JPH11307488A

JPH11307488A - 半導体装置、その製造方法、加工ガイドおよびその加工装置

Info

Publication number: JPH11307488A
Application number: JP11522598A
Authority: JP
Inventors: Masatake Nagaya; 正武長屋; Masaki Matsui; 正樹松井; Hisazumi Oshima; 大島　　久純; Toshifumi Izumi; 敏文泉; Fumiyoshi Kano; 史義加納
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1998-04-24
Filing date: 1998-04-24
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板を次工程へ運搬する際に、基板の
欠けや割れをなくす。【解決手段】保護用のテープ２をウエハ１の主面１ｂ
に貼り付け、テープ２の周囲を加工ガイドリング３に貼
り付け、加工ガイドリング３の外周に沿ってテープ２を
カットする。そして、この状態で研削工程および研磨工
程で各々加工すると共に、この状態のままダイシング工
程へと搬送する。これにより、ウエハ１の外周には加工
ガイドリング３が設けられ、その状態で次の工程に搬送
されるので、ウエハ１には搬送時の外力が直接加わり難
くなり、搬送中にウエハ１が割れたり欠けたりすること
がなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置、その製
造方法、加工ガイドおよびその加工装置に関し、特に極
めて薄型の半導体装置に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣカードに用いられる半導体チップは
１０〜２００μｍと薄いため、半導体基板の加工プロセ
スで、基板の強度あるいは剛性の問題が生じる。このた
め、従来は、特開平９−２１３５９５号などに示すよう
に、ウエハプロセスの完了した５５０〜７２５μｍ程度
の半導体基板の素子形成面（主面）側に保護用のテープ
を貼り、その裏面側から研削装置により研削することで
厚みを薄くした後、枠体（ガイド）に固定されたダイシ
ングテープ上に、半導体基板の裏面を対面して貼り付
け、その後主面の保護用テープを剥がして、主面側から
ダイシング加工によりチップ単位に半導体基板をカット
するものが知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術で
は、機械的研削を完了した後の半導体基板は極めて薄い
ために強度あるいは剛性が弱くなっているので、研削装
置から半導体基板を取り出し、次の工程、例えば研磨工
程、エッチング工程、ダイシング工程などへ搬送する時
に直接的に力が加わってしまうと、基板の欠けや割れが
発生しやすいという問題が生じる。

【０００４】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、半導体基板を次工程へ運搬する際に、基板の欠
けや割れをなくすことが可能な半導体装置、その製造方
法、加工ガイドおよびその加工装置を提供することを目
的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そのため請求項１記載の
発明においては、半導体基板の主面側を、粘着剤の塗布
された保護用のテープを介して半導体基板より大きな開
口を有する加工ガイドに支持し、この支持した状態で、
半導体基板の裏面側から半導体基板の厚さを薄くした後
でチップ状に分離した構造を備えている。これにより、
半導体基板の厚さを薄くする前の時点で既に加工ガイド
によって半導体基板が支持されるので、極めて厚さの薄
い半導体基板を備えることができ、薄いＩＣカードに用
いるのに好適であるという優れた効果がある。

【０００６】また、請求項２記載の発明においては、半
導体基板の主面側に保護用のテープを貼るとともに、テ
ープの周囲を加工ガイドに貼ることにより、半導体基板
を加工ガイドに支持する基板支持工程と、加工ガイドに
前記テープを介して支持された半導体基板を、半導体基
板の裏面側から半導体基板の厚さを薄くする薄肉加工工
程と、を有している。これにより、薄肉加工される前に
半導体基板をテープにより加工ガイドに支持し、加工後
も、この支持状態のままで次の工程に搬送することがで
きるので、直接的に半導体基板へ力が作用しないように
半導体基板を搬送することができ、この半導体基板の欠
けや割れを防止することができるという優れた効果があ
る。

【０００７】なお、上記において、支持状態のまま搬送
される次の工程とは、チップ状に分離するチップ分離工
程であってもよい（請求項３）。また、上記薄肉加工工
程は、砥石により前記半導体基板の裏面を研削する研削
工程（請求項４）や、研磨布により前記半導体基板の裏
面を研磨する研磨工程（請求項５）、あるいは双方の工
程を順次行ってもよい（請求項６）。

