JPH11307914A - 厚膜配線基板のパターン形成方法 - Google Patents
厚膜配線基板のパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH11307914A JPH11307914A JP10110459A JP11045998A JPH11307914A JP H11307914 A JPH11307914 A JP H11307914A JP 10110459 A JP10110459 A JP 10110459A JP 11045998 A JP11045998 A JP 11045998A JP H11307914 A JPH11307914 A JP H11307914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- film wiring
- thick film
- pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚膜配線基板における厚膜配線の断線部等の
修正を、効率よくかつエネルギー消費を抑えて確実に行
う。 【解決手段】 基板１上に形成された厚膜配線２の断線
部３に金属ペースト４を塗布し、金属ペースト４を塗布
した箇所（修正箇所）にＩＲランプ５を照射して金属ペ
ースト４を乾燥させた後、レーザー集光照射ユニット６
を用いてレーザー光７を修正箇所に集光照射することに
より、乾燥した金属ペースト４を溶かし固まらせて導通
のある状態にする。
修正を、効率よくかつエネルギー消費を抑えて確実に行
う。 【解決手段】 基板１上に形成された厚膜配線２の断線
部３に金属ペースト４を塗布し、金属ペースト４を塗布
した箇所（修正箇所）にＩＲランプ５を照射して金属ペ
ースト４を乾燥させた後、レーザー集光照射ユニット６
を用いてレーザー光７を修正箇所に集光照射することに
より、乾燥した金属ペースト４を溶かし固まらせて導通
のある状態にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜配線基板に形
成された厚膜配線の欠けや断線を修正するためのパター
ン形成方法に関するものである。
成された厚膜配線の欠けや断線を修正するためのパター
ン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金や銀、銅などを用いた厚膜配線基板は
製造が容易でコストも安くできることから各種の用途に
用いられている。特に最近プラズマディスプレイパネル
が生産されるようになっており、その基板として印刷に
より形成される銀電極、すなわち厚膜配線が形成された
ガラス基板が多く生産されるようになっている。この基
板に形成された厚膜配線の中に断線や短絡等の欠陥が１
箇所でもあってはならず、このような欠陥が発生した場
合に修正する技術が重要になっている。
製造が容易でコストも安くできることから各種の用途に
用いられている。特に最近プラズマディスプレイパネル
が生産されるようになっており、その基板として印刷に
より形成される銀電極、すなわち厚膜配線が形成された
ガラス基板が多く生産されるようになっている。この基
板に形成された厚膜配線の中に断線や短絡等の欠陥が１
箇所でもあってはならず、このような欠陥が発生した場
合に修正する技術が重要になっている。
【０００３】液晶表示装置などの配線基板では、断線や
配線パターンの欠け等の欠陥を修正する方法としていく
つかの提案がなされてきた。その例としては、金属化合
物のペーストや有機金属溶液を塗布後に焼成して導体化
する方法、有機金属溶液や金属錯体化合物を塗布後にレ
ーザー照射して導体化する方法等があり、また、金属膜
を形成した基材を厚膜配線基板に近接させ、レーザー照
射により欠陥部分に金属膜を蒸着転写させて修正する方
法なども提案されている。これらの方法はいずれも薄い
金属膜を形成するものである。
配線パターンの欠け等の欠陥を修正する方法としていく
つかの提案がなされてきた。その例としては、金属化合
物のペーストや有機金属溶液を塗布後に焼成して導体化
する方法、有機金属溶液や金属錯体化合物を塗布後にレ
ーザー照射して導体化する方法等があり、また、金属膜
を形成した基材を厚膜配線基板に近接させ、レーザー照
射により欠陥部分に金属膜を蒸着転写させて修正する方
法なども提案されている。これらの方法はいずれも薄い
金属膜を形成するものである。
【０００４】また、厚膜配線パターンの欠陥を修正する
方法としては、その欠陥の部分に修正用の金属ペースト
をスポット塗布し、乾燥させた後、５００℃以上の高温
で基板全体を焼成炉中で焼成する方法がある。
方法としては、その欠陥の部分に修正用の金属ペースト
をスポット塗布し、乾燥させた後、５００℃以上の高温
