JPH113048A - エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 - Google Patents

エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法

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JPH113048A
JPH113048A JP9152309A JP15230997A JPH113048A JP H113048 A JPH113048 A JP H113048A JP 9152309 A JP9152309 A JP 9152309A JP 15230997 A JP15230997 A JP 15230997A JP H113048 A JPH113048 A JP H113048A
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JP
Japan
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electroluminescent
thin film
film transistor
electroluminescent device
substrate
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JP9152309A
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English (en)
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Masaki Kuribayashi
正樹 栗林
Eiju Tsuzuki
英寿 都築
Kazunori Ueno
和則 上野
Yuichi Hashimoto
雄一 橋本
Akihiro Senoo
章弘 妹尾
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

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  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精細、高密度、長時間の連続高輝度発光の
大型カラーディスプレイを実現させるアクティブマトリ
クス駆動用ＥＬ素子及び装置、並びにその製造法を提供
すること。 【解決手段】 薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続
したドレイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドに
接続したコンデンサを備えたトランジスタ基板、並びに
複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対
の電極間に配置したエレクトロ、ルミネセンス体を備え
たエレクトロ・ルミネセンス基板を有し、ドレイン電極
パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様
に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス
基板とを配向配置し、ドレイン電極パッドと一対の電極
の一方の電極とを接着性電気接続体を通して接続してな
るエレクトロ・ルミネセンス素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置、発光光
源又は電子写真プリンタのプリンタ・ヘッドに適用可能
なエレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその
製造法に関する。特に、本発明は、大画面のフルカラー
表示に適した有機エレクトロ・ルミネセンス体を用いた
素子及び装置、並びにその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロ・ルミネセンス体とし
て、例えば特開平６−２５６７５９号公報、特開平６−
１３６３６０号公報、特開平６−１８８０７４号公報、
特開平６−１９２６５４号公報や特開平８−４１４５２
号公報に開示されたものが知られている。
【０００３】また、これらの有機エレクトロ・ルミネセ
ンス体は、例えば特開平８−２４１０４８号公報に記載
の薄膜トランジスタによって駆動することが知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機エ
レクトロ・ルミネセンス体を薄膜トランジスタによって
駆動するために、薄膜トランジスタのドレイン電極パッ
ド毎に有機エレクトロ・ルミネセンス体を設けることを
必要とし、特にフルカラー表示の場合には、青色、緑色
及び赤色の三原色をエレクトロ・ルミネセンス発光させ
る３種のエレクトロ・ルミネセンス体を薄膜トランジス
タ基板上で、パターニング形成することが必要であった
が、薄膜トランジスタ表面は、エレクトロ・ルミネセン
ス体薄膜と比較し、大きい凹凸面を形成しているため、
エレクトロ・ルミネセンス体薄膜を高精細・高密度でパ
ターニングするのが困難であり、更に薄膜トランジスタ
基板上にトランジスタとエレクトロ・ルミネセンス体と
の２種の機能素子を集中させたことに基づく低レベルの
生産性に問題点を持っていた。
【０００５】また、有機エレクトロ・ルミネセンス体
は、長時間の直流電圧の印加によって、連続発光時間が
短縮される問題点を生じていた。特に、特開平８−２４
１０４８号公報等に開示の薄膜トランジスタによって駆
動する場合では、有機エレクトロ・ルミネセンス体に直
流電圧が印加され続けてしまい、有機エレクトロ・ルミ
ネセンス体の劣化を早めてしまう問題点を生じていた。
【０００６】本発明の目的は、上記問題点を解決する大
画面のフルカラー表示に適した有機エレクトロ・ルミネ
センス体を用いた素子及びその製造法を提供することに
ある。
【０００７】また、本発明の目的は、長時間の連続発光
を可能にしたエレクトロ・ルミネセンス装置を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、複数
の行及び列に沿って配置した薄膜トランジスタ、行毎
に、該行上の複数の薄膜トランジスタのゲートを共通に
接続したゲート線、列毎に、該列上の複数の薄膜トラン
ジスタのソースを共通に接続したソース線、薄膜トラン
ジスタの各ドレイン毎に接続したドレイン電極パッド、
及び該ドレイン電極パッドに接続したコンデンサを備え
たトランジスタ基板、並びに複数の行及び列に沿って配
置し、一対の電極及び該一対の電極間に配置したエレク
トロ・ルミネセンス体を備えたエレクトロ・ルミネセン
ス基板を有し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミ
ネセンス体とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板と
エレクトロ・ルミネセンス基板とを対向配置し、ドレイ
ン電極パッドと一対の電極の一方の電極とを接着性電気
接続体を通して接続してなるエレクトロ・ルミネセンス
素子に、第１の特徴を有し、第２に、複数の行及び列に
沿って配置した第１薄膜トランジスタ、行毎に、該行上
の複数の第１薄膜トランジスタのゲートを共通に接続し
たゲート線、列毎に、該列上の複数の第１薄膜トランジ
スタのソースを共通に接続したソース線、第１薄膜トラ
ンジスタの各ドレイン毎に接続した第２薄膜トランジス
タ、及び該第２薄膜トランジスタに接続したコンデンサ
を備え、該第２薄膜トランジスタのゲートを第１薄膜ト
ランジスタのドレインに接続させ、該第２薄膜トランジ
スタの各ドレイン毎にドレイン電極パッドを接続させ、
そして第２薄膜トランジスタのソースと該コンデンサの
一方の電極とを接続させてなるトランジスタ基板、並び
に複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一
対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備
えたエレクトロ・ルミネセンス基板を有し、ドレイン電
極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様
に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス
基板とを配向配置し、ドレイン電極パッドと一対の電極
の一方の電極とを接着性電気接続体を通して接続してな
るエレクトロ・ルミネセンス素子に、第２の特徴を有
し、第３に、複数の行及び列に沿って配置した薄膜トラ
ンジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジスタの
ゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の複
数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソース
線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレイ
ン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドに接続したコ
ンデンサを備えたトランジスタ基板を用意し、複数の行
及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の電極間
に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えたエレク
トロ・ルミネセンス基板を用意し、トランジスタ基板の
ドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体の
うち少なくとも一方に接着性電気接続体を配置し、ドレ
イン電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向
する様に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネ
センス基板とを対向配置し、重ね合せるエレクトロ・ル
ミネセンス素子の製造法に、第３の特徴を有し、第４
に、複数の行及び列に沿って配置した薄膜トランジス
タ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジスタのゲート
を共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の複数の薄
膜トランジスタのソースを共通に接続したソース線、薄
膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレイン電極
パッド、及び該ドレイン電極パッドに接続したコンデン
サを備えたトランジスタ基板を用意する工程、複数の行
及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の電極間
に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えたエレク
トロ・ルミネセンス基板を用意する工程、トランジスタ
基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミネセン
ス体のうちの少なくとも一方に接着性電気接続体を配置
する工程、トランジスタ基板のドレイン電極パッド及び
エレクトロ・ルミネセンス体のうちの少なくとも一方に
接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体の外周部となる
位置に配置する工程、並びにドレイン電極パッドとエレ
クトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜トラン
ジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを対向配
置し、重ね合せる工程を有するエレクトロ・ルミネセン
ス素子の製造法に、第４の特徴を有し、第５に、複数の
行及び列に沿って配置した薄膜トランジスタ、行毎に、
該行上の複数の薄膜トランジスタのゲートを共通に接続
したゲート線、列毎に、該列上の複数の薄膜トランジス
タのソースを共通に接続したソース線、薄膜トランジス
タの各ドレイン毎に接続したドレイン電極パッド、及び
該ドレイン電極パッドに接続したコンデンサを備えたト
ランジスタ基板を用意する工程、複数の行及び列に沿っ
て配置し、一対の電極及び該一対の電極間に配置したエ
レクトロ・ルミネセンス体を備えたエレクトロ・ルミネ
センス基板を用意する工程、トランジスタ基板のドレイ
ン電極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの
少なくとも一方に接着性電気接続体を配置する工程、ト
ランジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・
ルミネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気絶
縁体を該接着性電気接続体の外周部となる位置に配置す
る工程、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセン
ス体とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレク
トロ・ルミネセンス基板とを対向配置し、重ね合せる工
程、並びに薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネ
センス基板との間を真空排気し、接着性電気接続体及び
接着性静電気絶縁体を加熱硬化させる工程を有するエレ
クトロ・ルミネセンス素子の製造法に、第５の特徴を有
し、第６に、複数の行及び列に沿って配置した第１スィ
ッチング素子、行毎に、行上の複数の第１スィッチング
素子の第１端子を共通に接続した第１配線、列毎に、列
上の複数の第１スィッチング素子の第２端子を共通に接
続した第２配線、第１スィッチング素子の各第３端子毎
に接続した一方の電極、他方の電極及び一方と他方との
電極間に設けたエレクトロ・ルミネセンス体を有するエ
レクトロ・ルミネセンス要素、各第３端子毎に接続した
コンデンサ、エレクトロ・ルミネセンス要素の一方の電
極と第１スィッチング素子の第３端子間に設けた第２ス
ィッチング素子、エレクトロ・ルミネセンス要素の一方
の電極に接続した第３配線、該第３配線中に設けた第３
スィッチング素子、並びに、所定行の第１配線に第１ス
ィッチング素子をオンとするための第１オン信号パルス
を印加し、他行の第１配線に第１スィッチング素子をオ
フとするための第１オフ信号パルスを印加し、第１オン
信号パルスに同期させて第２配線に情報に応じた順バイ
アスの情報信号パルスを印加し、前記所定行のための第
１オン信号パルス印加時、その前で、又はその後で第２
スィッチング素子をオンとするための第２オン信号パル
スを第２スィッチング素子の制御線に所定期間にわたっ
て印加し、これによって、該行上の各エレクトロ・ルミ
ネセンス体への書込みを作動させ、そして、該所定期間
後に第２スィッチング素子をオフとするための第２オフ
信号パルスを該制御線に印加し、該第２オフ信号パルス
印加時、その前で、又はその後で第３スィッチング素子
をオンとするための第３オン信号パルスを第３スィッチ
ング素子の制御線に印加し、これによって、前記第３配
線とエレクトロ・ルミネセンス要素の他方の電極との間
で逆バイアス電圧が印加される様に設定する逆バイアス
印加手段を作動させる駆動手段を有するエレクトロ・ル
ミネセンス装置に、第６の特徴を有し、第７に、複数の
行及び列に沿って配置した第１薄膜トランジスタ、行毎
に、行上の複数の第１薄膜トランジスタのゲートを共通
に接続した第１配線、列毎に、列上の複数の第１薄膜ト
ランジスタのソースを共通に接続した第２配線、第１薄
膜トランジスタの各ドレイン毎に接続した一方の電極、
他方の電極及び一方と他方との電極間に設けたエレクト
ロ・ルミネセンス体を有するエレクトロ・ルミネセンス
要素、該ドレインと該エレクトロ・ルミネセンス要素の
一方の電極との間に設けられ、ゲートで接続した第２薄
膜トランジスタ、各ドレイン毎に接続したコンデンサ、
エレクトロ・ルミネセンス要素の一方の電極と第２薄膜
トランジスタのドレイン端子との間に設けた第１スィッ
チング素子、エレクトロ・ルミネセンス要素の一方の電
極に接続した第３配線、該第３配線中に設けた第２スィ
ッチング素子、並びに、所定行の第１配線に第１薄膜ト
ランジスタをオンとするための第１オン信号パルスを印
加し、他行の第１配線に第１薄膜トランジスタをオフと
するための第１オフ信号パルスを印加し、第１オン信号
パルスに同期させて第２配線に情報に応じた順バイアス
の情報信号パルスを印加し、前記所定行のための第１オ
ン信号パルス印加時、その前で、又はその後で第１スィ
ッチング素子をオンとするための第２オン信号パルスを
第１スィッチング素子の制御線に所定期間にわたって印
加し、これによって、該行上の各エレクトロ・ルミネセ
ンス体への書込みを作動させ、そして、該所定期間後に
第１スィッチング素子をオフとするための第２オフ信号
パルスを該制御線に印加し、該第２オフ信号パルス印加
時、その前で、又はその後で第２スィッチング素子をオ
ンとするための第３オン信号パルスを第３スィッチング
素子の制御線に印加し、これによって、前記第３配線と
エレクトロ・ルミネセンス要素の他方の電極との間で逆
バイアス電圧が印加される様に設定する逆バイアス印加
手段を作動させる駆動手段を有するエレクトロ・ルミネ
センス装置に、第７の特徴を有し、第８に、複数の行及
び列に沿って配置したスィッチング素子、行毎に、行上
の複数のスィッチング素子の第１端子を共通に接続した
第１配線、列毎に、列上の複数のスィッチング素子の第
２端子を共通に接続した第２配線、及びスィッチング素
子の各第３端子毎に接続した一方の電極、他方の電極及
び一方と他方との電極間に設けたエレクトロ・ルミネセ
ンス体を有するエレクトロ・ルミネセンス要素、並びに
前記複数の行のうち少なくとも１つの行を選択する走査
選択パルスを、その選択された行に対応する第１配線に
印加し、走査選択信号に同期させて第２配線に情報に応
じ、エレクトロ・ルミネセンス体に対して順バイアス状
態を生じさせる情報信号パルスを、第２配線毎に印加
し、前記選択された行に対応する第１配線への次の走査
選択信号又は、その後の走査選択信号の印加の開始前
