JPH11307558A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の小型化を図ると共に製造工程に
おけるハンドリングの向上を図り、しかも安価に製造可
能な半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体素子１８が搭載されたフレーム基
板１に個々に切込みを入れて切断ライン２を形成する切
断ライン形成工程と、リリースフィルム２１が張設され
たモールド金型に前記フレーム基板１を搬入して、前記
切断ライン２の内側に沿って前記フレーム基板１をクラ
ンプして前記半導体素子１８を樹脂モールドする樹脂モ
ールド工程と、樹脂モールド後、前記モールド金型より
取り出された前記フレーム基板１より、前記切断ライン
２に沿って半導体装置１３を分離する半導体装置分離工
程とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体素子
が搭載されたフレームに個々に切込みを入れて予め切断
ラインを形成する切断ライン形成工程を有する半導体装
置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の小型化、高密度実装
化が促進するなかでＢＧＡ（Ｂａｌｌ・Ｇｒｉｄ・Ａｒ
ｒａｙ）タイプの半導体装置が用いられるようになって
いる。このＢＧＡ用の配線基板は、ガラスエポキシ樹脂
基板、銅張積層基板、ポリイミドフィルムなどのＴＡＢ
テープ等を用いたテープ基板など種々の基板に配線パタ
ーンが形成されたフレーム基板が用いられる。このフレ
ーム基板に、半導体素子を搭載してワイヤボンディング
やフリップチップ接続されたものを、例えばトランスフ
ァモールド装置により樹脂モールドが行われる。このト
ランスファモールド装置は、ポッティング装置に比べて
安価に製造でき、しかもパッケージ部分の厚さや大きさ
を均一にできるなどの点で有利である。そして、上記樹
脂モールドされた上記フレーム基板より半導体装置を個
片に切断し、必要に応じてはんだボールを配線基板のパ
ッケージ面とは反対面側に接合して半導体装置が製造さ
れていた。

【０００３】ところで、上記樹脂モールド後のフレーム
基板より半導体装置を切断するためには、上記フレーム
基板を切断用の金型でクランプするため、パッケージの
周囲に樹脂モールドされていない配線基板部分が延出し
て残存してしまい、この部分が半導体装置の小型化を促
進する上で障害となっていた。また、上記パッケージの
周囲を狙って切断しようとすると、パッケージが配線基
板より剥離したり欠けたりするおそれもあった。

【０００４】これを解決するため、特開平９−２５２０
６５号公報に示すように、プッシュバック方式を用いた
半導体装置及びその製造方法が提案されている。これ
は、予め短冊状のフレーム基板から配線基板を一旦個々
に切断してから再びフレーム基板に戻されて、上記配線
基板上に半導体素子を搭載して接続し、側面に所定のテ
ーパー角度を有する樹脂封止体をトランスファモールド
装置により形成する。そして、上記樹脂成形体をゲート
ブレイクした後、上記個々に切断されている配線基板に
よって半導体装置を各々取り出すようになっている。上
記半導体装置の製造方法は、プッシュバック方式を採用
することによって、パッケージの小型化を図り、その後
の組立工程の自動化を図っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平９−２５２０６５号公報に示す半導体装置の製造方
法においては、図６（ａ）（ｂ）に示す短冊状のフレー
ム基板５１に搭載された半導体素子を樹脂封止した後、
樹脂成形体５２のゲートブレイクを行う場合には、一般
に図７に示すように上記フレーム基板５１を治具５６に
より保持して不要樹脂に対して傾斜させるよう折り曲げ
て行われる。このとき、各半導体装置５３の配線基板５
４は上記フレーム基板５１より切断ライン５５に沿って
切断されているため、該フレーム基板５１を傾けると、
上記半導体装置５３が脱落してしまうおそれがあった。

【０００６】また、上記フレーム基板５１としてガラス
エポキシ樹脂基板やＢＴ基板などを用いた場合には、上
記切断ライン５５により上記配線基板５４を切断した
後、フレーム基板５１へ戻す場合に、切断面は荒れた裂
断面となっていることから切断面どうしが擦れるため、
ガラス繊維や樹脂片などの塵が上記配線基板５４と上記
フレーム基板５１との間に挟み込まれて応力が作用して
上記フレーム基板５１が歪んだり、上記配線基板５４が
傾いたりして復元性に劣り、また上記塵が周囲に散乱す
るおそれもあった。

