６の磁性回転
体寄り端部と略同一に配置することで実現出来る。
【００１８】次に、動作について、図３を参照して説明
する。まず、磁性回転体２５の凹凸による磁界変化によ
り生じる磁気検出抵抗２４ａ、２４ｂの抵抗値変化を、
常温時の抵抗値変化がＲ（ＲＯＯＭ）、高温時の抵抗値
変化がＲ（ＨＯＴ）として表すものとする。
する。まず、磁性回転体２５の凹凸による磁界変化によ
り生じる磁気検出抵抗２４ａ、２４ｂの抵抗値変化を、
常温時の抵抗値変化がＲ（ＲＯＯＭ）、高温時の抵抗値
変化がＲ（ＨＯＴ）として表すものとする。
【００１９】図のように磁性回転体２５の凹部と凸部
で、磁気検出抵抗２４ａと２４ｂに印加される磁界が図
２で説明したとおり対称に変化し、磁気検出抵抗２４
ａ、２４ｂの抵抗値も対称に変化するため、磁気検出抵
抗２４ａ、２４ｂの抵抗値が一致するポイントが常温時
においても、高温時においても存在する。このため、磁
気検出抵抗２４ａ、２４ｂにてブリッジを構成した場
合、常温時差動増幅出力８（ＲＯＯＭ）と高温時差動増
幅出力８（ＨＯＴ）がクロスする。この差動増幅出力８
の温特クロスポイントに比較回路３の比較レベルＶref
を設定することにより磁性回転体２５の凹凸のエッジ精
度温度特性を改善でき、磁性回転体２５の凹凸に対応し
たパワーオン機能を有する正確な信号を得られる。
で、磁気検出抵抗２４ａと２４ｂに印加される磁界が図
２で説明したとおり対称に変化し、磁気検出抵抗２４
ａ、２４ｂの抵抗値も対称に変化するため、磁気検出抵
抗２４ａ、２４ｂの抵抗値が一致するポイントが常温時
においても、高温時においても存在する。このため、磁
気検出抵抗２４ａ、２４ｂにてブリッジを構成した場
合、常温時差動増幅出力８（ＲＯＯＭ）と高温時差動増
幅出力８（ＨＯＴ）がクロスする。この差動増幅出力８
の温特クロスポイントに比較回路３の比較レベルＶref
を設定することにより磁性回転体２５の凹凸のエッジ精
度温度特性を改善でき、磁性回転体２５の凹凸に対応し
たパワーオン機能を有する正確な信号を得られる。
【００２０】図４は磁気抵抗素子の印加磁界に対する抵
抗変化と抵抗温度係数の関係を示す。図のように磁気抵
抗素子は印加磁界による抵抗値の違いにより抵抗値温度
係数が異なるため１対のエレメントの各々を抵抗値及び
温度係数の一致する磁界変化で動作をさせ、温度特性を
相殺するものである。
抗変化と抵抗温度係数の関係を示す。図のように磁気抵
抗素子は印加磁界による抵抗値の違いにより抵抗値温度
係数が異なるため１対のエレメントの各々を抵抗値及び
温度係数の一致する磁界変化で動作をさせ、温度特性を
相殺するものである。
【００２１】このように、本実施の形態では、磁性回転
体の凹凸に対応した磁界変化により磁気検出素子の１対
の磁気検出エレメントが各々対称に変化するため、１対
の磁気検出エレメントにてブリッジあるいは２対の磁気
検出エレメントでホイートストンブリッジを構成するこ
とにより、磁気検出素子の温度特性を相殺することがで
き、磁性回転体の凹凸のエッジ検出精度の温度特性を向
上させ、パワーオン機能を持たせることができる。ま
た、磁石と磁気検出素子が共に磁性回転体の凹凸と対向
する方向に平行に配置されているため、配線に用いるリ
ードあるいはインサート等の曲げ加工が不要となり、生
産性の向上が計れる。また、磁気検出抵抗のピッチ中心
を磁石の磁性回転体寄り端部と略同一に配置すること
で、第１の所定角度と第２の所定角度が、磁気検出抵抗
が配置された平面の垂直方向に対して対称な角度を有す
るように、磁気検出抵抗を確実に配置することができ
る。
体の凹凸に対応した磁界変化により磁気検出素子の１対
の磁気検出エレメントが各々対称に変化するため、１対
の磁気検出エレメントにてブリッジあるいは２対の磁気
検出エレメントでホイートストンブリッジを構成するこ
とにより、磁気検出素子の温度特性を相殺することがで
き、磁性回転体の凹凸のエッジ検出精度の温度特性を向
上させ、パワーオン機能を持たせることができる。ま
た、磁石と磁気検出素子が共に磁性回転体の凹凸と対向
する方向に平行に配置されているため、配線に用いるリ
ードあるいはインサート等の曲げ加工が不要となり、生
産性の向上が計れる。また、磁気検出抵抗のピッチ中心
を磁石の磁性回転体寄り端部と略同一に配置すること
で、第１の所定角度と第２の所定角度が、磁気検出抵抗
が配置された平面の垂直方向に対して対称な角度を有す
るように、磁気検出抵抗を確実に配置することができ
る。
【００２２】実施の形態２．図５はこの発明の実施の形
態２を示す構成図である。なお、本実施の形態は、実質
的に上述した実施の形態１の図１の磁気抵抗素子２４の
配置された磁石２６を磁性回転体２５に対して９０゜回
転させた場合であり、図５の磁気抵抗素子１４、この磁
気抵抗素子１４を実質的に形成し、ブリッジを構成して
いる磁気検出抵抗１４ａ、１４ｂ、磁性移動体としての
磁性回転体１５、磁界発生手段としての磁石１６、およ
び回転軸１７は、それぞれ図１の磁気抵抗素子２４、磁
気検出抵抗２４ａ，２４ｂ、磁性回転体２５、磁石２
６、および回転軸２７に対応するものである。従って、
その動作原理および効果については実施の形態１と同様