【０００８】また上記加工ガイドは、研削工程時に砥石
に対して離間して固定されたり（請求項７）、研磨工程
時に研磨布に対して離間して固定されたりしてもよい
（請求項８）。さらに、この加工ガイドは、半導体基板
を汚染しない材料で形成したり（請求項９）、ステンレ
ス材で形成したりしてもよく（請求項１０）、その厚さ
は半導体基板よりも厚くしたり（請求項１１）、半導体
ウエハを複数収納して運搬するキャリングケースに収納
できる厚さとしてもよく（請求項１５）、さらに、その
外径は半導体基板の外径より一回り大きくしてもよい
（請求項１３）。また、上記加工ガイドに、周方向の位
置を決める位置決め部を形成してもよい（請求項１
２）。

【０００９】なお、上記発明において、半導体基板の外
径が６インチ（１５０ｍｍ）の際には加工ガイドの外径
は８インチ（２００ｍｍ）であり、半導体基板の外径が
８インチ（２００ｍｍ）の際には加工ガイドの外径は１
２インチ（３００ｍｍ）であってもよい（請求項１
４）。上記発明において、テープの厚さは半導体基板の
厚さよりも厚くしてもよく（請求項１６）、テープをポ
リオレフィン材で形成してもよい（請求項１７）。さら
に、テープの少なくとも一方の側の全面に粘着剤を塗布
してもよく（請求項１８）、ダイシングする際に使用さ
れるダイシングテープで形成してもよい（請求項１
９）。

【００１０】また、上記発明において、半導体基板をシ
リコン基板で形成し、半導体基板の主面側に予め電気的
に機能する半導体素子を形成してもよい（請求項２
０）。さらに上記薄肉加工工程の後に、薄肉加工工程に
て薄肉化された半導体基板を、半導体基板の外周部分の
テープを切断することで、半導体基板の主面側にテープ
が貼られた状態で半導体基板から加工ガイドを除去する
除去工程と、その後に半導体基板の主面側とは反対の裏
面側に第２のテープを貼り、この第２のテープを介して
第２の加工ガイドに半導体基板を支持する反対面支持工
程と、その後に半導体基板の主面側のテープを剥がすこ
とで、半導体基板の主面を露出させる主面露出工程と、
第２の加工ガイドに第２のテープを介して支持された半
導体基板の主面側からダイシング加工するダイシング工
程と、を有してもよい（請求項２１）。

【００１１】また上記基板支持工程の前に、半導体基板
の主面側から予め溝を形成する溝形成工程を有し、薄肉
加工工程により半導体基板の裏面側から溝が露出するま
で半導体基板を薄くすることにより、半導体基板をチッ
プ状に分離するようにしてもよい（請求項２２）。この
際、溝の深さはチップの厚さより大きくしてもよい（請
求項２３）。

【００１２】次に、請求項２４記載の発明においては、
半導体基板の外周をテープを介して支持する加工ガイド
であって、この加工ガイドは、半導体基板の外径より大
きい開口部と、テープの粘着剤が粘着するための所定面
積を有する平面部と、を備えている。これにより、加工
ガイドは半導体基板の外周に位置する状態で半導体基板
を支持するので、直接的に半導体基板へ力が作用しない
ように保護することができ、この半導体基板の欠けや割
れを防止することができるという優れた効果がある。

【００１３】なお、この発明における加工ガイドは、環
状であってもよく（請求項２５）、磁石に吸着する材料
により形成されてもよい（請求項２６）。また、請求項
２７（または請求項３０）に記載の発明においては、半
導体基板をテーブルに固定して、半導体基板に対して相
対的に移動する砥石（または研磨布）が半導体基板の主
面とは反対の裏面に接触して研削（または研磨）する研
削加工装置（または研磨加工装置）において、テーブル
の外周において、テープを介して半導体基板を支持する
加工ガイドを固定し、かつ加工ガイドが砥石（または研
磨布）と接触しないように離間させる固定手段を設けて
いる。