【０００７】また、上記ゲートブレイクにより半導体装
置５３が個々に分離された後、上記配線基板５４のパッ
ケージと反対面側にはんだボールを接合する際に、把持
できる基板部分が少ないため、個々に分離された半導体
装置５３をハンドリングするのが難しく、半導体製造工
程のインライン化を図り難い。また、上記フレーム基板
５１の樹脂路（ランナー部分）に相当する部分には、樹
脂モールド工程において成形樹脂とフレーム基板５１と
の剥離性を向上させるため金めっきが施されることが多
いが、製造コストが高くなるという課題がある。

【０００８】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、半導体装置の小型化を図ると共に製造工程におけ
るハンドリングの向上を図り、しかも安価に製造可能な
半導体装置の製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。即ち、半導体素子が搭載さ
れたフレーム基板に個々に切込みを入れて切断ラインを
形成する切断ライン形成工程と、リリースフィルムが張
設されたモールド金型に前記フレーム基板を搬入して、
前記切断ラインの内側に沿って前記フレーム基板をクラ
ンプして前記半導体素子を樹脂モールドする樹脂モール
ド工程と、樹脂モールド後、前記モールド金型より取り
出された前記フレーム基板より、前記切断ラインに沿っ
て半導体装置を分離する半導体装置分離工程とを備えた
ことを特徴とする。

【００１０】また、前記樹脂モールド工程前に、前記フ
レーム基板の前記半導体素子搭載面と反対面側に配線パ
ターンに接続するはんだボールを接合する工程を備えて
いても良い。また、前記切断ライン形成工程は、切断刃
を有するパンチを前記フレーム基板に接触させながら超
音波振動を加えることにより前記切断ラインを形成する
ようにしても良い。また、前記半導体装置分離工程は、
前記フレーム基板に形成されたパッケージに連続する成
形品ゲートと反対側のコーナー部を押圧することにより
ゲートブレイクして、前記半導体装置が前記フレーム基
板より前記切断ラインに沿って分離されるようにしても
良い。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の態様
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、ＢＧＡタイプの半導体装置の製造方法について説明
するものとする。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は半導体装置
の製造工程を示す説明図、図２は図１（ａ）のフレーム
基板の切断ライン形成工程を示す説明図、図３（ａ）
（ｂ）及び図４は図１（ｂ）の樹脂モールド工程を示す
説明図、図５は図１（ｃ）の半導体装置分離工程を示す
説明図である。

【００１２】先ず、ＢＧＡタイプの半導体装置の構成に
ついて説明すると、短冊状のフレーム基板に穴開けや銅
箔の積層やエッチングなどの工程を繰り返して配線パタ
ーンが複数箇所に形成される。このフレーム基板として
は、ガラスエポキシ樹脂基板や、ＢＴレジンなど用いた
銅張積層基板、ポリイミドなどのテープ基板等が好適に
用いられる。上記フレーム基板に切込みを入れて切断ラ
インを形成することで配線基板が各々形成される。この
切断ラインにより仕切られた各配線基板には、半導体素
子が搭載され、ワイヤボンディングによりランド部と接
合される。上記フレーム基板は、トランスファモールド
装置に搬入されて、上記半導体素子が樹脂モールドされ
てパッケージが形成される。また、上記配線基板のうち
上記パッケージと反対面側のパッド部には、基板端子と
なるはんだボールが接合されて、半導体装置が形成され
る。この半導体装置は、上記フレーム基板より押圧され
ることでゲートブレイクすると共に切断ラインに沿って
該フレーム基板より分離される。

【００１３】次に、上記半導体装置の製造工程について
図１〜図５を参照して具体的に説明する。先ず、図１
（ａ）において、１は短冊状のフレーム基板であり、該
フレーム基板１には複数箇所に配線パターンが形成され
ている。このフレーム基板１には、上記配線パターンに
接続する複数の半導体素子１８が搭載されており、該フ
レーム基板１に個々に切込みを入れて切断ライン２が形
成される。この切断ライン２は、四辺に形成されており
このうちゲートが通過するコーナー部が該ゲートを横切
るようゲートライン２ａが形成されている。また、上記
切断ライン２は後述するモールド金型のキャビティ形状
と一致するように設計される。