であるので、その説明を省略する。
態２を示す構成図である。なお、本実施の形態は、実質
的に上述した実施の形態１の図１の磁気抵抗素子２４の
配置された磁石２６を磁性回転体２５に対して９０゜回
転させた場合であり、図５の磁気抵抗素子１４、この磁
気抵抗素子１４を実質的に形成し、ブリッジを構成して
いる磁気検出抵抗１４ａ、１４ｂ、磁性移動体としての
磁性回転体１５、磁界発生手段としての磁石１６、およ
び回転軸１７は、それぞれ図１の磁気抵抗素子２４、磁
気検出抵抗２４ａ，２４ｂ、磁性回転体２５、磁石２
６、および回転軸２７に対応するものである。従って、
その動作原理および効果については実施の形態１と同様
であるので、その説明を省略する。
【００２３】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３を示す構成図である。上述した実施の形態１および
２においては、磁石の着磁方向を磁性回転体の対向方向
としたが、本実施の形態においては、磁石の着磁方向を
磁性回転体の対向方向と垂直方向で且つ磁気検出素子感
磁面に対して垂直方向としたものである。
態３を示す構成図である。上述した実施の形態１および
２においては、磁石の着磁方向を磁性回転体の対向方向
としたが、本実施の形態においては、磁石の着磁方向を
磁性回転体の対向方向と垂直方向で且つ磁気検出素子感
磁面に対して垂直方向としたものである。
【００２４】図６（ａ）は実質的に実施の形態１の図１
に対応し、図６（ｂ）は実質的に実施の形態２の図４に
対応し、従って、対応する部分には同一符号を付して表
している。また、その構成は、磁石２６（または１６）
の着磁方向を磁性回転体２５（または１５）の対向方向
と垂直方向で且つ磁気抵抗素子２４（または１４）の感
磁面に対して垂直方向とした以外は、実施の形態１およ
び２と同様である。また、その処理回路構成、動作原理
及び効果については、実施の形態１と同様であるので、
その説明を省略する。
に対応し、図６（ｂ）は実質的に実施の形態２の図４に
対応し、従って、対応する部分には同一符号を付して表
している。また、その構成は、磁石２６（または１６）
の着磁方向を磁性回転体２５（または１５）の対向方向
と垂直方向で且つ磁気抵抗素子２４（または１４）の感
磁面に対して垂直方向とした以外は、実施の形態１およ
び２と同様である。また、その処理回路構成、動作原理
及び効果については、実施の形態１と同様であるので、
その説明を省略する。
【００２５】実施の形態４．本実施の形態は、磁気検出
素子としていわゆる巨大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素
子と云う）を用いた場合であり、先ず、その磁気検出抵
抗パターンについて説明する。ＧＭＲ素子は、日本応用
磁気学会誌Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．５１９９１，ｐ８１３
〜８２１「人工格子の磁気抵抗効果」に記載されている
数オングストロームから数十オングストロームの厚さの
磁性層と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆ
る人工格子膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ
／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られて
おり（ｎは積層数）、これは慣用の磁気抵抗素子（以
下、ＭＲ素子と云う）と比較して格段に大きなＭＲ効果
（ＭＲ変化率）を有するとともに、隣り合った磁性層の
磁化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の
向きが電流に対してどのような角度差をもっていても同
じ抵抗値変化が得られる面内感磁の素子である。また、
磁気抵抗パターンの幅を狭くすることで異方性をつける
ことができる素子でもある。また、印加磁界の変化によ
る抵抗値変化にヒステリシスが存在するとともに、温度
特性、特に温度係数が大きいという特徴を備えた素子で
ある。
素子としていわゆる巨大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素
子と云う）を用いた場合であり、先ず、その磁気検出抵
抗パターンについて説明する。ＧＭＲ素子は、日本応用
磁気学会誌Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．５１９９１，ｐ８１３
〜８２１「人工格子の磁気抵抗効果」に記載されている
数オングストロームから数十オングストロームの厚さの
磁性層と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆ
る人工格子膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ
／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られて