で、エレクトロ・ルミネセンス体に対して逆バイアス状
態を生じさせるバイアス電圧を、第３配線を通して、該
エレクトロ・ルミネセンス体に印加する駆動手段を有す
るエレクトロ・ルミネセンス装置に、第８の特徴を有す
る。
【０００９】前記エレクトロクロミック体としては、青
色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体であって、有
機エレクトロ・ルミネセンス体が好ましい。
【００１０】前記接着性電気接続体としては、導電性粒
子を接着剤中に分散含有させ、特にシランカップリング
剤を含有させたものが好ましい。
【００１１】前記接着性電気接続体の外周部には、接着
性電気絶縁体を配置した接着構造を採用するのが好まし
い。
【００１２】前記薄膜トランジスタは、ポリシリコン半
導体、結晶シリコン半導体、微結晶シリコン半導体又は
アモルファスシリコン半導体を用いるのが好ましい。
【００１３】前記エレクトロ・ルミネセンス体をはさむ
一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は、テクスチ
ャ構造をもつＺｎＯ透明電極であるのが好ましい。
【００１４】本発明の第６、第７及び第８の特徴によれ
ば、アクティブマトリクス駆動において、エレクトロ・
ルミネセンス要素に交流電圧を印加することを可能と
し、これによって、特に、有機エレクトロ・ルミネセン
ス体の長期間にわたる連続発光時間を大幅に延長させる
ことができた。
【００１５】本発明で用いた所定期間は、一垂直走査期
間（一フレーム期間又は一フィールド期間）の１／４〜
３／４の期間、好ましくは１／３〜２／３の期間、特に
最適には、約１／２の期間である。
【００１６】本発明で用いた順バイアス電圧と逆バイア
ス電圧との時間平均電圧は、約零に設定されているの好
ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明を図面に沿って説明する。
以下、上記薄膜トランジスタを「ＴＦＴ」と記載し、上
記エレクトロ・ルミネセンス体を「ＥＬ」と記憶する。
【００１８】図１は能動マトリックス４端子ＴＦＴ−Ｅ
Ｌ素子の概略図を示す。各画素の素子は２つのＴＦＴと
記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端子方式の主な
特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング信号を分離す
る能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ１）を介して
選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電力ＴＦＴ（Ｔ
２）により制御される。記憶コンデンサはそれがいった
ん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励起電力を留め
ることを可能にする。斯くして回路はＥＬ素子がアドレ
ッシングに対して割り当てられた時間を無視して１００
％に近いデュティサイクルで動作することを許容する。
【００１９】ゲートラインＹj ，Ｙj+1 は、好ましくは
６４０本、１１２０本などの様に多数本数配線し、順次
ゲートパルスが印加される。ゲートパルスは、インター
レース走査またはノン・インタレース走査の何れであっ
てもよい。
【００２０】ソース・ラインＸj ，Ｘj+1 ，Ｘj+2 は、
好ましくは８４０本、１２８０本などの様に多数本数配
線し、ゲートパルスと同期させて、映像データに応じて
設定した電圧の情報信号パルスが印加される。
【００２１】図中のＲＥＬは赤色発光ＥＬ、ＧＥＬは緑
色発光ＥＬ、ＢＥＬは青色発光ＥＬで、ソースラインＸ
j には赤色の情報信号パルス、Ｘj+1 には緑色情報パル
ス、Ｘj+2 には赤色情報パルスが印加される。これによ
ってフルカラー表示が行なわれる。
【００２２】図２は、本発明のＴＦＴ基板３の代表例を
示す平面図である。ＴＦＴ１は図１のＴ１に対応し、Ｔ
ＦＴ２は図１のＴ２に対応し、コンデンサ２１は図１の
Ｃｓに対応し、ドレイン電極パッド２２は図１の各ＥＬ
毎のＴ2 のドレイン接続電極に対応している。
【００２３】図３は、図２のＡ−Ａ′断面図である。図
４は、図２のＢ−Ｂ′断面図である。
【００２４】本発明で用いたＴＦＴ１及びＴＦＴ２とし
ては、ソースバス２４をｎ+ ポリシリコンに接続し、ド
レインをｎ+ ポリシリコンに接続し、Ｉ型ポリシリコン
膜をはさんで配置したゲート絶縁膜にＰＥＣＶＤ（プラ
ズマ増強ＣＶＤ）−ＳｉＯ2膜３２を配置し、ゲートバ
スをｎ+ ポリシリコンに接続したトランジスタ構造を採
用した。
【００２５】本発明は、上述したトランジスタ構造に限
定されることなく、アモルファスシリコンや微結晶シリ
コン半導体を用いたスタガー構造又はコプレナー構造の
何れをも適用することができる。
【００２６】また、本発明は、結晶シリコンを用いたＳ
Ｏ１（シリコン・オン・インシュレータ）構造のＭＯＳ
トランジスタに適用することができる。
【００２７】コンデンサＣｓは、図４の一対のコンデン
サ電極４１と４２及び該一対のコンデンサ電極間に設け
たＳｉＯ2 膜３３によって形成される。コンデンサ電極
は、Ａｌ等によって成膜され、グランドバス２５と接続
配線され、コンデンサ電極４２はｎ+ ポリシリコン膜に
よって成膜され、ＴＦＴ２のドレインに接続される。
【００２８】ゲートバス２３及びソースバス２４は、ク
ロム／アルミ積層配線が好ましく用いられる。
【００２９】パシベーション３４としては、プラズマＣ
ＶＤによってチッ化シリコン膜が適している。
【００３０】ドレイン電極パット２２としては、反射性
能を持たせるために、アルミニウム、銀などの金属膜を
用いることができるが、ＩＴＯやＺｎＯの様な透明導電
膜であってもよい。
【００３１】図５は、本発明で用いたＥＬ基板６の平面
図で、図６のは、図５のＣ−Ｃ′断面図である。
【００３２】ＥＬ基板６は、ガラス基板６１、ガラス基
板６１上に設けた一対の電極である透明電極５１と反射
面を形成するアルミニウムなどのＥＬ電極パッド６２及
び該一対の電極間に設けたＥＬによって構成される。
【００３３】ＥＬ５２としては、有機ＥＬが好ましく、
特にＲＥＬ、ＧＥＬ及びＢＥＬを構成するものが配置さ
れる。
【００３４】具体的なＲＥＬ、ＧＥＬ及びＢＥＬを下記
に列挙するが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、また有機ＥＬの代わりに無機ＥＬを適用することも
できる。
【００３５】本発明の有機ＥＬでの材料は、Ｓｃｏｚｚ
ａｆａｖａのＥＰＡ３４９，２６５（１９９０）；Ｔａ
ｎｇのアメリカ特許第４，３５６，４２９号；ＶａｎＳ
ｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５３９，５０７号；Ｖ
ａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，７２０，４３
２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，７６９，２９２
号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８８５，２１１
号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９５０，９５
０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，０５９，８
６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，０４
７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメリカ特許
第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリ
カ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等の
アメリカ特許第５，０６１，６１７号；ＶａｎＳｌｙｋ
ｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔａｎｇ等
のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａｎｇ等の
アメリカ特許第５，２９４，８７０号）に開示のものを
用いることができる。ＥＬ層は陽極と接触する有機ホー
ル注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合
を形成する電子注入及び移動帯とからなる。ホール注入
及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成され、
陽極及び、ホール注入層と電子注入及び移動帯の間に介
装される連続的なホール移動層と接触するホール注入層
からなる。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又は複
数の材料から形成され、陽極及び、電子注入層とホール
注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移動層と
接触する電子注入層からなる。ホールと電子の再結合と
ルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入及び移
動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発生す
る。有機ＥＬ層を形成する化合物は典型的には蒸着によ
り堆積されるが、他の従来技術によりまた堆積されう
る。
【００３６】好ましい実施例ではホール注入層からなる
有機材料は以下のような一般的な式を有する：
【００３７】
【外１】
【００３８】ここで：ＱはＮ又はＣ−Ｒ Ｍは金属、金属酸化物、又は金属ハロゲン化物 Ｔ１、Ｔ２は水素を表すか又はアルキル又はハロゲンの
ような置換器を含む不飽和六員環を共に満たす。好まし
いアルキル部分は約１から６の炭素原子を含む一方でフ
ェニルは好ましいアリル部分を構成する。
【００３９】好ましい実施例ではホール移動層は芳香族
第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブク
ラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む：
【００４０】
【外２】
【００４１】ここでＡｒｅはアリレン群であり、ｎは１
から４の整数であり、Ａｒ、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 はそれぞ
れ選択されたアリル群である。好ましい実施例ではルミ
ネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド（ｏ
ｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。金属オキシノイド化合物
の好ましい例は以下の一般的な式を有する：
【００４２】
【外３】
【００４３】ここでＲ2 −Ｒ7 は置き換え可能性を表
す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は
以下の式を有する：
【００４４】
【外４】
【００４５】ここでＲ2 −Ｒ7 は上記で定義されたもの
であり、Ｌ１−Ｌ５は集中的に１２又はより少ない炭素
原子を含み、それぞれ別々に１から１２の炭素原子の水
素又は炭水化物群を表し、Ｌ１，Ｌ２は共に、又はＬ
２，Ｌ３は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の
好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式
である。
【００４６】
【外５】
【００４７】ここでＲ2 −Ｒ6 は水素又は他の置き換え
可能性を表す。上記例は単にエレクトロルミネセンス層
内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみであ
る。それらは本発明の視野を制限することを意図するも
のではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス
層を指示するものである。上記例からわかるように有機
ＥＬ材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。
【００４８】次のプロセス段階ではＥＬ陽極６２はデバ
イスの表面上に堆積される。ＥＬ陽極はどのような導電
性の材料でも良いが、好ましくは４ｅＶ以下の仕事関数
を有する材料で作られる（Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許
等４８８５２１１号を参照）。低い仕事関数材料は陽極
に好ましい。何故ならばそれらは電子移動層内に容易に
電子を放出するからである。最も低い仕事関数の金属は
アルカリ金属であるが、しかしながらそれらの空気中で
の不安定性はそれらの使用をある条件下で実際的でなく
している。陽極材料は典型的には化学蒸着により堆積さ
れるが、他の適切堆積技術も適用可能である。ＥＬ陽極
に対して特に好ましい材料は１０：１（原子比で）マグ
ネシウム：銀合金であることが見いだされた。好ましく
は陽極は表示パネルの全表面にわたる連続層として適用
される。他の実施例ではＥＬ陽極は有機電子注入及び移
動帯に隣接した低い仕事関数の金属のより低い層からな
り、低い仕事関数の金属をオーバーレイし、低い仕事関
数の金属を酸素及び湿度から保護する保護層とからな
る。
【００４９】典型的には陽極材料は不透明であり、陰極
材料は透明であり、それにより光は陰極材料を通して透
過する。光透過と技術的伝導性の実際的なバランスは典
型的には５−２５ｎｍの範囲の厚さである。
【００５０】また、本発明では、ＥＬ基板６に用いたガ
ラス基板６１に代えて、プラスチックフィルムを用いる
ことができ、また透明電極５１としてＩＴＯ、ＺｎＯを
用いることができる。
【００５１】透明電極５１は、ＥＬ５２の表面積を増大
させるために、その表面を微細な凹凸をもつテクスチャ
ー構造を採用することができる。好適なテクスチャー構
造を形成するためには、ＺｎＯを堆積する時の基板温度
を２５０℃−３００℃の様な比較的高湿度とした条件下
でのスパッタ法を用いることができる。
【００５２】また、透明電極５１の非ＥＬ５２領域は、
遮光マスク（図示せず）を設けることができる。この際
の遮光マスクとしては、アルミニウム膜、クロス膜の様
な金属膜、またはこれら金属膜による反射光の発生を防
止するための酸化クロム膜や酸化アルミニウム膜を単独
で、あるいは金属膜に積層させて設けることができる。
金属膜は透明電極５１の抵抗を実質的に低下させるの
で、透明電極５１の上に金属膜を積層し、さらにこの上
に酸化金属膜を設けるのが好ましい。
【００５３】透明電極５１は、本発明のＥＬ素子に駆動
中は、アースまたは所定のＤＣ電圧に設定される。
【００５４】図７は、本発明のＥＬ素子の断面図であ
る。ＥＬ素子は、ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６とが互いに
対向し、これによってＥＬ基板６側のＥＬ電極パッド６
２とＴＦＴ基板３側のドレイン電極パッド２２とを対向
配置し、両方の電極間を接着性電気接続体７１によって
電気的な接続を行なう。
【００５５】接着性電気接続体７１は、エポキシ系又は
フェノール系熱硬化接着剤中にカーボン粒子、銀粒子や
銅粒子の様な導電性粒子が分散含有された導電性接着剤
を用い、これをスクリーン印刷法、オフセット印刷法又
はディスペンサー塗布法などの採用によって、ＥＬ基板
６またはＴＦＴ基板３、あるいはその両方の所定位置に
塗布し、乾燥させることによって得られる。
【００５６】上述の導電性接着剤中には、界面接着力を
増強するために、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３
−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤を含
有させることができる。
【００５７】接着性電気接続体７１の他の例としては、
ハンダなどが挙げられる。
【００５８】上述の接着性電気接続体７１の外周部に
は、接着性電気絶縁体７２が設けられる。接着性電気絶
縁体７２は、エポキシ系又はフェノール系絶縁接着剤を
ＥＬ基板６またはＴＦＴ基板、あるいはその両方の所定
位置に、オフセット印刷法、スクリーン印刷法又はディ
スペンサー塗布法などの方法によって、塗布し、乾燥さ
せることによって得られる。この際、絶縁接着剤及び導
電性接着剤の塗布に当って、ＥＬ基板６またはＴＦＴ基
板３の一方の基板に対して絶縁接着剤を設け、この絶縁
接着剤を設けていない方の基板に対して導電性接着剤を
設ける製造方法を用いるのが好適である。
【００５９】また、本発明では、上述の接着性電気絶縁
体７２に代えて、接着力を持っていない絶縁体、例えば
有機溶媒、特に高沸点有機溶媒やネマチック液晶、コレ
ステリック液晶、スメクチック液晶の様な液晶などの液
体絶縁体を用いることもできる。
【００６０】また、上述の接着性電気絶縁体７２または
非接着性電気絶縁体には、遮光硬化を併せ持つ様に、着
色顔料や塗料などの着色体を含有させることもできる。
【００６１】本発明のＥＬ素子の製造に当って、ＴＦＴ
基板３のドレイン電極パッド２２の上に導電性接着剤を
例えばオフセット印刷法を用いて塗布し、ＥＬ基板６の
ＥＬ電極パッド６２以外の領域（ＥＬ電極パッド６２の
外周部）に絶縁接触剤を例えばオフセット印刷法を用い
て塗布し、ドレイン電極パッド２２とＥＬ電極パッド６
２とが相対向する様に、ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６とを
重ね合せ、次いでＴＦＴ基板３とＥＬ基板６との間隔の
空気を通常の方法で排気し、両基板３と６とに対し圧着
加熱を付加し、密着固定する方法を採用することができ
る。
【００６２】図８は、上記間隔の空気を排気した時に用
いた真空排気装置である。ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６と
を重ね合せた状態で、ステージ８１の上に載置し、周囲
に配置固定された一対Ｏ−リング８２と８３との間にプ
ラスチックフィルムなどのシート８３によって、図示の
如く覆い、しかる後に真空排気ポンプ８４を作動させ、
シート８３内の空気を排気する。
【００６３】図９は、本発明の別のＥＬ素子の等価回路
である。