【００１４】上記切断ライン２は、図２に示すようにプ
レス装置により形成される。このプレス装置は、パンチ
３、ダイ４及び受け部材５を装備しており、該プレス装
置に上記フレーム基板１が搬入されて、各半導体素子１
８が受け部材５上に配置されるようセットされる。そし
て、上型と下型で上記フレーム基板１をクランプしつつ
上記パンチ３により上記フレーム基板１を押動してダイ
４との協働により所定の深さの切込み（例えばフレーム
厚に対して１０％〜１５％以下の深さ）を入れて配線基
板６の周囲に切断ライン２を形成するようになってい
る。このように、上記フレーム基板１を完全に切断しな
い半抜き状態で次工程に移送することで、上記半導体素
子１８が接続された上記配線基板６が上記フレーム基板
１より脱落することがなく、しかも切断時に樹脂片など
の塵が散乱したりすることはない。また、上記切断ライ
ン２を形成後、押し下げられた上記配線基板６の背面側
より上記受け部材５を上動させて、上記パンチ３側へ押
し戻す動作を加えても良い。これによって、上記配線基
板６を上記フレーム基板１とほぼ面一状にして、樹脂モ
ールド工程におけるキャビティ形状などをシンプルにす
ることができるため、上記フレーム基板１の取扱性を向
上させたり、装置構成を簡素化することができる。

【００１５】尚、上記フレーム基板１がポリイミドフィ
ルムなどのテープ基板を用いた場合には、パンチ３の先
端に鋭利な刃を設けておき、該刃先をフレーム基板１に
接触させて超音波振動させることにより、切断ライン２
を形成するようにしても良い。これによって、切断面は
比較的平滑面になるため、プッシュバックしても上記フ
レーム基板１に歪みや変形が生じ難く、樹脂片などの塵
も発生しないため有効である。また、上記超音波振動に
より切断ライン２が形成されるフレーム基板１として、
ポリイミドフィルムなどの剛性の低いテープ基板を用い
た場合には、板厚の５％程度の深さで半抜きした場合に
は変形は殆ど生じないので上記切断ライン２によって囲
まれる配線基板６は僅かな押圧力でフレーム基板１より
分離するため、切断ライン形成工程或いは樹脂モールド
工程で上記配線基板６を押し戻す動作は必ずしも行う必
要はなく、装置構成や製造工程を簡略化することができ
る。

【００１６】次に、図１（ｂ）において、上記フレーム
基板１をトランスファモールド装置のモールド金型へ搬
入して、切断ライン２の内側に沿って上記モールド金型
によりクランプして各半導体素子を樹脂モールドする。
この場合、上記切断ライン２によって囲まれる上記配線
基板６は、上記フレーム基板１に接続されたままである
ので、該配線基板６が小型化してもモールド金型により
良好にクランプすることができる。上記トランスファモ
ールド装置は、キャビティ７が形成された上型８と、上
記キャビティ７に対向するパーティング面に凹部９が形
成された下型１０を備えている。この凹部９は、切断ラ
イン形成工程で押圧されてフレーム基板１に対して凹面
となった配線基板６を収容するようになっている（図３
（ａ）参照）。