で基板全体を焼成炉中で焼成する方法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄い金
属膜を形成する方法では、厚膜配線基板のような膜厚の
大きい配線に対しては、断線部分や配線パターンの欠け
部分を確実に接続することが困難であった。
属膜を形成する方法では、厚膜配線基板のような膜厚の
大きい配線に対しては、断線部分や配線パターンの欠け
部分を確実に接続することが困難であった。
【０００６】また、基板全体を焼成炉中で焼成して厚膜
配線パターンの欠陥を修正する方法では、焼成炉全体を
高温にする必要があるため焼成に時間とエネルギーを要
するものであり、生産タクトを速くするためには焼成炉
の炉長の長い連続炉を導入する必要があるので、高価な
設備となってしまうという問題があった。
配線パターンの欠陥を修正する方法では、焼成炉全体を
高温にする必要があるため焼成に時間とエネルギーを要
するものであり、生産タクトを速くするためには焼成炉
の炉長の長い連続炉を導入する必要があるので、高価な
設備となってしまうという問題があった。
【０００７】本発明はこのような課題を解決するために
なされたものであり、厚膜配線基板全体を焼成炉で焼成
することなく、厚膜配線基板に生じた厚膜配線パターン
の断線部分や欠け部分を確実に接続することができる厚
膜配線基板のパターン形成方法を提供することを目的と
している。
なされたものであり、厚膜配線基板全体を焼成炉で焼成
することなく、厚膜配線基板に生じた厚膜配線パターン
の断線部分や欠け部分を確実に接続することができる厚
膜配線基板のパターン形成方法を提供することを目的と
している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の厚膜配線基板の
パターン形成方法は、基板上に形成された厚膜配線の欠
陥部分に金属粉体分散液を塗布した後、所定波長のレー
ザー光を前記欠陥部分に照射することにより前記欠陥部
分を導電化するものである。この方法により、高温の焼
成炉で基板全体を焼成することなく金属を溶け固まらせ
ることができ、十分に導通を確保することができる。
パターン形成方法は、基板上に形成された厚膜配線の欠
陥部分に金属粉体分散液を塗布した後、所定波長のレー
ザー光を前記欠陥部分に照射することにより前記欠陥部
分を導電化するものである。この方法により、高温の焼
成炉で基板全体を焼成することなく金属を溶け固まらせ
ることができ、十分に導通を確保することができる。
【０００９】また、本発明の他の厚膜配線基板のパター
ン形成方法は、レーザー光の照射を少なくとも２回行
い、１回目に照射するレーザー光の強度にくらべて、２
回目に照射するレーザー光の強度を強くするものであ
る。この方法により、金属ペーストの飛び散りが生じる
ことなく、レーザーを１回照射するよりもレーザーパワ
ーに対するマージンが広くなり条件設定が容易になる。
ン形成方法は、レーザー光の照射を少なくとも２回行
い、１回目に照射するレーザー光の強度にくらべて、２
回目に照射するレーザー光の強度を強くするものであ
る。この方法により、金属ペーストの飛び散りが生じる
ことなく、レーザーを１回照射するよりもレーザーパワ
ーに対するマージンが広くなり条件設定が容易になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
て図面を用いて説明する。
【００１１】図５は、本実施の形態で使用するパターン
修正装置の一実施例を示す平面図である。この図５で
は、特に大型プラズマディスプレイパネル用の基板に対
応できるよう省スペースの基板固定／門型ステージ移動
型の例を示している。
修正装置の一実施例を示す平面図である。この図５で
は、特に大型プラズマディスプレイパネル用の基板に対
応できるよう省スペースの基板固定／門型ステージ移動
型の例を示している。
【００１２】図５に示すように、門型ステージ１１が門
型ステージＹ方向駆動軸１２によってＹ方向に移動し、
門型ステージ１１に組み込まれた駆動軸（図示せず）に
よって修正用ユニット群装着ベース１３がＸ方向に移動
する。修正用ユニット群装着ベース１３には、レーザー
集光照射ユニットが付いた顕微鏡１４、スポット修正塗
布ユニット１５、および乾燥用ＩＲランプユニット１６
が一定の位置関係で固定されている。修正される欠陥を
有する基板は基板載置台１７上に設置される。欠陥を有
する基板の一例として、電極パターンが形成されたプラ
ズマディスプレイパネル用基板を図２に示す。基板１の
上に印刷等によって銀の厚膜配線２が形成されており、
厚膜配線２の一部に断線部３が発生している。
型ステージＹ方向駆動軸１２によってＹ方向に移動し、
門型ステージ１１に組み込まれた駆動軸（図示せず）に