【００１４】これにより、研削（または研磨）に際して
半導体基板以外の余分な部材まで研削（または研磨）し
てしまうことを防止することができるので、研削対象
（または研磨対象）を半導体基板のみにして高精度な制
御にて研削加工（または研磨加工）することができると
いう優れた効果がある。なお、上記発明における固定手
段は、テーブルの外周に設置され、加工ガイドを吸着す
る複数の磁石であってもよく（請求項２８または請求項
３１）、加工ガイドの外周から加工ガイドを固定するス
テーであってもよい（請求項２９または請求項３２）。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい一実施形
態を図面に基づいて説明する。この実施例では、ＩＣカ
ードに内蔵されるＩＣチップを搭載したウェハの薄肉加
工方法に本発明を適用した場合について説明する。（第１実施例）図１は、本発明の第１実施例における半
導体装置の製造工程を示す工程図である。以下、この第
１実施例を図１に示す工程順に従って説明する。なお、
各実施例において、半導体基板をウエハ、素子が形成さ
れる面（鏡面側）を主面、主面と反対側の面（研削、研
磨加工される面）を裏面と称する。

【００１６】図１（ａ）において、ウエハ（半導体基
板）１は、ウエハプロセスが完了し、素子が形成された
厚さ５００〜８００μm 、外径６インチ（１５０ｍｍ）
の単結晶シリコンより成っている。まず、ウエハ１の裏
面１ａの研削機械加工の準備として、ウエハ１の主面１
ｂを加工時の損傷や汚染から保護し、研削加工後の強度
や剛性を向上させるため、樹脂などからなる保護用のテ
ープ２をウエハ１の主面１ｂに貼り付け、テープ２の周
囲を加工ガイドリング３に貼り付け、加工ガイドリング
３の外周に沿ってテープ２をカットする。

【００１７】具体的には、図１（ｂ）に示すように、ウ
エハマウンタ装置１５を用い、真空吸着タイプのテーブ
ル１６に、ウエハ１の主面１ｂが上になるようにセット
し、その外周に加工ガイドリング３をセットする。テー
ブル１６は、スプリングで支持されて上下方向に移動可
能となっている。そして加工ガイドリング３の平面部３
ｄに対してウエハ１の上面が多少高くなる位置にセット
し、その上からテープ２をウエハ１と加工ガイドリング
３とに同時に貼り付ける。このときスプリングの作用に
より、テープ２がウエハ１の全面に密着する。なお、図
１（ｂ）に示す工程は、請求項２における基板支持工程
に相当する。

【００１８】テープ２は、機械加工後に薄肉化したウエ
ハ１の強度あるいは剛性を保持するため、加工後のウエ
ハ１の厚さよりも厚い基材が用いられる。その基材は樹
脂などで、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレー
トなどが良い。また、それ以外の基材としては、ビニー
ル系であればポリ塩化ビニール、ポリエチレン系であれ
ばエチレン・酢酸ビニル共重合体を用いても良い。

【００１９】なお、テープ２はダイシング時にウエハを
加工ガイド枠に固定するためのダイシングテープを用い
ても良い。テープ２には粘着剤２ｂが全面に塗布されて
おり、この粘着剤２ｂは紫外線照射あるいは加熱により
粘着力が低下するものを用いる。加工ガイドリング３
は、ウエハ１の汚染を防止し、かつ磁石で固定可能とす
るためにステンレス材から成っている。その厚さは、強
度あるいは剛性を向上するためウエハ１より厚く、ウエ
ハを複数枚収納して運搬するキャリングケースに収納で
きる厚さにしている。また、加工ガイドリング３の外径
は、購入可能なウエハ１外径（６インチ、８インチ、１
２インチ）に合わせた自動搬送ラインも通過可能なよう
に、購入可能なウエハの一回り大きなサイズと同一とな
るように８インチ（２００ｍｍ）である。

【００２０】また、図１３および図１４に示すように加
工ガイドリング３は環状で、ウエハ１の周囲で支持する
ためウエハ１の外径より大きな開口部３ｃと、テープ２
の粘着剤２ｂが粘着して所定の接着力を発揮するための
所定面積を有する平面部３ｄとから構成される。また、
ウエハ１のオリフラ（位置決め用の切り欠け）１ｄと同
様に、加工ガイドリング３の外周にオリフラ３ｅが形成
されている。このオリフラ３ｅは、ウエハ１をダイシン
グする時などに利用され、ウエハ１をガイドリング３に
貼り付けるときに、両方のオリフラを合わせる。また、
図１４に示すように、ウエハ１が位置決め用のノッチ１
ｅの時は、加工ガイドリング３にもノッチ３ｆが形成さ
れている。

