JPH11306608A

JPH11306608A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH11306608A
Application number: JP11688398A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ikeda; 貴司池田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-04-27
Filing date: 1998-04-27
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】記録の不備が生じることなく、ＣＮ比の高い
光変調オーバーライト可能な光磁気記録媒体を提供す
る。【解決手段】透明基板（１）上に、希土類および遷移
金属から成る第１磁性層（３）、第２磁性層（４）、第
３磁性層（５）が順次形成され、第２磁性層（４）は希
土類副格子磁化優勢でかつ補償点を有さず、第３磁性層
（５）は記録温度以下に補償点を有し、第１磁性層
（３）のキュリー温度Ｔｃ１、第２磁性層（４）のキュ
リー温度Ｔｃ２、第３磁性層（５）のキュリー温度Ｔｃ
３が、Ｔｃ１＜Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たす光磁気記
録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、交換結合膜を用い
た光磁気記録媒体に関し、特に良好な記録特性を示す光
変調記録可能な光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光磁気記録方法としては、大別し
て、磁界変調記録方法と、光変調記録方法の二種類があ
る。

【０００３】磁界変調記録方法は、記録するデジタル信
号に応じて印加磁界の方向を高速で反転させて記録する
方法であり、比較的簡単な記録膜構成でオーバーライト
が可能である。しかし、この方法においては、磁界を極
力小さくすべく、磁気ヘッドを記録媒体に十分に近付け
る必要がある。したがって、記録媒体の表面にゴミ等が
付着していると、磁気ヘッドがクラッシュし、記録に障
害が生じてしまう。

【０００４】光変調記録方法は、記録するデジタル信号
に応じて光を変調させて記録する方法である。例えば、
情報を記録する際に、まず古いデータを消去した後新し
いデータを記録し、さらにべリファイを行なう光変調記
録方法が実用化されている。この方法では、記録に多く
の時間が必要となる。そこで、光変調記録方法におい
て、古いデータの上に新しいデータをオーバーライトす
ることで消去に必要だった時間を省略し、記録時間を短
縮する方法が検討され、一部実用化されている。

【０００５】図５は、光変調によるオーバーライトの記
録過程を示す模式図である。ここで用いる光磁気記録媒
体は、メモリー層５１と書き込み層５２の二層の交換結
合膜を有する。図５では、メモリー層５１および書き込
み層５２の各々の総和磁化を白矢印で示し、遷移金属副
格子磁化を黒矢印で示す。また、説明の簡易化の為に、
層５１と層５２の両層はどちらも室温以上で遷移金属副
格子磁化優勢な層とする。図５に示す例においては、メ
モリー層５１の遷移金属副格子磁化が上向きの場合を
『０』、下向きの場合を『１』としたが、上向きを
『１』、下向きを『０』としても構わない。

【０００６】この『０』と『１』の記録状態は、レーザ
ー光の強度を変えることにより得られる。ここで、低い
光強度のレーザー光を用いて『０』の記録状態を得る過
程は、図５の左側に示す記録過程であり、これをロープ
ロセスＬと称す。一方、高い光強度のレーザー光を用い
て『１』の記録状態を得る過程は、図５の右側に示す記
録過程であり、これをハイプロセスＨと称す。

【０００７】ロープロセスＬにおいては、記録媒体の
『０』の記録状態の部分に、低い光強度のレーザー光を
照射し、メモリー層５１のキュリー温度以上で、かつ記
録磁界Ｈｗによっては書き込み層５２の磁化は反転しな
い温度に加熱する。したがって、図５において記録磁界
Ｈｗの磁化は下向きであるが、書き込み層５２の磁化は
反転せずに上向きの状態を維持する。次に、レーザー光
の照射を止め、温度が低下してくると、メモリー層５１
の磁化は書き込み層５２の磁化に揃い、『０』の記録状
態となる。一方、『１』の記録状態の部分に低い光強度
のレーザー光を照射する場合においても、加熱されると
上記と同じ状態になり、やはり温度低下後に『０』の記
録状態となる。