よって修正用ユニット群装着ベース１３がＸ方向に移動
する。修正用ユニット群装着ベース１３には、レーザー
集光照射ユニットが付いた顕微鏡１４、スポット修正塗
布ユニット１５、および乾燥用ＩＲランプユニット１６
が一定の位置関係で固定されている。修正される欠陥を
有する基板は基板載置台１７上に設置される。欠陥を有
する基板の一例として、電極パターンが形成されたプラ
ズマディスプレイパネル用基板を図２に示す。基板１の
上に印刷等によって銀の厚膜配線２が形成されており、
厚膜配線２の一部に断線部３が発生している。
【００１３】次に、このパターン修正装置を用いて図２
に示した基板の欠陥である断線部３を修正する方法につ
いて図１および図５を用いて説明する。
に示した基板の欠陥である断線部３を修正する方法につ
いて図１および図５を用いて説明する。
【００１４】まず、別途オープンショート検査機や画像
認識検査装置により欠陥位置を特定した基板のデータを
パターン修正装置のコントローラに読み込むと、その欠
陥位置が顕微鏡１４の視野に入るように設定される。そ
の修正すべき欠陥の位置をオペレータが正確に合わせて
指示を与えると、欠陥の修正すべき範囲にスポット修正
塗布ユニット１５が金属ペーストを必要分スポット塗布
して再度欠陥が顕微鏡１４の視野内に戻ってくる。ここ
で、金属ペーストは、金属微粉末を少量の樹脂と溶剤で
分散した金属粉体分散液である。図１（ａ）は図２のＡ
−Ａ’断面図であり、断線部３に金属ペースト４を塗布
した状態を図１（ｂ）に示す。次に、図１（ｃ）に示す
ように、金属ペースト４を塗布した箇所（修正箇所）に
乾燥用ＩＲランプユニット１６（図５参照）に備えられ
ているＩＲランプ５を照射して金属ペースト４を乾燥さ
せた後、図１（ｄ）に示すように、顕微鏡１４（図５参
照）に備えられたレーザー集光照射ユニット６を用いて
レーザー光７を修正箇所に集光照射することにより、乾
燥した金属ペースト４を溶かし固まらせて、金属ペース
ト４を導通のある状態にする。このように、修正箇所へ
の金属ペーストの塗布から金属ペーストの導体化まで一
つのパターン修正装置の上で一貫して行うことができる
ので、非常に効率よくかつエネルギー消費を少なくして
欠陥を修正することができる。
認識検査装置により欠陥位置を特定した基板のデータを
パターン修正装置のコントローラに読み込むと、その欠
陥位置が顕微鏡１４の視野に入るように設定される。そ
の修正すべき欠陥の位置をオペレータが正確に合わせて
指示を与えると、欠陥の修正すべき範囲にスポット修正
塗布ユニット１５が金属ペーストを必要分スポット塗布
して再度欠陥が顕微鏡１４の視野内に戻ってくる。ここ
で、金属ペーストは、金属微粉末を少量の樹脂と溶剤で
分散した金属粉体分散液である。図１（ａ）は図２のＡ
−Ａ’断面図であり、断線部３に金属ペースト４を塗布
した状態を図１（ｂ）に示す。次に、図１（ｃ）に示す
ように、金属ペースト４を塗布した箇所（修正箇所）に
乾燥用ＩＲランプユニット１６（図５参照）に備えられ
ているＩＲランプ５を照射して金属ペースト４を乾燥さ
せた後、図１（ｄ）に示すように、顕微鏡１４（図５参
照）に備えられたレーザー集光照射ユニット６を用いて
レーザー光７を修正箇所に集光照射することにより、乾
燥した金属ペースト４を溶かし固まらせて、金属ペース
ト４を導通のある状態にする。このように、修正箇所へ
の金属ペーストの塗布から金属ペーストの導体化まで一
つのパターン修正装置の上で一貫して行うことができる
ので、非常に効率よくかつエネルギー消費を少なくして
欠陥を修正することができる。
【００１５】次に、この厚膜配線基板の欠陥を修正する
方法の有効性を具体的に検討した結果について説明す
る。
方法の有効性を具体的に検討した結果について説明す
る。
【００１６】図３に示すように、板厚約３ｍｍのガラス
製の基板１上に金属ペーストとして銀ペーストを印刷形
成し、線幅１３０μｍ、ピッチ５００μｍ、膜厚５μｍ
の厚膜配線２を設けた基板を作成した。この電極パター
ンの一部を削り取ることにより長さ１００μｍの断線欠
陥を有する基板を作成し、断線欠陥部分に修正用の金属
ペーストである銀ペースト４をスポット塗布した。ここ
で、修正用の銀ペーストは、銀の微粉末を例えばエチル
セルロースなどの樹脂とブチルカルビトールアセテート
などの溶剤で分散することによって得られる銀粉体分散
液である。次に、ＩＲランプで修正用の銀ペースト４を
乾燥させた後、主波長８１０ｎｍのＡｌＧａＡｓ半導体
レーザーを約４００μｍ径のスポットになるように集光
して、図３に示すようにレーザー照射範囲８にあたるよ
うに照射し、銀ペーストの状態変化を観察した。
製の基板１上に金属ペーストとして銀ペーストを印刷形
成し、線幅１３０μｍ、ピッチ５００μｍ、膜厚５μｍ