【００２１】ウエハ１を加工ガイドリング３に貼り付け
た状態で、図示しないキャリングケースに収納して、次
の工程である研削工程に運搬する。次に、図１（ｃ）に
示すように、真空吸着タイプの研削テーブル４上にテー
プ２側を下にしてウエハ１を吸着する。その後、テープ
２の弾性を利用して加工ガイドリング３を上から押さえ
つける事により、加工ガイドリング３がウエハ１の裏面
１ａより下方に位置し、研削時に砥石５が当たらないよ
うに離間させた状態で加工ガイドリング３を研削テーブ
ル４の外周にステー１３により固定する。

【００２２】なお、加工ガイドリング３を研削テーブル
４の外周に固定するために、研削テーブル４外周に複数
の磁石を設置してもよい。これにより、磁石による加工
ガイドリング３の固定は、ステー１３で固定するときと
比較して、固定と取り外しが容易になる。このようにウ
エハ１を吸着し、加工ガイドリング３を固定した状態
で、ウエハ１を１００μm まで研削して薄くする。

【００２３】次に、図１（ｄ）に示すように、上方にあ
る真空吸着タイプの研磨テーブル６にテープ２側を上に
してウエハ１を吸着する。その後、テープ２の弾性を利
用し、加工ガイドリング３を上方に押さえつける事によ
り、加工ガイドリング３がウエハ１の裏面１ａより上方
に位置され、研磨時に研磨布９が当たらないように離間
させた状態で加工ガイドリング３を研磨テーブル６の外
周にステー１４により固定する。

【００２４】なお、加工ガイドリング３を研磨テーブル
４の外周に研磨するために、研磨テーブル６外周に複数
の磁石を設置してもよい。こうすることにより、磁石に
よる加工ガイドリング３の固定は、ステー１４で固定す
るときと比較して、固定と取り外しが容易になる。ま
た、磁石、ステーに代えてネジ等で固定しても良い。そ
の後、通常行われている研磨（ケミカル・メカニカル・
ポリッシング）で、前記研削機械加工による主面の凹凸
（条痕）や破砕層を除去する。たとえば、研削面から３
μm を研磨で除去する。なお、図１（ｃ）〜図１（ｄ）
に示す工程は請求項２における薄肉加工工程に相当す
る。

【００２５】次に、図１（ｅ）および図１（ｅ）以降の
続きの工程を示す図２（ａ）〜図２（ｅ）に示すよう
に、加工ガイドリング３からダイシング用のガイド枠３
１にウエハ１を移す。具体的には、ウエハマウンタ装置
の真空吸着タイプのテーブル１７に、研削および研磨さ
れたウエハ１に貼り付けたテープ２を下面にして吸着さ
せ（図１（ｅ））、この状態でテープ２をウエハ１の外
周に沿ってカットし、加工ガイドリング３を取る（図２
（ａ））。なお、図２（ａ）に示す工程は、請求項２１
における除去工程に相当する。

【００２６】そして、この吸着状態のままダイシング用
のガイド枠３１をウエハ１の周囲にセットして、ウエハ
１の裏面とガイド枠３１に粘着剤２１ｂを塗布したダイ
シングテープ２１を同時に貼り付け、ガイド枠３１に沿
ってガイド枠３１の上でダイシングテープ２１をカット
する（図２（ｂ））。次に、反転させて（図２
（ｃ））、ウエハ１の主面１ｂ側の保護用テープ２を剥
離する（図２（ｄ））。この際、ウエハ１の裏面側を吸
着した状態でヒーターにより温度をかける、もしくは紫
外線照射によりテープ２の粘着剤の粘着力を弱めて剥離
する。なお、図２（ｂ）に示す工程は請求項２１におけ
る反対面支持工程に相当し、図２（ｄ）に示す工程は請
求項２１における主面露出工程に相当する。