【０００８】ハイプロセスＨにおいては、記録媒体の
『０』の記録状態の部分に、高い光強度のレーザー光を
照射し、メモリー層５１のキュリー温度以上で、かつ記
録磁界Ｈｗによって書き込み層５２の磁化が反転する温
度に加熱する。したがって、図５において記録磁界Ｈｗ
の磁化は下向きなので、書き込み層５２の磁化も下向き
に反転する。次に、レーザー光の照射を止めると、温度
が低下する過程中で、この書き込み層５２の磁化の方向
が、メモリー層５１の遷移金属副格子磁化に転写され
る。その後、室温付近において書き込み層５２の磁化は
初期化磁界Ｈintにより反転し、『１』の記録状態とな
る。一方、『１』の記録状態の部分に高い光強度のレー
ザー光を照射する場合においても、加熱されると上記と
同じ状態になり、やはり温度低下後に『１』の記録状態
となる。

【０００９】このように、図５の記録過程に従えば、メ
モリー層５１の磁化方向とは無関係に、すなわち古いデ
ータの『０』と『１』の記録状態の上からでも、ロープ
ロセスＬにより『０』を、ハイプロセスＨにより『１』
を記録でき、新しいデータをオーバーライトすることが
可能となる。

【００１０】ここで、メモリー層５１に要求される重要
な特性の一つに、記録された磁区の保存性が挙げられ
る。したがって、メモリー層５１には、室温にて大きな
保磁力エネルギーを有する材料が用いられる。また、書
き込み層５２についても、良好な記録特性を実現する点
から、室温において数十〜数百ｋｅｒｇ／ｃｃの保磁力
エネルギーを有する材料が好ましいとされている。

【００１１】このため、『１』の記録状態において、メ
モリー層５１と書き込み層５２の界面に形成される磁壁
は、そのエネルギー密度が著しく大きく、メモリー層５
１および書き込み層５２の磁化を安定に保つには、両層
の膜厚を著しく厚くする必要がある。このような層構成
の光磁気記録媒体では、記録時に大きなパワーのレーザ
ー光が必要であると共に、生産コストが高くなってしま
う。

【００１２】そこで、メモリー層５１と書き込み層５２
の間に、中間層として、薄い非磁性層や磁壁エネルギー
密度の小さな磁性層を配し、界面磁壁エネルギー密度を
小さくする方法が提案されている。

【００１３】しかし、中間層として非磁性層を用いる場
合は、書き込み層５２からメモリー層５１への磁化の転
写性を良好にするために、非常に薄く均一な膜厚の非磁
性層を形成する必要があり、生産性が悪くなる。

【００１４】一方、中間層として磁壁エネルギー密度の
小さな磁性層を用いる場合は、膜厚を数ｎｍ程度にする
ことが可能なので、膜厚の制御が比較的容易で生産性を
悪化させることはない。しかしながら、このような中間
層を用いる場合、記録の不備を招いたり、あるいはＣＮ
比が低下することがあった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁性体から
成る中間層を用いた光変調記録可能な光磁気記録媒体に
おいて、記録の不備が生じることなく、ＣＮ比の高い光
変調オーバーライト可能な光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、磁性体から
成る中間層を用いた光磁気記録媒体の記録再生特性につ
いて鋭意検討した結果、中間層の特性および組成を特定
することにより上記目的を達成できることを見い出し、
本発明を完成するに至った。

【００１７】すなわち、本発明は、少なくとも、透明基
板上に、希土類および遷移金属から成る第１磁性層、第
２磁性層および第３磁性層が順次形成され、該第２磁性
層は希土類副格子磁化優勢でかつ補償点を有さず、該第
３磁性層は記録温度以下に補償点を有し、該第１磁性層
のキュリー温度、該第２磁性層のキュリー温度、該第３
磁性層のキュリー温度を、それぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔ
ｃ３とした場合、Ｔｃ１＜Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満た
すことを特徴とする光磁気記録媒体である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。