の厚膜配線２を設けた基板を作成した。この電極パター
ンの一部を削り取ることにより長さ１００μｍの断線欠
陥を有する基板を作成し、断線欠陥部分に修正用の金属
ペーストである銀ペースト４をスポット塗布した。ここ
で、修正用の銀ペーストは、銀の微粉末を例えばエチル
セルロースなどの樹脂とブチルカルビトールアセテート
などの溶剤で分散することによって得られる銀粉体分散
液である。次に、ＩＲランプで修正用の銀ペースト４を
乾燥させた後、主波長８１０ｎｍのＡｌＧａＡｓ半導体
レーザーを約４００μｍ径のスポットになるように集光
して、図３に示すようにレーザー照射範囲８にあたるよ
うに照射し、銀ペーストの状態変化を観察した。
【００１７】レーザーのパワーを変えたサンプルを作成
して、レーザー照射時における修正用の銀ペーストの飛
び散り具合とレーザー照射後の修正部の銀の溶け固まり
具合および修正した電極端間の電気的導通を観察した。
この結果を表１に示す。レーザー照射時間はいずれの場
合も５秒で一定としている。表１中で、「溶け方」は修
正部の銀の溶け固まり具合を表し、「○」は充分に溶け
て固まったものであり、「△」は溶けてはいるが容易に
はがれたものであり、「×」は溶け方が不充分なもので
ある。「導通」は修正した電極端間の電気的導通を表
し、「○」は導通がとれたものであり、「×」は導通が
とれなかったものである。「飛び散り」は銀ペーストの
飛び散り具合を表し、「○」は飛び散りがほとんどなか
ったもの、「×」は飛び散りが認められたものである。
して、レーザー照射時における修正用の銀ペーストの飛
び散り具合とレーザー照射後の修正部の銀の溶け固まり
具合および修正した電極端間の電気的導通を観察した。
この結果を表１に示す。レーザー照射時間はいずれの場
合も５秒で一定としている。表１中で、「溶け方」は修
正部の銀の溶け固まり具合を表し、「○」は充分に溶け
て固まったものであり、「△」は溶けてはいるが容易に
はがれたものであり、「×」は溶け方が不充分なもので
ある。「導通」は修正した電極端間の電気的導通を表
し、「○」は導通がとれたものであり、「×」は導通が
とれなかったものである。「飛び散り」は銀ペーストの
飛び散り具合を表し、「○」は飛び散りがほとんどなか
ったもの、「×」は飛び散りが認められたものである。
【００１８】
【表１】
【００１９】比較例１、２はそれぞれ、断線箇所に有機
金属溶液、金属錯体溶液を塗布乾燥後レーザー照射して
金属化したものであり、金属としては銀を使用してい
る。いずれの場合もレーザー照射後の表面状態を見る限
りでは金属化は十分になされていたが、電極の導通を調
べた結果導通がとれていなかった。これは、比較例１、
２の場合、断線部分において金属化した膜は厚みが１μ
ｍ以下の薄膜であるため、厚膜の銀に対して十分な接触
が確保できていないか、または、断線部分の抵抗が大き
くなっているために流れた電流の発熱で再度薄膜の部分
で断線してしまったものと考えられる。一般に、プラズ
マディスプレイパネルで厚膜配線に流れる電流はピーク
値で数百ｍＡであり、この電流が大きすぎて比較例１、
２の方法で得られる薄膜は使えないものと考えられる。
したがって、比較例１、２の方法では断線部分を確実に
修正することは不可能であることがわかる。
金属溶液、金属錯体溶液を塗布乾燥後レーザー照射して
金属化したものであり、金属としては銀を使用してい
る。いずれの場合もレーザー照射後の表面状態を見る限
りでは金属化は十分になされていたが、電極の導通を調
べた結果導通がとれていなかった。これは、比較例１、
２の場合、断線部分において金属化した膜は厚みが１μ
ｍ以下の薄膜であるため、厚膜の銀に対して十分な接触
が確保できていないか、または、断線部分の抵抗が大き
くなっているために流れた電流の発熱で再度薄膜の部分
で断線してしまったものと考えられる。一般に、プラズ
マディスプレイパネルで厚膜配線に流れる電流はピーク
値で数百ｍＡであり、この電流が大きすぎて比較例１、
２の方法で得られる薄膜は使えないものと考えられる。
したがって、比較例１、２の方法では断線部分を確実に
修正することは不可能であることがわかる。
【００２０】実施例１〜４はレーザーパワーを変えてレ
ーザー照射を１回行った場合のものである。表１からわ
かるように、レーザーパワーが低いと銀ペーストが飛び
散ることはないが充分に溶けず導通がとれていない。ま
た、レーザーパワーが高くなると、銀ペーストが溶けて
固まらせることができ導通も確保できるが、銀ペースト
が飛び散ってしまい配線間の短絡などの原因となり、ま
た塗布部の銀が不足して充分な接続が得られない場合も
ある。レーザーパワーが高くなった場合の銀ペーストの
飛散は、銀ペーストが急激に加熱されるためと考えられ
る。