【００６４】図１０及び１１は、本発明の第６、第７及
び第８の特徴事項に対応する実施例である。
【００６５】Ｇ1，Ｇ2，…Ｇn（ｎ本のゲート走査線）
は、薄膜トランジスタで構成したスィッチング素子Ｔｒ
1のゲートに接続したゲート線に、順次印加するゲート
オンパルス（ハイ・レベル電圧）であって、このゲート
オンパルスの順次印加によって、書込み行の選択がなさ
れる。この走査選択信号となるゲートオンパルスＧ1，
Ｇ2，…Ｇnは、インターレース走査方式による印加であ
ってもよく、ノンーインターレース走査方式による印加
であってもよい。また、インターレース走査方式による
駆動のときには、１本飛越し、又は２本以上の飛越しに
よるインターレース走査であってもよい。
【００６６】Ｓ11，Ｓ21，…Ｓn1は、ＥＬの発光時間を
制御するための制御パルスであり、所定発光期間中に、
薄膜トランジスタで構成したスィッチング素子Ｔｒ3の
ゲートに印加され、Ｇ1，Ｇ2，…Ｇnのゲートオンパル
ス（ハイ・レベル電圧）の印加時、又はその前で、又は
その後で、印加され、この時のＥＬは、順バイアス状態
に設定される。
【００６７】Ｓ12，Ｓ22，…Ｓn2は、ＥＬの発光を中断
させ、その代わりに、バイアス制御線ＲＢ1，ＲＢ2…Ｐ
ＢnからＥＬに対して逆バイアスを印加するために、ス
ィッチング素子Ｔｒ3へのゲートオフパルス（ロー・レ
ベル電圧）の印加時、又はその前で、又はその後で、薄
膜トランジスタで構成したスィッチング素子Ｔｒ4のゲ
ートに対して、ゲートオンパルス（ハイ・レベル電圧）
として印加される。
【００６８】バイアス制御線ＲＢ1，ＲＢ2…ＰＢnは、
図１２に図示する様に、ＥＬ基板６に設置するのが良
い。この際、バイアス制御線ＲＢ1，ＲＢ2…ＰＢnは、
アクティブマトリクス駆動素子となる複数のスィッチン
グ素子Ｔｒ1の各行に対して、平行にさせた透明電極５
１１、５１２…５１ｎを設け、各透明電極５１１、５１
２…５１ｎ毎に、ゲートアレイ１２１を通して、独立に
アース及び逆バイアス電圧ＶRの何れか一方に切換える
ように設定する。これによって、ＥＬ発光時には、ＥＬ
が順バイアス状態となるように電位設定させて駆動す
る。
【００６９】図１０のＤ1、Ｄ2、Ｄ3、Ｄ4、…Ｄm（ｍ
本の情報線）は、列上のスィッチング素子Ｔｒ1のソー
スに情報に応じて印加する情報に応じた情報信号パルス
であり、ＥＬ（ＢＥＬ、ＧＥＬ、ＲＥＬ）に対して順バ
イアス状態を設定する。
【００７０】本発明の第６、第７及び第８の特徴事項に
よれば、各ＥＬには、交流電圧が印加され、連続長時間
発光の表示を実現できた。
【００７１】本発明は、発光表示層に適用するのが適し
ているが、電子写真プリンタ用光信号発生器として用い
られているレーザ信号又はＬＥＤ信号や液晶シャッタア
レイ信号（固体スキャナ信号）に代えて、使用すること
もできる。
【００７２】
【発明の効果】本発明によれば、高精細で、且つ高密度
で、長寿命のＥＬ画素を大面積に亘って、高い生産性を
もって得ることができた。
【００７３】また、本発明によれば、高輝度のＥＬ発光
を得ることができ、高精細で、高密度でしかも長時間連
続高輝度発光のＥＬカラーディスプレイを高い生産性に
基いて、ＥＬ素子を得ることができた。
【００７４】さらに、本発明によれば、衝撃に対する安
定性、長期間の使用における表示安定性を実現したＥＬ
カラーディスプレイを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ素子の等価回路図である。
【図２】本発明のＥＬ素子で用いたＴＦＴ基板側におけ
るＥＬ画素の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′断面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′断面図である。
【図５】本発明のＥＬ素子で用いたＥＬ基板側における
ＥＬ画素の平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ′断面図である。
【図７】本発明のＥＬ素子の断面図である。
【図８】本発明の方法で用いた真空排気装置の断面図で
ある。
【図９】本発明の別のＥＬ素子の等価回路図である。
【図１０】本発明のＥＬ装置の別の実施例で用いた等価
回路図である。
【図１１】本発明で用いた駆動のタイミングチャート図
である。
【図１２】本発明で用いたＥＬ基板の平面図である。
【符号の説明】
Ｔ１ 第１薄膜トランジスタ Ｔ２ 第２薄膜トランジスタ Ｃｓ コンデンサ ＲＥＬ 赤色発光ＥＬ ＧＥＬ 緑色発光ＥＬ ＢＥＬ 青色発光ＥＬ ２１ コンデンサ ２２ ドレイン電極パッド ２３ ゲートバス ２４ ソースバス ２５ グランドバス ３ ＴＦＴ基板 ３１ ガラス基板 ３２ ＰＥＣＶＤ膜 ３３ ＳｉＯ2膜 ３４ パシベーション膜 ４１、４２ コンデンサ電極 ６ ＥＬ基板 ５１、５１１、５１２、５１ｎ 透明電極 ５２ ＥＬ ６１ ガラス基板 ６２ ＥＬ電極パッド ７１ 接着性電気接続体 ７２ 接着性電気絶縁体 ８１ ステージ ８２、８３ Ｏ−リング ８３ シート ８４ 真空排気ポンプ １２１ ゲートアレイ ＲＢ1、ＲＢ2、…ＰＢn バイアス制御線 ＶR 逆バイアス電位
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 雄一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 妹尾 章弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内

Claims (58)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜ト
    ランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジスタ
    のゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の
    複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソー
    ス線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレ
    イン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドに接続した
    コンデンサを備えたトランジスタ基板、並びに複数の行
    及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の電極間
    に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えたエレク
    トロ・ルミネセンス基板を有し、ドレイン電極パッドと
    エレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜ト
    ランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを対
    向配置し、ドレイン電極パッドと一対の電極の一方の電
    極とを接着性電気接続体を通して接続してなるエレクト
    ロ・ルミネセンス素子。
  2. 【請求項２】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、青
    色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこと
    を特徴とする請求項１記載のエレクトロ・ルミネセンス
    素子。
  3. 【請求項３】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、青
    色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を備
    えたことを特徴とする請求項１記載のエレクトロ・ルミ
    ネセンス素子。
  4. 【請求項４】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子を
    接着剤中に分散含有させてなることを特徴とする請求項
    １記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。
  5. 【請求項５】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子を
    接着剤中に分散含有させ、そしてシランカップリング剤
    を含有させてなることを特徴とする請求項１記載のエレ
    クトロ・ルミネセンス素子。
  6. 【請求項６】 前記接着性電気接続体の外周部に電気絶
    縁体を配置したことを特徴とする請求項１記載のエレク
    トロ・ルミネセンス素子。
  7. 【請求項７】 前記接着性電気接続体の外周部に接着性
    電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求項１記載の
    エレクトロ・ルミネセンス素子。
  8. 【請求項８】 前記接着性電気接続体の外周部に着色体
    を含有した電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求
    項１記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。
  9. 【請求項９】 前記接着性電気接続体の外周部に液体状
    電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求項１記載の
    エレクトロ・ルミネセンス素子。
  10. 【請求項１０】 前記薄膜トランジスタは、ポリシリコ
    ン半導体層を有することを特徴とする請求項１記載のエ
    レクトロ・ルミネセンス素子。
  11. 【請求項１１】 前記薄膜トランジスタは、アモルファ
    スシリコン半導体又は微結晶シリコン半導体を有するこ
    とを特徴とする請求項１記載のエレクトロ・ルミネセン
    ス素子。
  12. 【請求項１２】 前記薄膜トランジスタは、結晶シリコ
    ン半導体を有することを特徴とする請求項１記載のエレ
    クトロ・ルミネセンス素子。
  13. 【請求項１３】 前記エレクトロ・ルミネセンス体をは
    さむ一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は、テク
    スチャ構造をもつ透明電極である請求項１記載のエレク
    トロ・ルミネセンス素子。
  14. 【請求項１４】 前記エレクトロ・ルミネセンス体をは
    さむ一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は、テク
    スチャ構造をもつＺｎＯ透明電極である請求項１記載の
    エレクトロ・ルミネセンス素子。
  15. 【請求項１５】 複数の行及び列に沿って配置した第１
    薄膜トランジスタ、行毎に、該行上の複数の第１薄膜ト
    ランジスタのゲートを共通に接続したゲート線、列毎
    に、該列上の複数の第１薄膜トランジスタのソースを共
    通に接続したソース線、第１薄膜トランジスタの各ドレ
    イン毎に接続した第２薄膜トランジスタ、及び該第２薄
    膜トランジスタに接続したコンデンサを備え、該第２薄
    膜トランジスタのゲートを第１薄膜トランジスタのドレ
    インに接続させ、該第２薄膜トランジスタの各ドレイン
    毎にドレイン電極パッドを接続させ、そして第２薄膜ト
    ランジスタのソースと該コンデンサの一方の電極とを接
    続させてなるトランジスタ基板、並びに複数の行及び列
    に沿って配置し、一対の電極及び該一対の電極間に配置
    したエレクトロ・ルミネセンス体を備えたエレクトロ・
    ルミネセンス基板を有し、ドレイン電極パッドとエレク
    トロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜トランジ
    スタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを対向配置
    し、ドレイン電極パッドと一対の電極の一方の電極とを
    接着性電気接続体を通して接続してなるエレクトロ・ル
    ミネセンス素子。
  16. 【請求項１６】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこ
    とを特徴とする請求項１５記載のエレクトロ・ルミネセ
    ンス素子。
  17. 【請求項１７】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を
    備えたことを特徴とする請求項１５記載のエレクトロ・
    ルミネセンス素子。
  18. 【請求項１８】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
    を接着剤中に分散含有させてなることを特徴とする請求
    項１５記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。
  19. 【請求項１９】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
    を接着剤中に分散含有させ、そしてシランカップリング
    剤を含有させてなることを特徴とする請求項１５記載の
    エレクトロ・ルミネセンス素子。
  20. 【請求項２０】 前記接着性電気接続体の外周部に接着
    性電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求項１５記
    載のエレクトロ・ルミネセンス素子。
  21. 【請求項２１】 前記薄膜トランジスタは、ポリシリコ
    ン半導体層を有することを特徴とする請求項１５記載の
    エレクトロ・ルミネセンス素子。
  22. 【請求項２２】 前記薄膜トランジスタは、アモルファ
    スシリコン半導体又は微結晶シリコン半導体を有するこ
    とを特徴とする請求項１５記載のエレクトロ・ルミネセ
    ンス素子。
  23. 【請求項２３】 前記薄膜トランジスタは、結晶シリコ
    ン半導体を有することを特徴とする請求項１５記載のエ
    レクトロ・ルミネセンス素子。
  24. 【請求項２４】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜
    トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジス
    タのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上
    の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソ
    ース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したド
    レイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドに接続し
    たコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意し、複数
    の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の電
    極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えたエ
    レクトロ・ルミネセンス基板を用意し、トランジスタ基
    板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス
    体のうちの少なくとも一方に接着性電気接続体を配置
    し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体
    とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ
    ・ルミネセンス基板とを対向配置し、重ね合せることを
    特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。
  25. 【請求項２５】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこ
    とを特徴とする請求項２４記載のエレクトロ・ルミネセ
    ンス素子の製造法。
  26. 【請求項２６】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を
    備えたことを特徴とする請求項２４記載のエレクトロ・
    ルミネセンス素子の製造法。
  27. 【請求項２７】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
    を接着剤中に分散含有させてなることを特徴とする請求
    項２４記載のエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。
  28. 【請求項２８】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
    を接着剤中に分散含有させ、そしてシランカップリング
    剤を含有させてなることを特徴とする請求項２７記載の
    エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。
  29. 【請求項２９】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜
    トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジス
    タのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上
    の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソ
    ース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したド
    レイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドに接続し
    たコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する工
    程、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該
    一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を
    備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工程、
    トランジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ
    ・ルミネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気
    接続体を配置する工程、トランジスタ基板のドレイン電
    極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの少な
    くとも一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体の
    外周部となる位置に配置する工程、並びにドレイン電極
    パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様
    に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス
    基板とを対向配置し、重ね合せる工程を有することを特
    徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。
  30. 【請求項３０】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜
    トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジス
    タのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上
    の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソ
    ース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したド
    レイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドに接続し
    たコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する工
    程、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該
    一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を
    備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工程、
    トランジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ
    ・ルミネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気
    接続体を配置する工程、トランジスタ基板のドレイン電
    極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの少な
    くとも一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体の
    外周部となる位置に配置する工程、ドレイン電極パッド
    とエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜
    トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを
    対向配置し、重ね合せる工程、並びに薄膜トランジスタ
    基板とエレクトロ・ルミネセンス基板との間を真空排気
    し、接着性電気接続体及び接着性静電気絶縁体を加熱硬
    化させる工程を有することを特徴とするエレクトロ・ル
    ミネセンス素子の製造法。
  31. 【請求項３１】 複数の行及び列に沿って配置した第１
    スィッチング素子、行毎に、行上の複数の第１スィッチ
    ング素子の第１端子を共通に接続した第１配線、列毎
    に、列上の複数の第１スィッチング素子の第２端子を共
    通に接続した第２配線、第１スィッチング素子の各第３
    端子毎に接続した一方の電極、他方の電極及び一方と他
    方との電極間に設けたエレクトロ・ルミネセンス体を有
    するエレクトロ・ルミネセンス要素、各第３端子毎に接
    続したコンデンサ、エレクトロ・ルミネセンス要素の一
    方の電極と第１スィッチング素子の第３端子間に設けた
    第２スィッチング素子、エレクトロ・ルミネセンス要素
    の一方の電極に接続した第３配線、該第３配線中に設け
    た第３スィッチング素子、並びに、所定行の第１配線に
    第１スィッチング素子をオンとするための第１オン信号
    パルスを印加し、他行の第１配線に第１スィッチング素
    子をオフとするための第１オフ信号パルスを印加し、第
    １オン信号パルスに同期させて第２配線に情報に応じた
    順バイアスの情報信号パルスを印加し、前記所定行のた
    めの第１オンパルス印加時、その前で、又はその後で第
    ２スィッチング素子をオンとするための第２オン信号パ
    ルスを第２スィッチング素子の制御線に所定期間にわた
    って印加し、これによって、該行上の各エレクトロ・ル
    ミネセンス体への書込みを作動させ、そして、該所定期
    間後に第２スィッチング素子をオフとするための第２オ
    フ信号パルスを該制御線に印加し、該第２オフ信号パル
    ス印加時、その前で、又はその後で第３スィッチング素
    子をオンとするための第３オン信号パルスを第３スィッ
    チング素子の制御線に印加し、これによって、前記第３
    配線とエレクトロ・ルミネセンス要素の他方の電極との
    間で逆バイアス電圧が印加される様に設定していた逆バ
    イアス印加手段を作動させる駆動手段を有するエレクト
    ロ・ルミネセンス装置。
  32. 【請求項３２】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこ
    とを特徴とする請求項３１記載のエレクトロ・ルミネセ
    ンス装置。
  33. 【請求項３３】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を
    備えたことを特徴とする請求項３１記載のエレクトロ・
    ルミネセンス装置。
  34. 【請求項３４】 前記第１、第２及び第３スィッチング
    素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求
    請３１記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  35. 【請求項３５】 前記第１、第２及び第３スィッチング
    素子は、薄膜トランジスタで、前記第１端子は、ゲート
    端子で、前記第２端子はソース端子で、前記第３端子は
    ドレイン端子であることを特徴とする請求項３１記載の
    エレクトロ・ルミネセンス装置。
  36. 【請求項３６】 前記所定期間は、一垂直走査期間の１
    ／４〜３／４の期間である請求項３１記載のエレクトロ
    ・ルミネセンス装置。
  37. 【請求項３７】 前記所定期間は、一垂直走査期間の１
    ／３〜２／３の期間である請求項３１記載のエレクトロ
    ・ルミネセンス装置。
  38. 【請求項３８】 前記所定期間は、一垂直走査期間の約
    １／２の期間である請求項３１記載のエレクトロ・ルミ
    ネセンス装置。
  39. 【請求項３９】 前記所定期間は、一フレーム期間又は
    一フィールド期間の１／４〜３／４の期間である請求項
    ３１記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  40. 【請求項４０】 前記所定期間は、一フレーム期間又は
    一フィールド期間の１／３〜２／３の期間である請求項
    ３１記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  41. 【請求項４１】 前記所定期間は、一フレーム期間又は
    一フィールド期間の約１／２の期間である請求項３１記
    載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  42. 【請求項４２】 前記順バイアス電圧と逆バイアス電圧
    との時間平均電圧は、約零に設定されている請求項３１
    記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  43. 【請求項４３】 複数の行及び列に沿って配置した第１
    薄膜トランジスタ、行毎に、行上の複数の第１薄膜トラ
    ンジスタのゲートを共通に接続した第１配線、列毎に、
    列上の複数の第１薄膜トランジスタのソースを共通に接
    続した第２配線、第１薄膜トランジスタの各ドレイン毎
    に接続した一方の電極、他方の電極及び一方と他方との
    電極間に設けたエレクトロ・ルミネセンス体を有するエ
    レクトロ・ルミネセンス要素、該ドレインと該エレクト
    ロ・ルミネセンス要素の一方の電極との間に設けられ、
    ゲートで接続した第２薄膜トランジスタ、各ドレイン毎
    に接続したコンデンサ、エレクトロ・ルミネセンス要素
    の一方の電極と第２薄膜トランジスタのドレイン端子と
    の間に設けた第１スィッチング素子、エレクトロ・ルミ
    ネセンス要素の一方の電極に接続した第３配線、該第３
    配線中に設けた第２スィッチング素子、並びに、所定行
    の第１配線に第１薄膜トランジスタをオンとするための
    第１オン信号パルスを印加し、他行の第１配線に第１薄
    膜トランジスタをオフとするための第１オフ信号パルス
    を印加し、第１オン信号パルスに同期させて第２配線に
    情報に応じた順バイアスの情報信号パルスを印加し、前
    記所定行のための第１オン信号パルス印加時、その前
    で、又はその後で第１スィッチング素子をオンとするた
    めの第２オン信号パルスを第１スィッチング素子の制御
    線に所定期間にわたって印加し、これによって、該行上
    の各エレクトロ・ルミネセンス体への書込みを作動さ
    せ、そして、該所定期間後に第１スィッチング素子をオ
    フとするための第２オフ信号パルスを該制御線に印加
    し、該第２オフ信号パルス印加時、その前で、又はその
    後で第２スィッチング素子をオンとするための第３オン
    信号パルスを第３スィッチング素子の制御線に印加し、
    これによって、前記第３配線とエレクトロ・ルミネセン
    ス要素の他方の電極との間で逆バイアス電圧が印加され
    る様に設定していた逆バイアス印加手段を作動させる駆
    動手段を有するエレクトロ・ルミネセンス装置。
  44. 【請求項４４】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこ
    とを特徴とする請求項４３記載のエレクトロ・ルミネセ
    ンス装置。
  45. 【請求項４５】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
    青色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を
    備えたことを特徴とする請求項４３記載のエレクトロ・
    ルミネセンス装置。
  46. 【請求項４６】 前記第１及び第２スィッチング素子
    は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求請４
    ３記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  47. 【請求項４７】 前記第２薄膜トランジスタのソースと
    前記コンデンサの一方の電極とは、同一電圧に設定され
    ている請求項４３記載のエレクトロ・ルミネセンス装
    置。
  48. 【請求項４８】 前記第２薄膜トランジスタのソースと
    前記コンデンサの一方の電極とは、第４配線で接続さ
    れ、該第４配線に電圧を印加する手段を有している請求
    項４３記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  49. 【請求項４９】 前記所定期間は、一垂直走査期間の１
    ／４〜３／４の期間である請求項４３記載のエレクトロ
    ・ルミネセンス装置。
  50. 【請求項５０】 前記所定期間は、一垂直走査期間の１
    ／３〜２／３の期間である請求項４３記載のエレクトロ
    ・ルミネセンス装置。
  51. 【請求項５１】 前記所定期間は、一垂直走査期間の約
    １／２の期間である請求項４０記載のエレクトロ・ルミ
    ネセンス装置。
  52. 【請求項５２】 前記所定期間は、一フレーム期間又は
    一フィールド期間の１／４〜３／４の期間である請求項
    ４３記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  53. 【請求項５３】 前記所定期間は、一フレーム期間又は
    一フィールド期間の１／３〜２／３の期間である請求項
    ４３記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  54. 【請求項５４】 前記所定期間は、一フレーム期間又は
    一フィールド期間の約１／２の期間である請求項４３記
    載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  55. 【請求項５５】 前記順バイアス電圧と逆バイアス電圧
    との時間平均電圧は、約零に設定されている請求項４３
    記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。
  56. 【請求項５６】 複数の行及び列に沿って配置したスィ
    ッチング素子、行毎に、行上の複数のスィッチング素子
    の第１端子を共通に接続した第１配線、列毎に、列上の
    複数のスィッチング素子の第２端子を共通に接続した第
    ２配線、及びスィッチング素子の各第３端子毎に接続し
    た一方の電極、他方の電極及び一方と他方との電極間に
    設けたエレクトロ・ルミネセンス体を有するエレクトロ
    ・ルミネセンス要素、並びに前記複数の行のうち少なく
    とも１つの行を選択する走査選択パルスを、その選択さ
    れた行に対応する第１配線に印加し、走査選択信号に同
    期させて第２配線に情報に応じ、エレクトロ・ルミネセ
    ンス体に対して順バイアス状態を生じさせる情報信号パ
    ルスを、第２配線毎に印加し、前記選択された行に対応
    する第１配線への次の走査選択信号又は、その後の走査
    選択信号の印加の開始前で、エレクトロ・ルミネセンス
    体に対して逆バイアス状態を生じさせるバイアス電圧
    を、第３配線を通して、該エレクトロ・ルミネセンス体
    に印加する駆動手段を有するエレクトロ・ルミネセンス
    装置。
  57. 【請求項５７】 前記第３端子は、コンデンサを接続さ
    せている請求項５６記載のエレクトロ・ルミネセンス装
    置。
  58. 【請求項５８】 前記順バイアスと逆バイアスとの時間
    平均電圧は、約零に設定されている請求項５６記載のエ
    レクトロ・ルミネセンス装置。
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Cited By (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000215982A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
JP2000242232A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Tdk Corp 表示装置
JP2000268957A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001005426A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001035663A (ja) * 1999-07-27 2001-02-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法
JP2001109432A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
JP2001159878A (ja) * 1999-09-24 2001-06-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001166737A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Tdk Corp カラー画像表示装置
JP2001282123A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
JP2001343933A (ja) * 1999-11-29 2001-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2002149112A (ja) * 1999-11-30 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置