おり（ｎは積層数）、これは慣用の磁気抵抗素子（以
下、ＭＲ素子と云う）と比較して格段に大きなＭＲ効果
（ＭＲ変化率）を有するとともに、隣り合った磁性層の
磁化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の
向きが電流に対してどのような角度差をもっていても同
じ抵抗値変化が得られる面内感磁の素子である。また、
磁気抵抗パターンの幅を狭くすることで異方性をつける
ことができる素子でもある。また、印加磁界の変化によ
る抵抗値変化にヒステリシスが存在するとともに、温度
特性、特に温度係数が大きいという特徴を備えた素子で
ある。
【００２６】図７は上述のＧＭＲ素子の一般的な印加磁
界に対する抵抗変化（以下、ＭＲ特性と云う）を示して
いる。本実施の形態における構成および処理回路構成
は、実質的に実施の形態１あるいは実施の形態２と同様
であるので、その説明を省略し、以下に、その磁気検出
抵抗パターンの構成と効果について説明する。まず、図
８および図９に磁気抵抗パターン幅を約１０μｍとした
場合の２種類の磁気抵抗パターンを示す。図８に示す磁
気抵抗パターンは、磁性回転体２５と磁石２６の対向方
向と垂直の方向にパターンが形成されており、図９に示
す磁気抵抗パターンは磁性回転体２５と磁石２６の対向
方向にパターンは形成されている。
界に対する抵抗変化（以下、ＭＲ特性と云う）を示して
いる。本実施の形態における構成および処理回路構成
は、実質的に実施の形態１あるいは実施の形態２と同様
であるので、その説明を省略し、以下に、その磁気検出
抵抗パターンの構成と効果について説明する。まず、図
８および図９に磁気抵抗パターン幅を約１０μｍとした
場合の２種類の磁気抵抗パターンを示す。図８に示す磁
気抵抗パターンは、磁性回転体２５と磁石２６の対向方
向と垂直の方向にパターンが形成されており、図９に示
す磁気抵抗パターンは磁性回転体２５と磁石２６の対向
方向にパターンは形成されている。
【００２７】両パターンでの印加磁界変化方向は、対向
方向パターンではパターンに平行な磁界変化が印加さ
れ、垂直方向パターンではパターンに垂直な磁界変化が
印加されることになる。印加磁界は図７のＧＭＲ素子の
ＭＲ特性の最も抵抗変化率の大きい例えば８ｋＡ／ｍ
〜１６ｋＡ／ｍ（−１６ｋＡ／ｍ 〜 −８ｋＡ／ｍ）
の磁界変化が通常使用される。上述した印加磁界変化で
の上記両パターンでの抵抗値変化をそれぞれ図１０およ
び図１１にに示す。図のように両パターンでの抵抗変化
は異なった値を示し、図９に示した回転体磁性体２５と
磁石２６の対向方向にパターンが構成されている場合の
方がＧＭＲ素子の抵抗変化を大きく使えることが判る。
方向パターンではパターンに平行な磁界変化が印加さ
れ、垂直方向パターンではパターンに垂直な磁界変化が
印加されることになる。印加磁界は図７のＧＭＲ素子の
ＭＲ特性の最も抵抗変化率の大きい例えば８ｋＡ／ｍ
〜１６ｋＡ／ｍ（−１６ｋＡ／ｍ 〜 −８ｋＡ／ｍ）
の磁界変化が通常使用される。上述した印加磁界変化で
の上記両パターンでの抵抗値変化をそれぞれ図１０およ
び図１１にに示す。図のように両パターンでの抵抗変化
は異なった値を示し、図９に示した回転体磁性体２５と
磁石２６の対向方向にパターンが構成されている場合の
方がＧＭＲ素子の抵抗変化を大きく使えることが判る。
【００２８】次に、図１２に上記同様の２種類の磁気抵
抗パターンに±８０ｋＡ／ｍの磁界を印加させた場合の
ＭＲ特性を示す。ここで注目すべき点はヒステリシスで
ある。図のように対向方向パターンに比べ垂直方向パタ
ーンはヒステリシスが小さく、図１３のように例えば８
ｋＡ／ｍ 〜 １６ｋＡ／ｍ（−１６ ｋＡ／ｍ 〜−
８ ｋＡ／ｍ）の印加磁界で動作している場合に外乱磁
界による動作点の変化が小さいことが判る。
抗パターンに±８０ｋＡ／ｍの磁界を印加させた場合の
ＭＲ特性を示す。ここで注目すべき点はヒステリシスで
ある。図のように対向方向パターンに比べ垂直方向パタ
ーンはヒステリシスが小さく、図１３のように例えば８
ｋＡ／ｍ 〜 １６ｋＡ／ｍ（−１６ ｋＡ／ｍ 〜−
８ ｋＡ／ｍ）の印加磁界で動作している場合に外乱磁
界による動作点の変化が小さいことが判る。
【００２９】以上のように、外乱磁界を考慮しなくて良
い場合は対向方向パターンが有利であり、外乱磁界の考
慮が必要な場合は垂直方向パターンが有利と言える。こ
のように、本実施の形態では、ＧＭＲ素子を使用し、取
付環境に応じて磁気抵抗パターンを構成することによ
り、ＳＮ比が向上し、回転体の凹凸に対応した信号をよ
り正確に得ることができる。
い場合は対向方向パターンが有利であり、外乱磁界の考
慮が必要な場合は垂直方向パターンが有利と言える。こ
のように、本実施の形態では、ＧＭＲ素子を使用し、取
付環境に応じて磁気抵抗パターンを構成することによ
り、ＳＮ比が向上し、回転体の凹凸に対応した信号をよ
り正確に得ることができる。
【００３０】なお、上述の各実施の形態で用いる磁性回
転体は凹凸を具備した直線変位をする磁性体に置き換え
た直線変位検出装置に用いても同様の回路構成および磁
気回路構成で同様の効果が得られることは云うまでもな