ーザー照射を１回行った場合のものである。表１からわ
かるように、レーザーパワーが低いと銀ペーストが飛び
散ることはないが充分に溶けず導通がとれていない。ま
た、レーザーパワーが高くなると、銀ペーストが溶けて
固まらせることができ導通も確保できるが、銀ペースト
が飛び散ってしまい配線間の短絡などの原因となり、ま
た塗布部の銀が不足して充分な接続が得られない場合も
ある。レーザーパワーが高くなった場合の銀ペーストの
飛散は、銀ペーストが急激に加熱されるためと考えられ
る。
【００２１】また、実施例５〜１０は、レーザーパワー
を弱から強に２段階に強度変化させてレーザー照射した
場合である。実施例６〜９の場合には、銀ペーストの飛
散がなく導通が充分にとれていることがわかる。これ
は、１回目の弱パワーのレーザー照射で銀ペーストの有
機成分が焼き飛ばされ、その後の２回目の強パワーのレ
ーザー照射で銀の溶け固まりが進行するため銀ペースト
の飛散が生じないものと考えられる。しかしながら、こ
の弱パワー／強パワーの２段階でレーザー照射を行った
場合でも、実施例５のようにレーザーパワーの十分でな
い場合は溶け固まりが悪くなり導通がとれなくなってし
まう。また、実施例１０のように１回目のレーザーパワ
ーが強すぎると、銀ペーストが初期の段階で急激に加熱
されるために銀ペーストの飛散が生じてしまっている。
したがって、レーザーパワーを２段階で所定範囲内で変
えてレーザー照射する方法を用いると、レーザー照射を
１回行う場合よりもレーザーパワーに対するマージンが
広くなり条件設定が容易になる。また、ここではレーザ
ー照射を２回行っているが、３回以上行ってもよい。
を弱から強に２段階に強度変化させてレーザー照射した
場合である。実施例６〜９の場合には、銀ペーストの飛
散がなく導通が充分にとれていることがわかる。これ
は、１回目の弱パワーのレーザー照射で銀ペーストの有
機成分が焼き飛ばされ、その後の２回目の強パワーのレ
ーザー照射で銀の溶け固まりが進行するため銀ペースト
の飛散が生じないものと考えられる。しかしながら、こ
の弱パワー／強パワーの２段階でレーザー照射を行った
場合でも、実施例５のようにレーザーパワーの十分でな
い場合は溶け固まりが悪くなり導通がとれなくなってし
まう。また、実施例１０のように１回目のレーザーパワ
ーが強すぎると、銀ペーストが初期の段階で急激に加熱
されるために銀ペーストの飛散が生じてしまっている。
したがって、レーザーパワーを２段階で所定範囲内で変
えてレーザー照射する方法を用いると、レーザー照射を
１回行う場合よりもレーザーパワーに対するマージンが
広くなり条件設定が容易になる。また、ここではレーザ
ー照射を２回行っているが、３回以上行ってもよい。
【００２２】本実施の形態で使用するレーザーとして
は、波長が１５００ｎｍを超えて長波長になるとガラス
基板に吸収され易くなり、ガラス基板がレーザーのエネ
ルギーを吸収すると、レーザーが照射された部分で温度
上昇が起こり熱歪みによってガラス基板のひび割れや割
れが発生してしまう。また、７５０ｎｍよりも短波長の
レーザーは顕微鏡観察しながら加工する場合に非常に強
い強度の可視光となるためＣＣＤを使用した場合でも加
工状態の観察が難しくなる。このような条件からみて本
実施の形態に用いるレーザーとしては、波長７５０ｎｍ
〜１５００ｎｍの範囲が適切である。この波長範囲にあ
るレーザーとしては、例えば、ＹＡＧレーザーやＡｌＧ
ａＡｓ半導体レーザーなどがある。
は、波長が１５００ｎｍを超えて長波長になるとガラス
基板に吸収され易くなり、ガラス基板がレーザーのエネ
ルギーを吸収すると、レーザーが照射された部分で温度
上昇が起こり熱歪みによってガラス基板のひび割れや割
れが発生してしまう。また、７５０ｎｍよりも短波長の
レーザーは顕微鏡観察しながら加工する場合に非常に強
い強度の可視光となるためＣＣＤを使用した場合でも加
工状態の観察が難しくなる。このような条件からみて本
実施の形態に用いるレーザーとしては、波長７５０ｎｍ
〜１５００ｎｍの範囲が適切である。この波長範囲にあ
るレーザーとしては、例えば、ＹＡＧレーザーやＡｌＧ
ａＡｓ半導体レーザーなどがある。
【００２３】以上の実施の形態では、銀ペーストを焼成
するためにレーザーを用いた例を示したが、図４に示す
ように、キセノンアーク放電ランプ９を用いても同様の
効果を得ることができる。このキセノンアーク放電ラン
プ９から発生した光を集光ユニット１０で集光して欠陥
部分に塗布した銀ペースト（金属ペースト）４に照射す
ることにより、銀ペーストを焼成して導体化するもので
ある。
するためにレーザーを用いた例を示したが、図４に示す
ように、キセノンアーク放電ランプ９を用いても同様の
効果を得ることができる。このキセノンアーク放電ラン
プ９から発生した光を集光ユニット１０で集光して欠陥