JP2002169510A (ja) * 2000-09-20 2002-06-14 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及び電子装置の駆動方法及び電子装置
JP2002169509A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 平面表示パネルの駆動方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの駆動方法
JP2002189448A (ja) * 2000-10-12 2002-07-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置
JP2002207451A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Hitachi Ltd 有機ｌｅｄディスプレイおよびその駆動方法
JP2002236470A (ja) * 2001-01-08 2002-08-23 Chi Mei Electronics Corp アクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディスプレイの駆動方法
KR100359296B1 (ko) * 2000-10-14 2002-11-07 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP2002358051A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の駆動方法および液晶表示装置
WO2003017730A1 (fr) * 2001-08-09 2003-02-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Ecran electroluminescent organique et procede de commande associe
JP2003066859A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法
JP2003122304A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法と携帯情報端末
JP2003150108A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックス基板及びそれを用いた電流制御型発光素子の駆動方法
WO2003053109A1 (fr) * 2001-12-18 2003-06-26 Seiko Epson Corporation Dispositif electroluminescent, procede de fabrication associe, dispositif electro-optique, et dispositif electronique
JP2003177711A (ja) * 2001-09-21 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
JP2003195814A (ja) * 2001-09-17 2003-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2003195806A (ja) * 2001-12-06 2003-07-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の発光回路及び表示装置
JP2003202832A (ja) * 2001-09-17 2003-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
JP2003208105A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2003216110A (ja) * 2001-11-13 2003-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2003255895A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
KR20030086165A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2003323986A (ja) * 2002-05-03 2003-11-14 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2003534574A (ja) * 2000-05-22 2003-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 能動マトリックスエレクトロルミネッセント表示装置
JP2003534573A (ja) * 2000-05-22 2003-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリクス表示装置
JP2004006337A (ja) * 2002-04-25 2004-01-08 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子
KR20040007823A (ko) * 2002-07-11 2004-01-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2004046209A (ja) * 1997-08-21 2004-02-12 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2004047468A (ja) * 2002-07-05 2004-02-12 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子とその製造方法
JP2004119725A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、転写チップ、転写元基板、電子機器
JP2004117921A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の駆動方法
JP2004146388A (ja) * 1997-08-21 2004-05-20 Seiko Epson Corp 有機半導体膜の形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
JP2004171007A (ja) * 1997-08-21 2004-06-17 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、及び表示装置
JP2004177972A (ja) * 1997-08-21 2004-06-24 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、及び表示装置
JP2004212992A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法
JP2004213004A (ja) * 2002-12-28 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法
JP2004246385A (ja) * 2004-05-14 2004-09-02 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP2004279548A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 表示駆動方法およびその回路ならびに画像表示装置
JP2004303522A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置及びその製造方法
JP2004309844A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法電気光学装置の駆動回路および電子機器
JP2004325885A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP2004327215A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP2004356108A (ja) * 1997-08-21 2004-12-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2004361430A (ja) * 2003-05-30 2004-12-24 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JPWO2003023750A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置
JPWO2003023752A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置とｅｌ表示装置の駆動回路および画像表示装置
JPWO2003027998A1 (ja) * 2001-09-25 2005-01-13 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置
KR100465883B1 (ko) * 2002-05-03 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2005017485A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
JP2005031651A (ja) * 2003-06-17 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
KR100472854B1 (ko) * 2002-07-18 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2005084119A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Nec Corp 発光素子の駆動回路及び電流制御型発光表示装置
JP2005092200A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Au Optronics Corp ディスプレイ画素回路及びその駆動方法
US6885148B2 (en) 1997-08-21 2005-04-26 Seiko Epson Corporation Active matrix display device
JP2005114916A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Seiko Epson Corp 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置
JP2005513536A (ja) * 2001-12-18 2005-05-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ エレクトロルミネセンス表示装置
JP2005140827A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置
US6911670B2 (en) * 2000-12-14 2005-06-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
JP2005195777A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Tohoku Pioneer Corp アクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置
JP2005197203A (ja) * 2003-12-29 2005-07-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法
JP2005196167A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子
KR100512927B1 (ko) * 2001-05-15 2005-09-07 샤프 가부시키가이샤 표시장치 및 표시방법
JP2005266616A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Hideki Matsumura 光学的表示装置及びその製造方法
JP2005534990A (ja) * 2002-08-06 2005-11-17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ Ｎｍｏｓトランジスタを備えたピクセルを持つエレクトロルミネセントディスプレイ装置
US7009203B2 (en) 2000-12-14 2006-03-07 Samsung Soi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
JP2006092817A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Ind Technol Res Inst 上方向発光型の有機発光ダイオード画素製造方法及び構造
JP2006139270A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Boe Hydis Technology Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2006184846A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Samsung Sdi Co Ltd 発光表示装置およびその駆動方法
JP2006227603A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP2006243755A (ja) * 1999-06-17 2006-09-14 Sony Corp 画像表示装置及びその駆動方法
JP2006243127A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Victor Co Of Japan Ltd シートディスプレイ
JP2006259572A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP2006285268A (ja) * 2006-05-26 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2006330664A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Samsung Sdi Co Ltd 発光表示装置及び発光表示装置の駆動方法
JP2006338042A (ja) * 2001-09-21 2006-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法
JP2006350376A (ja) * 2001-09-17 2006-12-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び発光装置
CN1297948C (zh) * 2002-04-26 2007-01-31 三洋电机株式会社 显示装置
JP2007142214A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、その駆動方法及び電子機器
KR100731044B1 (ko) 2003-12-30 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2007183658A (ja) * 2000-10-12 2007-07-19 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2007188098A (ja) * 2007-02-16 2007-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法と携帯情報端末
JP2007188099A (ja) * 1999-06-17 2007-07-26 Sony Corp 画像表示装置及びその駆動方法
US7250928B2 (en) 2001-09-17 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
JP2008107853A (ja) * 1999-06-17 2008-05-08 Sony Corp 画像表示装置及びその駆動方法
CN100392691C (zh) * 2002-05-15 2008-06-04 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
JP2008146093A (ja) * 2008-01-16 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2008225506A (ja) * 2002-04-26 2008-09-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
US7460094B2 (en) 1997-07-02 2008-12-02 Seiko Epson Corporation Display apparatus
US7561147B2 (en) 2003-05-07 2009-07-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method
US7638949B2 (en) 2005-02-28 2009-12-29 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescence device, method for driving thereof, and electronic appliance
JP2010014746A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