【００１７】また、上記上型８と配線基板６との間、及
び上記配線基板６は下型１０との間には各々リリースフ
ィルム２１が張設されている。上記リリースフィルム２
１は、長尺状のフィルムが繰り出し側及び巻き取り側の
リール間に各々巻回されており、各々上型８及び下型１
０のパーティング面に図示しない吸引機構により吸着さ
れてしわが生じないように張設されている。上記リリー
スフィルム２１によりフレーム基板１を上下に覆うこと
により、上記配線基板６が上記フレーム基板１との連結
状態を維持して脱落防止テープとして利用することがで
きる。また、従来上記下型１０にフレーム基板１のガイ
ド孔に挿通するガイドピンを設けて該フレーム基板１を
移動させていたが、上記下型１０に凹部９を設けること
により上記半抜きされた配線基板６の凹面と嵌合するた
め、上記フレーム基板１の前後左右のずれを規制でき、
ガイド孔やガイドピンを省略することができる（図３
（ｂ）参照）。また、上記上型８と上記配線基板６との
間に張設されたリリースフィルム２１によりキャビティ
７及びこれに連通する樹脂路を覆うことにより、エジェ
クタピンを省略可能となり、上記配線基板６と上記下型
１０との間に張設されたリリースフィルム２１により凹
部９を覆うことにより、樹脂モールド前に上記配線基板
６に接合されたはんだボール２２を保護する緩衝材とし
て利用することができる（図３（ｃ）参照）。上記配線
基板６は、上記フレーム基板１に半抜きされた状態で一
体となっているため、上記はんだボール２２の接合を樹
脂モールド工程の前に行っても良い。この場合、上記下
型１０に形成された凹部９は、上記はんだボール２２の
逃げとなるような深さに形成されることが望ましい。

【００１８】型開きした上記モールド金型へ上記フレー
ム基材１を搬入し、型閉じして上記フレーム基板１をク
ランプしてプランジャ１９を上動させてポット２０内に
装填された樹脂をキャビティ７へ圧送りして樹脂モール
ドを行う。これによって、各配線基板６上にフリップチ
ップボンディング、ワイヤボンディングなどにより接続
された各半導体素子１８を樹脂モールドしてパッケージ
１１を形成する（図４参照）。そして、樹脂モールド
後、型開きすると、上記上型８及び下型１０とリリース
フィルム２１とは各々離型性が良いことから、パッケー
ジ１１を含む成形品はモールド金型より容易に離型す
る。そして、上記リリースフィルム２１の巻き取り動作
を利用して成形品とフレーム基板１が一体となったまま
上記モールド金型よりゲートブレイク位置へ取り出され
る。尚、上記フレーム基板１の成形品ランナ及び成形品
ゲートに相当する部位には金めっきは施されていないた
め、成形品と上記フレーム基板１とは一体となって移送
される。上記フレーム基板１より配線基板６が脱落しな
いためには、上記リリースフィルム２１により上記成形
品と上記フレーム基板１が覆われた状態で取り出される
のが望ましい。

【００１９】尚、上記切断ライン形成工程で、プレス金
型の受け部材５により上記配線基板６を押し戻さない場
合には、樹脂モールド工程において、図３（ｂ）の破線
に示すように上記下型１０のキャビティ７に対向するパ
ーティング面を平坦な面に形成しても良い。この場合、
型閉じにより上記フレーム基板１をクランプする際に、
凹面になっている上記配線基板６がキャビティ７側に押
し戻される。上記構成によれば、予め下型１０にフレー
ム基板１の凹面を吸収する凹部９を形成する必要がない
ので、モールド金型の構造を簡略化でき、また切断ライ
ン形成工程で受け部材５も上動させる必要がないので、
装置構成を簡略化して生産コストを低減できる。

【００２０】次に、図１（ｃ）示すように、樹脂モール
ド後のフレーム基板１よりパッケージ１１を押し下げて
ゲートブレイクすると共に切断ライン２に沿って半導体
装置１３を上記フレーム基板１より個々に分離して取り
出す。上記パッケージ１１の押し下げる位置は、成形品
ゲート１５と反対側のパッケージコーナー部１４を押し
下げることにより、ゲートライン２ａに応力集中が生じ
てゲートブレイクし易くなる。具体的には、図５におい
て、樹脂モールド後のフレーム基板１の治具を兼ねたト
レイ１６により上下にクランプすると共に、上記パッケ
ージ１１のパッケージコーナー部１４を図示しないロッ
ドなどにより押し下げると、切断ライン２に沿って分離
し、上記成形品ゲート１５よりゲートライン２ａに沿っ
てゲートブレイクして半導体装置１３は個々に下側のト
レイ１６に収容される。上記トレイ１６はゲートブレイ
ク位置より取り出されて、該トレイ１６に収容された半
導体装置１３は、吸着パッド１７などによりパッケージ
１１が吸着保持されて収納トレイ（図示せず）に収納さ
れる。

