JPH11307417A - 集束イオンビームによる断面加工観察方法 - Google Patents
集束イオンビームによる断面加工観察方法Info
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- JPH11307417A JPH11307417A JP10108310A JP10831098A JPH11307417A JP H11307417 A JPH11307417 A JP H11307417A JP 10108310 A JP10108310 A JP 10108310A JP 10831098 A JP10831098 A JP 10831098A JP H11307417 A JPH11307417 A JP H11307417A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/303—Electron or ion optical systems
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集束イオンビームにて断面像を得る際、断面
がエッチングされてしまう。また高分解能像を得ること
が困難であった。 【解決手段】 集束イオンビームにて断面を加工する第
一の工程と、液体金属イオン源のエミッション電流を制
御してビーム電流、ビーム径を調整した後断面像を観察
する第二の工程により断面へのダメージの少ない高分解
能像の観察を可能にした。
がエッチングされてしまう。また高分解能像を得ること
が困難であった。 【解決手段】 集束イオンビームにて断面を加工する第
一の工程と、液体金属イオン源のエミッション電流を制
御してビーム電流、ビーム径を調整した後断面像を観察
する第二の工程により断面へのダメージの少ない高分解
能像の観察を可能にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不良解析などのた
めに集束イオンビームを使って半導体デバイスの特定位
置にて断面を形成するための加工を行い、断面を観察す
る方法に関する。
めに集束イオンビームを使って半導体デバイスの特定位
置にて断面を形成するための加工を行い、断面を観察す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ（大規模集積回路）等の高集積
化、微細化に伴い、開発工程や製造工程におけるＬＳＩ
の断面加工、断面観察を集束イオンビーム装置で実施す
る技術が示されている。特開平２−１５２１５５号公報
によると走査型イオン顕微鏡機能により断面加工部の位
置出しを行い、さらにマスクレスエッチング機能により
断面加工部を一面として、角形に穴あけし、所望の断面
部を露出させた後、試料を傾斜させて、断面部をイオン
ビーム照射方向に向けさせ、再び走査イオン顕微鏡機能
により断面加工部を観察するものである。
化、微細化に伴い、開発工程や製造工程におけるＬＳＩ
の断面加工、断面観察を集束イオンビーム装置で実施す
る技術が示されている。特開平２−１５２１５５号公報
によると走査型イオン顕微鏡機能により断面加工部の位
置出しを行い、さらにマスクレスエッチング機能により
断面加工部を一面として、角形に穴あけし、所望の断面
部を露出させた後、試料を傾斜させて、断面部をイオン
ビーム照射方向に向けさせ、再び走査イオン顕微鏡機能
により断面加工部を観察するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記方法で作製した断
面部を走査イオン顕微鏡機能により観察する際、特開平
２−１５２１５５号公報に記載のビーム電流２〜３０ｐ
Ａで観察倍率を１００００倍以上とすると、集束イオン
ビーム照射により断面がエッチングされてしまい観察す
べき形状が失われてしまうという問題があった。また十
分な像分解能は得られず断面の微細構造が鮮明に観察で
きないという問題があった。
面部を走査イオン顕微鏡機能により観察する際、特開平
２−１５２１５５号公報に記載のビーム電流２〜３０ｐ
Ａで観察倍率を１００００倍以上とすると、集束イオン
ビーム照射により断面がエッチングされてしまい観察す
べき形状が失われてしまうという問題があった。また十
分な像分解能は得られず断面の微細構造が鮮明に観察で