US7710028B2 (en) 1999-09-03 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device having pixel electrode with projecting portions and manufacturing method thereof
JP2010117722A (ja) * 2000-10-12 2010-05-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7742019B2 (en) 2002-04-26 2010-06-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of el display apparatus
US7763899B2 (en) 2005-08-09 2010-07-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus having a plurality of pixel sections disposed in a staggered manner
JP2010181903A (ja) * 2010-03-19 2010-08-19 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
US7817149B2 (en) 2002-04-26 2010-10-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Semiconductor circuits for driving current-driven display and display
US7880380B2 (en) 2003-06-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2011028283A (ja) * 2010-09-14 2011-02-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2011123491A (ja) * 1999-09-24 2011-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2011128630A (ja) * 1999-10-21 2011-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8059068B2 (en) 2001-11-13 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2012027479A (ja) * 2000-04-19 2012-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2012078845A (ja) * 2011-11-15 2012-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2012113310A (ja) * 2001-10-30 2012-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012226363A (ja) * 2004-04-28 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8395604B2 (en) 2005-01-21 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic apparatus
JP2013113868A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2013190824A (ja) * 1999-04-27 2013-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2014056251A (ja) * 1999-01-28 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8890149B2 (en) 1999-11-30 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-luminescence display device
US8896506B2 (en) 2001-10-30 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2015187735A (ja) * 2015-05-08 2015-10-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2020122966A (ja) * 2004-09-16 2020-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2022031721A (ja) * 2005-12-02 2022-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11302253B2 (en) 2001-09-07 2022-04-12 Joled Inc. El display apparatus
WO2024048268A1 (ja) * 2022-08-30 2024-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器及び表示装置の駆動方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0275193A (ja) * 1988-09-08 1990-03-14 Tosoh Corp 薄膜ｅｌパネルの封止方法
JPH0431299U (ja) * 1990-07-06 1992-03-13
JPH07288183A (ja) * 1994-03-08 1995-10-31 Planar Syst Inc エレクトロルミネッセント装置及びｔｆｅｌ装置並びに薄膜光吸収層の形成方法
JPH08171988A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Showa Shell Sekiyu Kk エレクトロルミネッセンス素子
JPH08180974A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nippondenso Co Ltd Ｅｌ素子およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0275193A (ja) * 1988-09-08 1990-03-14 Tosoh Corp 薄膜ｅｌパネルの封止方法
JPH0431299U (ja) * 1990-07-06 1992-03-13
JPH07288183A (ja) * 1994-03-08 1995-10-31 Planar Syst Inc エレクトロルミネッセント装置及びｔｆｅｌ装置並びに薄膜光吸収層の形成方法
JPH08171988A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Showa Shell Sekiyu Kk エレクトロルミネッセンス素子
JPH08180974A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nippondenso Co Ltd Ｅｌ素子およびその製造方法

Cited By (229)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7460094B2 (en) 1997-07-02 2008-12-02 Seiko Epson Corporation Display apparatus
US6885148B2 (en) 1997-08-21 2005-04-26 Seiko Epson Corporation Active matrix display device
JP2004171007A (ja) * 1997-08-21 2004-06-17 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、及び表示装置
JP2004146388A (ja) * 1997-08-21 2004-05-20 Seiko Epson Corp 有機半導体膜の形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
JP2004046209A (ja) * 1997-08-21 2004-02-12 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2004177972A (ja) * 1997-08-21 2004-06-24 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、及び表示装置
JP2004356108A (ja) * 1997-08-21 2004-12-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
US7364939B2 (en) 1997-08-21 2008-04-29 Seiko Epson Corporation Active matrix display device
JP2000215982A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
JP2014056251A (ja) * 1999-01-28 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2000242232A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Tdk Corp 表示装置
JP2000268957A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2013200569A (ja) * 1999-04-27 2013-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2017173835A (ja) * 1999-04-27 2017-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013200570A (ja) * 1999-04-27 2013-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置
US8994711B2 (en) 1999-04-27 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US9293483B2 (en) 1999-04-27 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP2013190824A (ja) * 1999-04-27 2013-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9837451B2 (en) 1999-04-27 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP2006243755A (ja) * 1999-06-17 2006-09-14 Sony Corp 画像表示装置及びその駆動方法
JP2007188099A (ja) * 1999-06-17 2007-07-26 Sony Corp 画像表示装置及びその駆動方法
JP2008107853A (ja) * 1999-06-17 2008-05-08 Sony Corp 画像表示装置及びその駆動方法
JP2001005426A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001035663A (ja) * 1999-07-27 2001-02-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法
US8358063B2 (en) 1999-09-03 2013-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and manufacturing method thereof
US8198806B2 (en) 1999-09-03 2012-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and manufacturing method thereof
US7710028B2 (en) 1999-09-03 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device having pixel electrode with projecting portions and manufacturing method thereof
JP2011123491A (ja) * 1999-09-24 2011-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2001159878A (ja) * 1999-09-24 2001-06-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001109432A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
JP2012215884A (ja) * 1999-10-21 2012-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2011128630A (ja) * 1999-10-21 2011-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2013210642A (ja) * 1999-10-21 2013-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2014197204A (ja) * 1999-10-21 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
JP2011100140A (ja) * 1999-11-29 2011-05-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2001343933A (ja) * 1999-11-29 2001-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8890149B2 (en) 1999-11-30 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-luminescence display device
JP2002149112A (ja) * 1999-11-30 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置
JP2001166737A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Tdk Corp カラー画像表示装置
JP2001282123A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
US9443461B2 (en) 2000-04-19 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
JP2012027479A (ja) * 2000-04-19 2012-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2003534573A (ja) * 2000-05-22 2003-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリクス表示装置
JP2003534574A (ja) * 2000-05-22 2003-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 能動マトリックスエレクトロルミネッセント表示装置
US7091939B2 (en) 2000-09-20 2006-08-15 Seiko Epson Corporation System and methods for providing a driving circuit for active matrix type displays
JP2002169510A (ja) * 2000-09-20 2002-06-14 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及び電子装置の駆動方法及び電子装置
JP2010117722A (ja) * 2000-10-12 2010-05-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2002189448A (ja) * 2000-10-12 2002-07-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置
JP2007183658A (ja) * 2000-10-12 2007-07-19 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR100359296B1 (ko) * 2000-10-14 2002-11-07 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
JP2002169509A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 平面表示パネルの駆動方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの駆動方法
US6911670B2 (en) * 2000-12-14 2005-06-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