【００２７】なお、ダイシング用のガイド枠３１は、上
記した加工ガイドリング３と同一部材にすると、ガイド
を複数準備する必要がなく実用上のメリットがある。ま
た、テープ２とダイシングテープ２１も同一部材にする
と、テープを複数準備する必要がなく、実用上のメリッ
トがある。次に、図２（ｅ）に示すように、ダイシング
ブレード７によりウエハ１を所定の大きさのチップ単位
状にカットする。なお、磁石４６はガイド枠３１を固定
させるためのものである。なお、図２（ｅ）に示す工程
は請求項３におけるチップ分離工程および請求項２１に
おけるダイシング工程に相当する。

【００２８】上述したように、機械加工によりウエハ１
を薄肉化する際に、ウエハ１をテープ２と加工ガイドリ
ング３により支持した状態で薄く加工するため、ウエハ
１の厚みを１０〜１００μｍ、更には５０μｍ程度ま
で、割れや欠けを生じさせることなく加工できる。ま
た、加工後に、ウエハ１を次の工程などに運搬する時
も、ウエハ１が薄くなったにも係わらず加工ガイドリン
グ３を利用して運搬すると、ウエハ１には運搬時の応力
が加わりにくいため運搬中にウエハ１が割れたり欠けた
りすることがなくなる。また、ウエハ１が部分的に割れ
ても、それ以外の部分は良品として加工または組み付け
が可能であるため、歩留りが向上する。

【００２９】（第２実施例）図３は、本発明の第２実施
例における半導体装置の製造工程を示す工程図である。
以下、この第２実施例を図３に示す工程順に従って上記
第１実施例と異なる部分のみ説明する。まず図３（ａ）
に示すように素子が形成されたウエハ１の裏面側を研削
加工する前に、ダイシング加工をウエハ１の裏面側から
行うときのカットの基準（ダイシング基準面）とするた
めに、主面（素子形成面）のスクライブラインから一定
の距離で、かつスクライブラインと平行となるように
ｘ、ｙ軸に沿って、ウエハ１の端部１０をカットする。

【００３０】次に、図３（ｂ）に示すように、第１実施
例と同様に、テープ２によりウエハ１を加工ガイドリン
グ３に支持し（ｂ）、その後は、第１実施例と同様に研
削工程および研磨工程を行う。そして、図３（ｃ）に示
すように、ダイシング用のガイド枠３１を磁石４６で固
定させた上で、予め入れておいたウエハ１の端部１０の
ダイシング基準面に合わせてウエハ１を所定のチップサ
イズにダイシングする。この際、ダイシングブレード７
の歯幅を考慮してカットすることが望ましい。

【００３１】（第３実施例）図４は、本発明の第３実施
例における半導体装置の製造工程を示す工程図である。
以下、この第３実施例を図４に示す工程順に従って上記
第１実施例と異なる部分のみ説明する。まず図３（ａ）
および図３（ｂ）に示すように、ウエハ１をテープ２に
より加工ガイドリング３に貼り付けた後、ウエハ１の裏
面側を研削加工する前に、ダイシング加工時のカットの
基準となるマークを、ウエハ１と加工ガイドリング３の
間のテープ２にダイシング基準線（ｘ、ｙ）を印す。こ
の際、ダイシングのブレード幅等基準となる位置は決め
ておくのが望ましい。

【００３２】その上で、第１実施例と同様に、研削工程
および研磨工程を行う。そしてダイシング工程におい
て、予め印しておいたテープ２のダイシング基準線
（ｘ、ｙ）に沿ってウエハ１を所定のチップサイズに合
わせダイシングする。この際、テープに印した基準線に
従ってカットすることにより、正確な位置合わせが可能
となる。

【００３３】（第４実施例）図５は、本発明の第４実施
例における半導体装置の製造工程を示す工程図である。
以下、この第４実施例を図５に示す工程順に従って上記
第１実施例と異なる部分のみ説明する。まず、第１実施
例と同様に、テープ貼り付け工程、研削工程、及び研磨
工程を行う。