い。
転体は凹凸を具備した直線変位をする磁性体に置き換え
た直線変位検出装置に用いても同様の回路構成および磁
気回路構成で同様の効果が得られることは云うまでもな
い。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、磁界を発生する磁界発生手段と、この磁界発生手段
と所定の間隙をもって配置され、磁界発生手段によって
発生された磁界を変化させる凹凸を具備した磁性移動体
と、複数個の磁気検出エレメントからなり、磁性移動体
の移動による磁界の変化を検出する磁気検出素子とを備
え、磁性移動体の凹部が磁気検出素子と対向状態で、複
数個の磁気検出エレメントに対して第１の所定角度で磁
束が鎖交し、磁性移動体の凸部が磁気検出素子と対向状
態で、複数個の磁気検出エレメントに対して第２の所定
角度で磁束が鎖交し、第１の所定角度と第２の所定角度
は、複数個の磁気検出エレメントが配置された平面の垂
直方向に対して対称な角度を有するので、磁気検出素子
の温度特性を相殺することができ、磁性移動体の凹凸の
エッジ検出精度の温度特性を向上させた、パワーオン機
能を備える検出装置を得ることができるという効果があ
る。
ば、磁界を発生する磁界発生手段と、この磁界発生手段
と所定の間隙をもって配置され、磁界発生手段によって
発生された磁界を変化させる凹凸を具備した磁性移動体
と、複数個の磁気検出エレメントからなり、磁性移動体
の移動による磁界の変化を検出する磁気検出素子とを備
え、磁性移動体の凹部が磁気検出素子と対向状態で、複
数個の磁気検出エレメントに対して第１の所定角度で磁
束が鎖交し、磁性移動体の凸部が磁気検出素子と対向状
態で、複数個の磁気検出エレメントに対して第２の所定
角度で磁束が鎖交し、第１の所定角度と第２の所定角度
は、複数個の磁気検出エレメントが配置された平面の垂
直方向に対して対称な角度を有するので、磁気検出素子
の温度特性を相殺することができ、磁性移動体の凹凸の
エッジ検出精度の温度特性を向上させた、パワーオン機
能を備える検出装置を得ることができるという効果があ
る。
【００３２】請求項２の発明によれば、磁性移動体の凹
凸と対向配置された磁界発生手段の着磁方向を、対向方
向とし、この対向方向と平行に磁気検出素子を配置した
ので、磁性移動体の凹凸に対応した信号精度を向上する
ことが出来ると共に、配線に用いるリードあるいはイン
サート等の曲げ加工が不要となり、生産性の向上が計れ
るという効果がある。
凸と対向配置された磁界発生手段の着磁方向を、対向方
向とし、この対向方向と平行に磁気検出素子を配置した
ので、磁性移動体の凹凸に対応した信号精度を向上する
ことが出来ると共に、配線に用いるリードあるいはイン
サート等の曲げ加工が不要となり、生産性の向上が計れ
るという効果がある。
【００３３】請求項３の発明によれば、磁性移動体の凹
凸と対向配置された磁界発生手段の着磁方向を、対向方
向と垂直にし、この対向方向と平行に磁気検出素子を配
置したので、磁性移動体の凹凸に対応した信号精度を向
上することが出来ると共に、配線に用いるリードあるい
はインサート等の曲げ加工が不要となり、生産性の向上
が計れるという効果がある。
凸と対向配置された磁界発生手段の着磁方向を、対向方
向と垂直にし、この対向方向と平行に磁気検出素子を配
置したので、磁性移動体の凹凸に対応した信号精度を向
上することが出来ると共に、配線に用いるリードあるい
はインサート等の曲げ加工が不要となり、生産性の向上
が計れるという効果がある。
【００３４】請求項４の発明によれば、磁気検出素子の
複数個の磁気検出エレメントのピッチ中心を、磁界発生
手段の磁性移動体寄り端部と略同一に配置したので、第
１の所定角度と第２の所定角度が、磁気検出抵抗が配置
された平面の垂直方向に対して対称な角度を有するよう
に、磁気検出抵抗を確実に配置することができるという
効果がある。
複数個の磁気検出エレメントのピッチ中心を、磁界発生
手段の磁性移動体寄り端部と略同一に配置したので、第
１の所定角度と第２の所定角度が、磁気検出抵抗が配置
された平面の垂直方向に対して対称な角度を有するよう
に、磁気検出抵抗を確実に配置することができるという
効果がある。
【００３５】請求項５の発明によれば、磁気検出素子と
してＧＭＲ素子を用いたので、取付環境に応じて磁気抵
抗パターンを構成することにより、ＳＮ比が向上し、磁
性移動体の凹凸に対応した信号をより正確に得ることが
でき、また、外部磁界の向きが電流に対してどのような
角度差をもっていても同じ抵抗値変化が得られ、高精度
の検出が可能になるという効果がある。
してＧＭＲ素子を用いたので、取付環境に応じて磁気抵
抗パターンを構成することにより、ＳＮ比が向上し、磁
性移動体の凹凸に対応した信号をより正確に得ることが
でき、また、外部磁界の向きが電流に対してどのような
角度差をもっていても同じ抵抗値変化が得られ、高精度
の検出が可能になるという効果がある。
【００３６】請求項６の発明によれば、磁気検出素子の
磁気抵抗パターンを磁性移動体と磁界発生手段の対向方
向に対して垂直となるようにしたので、特に外乱磁界の
考慮が必要な場合に有利であるという効果がある。