US7009203B2 (en) 2000-12-14 2006-03-07 Samsung Soi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
US7425165B2 (en) 2000-12-14 2008-09-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for manufacturing organic EL device having conductive interface pad
JP2002236470A (ja) * 2001-01-08 2002-08-23 Chi Mei Electronics Corp アクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディスプレイの駆動方法
JP2002207451A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Hitachi Ltd 有機ｌｅｄディスプレイおよびその駆動方法
KR100512927B1 (ko) * 2001-05-15 2005-09-07 샤프 가부시키가이샤 표시장치 및 표시방법
JP2002358051A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の駆動方法および液晶表示装置
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US8471789B2 (en) 2001-08-09 2013-06-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method for driving the same
KR100841850B1 (ko) * 2001-08-09 2008-06-27 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
WO2003017730A1 (fr) * 2001-08-09 2003-02-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Ecran electroluminescent organique et procede de commande associe
CN100440529C (zh) * 2001-08-09 2008-12-03 出光兴产株式会社 有机电致发光显示装置及其驱动方法
US7034339B2 (en) 2001-08-09 2006-04-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL display device having host compound and phosphorescent luminous compound, and method of driving same
US8902136B2 (en) 2001-08-09 2014-12-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method for driving the same
US8654043B2 (en) 2001-08-09 2014-02-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method for driving the same
US7956828B2 (en) 2001-08-09 2011-06-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method for driving the same
JP2003066859A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法
JPWO2003023752A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置とｅｌ表示装置の駆動回路および画像表示装置
US10347183B2 (en) 2001-09-07 2019-07-09 Joled Inc. EL display apparatus
US11302253B2 (en) 2001-09-07 2022-04-12 Joled Inc. El display apparatus
US7528812B2 (en) 2001-09-07 2009-05-05 Panasonic Corporation EL display apparatus, driving circuit of EL display apparatus, and image display apparatus
JPWO2003023750A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置
US10923030B2 (en) 2001-09-07 2021-02-16 Joled Inc. EL display apparatus
US8823606B2 (en) 2001-09-07 2014-09-02 Panasonic Corporation EL display panel, its driving method, and EL display apparatus
US10818235B2 (en) 2001-09-07 2020-10-27 Joled Inc. EL display apparatus
US10699639B2 (en) 2001-09-07 2020-06-30 Joled Inc. EL display apparatus
US10553158B2 (en) 2001-09-07 2020-02-04 Joled Inc. EL display apparatus
US10453395B2 (en) 2001-09-07 2019-10-22 Joled Inc. EL display apparatus
US9728130B2 (en) 2001-09-07 2017-08-08 Joled Inc. EL display apparatus
US10198992B2 (en) 2001-09-07 2019-02-05 Joled Inc. EL display apparatus
US10198993B2 (en) 2001-09-07 2019-02-05 Joled Inc. EL display apparatus
US10134336B2 (en) 2001-09-07 2018-11-20 Joled Inc. EL display apparatus
US9892683B2 (en) 2001-09-07 2018-02-13 Joled Inc. EL display apparatus
US9997108B1 (en) 2001-09-07 2018-06-12 Joled Inc. EL display apparatus
US9959809B2 (en) 2001-09-07 2018-05-01 Joled Inc. EL display apparatus
US9922597B2 (en) 2001-09-07 2018-03-20 Joled Inc. EL display apparatus
JP2003202832A (ja) * 2001-09-17 2003-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
JP2008203886A (ja) * 2001-09-17 2008-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び発光装置
JP2003195814A (ja) * 2001-09-17 2003-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7250928B2 (en) 2001-09-17 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
JP2006350376A (ja) * 2001-09-17 2006-12-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び発光装置
US9847381B2 (en) 2001-09-21 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2006338042A (ja) * 2001-09-21 2006-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法
JP2003216104A (ja) * 2001-09-21 2003-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7795618B2 (en) 2001-09-21 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US7170094B2 (en) 2001-09-21 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9368527B2 (en) 2001-09-21 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2003177711A (ja) * 2001-09-21 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
KR100923507B1 (ko) * 2001-09-21 2009-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 발광장치의 구동방법
US9165952B2 (en) 2001-09-21 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2013178578A (ja) * 2001-09-21 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US9876062B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8227807B2 (en) 2001-09-21 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8895983B2 (en) 2001-09-21 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8519392B2 (en) 2001-09-21 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9876063B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US10068953B2 (en) 2001-09-21 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JPWO2003027998A1 (ja) * 2001-09-25 2005-01-13 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置
JP2003122304A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法と携帯情報端末
US9208717B2 (en) 2001-10-30 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US10991299B2 (en) 2001-10-30 2021-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2013242573A (ja) * 2001-10-30 2013-12-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10891894B2 (en) 2001-10-30 2021-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8896506B2 (en) 2001-10-30 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2012113310A (ja) * 2001-10-30 2012-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9830853B2 (en) 2001-10-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US11011108B2 (en) 2001-10-30 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2003150108A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックス基板及びそれを用いた電流制御型発光素子の駆動方法
JP2019135550A (ja) * 2001-11-13 2019-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8059068B2 (en) 2001-11-13 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2022031778A (ja) * 2001-11-13 2022-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11037964B2 (en) 2001-11-13 2021-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2021060608A (ja) * 2001-11-13 2021-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020187364A (ja) * 2001-11-13 2020-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9825068B2 (en) 2001-11-13 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2003216110A (ja) * 2001-11-13 2003-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8242986B2 (en) 2001-11-13 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2019148802A (ja) * 2001-11-13 2019-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8508443B2 (en) 2001-11-13 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2013238861A (ja) * 2001-11-13 2013-11-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、モジュール及び電子機器
JP2013178528A (ja) * 2001-11-13 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US10128280B2 (en) 2001-11-13 2018-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2003195806A (ja) * 2001-12-06 2003-07-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の発光回路及び表示装置
US8101946B2 (en) 2001-12-18 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Light-emission device, method of manufacturing same, electro-optical device and electronic device
JPWO2003053109A1 (ja) * 2001-12-18 2005-04-28 セイコーエプソン株式会社 発光装置、その製造方法、電気光学装置、及び電子機器
JP2005513536A (ja) * 2001-12-18 2005-05-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ エレクトロルミネセンス表示装置
WO2003053109A1 (fr) * 2001-12-18 2003-06-26 Seiko Epson Corporation Dispositif electroluminescent, procede de fabrication associe, dispositif electro-optique, et dispositif electronique
US7550774B2 (en) 2001-12-18 2009-06-23 Seiko Epson Corporation Light emission device, method of manufacturing same, electro-optical device and electronic device
JP2003208105A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US10373550B2 (en) 2002-02-28 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8988324B2 (en) 2002-02-28 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US9454933B2 (en) 2002-02-28 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US9697772B2 (en) 2002-02-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US10672329B2 (en) 2002-02-28 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