【００２１】尚、上記製造工程において、樹脂モールド
工程後、半導体装置１３をゲートブレイクする前に、必
要に応じて配線基板６のパッケージ１１と反対側のパッ
ド部分にはんだボールを接合する工程を設けても良い。
上記半導体装置１３が個々に分離した後にはんだボール
を接合するとすれば、ハンドリングが難しく装置が複雑
化するためである。

【００２２】上記構成によれば、複数の半導体素子が搭
載されたフレーム基板１に個々に切込みを入れて切断ラ
イン２を形成しているので、不要な基板部分を無くして
パッケージの小型化を図ることができ、各半導体装置１
３を形成する配線基板６を完全に切断しない半抜き状態
で上記フレーム基板１に一体となったまま次工程に移送
することで、上記各半導体装置１３が上記フレーム基板
１より脱落することがないためハンドリングが良く、し
かも切断時に樹脂片などの塵が散乱したりすることはな
い。また、切断刃を有するパンチを上記フレーム基板１
に接触させながら超音波振動を加えることにより上記切
断ライン２を形成する場合には、切断面が平滑になるた
め、押し戻しにより上記フレーム基板１の歪みや変形は
生じ難く、樹脂片などの塵も発生し難くなる。特に、テ
ープ基板のように剛性の低いフレーム基板１の場合、上
記切断ライン２によって囲まれる配線基板６は僅かな押
圧力でフレーム基板１より分離するため、切断ライン形
成工程或いは樹脂モールド工程で上記配線基板６を押し
戻す動作は不要であり、装置構成や製造工程を簡略化す
ることができる。また、上記切断ライン２により囲まれ
た上記配線基板６をパンチ３側へ押し戻す動作を加えて
上記配線基板６を上記フレーム基板１とほぼ面一状にす
ることにより、樹脂モールド工程におけるキャビティ形
状などをシンプルにすることができるため、上記フレー
ム基板１の取扱性を向上させたり、装置構成を簡素化す
ることができる。また、樹脂封止モールド工程におい
て、リリースフィルム２１を用いるため、切断ライン２
により囲まれた配線基板６のフレーム基板１からの脱落
を防止したり、エジェクタピンを省略したり、はんだボ
ール２２の破損も防止できる。

【００２３】また、上記各半導体装置１３にはんだボー
ルを接合する工程を樹脂モールド工程の前後を問わず行
うこうとができ、しかも各半導体装置１３を上記フレー
ム基板１より分離しない状態で行えるので、きわめてハ
ンドリングが良く、作業性を向上させることも可能であ
る。また、予めフレーム基板１のランナ，ゲートに対応
する部位に金めっきを施す必要がないため、製造コスト
を低減することができ、しかも樹脂モールド後の上記フ
レーム基板１をゲートブレイクする際に、各半導体装置
１３が上記フレーム基板１より脱落することがなく、不
要なフレーム基板１や不要樹脂が一体となって除去でき
るので、取扱性が極めて良い。

【００２４】上記実施例は、ＢＧＡタイプの半導体装置
の製造工程を例示したがこれに限定されるものではな
く、他のチップサイズパッケージに適用することが可能
である。また、切断ライン形成工程における切断ライン
の深さは、フレーム基板の材質（樹脂基板、テープ基板
など）により様々に設定可能である。また、樹脂モール
ド工程において、上型側にキャビティが形成された片面
モールドタイプのモールド金型を用いて説明したが、こ
れに限定されるものではなく、下型側にキャビティを有
する片面モールドタイプの装置や、両面モールドタイプ
の装置に適用することも可能である。また、上記半導体
装置の製造方法は、装置形態が独立タイプであるかイン
ラインタイプであるかを問わず様々なタイプの半導体製
造工程について適用可能である等、発明の精神を逸脱し
ない範囲内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろん
のことである。