磁気抵抗パターンを磁性移動体と磁界発生手段の対向方
向に対して垂直となるようにしたので、特に外乱磁界の
考慮が必要な場合に有利であるという効果がある。
【００３７】請求項７の発明によれば、磁気検出素子の
磁気抵抗パターンを磁性移動体と磁界発生手段の対向方
向とするので、特に外乱磁界を考慮しなくて良い場合は
有利であるという効果がある。
磁気抵抗パターンを磁性移動体と磁界発生手段の対向方
向とするので、特に外乱磁界を考慮しなくて良い場合は
有利であるという効果がある。
【００３８】請求項８の発明によれば、磁性移動体を、
回転軸に同期して回転する磁性回転体とするので、磁性
回転体の回転による磁界の変化を確実に検出できるとい
う効果がある。
回転軸に同期して回転する磁性回転体とするので、磁性
回転体の回転による磁界の変化を確実に検出できるとい
う効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態例１を示す構成図であ
る。
る。
【図２】 この発明の実施の形態１の磁界ベクトル変化
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態１の出力信号を示す図
である。
である。
【図４】 この発明の実施の形態１の作用を示す図であ
る。
る。
【図５】 この発明の実施の形態２を示す構成図であ
る。
る。
【図６】 この発明の実施の形態３を示す構成図であ
る。
る。
【図７】 ＧＭＲ素子のＭＲ特性を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態４の磁気検出エレメン
トのパターン形成を説明するための図である。
トのパターン形成を説明するための図である。
【図９】 この発明の実施の形態４の磁気検出エレメン
トのパターン形成を説明するための図である。
トのパターン形成を説明するための図である。
【図１０】 この発明の実施の形態４を説明するための
図である。
図である。
【図１１】 この発明の実施の形態４を説明するための
図である。
図である。
【図１２】 この発明の実施の形態４のＭＲ特性を示す
図である。
図である。
【図１３】 この発明の実施の形態４のＭＲ特性を示す
図である。
図である。
【図１４】 慣用の磁気検出素子を用いたセンサの処理
回路を示す構成図である。
回路を示す構成図である。
【図１５】 従来の磁気検出装置を示す構成図である。
【図１６】 従来の磁気検出装置の出力信号を示す図で
ある。
ある。
【図１７】 従来の磁気検出装置の出力信号を示す図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １５，２５ 磁性回転体、１４，２４ 磁気抵抗素
子、１４ａ，１４ｂ，２４ａ，２４ｂ 磁気検出エレ
メント、１６，２６ 磁石、１７，２７回転軸。
子、１４ａ，１４ｂ，２４ａ，２４ｂ 磁気検出エレ
メント、１６，２６ 磁石、１７，２７回転軸。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名田 拓嗣 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 磁界を発生する磁界発生手段と、 該磁界発生手段と所定の間隙をもって配置され、上記磁
界発生手段によって発生された磁界を変化させる凹凸を
具備した磁性移動体と、 複数個の磁気検出エレメントからなり、上記磁性移動体
の移動による磁界の変化を検出する磁気検出素子とを備
え、上記磁性移動体の凹部が上記磁気検出素子と対向状
態で、上記複数個の磁気検出エレメントに対して第１の
所定角度で磁束が鎖交し、上記磁性移動体の凸部が上記
磁気検出素子と対向状態で、上記複数個の磁気検出エレ
メントに対して第２の所定角度で磁束が鎖交し、上記第
１の所定角度と上記第２の所定角度は、上記複数個の磁
気検出エレメントが配置された平面の垂直方向に対して
対称な角度を有することを特徴とする磁気検出装置。 - 【請求項２】 上記磁性移動体の凹凸と対向配置された
上記磁界発生手段の着磁方向を、上記対向方向とし、該
対向方向と平行に上記磁気検出素子を配置したことを特
徴とする請求項１記載の磁気検出装置。 - 【請求項３】 上記磁性移動体の凹凸と対向配置された
上記磁界発生手段の着磁方向を、上記対向方向と垂直に
し、該対向方向と平行に上記磁気検出素子を配置したこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気検出装置。 - 【請求項４】 上記磁気検出素子の複数個の磁気検出エ
レメントのピッチ中心を、上記磁界発生手段の上記磁性
移動体寄り端部と略同一に配置したことを特徴とする請
求項２記載の磁気検出装置。 - 【請求項５】 上記磁気検出素子としてＧＭＲ素子を用
いたことを特徴とする請求項１記載の磁気検出装置。 - 【請求項６】 上記磁気検出素子の磁気抵抗パターンを
上記磁性移動体と上記磁界発生手段の対向方向に対して
垂直となるようにしたことを特徴とする請求項５記載の
磁気検出装置。 - 【請求項７】 上記磁気検出素子の磁気抵抗パターンを