きないという問題があった。
【０００４】特公昭６２−６０６９９号公報には加工物
の画像を検出する際、ビームレベルを低減する方法が記
載されているが、加工した後に断面観察を行うことにつ
いてはなにもふれていない。ビーム径は０．５μｍであ
り、断面観察には大きすぎるため、前記問題の解決策に
はならない。
の画像を検出する際、ビームレベルを低減する方法が記
載されているが、加工した後に断面観察を行うことにつ
いてはなにもふれていない。ビーム径は０．５μｍであ
り、断面観察には大きすぎるため、前記問題の解決策に
はならない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明では、液体金属イオン源と前記イオン源から引き
出されたイオンビームを集束するための集束レンズ系と
前記イオンビームを試料上でオン／オフするためのブラ
ンキング電極とからなる集束イオンビーム発生部と、
前記集束イオンビームを制限するための制限絞りと、前
記集束イオンビームを偏向走査するための偏向電極と、
前記集束イオンビームが照射される試料を載置し移動可
能な試料ステージと、前記集束イオンビームを照射する
ことにより発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒
子検出器と前記二次荷電粒子検出器の信号に基づいて前
記試料表面の画像を表示するためのディスプレイとから
なる集束イオンビーム装置を用いて試料の所望の箇所に
前記集束イオンビームを照射し、スパッタエッチングす
ることにより断面を加工する第一の工程と、少なくとも
液体金属イオン源からのエミッション電流を制御して、
前記集束イオンビーム電流とビーム径を変更した後、前
記断面に前記集束イオンビームを走査しながら照射し、
前記断面から発生した二次荷電粒子を前記二次荷電粒子
検出器で検出し、前記二次荷電粒子検出器の信号に基づ
いて前記試料表面の画像をディスプレイに表示し、前記
断面の観察を行う第二の工程からなること特徴とする集
束イオンビームによる断面加工観察方法を提供する。
本発明では、液体金属イオン源と前記イオン源から引き
出されたイオンビームを集束するための集束レンズ系と
前記イオンビームを試料上でオン／オフするためのブラ
ンキング電極とからなる集束イオンビーム発生部と、
前記集束イオンビームを制限するための制限絞りと、前
記集束イオンビームを偏向走査するための偏向電極と、
前記集束イオンビームが照射される試料を載置し移動可
能な試料ステージと、前記集束イオンビームを照射する
ことにより発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒
子検出器と前記二次荷電粒子検出器の信号に基づいて前
記試料表面の画像を表示するためのディスプレイとから
なる集束イオンビーム装置を用いて試料の所望の箇所に
前記集束イオンビームを照射し、スパッタエッチングす
ることにより断面を加工する第一の工程と、少なくとも
液体金属イオン源からのエミッション電流を制御して、
前記集束イオンビーム電流とビーム径を変更した後、前
記断面に前記集束イオンビームを走査しながら照射し、
前記断面から発生した二次荷電粒子を前記二次荷電粒子
検出器で検出し、前記二次荷電粒子検出器の信号に基づ
いて前記試料表面の画像をディスプレイに表示し、前記
断面の観察を行う第二の工程からなること特徴とする集
束イオンビームによる断面加工観察方法を提供する。
【０００６】
【実施例】図１に基づき装置構成について説明する。本
発明を実施するための装置構成例は図１に示すように、
液体金属イオン源１と、前記液体金属イオン源１から引
き出されたイオンビームを集束するための集束レンズ系
として集束レンズ２と対物レンズ５と、前記イオンビー
ムを制限するための制限絞り１５と、前記イオンビーム
を試料上でオン／オフするためのブランキング電極３と
からなる集束イオンビーム発生部が装着されている。ま
た、集束イオンビーム６軸には、前記集束イオンビーム
を偏向走査するための偏向電極４が配置され、更に、前
記集束イオンビーム６が照射される試料９を載置し移動
可能な試料ステージ１０と、前記集束イオンビーム６を
照射することにより発生する二次荷電粒子７ａ、７ｂを
検出する二次荷電粒子検出器８ａ、８ｂと、二次荷電粒