部分に塗布した銀ペースト（金属ペースト）４に照射す
ることにより、銀ペーストを焼成して導体化するもので
ある。
【００２４】キセノンアーク放電ランプ９は、非常に小
さな点で発光する点光源に近いランプ（高光密度ラン
プ）であり集光しやすく、その発光スペクトルは近紫外
から赤外までの幅広い連続スペクトルの中で特に８００
ｎｍ〜９００ｎｍの波長域に強い発光を持っている。こ
の８００ｎｍ〜９００ｎｍの波長域に前述の実施の形態
で用いているレーザーの波長が含まれており、この波長
域が銀ペーストのスポット焼成に適した波長であるため
よく焼成できるものである。
さな点で発光する点光源に近いランプ（高光密度ラン
プ）であり集光しやすく、その発光スペクトルは近紫外
から赤外までの幅広い連続スペクトルの中で特に８００
ｎｍ〜９００ｎｍの波長域に強い発光を持っている。こ
の８００ｎｍ〜９００ｎｍの波長域に前述の実施の形態
で用いているレーザーの波長が含まれており、この波長
域が銀ペーストのスポット焼成に適した波長であるため
よく焼成できるものである。
【００２５】但し、高光密度ランプでは光源の大きさを
１ｍｍ以下にしたものは実現が難しく、集光したスポッ
トの大きさも１ｍｍ以下とするのがなかなか難しい。こ
のことから、高光密度ランプによるスポット焼成につい
ては微細なパターンの修正には適用が難しいが、スポッ
トの大きさに応じたパターンに対してはこの高光密度ラ
ンプを使用することができ、光源のコスト等の点で有利
な場合もある。
１ｍｍ以下にしたものは実現が難しく、集光したスポッ
トの大きさも１ｍｍ以下とするのがなかなか難しい。こ
のことから、高光密度ランプによるスポット焼成につい
ては微細なパターンの修正には適用が難しいが、スポッ
トの大きさに応じたパターンに対してはこの高光密度ラ
ンプを使用することができ、光源のコスト等の点で有利
な場合もある。
【００２６】また、光を小さな点に集光しやすいキセノ
ンアーク放電ランプ以外の高光密度ランプを用いること
もできる。
ンアーク放電ランプ以外の高光密度ランプを用いること
もできる。
【００２７】また、上記実施の形態では金属として銀を
用いた場合を示したが、金等の金属を用いても同様の効
果を得ることができる。
用いた場合を示したが、金等の金属を用いても同様の効
果を得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の厚膜配線基板のパターン形成方法によれば、基板上に
形成された厚膜配線の欠陥部分に金属粉体分散液を塗布
した後、その欠陥部分にレーザー光や高光密度ランプの
光を照射することにより、高温の焼成炉で基板全体を焼
成することなく銀等の金属を溶け固まらせることがで
き、その欠陥部分の導通を十分に確保することができる
ものである。また、レーザーのパワーを弱から強へと２
段階以上の変化をつけて金属粉体分散液にレーザー光を
照射することで液の飛び散りも生じないため、修正箇所
の高い信頼性を確保できるものである。
の厚膜配線基板のパターン形成方法によれば、基板上に
形成された厚膜配線の欠陥部分に金属粉体分散液を塗布
した後、その欠陥部分にレーザー光や高光密度ランプの
光を照射することにより、高温の焼成炉で基板全体を焼
成することなく銀等の金属を溶け固まらせることがで
き、その欠陥部分の導通を十分に確保することができる
ものである。また、レーザーのパワーを弱から強へと２
段階以上の変化をつけて金属粉体分散液にレーザー光を
照射することで液の飛び散りも生じないため、修正箇所
の高い信頼性を確保できるものである。
【図１】本発明の断線部の修正方法の工程図
【図２】断線部を有するプラズマディスプレイ用基板の
斜視図
斜視図
【図３】レーザー光の照射範囲を示す図
【図４】本発明の高光密度ランプによる修正方法を説明
するための図
するための図
【図５】本発明のパターン形成方法を実施するためのパ
ターン修正装置の平面図
ターン修正装置の平面図
１ 基板 ２ 厚膜配線 ３ 断線部 ４ 金属ペースト ５ ＩＲランプ ６ レーザー集光照射ユニット ７ レーザー光 ８ レーザー照射範囲 ９ キセノンアーク放電ランプ １０ 集光ユニット
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された厚膜配線の欠陥部分
に金属粉体分散液を塗布した後、所定波長のレーザー光
を前記欠陥部分に照射することにより前記欠陥部分を導
電化することを特徴とする厚膜配線基板のパターン形成
方法。 - 【請求項２】 レーザー光の波長が７５０ｎｍ〜１５０
０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の厚
膜配線基板のパターン形成方法。 - 【請求項３】 レーザー光の光源としてＡｌＧａＡｓ半