JP2003255895A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US8207916B2 (en) 2002-02-28 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7450093B2 (en) 2002-02-28 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8659517B2 (en) 2002-02-28 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US10019935B2 (en) 2002-02-28 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8330681B2 (en) 2002-02-28 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
JP2004006337A (ja) * 2002-04-25 2004-01-08 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子
US7279715B2 (en) * 2002-04-25 2007-10-09 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
CN1297948C (zh) * 2002-04-26 2007-01-31 三洋电机株式会社 显示装置
US7742019B2 (en) 2002-04-26 2010-06-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of el display apparatus
US8063855B2 (en) 2002-04-26 2011-11-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of EL display panel
US7932880B2 (en) 2002-04-26 2011-04-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. EL display panel driving method
US7924248B2 (en) 2002-04-26 2011-04-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of EL display apparatus
JP2008225506A (ja) * 2002-04-26 2008-09-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
US7817149B2 (en) 2002-04-26 2010-10-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Semiconductor circuits for driving current-driven display and display
KR100465883B1 (ko) * 2002-05-03 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20030086165A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2003323986A (ja) * 2002-05-03 2003-11-14 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2004004811A (ja) * 2002-05-03 2004-01-08 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子とその製造方法
CN100392691C (zh) * 2002-05-15 2008-06-04 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
JP2004047468A (ja) * 2002-07-05 2004-02-12 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子とその製造方法
KR20040007823A (ko) * 2002-07-11 2004-01-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100472854B1 (ko) * 2002-07-18 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2005534990A (ja) * 2002-08-06 2005-11-17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ Ｎｍｏｓトランジスタを備えたピクセルを持つエレクトロルミネセントディスプレイ装置
US7834359B2 (en) 2002-09-26 2010-11-16 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, transferred chip, and transfer origin substrate
JP2004117921A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の駆動方法
JP2004119725A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、転写チップ、転写元基板、電子機器
US7232702B2 (en) 2002-12-26 2007-06-19 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Dual panel type organic electroluminescent device and method of fabricating the same
JP2007329138A (ja) * 2002-12-26 2007-12-20 Lg Phillips Lcd Co Ltd デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法
JP2004212992A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法
JP2004213004A (ja) * 2002-12-28 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法
JP2004279548A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 表示駆動方法およびその回路ならびに画像表示装置
KR100737103B1 (ko) 2003-03-31 2007-07-06 샤프 가부시키가이샤 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2004303522A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置及びその製造方法
JP2004309844A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法電気光学装置の駆動回路および電子機器
JP2004327215A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP2004325885A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
US7561147B2 (en) 2003-05-07 2009-07-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method
JP2004361430A (ja) * 2003-05-30 2004-12-24 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
US7880380B2 (en) 2003-06-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2005031651A (ja) * 2003-06-17 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US8917016B2 (en) 2003-06-17 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US9887241B2 (en) 2003-06-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2005017485A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
JP2005084119A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Nec Corp 発光素子の駆動回路及び電流制御型発光表示装置
JP2005092200A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Au Optronics Corp ディスプレイ画素回路及びその駆動方法
US7354803B2 (en) 2003-10-06 2008-04-08 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing substrate conjugate, substrate conjugate, method for manufacturing electro-optical apparatus, and electro optical apparatus
JP2005114916A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Seiko Epson Corp 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置
JP2005140827A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置
US7394446B2 (en) 2003-12-26 2008-07-01 Lg.Philips Ld Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2005196167A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子
JP2005197203A (ja) * 2003-12-29 2005-07-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法
KR100731044B1 (ko) 2003-12-30 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2005195777A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Tohoku Pioneer Corp アクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置
JP2005266616A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Hideki Matsumura 光学的表示装置及びその製造方法
JP2012226363A (ja) * 2004-04-28 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2004246385A (ja) * 2004-05-14 2004-09-02 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP2021152666A (ja) * 2004-09-16 2021-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020122966A (ja) * 2004-09-16 2020-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023011671A (ja) * 2004-09-16 2023-01-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2006092817A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Ind Technol Res Inst 上方向発光型の有機発光ダイオード画素製造方法及び構造
JP2006139270A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Boe Hydis Technology Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2006184846A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Samsung Sdi Co Ltd 発光表示装置およびその駆動方法
US8395604B2 (en) 2005-01-21 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic apparatus
JP2006227603A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置及び電子機器
US7638949B2 (en) 2005-02-28 2009-12-29 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescence device, method for driving thereof, and electronic appliance
JP2006243127A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Victor Co Of Japan Ltd シートディスプレイ
JP2006259572A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器
US7652432B2 (en) 2005-03-18 2010-01-26 Seiko Epson Corporation Organic electro-luminescence device, driving method thereof and electronic apparatus
JP2006330664A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Samsung Sdi Co Ltd 発光表示装置及び発光表示装置の駆動方法
US7763899B2 (en) 2005-08-09 2010-07-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus having a plurality of pixel sections disposed in a staggered manner
JP2007142214A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、その駆動方法及び電子機器
JP2022031721A (ja) * 2005-12-02 2022-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2006285268A (ja) * 2006-05-26 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2007188098A (ja) * 2007-02-16 2007-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法と携帯情報端末
JP2008146093A (ja) * 2008-01-16 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2010014746A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
JP2010181903A (ja) * 2010-03-19 2010-08-19 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
JP2011028283A (ja) * 2010-09-14 2011-02-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2012078845A (ja) * 2011-11-15 2012-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2013113868A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2015187735A (ja) * 2015-05-08 2015-10-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2024048268A1 (ja) * 2022-08-30 2024-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器及び表示装置の駆動方法

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