子検出器８ａ、８ｂにて検出された二次荷電粒子７ａ、
７ｂ強度に基づいて試料９表面の画像を標示するディス
プレイ１４等から構成される。
発明を実施するための装置構成例は図１に示すように、
液体金属イオン源１と、前記液体金属イオン源１から引
き出されたイオンビームを集束するための集束レンズ系
として集束レンズ２と対物レンズ５と、前記イオンビー
ムを制限するための制限絞り１５と、前記イオンビーム
を試料上でオン／オフするためのブランキング電極３と
からなる集束イオンビーム発生部が装着されている。ま
た、集束イオンビーム６軸には、前記集束イオンビーム
を偏向走査するための偏向電極４が配置され、更に、前
記集束イオンビーム６が照射される試料９を載置し移動
可能な試料ステージ１０と、前記集束イオンビーム６を
照射することにより発生する二次荷電粒子７ａ、７ｂを
検出する二次荷電粒子検出器８ａ、８ｂと、二次荷電粒
子検出器８ａ、８ｂにて検出された二次荷電粒子７ａ、
７ｂ強度に基づいて試料９表面の画像を標示するディス
プレイ１４等から構成される。
【０００７】二次荷電粒子検出器８ａ、８ｂは、二次電
子７ａを検出する二次電子検出器８ａと二次イオン７ｂ
を検出する二次イオン検出器８ｂよりなる。なお、二次
荷電粒子検出器８ａ、８ｂを１つの検出器にて構成し、
スイッチにて二次電子検出器８ａと、二次イオン検出器
８ｂに切り替える構成としてもよい。二次荷電粒子検出
器８ａ、８ｂからの信号は、Ａ／Ｄ変換器１１に入力
し、Ａ／Ｄ変換される。 Ａ／Ｄ変換された二次荷電粒
子７ａ、７ｂ信号は、演算機（図示せず）にて、ディス
プレイ１４にて画像表示するための演算が行われる。液
体金属イオン源１、集束レンズ２、ブランキング電極
３、偏向電極４及び対物レンズ５の電力は、イオン光学
系制御電源１３を介して、演算装置（図示せず）からの
信号に基づいて供給される。
子７ａを検出する二次電子検出器８ａと二次イオン７ｂ
を検出する二次イオン検出器８ｂよりなる。なお、二次
荷電粒子検出器８ａ、８ｂを１つの検出器にて構成し、
スイッチにて二次電子検出器８ａと、二次イオン検出器
８ｂに切り替える構成としてもよい。二次荷電粒子検出
器８ａ、８ｂからの信号は、Ａ／Ｄ変換器１１に入力
し、Ａ／Ｄ変換される。 Ａ／Ｄ変換された二次荷電粒
子７ａ、７ｂ信号は、演算機（図示せず）にて、ディス
プレイ１４にて画像表示するための演算が行われる。液
体金属イオン源１、集束レンズ２、ブランキング電極
３、偏向電極４及び対物レンズ５の電力は、イオン光学
系制御電源１３を介して、演算装置（図示せず）からの
信号に基づいて供給される。
【０００８】以下集束イオンビーム装置を用いた断面加
工観察方法を図２を用いて説明する。断面観察する試料
９としてＬＳＩを用いた。図２（ａ）に示すように観察
したい試料９ＬＳＩのコンタクトホール３３を含む走査
イオン顕微鏡像を求める。なお、コンタクトホール３３
の近傍に配線３２が観察されている。走査イオン顕微鏡
像は、集束イオンビーム６を試料９表面に走査させなが
ら照射し、試料９表面から発生する二次荷電粒子である
二次電子７ａ又は二次イオン７ｂを検出することにより
得られる。図２（ａ）の画像により断面形成の位置３４
を設定する。
工観察方法を図２を用いて説明する。断面観察する試料
９としてＬＳＩを用いた。図２（ａ）に示すように観察
したい試料９ＬＳＩのコンタクトホール３３を含む走査
イオン顕微鏡像を求める。なお、コンタクトホール３３
の近傍に配線３２が観察されている。走査イオン顕微鏡
像は、集束イオンビーム６を試料９表面に走査させなが
ら照射し、試料９表面から発生する二次荷電粒子である
二次電子７ａ又は二次イオン７ｂを検出することにより
得られる。図２（ａ）の画像により断面形成の位置３４
を設定する。
【０００９】次に図２（ｂ）に示すようにコンタクトホ
ール３３を含む領域３５をＦＩＢ−ＣＶＤ法で膜付けす
る。ＦＩＢ−ＣＶＤ法はガス銃（図示せず）により試料
表面に原料ガスを吸着させ、２０〜３０ＫｅＶのエネル
ギーで加速したイオンビーム６を領域３５の範囲にて走
査させて照射する。このことにより、照射領域３５のみ
に選択的に膜を形成する方法である。本実施例では原料
ガスにＷ（ＣＯ）6を用い、タングステン膜を形成して
いる。勿論、ガスを変えて他の金属膜形成によっても本