【００１９】図１は、本発明の光磁気記録媒体の層構成
の一例を、模式的に示す断面図である。この図に示す記
録媒体は、透明基板１上に、第１誘電体層２、メモリー
層である第１磁性層３、中間層である第２磁性層４、書
き込み層である第３磁性層５、第２誘電体層６、熱拡散
層７、保護層８を順次積層形成して成る光変調オーバー
ライト可能な光磁気記録媒体である。

【００２０】透明基板１としては、従来より光磁気記録
媒体の基板として使用可能なことが知られる各種基板を
制限無く使用できる。例えば、ポリカーボネイト、ポリ
メチルメタクリレート等から成る基板を好適に使用でき
る。

【００２１】透明基板１上に、第１誘電体層２を介して
順次形成されている第１磁性層３、第２磁性層４、第３
磁性層５は、希土類および遷移金属から成る磁性層であ
る。第１磁性層３および第３磁性層５は、それぞれ、図
５に示したメモリー層５１および書き込み層５２と同様
の機能を奏する交換結合膜であり、第２磁性層４は、そ
の中間層として機能する。

【００２２】このうち、メモリー層である第１磁性層３
は、優れた記録ピット保存性を実現する点から、室温
（再生時の膜温度付近も含む）において保磁力エネルギ
ーが大きい材料で構成することが好ましい。第１磁性層
３の保磁力エネルギーは、具体的には、数百ｋｅｒｇ／
ｃｃ以上であることが好ましい。このような材料として
は、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏな
どが挙げられる。

【００２３】書き込み層である第３磁性層５は、そのキ
ュリー温度Ｔｃ３が第１磁性層３のキュリー温度Ｔｃ１
よりも高く、かつ記録温度以下に補償点を有する磁性層
である。特に、良好な形状の微小磁区を形成できる材料
で構成することが好ましい。このような材料としては、
ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＧｄＦｅＣｏなどが挙げられる。

【００２４】中間層である第２磁性層４は、そのキュリ
ー温度Ｔｃ２が第１磁性層３のキュリー温度Ｔｃ１より
も高く、第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃ３よりも低
く、かつ、希土類副格子磁化優勢で、補償点を有さず、
面内磁化膜から成る磁性層である。この第２磁性層４を
構成する材料としては、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＮｄＦｅ、ＧｄＮｄＦｅＣｏなどが挙げられる。

【００２５】この第２磁性層４が、希土類副格子磁化優
勢でかつ補償点を有さないことにより、好適な最大再生
パワーを実現できる界面磁壁エネルギー密度が得られ
る。レーザー光の照射により各磁性層の温度が高くなる
と、磁壁に蓄えられるエネルギーを小さくしようとし
て、第１磁性層３に形成された磁区は縮小してしまう。
ここで、第２磁性層４が補償点を有する組成であると、
形成される界面磁壁エネルギー密度が大きく、この現象
が顕著になるので、再生パワーの低下を招く。しかし本
発明では、第２磁性層４が補償点を有さないので、形成
される界面磁壁エネルギーは小さく、再生パワーは低下
し難い。

【００２６】また、ここで、第２磁性層４は補償点を有
さないが、そのキュリー温度Ｔｃ２が第３磁性層５のキ
ュリー温度Ｔｃ３よりも高い場合は、本発明者の知見に
よれば、図２に示すように、ハイプロセスＨにおいて、
レーザー光の照射により膜温度がＴｃ３付近に加熱され
た際に、第３磁性層５の遷移金属副格子磁化は第２磁性
層４の遷移金属副格子磁化の方向に揃ってしまい、その
結果、この磁化の方向がメモリー層に転写され、『１』
の記録状態を形成できなくなる場合も生じ、記録の不備
を招いたり、ＣＮ比が低下する。しかし、本発明では、
第２磁性層４のキュリー温度Ｔｃ２が第３磁性層５のキ
ュリー温度Ｔｃ３よりも低いので、そのような現象は発
生せず、『１』の記録状態を簡易かつ良好に形成でき
る。