導体レーザーを用いることを特徴とする請求項１記載の
厚膜配線基板のパターン形成方法。 - 【請求項４】 金属粉体分散液として銀粉体分散液を用
いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
載の厚膜配線基板のパターン形成方法。 - 【請求項５】 レーザー光の照射を少なくとも２回行
い、１回目に照射するレーザー光の強度にくらべて、２
回目に照射するレーザー光の強度を強くすることを特徴
とする請求項１ないし４のいずれかに記載の厚膜配線基
板のパターン形成方法。 - 【請求項６】 レーザー光のかわりに高光密度ランプの
光を用いることを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
かに記載の厚膜配線基板のパターン形成方法。 - 【請求項７】 高光密度ランプとしてキセノンアーク放
電ランプを用いることを特徴とする請求項６記載の厚膜
配線基板のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10110459A JPH11307914A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 厚膜配線基板のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10110459A JPH11307914A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 厚膜配線基板のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307914A true JPH11307914A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14536256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10110459A Pending JPH11307914A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 厚膜配線基板のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307914A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023380A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | パターンの製造方法 |
| JP2017513040A (ja) * | 2014-04-10 | 2017-05-25 | オーボテック リミテッド | パルスモードのレーザ直接描画によるメタライゼーション |
| US10537027B2 (en) | 2013-08-02 | 2020-01-14 | Orbotech Ltd. | Method producing a conductive path on a substrate |
| US10622244B2 (en) | 2013-02-18 | 2020-04-14 | Orbotech Ltd. | Pulsed-mode direct-write laser metallization |
| CN114985945A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-09-02 | 深圳市铭镭激光设备有限公司 | 图案标刻方法 |
| KR20230019732A (ko) * | 2021-08-02 | 2023-02-09 | 메타솔 주식회사 | 광소결에 의한 평판 디스플레이 패널 전극의 리페어 방법 및 시스템 |
-
1998
- 1998-04-21 JP JP10110459A patent/JPH11307914A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023380A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | パターンの製造方法 |
| JP2014170973A (ja) * | 2010-07-14 | 2014-09-18 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | パターンの製造方法 |
| US10622244B2 (en) | 2013-02-18 | 2020-04-14 | Orbotech Ltd. | Pulsed-mode direct-write laser metallization |