【００３４】次に、図５に示すように、ウエハ１の主面
（素子形成面）側のアライメントマークを、裏面側から
赤外光等を透過させて検出器１１により読み取り、スク
ライブラインに沿ってダイシング加工を行い、所定のチ
ップサイズにカットする。この際、アライメントマーク
にはダイシングの顕微鏡レンズによるｘｙ方向の基板に
対する平行出しができるようにすることが望ましい。

【００３５】（第５実施例）図６は、本発明の第５実施
例における半導体装置の製造工程を示す工程図である。
以下、この第５実施例を図６に示す工程順に従って上記
第１実施例と異なる部分のみ説明する。まず、図６
（ａ）に示すように、ウエハ１の裏面側を研削加工する
前に、予めウエハ１の主面（素子形成面）側のスクライ
ブラインに沿って、所定深さの溝１８を形成する。溝１
８の深さは、最終のチップの厚さより浅い場合と深い場
合とがある。

【００３６】次に、図６（ｂ）〜図６（ｃ）に示すよう
に、ウエハ１の主面（素子形成面）側をテープ２に貼り
付けた状態でウエハ１の裏面側の研削加工および研磨加
工を行う。これにより、図６（ｃ）に示すように、研磨
加工後にチップ単位に分割されたウエハ１を得ることが
できる。この際、ウエハ１に予め形成した溝１８の深さ
が浅い場合には、テープを剥がしてからウエハ１を壁開
してチップ単位に分割し、溝１８の深さが深い場合に
は、研磨により溝１８を露出させて、研磨加工において
チップ状に分割された状態にする。

【００３７】（第６実施例）図７は、本発明の第６実施
例における半導体装置の製造工程を示す工程図である。
以下、この第６実施例を図７に示す工程順に従って上記
第１実施例と異なる部分のみ説明する。まず、図７
（ａ）に示すように、主面（素子形成面）のスクライブ
ラインに溝１９を形成した後、溝１９内を有機溶剤に溶
ける材料２０で埋設する。この材料２０は、たとえばワ
ックス、レジスト等とする。

【００３８】その上で、図７（ｂ）〜図７（ｃ）に示す
ように、ウエハ１の主面（素子形成面）側をテープ２に
貼り付けた状態でウエハ１の裏面側の研削加工および研
磨加工を行う。これにより、図７（ｃ）に示すように、
研磨加工後にチップ単位に分割された基板を得ることが
できる。この場合、テープ２を剥がしてから壁開してチ
ップ単位に分割してもよい。また、研磨工程で溝１９を
埋設した材料２０がウエハ１の裏面に露出するまで研磨
を行った後、有機溶剤で該材料２０を溶かして、チップ
状に分割してもよい。

【００３９】次にさらに他の実施例について説明する。
上記第３実施例ではウエハ１と加工ガイドリング３との
間のテープ２にダイシング基準（ｘ、ｙ）を印したが、
図８に示すように、加工ガイドリング３自体にダイシン
グ基準（ｘ、ｙ）を予め設けられるようにしてもよい。
このような加工ガイドリング３を用いることにより、ダ
イシング時にウエハ１の位置決めが容易になる。さらに
図１２に示すように、ウェハ１の裏面側にダイシング基
準（ｘ、ｙ）を印すようにしてもよい。

【００４０】また上記各実施例では、テープ２として片
面に粘着剤が塗布されたテープを使用した場合について
説明したが、図９に示すように、テープ２として両面に
粘着剤が塗布された、いらゆる両面粘着タイプのテープ
を用いてもよい。図９では、ウエハ１の裏面が両面テー
プ２２の表面に、両面テープ２２の裏面が加工ガイドリ
ング３に各々貼り付けられて、加工ガイドリング３にウ
エハ１が支持される。この状態で、研磨などのテーブル
４１にウエハ１を、加工ガイドリング３をテーブル４１
の外周に固定する。したがって、加工ガイドリング３
は、両面テープ２２の裏側に位置するため、研削砥石に
直接接触することなく離間して設置される。