【００２７】以上説明した第１磁性層３、第２磁性層
４、第３磁性層５等の磁性層には、その耐食性を向上さ
せるために、Ｃｒ、Ｔｉ等を添加してもよい。

【００２８】また第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁
性層５の各キュリー温度（Ｔｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３）
は、Ｔｃ１＜Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たせばよく、そ
の具体的な値について、特に制限は無い。ただし、Ｔｃ
１は１２０℃〜２００℃が好ましく、Ｔｃ２は２００℃
〜２８０℃が好ましく、Ｔｃ３は２００℃〜３００℃が
好ましい。また、第２と第１の磁性層の温度差（Ｔｃ２
−Ｔｃ１）は５０℃〜２００℃が好ましく、第３と第２
の磁性層の温度差（Ｔｃ３−Ｔｃ２）は５０℃以下が好
ましく、第３と第１の磁性層の温度差（Ｔｃ３−Ｔｃ
１）は５０℃〜２００℃が好ましい。

【００２９】透明基板１と第１磁性層３の間に形成され
ている第１誘電体層２は、必要に応じて、光学特性や耐
久性の向上のために設けられるものである。第３磁性層
４の透明基板１とは反対側に形成されている、第２誘電
体層６、熱拡散層７、保護層８は、必要に応じて、光学
特性や耐久性あるいは熱特性の向上のために設けられる
ものである。

【００３０】これら層については、従来よりこのような
層を構成できることが知られている各種材料を、制限無
く使用できる。例えば、第１誘電体層２および第２誘電
体層６を構成する材料としては、ＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｃ、ＳｉＡｌＯＮ、ＺｎＳ等が挙げられる。熱拡散層７
を構成する材料としては、熱伝導率の高いＡｌ、ＡｌＣ
ｒ、ＡｌＴｉ、Ａｕ、Ｐｔ等が挙げられる。保獲層８を
構成する材料としては、紫外線硬化樹脂等が挙げられ
る。

【００３１】以上のような層構成の光磁気記録媒体を用
いれば、例えば、図５に示した記録過程等に従って、良
好な光変調オーバーライトが可能となる。

【００３２】図３は、本発明の光磁気記録媒体の層構成
のさらなる一例を模式的に示す断面図である。この例の
記録媒体は、図１に示した層構成に加えて、さらに、透
明基板１と第１磁性層の間に第４磁性層９を形成したも
のである。

【００３３】この第４磁性層９は、希土類および遷移金
属から成る層であり、大きな磁気光学効果を有し、その
キュリー温度Ｔｃ４は第１磁性層３のキュリー温度Ｔｃ
１よりも高い。この第４磁性層９を形成することによ
り、さらに、大きな再生信号を得ることが可能となる。

【００３４】第４磁性層を構成する材料としては、大き
なカー回転角を示すものが好ましく、例えば、ＧｄＦ
ｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅ、ＮｄＧｄ
Ｃｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ等を用いることが好ましい。ま
た垂直磁化膜となるように、記録温度付近で遷移金属副
格子磁化優勢となる組成であることが好ましい。このよ
うな膜構成にすれば、先に述べたような中間層の磁化が
記録に及ぼす悪影響がさらに低減される。

【００３５】図４は、本発明の光磁気記録媒体の層構成
のさらなる一例を模式的に示す断面図である。この例の
記録媒体は、図３に示した層構成に加えて、さらに、第
３磁性層５と第２誘電体層６の間に、スイッチング層で
ある第５磁性層１０および初期化層である第６磁性層１
１を形成したものである。