発明は実施可能である。この膜付けを長時間施すと、試
料の膜付け領域表面が平坦化されるため、配線パターン
が走査イオン顕微鏡像上では見にくくなるので、平坦化
される前に膜付けを終了したほうが断面形成は容易にな
る。
ール３３を含む領域３５をＦＩＢ−ＣＶＤ法で膜付けす
る。ＦＩＢ−ＣＶＤ法はガス銃（図示せず）により試料
表面に原料ガスを吸着させ、２０〜３０ＫｅＶのエネル
ギーで加速したイオンビーム６を領域３５の範囲にて走
査させて照射する。このことにより、照射領域３５のみ
に選択的に膜を形成する方法である。本実施例では原料
ガスにＷ（ＣＯ）6を用い、タングステン膜を形成して
いる。勿論、ガスを変えて他の金属膜形成によっても本
発明は実施可能である。この膜付けを長時間施すと、試
料の膜付け領域表面が平坦化されるため、配線パターン
が走査イオン顕微鏡像上では見にくくなるので、平坦化
される前に膜付けを終了したほうが断面形成は容易にな
る。
【００１０】この膜付け後、図2（ｃ）に示すようにエ
ッチング領域３６に集束イオンビーム６を照射してエッ
チング加工を行う。エッチング領域３６は、ほぼ矩形形
状であり、その一辺は断面形成の位置３４になるように
設定される。粗い穴あけは高電流ビーム（例えば２〜１
０ｎＡ）でなされ、また、仕上げ加工は中電流ビーム
（例えば３０ｐＡ〜２ｎＡ）で観察したい断面位置３４
に照射することにより行われ、図２（ｄ）に示すよう
に、側壁断面３７が形成される。
ッチング領域３６に集束イオンビーム６を照射してエッ
チング加工を行う。エッチング領域３６は、ほぼ矩形形
状であり、その一辺は断面形成の位置３４になるように
設定される。粗い穴あけは高電流ビーム（例えば２〜１
０ｎＡ）でなされ、また、仕上げ加工は中電流ビーム
（例えば３０ｐＡ〜２ｎＡ）で観察したい断面位置３４
に照射することにより行われ、図２（ｄ）に示すよう
に、側壁断面３７が形成される。
【００１１】次に、イオンビーム照射方向に試料９の加
工断面３７が露呈するように試料ステージ１０を傾斜さ
せる。この断面３７を比較的低電流ビーム（例えば１ｐ
Ａ以下）で走査イオン顕微鏡により観察する。尚、断面
観察したい異物などの異状部分が小さい場合などは、膜
付けしないで断面形成を実施することもある。このよう
な場合にも上述の操作を行うことで、より正確な断面形
状が得られる。
工断面３７が露呈するように試料ステージ１０を傾斜さ
せる。この断面３７を比較的低電流ビーム（例えば１ｐ
Ａ以下）で走査イオン顕微鏡により観察する。尚、断面
観察したい異物などの異状部分が小さい場合などは、膜
付けしないで断面形成を実施することもある。このよう
な場合にも上述の操作を行うことで、より正確な断面形
状が得られる。
【００１２】上記方法で作成した断面３７を走査イオン
顕微鏡機能により観察する際、ビーム制限絞り径、レン
ズ集束条件を調整することによりビーム電流、ビーム径
を調整することは周知の事実である。本発明ではビーム
制限絞り径、レンズ集束条件だけでなく液体金属イオン
源からのエミッション電流を制御して、前記集束イオン
ビーム電流とビーム径を断面観察に利用可能な大きさに
調整する。
顕微鏡機能により観察する際、ビーム制限絞り径、レン
ズ集束条件を調整することによりビーム電流、ビーム径
を調整することは周知の事実である。本発明ではビーム
制限絞り径、レンズ集束条件だけでなく液体金属イオン
源からのエミッション電流を制御して、前記集束イオン
ビーム電流とビーム径を断面観察に利用可能な大きさに
調整する。
【００１３】ビーム電流が数ｐＡの領域ではビーム径ｄ
はおよそ次の関係式（１）で表される。 ｄ2〜（Ｍ・ｄｇ）2＋（Ｃ・α・ΔE／E）2 （１） ここでＭは光学系の倍率、ｄｇは光源の大きさ、Ｃは光
学系の色収差係数、αはビーム開き半角、Eはイオンビ
ームエネルギー、ΔEはイオンビームエネルギー幅であ
る。光学系の色収差係数Ｃは集束レンズ系の改良により
低減できることは周知の事実である。
はおよそ次の関係式（１）で表される。 ｄ2〜（Ｍ・ｄｇ）2＋（Ｃ・α・ΔE／E）2 （１） ここでＭは光学系の倍率、ｄｇは光源の大きさ、Ｃは光
学系の色収差係数、αはビーム開き半角、Eはイオンビ
ームエネルギー、ΔEはイオンビームエネルギー幅であ
る。光学系の色収差係数Ｃは集束レンズ系の改良により