【００２５】

【発明の効果】本発明は前述したように、複数の半導体
素子が搭載されたフレーム基板に個々に切込みを入れて
切断ラインを形成しているので、不要な基板部分を省略
してパッケージの小型化を図ることができ、各半導体装
置を形成する配線基板を完全に切断しない半抜き状態で
上記フレーム基板に一体となったまま次工程に移送する
ことで、上記各半導体装置が上記フレーム基板より脱落
することがないためハンドリングが良く、しかも切断時
に樹脂片などの塵が散乱したりすることはない。また、
切断刃を有するパンチを上記フレーム基板に接触させな
がら超音波振動を加えることにより上記切断ラインを形
成する場合には、切断面が平滑になるため、プッシュバ
ックにより上記フレーム基板の歪みや変形は生じ難く、
樹脂片などの塵も発生し難くなる。特に、テープ基板の
ように剛性の低いフレーム基板の場合、上記切断ライン
によって囲まれる配線基板は僅かな押圧力で上記フレー
ム基板より分離するため、切断ライン形成工程或いは樹
脂モールド工程で上記配線基板を押し戻す動作は不要で
あり、装置構成や製造工程を簡略化することができる。
また、上記切断ラインにより囲まれた上記配線基板をパ
ンチ側へ押し戻す動作を加えて上記配線基板を上記フレ
ーム基板とほぼ面一状にすることにより、樹脂モールド
工程におけるキャビティ形状などをシンプルにすること
ができるため、上記フレーム基板の取扱性を向上させた
り、装置構成を簡素化することができる。また、樹脂封
止モールド工程において、リリースフィルムを用いるた
め、切断ラインにより囲まれた配線基板のフレーム基板
からの脱落を防止したり、エジェクタピンを省略した
り、はんだボールの破損も防止できる。また、上記各半
導体装置にはんだボールを接合する工程を樹脂モールド
工程の前後を問わず行うこうとができ、しかも各半導体
装置を上記フレーム基板より分離しない状態で行えるの
で、きわめてハンドリングが良く、作業性を向上させる
ことも可能である。また、予めフレーム基板のランナ，
ゲートに対応する部位に金めっきを施す必要がないた
め、製造コストを低減することができ、しかも樹脂モー
ルド後の上記フレーム基板をゲートブレイクする際に、
各半導体装置が上記フレーム基板より脱落することがな
く、不要なフレーム基板や不要樹脂が一体となって除去
できるので、取扱性が極めて良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体装置の製造工程を示す説明図である。

【図２】図１のフレーム基板の切断ライン形成工程を示
す説明図である。

【図３】図１の樹脂モールド工程を示す説明図である。

【図４】図１の樹脂モールド工程を示す説明図である。

【図５】図１の半導体装置分離工程を示す説明図であ
る。

【図６】従来の樹脂モールド後のフレーム基板を示す説
明図である。

【図７】従来のフレーム基板のゲートブレイク方法を示
す説明図である。

【符号の説明】

１ フレーム基板 ２ 切断ライン ２ａ ゲートライン ３ パンチ ４ ダイ ５ 受け部材 ６ 配線基板 ７ キャビティ ８ 上型 ９ 凹部 １０ 下型 １１ パッケージ １２ エジェクタピン １３ 半導体装置 １４ パッケージコーナー部 １５ 成形品ゲート １６ トレイ １７ 吸着パッド １８ 半導体素子 １９ ポット ２０ プランジャ ２１ リリースフィルム ２２ はんだボール

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子が搭載されたフレーム基板に
   個々に切込みを入れて切断ラインを形成する切断ライン
   形成工程と、 リリースフィルムが張設されたモールド金型に前記フレ
   ーム基板を搬入して、前記切断ラインの内側に沿って前
   記フレーム基板をクランプして前記半導体素子を樹脂モ
   ールドする樹脂モールド工程と、 樹脂モールド後、前記モールド金型より取り出された前
   記フレーム基板より、前記切断ラインに沿って半導体装
   置を分離する半導体装置分離工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記樹脂モールド工程前に、前記フレー
   ム基板の前記半導体素子搭載面と反対面側に配線パター
   ンに接続するはんだボールを接合する工程を備えている
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記切断ライン形成工程は、切断刃を有
   するパンチを前記フレーム基板に接触させながら超音波
   振動を加えることにより前記切断ラインを形成すること
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記半導体装置分離工程は、前記フレー
   ム基板に形成されたパッケージに連続する成形品ゲート
   と反対側のコーナー部を押圧することによりゲートブレ
   イクして、前記半導体装置が前記フレーム基板より前記
   切断ラインに沿って分離されることを特徴とする請求項
   １記載の半導体装置の製造方法。