【００３６】第５磁性層１０および第６磁性層１１は、
希土類および遷移金属から成る層であり、第５磁性層１
０のキュリー温度Ｔｃ５は第３磁性層５のキュリー温度
Ｔｃ３よりも低く、第６磁性層１１のキュリー温度Ｔｃ
６はそのＴｃ３よりも高い。これら各層１０、１１を形
成することによって、初期化磁界Ｈintが不要な光変調
オーバーライト記録が可能になる。

【００３７】第５磁性層１０は、磁壁エネルギーの大き
な材料で構成することが好ましく、その材料としてＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣｏ等が挙げられる。第６磁性層１１
は、常に磁化の方向を保つ必要があるので、保磁力エネ
ルギーの大きな材料で構成することが好ましく、その材
料としてＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ等が挙げられる。

【００３８】

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００３９】＜実施例１＞図１に示す層構成の光変調オ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を、以下のようにし
て作製した。

【００４０】まず、脱気したポリカーボネート製透明基
板１を真空装置内に配置し、そのチャンバー内を１×１
０^-4Ｐａ以下まで排気した。Ｓｉターゲットを用い、Ａ
ｒとＮ₂の混合気体をチャンバー内に導入して反応性ス
パッタリングを行なうことにより、ポリカーボネート製
透明基板１上に、ＳｉＮ膜から成る膜厚９０ｎｍの第１
誘電体層２を形成した。

【００４１】次に、この真空を破ることなく、０.４Ｐ
ａのスパッタ圧で、Ｔｂ₂₁（ＦｅＣｏ₄）膜から成る膜
厚２０ｎｍの第１磁性層３を形成し、０.２Ｐａのスパ
ッタ圧で、Ｇｄ₃₉（ＦｅＣｏ₁₅）膜から成る膜厚１０ｎ
ｍの第２磁性層４を形成し、０.３Ｐａのスパッタ圧
で、（ＤｙＧｄ₇₅）₁₉（ＦｅＣｏ₁₀）膜から成る膜厚７
０ｎｍの第３磁性層５を形成した。これら第１磁性層
３、第２磁性層４、第３磁性層５のキュリー温度は、そ
れぞれ１７８℃、２４０℃、２６０℃であった。

【００４２】次に、この真空を破ることなく、第１誘電
体層２と同様の反応性スパッタリングを行なうことによ
り、ＳｉＮ膜から成る膜厚１０ｎｍの第２誘電体層６を
形成し、ＡｌＣｒターゲットを用いてスパッタリングを
行なうことにより、ＡｌＣｒ膜から成る膜厚４０ｎｍの
熱拡散層７を形成した。

【００４３】その後、大気中において、紫外線硬化型樹
脂をスピンナーによって塗布し、紫外線を照射して硬化
させることにより、膜厚１０μｍの保護層８を形成し
て、図３に示す層構成の光変調オーバーライト可能な光
磁気記録媒体を得た。

【００４４】＜実施例２＞第１誘電体層２と第１磁性層
３の間に、Ｇｄ₁₈（ＦｅＣｏ₁₅）膜から成る膜厚１０ｎ
ｍの第４磁性層９（キュリー温度３４０℃）を形成し、
第１磁性層３をＴｂ₂₃（ＦｅＣｏ_3.5）膜から成る膜厚
２４ｎｍの層（キュリー温度１７５℃）で形成し、第２
磁性層４の組成をＧｄ₃₇（ＦｅＣｏ₁₅）（キュリー温度
２５０℃）に変更したこと以外は、実施例１と同様にし
て各層を形成し、図３に示す層構成の光変調オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体を得た。