低減できることは周知の事実である。
【００１４】本発明では前記(1)式の第二項に着目し、
液体金属イオン源からのエミッション電流を制御するこ
とでΔEの値を可能な限り小さな値に抑え、ｄの値を小
さくする。図3に液体金属イオン源のエミッション電流
とイオンビームエネルギー半値幅の関係を示す。この図
から明らかなようにエミッション電流を増加させるとエ
ネルギー半値幅も増加する。通常、断面加工をする場合
は前記のように３０ｐＡ〜１０ｎＡのビーム電流を使用
するため、液体金属イオン源からのエミッション電流も
2〜3μA程度で使用する。これよりも低いエミッション
電流で使用すればΔEを小さく保つことができる。しか
しあまりにもエミッション電流の低い領域では、イオン
のエミッションが不安定になる。検討の結果断面観察の
場合はエミッション電流を1μA程度とすることで安定な
エミッションでΔEを小さく保つことができることがわ
かった。
液体金属イオン源からのエミッション電流を制御するこ
とでΔEの値を可能な限り小さな値に抑え、ｄの値を小
さくする。図3に液体金属イオン源のエミッション電流
とイオンビームエネルギー半値幅の関係を示す。この図
から明らかなようにエミッション電流を増加させるとエ
ネルギー半値幅も増加する。通常、断面加工をする場合
は前記のように３０ｐＡ〜１０ｎＡのビーム電流を使用
するため、液体金属イオン源からのエミッション電流も
2〜3μA程度で使用する。これよりも低いエミッション
電流で使用すればΔEを小さく保つことができる。しか
しあまりにもエミッション電流の低い領域では、イオン
のエミッションが不安定になる。検討の結果断面観察の
場合はエミッション電流を1μA程度とすることで安定な
エミッションでΔEを小さく保つことができることがわ
かった。
【００１５】このとき試料表面での集束ビーム電流Iは
次式（２）により与えられる。 Ｉ= π・α2・ dI／dΩ （２） ここでdI／dΩ は液体金属イオン源のイオン放射角電
流密度である。制限絞り径により、αの値を制御できる
ことは図4から明らかである。ビーム制限絞り径の制御
は、例えば複数の異なった開口径を持つ開口を金属箔上
に開けたものを用意し、前記金属箔の位置を調整するこ
とでイオンビームを通過させる開口を選択する。制限絞
り径を小さくするとビーム電流が小さくなりすぎて、二
次荷電粒子の発生量が減少し、その結果ノイズ成分が増
加し良好な像質が得られない。検討を重ねた結果、制限
絞り径を４０μmとすることでビーム電流１ｐＡ、像分
解能１０ｎｍ（＝０．０１μm）、制限絞り径３０μmと
することでビーム電流0.3pA、像分解能７ｎｍ（＝０．
００７μm)を得るに至った。
次式（２）により与えられる。 Ｉ= π・α2・ dI／dΩ （２） ここでdI／dΩ は液体金属イオン源のイオン放射角電
流密度である。制限絞り径により、αの値を制御できる
ことは図4から明らかである。ビーム制限絞り径の制御
は、例えば複数の異なった開口径を持つ開口を金属箔上
に開けたものを用意し、前記金属箔の位置を調整するこ
とでイオンビームを通過させる開口を選択する。制限絞
り径を小さくするとビーム電流が小さくなりすぎて、二
次荷電粒子の発生量が減少し、その結果ノイズ成分が増
加し良好な像質が得られない。検討を重ねた結果、制限
絞り径を４０μmとすることでビーム電流１ｐＡ、像分
解能１０ｎｍ（＝０．０１μm）、制限絞り径３０μmと
することでビーム電流0.3pA、像分解能７ｎｍ（＝０．
００７μm)を得るに至った。
【００１６】試料の表面を観察する場合は、イオンビー
ムを試料表面に対して垂直入射させる。この状態で１ｐ
Ａ以下のビーム電流を使用すると二次荷電粒子の発生量
が少なくノイズの多い画像しか得られない。しかし断面
観察においては、試料ステージを傾斜させ断面に対して
ある角度をもってイオンビームを入射させる。このた
め、垂直入射時よりも二次荷電粒子の発生量が増加し、
良好な画質の断面像が得られる。
ムを試料表面に対して垂直入射させる。この状態で１ｐ
Ａ以下のビーム電流を使用すると二次荷電粒子の発生量
が少なくノイズの多い画像しか得られない。しかし断面
観察においては、試料ステージを傾斜させ断面に対して
ある角度をもってイオンビームを入射させる。このた
め、垂直入射時よりも二次荷電粒子の発生量が増加し、