上記磁性移動体と上記磁界発生手段の対向方向とするこ
とを特徴とする請求項５記載の磁気検出装置。 - 【請求項８】 上記磁性移動体は、回転軸に同期して回
転する磁性回転体であることを特徴とする請求項１〜７
のいずれかに記載の磁気検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10109818A JPH11304413A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 磁気検出装置 |
| US09/161,675 US6111403A (en) | 1998-04-20 | 1998-09-29 | Magnetic detector wherein the magnetic flux crosses the sensing elements at a predetermined angle |
| DE19850460A DE19850460B4 (de) | 1998-04-20 | 1998-11-02 | Magnetfelddetektor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10109818A JPH11304413A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 磁気検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11304413A true JPH11304413A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14519996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10109818A Pending JPH11304413A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 磁気検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6111403A (ja) |
| JP (1) | JPH11304413A (ja) |
| DE (1) | DE19850460B4 (ja) |
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| US7045997B2 (en) | 2002-07-23 | 2006-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic detection apparatus |
| JP2010060340A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ装置 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2000019226A1 (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Seagate Technology Llc | Quad-layer gmr sandwich |
| JP3619156B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2005-02-09 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出装置 |
| JP3855801B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2006-12-13 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
| US20040017188A1 (en) * | 2002-07-23 | 2004-01-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic detection apparatus |
| JP3682052B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2005-08-10 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出装置 |
| JP4229877B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2009-02-25 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出装置 |
| DE102007025965A1 (de) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensor |
| DE112010005280B4 (de) * | 2010-02-17 | 2014-12-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetische Positionserfassungsvorrichtung |
| US9170309B2 (en) | 2010-06-08 | 2015-10-27 | Infineon Technologies Ag | Through bias pole for IGMR speed sensing |
| US9923025B2 (en) | 2014-09-10 | 2018-03-20 | Honeywell International Inc. | Magnetoresistive random access memory (MRAM) die including a magnetic field sensing structure |
| JP6041959B1 (ja) * | 2015-10-14 | 2016-12-14 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出装置 |
| EP3531076B1 (en) * | 2018-02-23 | 2021-07-14 | Allegro MicroSystems, LLC | Angle sensor using eddy currents |
| US11493361B2 (en) | 2021-02-26 | 2022-11-08 | Allegro Microsystems, Llc | Stray field immune coil-activated sensor |
| US11578997B1 (en) | 2021-08-24 | 2023-02-14 | Allegro Microsystems, Llc | Angle sensor using eddy currents |
| US12578176B2 (en) | 2023-03-22 | 2026-03-17 | Allegro Microsystems, Llc | Angle sensor using eddy currents and having harmonic compensation |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5477143A (en) * | 1994-01-11 | 1995-12-19 | Honeywell Inc. | Sensor with magnetoresistors disposed on a plane which is parallel to and displaced from the magnetic axis of a permanent magnet |
| US5600238A (en) * | 1994-07-05 | 1997-02-04 | Ford Motor Company | Method and apparatus for detecting the linear or rotary position of an object through the use of a variable magnetic shunt disposed in parallel with a yoke air gap |
| US5596272A (en) * | 1995-09-21 | 1997-01-21 | Honeywell Inc. | Magnetic sensor with a beveled permanent magnet |
| JPH09329463A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
| JPH09329461A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP10109818A patent/JPH11304413A/ja active Pending
- 1998-09-29 US US09/161,675 patent/US6111403A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-02 DE DE19850460A patent/DE19850460B4/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045997B2 (en) | 2002-07-23 | 2006-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic detection apparatus |
| JP2010060340A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19850460B4 (de) | 2004-09-02 |
| US6111403A (en) | 2000-08-29 |
| DE19850460A1 (de) | 1999-10-28 |
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