【００４５】＜実施例３＞第１誘電体層２と第１磁性層
３の間に、Ｇｄ_18.5（ＦｅＣｏ₁₅Ｃｒ_2.5）膜から成る
膜厚１０ｎｍの第４磁性層９（キュリー温度３３５℃）
を形成し、第１磁性層３をＴｂ₂₄（ＦｅＣｏ₃Ｃｒ_2.5）
膜から成る膜厚２４ｎｍの層（キュリー温度１７３℃）
で形成し、第２磁性層４の組成をＧｄ₃₉（ＦｅＣｏ₁₅Ｃ
ｒ_2.5）（キュリー温度２３８℃）に変更し、第３磁性
層の組成を（ＤｙＧｄ₇₅）₁₈（ＦｅＣｏ₈Ｃｒ_2.5）（キ
ュリー温度２５０℃）に変更したこと以外は、実施例１
と同様にして各層を形成し、図３に示す層構成の光変調
オーバーライト可能な光磁気記録媒体を得た。

【００４６】＜実施例４＞（ＤｙＧｄ₂₅）₁₉（ＦｅＣｏ
₁₆）から成る膜厚２０ｎｍの第３磁性層５（キュリー温
度２５８℃）を成膜した後に、真空を破ることなく、
０.６Ｐａのスパッタ圧で、Ｔｂ₁₇Ｆｅ膜から成る膜厚
１０ｎｍの第５磁性層１０（キュリー温度１３０℃）を
形成し、０.３Ｐａのスパッタ圧で、Ｔｂ₂₃Ｃｏ膜から
成る膜厚３０ｎｍの第６磁性層１１（キュリー温度３５
０℃以上）を形成したこと以外は、実施例１と同様にし
て各層を形成し、光変調オーバーライト可能な光磁気記
録媒体を得た。

【００４７】＜実施例５＞（ＤｙＧｄ₂₅）₂₀（ＦｅＣｏ
₁₇）膜から成る膜厚２０ｎｍの第３磁性層５（キュリー
温度２５８℃）を成膜した後に、真空を破ることなく、
０.６Ｐａのスパッタ圧で、Ｔｂ₁₇Ｆｅ膜から成る膜厚
１０ｎｍの第５磁性層１０（キュリー温度１３０℃）を
形成し、０.３Ｐａのスパッタ圧で、Ｔｂ₂₃Ｃｏから成
る膜厚３０ｎｍの第６磁性層１１（キュリー温度３５０
℃）を形成したこと以外は、実施例２と同様にして各層
を形成し、図４に示す層構成の光変調オーバーライト可
能な光磁気記録媒体を得た。

【００４８】＜実施例６＞（ＤｙＧｄ₂₅）₁₈（ＦｅＣｏ
₁₄Ｃｒ_2.5）膜から成る膜厚２０ｎｍの第３磁性層５
（キュリー温度２４０℃）を成膜した後に、真空を破る
ことなく、０.６Ｐａのスパッタ圧で、Ｔｂ₁₇（ＦｅＣ
ｒ_2.5）膜から成る膜厚１０ｎｍの第５磁性層１０（キ
ュリー温度１２０℃）を形成し、０.３Ｐａのスパッタ
圧で、Ｔｂ₂₃（ＣｏＣｒ_2.5）膜から成る膜厚３０ｎｍ
の第６磁性層１１（キュリー温度３５０℃）を形成した
こと以外は、実施例３と同様にして各層を形成し、図４
に示す層構成の光変調オーバーライト可能な光磁気記録
媒体を得た。

【００４９】＜比較例１＞第２磁性層４の組成をＧｄ₃₀
（ＦｅＣｏ₁₅）とし、キュリー温度を２７７℃としたこ
と以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得
た。

【００５０】＜比較例２＞第２磁性層４の組成をＧｄ₃₂
（ＦｅＣｏ₁₅）とし、キュリー温度を２６５℃としたこ
と以外は、実施例２と同様にして光磁気記録媒体を得
た。

【００５１】＜比較例３＞第２磁性層４の組成をＧｄ₃₇
（ＦｅＣｏ₁₅Ｃｒ_2.5）とし、キュリー温度を２５８℃
としたこと以外は、実施例３と同様にして光磁気記録媒
体を得た。