【００４１】さらに、上記各実施例では、加工ガイドリ
ング３がウエハ１よりも厚いものを使用した場合につい
て説明したが、図１０に示すように、加工ガイドリング
３１をウエハ１より薄くしてもよい。すなわち、図１０
に示すように、加工ガイドリング３１がウエハ１よりも
薄いため、ウエハ１を研削する場合に、加工ガイドリン
グ３１が砥石に接触しない。なお、加工ガイドリング３
１は、ウエハ１の研磨後の厚さより薄く設定されてお
り、その強度を保つためにステンレスあるいはセラミッ
クから成っている。

【００４２】さらに、図１１に示すように、テープとし
て両面テープ２３を、加工ガイドとしてウエハ１より薄
い加工ガイドリング３１を使用し、さらに加工ガイドリ
ング３１の補強用リング３３を両面テープ２３を介して
反対面に設けてもよい。これにより、固定が容易で、か
つ強度あるいは剛性が向上した加工ガイドリングを提供
できる。

【００４３】また、図１において、テーブル４の直径
と、テープ２および加工ガイドリング３の外周の直径と
を合わせると、加工ガイドリング３の固定がしやすくな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す工程図である。

【図２】上記第１実施例の続きを示す工程図である。

【図３】本発明の第２実施例を示す工程図である。

【図４】本発明の第３実施例を示す工程図である。

【図５】本発明の第４実施例を示す工程図である。

【図６】本発明の第５実施例を示す工程図である。

【図７】本発明の第６実施例を示す工程図である。

【図８】本発明のダイシング基準に関する他の実施例を
示す工程図である。

【図９】本発明のテープに関する他の実施例を示す工程
図である。

【図１０】本発明の加工ガイドリングに関する他の実施
例を示す工程図である。

【図１１】本発明の加工ガイドリングに関するさらに他
の実施例を示す工程図である。

【図１２】本発明のダイシング基準に関するさらに他の
実施例を示す工程図である。

【図１３】本発明における加工ガイドリングの形状を示
す構造図である。

【図１４】本発明における加工ガイドリングの他の形状
を示す構造図である。

【符号の説明】

１ウエハ２テープ３加工ガイドリング４研削テーブル５研削砥石７ダイシングブレード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/78 Ｎ (72)発明者泉敏文愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内 (72)発明者加納史義愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の主面側を、粘着剤の塗布さ
れた保護用のテープを介して前記半導体基板より大きな
開口を有する加工ガイドに支持し、この支持した状態
で、前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板の厚さ
を薄くした後でチップ状に分離した、ＩＣカードに用い
られる半導体装置。
【請求項２】半導体基板の主面側に保護用のテープを
貼るとともに、前記テープの周囲を加工ガイドに貼るこ
とにより、前記半導体基板を前記加工ガイドに支持する
基板支持工程と、前記加工ガイドに前記テープを介して支持された前記半
導体基板を、前記半導体基板の裏面側から前記半導体基
板の厚さを薄くする薄肉加工工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項２において、前記薄肉加工工程の後に、前記加工ガイドに前記テープ
を介して支持された半導体基板を、チップ状に分離する
チップ分離工程を有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項４】請求項２において、前記薄肉加工工程
は、砥石により前記半導体基板の裏面を研削する研削工程で
あることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】請求項２において、前記薄肉加工工程
は、研磨布により前記半導体基板の裏面を研磨する研磨工程
であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】請求項２において、前記薄肉加工工程
は、砥石により前記半導体基板の裏面を研削する研削工程
と、該研削工程を経た後で、研磨布により前記半導体基板の
裏面を研磨する研磨工程と、であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項４において、前記加工ガイドは、前記研削工程時に前記砥石に対して離間して固定される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】請求項５において、前記加工ガイドは、前記研磨工程時に前記研磨布に対して離間して固定され
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項２において、前記加工ガイドは前
記半導体基板を汚染しない材料から成ることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項１０】請求項２において、前記加工ガイドは
ステンレス材からなることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項１１】請求項２において、前記加工ガイドの
厚さは前記半導体基板よりも厚いことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項１２】請求項２において、前記加工ガイドに