| US10537027B2 (en) | 2013-08-02 | 2020-01-14 | Orbotech Ltd. | Method producing a conductive path on a substrate |
| JP2017513040A (ja) * | 2014-04-10 | 2017-05-25 | オーボテック リミテッド | パルスモードのレーザ直接描画によるメタライゼーション |
| KR20230019732A (ko) * | 2021-08-02 | 2023-02-09 | 메타솔 주식회사 | 광소결에 의한 평판 디스플레이 패널 전극의 리페어 방법 및 시스템 |
| KR20230127960A (ko) * | 2021-08-02 | 2023-09-01 | 메타솔 주식회사 | 광소결에 의한 평판 디스플레이 패널 전극의 리페어 방법 및 시스템 |
| CN114985945A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-09-02 | 深圳市铭镭激光设备有限公司 | 图案标刻方法 |
| CN114985945B (zh) * | 2022-05-19 | 2024-02-20 | 深圳市铭镭激光设备有限公司 | 图案标刻方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3453803B2 (ja) | 電子回路基板の配線修正方法およびその装置 | |
| US20130164506A1 (en) | Apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation | |
| TWI661752B (zh) | 用於製造脈衝模式之直接寫入雷射金屬化之方法及系統 | |
| JP2008193083A (ja) | 加熱抵抗体を組み込んだ電子基板 | |
| US20140363626A1 (en) | Method of manufacturing glass substrate, and glass substrate | |
| JPH11307914A (ja) | 厚膜配線基板のパターン形成方法 | |
| US5814165A (en) | UV laser annealing and cleaning of deposited metal and dielectric lines | |
| US10622244B2 (en) | Pulsed-mode direct-write laser metallization | |
| JP4675667B2 (ja) | 電子部品実装方法 | |
| JP2006303356A (ja) | 電子部品実装方法 | |
| CN115226315A (zh) | 清除电路基板上的残留锡的方法 | |
| JPS59150665A (ja) | はんだ付け方法 | |
| KR102947961B1 (ko) | 도전부의 제조 방법, 도전부를 포함하는 전자 부품의 제조 방법, 도전부를 포함하는 전자 부품을 조립한 제품의 제조 방법, 도전부, 도전부를 갖는 전자 부품, 도전부를 포함하는 전자 부품을 내장한 제품 | |
| JP2786146B2 (ja) | はんだ付け方法および装置 | |
| JPH10190210A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| KR102410304B1 (ko) | 칩 리워크 장치 | |
| CN113973439B (zh) | 一种解决阻焊进孔并增强孔壁爬锡能力的方法 | |
| JP2003297881A (ja) | ボールグリッドアレイの光処理方法 | |
| TWI914443B (zh) | 導電部的製造方法、包括導電部之電子零件的製造方法、裝配包括導電部之電子零件而成之產品的製造方法、導電部、具有導電部之電子零件、組裝包括導電部之電子零件之產品 | |
| CN113395837B (zh) | 一种纳米金属线路及结构的湿法激光成形方法 | |
| JP2760093B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH02306693A (ja) | 電子部品の実装半田付け方法 | |
| JPH0569182A (ja) | 電子部品の半田付け方法 | |
| JPS63160297A (ja) | レ−ザ−による半田付方法 | |
| TW436354B (en) | Pattern correcting device and its method |