【００５２】＜比較例４＞第２磁性層４の組成をＧｄ₃₀
（ＦｅＣｏ₁₅）とし、キュリー温度を２７７℃としたこ
と以外は、実施例４と同様にして光磁気記録媒体を得
た。

【００５３】＜比較例５＞第２磁性層４の組成をＧｄ₃₂
（ＦｅＣｏ₁₅）とし、キュリー温度を２６５℃としたこ
と以外は、実施例５と同様にして光磁気記録媒体を得
た。

【００５４】＜比較例６＞第２磁性層４の組成をＧｄ₃₇
（ＦｅＣｏ₁₅Ｃｒ_2.5）とし、キュリー温度を２５８℃
としたこと以外は、実施例６と同様にして光磁気記録媒
体を得た。

【００５５】＜評価＞実施例１〜６および比較例１〜６
の各光磁気記録媒体について、そのＣＮ比を下記表１に
示す。この評価のための記録および再生は、レーザー波
長６８０ｎｍ、ＮＡ０.５５の測定装置を用いて行な
い、測定条件は記録印加磁界２８ｋＡ／ｍ、線速７.４
８ｍ／ｓ、記録周波数５.８６ＭＨｚ、再生レーザーパ
ワー１.５ｍＷとした。また、実施例１〜３および比較
例１〜３の測定では、初期化磁界を１２０ｋＡ／ｍとし
た。また、すべての光磁気記録媒体は、測定前に一定の
方向に８０ｋＡ／ｍの磁界を印加しながら、１０ｍＷの
レーザー光を照射することにより初期化を行った。

【００５６】

【表１】

【００５７】表１に示す結果から明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体についての実施例１〜６は、優れた
ＣＮ比を示した。一方、各層のキュリー温度が、Ｔｃ１
＜Ｔｃ２＜Ｔｃ３を満たしていない比較例１〜６は、記
録不可あるいはＣＮ比が劣るという結果を示した。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体は、記録の不備が生じることなく、ＣＮ比の高い
光変調オーバーライト可能な光磁気記録媒体である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を、模
式的に示す断面図である。

【図２】中間層が補償点を有さず、かつＴｃ２＞Ｔｃ３
である、従来の光磁気記録媒体の記録過程を示す模式図
である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を、模
式的に示す断面図である。

【図４】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を、模
式的に示す断面図である。

【図５】メモリー層と書き込み層の二層から成る、従来
の光変調記録可能な光磁気記録媒体の記録過程を示す模
式図である。

【符号の説明】

１基板２第１誘電体層３第１磁性層４第２磁性層５第３磁性層６第２誘電体層７熱拡散層８保護層９第４磁性層１０第５磁性層１１第６磁性層５１メモリー層５２書き込み層ＬロープロセスＨハイプロセスＨint 初期化磁界Ｈｗ記録磁界

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、透明基板上に、希土類およ
び遷移金属から成る第１磁性層、第２磁性層および第３
磁性層が順次形成され、該第２磁性層は希土類副格子磁
化優勢でかつ補償点を有さず、該第３磁性層は記録温度
以下に補償点を有し、該第１磁性層のキュリー温度、該
第２磁性層のキュリー温度、該第３磁性層のキュリー温
度を、それぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３とした場合、Ｔ
ｃ１＜Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たすことを特徴とする
光磁気記録媒体。
【請求項２】透明基板と第１磁性層の間に、希土類お
よび遷移金属から成る第４磁性層が形成され、該第４磁
性層のキュリー温度Ｔｃ４はＴｃ１よりも高い請求項１
記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】第３磁性層の上に、さらに希土類および
遷移金属から成る第５磁性層および第６磁性層が順次形
成され、該第５磁性層のキュリー温度Ｔｃ５はＴｃ３よ
りも低く、該第６磁性層のキュリー温度Ｔｃ６はＴｃ３
よりも高い請求項１または２記載の光磁気記録媒体。