は、周方向の位置を決める位置決め部が形成されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】請求項２において、前記加工ガイドの
外径は前記半導体基板の外径より一回り大きいことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】請求項１３において、前記半導体基板
の外径が６インチ（１５０ｍｍ）の際には前記加工ガイ
ドの外径は８インチ（２００ｍｍ）であり、前記半導体
基板の外径が８インチ（２００ｍｍ）の際には前記加工
ガイドの外径は１２インチ（３００ｍｍ）であることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】請求項２において、前記加工ガイドの
厚さは半導体ウエハを複数収納して運搬するキャリング
ケースに収納できる厚さであることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項１６】請求項２において、前記テープの厚さ
は前記加工ガイドに支持される前記半導体基板の厚さよ
りも厚いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】請求項２において、前記テープはポリ
オレフィン材から成ることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項１８】請求項２において、前記テープには、
少なくとも一方の側の全面に粘着剤が塗布されているこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】請求項２において、前記テープは、ダ
イシングする際に使用されるダイシングテープであるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】請求項２において、前記半導体基板は
シリコン基板であって、前記半導体基板の主面側には予
め電気的に機能する半導体素子が形成されていることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】前記請求項２において、前記薄肉加工
工程の後に、前記薄肉加工工程にて薄肉化された前記半導体基板を、
前記半導体基板の外周部分のテープを切断することで、
前記半導体基板の主面側に前記テープが貼られた状態で
前記半導体基板から前記加工ガイドを除去する除去工程
と、その後に、該半導体基板の主面側とは反対の裏面側に、
第２のテープを貼り、この第２のテープを介して第２の
加工ガイドに前記半導体基板を支持する反対面支持工程
と、その後に、前記半導体基板の主面側の前記テープを剥が
すことで、前記半導体基板の主面を露出させる主面露出
工程と、前記第２の加工ガイドに前記第２のテープを介して支持
された前記半導体基板の主面側からダイシング加工する
ダイシング工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】請求項２において、前記基板支持工程の前に、前記半導体基板の主面側から
予め溝を形成する溝形成工程を有し、前記薄肉加工工程
により前記半導体基板の裏面側から前記溝が露出するま
で前記半導体基板を薄くすることにより、前記半導体基
板をチップ状に分離することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項２３】請求項２２において、前記溝の深さは
前記チップの厚さより大きいことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項２４】半導体基板の外周をテープを介して支
持する加工ガイドであって、前記加工ガイドは、前記半導体基板の外径より大きい開口部と、前記テープの粘着剤が粘着するための所定面積を有する
平面部と、を備えることを特徴とする加工ガイド。
【請求項２５】請求項２４において、前記加工ガイド
は環状であることを特徴とする加工ガイド。
【請求項２６】請求項２４において、前記加工ガイド
は磁石に吸着する材料からなることを特徴とする加工ガ
イド。
【請求項２７】半導体基板をテーブルに固定して、前
記半導体基板に対して相対的に移動する砥石が前記半導
体基板の主面とは反対の裏面に接触して研削する研削加
工装置において、前記テーブルの外周において、テープを介して前記半導
体基板を支持する加工ガイドを固定し、かつ前記加工ガ
イドが砥石と接触しないように離間させる固定手段を設
けたことを特徴とする研削加工装置。
【請求項２８】請求項２７において、前記固定手段は
前記テーブルの外周に設置され、前記加工ガイドを吸着
する磁石であることを特徴とする研削加工装置。
【請求項２９】請求項２７において、前記固定手段
は、前記加工ガイドの外周から前記加工ガイドを固定す
るステーであることを特徴とする研削加工装置。
【請求項３０】半導体基板をテーブルに固定して、前
記半導体基板に対して相対的に移動する研磨布が前記半
導体基板の主面とは反対の裏面に接触して研磨する研磨
加工装置において、前記テーブルの外周において、テープを介して前記半導
体基板を支持する加工ガイドを固定し、かつ前記加工ガ
イドが研磨布と接触しないように離間させる固定手段を
設けたことを特徴とする研磨加工装置。
【請求項３１】請求項３０において、前記固定手段は
前記テーブルの外周に設置され、前記加工ガイドを吸着
する磁石であることを特徴とする研磨加工装置。
【請求項３２】請求項３０において、前記固定手段
は、前記加工ガイドの外周から前記加工ガイドを固定す
るステーであることを特徴とする研磨加工装置。