良好な画質の断面像が得られる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば 断面部を走査イオン顕
微鏡機能により観察する際、観察倍率を１００００倍以
上とした場合でも、集束イオンビーム照射による断面形
状のエッチングによる変形が低減される。また０．００
７μm〜０．０１μm程度の像分解能が得られ断面の微細
構造が鮮明に観察できるようになった。
微鏡機能により観察する際、観察倍率を１００００倍以
上とした場合でも、集束イオンビーム照射による断面形
状のエッチングによる変形が低減される。また０．００
７μm〜０．０１μm程度の像分解能が得られ断面の微細
構造が鮮明に観察できるようになった。
【図１】図１は、本発明を実施するための装置構成例を
説明する概略断面図である。
説明する概略断面図である。
【図２】図２は、ミクロ断面加工法のステップを説明す
る平面図および斜視図である。
る平面図および斜視図である。
【図３】図３は、エミッション電流とエネルギー半値幅
を説明するグラフ図である。
を説明するグラフ図である。
【図４】図４は、ビーム制限絞りによるビーム開き半角
の制御を説明する側面図である。
の制御を説明する側面図である。
１ 液体金属イオン源 ２ 集束レンズ ３ ブランキング電極 ４ 偏向電極 ５ 対物レンズ ６ 集束イオンビーム ７ 二次荷電粒子 ８ 二次荷電粒子検出器 ９ 試料 １０ 試料ステージ １１ Ａ／Ｄ変換器 １３ イオン光学系制御電源 １４ 表示装置 ３２ 配線 ３３ コンタクトホール ３４ 断面位置 ３５ コンタクトを含むＦＩＢ−ＣＶＤ法で膜付け領域 ３６ エッチング領域 ３７ 断面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年６月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
Claims (2)
- 【請求項１】 液体金属イオン源と前記イオン源から引
き出されたイオンビームを集束するための集束レンズ系
と前記イオンビームを試料上でオン／オフするためのブ
ランキング電極とからなる集束イオンビーム発生部と、 前記集束イオンビームを制限するための制限絞りと、 前記集束イオンビームを偏向走査するための偏向電極
と、 前記集束イオンビームが照射される試料を載置し移動可
能な試料ステージと、 前記集束イオンビームを照射することにより発生する二
次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と前記二次荷
電粒子検出器の信号に基づいて前記試料表面の画像を表
示するためのディスプレイとからなる集束イオンビーム
装置を用いて試料の所望の箇所に前記集束イオンビーム
を照射し、スパッタエッチングすることにより断面を加
工する第一の工程と、 少なくとも液体金属イオン源からのエミッション電流を
制御して、前記集束イオンビームの電流とビーム径を変
更した後、前記断面に前記集束イオンビームを走査しな
がら照射し、前記断面から発生した二次荷電粒子を前記
二次荷電粒子検出器で検出し、前記二次荷電粒子検出器
の信号に基づいて前記試料表面の画像をディスプレイに
表示し、前記断面の観察を行う第二の工程からなること
を特徴とする集束イオンビームによる断面加工観察方
法。 - 【請求項２】 記載の前記第二の工程は少なくとも液体
金属イオン源からのエミッション電流を制御して、前記
集束イオンビームの電流を１ｐＡ以下とする請求項１記
載の集束イオンビームによる断面加工観察方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108310A JPH11307417A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 集束イオンビームによる断面加工観察方法 |
| TW088106147A TW386178B (en) | 1998-04-17 | 1999-04-16 | Cross section formation observing method by a focused ion beam |
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